WO2022107590A1 - 配線基板および表示装置 - Google Patents

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conductive particles
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substrate
main surface
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暢之 長谷川
文彰 原口
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京セラ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure is a micro LED display device equipped with a substrate for forming a circuit wiring, a substrate on which an electronic element or a light emitting element is mounted, a microchip type light emitting diode (hereinafter, also referred to as " ⁇ LED") or the like as a light emitting element.
  • the present invention relates to a wiring board that can be used for a board or the like of the above and a display device provided with the wiring board.
  • Patent Documents 1 to 3 describe techniques for improving the conduction stability of wiring.
  • the wiring board of the present disclosure includes a substrate having a main surface, a side surface, and an inclined surface connecting the main surface and the side surface, and wiring located over the main surface, the inclined surface, and the side surface.
  • the wiring contains conductive particles having a higher content than the insulating component, and at least in the first corner portion between the main surface and the inclined surface and the second corner portion between the inclined surface and the side surface. It has a thickness equivalent to that of one of the conductive particles.
  • the display device of the present disclosure includes the wiring board.
  • the substrate has a configuration in which a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix on one side of the main surface.
  • the wiring contains conductive particles having a content (for example, 80% by weight or more) higher than that of the insulating component, so that the conductive particles come into contact with each other and / or melt. It will be easier to wear. As a result, it has good conductivity because it constitutes a conductive path network in which a large number of conductive particles are connected to each other by contact portions and / or fusion portions. Further, since the insulating component enters many gaps of the conductive path network, the insulating component functions as a binder, and the conductive path network is less likely to collapse.
  • a content for example, 80% by weight or more
  • the conductive particles containing more conductive paste for forming the wiring than the uncured insulating component improve the apparent viscosity and reduce the fluidity.
  • the conductive paste even if the conductive paste is applied to the corners of the substrate, it is difficult for the conductive paste to flow down from the inclined surface and the side surface of the substrate, and it is difficult for the conductive paste to be interrupted at the corners.
  • the wiring contains an insulating component made of a cured resin or the like that penetrates into the fine irregularities on the surface of the substrate and improves the adhesive force of the wiring, the wiring easily adheres firmly to the surface of the substrate.
  • the wiring has a thickness of at least one conductive particle in the first corner portion and the second corner portion, the wiring width can be reduced and the thickness of the wiring can be reduced. As a result, the connectivity with the high-density wiring located on the main surface of the substrate is improved. Therefore, it is possible to provide a wiring board and a display device having wiring having good connectivity with high-density wiring and high conduction stability. Further, the amount of the conductive paste applied can be reduced.
  • Another embodiment of the wiring board of the present disclosure is shown, and is a schematic partial enlarged cross-sectional view of a corner portion of a board having wiring. Another embodiment of the wiring board of the present disclosure is shown, and is a schematic partial enlarged cross-sectional view of a corner portion of a board having wiring. Another embodiment of the wiring board of the present disclosure is shown, and is a schematic partial enlarged cross-sectional view of a corner portion of a board having wiring. Another embodiment of the wiring board of the present disclosure is shown, and is a schematic partial enlarged cross-sectional view of a corner portion of a board having wiring.
  • FIG. 1 It is a schematic partially enlarged cross-sectional view which shows the other embodiment of the wiring board of this disclosure, and explains the state which applied the conductive paste to the main surface of the roughened board.
  • Another embodiment of the wiring board of the present disclosure is shown, and is a schematic partial enlarged cross-sectional view of a corner portion of a board having wiring. It is a graph which shows the relationship between the film thickness of the wiring on the main surface of a substrate, and the film thickness of the wiring on the inclined surface of the corner of a substrate. It is a graph which shows the relationship between the chamfer width of the inclined surface of the corner of a substrate, and the disconnection occurrence rate.
  • Patent Document 1 is a lid substrate for a semiconductor package in which the constituent material of the substrate is ceramic
  • Patent Document 2 is a chip resistor in which the constituent material of the substrate is alumina
  • Patent Document 3 is a substrate of an electronic component whose constituent material of the substrate is ceramic. Since the surface of these ceramic substrates (also referred to as ceramic substrates) is not high, they have a high density, such as the glass substrate for the tying panel of ⁇ LED display devices that display high-definition images on a large screen. Not suitable for wiring boards on which wiring is formed. However, in the ceramic substrate, it is relatively easy to form the side wiring for conducting the front surface side and the back surface side via the side surface.
  • the surface including the side surface of the ceramic substrate is a rough surface
  • the side wiring obtained by firing the conductive paste is the ceramic substrate. It has the advantage that it adheres relatively firmly to the surface of the ceramic and is difficult to peel off.
  • the surface of the glass substrate is high, it is easy to form high-density wiring with a small wiring width and a thin wiring thickness by using a thin film forming method such as the CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • the side wiring of the glass substrate is to be formed by using the conductive paste, the side wiring is difficult to firmly adhere to the surface of the glass substrate and may be peeled off.
  • the glass substrate of the side wiring is used. The adhesive force to the surface of the glass is further reduced, and it becomes easier to peel off.
  • FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a corner portion of a substrate having wiring, showing an example of the wiring board 1 of the embodiment according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing an end portion of the wiring board 1 shown in FIG.
  • the wiring board 1 of the present embodiment has a main surface 2, a side surface 4 perpendicular to the main surface 2, a substrate 5 having an inclined surface 3 connecting the main surface 2 and the side surface 4, and the main surface 2 and the inclined surface 3.
  • the corner portion 6 on which the side surface 4 is formed is provided with wiring (hereinafter, also referred to as side surface wiring) 7 located over the main surface 2, the inclined surface 3, and the side surface 4.
  • the side wiring 7 contains the conductive particles 7p having a higher content than the insulating component 7i, and also includes the first corner portion 6a between the main surface 2 and the inclined surface 3 and the first corner portion 6a.
  • the second corner portion 6b between the inclined surface 3 and the side surface 4 has a thickness equivalent to at least one conductive particle 7p.
  • the wiring board 1 of the present embodiment has the following effects due to the above configuration. Since the wiring 7 contains the conductive particles 7p having a content (for example, 80% by weight or more) higher than that of the insulating component 7i, the conductive particles 7p are likely to come into contact with each other and / or fuse with each other. As a result, it has good conductivity because it constitutes a conductive path network in which a large number of conductive particles 7p are connected to each other by contact portions and / or fusion portions. Further, since the insulating component 7i enters many gaps of the conductive path network, the insulating component 7i functions as a coupling member (binder), and the conductive path network is less likely to collapse.
  • a content for example, 80% by weight or more
  • the apparent viscosity is improved by the conductive particles 7p in which the conductive paste 7s (shown in FIG. 8) for forming the wiring 7 is contained in a larger amount than the uncured insulating component 7ip (shown in FIG. 8). And the fluidity becomes smaller. As a result, even if the conductive paste 7s is applied to the corners of the substrate 5, it is difficult for the conductive paste 7s to flow down from the inclined surface 3 and the side surface 4 of the substrate 5, and it is difficult for the conductive paste 7s to be interrupted at the corners.
  • the side wiring 7 contains an insulating component 7i made of a cured resin or the like that penetrates into fine irregularities on the surface of the substrate 5 and improves the adhesive force of the wiring 7, the wiring 7 is placed on the surface of the substrate 5. It becomes easy to adhere firmly. Further, since the wiring 7 has the thickness of at least one conductive particle 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b, the wiring width is reduced and the thickness of the wiring 7 is reduced. be able to. As a result, the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 of the substrate 5 is improved. Therefore, it is possible to provide a wiring board 1 having wiring having good connectivity with high-density wiring and high conduction stability. Further, the amount of the conductive paste applied can be reduced.
  • the board 5 may be a glass board. Since the surface of the glass substrate is high, it is easy to form high-density wiring suitable for display devices and the like. As for the glass substrate, an IC, a flexible printed circuit board (FPC), etc. are arranged on the back surface side, and a side wiring 7 is arranged on the side surface to provide high-density wiring on the front surface side and an IC on the back surface side. Can be electrically connected. That is, the glass substrate is suitable for forming the multifunctional wiring board 1.
  • FPC flexible printed circuit board
  • the glass material may be, for example, a material containing borosilicate glass, crystallized glass, quartz, or the like.
  • the substrate 5 may be made of blue plate glass (soda glass) containing silicon oxide (SiO 2 ), sodium oxide (Na 2 O), and calcium oxide (CaO) as main components. Blue plate glass has the lowest melting point among glasses, is easy to process, and is inexpensive. Further, the substrate 5 may be composed of a white plate glass (non-alikari glass) containing silicon oxide (SiO 2 ), boric acid (B 2 O 3 ), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) as main components.
  • White plate glass is inexpensive, has high transmittance in the wavelength range of visible light, ultraviolet light, and infrared light, and the upper limit of general normal use temperature is 120 ° C to 130 ° C, which is equivalent to that of blue plate glass.
  • the substrate 5 may be made of quartz glass containing silicon oxide (SiO 2 ) as a main component. Quartz glass is a high-purity glass with few impurities, has a high transmittance for ultraviolet light and infrared light, and has a high heat resistant temperature. The upper limit of the normal operating temperature of quartz glass is about 900 ° C. In addition, quartz glass has excellent chemical resistance and is easy to perform such as drilling and cutting.
  • the substrate 5 may be a sapphire glass (Al 2 O 3 single crystal) substrate (also referred to as a sapphire crystal substrate).
  • Sapphire glass has a high moth hardness of 9, a heat resistant temperature of about 2000 ° C., a thermal conductivity of 42 W / mK (20 ° C.), and a number of glass thermal conductivity of 1.4 W / mK (20 ° C.). It is 10 times.
  • the substrate 5 may be a resin substrate or a ceramic substrate. Further, the substrate 5 may be a composite type substrate in which a plurality of types of substrates among a glass substrate, a resin substrate and a ceramic substrate are laminated.
  • the corner portion 6 of the substrate 5 has an inclined surface 3, and the width c of the inclined surface 3 may be 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the width c is less than 10 ⁇ m, the wiring 7 is likely to be broken as shown in FIG.
  • the width c exceeds 200 ⁇ m, the inclined surface 3 may enter the arrangement region of the high-density wiring, the electronic element, the light emitting element, etc. formed on the main surface 2 of the substrate 5.
  • the substrate 5 is a substrate for a display device such as a micro LED display device, the inclined surface 3 may enter the display unit.
  • the inclined surface 3 may be a convex curved surface. In this case, the angle formed by the main surface 2 and the inclined surface 3 in the first corner portion 6a becomes smaller, and the wiring 7 is less likely to be interrupted at the first corner portion 6a.
  • the inclined surface 3 may be a curved surface such as a partially spherical surface, a partially elliptical surface, or a partially cylindrical surface. The same effect is obtained for the second corner portion 6b.
