JP4404797B2 - 配線基板 - Google Patents

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Description

本発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波信号を分配及び合成するために用いられるT分岐線路を有する配線基板に関する。
近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達に用いられる高周波信号は、1〜30GHzのマイクロ波領域から30〜300GHzのミリ波領域の周波数までを活用することが検討されており、例えば、車間レーダーのようなミリ波の高周波信号を用いた応用システムも提案されるようになっている。
このような高周波用のシステムにおいては、高周波信号の周波数が高いことにより、回路を構成する高周波線路における高周波信号の減衰が大きくなってしまうという問題点があり、伝送損失が非常に少ない導波管を伝送線路として利用されていることは知られている。
導波管を利用する場合、例えば18〜26.5GHz帯に用いられる導波管WR−42は10.668mm×4.318mm程度の長方形状の空間を金属により形成される。また、導波管内を伝搬する電磁波を分岐させる手法として、例えば、方向性結合器やマジックT構造がある。
しかしながら、導波管を利用した分岐線路の場合、伝送線路自体が大きいため、高集積化することが困難であるため、近年、より小型で安価に実現できるマイクロストリップ線路やコプレーナ線路、トリプレート線路等の平面型の伝送線路が用いられている。
従来の配線基板を図5及び図6に示す。図5は、従来の配線基板の断面図、図6は図5の配線基板の内層に形成された配線導体の平面図である。図5,6に示すように、誘電体基板22の上下面に第1の接地導体23及び第2の接地導体24が形成され、さらに、誘電体基板22の内層に高周波信号を分配或いは合成するために、第1の伝送導体25及びこの第1の伝送導体25の一端と直交するように第2の伝送導体26を形成してT字状の分岐部を有するT分岐線路を形成しており、これらを主として配線基板21が構成される。
この配線基板21は、第1の伝送導体25から入力された高周波信号を、T分岐で第2の伝送導体26の互いに反対方向に延びた伝送導体26a,26bにそれぞれ分配、あるいは第2の伝送導体26の伝送導体26a,26bから入力された高周波信号を合成する。
図6において、第1の伝送導体25の一端と第2の伝送導体26で構成される伝送線路26a、26bとが並列接続されることになり、第1の伝送導体25の一端から見た伝送線路26a、26bの合成インピーダンスが第1の伝送導体25のインピーダンスに等しくなるようにインピーダンス整合を行なう必要がある。そのための方法としては、第1の伝送導体25の第2の伝送導体26との接合部に整合導体部29を挿入することが提案されている。この整合導体部29は、長さがλg/4(λg:誘電体内波長)で、その幅が{Z1×Z×Z/(Z+Z)}−1/2なるインピーダンスを満足する幅を持つ(Z:第1の伝送導体25のインピーダンス、Z:伝送線路26aのインピーダンス、Z:伝送線路26bのインピーダンス)。例えば、Z=Z=Z=50Ωとした場合、整合導体部29のインピーダンスは約35.4Ωとなる幅で構成される。
また、T分岐すなわち第1の伝送導体25と第2の伝送導体26の接続部において、接続段差28を設けたり、勾配をつけて接続させることにより低損失なT分岐線路を実現することも提案されている。
特開2002−135015号公報
しかし、上記従来の配線基板の場合、第1の伝送導体25と第2の伝送導体26の接続部で強い電界が生じ、これにより不要な放射が起こり、その不要放射が同一面内にある他の伝送線路等に影響を与えることで、伝送線路間で不要なモード共振が発生したり、伝送線路の反射損失が増加するという問題点があった。
したがって、本発明では上記従来の問題点を鑑みて完成されたものであり、その目的は、T分岐線路部を構成する部位を大きくすることなく高集積化が可能で、かつ、第1及び第2の伝送導体25、26の接続部(T分岐)周辺で発生する不要な電磁波を他の伝送線路等へ影響することを抑制し、不要なモード共振が発生することの無い低反射損失を実現できる配線基板を提供することである。
