WO2020158121A1 - 配線基板およびその製造方法並びに高電導配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板およびその製造方法並びに高電導配線基板の製造方法 Download PDF

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WO2020158121A1
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wiring
base material
particles
pattern
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松下大輔
水口創
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東レ株式会社
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    • H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating

Definitions

  • a light emitting element such as an LED element and a metal electrode are provided on the front surface of the substrate, and a power source for sending a signal to the light emitting element and a drive element and a metal electrode are provided on the back surface of the substrate.
  • a structure in which metal electrodes on both front and back surfaces of a substrate are connected by metal wiring is under study.
  • a first step of forming a conductive layer on at least a part of an edge of the substrate over both sides and end faces of the substrate for downsizing And a second step of dividing a part of the conductive layer into a plurality of connecting lines that are not electrically connected to each other, and a method of forming a connecting line is proposed (for example, Patent Document 1). 1).
  • a wiring board having a substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and wiring arranged on the first main surface side, wherein the first main surface To the second main surface, three or more conductor lines are arranged in the width direction of the wiring, and the wiring is a part of the three or more conductor lines and a plurality of conductor lines.
  • a wiring board is proposed in which the conductor wires are connected and the conductor wires are side surface conductor wires arranged on the side surfaces of the board (see, for example, Patent Document 2).
  • an object of the present invention is to provide a wiring board that suppresses disconnection of a bent portion and has excellent conductivity of the bent portion.
  • the present invention relates to a wiring board having a base material having electrodes on both surfaces and a wiring part of which is connected to the electrodes on both surfaces of the base material and arranged at an end portion of the base material, wherein the wiring is made of an organic material and a conductive material.
  • the wiring board contains conductive particles and the content of the conductive particles in the wiring is 60 to 90% by mass.
  • the wiring board of the present invention has a base material having electrodes on both sides, and a wiring for connecting the electrodes on both sides of the base material, a part of which is arranged at an end of the base material. By doing so, the display device can be further downsized and the frame can be narrowed. Further, in the present invention, it is important that the wiring contains an organic substance and conductive particles, and the content of the conductive particles in the wiring is 60 to 90 mass %. When the wiring contains the organic substance, it is possible to suppress the disconnection in the curved surface or the bent portion and improve the conductivity. When the content of the conductive particles is less than 60% by mass, the probability of contact between the conductive particles is low, and the conductivity is low.
  • the conductive particles are easily separated from each other in the bent portion of the wiring.
  • the content of the conductive particles is preferably 70% by mass or more.
  • the content of the conductive particles exceeds 90% by mass, it becomes difficult to form a wiring pattern, and wire breakage easily occurs at the bent portion.
  • the content of the conductive particles is preferably 80% by mass or less.
  • organic substances examples include epoxy resins, phenoxy resins, acrylic copolymers, and epoxycarboxylate compounds. You may contain 2 or more types of these. Moreover, you may contain the organic substance which has a urethane bond. By containing the organic material having a urethane bond, the flexibility of the wiring can be improved. Further, the organic substance preferably exhibits photosensitivity, and a fine wiring pattern can be easily formed by photolithography. Photosensitivity is exhibited, for example, by including a photopolymerization initiator and a component having an unsaturated double bond.
  • the conductive particles in the present invention refer to particles composed of a substance having an electric resistivity of 10 ⁇ 5 ⁇ m or less.
  • the material forming the conductive particles include silver, gold, copper, platinum, lead, tin, nickel, aluminum, tungsten, molybdenum, chromium, titanium, indium, antimony, zirconium, palladium, and alloys or oxidation of these metals.
  • examples thereof include substances or carbon particles. More specifically, for example, indium tin oxide, indium oxide-zinc oxide composite oxide, aluminum zinc oxide, indium zinc oxide, fluorine zinc oxide, fluorine indium oxide, antimony tin oxide or fluorine tin oxide. Things can be mentioned.
  • the wiring preferably contains two or more kinds of conductive particles.
  • two or more kinds of conductive particles it is possible to prevent the conductive particles of the same kind from being sintered and causing volumetric shrinkage in the heat treatment step described later, and as a result, the volumetric shrinkage of the entire wiring is suppressed, resulting in bending. It is possible to improve the sex.
  • “two or more kinds” means that the materials of the particles are different, and if the same material contains different particle sizes, it is considered as one kind.
  • Ratio of the average particle diameter of the conductive particles (large diameter particles) having the largest particle diameter to the average particle diameter of the conductive particles (small diameter particles) having the smallest particle diameter among the two or more kinds of conductive particles (large particle /(Small-diameter particles) is preferably 5 to 400.
  • the average particle diameter ratio (large diameter particles/small diameter particles) is more preferably 15 or more.
  • the wiring pattern having a desired shape can be more easily formed.
  • the ratio of the average particle diameter (large particle/small particle) is more preferably 200 or less.
  • the “average particle diameter” refers to the number average value of the maximum widths of the primary particles of 40 randomly selected conductive particles.
  • the average particle diameter of the conductive particles in the wiring can be measured by the following method. First, the wiring was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and the conductive particles that had settled were collected and dried at 70° C. for 10 minutes using a box oven, and then using an electron microscope (SEM), a magnification of 10,000 times and a visual field width.
  • THF tetrahydrofuran
  • the average particle diameter of the conductive particles in the wiring is determined by measuring the maximum width of each of the 40 primary particles of the conductive particles selected at random and calculating the number average value thereof. When two or more kinds of conductive particles are contained, the average particle diameter is similarly calculated for each conductive particle.