  • the inclined surface 3 may be a convex composite surface composed of a plurality of flat surfaces.
  • the inclined surface 3 may be a concave curved surface. In this case, the conductive paste is less likely to flow down from the inclined surface 3 to the side surface 4.
  • the inclined surface 3 may be a curved surface such as a partially spherical surface, a partially elliptical surface, or a partially cylindrical surface.
  • the inclined surface 3 may be a concave composite surface composed of a plurality of flat surfaces.
  • the thickness t of the wiring 7 may be 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness t of the first corner portion 6a and the second corner portion 6b of the wiring 7 is 0.4 ⁇ m, which is the thickness of one conductive particle 7p. It tends to be less than (thickness in the case of FIG. 4).
  • the wiring 7 is likely to be interrupted at the first corner portion 6a and the second corner portion 6b.
  • the thickness t exceeds 10 ⁇ m, as shown in FIG.
  • the thickness t of the first corner portion 6a and the second corner portion 6b of the wiring 7 is 1.6 ⁇ m, which is the thickness of two conductive particles 7p (the thickness t).
  • the thickness in the case of FIG. 7) tends to be exceeded.
  • the thickness of the side wiring 7 on the main surface 2 of the substrate 5 tends to increase, and the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 tends to deteriorate.
  • the substrate 5 may have various shapes such as a triangle, a rectangle (square, rectangle), a trapezoid, a circle, an ellipse, an oval, and a polygon such as a pentagon.
  • the main surface 2 of the substrate has a first main surface 2a and a second main surface 2b on the opposite side of the first main surface 2a.
  • a side surface 4 connecting the first main surface 2a and the second main surface 2b is located between the end edge of the first main surface 2a and the end edge of the second main surface 2b.
  • the side surface 4 may be located at right angles to the first main surface 2a and the second main surface 2b, but may not necessarily be at right angles.
  • the side surface 4 may be positioned at an angle of about ⁇ (more than 0 ° and 20 ° or less) with respect to the first main surface 2a and the second main surface 2b.
  • the wiring board 1 of the present embodiment is, for example, a micro LED display device (hereinafter, also referred to as “ ⁇ LED display device”) in which microchip type light emitting diodes (hereinafter, also referred to as “ ⁇ LED”) are arranged in a matrix. A plurality of them are arranged in a plane and their side surfaces are connected (tiled) to be used as a substrate for one large tying panel (also referred to as a multi-display).
  • ⁇ LED display device micro LED display device
  • ⁇ LED microchip type light emitting diodes
  • the above ⁇ LED display device has, for example, the following configuration. That is, the drive system unit (also referred to as the drive unit) of the panel such as the IC and the flexible wiring board is arranged on the second main surface 2b which is the back surface of the substrate 5, and the frame region near the edge of the first main surface 2a and the frame region and Electrode pads connected to the side surface wiring 7 are arranged in the frame region near the edge of the second main surface 2b.
  • a wiring portion 7c for connecting the electrode pad on the first main surface 2a side and the electrode pad on the second main surface 2b side is arranged, and the wiring portion 7a and the first on the first main surface 2a side.
  • the wiring portion 7b on the main surface 2b side is electrically connected via the wiring portion 7c. That is, the side wiring 7 is composed of wiring portions 7a, 7b, 7c. Further, on the first main surface 2a (display side surface) of the ⁇ LED display device, a plurality of pixel portions including a pixel circuit including a ⁇ LED and a thin film transistor (TFT) for driving and controlling the emission of the ⁇ LED and the ⁇ LED are provided. They are arranged in a matrix.
  • TFT thin film transistor
  • the drive unit may be, for example, a drive element such as an IC or LSI mounted on the second main surface 2b of the substrate 5 by a COG (Chip On Glass) method.
  • the drive unit is made of low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) formed on the second main surface 2b of the substrate 5 by a thin film forming method such as a chemical vapor deposition (CVD) method. It may be a thin film circuit including a thin film transistor (TFT) having a semiconductor layer.
  • the drive unit may be a drive element provided on the flexible wiring board connected to the external connection terminal located on the second main surface 2b of the substrate 5. Further, the drive unit may be an external drive element electrically connected to the wiring of the flexible wiring board.
  • the plurality of pixel portions 7a are located on the first main surface 2a.
  • the plurality of pixel portions 7a are arranged in a matrix with a predetermined pixel pitch.
  • the pixel pitch may be, for example, about 50 ⁇ m to 500 ⁇ m, 100 ⁇ m to 400 ⁇ m, or 380 ⁇ m.
  • Each pixel portion 7a is electrically connected to a drive system portion on the second main surface 2b side via an electrode pad and side wiring 7.
  • ⁇ LEDs as a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix on one main surface side of the substrate 5, and on the other main surface side of the substrate 5, the plurality of ⁇ LEDs are connected to the plurality of ⁇ LEDs via wiring 7.
  • It may be configured to have an electrically connected drive unit.
  • the drive unit since the drive unit is on the side of the second main surface 2b of the substrate 5, the drive unit is not visible to the viewer when the multi-display is configured, and the image display is not hindered. It has a beneficial effect.
  • it is not necessary to arrange the drive unit in the frame portion of the ⁇ LED display device it becomes easy to narrow the frame of the ⁇ LED display device and eliminate the frame. Similarly, it becomes easy to narrow the frame of the multi-display and eliminate the frame.
  • 3A to 3C are cross-sectional views showing a difference in the shape of the wiring 7 depending on the shape of the corner portion 6 of the substrate 5.
  • the side wiring 7 when the angle between the main surface 2 and the side surface 4 of the corner portion 6 of the substrate 5 is a right angle and the corner (tip of the edge) is sharply pointed, the side wiring 7 The thickness t is approximately 0 ⁇ m on the corner portion 6, and the wire is easily broken. Further, the thickness t of the side wiring 7 is less than 10 ⁇ m on the main surface 2 and the side surface 4, and the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 is good, but the continuity of the side wiring 7 is as described above. It is easy to deteriorate.
  • the thickness t of the side wiring 7 is set to 10 ⁇ m or more on the main surface 2 and the side surface 4, and the thickness of the corner portion 6 is increased to some extent. can get.
  • the connectivity between the high-density wiring located on the main surface 2 and the side wiring 7 tends to deteriorate, and the manufacturing cost of the side wiring 7 increases.
  • the arrangement substrate 1 of the present embodiment has an inclined surface 3 formed by chamfering the corners 6 or the like.
  • the width c of the inclined surface 3 is preferably set to 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. When the width c is less than 10 ⁇ m, the wiring 7 is likely to be broken as described above. When the width c exceeds 200 ⁇ m, the inclined surface 3 may enter the arrangement region and the display portion of the high-density wiring, the electronic element, the light emitting element, etc. formed on the main surface 2 of the substrate 5 as described above.
  • the inclined surface 3 in the wiring board 1 of the present embodiment may have an inclination angle of 30 ° or more and 60 ° or less with respect to the main surface 2 and an inclination angle of 30 ° or more and 60 ° or less with respect to the side surface 4.
  • the surface roughness of the main surface 2 of the substrate 5 was defined as the first surface roughness Ra1
  • the surface roughness of the inclined surface 3 was defined as the second surface roughness Ra2
  • the surface roughness of the side surface 4 was defined as the third surface roughness Ra3.
  • at least two of Ra1, Ra2 and Ra3 may be different from each other.
  • the main surface is an insulating component 7ip composed of an uncured epoxy resin or the like contained in the conductive paste 7s. It penetrates into the fine irregularities of 2 and the adhesive force due to the intramolecular force increases.
  • the conductive particles 7p contained in the conductive paste 7s are caught on the fine irregularities of the main surface 2, so that the conductive paste 7s does not easily flow in the surface direction dp of the main surface 2.
  • the adhesive force of the conductive paste 7s to the main surface 2 is further increased.
  • Ra2 may be larger than Ra1.
  • the conductive paste 7s applied to the inclined surface 3 tends to flow down to the side surface 4 due to the influence of gravity, but by increasing the adhesive force of the conductive paste 7s to the inclined surface 3, the conductive paste 7s It is possible to suppress the flow of paste.
  • Ra3 may be larger than Ra2.
  • the conductive paste 7s applied to the side surface 4 tends to flow down due to the direct influence of gravity, but the conductive paste 7s flows down by increasing the adhesive force of the conductive paste 7s to the side surface 4. Can be suppressed.
  • Ra2 may be larger than Ra1 and Ra3 may be larger than Ra2 (Ra3> Ra2> Ra1).
  • Ra1 may be about 1 nm to 100 nm
  • Ra2 may be about 50 nm to 200 nm
  • Ra3 may be about 100 nm to 500 nm.
  • Ra3 Ra2> Ra1 may be satisfied. Also in this case, by increasing the adhesive force of the conductive paste 7s to the inclined surface 3 and increasing the adhesive force of the conductive paste 7s to the side surface 4, it is possible to further suppress the run-off of the conductive paste 7s.
  • the surface roughness is adjusted by adjusting the size of the count (average particle size) of the abrasives such as alumina abrasives and diamond abrasives when grinding the surface to be ground. It can be carried out. For example, when a grinding device that grinds the surface to be ground by the side surface of a rotating disk-shaped grinding member is used, the size of the count (average particle size) of the abrasive material fixed to the side surface of the grinding member is determined. Adjust so that the desired arithmetic average roughness is obtained on the ground surface.
  • the length of the inclined surface 3 in the wiring board 1 in the direction along the ridgeline direction of the first corner portion 6a is larger than the length in the direction orthogonal to the ridgeline direction.
  • the configuration may be such that the long linear or strip-shaped recesses are included in the rough surface. In the case of this configuration, the linear or strip-shaped recess becomes a long step portion in the direction orthogonal to the direction in which the conductive paste 7s flows down. As a result, it is possible to effectively suppress the run-off of the conductive paste 7s on the inclined surface 3.
  • the rotation direction (tangential direction) of the side surface of the grinding member is the direction along the ridge line direction of the first corner portion 6a. It can be formed by setting so as to be.
  • a large number of linear or band-shaped recesses may be formed on the entire surface of the inclined surface 3.
  • the length of the linear or strip-shaped recess may be about 1 ⁇ m to 100 ⁇ m in the lateral direction, the length in the longitudinal direction may be about 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, and the length in the longitudinal direction is the length in the lateral direction. It may be more than 1 times and less than 10 times, but is not limited to these ranges.
  • the linear or band-shaped recesses may have a depth of about 30 nm to 100 nm, but are not limited to this range.
  • a conductive paste 7s containing conductive particles 7p such as Ag particles, a resin component composed of an uncured epoxy resin, alcohol such as ethyl alcohol, and water is applied to the main surface of the substrate 5.
  • the side wiring 7 can be formed by printing and applying the coated conductive paste 7s on the inclined surface 3 and the side surface 4 and then firing the applied conductive paste 7s.