本発明の配線基板は、下面に第1の接地導体が形成された第1の誘電体基板の上面に、第1の伝送導体および該第1の伝送導体の一端にT分岐を形成するように直交した第2の伝送導体から成るT分岐線路を形成し、上面に第2の接地導体が形成された第2の誘電体基板を前記T分岐線路の上面に積層した配線基板において、前記T分岐における前記第1の伝送導体の両側に複数の前記第1の貫通接続導体を前記第1の伝送導体と平行に並ぶように配置するとともに、前記T分岐における前記第2の伝送導体の両側に複数の前記第2の貫通接続導体を前記第2の伝送導体と平行に並ぶように配置し、前記第1の伝送導体の延長線上に前記第2の貫通接続導体を配置するとともに該第1の伝送導体の延長線上に配置された第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離を他の第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離よりも短くし、前記第1の貫通接続導体のうち最も前記第2の伝送導体側に位置するものと前記第2の伝送導体との距離を前記第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離よりも長くし、前記第2の貫通接続導体のうち最も前記第1の伝送導体側に位置するものと前記第1の伝送導体との距離を前記第1の貫通接続導体と前記第1の伝送導体との距離よりも長くしたことを特徴とする。
本発明の配線基板は、第1の伝送導体の延長線上に第2の貫通接続導体を配置するとともに第1の伝送導体の延長線上に配置された第2の貫通接続導体と第2の伝送導体との距離を他の第2の貫通接続導体と第2の伝送導体との距離よりも短くし、第1の貫通接続導体のうち最も第2の伝送導体側に位置するものと第2の伝送導体との距離を第2の貫通接続導体と第2の伝送導体との距離よりも長くし、第2の貫通接続導体のうち最も第1の伝送導体側に位置するものと第1の伝送導体との距離を第1の貫通接続導体と第1の伝送導体との距離よりも長くしたことから、T分岐周辺の第1の伝送導体の延長線方向に発生する電界成分を、第1の伝送導体の延長線上に配置された第2の貫通接続導体で抑制することが可能である。従って、第1の伝送導体の延長線方向に発生する強い電界成分を大幅に抑制することが可能で、かつ第1の貫通接続導体と第2の貫通接続導体群とで電気壁を形成することにより、誘電体基板内部において電磁波が漏洩する成分を大幅に抑制することが可能となる。
さらに、T分岐の両側の角部にある第1および第2の貫通接続導体が、T分岐から離間していることから、第1の伝送導体から発生する第2の伝送導体と平行な電界成分と第2の伝送導体から発生する第1の伝送導体と平行な電界成分が重なり合うことで大きくなる電界強度を大幅に抑制することが可能で、かつ第2の貫通接続導体と第1の貫通接続導体群とで電気壁を形成することから、誘電体基板内部を電磁波が漏洩することを大幅に抑制することが可能となる。その結果、T分岐線路より放射される不要な電界強度を著しく低減することができるため、低放射,低損失の配線基板を提供できる。
本発明の配線基板について以下に詳細に説明する。図1は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図、図2は図1の配線基板の内層に形成されたT分岐線路の平面図である。図1,2において、2は誘電体基板、3は第1の接地導体、4は第2の接地導体、5は第1の伝送導体、6は第2の伝送導体、7は第1の貫通接続導体群、8は第2の貫通接続導体群、9は整合導体部であり、主としてこれらで配線基板1が構成される。
