JP2003158353A

JP2003158353A - 配線基板

Info

Publication number: JP2003158353A
Application number: JP2001359102A
Authority: JP
Inventors: Koju Ogawa; 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2001-11-26
Filing date: 2001-11-26
Publication date: 2003-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波信号を伝送する信号導体線を有する配
線基板について、信号の伝送特性を向上させることがで
きる配線基板を提供すること。【解決手段】配線基板１０１は、基板表面１０２に形
成され、ＩＣチップＩＣ１の端子と接続される複数のＩ
Ｃ接続端子１１１と、基板裏面１０３に形成され、他の
基板ＭＢの端子と接続される複数の裏面接続端子１３１
とを備える。また、一端が複数のＩＣ接続端子１１１の
いずれかと接続し、他端が複数の裏面接続端子１３１の
いずれかと接続する信号導体線１４３，１４４を備え
る。これらの信号導体線１４３等は、ＩＣ接続端子１１
１から基板表面１０２、基板側面１０４Ｓ等、及び基板
裏面１０３を経由して裏面接続端子１３１まで延びる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を伝送
する信号導体線を有する配線基板に関し、特に、ＩＣチ
ップを搭載すると共に他の基板に接続され、ＩＣチップ
と他の基板との間で信号導体線を介して高周波信号を伝
送する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、マイクロ波帯などの高周波信
号を扱うＩＣチップを搭載し、一方で、マザーボード等
他の基板に接続される配線基板が知られている。このよ
うな配線基板には、ＩＣチップと他の基板との間で高周
波信号を伝送するため、ＩＣチップと他の基板とを結ぶ
信号導体線が形成されている。

【０００３】図１９は、従来の配線基板の概略を示す図
である。図中には、２つの配線基板９０１が間隔をあけ
てマザーボードＭＢに接続されている。また、配線基板
９０１には、それぞれＩＣチップＩＣが搭載されてい
る。各々の配線基板９０１の基板内部には、高周波信号
を伝送する信号導体線９１０が形成されている。この信
号導体線９１０は、一端が、基板表面９０２に形成され
ＩＣチップＩＣの端子と接続されたＩＣ接続端子９０５
と接続している。そして、他端が、基板裏面９０３に形
成されマザーボードＭＢの端子と接続された裏面接続端
子９０７と接続している。この信号導体線９１０は、配
線基板９０１の厚さ方向に延びるビア導体９１１と、配
線基板９０１の平面方向に延びる内部配線９１２とによ
って構成されている。なお、マザーボードＭＢにも、２
つの配線基板９０１の信号導体線９１０を結ぶ信号導体
線ＳＤが形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、信号導体線９１
０を通る信号のさらなる高周波化に伴い、その伝送特性
を向上させることが期待されている。しかしながら、上
記の配線基板９０１では、信号導体線９１０にビア導体
９１１が含まれているため、ビア導体９１１による伝送
ロスが大きく、信号の伝送特性を大きく向上させること
が困難であった。

【０００５】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであって、高周波信号を伝送する信号導体線を有する
配線基板について、信号の伝送特性を向上させることが
できる配線基板を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、ＩＣチップを搭載する基板表面と、他の基板と
接続される基板裏面とを有する配線基板であって、上記
基板表面に形成され、上記ＩＣチップの端子と接続され
る複数のＩＣ接続端子と、上記基板裏面に形成され、上
記他の基板の端子と接続される複数の裏面接続端子と、
一端が上記複数のＩＣ接続端子のいずれかと接続し、他
端が上記複数の裏面接続端子のいずれかと接続する信号
導体線であって、上記ＩＣ接続端子から上記基板表面、
基板側面、及び上記基板裏面を経由して上記裏面接続端
子まで延びる信号導体線と、を備える配線基板である。

【０００７】本発明によれば、基板表面のＩＣ接続端子
と基板裏面の裏面接続端子とを結ぶ信号導体線は、ＩＣ
接続端子から基板表面、基板側面、及び基板裏面を経由
して裏面接続端子まで延びる。即ち、この信号導体線
は、従来の信号導体線のようにビア導体を経由すること
なく、基板表面、基板側面及び基板裏面を経由して延び
る。このため、信号導体線を通る高周波信号の伝送ロス
を低減させることができ、高周波信号の伝送特性を向上
させることができる。なお、配線基板は、上述の各構成
要素を満たすものであれば、セラミック製の配線基板で
も樹脂製の配線基板でもよい。即ち、配線基板を構成す
る絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラ
ミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エ
ポキシ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料
などの複合材料などでもよい。

【０００８】また、他の解決手段は、ＩＣチップを搭載
する基板表面と、他の基板と接続される基板裏面とを有
する配線基板であって、上記基板表面に形成され、上記
ＩＣチップの端子と接続される複数のＩＣ接続端子と、
基板側面に形成され、上記他の基板の端子と接続される
複数の側面接続端子と、一端が上記複数のＩＣ接続端子
のいずれかと接続し、他端が上記複数の側面接続端子の
いずれかと接続する信号導体線であって、上記ＩＣ接続
端子から上記基板表面を経由し上記基板表面の外周縁を
越えて上記側面接続端子まで延びる信号導体線と、を備
える配線基板である。

【０００９】本発明によれば、基板表面のＩＣ接続端子
と基板側面の側面接続端子とを結ぶ信号導体線は、ＩＣ
接続端子から基板表面を経由し基板表面の外周縁を超え
て側面接続端子まで延びる。即ち、この信号導体線は、
従来のようにビア導体を経由することなく、基板表面を
経由し基板表面の外周縁を超えて延びる。このため、信
号導体線を通る高周波信号の伝送ロスを低減させること
ができ、高周波信号の伝送特性を向上させることができ
る。