  • the conductive paste 7s may contain glass frit. If there is no inclined surface 3 at the corner of the substrate 5, for example, when the Ag paste 7s as the conductive paste 7s is screen-printed on the edge portion and the side surface 4 of the main surface 2, the Ag paste 7s is uniformly applied at the corner portion. It is extremely difficult to apply it as a thick thickness.
  • the conductive paste 7s tends to adhere to the corners of the substrate 5 with an extremely thin thickness that deteriorates the conductivity, or the substrate 5 tends to adhere to the corners of the substrate 5 in an exposed state in some places.
  • the inclined surface 3 is formed on the corner portion 6 between the main surface 2 and the side surface 4 of the substrate 5 by chamfering or the like.
  • the side wiring 7 can be formed by printing and coating a conductive paste 7s such as Ag paste on the main surface 2, the side surface 4, and the inclined surface 3 and firing the paste.
  • the Ag paste has, for example, an Ag weight ratio of 85 wt% (% by weight) containing solid content and volatile components before curing at the time of printing, and an Ag weight ratio of only the solid content after curing is 95 wt%.
  • the particle size (average particle size) of the conductive particles 7p before firing may be about 0.8 ⁇ m to 3.0 ⁇ m, but is not limited to this value.
  • the particle size of the conductive particles 7p before firing may be about 0.1 ⁇ m to 10.0 ⁇ m.
  • the particle size of the conductive particles 7p before firing is less than 0.1 ⁇ m, when the conductive particles 7p are fired, a large number of the conductive particles 7p are easily integrated into a layered body.
  • the insulating component 7i made of a cured resin or the like also becomes a layered body, and these layered bodies tend to separate and the wiring 7 tends to peel off.
  • the particle size of the conductive particles 7p before firing exceeds 10.0 ⁇ m, the wiring width and thickness of the side wiring 7 tend to increase, and the connectivity with high-density wiring tends to deteriorate.
  • the conductive particles 7p may include spherical particles and irregular particles such as flakes.
  • the amorphous particles have a large surface area, the heat absorption area increases, and since they are easily melted during firing, they tend to be fused portions connecting the spherical particles.
  • the conductive particles 7p may be a dense body and / or a hollow body. Since the conductive particles 7p made of a hollow body have a small heat capacity, they are easily melted and deformed as shown in FIGS. 4 and 5, and because they are easily melted during firing, they tend to be fused portions connecting spherical particles.
  • the side wiring 7 may have a configuration in which the content of the conductive particles 7p is 80% by weight or more.
  • the effect of improving the apparent viscosity and reducing the fluidity is improved by the conductive particles 7p in which the conductive paste 7s for forming the side wiring 7 is contained in a larger amount than the uncured insulating component 7ip. do.
  • the content of the conductive particles 7p in the side wiring 7 may be 90% by weight or more, or 95% by weight or more.
  • the side surface wiring 7 comprises conductive particles 7s containing conductive particles such as Ag, Cu, Al, and stainless steel, an uncured resin component such as an epoxy resin, an alcohol solvent, water, and the like, and the side surface 4 to the first surface 2a and the side surface wiring 7. It can be formed by a method such as a heating method, a photocuring method of curing by light irradiation such as ultraviolet rays, a photocuring heating method, or the like after printing and coating on a desired portion on the second surface 2b.
  • the side wiring 7 can also be formed by a thin film forming method such as a plating method, a vapor deposition method, or a CVD method.
  • a groove may be formed in advance at a portion of the side surface where the side wiring 7 is formed.
  • the conductive paste 7s serving as the side wiring 7 can be easily arranged at a desired portion on the side surface 4.
  • a coating layer (overcoat layer) made of a resin material or the like may be provided to cover and protect the side wiring 7.
  • the conductive particles 7p have a major axis and a minor axis
  • the side wiring 7 has at least the minor axis of the conductive particles 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b. It may be configured to have the thickness of.
  • the conductive particles 7p When the side wiring 7 is formed by applying the conductive paste 7s and firing, the conductive particles 7p have a major axis such as a flat shape or an ellipsoidal shape due to melt deformation, fusion, and own weight during firing. It is easy to deform into a shape with. Even when the conductive particles 7p are hollow, they are easily deformed into a shape having a major axis and a minor axis.
  • the direction of the major axis of the conductive particles 7p tends to be substantially parallel to the surface direction of the surface of the substrate 5. Therefore, in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b of the substrate 5, the wiring 7 having at least the thickness corresponding to the minor diameter of the conductive particles 7p is formed. In the case of this configuration, the thickness of the side wiring 7 can be made thinner. As a result, the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 of the substrate 5 is further improved. Further, the coating amount of the conductive paste 7s can be reduced.
  • the short diameter (referred to as r1) of the conductive particles 7p may be about r / 2 when the conductive particles 7p before firing are spherical in diameter r.
  • r1 may be about 0.4 ⁇ m.
  • 0.1r ⁇ r1 ⁇ 0.9r may be used. It may be 0.3r ⁇ r1 ⁇ 0.7r.
  • the side wiring 7 may have a thickness of 5 or less of the conductive particles 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b. ..
  • This configuration is based on the phenomenon that the conductive particles 7p are difficult to be stacked because the conductive particles 7p are difficult to come into contact with each other and are difficult to fuse in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b.
  • the conductive paste 7s has improved apparent viscosity and reduced fluidity, even if the above phenomenon occurs, the conductive particles 7p are formed in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b. About 5 pieces can be stacked. In the case of this configuration, the thickness can be kept thin while reducing the resistance of the side wiring 7. As a result, the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 of the substrate 5 is improved.
  • the side wiring 7 may have a thickness of four or less of the conductive particles 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b. That is, as shown in FIG. 10, four conductive particles 7p having an inclined surface 3 having an inclined angle of 45 ° and a side wiring 7 having a corner film thickness of about 1.6 ⁇ m (minor axis of 0.4 ⁇ m). This is because the thickness of the flat surface portion of the side wiring 7 is about 10 ⁇ m, which is a suitable upper limit.
  • the side wiring 7 may have a thickness of two or less of the conductive particles 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b.
  • the thickness of the first corner portion 6a and the second corner portion 6b of the side wiring 7 may be about 1.6 ⁇ m.
  • the side wiring 7 may have a thickness of 6 or more of the conductive particles 7p at the first corner portion 6a and the second corner portion 6b, but in this case, the side wiring on the main surface 2 of the substrate 5
  • the thickness of 7 tends to increase, and the connectivity with the high-density wiring located on the main surface 2 tends to deteriorate. In addition, it tends to be difficult to reduce the coating amount of 7s.
  • the side wiring 7 may have a thickness of about 0.4 ⁇ m to 1.6 ⁇ m in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b. Further, when the particle size of the conductive particles 7p before firing is 3.0 ⁇ m, as shown in FIGS. 4 to 7, the side wiring 7 has 1. It may have a thickness of about 5 ⁇ m to 6.0 ⁇ m. Therefore, the side wiring 7 may have a thickness of about 0.4 ⁇ m to 6.0 ⁇ m in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b.
  • the conductive particles 7p are spherical in diameter r, and the side wiring 7 has a thickness of at least the diameter r of the conductive particles 7p in the first corner portion 6a and the second corner portion 6b.
  • It may be a configuration that is used. In this case, it corresponds to the case where the conductive particles 7p are hardly deformed by firing under the conditions that the melting point of the conductive particles 7p is high, the conductive particles 7p are dense, the firing temperature is low, and the firing time is short.
  • the thickness of the first corner portion 6a and the second corner portion 6b of the side wiring 7 may be about 0.8 ⁇ m.
  • the side wiring 7 has a configuration in which conductive particles 7p having a major axis and a minor axis shown in FIGS. 4 and 5 and spherical conductive particles 7p shown in FIGS. 6 and 7 are mixed. May be good.
  • the conductive particles 7p may include a first conductive particle and a second conductive particle, and the size of the first conductive particle may be larger than the size of the second conductive particle.
  • a large number of first conductive particles form a conductive path network in which a large number of first conductive particles are connected to each other by a contact portion and / or a fusion portion, and the second conductive particles enter the gaps of the conductive path network to form a conductive path. It is possible to reinforce the network and improve the conductivity of the conductive path network.
  • the size of the first conductive particles may be more than 1 times and 10 times or less the size of the second conductive particles, but is not limited to this range.
  • the size (diameter) of the first conductive particles may be 0.4 ⁇ m to 1.6 ⁇ m
  • the size (diameter) of the second conductive particles may be 0.04 ⁇ m or more and less than 1.6 ⁇ m.
  • the size of the conductive particles may be specified by the diameter if the conductive particles are spherical, and may be specified by the major axis (maximum diameter) if the conductive particles have a major axis and a minor axis such as an ellipsoidal shape.
  • the size of the first conductive particles is larger than the size of the second conductive particles, and the density of the first conductive particles is higher than the density of the second conductive particles. May be good.
  • the first conductive particles having a high density (heavy specific gravity) rapidly settle and deposit, and the second low density (light specific gravity).
  • the conductive particles of the above can easily enter the gaps of the sedimentary layer made of the first conductive particles.
  • the second conductive particles can enter the gaps of the conductive path network to reinforce the conductive path network and further improve the conductivity of the conductive path network.
  • the densities (g / cm 3 ) of various metals are 21.45 for platinum (Pt), 19.32 for gold (Au), 19.30 for tungsten (W), 10.50 for silver (Ag), 10.22 for molybdenum, and copper.
  • Cu 8.96, nickel (Ni) 8.90, niobium (Nb) 8.57, iron (Fe) 7.87, tin (Sn) 7.31, indium (In) 7.31, chromium (Cr) 7.20, zinc ( Zn) is 7.13, titanium (Ti) is 4.54, aluminum (Al) is 2.70, and magnesium (Mg) is 1.74. Therefore, for example, the first conductive particles may be made of silver and the second conductive particles may be made of a silver-copper alloy.
  • the size of the first conductive particles is larger than the size of the second conductive particles, and the resistivity ( ⁇ m) of the second conductive particles is larger than the resistivity of the first conductive particles. It may have a low configuration. In other words, the conductivity of the second conductive particles (S / m: Siemens per meter) may be higher than that of the first conductive particles. In this case, the second conductive particles can enter the gaps of the conductive path network to reinforce the conductive path network and further improve the conductivity of the conductive path network. For example, silver has a resistivity of 15.87 (n ⁇ m) and copper has a resistivity of 16.78 (n ⁇ m).
  • the first conductive particles may be made of a silver-copper alloy and the second conductive particles may be made of silver.
  • FIG. 10 shows the film thickness of the wiring portions 7a and 7b of the side wiring 7 on the main surface 2 (the film thickness of the flat surface portion) and the film thickness of the wiring portion 7c of the side wiring 7 on the corner portion (first corner portion 6a). It is a graph which shows the relationship with (corner film thickness).