  • the average particle diameter of the conductive particles as a material constituting the wiring, and the average particle diameter of the conductive particles in the wiring generally does not change, conductive particles as a material constituting each wiring
  • the average particle size can be the average particle size of the conductive particles in each wiring.
  • each average particle size obtained by the particle size distribution meter is measured for each conductivity in the wiring. It can be the average particle size of the particles.
  • the mass ratio of the content of large particles to the content of small particles is preferably 20 to 1500. If the mass ratio of the contents is 20 or more, the contact probability between the large-sized particles is further improved, and the conductivity of the wiring can be further improved.
  • the mass ratio of the content (large particles/small particles) is more preferably 30 or more, and further preferably 50 or more.
  • the mass ratio of the contents is 1500 or less, the probability that the small-sized particles are arranged between the large-sized particles is high, the disconnection in the bent portion can be further suppressed, and the conductivity can be further improved.
  • the mass ratio of the content (large particle/small particle) is more preferably 1000 or less.
  • the average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.005 to 2.0 ⁇ m.
  • the average particle diameter here means the average particle diameter of large particles when two or more kinds of conductive particles are contained.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 0.01 ⁇ m or more.
  • the average particle diameter of the conductive particles is 2.0 ⁇ m or less, it becomes easy to form a desired wiring pattern.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 1.5 ⁇ m or less.
  • the wiring thickness is preferably 2.0 to 10.0 ⁇ m.
  • the thickness of the wiring is more preferably 4.0 ⁇ m or more.
  • the wiring thickness is 10.0 ⁇ m or less, the wiring pattern can be more easily formed in the manufacturing process.
  • the thickness of the wiring is more preferably 8.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the wiring means an average thickness.
  • the base material is a support for forming wiring and the like on its surface, and is preferably made of glass, glass epoxy, ceramics or the like, for example. Among these, glass is preferable in terms of versatility and price.
  • the thickness of the base material is preferably 0.3 to 2.0 mm. When the thickness of the base material is 0.3 mm or more, disconnection can be further suppressed when forming the wiring on the end portion of the base material. On the other hand, when the thickness of the base material is 2.0 mm or less, the thickness of the wiring board as a whole is small, and the display can be made thin.
  • the end portion of the base material has an R chamfered portion. If the base end is chamfered, even if the wiring is arranged along the end face shape of the base, the degree of bending of the wiring is smaller than in the case where the chamfer is not chamfered. It is possible to further suppress the increase of the resistance value.
  • the shape and radius of curvature of the R chamfer can be appropriately selected in consideration of the thickness of the base material and the flexibility of the wiring.
  • the end portion of the base material has a chamfered portion with a chamfering angle of 1° to 70° and a flat portion with a side surface of 0.1 mm or more.
  • the chamfer angle indicates an angle 8 formed by the extension of the main surface 5 and the chamfered surface 6, as shown in FIG.
  • the flat portion 7 refers to a portion that is substantially orthogonal to the main surface 5.
  • the chamfering angle is 70° or less, an acute-angled portion is unlikely to occur on the side surface portion, so that disconnection can be further suppressed. Further, since the side surface has the flat portion of 0.1 mm or more, the side surface portion does not have an acute angle portion, so that the disconnection of the wiring can be further suppressed.
  • the chamfering angle and width can be appropriately selected in consideration of the thickness and size of the base material and the flexibility of wiring.
  • the electrodes 2 are formed on both surfaces of the base material 1 and are respectively connected to a part of the wiring 3 arranged at the end portion of the base material.
  • Various known materials are used for the electrodes, for example, indium, tin, zinc, gallium, antimony, molybdenum, titanium, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, copper, palladium or tungsten, or oxides of these metals, These two or more composite materials are mentioned.
  • Mo/Al/Mo and Ti/Al/Ti are preferably used from the viewpoint of high corrosion resistance and high thermal conductivity.
  • the method for producing a wiring board of the present invention comprises a step of forming a coating film of a photosensitive conductive paste containing an organic substance and conductive particles on the film, a step of exposing the coating film to obtain a dry film having a pattern, The steps of laminating a dry film pattern on a base material having electrodes on both sides, heat treatment, and peeling the film are included in this order. By doing so, wiring having a desired pattern can be formed on a large-area base material. In addition, since a dry film having a desired pattern is attached to a substrate in advance, there is no risk of the substrate being eroded by the chemical solution used in the exposure and development steps, and a high-quality display can be manufactured.
  • the method for manufacturing a wiring board of the present invention includes a step of forming a coating film of a photosensitive conductive paste containing an organic substance and conductive particles on a film.
  • a photosensitive conductive paste containing an organic substance and conductive particles on a film.
  • the photosensitive conductive paste refers to a paste containing conductive particles that enables formation of a conductive pattern by photolithography. Above all, it is preferable to contain a photopolymerization initiator and a component having an unsaturated double bond.
  • Examples of the method for applying the photosensitive conductive paste include spray coating, roll coating, screen printing, and coating using a coater (for example, blade coater, die coater, calendar coater, meniscus coater, bar coater, etc.).
  • the obtained coating film may be dried by, for example, heat drying (using an oven, a hot plate, infrared rays, etc.) or vacuum drying.
  • the drying time is preferably 1 minute to several hours.
  • the heating temperature is preferably 50 to 180°C.
  • the method for manufacturing a wiring board of the present invention includes the steps of exposing and developing a coating film to obtain a dry film having a pattern.