【００１０】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記基板表面に形成され、上記信号導体線と
間隔をあけて上記信号導体線の一方の側に拡がり、固定
電位とされる表面側第１固定電位層と、上記基板表面に
形成され、上記信号導体線と間隔をあけて上記信号導体
線の他方の側に拡がり、固定電位とされる表面側第２固
定電位層と、を備える配線基板とすると良い。

【００１１】本発明では、信号導体線のうち基板表面に
形成された部分の両側に、固定電位とされる表面側第１
固定電位層及び表面側第２固定電位層が拡がる。つま
り、信号導体線のうち基板表面に形成された部分は、表
面側第１，第２固定電位層と結合し、いわゆるコプレー
ナ型の線路構造を採ることになる。このため、信号導体
線のうち基板表面に形成された部分について、信号導体
線のシールド性が向上する。従って、信号導体線を通る
高周波信号の伝送特性を向上させることができる。

【００１２】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、基板内部または基板裏面のうち、少なくと
も、上記信号導体線のうち上記基板表面に形成された部
分を厚さ方向に投影した領域及びその近傍領域、に形成
され、固定電位とされる裏面側固定電位層を備える配線
基板とすると良い。

【００１３】本発明では、基板内部または基板裏面に固
定電位とされる裏面側固定電位層が形成されている。こ
の裏面側固定電位層は、少なくとも、信号導体線のうち
基板表面に形成された部分を厚さ方向に投影した領域及
びその近傍領域に形成されている。つまり、信号導体線
のうち基板表面に形成された部分は、裏面側固定電位層
と結合し、いわゆるマイクロストリップ型の線路構造を
採ることになる。このため、信号導体線のうち基板表面
に形成された部分について、信号導体線のシールド性が
向上する。従って、信号導体線を通る高周波信号の伝送
特性を向上させることができる。

【００１４】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記基板側面に形成され、上記信号導体線と
間隔をあけて上記信号導体線の一方の側に拡がり、固定
電位とされる側面側第１固定電位層と、上記基板側面に
形成され、上記信号導体線と間隔をあけて信号導体線の
他方の側に拡がり、固定電位とされる側面側第２固定電
位層と、を備える配線基板とすると良い。

【００１５】本発明では、基板側面にも信号導体線が形
成された信号導体線について、基板側面に形成された部
分の両側に、固定電位とされる側面側第１固定電位層及
び側面側第２固定電位層が拡がる。つまり、信号導体線
のうち基板側面に形成された部分は、側面側第１，第２
固定電位層と結合し、いわゆるコプレーナ型の線路構造
を採ることになる。このため、信号導体線のうち基板側
面に形成された部分について、信号導体線のシールド性
が向上する。従って、信号導体線を通る高周波信号の伝
送特性を向上させることができる。

【００１６】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記基板表面と基板側面とのなす角部は、Ｒ
面取りまたはＣ面取りされている配線基板とすると良
い。

【００１７】前述の発明によれば、信号導体線は、基板
表面、基板側面及び基板裏面を経由して延びるか、ある
いは、基板表面を経由し基板表面の外周縁を超えて延び
るものである。つまり、いずれの信号導体線も基板表面
と基板側面のなす角部を通過する。このため、この角部
が直角に形成されている場合には、それに従って信号導
体線もこの部分で直角に曲がることになる。そうする
と、この部分で伝送ロス（反射）が生じる。これに対
し、本発明では、基板表面と基板側面とのなす角部がＲ
面取りまたはＣ面取りされているので、この角部を通過
する信号導体線も、それに追従して緩やかに曲がること
になる。従って、この部分で生じる伝送ロス（反射）を
低減することができ、信号導体線を通る高周波信号の伝
送特性を向上させることができる。

【００１８】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記基板側面と基板裏面とのなす角部は、Ｒ
面取りまたはＣ面取りされている配線基板とすると良
い。

【００１９】前述の発明によれば、信号導体線には、基
板表面、基板側面及び基板裏面を経由して延びるものが
ある。つまり、このような信号導体線は、基板側面と基
板裏面のなす角部を通過する。このため、この角部が直
角に形成されている場合には、それに従って信号導体線
もこの部分で直角に曲がることになる。そうすると、こ
の部分で伝送ロス（反射）が生じる。これに対し、本発
明では、基板側面と基板裏面とのなす角部がＲ面取りま
たはＣ面取りされているので、この角部を通過する信号
導体線も、それに追従して緩やかに曲がることになる。
従って、この部分で生じる伝送ロスを低減することがで
き、信号導体線を通る高周波信号の伝送特性を向上させ
ることができる。

【００２０】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、上記配線基板は平面視略矩形状であり、前記
信号導体線は、前記基板表面を上記配線基板の短辺と略
平行な方向に延びている配線基板とすると良い。

【００２１】一般に、信号導体線が長いほど、信号の伝
送ロスが大きくなる。従って、信号導体線は、短い方が
好ましい。本発明では、配線基板が平面視略矩形状であ
る場合に、信号導体線が、基板表面を配線基板の短辺と
略平行な方向に延びている。このため、信号導体線を配
線基板の長辺と平行な方向などに延ばす場合に比して、
信号導体線の長さが短くなる。従って、信号導体線を通
る高周波信号の伝送ロス（反射）を低減させ、伝送特性
を向上させることができる。

【００２２】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記信号導体線を覆う保護層を備える配線基
板とすると良い。

【００２３】本発明では、信号導体線が、例えばガラス
コートやソルダーレジスト層などの保護層によって覆わ
れている。このため、信号導体線を外部から保護するこ
とができる。