本発明の誘電体基板2は、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックスまたはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、四フッ化エチレン樹脂等のフッ素系樹脂等の有機樹脂系材料、樹脂−セラミックスや樹脂−ガラス等の複合系材料から成り、切削加工、金型成型、押し出し成型等により形成される。例えば、誘電体基板2に酸化アルミニウム質焼結体を用いる場合、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合してスラリー状にし、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。また、タングステン(W)やモリブデン(Mo)−マンガン(Mn)、銅(Cu)、銀(Ag)等の高融点金属,酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合してメタライズペーストを作製する。
次に、打ち抜き法によってセラミックグリーンシートに第1及び第2の貫通接続導体群7、8としての貫通導体を形成するための貫通孔を形成し、例えば、印刷法によってその貫通孔にメタライズペーストを埋め込み、続いて一方の面に第1の接地導体3の形状にメタライズペーストを印刷することで第1の誘電体基板2aが形成される。次に、前述と同様に貫通孔にメタライズペーストを埋め込み、一方の面に第2の接地導体4を、他方の面に第1及び第2の伝送導体5、6の形状にメタライズペーストが印刷された第2の誘電体基板2bが形成される。
誘電体基板2が複数の誘電体の積層構造からなる場合、貫通孔にメタライズペーストを埋め込み,印刷された第1及び第2の誘電体基板2a、2bを、それぞれ第1及び第2の接地導体3、4が相反する方向となるように順次積層し、加圧して圧着し、高温(約1600℃)で焼成する。このような構成により、第1及び第2の貫通接続導体群7、8が電気的に接続される。
なお、第1及び第2の貫通接続導体群7、8を構成する貫通導体は、貫通孔の内壁に導体層が被着されたいわゆるスルーホール導体であってもよく、貫通孔の内部が導体で充填されたいわゆるビア導体であってもよい。
また、本発明の配線基板1は、誘電体基板2の内層に高周波信号を分配或いは合成するために、第1の伝送導体5及びこの第1の伝送導体5の一端と直交するように第2の伝送導体6を形成してT字状の分岐部(以下、T字状の分岐部を単にT分岐という)を有するT分岐線路を形成している。
このT分岐線路は、第1の伝送導体5から入力された高周波信号を、T分岐で第2の伝送導体6の互いに反対方向に延びた部位にそれぞれ分配、あるいは第2の伝送導体26のそれぞれの部位から入力された高周波信号を合成する。
また、本発明においては、第1の伝送導体5を挟む両側に第1の伝送導体5と平行になるように第1の貫通接続導体群7を、第2の伝送導体6を挟む両側に第2の伝送導体6と平行になるように第2の貫通接続導体群8を、第1及び第2の接地導体3、4を電気的に接続するように形成している。好ましくは、第1の貫通接続導体群7の第1の伝送導体5と平行方向の配置間隔や第2の貫通接続導体群8の第2の伝送導体6と平行方向の配置間隔をλg/2以下にするのがよく、第1及び第2の伝送導体5、6の周りに電気壁が形成されるため、電磁波が外部へ漏洩することを有効に抑制し、低損失な伝送線路とすることができる。
さらに、第1の伝送導体5の延長線上に第2の貫通接続導体8を配置する(以下、第1の伝送導体5の延長線上に配置した第2の貫通接続導体8を延長上貫通接続導体8bという)とともにこの延長上貫通接続導体8bと第2の伝送導体6との距離を他の第2の貫通接続導体8と第2の伝送導体6との距離よりも短くしている。このような構成により、第1及び第2の伝送導体5,6の接続部(T分岐)周辺で発生する第1の伝送導体5の延長線方向の電界成分が広がるのを有効に抑制し、かつ、第1の貫通接続導体7aと第2の貫通接続導体群8とで電気壁を形成することから、誘電体基板2内部を電磁波が漏洩することも抑制することができ、非常に低損失で第2の伝送導体6に伝搬させることが可能である。
さらにまた、第1の貫通接続導体7のうち最も第2の伝送導体6側に位置するもの(以下、第1の貫通接続導体7のうち最も第2の伝送導体6側に位置するものを角部第1貫通接続導体7aという)と第2の伝送導体6との距離を第2の貫通接続導体8と第2の伝送導体6との距離よりも長くし、また、第2の貫通接続導体8のうち最も第1の伝送導体5側に位置するもの(以下、第2の貫通接続導体8のうち最も第1の伝送導体5側に位置するものを角部第2貫通接続導体8aという)と第1の伝送導体5との距離を第1の貫通接続導体と第1の伝送導体との距離よりも長くしている。