  • Is data showing the relationship between the thickness of the square portion and the thickness of the flat portion when the inclined surface 3 is a C surface having a chamfer angle ⁇ 1 45 ° with respect to the main surface 2.
  • the reference numeral "x" is data having a configuration in which the inclined surface 3 coincides with the side surface 4 (a configuration in which the inclined surface 3 does not exist).
  • the conductive particles used in the conductive paste 7s have an average particle size ( ⁇ ) of 0.8 ⁇ m to 3.0 ⁇ m, and the corner film thickness is less than about 1/2 (0.4 ⁇ m) of the average particle size. With the film thickness, it becomes difficult for conductive particles to exist, and it becomes difficult to obtain stable conduction of the side wiring 7.
  • the film thickness at which stable conduction can be obtained is 11.8 ⁇ m with a flat surface film thickness of 10 ⁇ m or more, and the square film thickness is 0. It is 9 ⁇ m. Further, when the chamfer width c is 30 ° to 60 °, the film thickness at which stable conduction can be obtained is 2 ⁇ m to 7 ⁇ m for the flat surface portion and 0.4 ⁇ m to 1.45 ⁇ m for the corner portion. ..
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the chamfer width and the disconnection occurrence rate of the side wiring 7.
  • the vertical axis is the disconnection occurrence rate
  • the horizontal axis is the chamfer width.
  • the adhesive force of the conductive paste 7s for forming the side wiring 7 and the surface roughness of the substrate 5 will be described.
  • the adhesive force of the conductive paste 7s on the main surface 2, the inclined surface 3 and the side surface 4 is the same.
  • the adhesive force of the conductive paste 7s is mainly generated by the intramolecular force acting between the liquid component and the unevenness when the liquid component of the conductive paste 7s enters the fine irregularities on the surface of the substrate 5.
  • the conductive paste 7s tends to flow down due to gravity Fg, but the adhesive force becomes a drag force against the force to flow down.
  • the drag force Fk on the main surface 2, the inclined surface 3, and the side surface 4 is also the same.
  • the force to flow down may be larger than the drag force, and at least one part of the conductive paste 7s may flow down, but such a case is not taken into consideration. ..
  • the force F1 represented by the following equation (1) acts on the conductive paste 7s.
  • the force F2 represented by the following equation (2) acts on the conductive paste 7s.
  • the force F3 represented by the following equation (3) acts on the conductive paste 7s.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness) of the main surface 2, the inclined surface 3, and the side surface 4 of the substrate 5 is different.
  • the adhesive force of the conductive paste 7s on each of the surface 2, the inclined surface 3 and the side surface 4 can be adjusted. That is, as shown in FIG. 8, when the conductive paste 7s is applied to the surface of the roughened main surface 2 and the like, the uncured insulating component 7ip contained in the conductive paste 7s becomes fine irregularities on the surface. It penetrates and the adhesive force due to the intramolecular force increases.
  • the conductive particles 7p contained in the conductive paste 7s are caught on the fine irregularities on the surface, so that the conductive paste 7s is less likely to flow in the surface direction dp of the surface.
  • the effect of increasing the adhesive force of the conductive paste 7s on the surface can be obtained.
  • Fk1 the drag force on the main surface 2
  • Fk2 the drag force on the inclined surface 3
  • Fk3 the drag force on the side surface 4
  • Fk3> Fk2> Fk1 can be obtained.
  • F3 ⁇ F2 ⁇ F1 is set, and the conductive paste 7s is less likely to flow down in the vicinity of the inclined surface 3 and both sides thereof. Therefore, it is possible to prevent the conductive paste 7s from being interrupted in the vicinity of the inclined surface 3 and both sides thereof, or being thinned to the extent that the conductivity is deteriorated.
  • the difference ( ⁇ F2, S2)-( ⁇ F3, S3) of the forces ⁇ F2, S2, ⁇ F3, and S3 acting on the inclined surface 3 and the side surface 4 becomes small, and the conductive paste 7s does not easily flow down from the inclined surface 3.
  • the film thickness of the conductive paste 7s can be easily controlled because the fluidity or viscosity of the entire conductive paste 7s differs depending on the intermolecular force of the liquid resin component excluding the conductive particles which are the solid content thereof. It is preferable to adjust the fluidity or viscosity.
  • the wiring 7 is provided with a conductive paste 7s containing conductive particles such as Ag, Cu, Al, and stainless steel, an uncured resin component, an alcohol solvent, water, and the like, and the first main surface of the substrate 5.
  • the inclined surface 3 may be an R surface curved outwardly.
  • the contact area with the conductive paste 7s is larger than that of the C surface, and the adhesive force of the conductive paste 7s to the inclined surface 3 is also large.
  • the film thickness of the wiring 7 can be further increased to reduce the occurrence of disconnection even in high-density wiring and to further improve the conduction stability.
  • the wiring board of the present disclosure can be applied to a light emitting display device such as an LED display device and an organic EL display device, and a display device such as a liquid crystal display device. Further, the display device using the wiring board of the present disclosure can be applied to various electronic devices.