【００２４】さらに、上記の配線基板であって、前記保
護層のうち前記基板表面に形成された部分の上に、導電
材からなり、固定電位とされる補強板を備える配線基板
とすると良い。

【００２５】本発明では、保護層のうち基板表面に形成
された部分の上に、補強板を備える。そして、この補強
板は、誘電材からなり、固定電位とされる。このため、
配線基板の強度が、補強板により向上するだけでなく、
信号導体線のうち基板表面に形成された部分は、補強板
と結合し、いわゆるマイクロストリップ型の線路構造を
採ることになる。従って、信号導体線のうち基板表面に
形成された部分について、信号導体線のシールド性が向
上する。よって、信号導体線を通る高周波信号の伝送特
性を向上させることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態１
の配線基板１０１を図１〜図５に示す。図１は配線基板
１０１の概略を示す説明図である。図２は基板表面１０
２側から見た平面図である。図３は基板側面１０４Ｓか
ら見た側面図である。また、図４は図２のＡ−Ａ断面
図、図５は図２のＢ−Ｂ断面図である。

【００２７】この配線基板１０１は、図１に示すよう
に、マザーボード（他の基板）ＭＢ１に複数個（図中２
個）接続される。一方、各々の配線基板１０１には、マ
イクロ波帯などの高周波信号を扱うＩＣチップＩＣ１が
搭載される。配線基板１０１には、基板表面１０２に設
けられたＩＣ接続端子１１１から基板表面１０２、基板
側面１０４及び基板裏面１０３を経由して基板裏面１０
３に設けられた裏面接続端子１３１まで延びる信号導体
線１４３，１４４が形成されている。また、マザーボー
ドＭＢ１には、一方の配線基板１０１の裏面接続端子１
３１と他方の配線基板１０１の裏面接続端子１３１とを
結ぶ信号導体線ＳＤが形成されている。

【００２８】各々の配線基板１０１ついて詳細に説明す
ると、配線基板１０１は、基板表面１０２と基板裏面１
０３と４つの基板端面１０４Ｓ，１０４Ｔ，１０４Ｕ，
１０４Ｖとを有する平面視略矩形状の略板形状である
（図２〜図５参照）。基板表面１０２のうち、ＩＣチッ
プＩＣ１を搭載する平面視略矩形状の搭載領域には、Ｉ
ＣチップＩＣ１の端子と接続されるＩＣ接続端子１１１
が多数形成されている（図２及び図４参照）。これらの
ＩＣ接続端子１１１には、高周波信号を伝送するもの
や、低周波信号を伝送するもの、電源電位とされるも
の、あるいは、接地電位とされるものがある。

【００２９】また、基板表面１０２には、高周波信号を
伝送するための表面信号導体線１１３，１１４が形成さ
れている（図２、図４及び図５参照）。具体的には、図
２中下方の表面信号導体線１１３は、ＩＣ接続端子１１
１の１つと接続し、配線基板１０１の短辺と平行な方向
（図２中上下方向）に、ＩＣ接続端子１１１から基板側
面１０４Ｓに向かって直線的に延びている。同様に、図
２中上方の表面信号導体線１１４も、ＩＣ接続端子１１
１の１つと接続し、配線基板１０１の短辺と平行な方向
に、ＩＣ接続端子１１１から基板側面１０４Ｕに向かっ
て直線的に延びている。

【００３０】さらに、基板表面１０２には、表面信号導
体線１１３，１１４とそれぞれ間隔をあけて、接地電位
とされるグランド層（表面側第１，第２グランド層（表
面側第１，第２固定電位層）１１７Ｋ，１１７Ｌ，１１
８Ｋ，１１８Ｌ）が拡がっている（図２、図４及び図５
参照）。具体的には、図２中下方の表面信号導体線１１
３の右方には、平面視略矩形状の表面側第１グランド層
１１７Ｋが表面信号導体線１１３と所定の間隔をあけて
形成され、この信号導体線１１３の左方には、同じく平
面視略矩形状の表面側第２グランド層１１７Ｌが信号導
体線１１３と所定の間隔をあけて形成されている。同様
に、図２中上方の信号導体線１１４の右方には、平面視
略矩形状の表面側第１グランド層１１８Ｋが信号導体線
１１４と所定の間隔をあけて形成され、この信号導体線
１１４の左方には、同じく平面視略矩形状の表面側第２
グランド層１１８Ｌが信号導体線１１４と所定の間隔を
あけて形成されている。

【００３１】基板側面１０４Ｓ，１０４Ｔ，１０４Ｕ，
１０４Ｖのうち、図２中上方及び下方の基板側面１０４
Ｓ，１０４Ｕには、側面信号導体線１２３，１２４がそ
れぞれ形成されている（図２〜図４参照）。具体的に
は、図４中左方の側面信号導体線１２３は、基板表面１
０２と基板側面１０４Ｓとのなす角部１０５Ｓで表面信
号導体線１１３と繋がり、基板裏面１０３に向かって直
線的に延びている。同様に、図４中右方の側面信号導体
線１２４は、基板表面１０２と基板側面１０４Ｕとのな
す角部１０５Ｕで表面信号導体線１１４と繋がり、基板
裏面１０３に向かって直線的に延びている。角部１０５
Ｓ，１０５Ｕは、いずれもＣ面取りされているので、そ
れに追従して表面信号導体線１１３，１１４と側面信号
導体線１２３，１２４は、直交して繋がるのではなく、
緩やかに曲がりながら繋がっている。

