CN112447817A - 制造显示装置的方法和用于显示装置的制造设备 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 228
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 143
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 46
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 26
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 26
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- Electromagnetism (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
提供了一种制造显示装置的方法和一种用于显示装置的制造设备,所述方法包括:提供第一基底、第二基底和多条连接线,其中,第一基底具有基体基底,其中,第二基底面对第一基底,并且其中,所述多条连接线设置在基体基底与第二基底之间;打磨基体基底的侧表面、第二基底的侧表面和所述多条连接线的侧表面;以及同时转印导电膜和激光固化导电膜,其中,将导电膜转印到基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面。
Description
本申请要求于2019年9月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0108371号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种用于显示装置的制造设备和一种制造显示装置的方法。
背景技术
显示运动图像和静止图像的显示装置不仅可以用在便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)等)中,而且可以用作用于各种产品(诸如电视(TV)、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置等)的显示屏。
为了驱动显示装置的发光器件,可以使用包括驱动电路的印刷电路板(PCB)、将发光器件电连接的多条信号线以及连接到多条信号线的多条引线。显示装置可以包括显示图像的显示区域以及围绕显示区域且不显示图像的部分(例如,边框)。通常,为了实现无边框显示装置,可以将信号线和引线侧结合到显示装置的侧表面。
发明内容
根据本发明的示例性实施例,一种制造显示装置的方法包括:提供第一基底、第二基底和多条连接线,其中,第一基底具有基体基底,其中,第二基底面对第一基底,并且其中,所述多条连接线设置在基体基底与第二基底之间;打磨基体基底的侧表面、第二基底的侧表面和所述多条连接线的侧表面;以及同时转印导电膜和激光固化导电膜,其中,将导电膜转印到基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面。
在本发明的示例性实施例中,导电膜的转印包括在基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面上形成导电膜并压制导电膜。
在本发明的示例性实施例中,使用设置在导电膜上的透明压制工具来执行导电膜的压制。
在本发明的示例性实施例中,透明压制工具包括石英或玻璃。
在本发明的示例性实施例中,利用穿过透明压制工具的激光束的投射来执行导电膜的激光固化。
在本发明的示例性实施例中,使用连续波激光供应装置来执行导电膜的激光固化。
在本发明的示例性实施例中,在导电膜的激光固化期间,激光束聚焦在导电膜的前表面处。
在本发明的示例性实施例中,在导电膜的激光固化期间,激光束聚焦在导电膜的一个区域处,并且在改变激光束的焦点位置的同时执行激光固化。
在本发明的示例性实施例中,导电膜包括:导电层,设置在基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面上;以及保护层,设置在导电层上。
在本发明的示例性实施例中,方法还包括在导电膜的转印和激光固化之后,从导电层的一个表面剥离保护层。
在本发明的示例性实施例中,方法还包括在从导电层的一个表面剥离保护层之后,图案化导电层并且形成在一个方向上彼此分开地设置的多个连接垫。
在本发明的示例性实施例中,方法还包括在所述多个连接垫的形成之后将印刷电路板结合到所述多个连接垫上。
在本发明的示例性实施例中,将印刷电路板结合到所述多个连接垫上的步骤包括:将印刷电路板布置在多个连接垫上,并且同时压制所布置的印刷电路板以及将印刷电路板激光结合到所述多个连接垫,其中,使用设置在印刷电路板上的透明压制工具执行所布置的印刷电路板的压制。
在本发明的示例性实施例中,利用穿过透明压制工具的激光束的投射来执行将印刷电路板激光结合到所述多个连接垫的步骤,其中,将印刷电路板激光结合到所述多个连接垫的步骤包括将设置在印刷电路板的引线与连接垫之间的各向异性导电膜固化。
在本发明的示例性实施例中,在同时将位于基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面上的导电膜转印和激光固化期间,导电膜延伸至基体基底的第一表面,并且在基体基底的第一表面上执行导电膜的转印和激光固化。