  • a light source for exposure an i-line (365 nm), an h-line (405 nm), a g-line (436 nm), etc. of a mercury lamp are preferable.
  • Development methods include alkali development and organic development.
  • Examples of the developer for alkali development include tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethyl acetate.
  • Examples thereof include aqueous solutions of aminoethyl, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine and the like.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and ⁇ -butyrolactone; alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol; ethyl lactate , Esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone, and methyl isobutyl ketone; surfactants may be added.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and ⁇ -butyrolactone
  • alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol
  • ethyl lactate Esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate
  • ketones such as cyclopent
  • Examples of the developer for organic development include the polar solvents described above and mixed solutions of these polar solvents with methanol, ethanol, isopropyl alcohol, xylene, water, methyl carbitol, and ethyl carbitol.
  • the developing method for example, a method of spraying a developing solution on the surface of the coating film while standing or rotating the film having the coating film, a method of immersing the film having the coating film in the developing solution, a film having the coating film Examples thereof include a method of applying ultrasonic waves while immersing in a developing solution.
  • Rinsing treatment with a rinsing solution may be applied to the pattern obtained by development.
  • the rinse liquid include water and an aqueous solution in which alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol; esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate are added to water.
  • the thickness of the film is preferably 10 to 80 ⁇ m.
  • the film thickness is 10 ⁇ m or more, the handling property during patterning is excellent.
  • the film thickness is 80 ⁇ m or less, it is possible to prevent a gap from being formed between the base material and the dry film when it is attached to the base material.
  • the method for manufacturing a wiring board of the present invention includes the steps of attaching a dry film pattern to a base material having electrodes on both surfaces, heat-treating the material, and peeling the film.
  • the pattern of the dry film is transferred to the base material having the electrodes on both sides.
  • the heat treatment may further develop conductivity in the pattern.
  • it is attached to a base material having electrodes on both sides so that the pattern is connected to the electrodes, and heat treatment is performed to transfer the pattern to the base material.
  • the pattern located on the side surface of the base material may be heat-treated, and then the rest may be heat-treated. By doing so, it is possible to suppress the formation of a gap between the base material and the dry film.
  • the pattern located on one side of the base material may be heat treated, the pattern located on the side surface of the base material may be heat treated, and then the pattern located on the other side of the base material may be heat treated.
  • the electrodes and the dry film can be easily positioned and they can be reliably bonded.
  • the patterns located on both sides and side surfaces of the base material may be heat treated collectively. By doing so, the dry film can be transferred in a short time and the productivity can be improved.
  • thermocompression bonding using a mold, etc. may be mentioned.
  • the temperature during heat treatment is preferably 70°C to 300°C.
  • the temperature during heat treatment is more preferably 100° C. or higher.
  • the temperature at the time of heat treatment is 300° C. or lower, it is possible to suppress the transferred pattern from being deformed by heat flow.
  • the temperature during the heat treatment is more preferably 180°C or lower.
  • the method for manufacturing a wiring board of the present invention may further include a step of forming a conductive wiring in the pattern after the step of peeling the film.
  • Examples of the method for imparting conductivity to the transferred pattern include heating and drying with an oven, an inert oven, and a hot plate; heating and drying with electromagnetic waves and microwaves such as an ultraviolet lamp, an infrared heater, a halogen heater, and a xenon flash lamp; an IR laser. Laser treatment with a UV laser, a green laser, or the like.
  • the heating temperature is preferably 100 to 300°C. When the heating temperature is 100° C. or higher, the hardness of the pattern increases, and it is possible to further suppress chipping or peeling due to contact with other members.
  • the heating temperature is more preferably 120°C or higher.
  • the heating temperature is more preferably 180°C or lower.
  • the heating time is preferably 1 minute to several hours.
  • the step of obtaining the dry film further includes the step of forming a resin layer on at least a part of the formed pattern, and the step of forming a dry film on the base material having electrodes on both sides thereof is performed.
  • the resin layer may be attached so as to be arranged in a portion other than the electrodes. By forming the resin layer, that portion acts as a cushioning agent, and it is possible to suppress disconnection of the dry film having a pattern shape.
  • the method for manufacturing a wiring board of the present invention comprises a step of laminating a dry film pattern on a base material having electrodes on both surfaces thereof, wherein a resin layer is provided on at least a part of a portion of the base material having electrodes on both surfaces other than the electrodes.
  • the pattern of the dry film may be heat treated.
  • that portion acts as a cushioning agent, and it is possible to suppress disconnection of the dry film having a pattern shape.
  • the high-conductivity wiring board in the present invention refers to a wiring board of the present invention in which the content of conductive particles in the wiring is increased and the wiring resistance is lowered.
  • the method for manufacturing a high-conductivity wiring board according to the present invention includes a step of irradiating the wiring of the wiring board according to the present invention described above with a laser. It is preferable to manufacture a wiring board by the above-described method for manufacturing a wiring board of the present invention and irradiate the wiring with a laser.
  • the conductive particle content in the wiring after laser irradiation may be higher than that before laser irradiation, and may exceed 90% by mass.
  • Examples of lasers include IR lasers, UV lasers, and green lasers. You may use 2 or more types of these. Above all, it is preferable to use an IR laser that can effectively give heat to the resin or metal.
  • EA ethyl acrylate
  • 2-EHMA 2-ethylhexyl methacrylate
  • St 20 g of styrene
  • AA acrylic acid
  • 0.8 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 10 g of DMEA were added dropwise over 1 hour.