【００３２】また、これらの基板側面１０４Ｓ，１０４
Ｕには、側面信号導体線１２３，１２４とそれぞれ間隔
をあけて、接地電位とされるグランド層（側面側第１，
第２グランド層（側面側第１，第２固定電位層）１２７
Ｋ，１２７Ｌ等）が拡がっている（図３参照）。具体的
には、図２中下方の基板側面１０４Ｓに形成された信号
導体線１１３の図３中右方には、平面視略矩形状の側面
側第１グランド層１２７Ｋが側面信号導体線１２３と所
定の間隔をあけて形成され、この側面信号導体線１２３
の図３中左方には、同じく平面視略矩形状の側面側第２
グランド層１２７Ｌが側面信号導体線１２３と所定の間
隔をあけて形成されている。同様に、図２中上方の基板
側面１０４Ｕに形成された側面信号導体線１２４の一方
には、平面視略矩形状の表面側第１グランド層（図示し
ない）が信号導体線１２４と所定の間隔をあけて形成さ
れ、この信号導体線１２４の他方には、同じく平面視略
矩形状の表面側第２グランド層（図示しない）が信号導
体線１２４と所定の間隔をあけて形成されている。

【００３３】基板裏面１０３には、マザーボードＭＢ１
の端子と接続される裏面接続端子１３１が多数形成され
ている（図４参照）。これらの裏面接続端子１３１に
は、ＩＣ接続端子１１１と同様、高周波信号を伝送する
ものや、低周波信号を伝送するもの、電源電位とされる
もの、あるいは、接地電位とされるものがある。また、
基板裏面１０３には、高周波信号を伝送するための裏面
信号導体線１３３，１３４が形成されている（図４及び
図５参照）。具体的には、図４中左方の裏面信号導体線
１３３は、基板側面１０４Ｓと基板裏面１０３とのなす
角部１０６Ｓで側面信号導体線１２３と繋がり、直線的
に延びて、他方で裏面接続端子１３１の１つと接続して
いる。同様に、図４中右方の裏面信号導体線１３４は、
基板側面１０４Ｕと基板裏面１０３とのなす角部１０６
Ｕで側面信号導体線１２４と繋がり、直線的に延びて、
他方で裏面接続端子１３１の１つと接続している。角部
１０６Ｓ，１０６Ｕは、いずれもＣ面取りされているの
で、それに追従して側面信号導体線１２３，１２４と裏
面信号導体線１３３，１３４は、直交して繋がるのでは
なく、緩やかに曲がりながら繋がっている。

【００３４】以上の説明から明らかなように、一部のＩ
Ｃ接続端子１１１と一部の裏面接続端子１３１とは、表
面信号導体線１１３，１１４、側面信号導体線１２３，
１２４、及び裏面信号導体線１３３，１３４からなる信
号導体線１４３，１４４を介して接続されている。換言
すれば、ＩＣ接続端子１１１と裏面接続端子１３１と
は、基板表面１０２、基板側面１０４Ｓ，１０４Ｕ、及
び基板裏面１０３を経由して延びる信号導体線１４３，
１４４によって接続されている。

【００３５】次に、配線基板１０１の内部について具体
的に説明すると、配線基板１０１は、低温焼成セラミッ
クからなる３層の絶縁層１５１，１５２，１５３が積層
されている（図４及び図５参照）。上側の絶縁層１５１
と中央の絶縁層１５２の層間には、接地電位とされるグ
ランド層（裏面側グランド層（裏面側固定電位層）１５
５）が略全面に拡がっている（図４及び図５参照）。こ
の裏面側グランド層１５５の基板表面１０２側には、一
方でＩＣ接続端子１１１と接続し上側の絶縁層１５１を
貫通するビア導体１５７の一部が接続している。また、
裏面側グランド層１５５の基板裏面１０３側には、一方
で裏面接続端子１３１と接続し中央の絶縁層１５２と下
側の絶縁層１５３を貫通するビア導体１５９の一部が接
続している。

【００３６】中央の絶縁層１５２と下側の絶縁層１５３
の層間には、電源電位とされるパワー層１６１が略全面
に拡がっている（図４及び図５参照）。このパワー層１
６１の基板表面１０２側には、一方でＩＣ接続端子１１
１と接続し上側の絶縁層１５１と中央の絶縁層１５２を
貫通するビア導体１６３の一部が接続している。また、
パワー層１６１の基板裏面１０３側には、一方で裏面接
続端子１３１と接続し下側の絶縁層１５３を貫通するビ
ア導体１６５の一部が接続している。

【００３７】配線基板１０１の基板表面１１２上、基板
裏面１１３上、及び、基板側面１１４Ｓ，１１４Ｔ，１
１４Ｕ，１１４Ｖのうち２つの基板側面１１４Ｓ，１１
４Ｕ上には、ガラスからなり、誘電率が５．８のガラス
コート（保護層）１７１が形成されている。また、ガラ
スコート１７１のうち、基板表面１０２に形成された部
分の上には、ＣｕＷからなり、接地電位とされる平面視
口字状のスティフナ（補強板）１８１が固着されてい
る。なお、この配線基板１０１は、公知のセラミック多
層基板の製造方法により製造することができる。

【００３８】このような配線基板１０１は、基板表面１
０２のＩＣ接続端子１１１と基板裏面１０３の裏面接続
端子１３１とを結ぶ高周波用の信号導体線１４３，１４
４が、ＩＣ接続端子１１１から基板表面１０２、基板側
面１０４Ｓ，１０４Ｕ、及び基板裏面１０３を経由して
裏面接続端子１３１まで延びる。即ち、従来のようにビ
ア導体を介することなく、基板表面１０２、基板側面１
０４Ｓ等及び基板裏面１０３を経由して延びる。このた
め、信号導体線１４３等を通る高周波信号の伝送ロスを
低減させることができ、高周波信号の伝送特性を向上さ
せることができる。