根据本发明的示例性实施例,一种用于显示装置的制造设备包括:打磨机,被构造为打磨基体基底的侧表面、第二基底的侧表面以及设置在基体基底与第二基底之间的多条连接线的侧表面;以及导电膜转印单元和导电膜固化单元,被构造为同时将导电膜转印到基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和多条连接线的经打磨的侧表面以及激光固化基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面上的导电膜。导电膜包括导电层和设置在导电层上的保护层。
在本发明的示例性实施例中,导电膜转印单元压制形成在基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和多条连接线的经打磨的侧表面上的导电膜。
在本发明的示例性实施例中,导电膜转印单元包括设置在导电膜上的压制工具,并且压制工具包括石英或玻璃。
在本发明的示例性实施例中,导电膜固化单元包括第一激光供应装置,其中,第一激光供应装置投射通过压制工具的连续波激光束且固化导电膜。
在本发明的示例性实施例中,制造设备还包括:图案化激光器,被构造为图案化导电层并形成连接垫;以及膜上芯片结合单元,被构造为将印刷电路板结合到连接垫上,其中,膜上芯片结合单元包括:压制单元,被构造为压制膜上芯片并且包括包含石英或玻璃的压制工具;以及第二激光供应装置,被构造为投射通过压制单元的激光束,并且固化设置在印刷电路板的引线与连接垫之间的各向异性导电膜。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例,本公开的以上和其他特征将变得更加明显,在附图中:
图1是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的流程图;
图2、图3、图5、图8和图10是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的工艺操作的透视图;
图4是沿着图3的线IV-IV’截取的剖视图;
图6是沿着图5的线V-V’截取的剖视图;
图7是示出图6中所示的保护膜的剥离的剖视图;
图9是沿着图8的线VII-VII’截取的剖视图;
图11是沿着图9的线IX-IX’截取的剖视图;
图12是图11的区域A的放大剖视图;
图13是示出同时操作转印导电膜和激光固化导电膜与顺序操作转印导电膜和激光固化导电膜之间的对比的表;
图14是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图;
图15是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图;
图16是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图;
图17是根据本发明的示例性实施例的用于显示装置的制造设备的框图;以及
图18是根据本发明的示例性实施例的膜上芯片(COF)结合单元的框图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例。然而,本发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在此阐述的示例性实施例。
将理解的是,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上方”或“上”时,该元件或层可以直接在另一元件或层上,或者可以在它们之间存在中间层或元件。
在整个说明书中,相同的附图标记可以表示相同的元件,因此可以省略重复的描述。
在下文中,将参照附图来描述本发明的示例性实施例。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的流程图。图2、图3、图5、图8和图10是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的工艺操作的透视图。图4是沿着图3的线IV-IV’截取的剖视图。图6是沿着图5的线V-V’截取的剖视图。图7是示出图6中所示的保护膜的剥离的剖视图。图9是沿着图8的线VII-VII’截取的剖视图。图11是沿着图9的线IX-IX’截取的剖视图。图12是图11的区域A的放大剖视图。
参照图1至图12,根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法可以包括提供包括基体基底的第一基底、面对第一基底的第二基底以及设置在基体基底与第二基底之间的多条连接线(S10)。制造显示装置的方法还可以包括打磨基体基底的侧表面、第二基底的侧表面和多条连接线的侧表面(S20)以及同时将导电膜转印到基体基底的经打磨的侧表面、第二基底的经打磨的侧表面和多条连接线的经打磨的侧表面上和激光固化导电膜(S30)。方法还包括图案化导电膜以形成在一个方向上彼此分离地设置的多个连接垫(pad,或称为“焊盘”或“焊垫”)(S40)以及将印刷电路板(PCB)结合在多个连接垫上(S50)。
参照图1和图2,可以提供第一基底100、面对第一基底100的第二基底200以及多条连接线110(S10)。另外,第一基底100包括第一基体基底SUB1,并且多条连接线110设置在第一基体基底SUB1与第二基底200之间。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括靶面板100和200。