このように、T分岐の両側の角部にある角部第2貫通接続導体7aおよび角部第2貫通接続導体8aがT分岐から離間していることから、第1の伝送導体5から発生する第2の伝送導体6と平行な電界成分と第2の伝送導体6から発生する第1の伝送導体5と平行な電界成分の位相を異なるようにすることが可能であり、電磁波の干渉による電力損失を大幅に抑制することが可能で、かつ第2の貫通接続導体8aと第1の貫通接続導体群7とで電気壁を形成することから、誘電体基板2内部を電磁波が漏洩することも大幅に抑制することが可能となり、非常に低反射、低損失で外部に電磁波を漏洩させない優れた配線基板1を提供することができる。
なお、好ましくは、延長上貫通接続導体8bと第2の伝送導体6との距離はλg/16乃至λg/8とするのが良く、λg/16未満の場合、延長上貫通接続導体8bとT分岐との電磁的結合が支配的となり、延長上貫通接続導体8bの電気的接地特性が弱くなり、不要な電界強度を抑制することが困難になりやすくなる。また、延長上貫通接続導体8bとT分岐との距離がλg/8を超える場合、前述の電磁的結合が弱くなるために不要な電界強度を抑制することが困難になりやすくなる。
また、第1の貫通接続導体群7の配置間隔および第2の貫通接続導体群8の配置間隔は、λg/2を越える場合、電気壁を形成しにくくなるために電磁波が漏洩することとなり伝送特性が劣化しやすくなることから、λg/2以下とするのがよい。
また、本発明の配線基板1は、1入力2出力という構成を例に記載をしたが、これに限ることは無く、例えば、第2の伝送導体6で形成される出力側に第1の伝送導体5の端部を順次接続することで、1入力2出力(Nは自然数)の配線基板1を構成しても良い。
次に、図3,4に本発明の配線基板を用いた実施の形態の他の例を示す。図3はその平面透視図、図4は図3のB−B’線における透視断面図である。
図3,4の配線基板1は、一方の面に第2の伝送線路6a、6bの端部の直上部に放射素子10を具備する第3の誘電体基板2cを載置し、他方の面に信号線路を具備する第4の誘電体基板2dを載置し、放射素子10と第2の伝送線路6a、6bの端部、及び信号線路と第1の伝送導体5とを電磁的に接続する伝送部11a,11bを設けて放射素子10を有する配線基板1としても良い。これにより低反射,低損失でかつ外部に電磁波を漏洩させることが無い、きわめて放射特性の優れた配線基板1を提供できる。
なお、第1及び第2の接地導体3,4、第1及び第2の貫通接続導体群7,8、放射素子10の露出する表面には、Niや金(Au)等の耐食性に優れる金属を1〜20μm程度の厚さで被着させておくのが良く、導体の酸化腐食を有効に防止し得る。したがって、第1及び第2の接地導体3,4、第1及び第2の貫通接続導体群7,8、放射素子10の露出表面には、例えば、厚さ1〜10μm程度のNiメッキ層と厚さ0.1〜3μm程度のAuメッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されているのがより好ましい。
なお、伝送部11a,11bを構成する場合、例えば、第1の接地導体3の放射素子10の直下部に長方形状の非導体部(スロット)を設けて放射素子10と第1及び第2の伝送線路6a、6bを電磁的に結合するものや、第3の誘電体基板2cに放射素子10と第1及び第2の伝送線路6a、6bをビア導体やスルーホール等を形成し、放射素子10と伝送線路6a、6bを電気的に結合するもので良い。
また、本発明の配線基板1の信号線路側に金属からなる枠体、或いはエポキシ樹脂等の樹脂からなる枠体の内周面に導電性ペースト等を具備する枠体を取着し、信号線路に電子部品を搭載し、枠体の下面に金属、樹脂、セラミックス等から成る蓋体を取着し、高周波モジュールとしてもよい。これにより、電子部品を外部からのノイズに対し影響を受けにくくなる。また、枠体と蓋体は一体成型されたものでも良い。また、枠体は配線基板の信号線路側に、例えば良く知られている多層積層技術による一体成型を行っても良い。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。