  • the polymerization reaction was further carried out at 80° C. in a nitrogen atmosphere for 6 hours. Thereafter, 1 g of hydroquinone monomethyl ether was added to stop the polymerization reaction.
  • ⁇ Preparation Example 1 Preparation of photosensitive conductive paste 1>
  • resin (A) as a resin
  • 0.50 g of “IRGACURE” registered trademark
  • OXE-01 manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.
  • a solvent as a solvent.
  • 2.0 g of "Light acrylate” registered trademark
  • BP-4EA manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
  • a rotation-revolution vacuum mixer “Awatori Rentaro ARE-310” was added. (Manufactured by Shinky Co., Ltd.) to obtain 17.5 g of a resin solution (solid content 71.4% by mass).
  • the resulting 17.50 g of the resin solution, 44.02 g of silver particles having an average particle size of 1.0 ⁇ m, and 0.28 g of carbon black having an average particle size of 0.05 ⁇ m were mixed, and the three roller mill “EXAKT M -50" (manufactured by EXAKT Co.) was used to obtain 61.8 g of photosensitive conductive paste 1.
  • the average particle diameter of the silver particles and carbon black was 40 times as randomly selected by observing each particle with an electron microscope (SEM) at a magnification of 10,000 times and a field width of 12 ⁇ m. The maximum width of each primary particle was measured, and their number average value was calculated.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 3> A photosensitive conductive paste 3 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 70.39 g of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m and 0.417 g of carbon black having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m were used.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 4> A photosensitive conductive paste 4 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that carbon black having an average particle size of 0.01 ⁇ m was used instead of carbon black having an average particle size of 0.05 ⁇ m.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 5> A photosensitive conductive paste 5 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1, except that silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m were used and silver particles having an average particle diameter of 1.5 ⁇ m were used.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 6> Use silver particles having an average particle diameter of 1.5 ⁇ m instead of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m, and use carbon black having an average particle diameter of 0.01 ⁇ m instead of carbon black having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m.
  • a photosensitive conductive paste 6 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except for the above.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 7> A photosensitive conductive paste 7 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 43.45 g of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m and 0.850 g of carbon black having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m were used.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 8> A photosensitive conductive paste 8 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 44.24 g of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m and 0.057 g of carbon black having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m were used.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 9> A photosensitive conductive paste 9 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 44.26 g of silver particles having an average particle size of 1.0 ⁇ m and 0.040 g of carbon black having an average particle size of 0.05 ⁇ m were used.
  • Preparation of photosensitive conductive paste 10> A photosensitive conductive paste 10 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 44.02 g of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m and 0.280 g of antimony tin oxide having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m were used. It was The average particle size of antimony tin oxide was 40 times randomly selected by observing each particle with an electron microscope (SEM) at a magnification of 10,000 times and a visual field width of 12 ⁇ m, and antimony tin oxide. The maximum width of each primary particle was measured, and the number average value thereof was calculated.
  • SEM electron microscope
  • Preparation of photosensitive conductive paste 11> A photosensitive conductive paste 11 was obtained in the same manner as in Preparation Example 1 except that 12.37 g of silver particles having an average particle diameter of 1.0 ⁇ m and 0.125 g of carbon black having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m were used.
  • the thickness was 0.3 mm, 0.4 mm, 0.5 mm, 0.7 mm, 1.0 mm, 1.2 mm, 1.5 mm, 2.0 mm.
  • the spacer (made of SUS) was wrapped around a portion having a width of 50 ⁇ m of the flexibility evaluation sample so that the wiring was on the outer side, and a glass plate was placed on and fixed to the spacer to evaluate flexibility.
  • the thickness of the spacer here was defined as a bendable diameter ( ⁇ ) capable of bending.
  • the resistance value after 10 minutes of stationary was measured, the specific resistance was calculated by the equation (1), and the resistance change rate was calculated by the following equation (3).
  • Resistance change rate Specific resistance after bending/Specific resistance before bending... (3).
  • Example 1 ⁇ Preparation of sample for resistivity measurement (initial resistance before transfer) and flexibility evaluation>
  • the photosensitive conductive paste 1 obtained in Preparation Example 1 was applied so that the film thickness after drying was 6.0 ⁇ m, and the obtained coating film was placed in a drying oven at 100° C. And dried for 10 minutes.
  • a photomask having a translucent pattern shown in FIG. 2 with an exposure device having an ultra-high pressure mercury lamp at an exposure amount of 350 mJ/cm 2, a 0.1 mass% sodium carbonate aqueous solution was used as a developing solution. It was used and spray-developed at a pressure of 0.1 MPa for 30 seconds to obtain a pattern.
  • the obtained pattern was cured in a drying oven at 140° C. for 30 minutes to obtain a sample for measuring specific resistance and a sample for evaluating flexibility.
  • the line width of the obtained pattern was 50 ⁇ m, and the line length was 90 mm.
  • ⁇ Preparation of transfer sample> A 16 ⁇ m thick PET film coated with a release agent was used to form a pattern on a release PET film by the same method as in ⁇ Preparation of sample for resistivity measurement and flexibility evaluation>, and a transfer sample was prepared. Obtained. The transfer sample was attached to both surfaces so that a part of the wiring was arranged on the glass edge having the R chamfered portion, the glass side surface was pressed against a hot plate at 130°C for 30 seconds, and then using a hot roll laminator. The remaining portion was transferred under conditions of 130° C. and 1.0 m/min to obtain a transfer sample.