靶面板100和200可以分别包括第一基底100和第二基底200。另外,靶面板100和200可以分别包括设置在第一基底100上的各种元件和设置在第二基底200上的各种元件。
在本发明的示例性实施例中,靶面板100和200可以分别是第一基底100和第二基底200。
靶面板100和200可以均包括例如有机发光显示面板。虽然下面的实施例示出了其中靶面板100和200均包括有机发光显示面板的情况,但是本发明不限于此。例如,靶面板100和200可以包括其他种类的显示面板,诸如液晶显示器(LCD)、量子点有机发光二极管(QD-OLED)面板、量子点LCD(QD-LCD)、量子纳米发光二极管(纳米LED)面板和微LED。
第一基底100的各种元件可以包括多个绝缘层、多个导电层、至少一个薄膜晶体管(TFT)和连接到所述至少一个TFT的有机发光元件。
例如,第一基底100可以是包括所述至少一个TFT的背板基底或TFT基底。
第二基底200可以面对第一基底100并且设置在第一基底100之上。第二基底200可以包括封装第一基底100的有机发光元件的封装基底。
第一基底100和第二基底200中的每个可以包括基体基底。第一基底100和第二基底200的基体基底中的每个可以包括诸如玻璃或石英的刚性材料。例如,第一基底100可以包括第一基体基底SUB1。
第一基底100还可以包括设置在第一基体基底SUB1与第二基底200之间的连接线110。
靶面板100和200可以均具有其拐角在平面图中为直角的矩形形状。然而,本发明不限于此;例如,靶面板100和200可以均具有多边形形状并且可以具有圆形的拐角。靶面板100和200在平面图中可以均具有长边和短边。靶面板100和200的短边可以是在第二方向DR2上延伸的边。靶面板100和200的长边可以是在第一方向DR1上延伸的边。第一基底100可以具有与第二基底200的平面形状基本上相同的平面形状。
之后,参照图1和图2,可以打磨第一基体基底SUB1的一个侧表面(例如,第一侧表面)SUB1s、第二基底200的一个侧表面(例如,第一侧表面)200s以及多条连接线110的侧表面(例如,第一侧表面)110s(S20)。
结果,第一基底100和第二基底200的侧表面部分(例如,在第一方向DR1上的上短侧表面部分)可以被打磨,因此第一基底100的一个侧表面和第二基底200的一个侧表面200s可以沿着从第一基底100观看第二基底200所沿的方向(例如,第三方向DR3)对齐。关于第一基底100和第二基底200的其他侧表面部分(在第一方向DR1上的且沿第二方向DR2延伸的下短侧表面部分、在第二方向DR2上的一侧且沿第一方向DR1延伸的第一长侧表面部分以及在第二方向DR2上的另一侧(例如,与第一长侧表面部分相对)且沿第一方向DR1延伸的第二长侧表面部分),第一基底100和第二基底200的侧表面可以沿厚度方向(例如,第三方向DR3)对齐,但是本发明不限于此。
在下文中,第一基底100的经打磨的一个侧表面和第二基底200的经打磨的一个侧表面200s将分别被称为第一基底100的第一侧表面和第二基底200的第一侧表面200s。
连接线110可以从第一基底100的显示区域穿过非显示区域(或者例如,第一基底100在第一方向DR1上的上短侧表面)。然而,本发明不限于此,例如,连接线110可以从第一基底100的显示区域延伸到第一基底100的长侧表面。连接线110可以电连接到显示区域的像素。连接线110可以延伸到第一基底100的第一侧表面和第二基底200的第一侧表面200s,因此,连接线110的第一侧表面110s与第一基底100的第一侧表面和第二基底200的第一侧表面200s可以沿厚度方向对齐。换言之,第一基底100、连接线110和第二基底200沿第三方向DR3对齐。
与包括第一侧表面的第一基底100一样,第一基底100的第一基体基底SUB1可以包括第一侧表面SUB1s。例如,第一侧表面SUB1s可以是第一基底100的第一侧表面的一部分。第一基体基底SUB1的第一侧表面SUB1s、连接线110的第一侧表面110s和第二基底200的第一侧表面200s可以在第三方向DR3上彼此对齐。
可以设置多条连接线110。多条连接线110可以设置为在第二方向DR2上彼此间隔开。虽然仅示出了四条连接线110,但是可以设置五条或更多条连接线110。
连接线110可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和/或铜(Cu)的至少一种金属。
与第一基底100的第一侧表面一样,设置在第一基底100上的连接线110可以包括第一侧表面110s。连接线110的第一侧表面110s和第二基底200的第一侧表面200s可以在第三方向DR3上彼此对齐。
与包括第一侧表面的第一基底100一样,第一基底100的第一基体基底SUB1可以包括第一侧表面SUB1s。连接线110的第一侧表面110s、第二基底200的第一侧表面200s和第一基体基底SUB1的第一侧表面SUB1s可以在第三方向DR3上彼此对齐。