本発明の配線基板1について以下に実施例を示す。
図1の構成の配線基板1を以下のようにして構成した。まず、比誘電率εが8.7からなる20mm×20mmの正方形で厚みが0.76mmの誘電体基板2の内部に、特性インピーダンスが50Ωとなるような第1の伝送導体5を形成し、他端部に第1の伝送導体5と直角に配置接続される特性インピーダンスが50Ωとなるような第2の伝送導体6を形成した。さらに、第1の伝送導体5と第2の伝送導体6の接続部に、第1の伝送導体5側に1.0mmの長さで、幅が0.4mmとなる整合導体7を挿入した。また、誘電体基板2の上下面には、第1及び第2の接地導体3、4を形成し、第1の伝送導体5に平行となるようにその両側に一列で、間隔を0.8mmとする第1の貫通接続導体群8を形成し、第2の伝送導体6に平行となるようにその両側に一列で、間隔を0.8mmとする第2の貫通接続導体群9を形成した。
さらに、第1の伝送導体5に対向する位置に、第2の伝送導体6から0.4mmの位置に第1の貫通接続導体7aを、また、第1の伝送導体5から両側1.0mmの位置にそれぞれ第2の貫通接続導体8aを形成した。これにより、本発明の配線基板1のサンプルを作製した。
一方、比較例として、第1及び第2の貫通接続導体群7、8を設けないこと以外は上記サンプルと同様にして比較サンプルを作製した。
そして、これらのサンプルについて、第1の伝送導体5から入力した信号に対する反射特性(S11)を、ベクトルネットワークアナライザを用いて24GHzを中心周波数として測定を行った。本発明の配線基板1のサンプルのS11は、比較サンプルのS11に対し約10dB程度低い値を示し、本発明の配線基板1の方が優れていることが分かった。
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等支障ない。
本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。 図1の配線基板の内層に形成したT分岐線路の平面図である。 本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面透視図である。 図3の配線基板のB−B’線における断面透視図である。 従来の配線基板の断面図である。 図5の配線基板の内層に形成したT分岐線路の平面図である。
符号の説明
1:配線基板
2:誘電体基板
3:第1の接地導体
4:第2の接地導体
5:第1の伝送導体
6:第2の伝送導体
7,7a:第1の貫通接続導体
8,8a,8b:第2の貫通接続導体

Claims (1)

  1. 下面に第1の接地導体が形成された第1の誘電体基板の上面に、第1の伝送導体および該第1の伝送導体の一端にT分岐を形成するように直交した第2の伝送導体から成るT分岐線路を形成し、上面に第2の接地導体が形成された第2の誘電体基板を前記T分岐線路の上面に積層した配線基板において、前記T分岐における前記第1の伝送導体の両側に複数の前記第1の貫通接続導体を前記第1の伝送導体と平行に並ぶように配置するとともに、前記T分岐における前記第2の伝送導体の両側に複数の前記第2の貫通接続導体を前記第2の伝送導体と平行に並ぶように配置し、前記第1の伝送導体の延長線上に前記第2の貫通接続導体を配置するとともに該第1の伝送導体の延長線上に配置された第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離を他の第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離よりも短くし、前記第1の貫通接続導体のうち最も前記第2の伝送導体側に位置するものと前記第2の伝送導体との距離を前記第2の貫通接続導体と前記第2の伝送導体との距離よりも長くし、前記第2の貫通接続導体のうち最も前記第1の伝送導体側に位置するものと前記第1の伝送導体との距離を前記第1の貫通接続導体と前記第1の伝送導体との距離よりも長くしたことを特徴とする配線基板。
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