  • Examples 2 to 15 and 19, Comparative Examples 1 and 2 Samples for resistivity measurement and transfer samples were prepared in the same manner as in Example 1 except that the type of photosensitive conductive paste, the thickness of wiring, and the chamfered portion of the glass edge were changed as shown in Tables 1 and 2. did.
  • Example 16 The sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the transfer method was performed in the order of front surface, side surface, and rear surface in ⁇ Preparation of Transfer Sample> of (Example 1). Specifically, the transfer sample was attached to both surfaces so that a part of the wiring was arranged on the glass edge having the R surface, and the pattern on one surface of the substrate was transferred for 30 seconds on a hot plate at 130°C. After that, the pattern on the side surface of the substrate was transferred for 30 seconds, and then the pattern on the other surface of the substrate was transferred to prepare a transfer sample.
  • Example 17 In ⁇ Preparation of transfer sample> of (Example 1), except that a transfer sample was obtained after immersing the glass edge in a resin solution and drying the pulled up product in a drying oven at 100° C. for 10 minutes. A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1.
  • Example 18 In ⁇ Preparation of transfer sample> of (Example 1), except that a transfer sample was obtained after applying a resin solution to a part of the wiring of the transfer sample and drying the resin solution in a drying oven at 100° C. for 10 minutes. A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1.
  • Example 20 The wiring of the transfer sample obtained in ⁇ Preparation of transfer sample> of (Example 1) is irradiated with a laser using "sintering semiconductor laser TRM60TC-LN" (manufactured by Tamari) to obtain a high-conductivity wiring board. I got a sample. The conditions of the laser used were such that the central wavelength was 970 nm and the output was 140 W, and the wiring was irradiated for 7 seconds. The both ends of the wiring of the obtained sample were connected by a tester, the resistance value was measured, and the specific resistance was calculated by the formula (1). The result was 9.8 ⁇ 10 ⁇ 6 ( ⁇ cm).
  • Example 20 As can be seen from Table 3, in the transfer evaluation, the samples of Examples 1 to 19 had a small resistance change rate of 1.9 or less before and after the transfer. Further, no disconnection was observed in the observation evaluation of the transfer portion. Also in the evaluation of flexibility, the minimum bendable bend diameter was as small as 0.5 mm or less. On the other hand, in the samples of Comparative Examples 1 and 2, disconnection was observed before or after the transfer, the rate of change in resistance could not be calculated, and the minimum bendable diameter for bending was 2.0 mm in the bendability evaluation of Comparative Example 2. It was great. Further, from Example 20, a sample having a smaller specific resistance was obtained by irradiating the wiring of the sample after transfer with a laser.
  • Base material 2 Electrode 3: Wiring 4: Light-transmitting pattern 5: Main surface 6: Square chamfered surface 7: Side flat portion 8: Chamfer angle

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Abstract

屈曲部の断線を抑制し、屈曲部の導電性に優れた配線基板を提供する。両面に電極を有する基材と、基材両面の該電極を接続する、一部が基材端部に配された配線とを有する配線基板であって、前記配線が有機物および導電性粒子を含有し、配線中の導電性粒子の含有量が６０～９０質量％である配線基板である。

Description

配線基板およびその製造方法並びに高電導配線基板の製造方法
　近年、ＬＥＤ等の発光素子を装置内部に含み、バックライトが不要な自発光型の表示装置の開発が進められている。そのような表示装置の基本構成として、基板表面にＬＥＤ素子などの発光素子と金属電極を有し、基板裏面に、発光素子に信号を送るための電源や駆動素子と金属電極とを有し、基板表裏両面の金属電極を金属配線により接続する構造が検討されている。