可以使用图2中所示的打磨装置600来执行打磨第一基体基底SUB1的一个侧表面SUB1s、第二基底200的一个侧表面200s和多条连接线110的第一侧表面110s的操作S20。打磨装置600可以设置在第一基体基底SUB1的一个侧表面SUB1s、第二基底200的一个侧表面200s和多条连接线110的侧表面110s上,并且可以在沿一个方向移动的同时打磨第一基体基底SUB1的一个侧表面SUB1s、第二基底200的一个侧表面200s和多条连接线110的侧表面110s。打磨装置600可以包括例如轮装置。轮装置可以具有基于由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面的圆形平面形状。例如,打磨装置600的侧表面可以与第一基体基底SUB1的第一侧表面SUB1s、第二基底200的第一侧表面200s和多条连接线110的第一侧表面110s平行。具有圆形平面形状的轮装置可以具有面向第三方向DR3的中心轴并且成圆形地旋转以打磨第一基体基底SUB1的一个侧表面SUB1s、第二基底200的一个侧表面200s和多条连接线110的侧表面110s。例如,中心轴可以在第三方向DR3上延伸。
第一基体基底SUB1可以包括面对第二基底200的第一表面SUB1a以及与第一基体基底SUB1的第一表面SUB1a相对的第二表面SUB1b。第二基底200可以包括面对第一基底100的第一表面200a以及与第一表面200a相对的第二表面200b。
之后,参照图1以及图3至图6,可以同时执行将导电膜120a转印到第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s以及激光固化导电膜120a的操作(S30)。例如,可以将导电膜120a转印到第一基体基底SUB1的经打磨的第一侧表面SUB1s。
如图3中所示,将导电膜120a转印到第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s的操作可以包括将导电膜120a布置在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上。
如图4中所示,导电膜120a可以包括导电层120a1和设置在导电层120a1上的保护层120a2。在将导电膜120a布置在第一基底100的经打磨的第一侧表面(例如,第一基体基底SUB1的经打磨的第一侧表面SUB1s)、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上之前,导电膜120a还可以包括离型膜,离型膜与保护层120a2间隔开并且导电层120a1设置在离型膜与保护层120a2之间。例如,离型膜可以设置在导电层120a1的底表面上。当离型膜被布置在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上时,可以将离型膜从导电层120a1剥离并去除。
可以将导电层120a1设置在第一基底100的第一侧表面、第二基底200的第一侧表面200s和多条连接线110的第一侧表面110s上。可以将导电层120a1直接设置在第一基底100的第一侧表面、第二基底200的第一侧表面200s和多条连接线110的第一侧表面110s上。作为附加示例,可以将导电层120a1设置在第一基体基底SUB1的第一侧表面SUB1s上。导电层120a1可以包括导电材料。导电材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)和金(Au)中的至少一种。根据本发明的示例性实施例的导电层120a1可以包括银。
可以将导电膜120a形成在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上的整个表面之上。作为附加示例,可以将导电层120a1形成在第一基体基底SUB1的经打磨的第一侧表面SUB1s之上。
保护层120a2可以包括可以典型地用作基体材料的材料。保护层120a2可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),但是本发明不限于此。
参照图5,将导电膜120a转印到第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s的操作还可以包括在布置导电膜120a的操作之后压制导电膜120a并形成具有基本上恒定的厚度的导电膜120b。如图6中所示,导电膜120b可以包括导电层120a1_1和设置在导电层120a1_1上的保护层120a2。
可以使用设置在导电膜120a上的透明压制工具700来执行压制导电膜120a并形成具有基本上恒定的厚度的导电膜120b的操作。可以将透明压制工具700直接设置在导电膜120a的保护层120a2上。
透明压制工具700可以包括诸如石英或玻璃的透明材料。例如,透明压制工具700可以是由石英、玻璃等制成的块。
可以使用透明压制工具700沿第一方向DR1向下压制在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上形成的导电膜120a。经压制的导电膜120b的导电层120a1_1可以在第二方向DR2和第三方向DR3上均匀地伸展,并且在第一方向DR1上具有基本上恒定的厚度。
在根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法中,可以基本上同时执行将导电膜120b转印到第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s的操作以及激光固化位于第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上的导电膜120a的操作。