【００３９】さらに、本実施形態１では、信号導体線１
４３，１４４のうち基板表面１０２に形成された部分
（表面信号導体線１１３，１１４）の両側に、接地電位
とされる表面側第１グランド層１１７Ｋ，１１８Ｋ及び
表面側第２グランド層１１７Ｌ，１１８Ｌが拡がる。つ
まり、表面信号導体線１１３等は、表面側第１，第２グ
ランド層１１７Ｋ，１１７Ｌ等と結合し、いわゆるコプ
レーナ型の線路構造を採る。このため、表面信号導体線
１１３等のシールド性が向上する。従って、信号導体線
１４３等を通る高周波信号の伝送特性を向上させること
ができる。

【００４０】また、本実施形態１では、基板内部に接地
電位とされる裏面側グランド層１５５が形成されてい
る。そして、この裏面側グランド層１５５は、信号導体
線１４３，１４４のうち表面信号導体線１１３，１１４
を厚さ方向に投影した領域及びその近傍領域を含む略全
面に形成されている。つまり、表面信号導体線１１３等
は、裏面側グランド層１５５と結合し、いわゆるマイク
ロストリップ型の線路構造を採る。このため、表面信号
導体線１１３等のシールド性が向上する。従って、信号
導体線１４３等を通る高周波信号の伝送特性を向上させ
ることができる。

【００４１】また、本実施形態１では、信号導体線１４
３，１４４のうち基板側面１０４Ｓ，１０４Ｕに形成さ
れた部分（側面信号導体線１２３，１２４）の両側に、
接地電位とされる側面側第１グランド層１２７Ｋ等及び
側面側第２グランド層１２７Ｌ等が拡がる。つまり、側
面信号導体線１２３等は、側面側第１，第２グランド層
１２７Ｋ，１２７Ｌ等と結合し、いわゆるコプレーナ型
の線路構造を採る。このため、側面信号導体線１２３等
のシールド性が向上する。従って、信号導体線１４３等
を通る高周波信号の伝送特性を向上させることができ
る。

【００４２】また、本実施形態１では、基板表面１０２
と基板側面１０４Ｓ，１０４Ｕとのなす角部１０５Ｓ，
１０５ＵがそれぞれＣ面取りされている。このため、こ
れらの角部１０５Ｓ等を通過する信号導体線１４３，１
４４も、それに追従して穏やかに曲がっている。従っ
て、この部分で生じる伝送ロス（反射）を低減すること
ができ、信号導体線１４３等を通る高周波信号の伝送特
性を向上させることができる。さらに、基板側面１０４
Ｓ，１０４Ｕと基板裏面１０３のなす角部１０６Ｓ，１
０６ＵもそれぞれＣ面取りされている。このため、これ
らの角部１０６Ｓ等を通過する信号導体線１４３，１４
４も、それに追従して穏やかに曲がっている。従って、
この部分で生じる伝送ロス（反射）を低減することがで
き、信号導体線１４３等を通る高周波信号の伝送特性を
向上させることができる。

【００４３】また、本実施形態１では、配線基板１０１
が平面視略矩形状であるところ、信号導体線１４３，１
４４が、基板表面１０２を配線基板１０１の短辺と平行
な方向に延びている。このため、信号導体線１４３，１
４４の長さが短い。従って、信号導体線１４３等を通る
高周波信号の伝送ロス（反射）を低減させ、伝送特性を
向上させることができる。

【００４４】また、本実施形態１では、基板表面１０
２、基板側面１０４Ｓ，１０４Ｕ及び基板裏面１０３が
ガラスコート１７１により覆われている。従って、信号
導体線１４３，１４４が外部から保護される。

【００４５】また、本実施形態１では、ガラスコート１
７１のうち基板表面１０２に形成された部分の上に、ス
ティフナ１８１を備える。しかも、このスティフナ１８
１は、誘電材からなり、接地電位とされる。このため、
配線基板１０１の強度が向上するだけでなく、表面信号
導体線１１３，１１４は、スティフナと結合し、いわゆ
るマイクロストリップ型の線路構造を採るため、表面信
号導体線１１３等のシールド性が向上する。よって、信
号導体線１４３，１４４を通る高周波信号の伝送特性を
向上させることもできる。

【００４６】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
について、図面を参照しつつ説明する。なお、上記実施
形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１の配線基板２０１を図６〜図９に示す。図
６は基板表面２０２側から見た平面図である。図７は基
板側面２０４Ｓから見た側面図である。また、図８は図
６のＡ−Ａ断面図、図８は図６のＢ−Ｂ断面図である。

【００４７】この配線基板２０１は、基板表面２０２と
基板裏面２０３と４つの基板端面２０４Ｓ，２０４Ｔ，
２０４Ｕ，２０４Ｖとを有する平面視略矩形状の略板形
状である（図６〜図９参照）。基板表面２０２のうち、
ＩＣチップＩＣ２を搭載する搭載領域には、ＩＣチップ
ＩＣ２の端子と接続されるＩＣ接続端子２１１が多数形
成されている（図６及び図８参照）。また、基板表面２
０２には、高周波信号を伝送するための信号導体線２１
３，２１４が形成されている（図６、図８及び図９参
照）。また、低周波信号を伝送するための導体線２１５
や、電源電位とされる導体線２１５、接地電位とされる
導体線２１５も形成されている。さらに、基板表面２０
２には、信号導体線２１３，２１４とそれぞれ間隔をあ
けて、接地電位とされるグランド層（表面側第１，第２
グランド層（表面側第１，第２固定電位層）２１７Ｋ，
２１７Ｌ，２１８Ｋ，２１８Ｌ）が拡がっている（図６
及び図９参照）。