　基板表裏の金属電極を接続する金属配線の形成方法に関して、小型化のために、基板の縁部の少なくとも一部に、該基板の両面および端面に亘って、導電層を形成する第１の工程と、前記導電層の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線に分割する第２の工程とを有することを特徴とする接続線の形成方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、第１主面およびその反対側の第２主面を有する基板と、前記第１主面の側に配置された配線と、を有している配線基板であって、前記第１主面から前記第２主面に至って配置された導体線が、三本以上前記配線の幅方向に並んでおり、前記配線は、三本以上の導体線のうちの一部で複数本の導体線と接続しており、前記導体線が、基板の側面に配置されている側面導体線である配線基板が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４－２４７５１６号公報 特開２０１８－１５２５６５号公報
　近年のエレクトロニクス機器の狭額縁化や高解像化に伴って、上記ＬＥＤに代わるμＬＥＤの台頭により、電極のさらなる狭ピッチ化が求められている。また、表示装置の小型化・薄型化とフレキシブル化に伴って、曲面や屈曲部への配線の形成や、屈曲に対する導電性が求められている。特許文献１～２に開示された技術は、薄膜基板への配線形成に適用すると、配線の屈曲が顕著になることから断線が発生しやすく、また、基板の屈曲によって導電性が低下するなど、屈曲部における導電性に課題があった。
　そこで、本発明は、屈曲部の断線を抑制し、屈曲部の導電性に優れた配線基板を提供することを目的とする。
　本発明は、両面に電極を有する基材と、基材両面の該電極を接続する、一部が基材端部に配された配線とを有する配線基板であって、前記配線が有機物および導電性粒子を含有し、配線中の導電性粒子の含有量が６０～９０質量％である配線基板である。
　本発明によれば、屈曲部の導電性に優れた配線基板を得ることができる。
本発明の配線基板の断面構造を示す概略図である。 実施例の比抵抗の評価、屈曲性の評価および転写性評価に用いたフォトマスクの透光パターンを示す模式図である。 面取り角度を示す概略図である。
　本発明の配線基板は、両面に電極を有する基材と、基材両面の該電極を接続する、一部が基材端部に配される配線とを有する。このようにすることにより、表示装置をより小型化・狭額縁化することができる。さらに、本発明は、配線が有機物および導電性粒子を含有し、配線中の導電性粒子の含有量が６０～９０質量％であることが重要である。配線が有機物を含有することにより、曲面や屈曲部において断線を抑制し、導電性を向上させることができる。導電性粒子の含有量が６０質量％未満であると、導電性粒子同士の接触確率が低くなり、導電性が低下する。また、配線の屈曲部において、導電性粒子同士が乖離しやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは７０質量％以上である。一方、導電性粒子の含有量が９０質量％を超えると、配線パターンを形成することが困難になるとともに、屈曲部において断線が生じやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは８０質量％以下である。
　有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物等が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。また、ウレタン結合を有する有機物を含有しても構わない。ウレタン結合を有する有機物を含有することで、配線の柔軟性を向上させることができる。また、有機物は、感光性を示すことが好ましく、フォトリソグラフィにより容易に微細な配線パターンを形成することができる。感光性は、例えば光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有させることにより発現する。
　本発明における導電性粒子とは、電気抵抗率が１０－５Ω・ｍ以下の物質で構成される粒子を指す。導電性粒子を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウム、アンチモン、ジルコニウム、パラジウムやこれら金属の合金又は酸化物あるいはカーボン粒子が挙げられる。より具体的には、例えば、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム－酸化亜鉛複合酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛酸化物、フッ素亜鉛酸化物、フッ素インジウム酸化物、アンチモンスズ酸化物又はフッ素スズ酸化物が挙げられる。
　本発明の配線基板において、配線は導電性粒子を２種以上含有することが好ましい。導電性粒子を２種以上含有することにより、後述する熱処理工程において、同種の導電性粒子同士が焼結して体積収縮することを抑制し、結果として配線全体としての体積収縮が抑制され、屈曲性を向上させることができる。ここで、２種以上とは、粒子の材料が異なることを意味し、同じ材料で異なる粒子径を含む場合は１種とする。
　２種以上の導電性粒子のうち、粒径の最も小さい導電性粒子（小径粒子）の平均粒子径に対する粒径の最も大きい導電性粒子（大径粒子）の平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）は５～４００であることが好ましい。平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）が５以上であると、大径粒子同士の間に小径粒子が配置することにより導電パスが形成されやすく、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）はより好ましくは１５以上である。一方、平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）が４００以下であると、所望の形状の配線パターンをより容易に形成することができる。平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）は、より好ましくは２００以下である。ここで、「平均粒子径」とは、無作為に選択した４０個の導電性粒子の一次粒子の最大幅の数平均値を言う。配線中の導電性粒子の平均粒子径は、以下の方法により測定することができる。まず、配線をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解し、沈降した導電性粒子を回収し、ボックスオーブンを用いて７０℃で１０分間乾燥した後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、倍率１００００倍、視野幅１２μｍで観察する。無作為に選択した４０個の導電性粒子の一次粒子について、それぞれの最大幅を測定し、それらの数平均値を算出することにより、配線中の導電性粒子の平均粒子径を求める。導電性粒子を２種以上含有する場合は、各導電性粒子について同様に平均粒子径を求める。なお、配線を構成する材料としての導電性粒子の平均粒子径と、配線中の導電性粒子の平均粒子径は、一般的には変化しないことから、各配線を構成する材料としての導電性粒子の平均粒子径が既知である場合には、その平均粒子径を、各配線中の導電性粒子の平均粒子径とすることができる。例えば予め粒度分布計により大径粒子及び小径粒子の平均粒子径を測定し、それらの粒子を含有する配線を作製した場合、粒度分布計により得られた各平均粒子径を配線中の各導電性粒子の平均粒子径とすることができる。
　２種以上の導電性粒子のうち、小径粒子の含有量に対する大径粒子の含有量の質量比（大径粒子／小径粒子）は２０～１５００であることが好ましい。含有量の質量比が２０以上であると大径粒子同士の接触確率がより向上し、配線の導電性をより向上させることができる。含有量の質量比（大径粒子／小径粒子）はより好ましくは３０以上、さらに好ましくは５０以上である。一方、含有量の質量比が１５００以下であると、大径粒子間に小径粒子が配置する確率が高く、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。含有量の質量比（大径粒子／小径粒子）はより好ましくは１０００以下である。