如图5中所示,可以执行激光固化导电膜120a的操作,使得激光束被投射以穿过透明压制工具700。
将理解的是,当执行将导电膜120b转印到第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s的操作时,该操作被称为与激光固化位于第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上的导电膜120a的操作基本上同时执行。可以首先执行形成导电膜120a的操作,然后可以基本上同时执行使用透明压制工具700沿第一方向DR1向下压制在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上形成的导电膜120a的操作以及激光固化位于第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上的导电膜120a的操作。
例如,可以按时间顺序在激光固化第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上的导电膜120a的操作之前或之后执行使用透明压制工具700沿第一方向DR1向下压制在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上形成的导电膜120a的操作。
例如,可以执行使用透明压制工具700沿第一方向DR1向下压制在第一基底100的经打磨的第一侧表面、第二基底200的经打磨的第一侧表面200s和多条连接线110的经打磨的第一侧表面110s上形成的导电膜120a并且同时固化导电膜120a使得激光束被投射以穿过透明压制工具700的操作。然而,当激光束通过穿过透明压制工具700而到达导电膜120a并且透明压制工具700压制导电膜120a时,还可能的是,按时间顺序在压制导电膜120a的操作之前执行固化导电膜120a的操作。然而,即使按时间顺序执行操作,由于在同一工艺期间执行使用透明压制工具700压制导电膜120a的操作与使用已经有效地透射穿过透明压制工具700的激光束固化导电膜120a的操作,所以基本上同时执行所述两个操作。
可以使用第一激光供应装置800来执行激光固化导电膜120a的操作。第一激光供应装置800可以是连续波(CW)激光供应装置。
当激光束的焦点定位在导电膜120a的前表面处时,可以执行激光固化导电膜120a的操作,该前表面是沿第一方向DR1观看的前表面(例如,顶表面)。例如,可以调整由第一激光供应装置800投射的激光束的焦点位置,使得激光束投射到导电膜120a的沿第一方向DR1观看的前表面上。
之后,参照图7,可以从导电层120a1_1的一个表面剥离并去除保护层120a2。因此,导电层120a1_1的所述一个表面可以暴露到外部。
之后,参照图1、图8和图9,可以图案化导电层120a1_1以形成在一个方向上彼此分离地设置的多个连接垫120c(S40)。例如,多个连接垫120c可以沿第二方向DR2彼此间隔开。
如图8中所示,可以使用第二激光供应装置900执行通过图案化导电层120a1_1来形成在一个方向上彼此分离地设置的多个连接垫120c的操作S40。
第二激光供应装置900可以不同于CW激光供应装置。例如,由第二激光供应装置900投射的激光束可以具有在预定时间段中以恒定的重复速率产生的脉冲。例如,第二激光供应装置900可以是被构造为提供短脉冲激光的短脉冲激光供应装置。
如图8中所示,由于第二激光供应装置900,导电层120a1_1可以形成为在第二方向DR2上设置为彼此间隔开的多个连接垫120c。
连接垫120c中的每个可以电连接到在第一方向DR1上的连接线110中的对应的一条。例如,连接垫120c中的每个可以设置在对应的连接线110上。
参照图1以及图10至图12,可以将印刷电路板(PCB)300结合到多个连接垫120c上(S50)。
将PCB 300结合到多个连接垫120c上的操作S50可以包括将PCB 300布置在多个连接垫120c上以及压制所布置的PCB 300并将PCB 300激光结合到多个连接垫120c。
PCB 300可以包括基体膜310和多条引线330,多条引线330中的每条对应于多个连接垫120c中的一个并且电连接到多个连接垫120c中的一个。PCB 300还可以包括电连接到多条引线330的驱动集成电路(IC)390。
PCB 300可以是柔性膜,诸如柔性PCB、PCB或膜上芯片(COF)。
驱动IC 390可以是例如数据驱动IC,并且实现为数据驱动芯片的COF可以应用于驱动IC 390。
虽然图10示出了其中PCB 300仅结合到靶面板100和200的第一侧表面的情况,但是本发明不限于此。PCB 300可以设置在靶面板100和200的第一侧表面以及靶面板100和200的其他侧表面(例如,第一方向DR1上的下短侧部分,在第二方向DR2上的一侧的长侧部分和在第二方向DR2上的另一侧的长侧部分)中的至少一个上。
如图10中所示,可以使用设置在PCB 300上的透明压制工具1000来执行压制所设置的PCB 300的操作。透明压制工具1000可以与以上参照图5描述的透明压制工具700基本上相同。
参照图11,还可以在引线330与连接垫120c之间设置各向异性导电膜130。如图12中所示,各向异性导电膜130可以包括被构造为将引线330电连接到连接垫120c的多个导电球130b和其中设置有多个导电球130b的绝缘树脂130a。