【００４８】基板側面２０４Ｓ，２０４Ｔ，２０４Ｕ，
２０４Ｖのうち、図６中上方及び下方の基板側面２０４
Ｓ，２０４Ｕには、略半円筒状の凹所がそれぞれ３個所
ずつ基板表面２０２から基板裏面２０３に向けて直線的
に形成されている。これらの凹所のうち、中央に位置す
る小さな凹所内には、側面接続端子２２３，２２４がそ
れぞれ形成されている（図７及び図８参照）。このうち
側面接続端子２２３は、基板表面２０２と基板側面２０
４Ｓとのなす角部２０５Ｓにおいて、基板表面２０２の
外周縁を超えて延びる信号導体線２１３と接続してい
る。同様に、側面接続端子２２４は、基板表面２０２と
基板側面２０４Ｕとのなす角部２０５Ｕにおいて、基板
表面２０２の外周縁を超えて延びる信号導体線２１４と
接続している。角部２０５Ｓ，２０５Ｕは、いずれもＣ
面取りされているので、それに追従して信号導体線２１
３，２１４は緩やかに曲がりながら側面接続端子２２
３，２２４に接続している。一方、３つの凹所のうち、
両端に位置する大きな凹所内には、側面接続端子２２
３，２２４とそれぞれ間隔をあけて、接地電位とされる
グランド層（側面側第１，第２グランド層（側面側第
１，第２固定電位層）２２７Ｋ，２２７Ｌ等）が形成さ
れている（図７参照）。なお、基板側面２０４Ｔ，２０
４Ｖにも、略半円筒形状の凹所が形成され（図６参
照）、他の導体線２１５と接続する側面接続端子（図示
しない）がそれぞれ形成されている。

【００４９】基板裏面２０３には、マザーボードＭＢ２
の端子と接続される裏面接続端子２３１が多数形成され
ている（図８参照）。これらの裏面接続端子２３１は、
基板側面２０４Ｓ，２０４Ｔ，２０４Ｕ，２０４Ｖと基
板裏面２０３の角部において、側面接続端子２２３，２
２４等とそれぞれ接続している。

【００５０】次に、配線基板２０１の内部について説明
すると、配線基板２０１は、２層の絶縁層２５１，２５
２が積層されている（図８及び図９参照）。上側の絶縁
層２５１と下側の絶縁層２５２の層間には、接地電位と
されるグランド層（裏面側グランド層（裏面側固定電位
層）２５５）が略全面に拡がっている（図８及び図９参
照）。この裏面側グランド層２５５は、上側の絶縁層２
５１を貫通する図示しないビア導体を介してＩＣ接続端
子２１１と接続している。

【００５１】配線基板２０１の基板表面２１２上には、
上記実施形態１と同様の材質からなるガラスコート（保
護層）２７１が形成されている。また、ガラスコート２
７１上には、上記実施形態１と同様の材質からなり、接
地電位とされる平面視口字状のスティフナ（補強板）２
８１が固着されている。なお、この配線基板２０１も、
公知のセラミック多層基板の製造方法により製造するこ
とができる。

【００５２】このような配線基板２０１は、基板表面２
０２のＩＣ接続端子２１１と基板側面２０４Ｓ，２０４
Ｕの側面接続端子２２３，２２４とを結ぶ信号導体線２
１３，２１４が、ＩＣ接続端子２１１から基板表面２０
２を経由し基板表面２０２の外周縁を超えて側面接続端
子２２３，２２４まで延びる。即ち、この信号導体線２
１３，２１４は、従来のようにビア導体を経由すること
なく、基板表面２０２を経由し基板表面２０２の外周縁
を超えて延びる。このため、信号導体線２１３，２１４
を通る高周波信号の伝送ロスを低減させることができ、
高周波信号の伝送特性を向上させることができる。な
お、その他上記実施形態１と同様な部分については、上
記実施形態１と同様な効果を奏する。

【００５３】（調査結果）本発明に係る配線基板につい
て伝送特性を調査した。また、比較のため、従来技術に
係る配線基板についても伝送特性を調査した。調査に用
いた配線基板は、上記実施形態などに比して、テスト用
に基板の構造を簡略化した次の３種類の配線基板であ
る。

【００５４】即ち、従来技術に係る配線基板（比較例
１）として、図１０に平面図、図１１に図１０における
Ａ−Ａ断面図、図１２に図１０におけるＢ−Ｂ断面図を
示す配線基板３０１を用意した。この配線基板３０１
は、１６ｍｍ×１６ｍｍ×２ｍｍの略板形状である。基
板表面３０２には、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの表面接続
端子３１１が３個形成されている。一方、基板裏面３０
３にも、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの裏面接続端子３１９
が３個形成されている。

【００５５】配線基板３０１の内部について見ると、こ
の配線基板３０１は、低温焼成セラミックからなる誘電
率約６の４層の絶縁層３３１，３３２，３３３，３３４
が積層されている。絶縁層３３１と絶縁層３３２との層
間には、接地電位とされるグランド層３３７が略全面に
形成されている。また、絶縁層３３２と絶縁層３３３と
の層間には、線幅１５０μｍ、線長約１２ｍｍの内部信
号導体線３１３が形成されている。この内部信号導体線
３１３の一端には、表面接続端子３１１と接続し絶縁層
３３１，３３２を貫通する直径０．１５ｍｍのビア導体
３４１が接続されている。また、内部信号導体線３１３
の他端には、裏面接続端子３１９と接続し絶縁層３３
３，３３４を貫通する直径０．１５ｍｍのビア導体３４
３が接続されている。従って、信号導体線３５１は、ビ
ア導体３４１と内部信号導体線３１３とビア導体３４３
とからなる。また、絶縁層３３３と絶縁層３３４との層
間には、接地電位とされるグランド層３３９が略全面に
形成されている。なお、導体は、いずれもＡｕからな
る。