  • the electronic devices include a complex and large display device (multi-display), an automobile route guidance system (car navigation system), a ship route guidance system, an aircraft route guidance system, a smartphone terminal, a mobile phone, a tablet terminal, and a personal digital assistant.
  • PDAs video cameras, digital still cameras, electronic notebooks, electronic books, electronic dictionaries, personal computers, copying machines, terminal devices for game devices, televisions, product display tags, price display tags, industrial programmable display devices, Car audio, digital audio players, facsimiles, printers, automatic cash deposit and payment machines (ATMs), vending machines, head-mounted displays (HMDs), digital display watches, smart watches, etc.
  • ATMs automatic cash deposit and payment machines
  • HMDs head-mounted displays
  • digital display watches smart watches, etc.

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Abstract

配線基板は、第１主面および第２主面と、側面と、第１主面と側面とを繋ぐ傾斜面と、を有する基板と、第１主面、傾斜面３および側面にわたって位置する側面配線と、を備え、側面配線は、絶縁性成分よりも含有量が多い導電性粒子を含むとともに、主面と傾斜面間の第１角部および傾斜面と側面間の第２角部において、少なくとも導電性粒子の１個分の厚みを有している構成である。

Description

配線基板および表示装置
　本開示は、回路配線を形成するための基板、電子素子または発光素子等を搭載する基板、マイクロチップ型発光ダイオード（以下、「μＬＥＤ」ともいう）等が発光素子として装備されるマイクロＬＥＤ表示装置の基板等に用いることができる配線基板およびそれを備えた表示装置に関する。
　従来から、例えば半導体パッケージ、チップ抵抗器およびセラミック電子部品などの基板の主面と側面とが交差する角部を面取りし、主面から角部を経て側面に延びる配線の膜厚の減少を抑制して、配線の導通安定性を向上する技術が、例えば特許文献１～３に記載されている。
特開平７－０５０３５５号公報 特開２０１９－１５０９９２号公報 特開２０００－１８２８７９号公報
　本開示の配線基板は、主面と、側面と、前記主面と前記側面とを繋ぐ傾斜面と、を有する基板と、前記主面、前記傾斜面および前記側面にわたって位置する配線と、を備え、前記配線は、絶縁性成分よりも含有量が多い導電性粒子を含むとともに、前記主面と前記傾斜面間の第１角部および前記傾斜面と前記側面間の第２角部において、少なくとも前記導電性粒子の１個分の厚みを有している構成である。
　本開示の表示装置は、前記配線基板を備え、
　前記基板は、一方の前記主面の側に、複数の発光素子がマトリクス状に位置している構成である。
　本開示の配線基板および表示装置によれば、配線は、絶縁性成分よりも含有量（例えば、８０重量％以上）が多い導電性粒子を含むことから、導電性粒子同士が接触および／または融着しやすくなる。その結果、多数の導電性粒子が接触部および／または融着部によって互いに繋がっている、導電路ネットワークを構成することから、良好な導電性を有する。また、導電路ネットワークの多くの隙間に絶縁性成分が入り込むことから、絶縁性成分が結合部材（バインダー）として機能し、導電路ネットワークが崩れにくくなる。また、配線を形成するための導電性ペーストが、未硬化の絶縁性成分よりも多く含まれる導電性粒子によって、見かけの粘性が向上して流動性が小さくなる。その結果、導電性ペーストを基板の角部に塗布しても、基板の傾斜面および側面から流れ落ちにくくなり、角で途切れにくくなる。また、配線は、基板の表面の微細な凹凸に入り込んで配線の付着力を向上させる、樹脂硬化物等から成る絶縁性成分を含むことから、配線が基板の表面に強固に付着しやすくなる。また、配線は、第１角部および第２角部において、少なくとも導電性粒子の１個分の厚みを有していることから、配線幅を小さくし配線の厚みを薄くすることができる。その結果、基板の主面に位置する高密度配線との接続性が向上する。従って、高密度配線との接続性が良く、導通安定性の高い配線を備えた配線基板および表示装置を提供することができる。さらに、導電性ペーストの塗布量を節減することができる。
　本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本開示に係る実施形態の配線基板の一例を示す、配線を有する基板の角部の部分拡大断面図である。 図１に示される配線基板の端部を示す部分断面図である。 基板の角部の形状による配線層の形状の差異を示す断面図である。 基板の角部の形状による配線層の形状の差異を示す断面図である。 基板の角部の形状による配線層の形状の差異を示す断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、配線を有する基板の角部の模式的な部分拡大断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、配線を有する基板の角部の模式的な部分拡大断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、配線を有する基板の角部の模式的な部分拡大断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、配線を有する基板の角部の模式的な部分拡大断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、粗面化された基板の主面に導電性ペーストを塗布した状態を説明する模式的な部分拡大断面図である。 本開示の配線基板の他の実施形態を示し、配線を有する基板の角部の模式的な部分拡大断面図である。 基板の主面上の配線の膜厚と、基板の角部の傾斜面上の配線の膜厚との関係を示すグラフである。 基板の角部の傾斜面の面取り幅と断線発生率との関係を示すグラフである。
　まず、本開示の発光素子基板およびそれを備える表示装置が基礎とする構成について説明する。
　上記特許文献１に記載される構成は、基板の構成材料をセラミックとする半導体パッケージ用のリッド基板であり、上記特許文献２に記載される構成は、基板の構成材料をアルミナとするチップ抵抗器の基板であり、上記特許文献３の従来技術は、基板の構成材料をセラミックとする電子部品の基板である。これらのセラミックから成る基板（セラミック基板ともいう）は、表面の平坦性が高くないことから、大画面で高精細画像を表示するμＬＥＤ表示装置のタイリングパネル用のガラス基板のように、高密度配線が形成される配線基板には適さない。しかし、セラミック基板は、側面を介して表面側と裏面側を導通させる側面配線を形成することは、比較的容易である。即ち、セラミック基板は、側面を含む表面が粗面であることから、側面に導電性ペーストを塗布し、焼成して形成する場合、導電性ペーストを焼成して得られた側面配線が、セラミック基板の表面に比較的強固に付着し、剥離しにくい、という利点がある。
　ガラス基板は、表面の平坦性が高いことから、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法を用いて、配線幅が小さく配線の厚みが薄い高密度配線を形成することは容易である。しかし、ガラス基板は、導電性ペーストを用いて側面配線を形成しようとすると、側面配線がガラス基板の表面に強固に付着しにくく、剥離することがある。また、ガラス基板の主面に形成された高密度配線に側面配線を接続することを容易にする目的で、側面配線の配線幅を小さくし配線の厚みを薄くしようとすると、側面配線のガラス基板の表面に対する付着力がさらに低下し、さらに剥離しやすくなる。したがって、従来から、画像の高精細化に伴って高密度化された高密度配線を備えたガラス基板等の絶縁基板を用いる配線基板に対しても、高密度配線との接続性が良く、導通安定性の高い側面配線を備えた配線基板が求められている。
　以下、添付図面を参照して、本開示の配線基板の実施形態について説明する。
　図１は、本開示に係る実施形態の配線基板１の一例を示す、配線を有する基板の角部の部分拡大断面図である。図２は、図１に示される配線基板１の端部を示す部分断面図である。本実施形態の配線基板１は、主面２と、主面２に垂直な側面４と、主面２と側面４とを繋ぐ傾斜面３とを有する基板５と、主面２と傾斜面３と側面４とが形成される角部６に、主面２、傾斜面３および側面４にわたって位置する配線（以下、側面配線ともいう）７と、を備える。
　そして、側面配線７は、図４～図９に示すように、絶縁性成分７ｉよりも含有量が多い導電性粒子７ｐを含むとともに、主面２と傾斜面３間の第１角部６ａおよび傾斜面３と側面４間の第２角部６ｂにおいて、少なくとも導電性粒子７ｐの１個分の厚みを有している構成である。
　本実施形態の配線基板１は、上記の構成により以下の効果を奏する。配線７は、絶縁性成分７ｉよりも含有量（例えば、８０重量％以上）が多い導電性粒子７ｐを含むことから、導電性粒子７ｐ同士が接触および／または融着しやすくなる。その結果、多数の導電性粒子７ｐが接触部および／または融着部によって互いに繋がっている、導電路ネットワークを構成することから、良好な導電性を有する。また、導電路ネットワークの多くの隙間に絶縁性成分７ｉが入り込むことから、絶縁性成分７ｉが結合部材（バインダー）として機能し、導電路ネットワークが崩れにくくなる。また、配線７を形成するための導電性ペースト７ｓ（図８に示す）が、未硬化の絶縁性成分７ｉｐ（図８に示す）よりも多く含まれる導電性粒子７ｐによって、見かけの粘性が向上して流動性が小さくなる。その結果、導電性ペースト７ｓを基板５の角部に塗布しても、基板５の傾斜面３および側面４から流れ落ちにくくなり、角で途切れにくくなる。また、側面配線７は、基板５の表面の微細な凹凸に入り込んで配線７の付着力を向上させる、樹脂硬化物等から成る絶縁性成分７ｉを含むことから、配線７が基板５の表面に強固に付着しやすくなる。また、配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、少なくとも導電性粒子７ｐの１個分の厚みを有していることから、配線幅を小さくし配線７の厚みを薄くすることができる。その結果、基板５の主面２に位置する高密度配線との接続性が向上する。従って、高密度配線との接続性が良く、導通安定性の高い配線を備えた配線基板１を提供することができる。さらに、導電性ペーストの塗布量を節減することができる。
　本実施形態の配線基板１は、基板５はガラス基板であってよい。ガラス基板は、表面の平坦性が高いことから、表示装置等に好適な高密度配線を形成することが容易である。また、ガラス基板は、裏面側にＩＣ、フレキシブル印刷基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）等を配置するとともに、側面に側面配線７を配置して表面側の高密度配線と裏面側のＩＣ等とを電気的に接続することができる。即ち、ガラス基板は、多機能な配線基板１を構成するのに好適である。
　基板５は、ガラス材料から成る場合、ガラス材料としては、例えば、ホウケイ酸ガラス、結晶化ガラス、または石英等を含む材料であってもよい。基板５は、酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ），酸化カルシウム（ＣａＯ）を主成分とする青板ガラス（ソーダガラス）から構成されていてもよい。青板ガラスは、ガラスの中では最も融点が低く加工が容易であり、安価である。また基板５は、酸化珪素（ＳｉＯ２），ホウ酸（Ｂ２Ｏ３），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする白板ガラス（無アリカリガラス）から構成されていてもよい。白板ガラスは、安価であり、可視光、紫外光、赤外光の波長範囲で高い透過率を有しており、一般的な常用使用温度の上限が１２０℃～１３０℃であり青板ガラスと同等である。また基板５は、酸化珪素（ＳｉＯ２）を主成分とする石英ガラスから構成されていてもよい。石英ガラスは、不純物が少ない高純度のガラスであり、紫外光および赤外光に対する透過率が高く、耐熱温度が高い。石英ガラスの常用使用温度の上限は９００℃程度である。また、石英ガラスは、耐薬品性能が優れ、穴開け加工、切削加工等の加工がしやすい。