压制所设置的PCB 300的操作可以包括通过沿第一方向DR1向下按压透明压制工具1000来压制各向异性导电膜130以及将引线330结合并电连接到连接垫120c。
在根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法中,可以基本上同时执行压制所设置的PCB 300的操作和将所设置的PCB 300激光结合到连接垫120c的操作。
可以执行激光结合PCB 300的操作,使得激光束被投射以穿过透明压制工具1000。
由于激光结合PCB 300的操作,可以将插置在PCB 300与连接垫120c之间的各向异性导电膜130固化,因此可以将PCB 300结合到连接垫120c上。
可以使用第三激光供应装置1100来执行激光结合PCB 300的操作。第三激光供应装置1100可以是CW激光供应装置。第三激光供应装置1100可以具有与第一激光供应装置800的构造基本上相同的构造。
在将PCB 300结合到连接垫120c上之后,如图11中所示,可以将PCB 300弯曲到第一基底100的另一表面(或第一基体基底SUB1的第二表面SUB1b)上。例如,第一基底100的另一表面可以背对第二基底200。
在根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法中,由于导电膜120a被激光固化,所以导电膜120b的固化速率(例如,导电膜120b的导电层120a1_1的固化速率)可以高于导电膜120a被热固化时的固化速率。当导电层120a1_1的固化速率高时,导电层120a1_1的电阻可以低于使用热固化工艺形成的导电层的电阻。
图13是示出同时操作转印导电膜和激光固化导电膜与顺序操作转印导电膜和激光固化导电膜之间在工艺技术参数(specification)方面的对比的表。
参照图13,左列表示在转印导电膜120a之后激光固化导电膜120a的工艺的技术参数,而右列表示同时转印导电膜120a和激光固化导电膜120a的工艺的技术参数。
为了描述左列,使用热金属工具执行导电膜120a的转印。在热金属工具的压制期间,温度为约100℃,压制压力为约2kgf,并且压制时间为约10秒。此外,使用具有约20.6W的输出的激光供应装置执行导电膜120a的固化。激光供应装置的输出速度为约15mm/s,并且固化工艺所花费的工艺时间为约4秒。
在右列中,压制压力为2kgf,并且使用具有约35W的输出的激光供应装置执行导电膜120a的固化,并且压制和固化时间为约5秒。
与分开执行压制导电膜120a和固化导电膜120a的操作时相比,在对应于右列的条件下同时执行压制导电膜120a和固化导电膜120a的操作时,更多地减少了总体工艺时间。
在下文中,将描述本发明的示例性实施例。在下面的实施例中,与上述实施例中的组件相同的组件可以由相同的附图标记表示,因此为了简洁可以省略或简化其描述。
图14是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图。
参照图14,根据本示例性实施例的制造显示装置的方法与根据图5中所示的示例性实施例的制造显示装置的方法的不同之处可以在于使用第一激光供应装置800_1来执行激光固化导电膜120a的操作。
与图5的第一激光供应装置800一样,第一激光供应装置800_1可以是CW激光供应装置。
在根据本实施例的激光固化导电膜120a的操作期间,激光束的焦点定位在导电膜120a的从第一方向DR1观看的局部区域处。例如,可以调整由第一激光供应装置800_1投射的激光束的焦点位置,使得激光束被投射到导电膜120a的局部区域上。可以改变第一激光供应装置800_1的激光束的焦点位置。例如,可以改变第一激光供应装置800_1的激光束的焦点位置,使得激光束被投射到导电膜120a的前表面上。
改变的焦点位置可以形成基于附图的线形,但是本发明不限于此。
图15是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图。
参照图15,根据本示例性实施例的制造显示装置的方法与根据图5中所示的示例性实施例的方法的不同之处可以在于导电膜120b_1从第一基体基底SUB1的第一侧表面SUB1s延伸到第一基体基底SUB1的第二表面SUB1b。另外,在第一基体基底SUB1的第二表面SUB1b上压制并激光固化导电膜120b_1。
在下文中,为了简洁,可以省略其中与图4和图5中的描述基本上相同的其他描述。
图16是根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的一个工艺操作的透视图。
参照图16,根据本示例性实施例的制造显示装置的方法与根据图15中所示的示例性实施例的方法的不同之处可以在于使用第一激光供应装置800_1来执行激光固化导电膜120b_1的操作。例如,在导电膜120b_1的激光固化的操作期间,图16中所示的第一激光供应装置800_1将激光束聚焦到导电膜120b_1的局部区域。参照图15,第一激光供应装置800将激光束提供到导电膜120b_1的面对第一方向DR1的表面。
在下文中,为了简洁,可以省略与图4、图5、图14和图15中的描述基本上相同的其他描述。
在下文中,将描述显示装置的制造设备。在本发明的下面的示例性实施例中,与上述实施例中的组件相同的组件可以由相同的附图标记表示,并且为了简洁可以省略或简化其描述。