【００５６】また、本発明に係る配線基板（実施例１）
として、図１３に平面図、図１４に図１３におけるＡ−
Ａ断面図、図１５に図１３におけるＢ−Ｂ断面図を示す
配線基板４０１を用意した。この配線基板４０１の基板
主面３０２には、表面接続端子３１１の他に、線幅３１
３μｍ、線長約１２ｍｍの表面信号導体線４１３が形成
されている。表面信号導体線４１３は、一方で中央に位
置する表面接続端子３１１と接続し、基板側面３０４ま
で延びている。また、その基板側面３０４には、側面信
号導体線４１７が形成されている。側面信号導体線４１
７は、一方で表面信号導体線４１３と接続し、基板裏面
３０３まで延びている。また、基板裏面３０３には、裏
面接続端子３１９の他に、裏面信号導体線４２１が形成
されている。裏面接続端子４２１は、一方で側面信号導
体線４１７と接続し、他方で裏面接続端子３１９と接続
している。従って、信号導体線４５１は、表面信号導体
線４１３と側面信号導体線４１７と裏面信号導体線４２
１からなる。なお、その他の部分は、上記配線基板３０
１と同様である。但し、この配線基板４０１は、内部信
号導体線３１３とこれに接続するビア導体３４１，３４
３を有しない。

【００５７】また、本発明に係る別の配線基板（実施例
２）として、図１６に平面図、図１７に図１６における
Ａ−Ａ断面図、図１８に図１６におけるＢ−Ｂ断面図を
示す配線基板５０１を用意した。この配線基板５０１
は、基板表面３０２に表面信号導体線４１３と１００μ
ｍ間隔をあけて拡がる表面側第１グランド層５１５Ｋと
表面側第２グランド層５１５Ｌを備える。それ以外は、
上記配線基板４０１と同様である。但し、信号導体線４
５１の線幅は、２４０μｍである。なお、上記３種類の
配線基板３０１，４０１，５０１における信号導体線３
５１，４５１の線幅は、それぞれインピーダンス整合
（５０Ω）を考慮して決定している。

【００５８】これら３種類の配線基板３０１，４０１，
５０１について、次の調査を行った。即ち、Ｓパラメー
タを利用し、ＨＰ製ネットワークアナライザーにより１
０ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、４０ＧＨｚの高周波について、
それぞれ伝達係数Ｓ２１を測定した。なお、測定に際し
ては、３端子のコプレーナプローブを使用した。その結
果をまとめて表１に示す。

【００５９】

【表１】

【００６０】表１から判るように、実施例１，２の配線
基板４０１，５０１は、全体的に比較例の配線基板３０
１に比して、損失が小さいことが判る。特に、実施例２
の配線基板５０１は、４０ＨＧｚという高周波において
も損失が小さい。このように、ビア導体３４１，３４３
を経由する比較例に比べて、本発明を適用することによ
り、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。
また、上記結果から、上記各実施形態１，２の配線基板
１０１，２０１は、従来の配線基板よりも、高周波信号
の伝送特性が良いことが推定される。

【００６１】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態１，２等に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜
変更して適用できることはいうまでもない。例えば、上
記各実施形態１，２では、信号導体線１４３，１４４，
２１３，２１４が直線状であるものについて示したが、
信号導体線１４３等は、曲線状に引き回すこともでき
る。但し、信号導体線１４３等が長くなることによる高
周波信号の伝送ロスを考慮すると、信号導体線１４３等
が短くなるようにできる限り直線的に引き出すのが好ま
しい。また、上記各実施形態１，２では、セラミック製
の配線基板１０１，２０１について示したが、樹脂製の
配線基板とすることもできる。この場合に、低周波信号
を伝送する配線を基板内部に形成するときは、平面方向
に延びる配線を介さずにビア導体同士を直接接続する、
いわゆるビアインビアの形態を採用するのが好ましい。
低周波信号の伝送ロスを低減できるからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板の概略を示す説明図
である。

【図２】実施形態１に係る配線基板の基板表面側から見
た平面図である。

【図３】実施形態１に係る配線基板の側面のうち信号導
体線が延びている側面の側面図である。

【図４】実施形態１に係る配線基板の図２におけるＡ−
Ａ断面図である。

【図５】実施形態１に係る配線基板の図２におけるＢ−
Ｂ断面図である。

【図６】実施形態２に係る配線基板の基板表面側から見
た平面図である。

【図７】実施形態２に係る配線基板の側面のうち信号導
体線が延びている側面の側面図である。

【図８】実施形態２に係る配線基板の図６におけるＡ−
Ａ断面図である。

【図９】実施形態１に係る配線基板の図６におけるＢ−
Ｂ断面図である。

【図１０】調査に用いた従来の配線基板（比較例）の基
板表面側から見た平面図である。

【図１１】調査に用いた従来の配線基板（比較例）の図
１０におけるＡ−Ａ断面図である。

【図１２】調査に用いた従来の配線基板（比較例）の図
１０におけるＢ−Ｂ断面図である。

【図１３】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
１）の基板表面側から見た平面図である。

【図１４】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
１）の図１３におけるＡ−Ａ断面図である。

【図１５】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
１）の図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。