　なお、本実施形態の説明において、「～」は「乃至」を意味し、以下同様とする。
　また基板５は、サファイアガラス（Ａｌ2Ｏ3単結晶）基板（サファイアクリスタル基板ともいう）であってもよい。サファイアガラスは、モース硬度が９と高く、耐熱温度が約２０００℃であり、熱伝導率が４２Ｗ／ｍＫ（２０℃）であり、ガラスの熱伝導率１．４Ｗ／ｍＫ（２０℃）の数１０倍である。
　また基板５は、樹脂基板、セラミック基板であってもよい。また基板５は、ガラス基板と樹脂基板とセラミック基板のうちの複数種の基板を積層した複合型基板であってもよい。
　図１に示すように、基板５の角部６に傾斜面３があり、傾斜面３の幅ｃが１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。幅ｃが１０μｍ未満である場合、図１１に示すように配線７の断線が発生しやすくなる。幅ｃが２００μｍを超える場合、基板５の主面２に形成する高密度配線、電子素子、発光素子等の配置領域に、傾斜面３が入り込むおそれがある。また、基板５がマイクロＬＥＤ表示装置等の表示装置用の基板である場合、傾斜面３が表示部に入り込むおそれがある。
　傾斜面３は、凸型の曲面であってもよい。この場合、第１角部６ａにおける主面２と傾斜面３との成す角度が小さくなり、配線７が第１角部６ａで途切れにくくなる。傾斜面３は、部分球面、部分楕円体面、部分円柱面等の曲面であってもよい。第２角部６ｂについても同様の効果を奏する。同様の効果を付与する目的で、傾斜面３は、複数の平坦面から成る凸型の複合面であってもよい。
　傾斜面３は、凹型の曲面であってもよい。この場合、導電性ペーストが傾斜面３から側面４に流れ落ちにくくなる。傾斜面３は、部分球面、部分楕円体面、部分円柱面等の曲面であってもよい。同様の効果を付与する目的で、傾斜面３は、複数の平坦面から成る凹型の複合面であってもよい。
　配線７の厚みｔは、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚みｔが２μｍ未満である場合、図１０に示すように、配線７の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおける厚みｔが、導電性粒子７ｐの１個分の厚みである０．４μｍ（図４の場合の厚み）未満になる傾向がある。その結果、配線７が第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて途切れやすくなる。厚みｔが１０μｍを超える場合、図１０に示すように、配線７の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおける厚みｔが、導電性粒子７ｐの２個分の厚みである１．６μｍ（図７の場合の厚み）を超える傾向がある。その結果、基板５の主面２における側面配線７の厚みが増大して、主面２に位置する高密度配線との接続性が劣化する傾向がある。また、導電性ペーストの塗布量を節減することが難しくなる傾向がある。
　基板５は、平面視形状が三角形、矩形（正方形、長方形）、台形、円形、楕円形、長円形、五角形等の多角形等の種々の形状であってもよい。基板の主面２は、第１主面２ａと、第１主面２ａとは反対側の第２主面２ｂとを有する。第１主面２ａの端縁と第２主面２ｂの端縁との間には、第１主面２ａと第２主面２ｂとを繋ぐ側面４が位置する。側面４は、第１主面２ａおよび第２主面２ｂに対して直角に位置してもよいが、必ずしも直角でなくてもよい。側面４は、第１主面２ａおよび第２主面２ｂに対して、直角±（０°を超え２０°以下）程度の角度をなして位置してもよい。
　本実施形態の配線基板１は、例えば、マイクロチップ型発光ダイオード（以下、「μＬＥＤ」ともいう）がマトリクス状に配設されたマイクロＬＥＤ表示装置（以下、「μＬＥＤ表示装置」ともいう）を、複数個、平面状に並べてそれらの側面同士を結合（タイリング）し、１つの大型のタイリングパネル（マルチディスプレイともいう）の基板として用いられる。
　上記のμＬＥＤ表示装置は、例えば、以下の構成を有する。即ち、ＩＣおよびフレキシブル配線基板といったパネルの駆動システム部（駆動部ともいう）が、基板５の裏面である第２主面２ｂ上に配置され、第１主面２ａの端縁近傍の額縁領域および第２主面２ｂの端縁近傍の額縁領域には、側面配線７に接続される電極パッドがそれぞれ配置される。基板５の側面４には、第１主面２ａ側の電極パッドと第２主面２ｂ側の電極パッドとを接続する配線部７ｃが配置され、第１主面２ａ側の配線部７ａと第２主面２ｂ側の配線部７ｂとが配線部７ｃを介して電気的に接続される。即ち、側面配線７は配線部７ａ，７ｂ，７ｃから成る。また、μＬＥＤ表示装置の第１主面２ａ（表示側の面）には、μＬＥＤおよびμＬＥＤの発光を駆動制御する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を含む画素回路を備えた複数の画素部が、マトリクス状に配置されている。
　駆動部は、例えば、基板５の第２主面２ｂ上にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によって搭載されたＩＣ、ＬＳＩ等の駆動素子であってもよい。また駆動部は、基板５の第２主面２ｂ上に化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法等の薄膜形成法によって形成された、低温多結晶シリコン（Low Temperature Poly Silicon：ＬＴＰＳ）から成る半導体層を有する薄膜トランジスタ（Thine Film Transistor：ＴＦＴ）を備えた薄膜回路であってもよい。また駆動部は、基板５の第２主面２ｂ上に位置する外部接続端子に接続されたフレキシブル配線基板に備わった駆動素子であってもよい。また駆動部は、フレキシブル配線基板の配線に電気的に接続された外部の駆動素子であってもよい。
　このようなμＬＥＤ表示装置の複数を結合させて複合型表示装置、いわゆるマルチディスプレイを構成する場合、複数の画素部７ａは第１主面２ａ上に位置している。複数の画素部７ａは、所定の画素ピッチでマトリクス状に配列されている。画素ピッチは、例えば、５０μｍ～５００μｍ程度であってもよく、１００μｍ～４００μｍ程度であってもよく、３８０μｍ程度であってもよい。各画素部７ａは、電極パッドおよび側面配線７を介して第２主面２ｂ側の駆動システム部に電気的に接続されている。
　上述したように、基板５の一方の主面の側に、複数の発光素子としてのμＬＥＤがマトリクス状に位置し、基板５の他方の主面の側に、複数のμＬＥＤに配線７を介して電気的に接続された駆動部がある構成であってもよい。この場合、駆動部が基板５の第２主面２ｂの側にあることから、マルチディスプレイを構成する場合に駆動部が視認者から視認されることがなく、画像表示を阻害することがないという有利な効果を奏する。また、μＬＥＤ表示装置の額縁部に駆動部を配置する必要がないことから、μＬＥＤ表示装置を狭額縁化すること、額縁を無くすことが容易になる。また、同様にマルチディスプレイを狭額縁化すること、額縁を無くすことが容易になる。
　図３Ａ～図３Ｃは、基板５の角部６の形状による配線７の形状の差異を示す断面図である。図３Ａに示されるように、基板５の角部６が、主面２と側面４とのなす角度が直角であり、角（エッジの先端）が鋭く尖った状態にある場合、側面配線７の厚みｔは角部６上でほぼ０μｍとなり、断線しやすい。また、側面配線７の厚みｔは、主面２および側面４上では１０μｍ未満となり、主面２に位置する高密度配線との接続性は良いが、上述したように側面配線７の導通性が劣化しやすくなる。
　また、図３Ｂに示されるように、導電性ペースト７ｓの塗布量を増加させると、側面配線７の厚みｔを主面２および側面４上で１０μｍ以上とし、角部６においてもある程度の厚みが得られる。しかしながら、この場合、主面２に位置する高密度配線と側面配線７との接続性が劣化しやすくなるとともに、側面配線７による製造コストの増加を招来する。
　本実施形態の配置基板１は、図３Ｃに示されるように、基板５は、角部６を面取り加工等して形成される傾斜面３を有する。傾斜面３の幅ｃは、上述したように好適には１０μｍ以上２００μｍ以下に設定される。幅ｃが１０μｍ未満である場合、上述したように配線７の断線が発生しやすくなる。幅ｃが２００μｍを超える場合、上述したように基板５の主面２に形成する高密度配線、電子素子、発光素子等の配置領域および表示部に、傾斜面３が入り込むおそれがある。
　また、本実施形態の配線基板１における傾斜面３は、主面２に対する傾斜角度が３０°以上６０°以下であってよく、側面４に対する傾斜角度が３０°以上６０°以下であってよい。この場合、側面配線７が、基板５の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて途切れることを抑えることができる。また、厚みｔが２μｍ以上１０μｍ以下である側面配線７を形成することが容易になる。
　基板５の主面２の表面粗さを第１表面粗さＲａ１とし、傾斜面３の表面粗さを第２表面粗さＲａ２とし、側面４の表面粗さを第３表面粗さＲａ３としたとき、Ｒａ１とＲａ２とＲａ３のうちの少なくとも２つが互いに異なっていてもよい。この場合、図８に示すように、例えば粗面化された主面２に導電性ペースト７ｓを塗布すると、導電性ペースト７ｓに含まれる未硬化のエポキシ樹脂等から成る絶縁性成分７ｉｐが主面２の細かな凹凸に入り込んで、分子間力による付着力が増大する。それとともに、導電性ペースト７ｓに含まれる導電性粒子７ｐが主面２の細かな凹凸に引っ掛かることによって、導電性ペースト７ｓが主面２の面方向ｄｐに流れにくくなる。その結果、導電性ペースト７ｓの主面２に対する付着力がより増大する。
　図９に示すように、Ｒａ２がＲａ１よりも大きい構成であってもよい。この場合、傾斜面３に塗布された導電性ペースト７ｓは、重力の影響により側面４の側に流れ落ちやすいが、傾斜面３に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させることによって、導電性ペースト７ｓの流れ落ちを抑えることができる。
　また、図９に示すように、Ｒａ３がＲａ２よりも大きい構成であってもよい。この場合、側面４に塗布された導電性ペースト７ｓは、重力の直接的な影響により下方に流れ落ちやすいが、側面４に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させることによって、導電性ペースト７ｓの流れ落ちを抑えることができる。
　また、図９に示すように、Ｒａ２がＲａ１よりも大きく、Ｒａ３がＲａ２よりも大きい構成（Ｒａ３＞Ｒａ２＞Ｒａ１）であってもよい。この場合、傾斜面３に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させるとともに、側面４に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させることによって、導電性ペースト７ｓの流れ落ちをより抑えることができる。Ｒａ１は１ｎｍ～１００ｎｍ程度、Ｒａ２は５０ｎｍ～２００ｎｍ程度、Ｒａ３は１００ｎｍ～５００ｎｍ程度であってもよい。
　また、Ｒａ３＝Ｒａ２＞Ｒａ１であってもよい。この場合にも、傾斜面３に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させるとともに、側面４に対する導電性ペースト７ｓの付着力を増大させることによって、導電性ペースト７ｓの流れ落ちをより抑えることができる。
　表面粗さ（算術平均粗さ）の調整は、被研削面に研削加工を施す際のアルミナ研削材、ダイヤモンド研削材等の研削材の番手（平均粒径）の大きさを調整することによって、行うことができる。例えば、回転する円板型の研削部材の側面によって被研削面に研削加工を施す研削装置を用いる場合、研削部材の側面に固着された研削材の番手（平均粒径）の大きさを、被研削面において所望の算術平均粗さが得られるように、調整する。