图17是根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造设备的框图,并且图18是根据本发明的示例性实施例的COF结合单元的框图。
根据示例性实施例的显示装置的制造设备1可以包括打磨单元10(例如,打磨机)、导电膜转印/固化单元20、激光图案化单元30和COF结合单元40。
打磨单元10可以具有与以上参照图2描述的打磨装置600的构造相同的构造。导电膜转印/固化单元20可以具有各自与图5的透明压制工具700和第一激光供应装置800中的对应的组件相同的组件。激光图案化单元30可以具有与图8的第二激光供应装置900的构造相同的构造。COF结合单元40可以具有各自与图10的透明压制工具1000和第三激光供应装置1100中的对应的组件相同的组件。
打磨单元10可以打磨第一基体基底SUB1的一个侧表面SUB1s、面对第一基体基底SUB1的第二基底200的一个侧表面200s以及设置在第一基体基底SUB1与第二基底200之间的多条连接线110的侧表面110s。
导电膜转印/固化单元20可以在第一基体基底SUB1的经打磨的第一侧表面SUB1s、面对第一基体基底SUB1的第二基底200的经打磨的第一侧表面200s以及设置在第一基体基底SUB1与第二基底200之间的多条连接线110的经打磨的侧表面110s上同时转印和激光固化导电膜120a。这里,导电膜120a可以包括导电层120a1和设置在导电层120a1上的保护层120a2。
导电膜转印单元20可以形成为压制在第一基体基底SUB1的经打磨的第一侧表面SUB1s、面对第一基体基底SUB1的第二基底200的经打磨的第一侧表面200s以及设置在第一基体基底SUB1与第二基底200之间的多条连接线110的经打磨的侧表面110s上形成的导电膜120a。导电膜转印单元20可以包括设置在导电膜120a上的透明压制工具700,并且透明压制工具700可以包括例如石英或玻璃。
导电膜固化单元20可以包括第一激光供应装置800。第一激光供应装置800可以被构造为投射穿过透明压制工具700以固化导电膜120a的CW激光束。
激光图案化单元30可以图案化导电层120a1并且形成连接垫120c。COF结合单元40可以将PCB结合到连接垫120c上。COF结合单元40可以包括压制单元43和激光供应单元41,压制单元43被构造为压制COF(参照图10中的PCB 300),激光供应单元41被构造为投射穿过压制单元43并且将设置在PCB的引线330与连接垫120c之间的各向异性导电膜130固化的激光束。压制单元43可以与导电膜转印单元20相同,并且激光供应单元41可以与导电膜固化单元20相同。
根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法和用于显示装置的制造设备可以减少转印和固化连接垫的工艺所花费的工艺时间。
根据本发明的效果不受上述示例的限制,并且在本发明中可以包括更多的各种效果。
虽然已经参照本发明的示例性实施例描述了本发明,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明做出形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
提供第一基底、第二基底和多条连接线,其中,所述第一基底具有基体基底,其中,所述第二基底面对所述第一基底,并且其中,所述多条连接线设置在所述基体基底与所述第二基底之间;
打磨所述基体基底的侧表面、所述第二基底的侧表面和所述多条连接线的侧表面;以及
同时转印导电膜和激光固化所述导电膜,其中,将所述导电膜转印到所述基体基底的经打磨的侧表面、所述第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导电膜的所述转印包括在所述基体基底的所述经打磨的侧表面、所述第二基底的所述经打磨的侧表面和所述多条连接线的所述经打磨的侧表面上形成所述导电膜并压制所述导电膜。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,使用设置在所述导电膜上的透明压制工具来执行所述导电膜的所述压制。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述透明压制工具包括石英或玻璃。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,利用穿过所述透明压制工具的激光束的投射来执行所述导电膜的所述激光固化。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,使用连续波激光供应装置来执行所述导电膜的所述激光固化。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述导电膜的所述激光固化期间,所述激光束聚焦在所述导电膜的前表面处。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述导电膜的所述激光固化期间,所述激光束聚焦在所述导电膜的一个区域处,并且在改变所述激光束的焦点位置的同时执行所述激光固化。
9.一种用于显示装置的制造设备,所述制造设备包括:
打磨机,被构造为打磨基体基底的侧表面、第二基底的侧表面以及设置在所述基体基底与所述第二基底之间的多条连接线的侧表面;以及