【図１６】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
２）の基板表面側から見た平面図である。

【図１７】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
２）の図１６におけるＡ−Ａ断面図である。

【図１８】調査に用いた本発明に係る配線基板（実施例
２）の図１６におけるＢ−Ｂ断面図である。

【図１９】従来形態に係る配線基板の概略を示す説明図
である。

【符号の説明】

１０１，２０１配線基板１０２，２０２基板表面１０３，２０３基板裏面１０４Ｓ，１０４Ｔ，１０４Ｕ，１０４Ｖ，２０４Ｓ，
２０４Ｔ，２０４Ｕ，２０４Ｖ基板側面１０５Ｓ，１０５Ｕ，２０５Ｓ，２０５Ｕ（基板表
面と基板側面のなす）角部１０６Ｓ，１０６Ｕ（基板側面と基板裏面のなす）
角部１１１，２１１ＩＣ接続端子１１３，１１４表面信号導体線１１７Ｋ，１１８Ｋ，２１７Ｋ，２１８Ｋ表面側第
１グランド層（表面側第１固定電位層）１１７Ｌ，１１８Ｌ，２１７Ｌ，２１８Ｌ表面側第
２グランド層（表面側第２固定電位層）１２３，１２４側面信号導体線１２７Ｋ，２２７Ｋ側面側第１グランド層（側面側
第１固定電位層）１２７Ｌ，２２７Ｌ側面側第２グランド層（側面側
第２固定電位層）１３１，２３１裏面接続端子１３３，１３４裏面信号導体線１４３，１４４，２１３，２１４信号導体線１７１，２７１ガラスコート（保護層）１８１，２８１スティフナ（補強板）ＩＣ１，ＩＣ２ＩＣチップＭＢ１，ＭＢ２マザーボード（他の基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/14 Ｈ０５Ｋ 1/14 Ａ // Ｈ０５Ｋ 3/46 3/46 ＮＦターム(参考） 5E317 AA22 BB04 GG11 5E338 AA02 AA03 AA18 BB80 CC01 CC06 CD01 CD24 EE11 5E344 AA01 AA22 BB02 BB08 BB14 BB15 EE08 5E346 AA02 AA15 AA35 BB02 BB04 BB06 CC18 FF42 HH06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＩＣチップを搭載する基板表面と、他の基
板と接続される基板裏面とを有する配線基板であって、上記基板表面に形成され、上記ＩＣチップの端子と接続
される複数のＩＣ接続端子と、上記基板裏面に形成され、上記他の基板の端子と接続さ
れる複数の裏面接続端子と、一端が上記複数のＩＣ接続端子のいずれかと接続し、他
端が上記複数の裏面接続端子のいずれかと接続する信号
導体線であって、上記ＩＣ接続端子から上記基板表面、
基板側面、及び上記基板裏面を経由して上記裏面接続端
子まで延びる信号導体線と、を備える配線基板。
【請求項２】ＩＣチップを搭載する基板表面と、他の基
板と接続される基板裏面とを有する配線基板であって、上記基板表面に形成され、上記ＩＣチップの端子と接続
される複数のＩＣ接続端子と、基板側面に形成され、上記他の基板の端子と接続される
複数の側面接続端子と、一端が上記複数のＩＣ接続端子のいずれかと接続し、他
端が上記複数の側面接続端子のいずれかと接続する信号
導体線であって、上記ＩＣ接続端子から上記基板表面を
経由し上記基板表面の外周縁を越えて上記側面接続端子
まで延びる信号導体線と、を備える配線基板。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の配線基板
であって、前記基板表面に形成され、上記信号導体線と間隔をあけ
て上記信号導体線の一方の側に拡がり、固定電位とされ
る表面側第１固定電位層と、上記基板表面に形成され、上記信号導体線と間隔をあけ
て上記信号導体線の他方の側に拡がり、固定電位とされ
る表面側第２固定電位層と、を備える配線基板。
【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれかに記載の配
線基板であって、基板内部または基板裏面のうち、少なくとも、上記信号
導体線のうち上記基板表面に形成された部分を厚さ方向
に投影した領域及びその近傍領域、に形成され、固定電
位とされる裏面側固定電位層を備える配線基板。
【請求項５】請求項１、請求項３及び請求項４のいずれ
かに記載の配線基板であって、前記基板側面に形成され、上記信号導体線と間隔をあけ
て上記信号導体線の一方の側に拡がり、固定電位とされ
る側面側第１固定電位層と、上記基板側面に形成され、上記信号導体線と間隔をあけ
て信号導体線の他方の側に拡がり、固定電位とされる側
面側第２固定電位層と、を備える配線基板。
【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれかに記載の配
線基板であって、前記基板表面と基板側面とのなす角部は、Ｒ面取りまた
はＣ面取りされている配線基板。
【請求項７】請求項１及び請求項３〜請求項５のいずれ
かに記載の配線基板であって、前記基板側面と基板裏面とのなす角部は、Ｒ面取りまた
はＣ面取りされている配線基板。
【請求項８】請求項１〜請求項７のいずれかに記載の配
線基板であって、上記配線基板は平面視略矩形状であり、前記信号導体線は、前記基板表面を上記配線基板の短辺
と略平行な方向に延びている配線基板。
【請求項９】請求項１〜請求項８のいずれかに記載の配
線基板であって、前記信号導体線を覆う保護層を備える配線基板。
【請求項１０】請求項９に記載の配線基板であって、前記保護層のうち前記基板表面に形成された部分の上
に、導電材からなり、固定電位とされる補強板を備える
配線基板。