　配線基板１における傾斜面３は、第１角部６ａの稜線方向（第２角部６ｂの稜線方向）に沿った方向の長さが、稜線方向に直交する方向に沿った方向の長さよりも長い線状または帯状の凹部が、含まれている粗面である構成であってもよい。この構成の場合、線状または帯状の凹部が、導電性ペースト７ｓが流れ落ちる方向に直交する方向に長い段差部となる。その結果、傾斜面３において導電性ペースト７ｓの流れ落ちを効果的に抑えることができる。線状または帯状の凹部は、例えば円板型の研削部材の側面によって傾斜面３を形成する場合、研削部材の側面の回転方向（接線方向）が第１角部６ａの稜線方向に沿った方向となるように設定することによって、形成することができる。線状または帯状の凹部は、傾斜面３の全面に多数形成されていてもよい。線状または帯状の凹部は、短手方向の長さが１μｍ～１００μｍ程度であり、長手方向の長さが１０μｍ～２００μｍ程度であってもよく、長手方向の長さが短手方向の長さの１倍を超え１０倍程度以下であってもよいが、これらの範囲に限らない。線状または帯状の凹部は、深さが３０ｎｍ～１００ｎｍ程度であってもよいが、この範囲に限らない。
　側面配線７を形成するために、Ａｇ粒子等の導電性粒子７ｐ、未硬化のエポキシ樹脂等から成る樹脂成分、エチルアルコール等のアルコール、および水等を含む導電性ペースト７ｓを基板５の主面２、傾斜面３および側面４に印刷塗布した後、塗布した導電性ペースト７ｓを焼成することによって、側面配線７を形成することができる。導電性ペースト７ｓはガラスフリットを含んでいてもよい。そして、基板５の角部に傾斜面３がないと、例えば導電性ペースト７ｓとしてのＡｇペースト７ｓを主面２の端縁部および側面４にスクリーン印刷塗布すると、角部においてＡｇペースト７ｓを均一な厚みとして塗布することは極めて困難である。さらに、角部をＡｇペースト７ｓによって被覆することさえも極めて困難である。従って、基板５の角部には導電性ペースト７ｓが、導電性が劣化するような極めて薄い厚みで付着するか、所々で基板５が露出する状態で付着する事態が生じやすい。
　本実施形態の配線基板１では、基板５の主面２と側面４との間の角部６に面取り加工等によって傾斜面３が形成される。これら主面２、側面４および傾斜面３に、Ａｇペースト等の導電性ペースト７ｓを印刷塗布し、焼成することによって、側面配線７を形成することができる。Ａｇペーストは、例えば、印刷時硬化前に固形分および揮発成分を含むＡｇ重量比率が８５ｗｔ％（重量％）であり、硬化後の固形分だけのＡｇ重量比率は９５ｗｔ％である。
　導電性粒子７ｐの焼成前の粒径（平均粒径）は０．８μｍ～３．０μｍ程度であってもよいが、この値に限らない。例えば、導電性粒子７ｐの焼成前の粒径は０．１μｍ～１０．０μｍ程度であってもよい。ただし、導電性粒子７ｐの焼成前の粒径が０．１μｍ未満である場合、導電性粒子７ｐを焼成したときに、多数の導電性粒子７ｐが一体化し層状体になりやすくなる。多数の導電性粒子７ｐが一体化し層状体になると、樹脂硬化物等から成る絶縁性成分７ｉも層状体になり、これらの層状体が分離し配線７が剥離する傾向がある。導電性粒子７ｐの焼成前の粒径が１０．０μｍを超える場合、側面配線７の配線幅および厚みが増大し、高密度配線との接続性が劣化する傾向がある。
　また導電性粒子７ｐは、球状の粒子と、フレーク状等の不定形の粒子と、を含んでいてもよい。この場合、不定形の粒子は表面積が大きいことから熱吸収面積が増大し、焼成時に溶融しやいために球状の粒子同士を繋ぐ融着部となりやすい。また導電性粒子７ｐは、稠密体および／または中空体であってもよい。中空体から成る導電性粒子７ｐは、熱容量が小さいことから、図４、図５に示すように溶融変形しやすく、また焼成時に溶融しやいために球状の粒子同士を繋ぐ融着部となりやすい。
　側面配線７は、導電性粒子７ｐの含有量が８０重量％以上である構成であってもよい。この場合、側面配線７を形成するための導電性ペースト７ｓが、未硬化の絶縁性成分７ｉｐよりも多く含まれる導電性粒子７ｐによって、見かけの粘性が向上して流動性が小さくなる効果が向上する。その結果、導電性ペースト７ｓを基板５の角部に塗布しても、基板５の傾斜面３および側面４から流れ落ちにくくなり、角で途切れにくくなる。この目的をより効果的に達成するために、側面配線７における導電性粒子７ｐの含有量は９０重量％以上であってもよく、９５重量％以上であってもよい。
　側面配線７は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼等の導電性粒子、エポキシ樹脂等の未硬化の樹脂成分、アルコール溶媒および水等を含む導電性ペースト７ｓを、側面４から第１面２ａおよび第２面２ｂにかけての所望の部位に印刷塗布した後、加熱法、紫外線等の光照射によって硬化させる光硬化法、光硬化加熱法等の方法によって形成することができる。また側面配線７は、メッキ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によっても形成することができる。また、側面における側面配線７を形成する部位に、溝を予め形成しておいてもよい。これによって、側面配線７となる導電性ペースト７ｓが、側面４における所望の部位に配置されやすくなる。また、側面配線７を覆って保護する、樹脂材料等から成る被覆層（オーバーコート層）を設けてもよい。
　図４に示すように、導電性粒子７ｐは、長径および短径を有しており、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、少なくとも導電性粒子７ｐの短径分の厚みを有している構成であってもよい。側面配線７は、導電性ペースト７ｓを塗布し焼成して形成される場合、焼成時に導電性粒子７ｐが溶融変形、融着および自重等の原因によって扁平状、楕円体状等の長径および短径を有する形状に変形しやすい。導電性粒子７ｐが中空体である場合にも、長径および短径を有する形状に変形しやすい。そして、導電性粒子７ｐは、焼成後にその長径の方向が基板５の表面の面方向に略平行となりやすい。従って、基板５の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、少なくとも導電性粒子７ｐの短径分の厚みを有する配線７が形成される。この構成の場合、側面配線７の厚みをより薄くすることができる。その結果、基板５の主面２に位置する高密度配線との接続性がより向上する。さらに、導電性ペースト７ｓの塗布量を節減することができる。
　導電性粒子７ｐの短径（ｒ１とする）は、焼成前の導電性粒子７ｐが直径ｒの球状である場合、ｒ／２程度であってもよい。例えば、ｒが０．８μｍである場合、ｒ１は０．４μｍ程度であってもよい。また、導電性粒子７ｐの融点、中空体であるか否か、焼成温度、焼成時間等の条件によっては、ｒ１は変化することから、０．１ｒ≦ｒ１≦０．９ｒであってもよく、０．３ｒ≦ｒ１≦０．７ｒであってもよい。
　図５、図７に示すように、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐの５個分以下の厚みを有している構成であってもよい。この構成は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐ同士が接触しにくい、融着しにくいことから、導電性粒子７ｐが積み重ねられにくい、という現象に基づく。ただし、導電性ペースト７ｓは見かけの粘性が向上して流動性が小さくなっていることから、上記現象が生じたとしても、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐを５個程度積み重ねることができる。この構成の場合、側面配線７の抵抗を小さくしつつ厚みを薄く保持することができる。その結果、基板５の主面２に位置する高密度配線との接続性が良好となる。
　より好適には、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐの４個分以下の厚みを有している構成であってもよい。即ち、図１０に示すように、傾斜面３の傾斜角度が４５°であり、側面配線７の角部膜厚が約１．６μｍ（短径が０．４μｍである導電性粒子７ｐの４個分の厚み）である場合、側面配線７の平面部膜厚が好適な上限である約１０μｍとなるからである。
　さらに好適には、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐの２個分以下の厚みを有している構成であってもよい。例えば、上記ｒが０．８μｍである場合、側面配線７の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおける厚みは１．６μｍ程度であってもよい。
　側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、導電性粒子７ｐの６個分以上の厚みを有していてもよいが、この場合、基板５の主面２における側面配線７の厚みが増大して、主面２に位置する高密度配線との接続性が劣化する傾向がある。また、７ｓの塗布量を節減することが難しくなる傾向がある。
　従って、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、０．４μｍ～１．６μｍ程度の厚みを有している構成であってもよい。また、導電性粒子７ｐの焼成前の粒径が３．０μｍである場合、図４～図７に示すように、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、１．５μｍ～６．０μｍ程度の厚みを有している構成であってもよい。従って、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、０．４μｍ～６．０μｍ程度の厚みを有している構成であってもよい。
　図６に示すように、導電性粒子７ｐは直径ｒの球状であり、側面配線７は、第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおいて、少なくとも導電性粒子７ｐの直径ｒ分の厚みを有している構成であってもよい。この場合、導電性粒子７ｐの融点が高い、導電性粒子７ｐが稠密体である、焼成温度が低い、焼成時間が短いといった条件によって、焼成によって導電性粒子７ｐが殆ど変形しない場合に相当する。この場合、例えば、上記ｒが０．８μｍである場合、側面配線７の第１角部６ａおよび第２角部６ｂにおける厚みは０．８μｍ程度であってもよい。
　側面配線７は、図４および図５に示す長径および短径を有する形状の導電性粒子７ｐと、図６および図７に示す球状の導電性粒子７ｐと、が混在している構成であってもよい。
　導電性粒子７ｐは、第１の導電性粒子と第２の導電性粒子を含み、第１の導電性粒子の大きさが第２の導電性粒子の大きさよりも大きい構成であってもよい。この場合、多数の第１の導電性粒子が接触部および／または融着部によって互いに繋がっている、導電路ネットワークを構成し、第２の導電性粒子が導電路ネットワークの隙間に入り込んで導電路ネットワークを補強するとともに、導電路ネットワークの導電性を向上させることができる。第１の導電性粒子の大きさは、第２の導電性粒子の大きさの１倍を超え１０倍以下であってもよいが、この範囲に限らない。例えば、第１の導電性粒子の大きさ（直径）を０．４μｍ～１．６μｍとし、第２の導電性粒子の大きさ（直径）を０．０４μｍ以上１．６μｍ未満としてもよい。導電性粒子の大きさは、導電性粒子が球状であれば直径で規定し、楕円体状等の長径および短径を有する形状であれば長径（最大径）で規定してもよい。
　第１の導電性粒子の大きさが第２の導電性粒子の大きさよりも大きい構成であって、第１の導電性粒子の密度が第２の導電性粒子の密度よりも高い構成であってもよい。この場合、導電性ペースト７ｓを傾斜面３等に塗布したとき、密度が高い（比重が重い）第１の導電性粒子が速やかに沈降して堆積し、密度が低い（比重が軽い）第２の導電性粒子が、第１の導電性粒子から成る堆積層の隙間に入り込みやすくなる。その結果、第２の導電性粒子が導電路ネットワークの隙間に入り込んで導電路ネットワークを補強するとともに、導電路ネットワークの導電性をより向上させることができる。例えば、各種金属の密度（ｇ／ｃｍ3）は、白金（Ｐｔ）が21.45、金（Ａｕ）が19.32、タングステン（Ｗ）が19.30、銀（Ａｇ）が10.50、モリブデンが（Ｍｏ）10.22、銅（Ｃｕ）が8.96、ニッケル（Ｎｉ）が8.90、ニオブ（Ｎｂ）が8.57、鉄（Ｆｅ）が7.87、スズ（Ｓｎ）が7.31、インジウム（Ｉｎ）が7.31、クロム（Ｃｒ）が7.20、亜鉛（Ｚｎ）が7.13、チタン（Ｔｉ）が4.54、アルミニウム（Ａｌ）が2.70、マグネシウム（Ｍｇ）が1.74である。従って、例えば、第１の導電性粒子が銀から成り、第２の導電性粒子が銀銅合金から成る構成であってもよい。
　第１の導電性粒子の大きさが第２の導電性粒子の大きさよりも大きい構成であって、第２の導電性粒子の抵抗率（Ωｍ）が第１の導電性粒子の抵抗率よりも低い構成であってもよい。換言すると、第２の導電性粒子の導電率（Ｓ／ｍ：ジーメンス毎メートル）が第１の導電性粒子の導電率よりも高い構成であってもよい。この場合、第２の導電性粒子が導電路ネットワークの隙間に入り込んで導電路ネットワークを補強するとともに、導電路ネットワークの導電性をより向上させることができる。例えば、銀の抵抗率は15.87（nΩm）、銅の抵抗率は16.78（nΩm）である。また、銅を100％とした場合にどの程度電気が流れ易いかという指標である国際焼鈍軟銅標準（International Annealed Copper Standard：ＩＡＣＳ％）を用いた場合、銀（Ａｇ）が105.7％、金（Ａｕ）が75.8％、アルミニウム（Ａｌ）が59.5％、マグネシウム（Ｍｇ）が38.2％、タングステン（Ｗ）が31.8％、モリブデン（Ｍｏ）が31.4％、亜鉛（Ｚｎ）が28.4％、ニッケル（Ｎｉ）が24.2％、インジウム（Ｉｎ）が20.0％、鉄（Ｆｅ）が17.5％、プラチナ（Ｐｔ）が16.0％、スズ（Ｓｎ）が14.6％、ニオブ（Ｎｂ）が11.0％、チタン（Ｔｉ）が4.0％である。従って、例えば、第１の導電性粒子が銀銅合金から成り、第２の導電性粒子が銀から成る構成であってもよい。