　導電性粒子の平均粒子径は０．００５～２．０μｍであることが好ましい。ここでの平均粒子径とは、２種以上の導電性粒子を含有する場合は、大径粒子の平均粒子径とする。導電性粒子の平均粒子径が０．００５μｍ以上であると、導電性粒子間の相互作用を適度に抑え、導電性粒子の分散状態をより安定に保つことができる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは０．０１μｍ以上である。一方、導電性粒子の平均粒子径が２．０μｍ以下であると、所望の配線パターンを形成しやすくなる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは１．５μｍ以下である。
　配線の厚さは２．０～１０．０μｍであることが好ましい。配線の厚さが２．０μｍ以上であると、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。配線の厚さはより好ましくは４．０μｍ以上である。一方、配線の厚さが１０．０μｍ以下であると、製造工程において配線パターンをより容易に形成することができる。配線の厚さはより好ましくは８．０μｍ以下である。ここで、配線の厚さは平均の厚さを意味する。
　基材は、その表面上に配線等を形成するための支持体であり、例えば、ガラス、ガラスエポキシ、セラミックス等を材料とすることが好ましい。これらの中でも、汎用性、価格面からガラスが好ましい。また、基材の厚みは０．３～２．０ｍｍであることが好ましい。基材の厚みが０．３ｍｍ以上であると、基材端部に配線を形成する際に、断線をより抑制することができる。一方、基材の厚みが２．０ｍｍ以下であると、配線基板全体としての厚みが薄く、ディスプレイを薄肉化することができる。
　基材の端部はＲ面取り部を有するものであることが好ましい。基材端部がＲ面取りされていると、配線を基材の端面形状に沿って配しても配線の屈曲の程度はＲ面取りされていない場合と比較して小さくなるため、配線の断線をより抑制することができ、抵抗値の上昇もより抑制することができる。なお、Ｒ面取りの形状及び曲率半径は基材の厚さや配線の柔軟性を考慮し、適宜選択することができる。
　また、基材の端部が、面取り角度１°～７０°の角面取り部を有し、側面に０．１ｍｍ以上の平坦部を有するものであることも好ましい。ここで面取り角度とは、図３に示すとおり、主面５の延長と角面取りを施した面６とのなす角８を示す。平坦部７とは、主面５と略直交する部分を示す。面取り角度が１°以上であると、配線を基材の端面形状に沿って配しても配線の屈曲の程度は面取りされていない場合と比較して小さくなるため、配線の断線をより抑制することができる。一方、面取り角度が７０°以下であると、側面部に鋭角な部分が生じにくく、断線をより抑制することができる。また、側面に０．１ｍｍ以上の平坦部を有することにより、側面部に鋭角な部分を有しないため、配線の断線をより抑制することができる。なお、面取りの角度や幅については基材の厚さや寸法、配線の柔軟性を考慮し、適宜選択することができる。
　本発明の配線基板において、図１に示すとおり、電極２は基材１の両面に形成され、基材端部に配された配線３の一部とそれぞれ接続されている。電極は公知の種々の材料が用いられ、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム若しくはタングステン、又は、これら金属の酸化物、これら２以上の複合材料が挙げられる。なかでも、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉは高耐食性や高熱伝導性の観点から好適に使用される。
　次に、本発明の配線基板の製造方法について説明する。本発明の配線基板の製造方法は、フィルム上に有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストの塗膜を形成する工程、塗膜を露光、現像してパターンを有するドライフィルムを得る工程、両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせ、熱処理し、フィルムを剥離する工程をこの順に有する。このようにすることにより、所望のパターンを有する配線を大面積の基材に対して形成することができる。また、あらかじめ所望のパターンを有するドライフィルムを基材に貼り合わせるため、露光、現像工程において使用する薬液によって基材が侵食される虞がなく、高品位のディスプレイを作製することができる。
　本発明の配線基板の製造方法は、フィルム上に有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストの塗膜を形成する工程を含む。フィルムとしては離型剤が塗布されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどを用いることができる。感光性導電ペーストとは、フォトリソグラフィによる導電パターンの形成を可能とする、導電性粒子を含有したペーストを示す。中でも、光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有することが好ましい。感光性導電ペーストの塗布方法としては、例えば、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、コーター（例えばブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーターなど）を用いた塗布などが挙げられる。
　得られた塗膜を、例えば、加熱乾燥（オーブン、ホットプレート、赤外線等によるものなど）や真空乾燥により乾燥してもよい。乾燥時間は１分間～数時間が好ましい。加熱乾燥をする場合、加熱温度は５０～１８０℃が好ましい。
　本発明の配線基板の製造方法は、塗膜を露光、現像してパターンを有するドライフィルムを得る工程を含む。露光の光源としては、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）などが好ましい。
　現像方法としては、アルカリ現像や有機現像などが挙げられる。
　アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどの水溶液が挙げられる。これらの水溶液に、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン等の極性溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；界面活性剤などを添加しても構わない。
　有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、前述の極性溶媒や、これらの極性溶媒と、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール、エチルカルビトールとの混合溶液などが挙げられる。
　現像方法としては、例えば、塗膜を有するフィルムを静置または回転させながら現像液を塗膜面にスプレーする方法、塗膜を有するフィルムを現像液中に浸漬する方法、塗膜を有するフィルムを現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法などが挙げられる。
　現像により得られたパターンに、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。リンス液としては、例えば、水や、水にエタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を添加した水溶液などが挙げられる。
　上記フィルムの厚みは１０～８０μｍであることが好ましい。フィルム厚みが１０μｍ以上であるとパターン加工時のハンドリング性に優れる。一方、フィルム厚みが８０μｍ以下であると基材に貼り合わせの際に基材とドライフィルムの間に隙間が生じることを防止することができる。