导电膜转印单元和导电膜固化单元,被构造为同时将导电膜转印到所述基体基底的经打磨的侧表面、所述第二基底的经打磨的侧表面和所述多条连接线的经打磨的侧表面,并且激光固化位于所述基体基底的所述经打磨的侧表面、所述第二基底的所述经打磨的侧表面和所述多条连接线的所述经打磨的侧表面上的所述导电膜,其中,所述导电膜包括导电层和设置在所述导电层上的保护层。
10.根据权利要求9所述的制造设备,其中,所述导电膜转印单元压制在所述基体基底的所述经打磨的侧表面、所述第二基底的所述经打磨的侧表面以及所述多条连接线的所述经打磨的侧表面上形成的所述导电膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0108371 | 2019-09-02 | ||
KR1020190108371A KR20210027708A (ko) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 표시 장치의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112447817A true CN112447817A (zh) | 2021-03-05 |
Family
ID=74682361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010908998.0A Pending CN112447817A (zh) | 2019-09-02 | 2020-09-02 | 制造显示装置的方法和用于显示装置的制造设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11508946B2 (zh) |
KR (1) | KR20210027708A (zh) |
CN (1) | CN112447817A (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210027708A (ko) | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 장치 |
KR20220046045A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
WO2023142021A1 (zh) * | 2022-01-29 | 2023-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764570B1 (ko) | 2005-03-21 | 2007-10-08 | 주식회사 나래나노텍 | 레이저를 이용하여 형성되는 패턴 전극의 본딩 구조 및 그본딩 방법 |
KR102127379B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20170135529A (ko) | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 타일형 표시장치의 외관 검사장치 및 그 검사방법 |
KR102652604B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2024-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210027579A (ko) * | 2019-08-28 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210027708A (ko) | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 장치 |
-
2019
- 2019-09-02 KR KR1020190108371A patent/KR20210027708A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-06-08 US US16/895,360 patent/US11508946B2/en active Active
- 2020-09-02 CN CN202010908998.0A patent/CN112447817A/zh active Pending
-
2022
- 2022-09-29 US US17/956,096 patent/US11770966B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210027708A (ko) | 2021-03-11 |
US11770966B2 (en) | 2023-09-26 |
US11508946B2 (en) | 2022-11-22 |
US20210066674A1 (en) | 2021-03-04 |
US20230015414A1 (en) | 2023-01-19 |
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PB01 | Publication | ||
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