　図１０は、主面２上の側面配線７の配線部７ａ，７ｂの膜厚（平面部膜厚）と、角部（第１角部６ａ）上の側面配線７の配線部７ｃの膜厚（角部膜厚）と、の関係を示すグラフである。図１０において、符号「◇」は、傾斜面３が、主面２に対する面取り角度θ１＝３０°のＣ面であるときの角部膜厚と平面部膜厚との関係を示し、符号「□」は、傾斜面３が、主面２に対する面取り角度θ１＝４５°のＣ面であるときの角部膜厚と平面部膜厚との関係を示すデータである。符号「△」は、傾斜面３が、主面２に対する面取り角度θ１＝６０°のＣ面であるあるときの角部膜厚と平面部膜厚との関係を示すデータである。符号「×」は、傾斜面３が、主面２に対する面取り角度θ１＝９０°のＣ面であるときの角部膜厚と平面部膜厚との関係を示すデータである。即ち、符号「×」は、傾斜面３が側面４に一致する構成（傾斜面３が存在しない構成）のデータである。また、実線は、傾斜面３が面取り角度θ１＝４５°のＣ面であるときのデータ（符号「□」のデータ）を、直線近似したグラフである。破線は、傾斜面３が面取り角度θ１＝９０°のＣ面であるときのデータ（符号「×」のデータ）を、直線近似したグラフである。
　導電性ペースト７ｓに用いられる導電性粒子は、その平均粒径（φ）が０．８μｍ～３．０μｍであり、角部膜厚が平均粒径の１／２（０．４μｍ）程度未満の膜厚では、導電性粒子が存在しにくくなり、側面配線７の安定した導通が得られにくくなる。
　傾斜面３が無い（即ち、面取り角度θ１＝９０°）のときに、安定した導通が得られる膜厚は、平面部膜厚が１０μｍ以上の１１．８μｍであり、角部膜厚が０．９μｍである。また、面取り幅ｃが３０°～６０°のときに、安定した導通が得られる膜厚は、平面部膜厚が２μｍ～７μｍであり、角部膜厚が０．４μｍ～１．４５μｍである。
　図１１は、面取り幅と側面配線７の断線発生率との関係を示すグラフである。図１１において、縦軸は断線発生率であり、横軸は面取り幅である。符号「◇」は、傾斜面３が面取り角度θ１＝４５°のＣ面であるとき、傾斜面３に乾式摩擦を２０回加え、４８０本の側面配線７を形成するための導電性ペースト７ｓを印刷したときの断線発生率の測定値である。同図から、面取り幅ｃが１０μｍ以上であれば、基板５の傾斜面３における導電性ペースト７ｓの保持力（付着力）が安定していることが確認された。
　さてここで、図１および図２を参照して、側面配線７形成用の導電性ペースト７ｓの付着力と基板５の表面粗さとの定性的な関係について説明する。基板５の主面２、傾斜面３および側面４のそれぞれの表面粗さが同じである場合、主面２、傾斜面３および側面４における導電性ペースト７ｓの付着力は、同じになる。導電性ペースト７ｓの付着力は、導電性ペースト７ｓの液状成分が基板５の表面の細かな凹凸に入り込んだときに、液状成分と凹凸との間に作用する分子間力によって主に生ずる。そして、導電性ペースト７ｓは重力Ｆｇによって流れ落ちようとするが、付着力が流れ落ちようとする力に対する抗力となる。主面２、傾斜面３および側面４における抗力Ｆｋも、それぞれ同じになる。抗力と流れ落ちようとする力とがバランスする（同じになる）ことによって、塗布された導電性ペースト７ｓはほぼ塗布された位置に留まり、静止状態となる。
　なお、導電性ペースト７ｓの塗布量が多すぎると、流れ落ちようとする力が抗力よりも大きくなり、導電性ペースト７ｓの少なくとも１部が流れ落ちる場合があるが、そのような場合は考慮外とする。
　主面２では、導電性ペースト７ｓに、次式（１）で示す力Ｆ１が作用する。
　傾斜面３では、導電性ペースト７ｓに次式（２）で示す力Ｆ２が作用する。
　側面４では、導電性ペースト７ｓに次式（３）で示す力Ｆ３が作用する。
　主面２、傾斜面３および側面４において導電性ペースト７ｓに作用する力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３の関係は、Ｆ３＞Ｆ２＞Ｆ１である。ただし、導電性ペースト７ｓが主面２、傾斜面３および側面４に付着し静止している釣合い状態にあるためには、Ｆ１＋Ｆ２＋Ｆ３＝０を満たす必要がある。
　各力Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３の関係がＦ３＞Ｆ２＞Ｆ１であることから、基板５の主面２、傾斜面３および側面４の表面粗さ（算術平均粗さ）を異ならせることによって、主面２、傾斜面３および側面４のそれぞれにおける導電性ペースト７ｓの付着力を調整することができる。即ち、図８に示すように、粗面化された主面２等の表面に導電性ペースト７ｓを塗布すると、導電性ペースト７ｓに含まれる未硬化の絶縁性成分７ｉｐが表面の細かな凹凸に入り込んで、分子間力による付着力が増大する。それとともに、導電性ペースト７ｓに含まれる導電性粒子７ｐが表面の細かな凹凸に引っ掛かることによって、導電性ペースト７ｓが表面の面方向ｄｐに流れにくくなる。その結果、導電性ペースト７ｓの表面に対する付着力が増大するという効果が得られる。そして、この効果によって、主面２における抗力をＦｋ１、傾斜面３による抗力をＦｋ２、側面４による抗力をＦｋ３としたとき、例えばＦｋ３＞Ｆｋ２＞Ｆｋ１とすることができる。その結果、Ｆ３≒Ｆ２≒Ｆ１とし、導電性ペースト７ｓが傾斜面３およびその両側近傍で流れ落ちにくくなる。従って、導電性ペースト７ｓが傾斜面３およびその両側近傍で途切れたり、導通性が劣化する程度に薄膜化するのを抑制することができる。
　各抗力Ｆｋ１，Ｆｋ２，Ｆｋ３に関係が、Ｆｋ３＞Ｆｋ２＞Ｆｋ３とするためには、基板５の主面２、傾斜面３および側面４のそれぞれの表面粗さをＲａ１，Ｒａ２，Ｒａ３とし、例えば図９に示すようにＲａ３＞Ｒａ２＞Ｒａ１とする。これによって、側面４と導電性ペースト７ｓとの接触面積を最大とすることによって、導電性ペースト７ｓの付着力は最大となる。また、主面２と導電性ペースト７ｓとの接触面積を最小とすることによって、導電性ペースト７ｓの付着力は最小となる。さらに、傾斜面３と導電性ペースト７ｓとの接触面積を中間の大きさとすることによって、導電性ペースト７ｓの付着力は中間になる。
　傾斜面３の幅（面取り幅ｃ）を大きくすることが好ましい定性的な理由を以下に説明する。傾斜面３における単位面積あたりの導電性ペースト７ｓに作用する力をΔＦ２とし、傾斜面３の面積をＳ２としたとき、傾斜面３全体では、ΔＦ２・Ｓ２の力が作用する。同様に、側面４についても、側面４全体では、ΔＦ３・Ｓ３の力が作用する。ここで、傾斜面３の面積Ｓ２を大きくすると、これとは逆に側面４の面積Ｓ３は小さくなる。その結果、傾斜面３および側面４に作用する力ΔＦ２・Ｓ２，ΔＦ３・Ｓ３の差分（ΔＦ２・Ｓ２）－（ΔＦ３・Ｓ３）が小さくなり、導電性ペースト７ｓが傾斜面３から流れ落ちにくくすることができる。また、導電性ペースト７ｓは、その固形分である導電性粒子を除く液状の樹脂成分の上記分子間力によっても、導電性ペースト７ｓ全体の流動性または粘性が異なるため、膜厚を制御し易い流動性または粘性に調整することが好ましい。
　他の実施形態では、配線７を、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレススチール等の導電性粒子、未硬化の樹脂成分、アルコール溶媒および水等を含む導電性ペースト７ｓを、基板５の第１主面２ａから傾斜面３、側面４および第２主面２ｂにかけて所望の部位に、印刷法によらないインクジェット法等によって塗布した後、加熱法、紫外線等の光照射によって硬化させる光硬化法、光硬化加熱法等の方法によって形成されてもよい。
　本開示の他の実施形態では、傾斜面３は、外方に凸に湾曲したＲ面であってもよい。傾斜面３がＲ面である場合には、導電性ペースト７ｓとの接触面積がＣ面に比べて多くなり、導電性ペースト７ｓの傾斜面３への付着力も大きくなるので、傾斜面３上の配線７の膜厚をさらに大きくして、高密度配線であっても断線の発生を少なくし、導通安定性をより高くすることができる。
　なお、上記の各種の実施形態は、図２に示す、側面４と第２主面２ｂとの間に存在する傾斜面についても適用することができる。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
　本開示の配線基板は、ＬＥＤ表示装置、有機ＥＬ表示装置等の発光表示装置および液晶表示装置等の表示装置に適用することができる。また本開示の配線基板を用いた表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、複合型かつ大型の表示装置（マルチディスプレイ）、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
　１　配線基板
　２　主面
　２ａ　第１主面
　２ｂ　第２主面
　３　傾斜面
　４　側面
　５　基板
　６　角部
　７　配線（側面配線）
　７ａ　配線部
　７ｂ　配線部
　７ｃ　配線部
　７ｓ　導電性ペースト
　ｃ　面取り幅
　ｔ　膜厚
　Ｒａ１　第１表面粗さ
　Ｒａ２　第２表面粗さ
　Ｒａ３　第３表面粗さ
　θ１　面取り角度

Claims (18)

  1. 　主面と、側面と、前記主面と前記側面とを繋ぐ傾斜面と、を有する基板と、
    　前記主面、前記傾斜面および前記側面にわたって位置する配線と、を備え、
    　前記配線は、絶縁性成分よりも含有量が多い導電性粒子を含むとともに、前記主面と前記傾斜面間の第１角部および前記傾斜面と前記側面間の第２角部において、少なくとも前記導電性粒子の１個分の厚みを有している、配線基板。
  2. 　前記導電性粒子は、長径および短径を有しており、
    　前記配線は、前記第１角部および前記第２角部において、少なくとも前記導電性粒子の短径分の厚みを有している、請求項１に記載の配線基板。
  3. 　前記導電性粒子は、第１の導電性粒子と第２の導電性粒子を含み、前記第１の導電性粒子の大きさが前記第２の導電性粒子の大きさよりも大きい、請求項１または２に記載の配線基板。
  4. 　前記第１の導電性粒子の密度が前記第２の導電性粒子の密度よりも高い請求項３に記載の配線基板。
  5. 　前記第２の導電性粒子の抵抗率が前記第１の導電性粒子の抵抗率よりも低い請求項３または４に記載の配線基板。
  6. 　前記配線は、前記第１角部および前記第２角部において、前記導電性粒子の５個分以下の厚みを有している、請求項１または２に記載の配線基板。
  7. 　前記配線は、前記導電性粒子の前記含有量が８０重量％以上である、請求項１～６のいずれか１項に記載の配線基板。
  8. 　前記傾斜面は、１０μｍ以上２００μｍ以下の幅を有している、請求項１～７のいずれか１項に記載の配線基板。
  9. 　前記配線は、前記第１角部および前記第２角部において、０．４μｍ～１．６μｍの厚みを有している、請求項１～８のいずれか１項に記載の配線基板。
  10. 　前記配線は、前記主面および前記側面において、２μｍ～１０μｍの厚みを有している、請求項１～９のいずれか１項に記載の配線基板。
  11. 　前記傾斜面は、前記主面に対する傾斜角度が３０°以上６０°以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の配線基板。
  12. 　前記傾斜面は、曲面である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の配線基板。
  13. 　前記主面の表面粗さを第１表面粗さＲａ１とし、前記傾斜面の表面粗さを第２表面粗さＲａ２とし、前記側面の表面粗さを第３表面粗さＲａ３としたとき、前記Ｒａ１と前記Ｒａ２と前記Ｒａ３のうちの少なくとも２つが互いに異なっている、請求項１～１１のいずれか１項に記載の配線基板。
  14. 　前記Ｒａ２が前記Ｒａ１よりも大きい、請求項１３に記載の配線基板。
  15. 　前記Ｒａ３が前記Ｒａ２よりも大きい、請求項１３または１４に記載の配線基板。
  16. 　前記基板の構成材料は、ガラスを含んでいる、請求項１～１５のいずれか１項に記載の配線基板。
  17. 　請求項１～１６のいずれか１項に記載の配線基板を備え、
    　前記基板は、一方の前記主面の側に、複数の発光素子がマトリクス状に位置している表示装置。
  18. 　前記基板は、他方の前記主面の側に、前記複数の発光素子に前記配線を介して電気的に接続された駆動部がある、請求項１７に記載の表示装置。
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