　本発明の配線基板の製造方法は、両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせ、熱処理し、フィルムを剥離する工程を含む。前記熱処理により、両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンが転写される。前記熱処理により、さらにパターンに導電性を発現させてもよい。具体的には、両面に電極を有する基材に、該パターンが電極と接続するように貼り合わせ、熱処理をしてパターンを基材に転写させる。熱処理する工程としては、基材側面に位置するパターンを熱処理した後に残部を熱処理してもよい。このようにすることにより、基材とドライフィルムの間に隙間が生じることを抑制することができる。また、基材の一方の面に位置するパターンを熱処理した後、基材側面に位置するパターンを熱処理し、その後基材の他方の面に位置するパターンを熱処理してもよい。このようにすることにより、電極とドライフィルムの位置決めが行いやすく、これらを確実に接着することができる。また、基材の両面および側面に位置するパターンを一括して熱処理してもよい。このようにすることにより、短時間でドライフィルムを転写でき、生産性を向上させることができる。
　上記パターンを熱処理する方法としては、ホットプレート、ヒートロールラミネーター、金型を用いた熱圧着などが挙げられる。
　熱処理時の温度は７０℃～３００℃が好ましい。熱処理時の温度が７０℃以上であると該パターンを基材に短時間で転写することができる。熱処理時の温度はより好ましくは１００℃以上である。一方、熱処理時の温度が３００℃以下であると、転写されたパターンが熱流動によって変形することを抑制することができる。熱処理時の温度はより好ましくは１８０℃以下である。
　本発明の配線基板の製造方法は、フィルムを剥離する工程の後にさらにパターンを導電性の配線とする工程を有してもよい。転写したパターンに導電性を付与する方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレートによる加熱乾燥；紫外線ランプ、赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター、キセノンフラッシュランプ等の電磁波やマイクロ波による加熱乾燥；ＩＲレーザー、ＵＶレーザー、グリーンレーザー等によるレーザー処理などが挙げられる。加熱により導電性を付与する場合、加熱温度は１００～３００℃が好ましい。加熱温度が１００℃以上であると、パターンの硬度が高まり、他の部材との接触による欠けや剥がれ等をより抑制することができる。また、基板との密着性を向上させることができる。加熱温度はより好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度が３００℃以下であると、転写されたパターンが熱流動によって変形することを抑制することができる。加熱温度はより好ましくは１８０℃以下である。加熱時間は１分～数時間が好ましい。
　本発明の配線基板の製造方法は、前記ドライフィルムを得る工程が、さらに、形成されたパターン上の少なくとも一部に樹脂層を形成する工程を有し、前記両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせる工程において、樹脂層を電極以外の部分に配置するように貼りあわせてもよい。樹脂層を形成することで、その部分がクッション剤として作用し、パターン形状を有するドライフィルムの断線を抑制することができる。
　本発明の配線基板の製造方法は、前記両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせる工程において、前記両面に電極を有する基材の電極以外の部分の少なくとも一部に樹脂層を形成した後、前記ドライフィルムのパターンを熱処理してもよい。樹脂層を形成することで、その部分がクッション剤として作用し、パターン形状を有するドライフィルムの断線を抑制することができる。
　次に、本発明の高電導配線基板の製造方法について説明する。ここで、本発明における高電導配線基板とは、本発明の配線基板に対して、配線中の導電性粒子の含有量を高め、配線抵抗を低くしたものを言う。本発明の高電導配線基板の製造方法は、前述の本発明の配線基板の配線に、レーザーを照射する工程を有する。前述の本発明の配線基板の製造方法により配線基板を製造し、その配線にレーザーを照射することが好ましい。配線にレーザーを照射することにより、有機物などの、導電性粒子以外の成分を除去し、配線中の導電性粒子含有率を高めることができる。このため、配線の抵抗や、配線と電極との接触抵抗をより低減し、屈曲部の導電性をより向上させることができる。一定量の有機物存在下、柔軟性を有する状態で配線を基材端部に配した後に、レーザー照射により配線中の導電性粒子含有率を高めるため、導電性粒子含有率が９０質量％を超える配線を基材端部に配する場合に比べて、屈曲部の断線を抑制することができる。なお、本発明の高電導配線基板の製造方法において、レーザー照射後の配線の導電性粒子含有率は、レーザー照射前に比べて高くなっていればよく、９０質量％を超えてもかまわない。
　レーザーとしては、例えば、ＩＲレーザー、ＵＶレーザー、グリーンレーザーなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。なかでも、樹脂や金属に対して効果的に熱を与えることができるＩＲレーザーを用いるのが好ましい。
　以下に本発明を実施例および比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。
　＜合成例１：樹脂（Ａ）の合成＞
　窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジメチルアミノメタノール（以下、「ＤＭＥＡ」；東京化成工業（株）製）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのエチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）、４０ｇのメタクリル酸２－エチルヘキシル（以下、「２－ＥＨＭＡ」）、２０ｇのスチレン（以下、「Ｓｔ」）、１５ｇのアクリル酸（以下、「ＡＡ」）、０．８ｇの２，２’－アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃、窒素雰囲気下で６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのグリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃、窒素雰囲気下で２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製して未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥し、共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２－ＥＨＭＡ／Ｓｔ／ＧＭＡ／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５の樹脂（Ａ）を得た。得られた樹脂（Ａ）の酸価は１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
　＜調製例１：感光性導電ペースト１の調製＞
　１００ｍＬクリーンボトルに、樹脂として１０．０ｇの樹脂（Ａ）、光重合開始剤として０．５０ｇの“ＩＲＧＡＣＵＲＥ”（登録商標）ＯＸＥ－０１（チバジャパン（株）製）、溶剤として５．０ｇのＤＭＥＡ及び不飽和二重結合を有する化合物として２．０ｇの“ライトアクリレート”（登録商標）ＢＰ－４ＥＡ（共栄社化学（株）製）を入れ、自転－公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ＡＲＥ－３１０」（（株）シンキー製）を用いて混合して、１７．５ｇの樹脂溶液（固形分７１．４質量％）を得た。
　得られた１７．５０ｇの樹脂溶液と、４４．０２ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．２８ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを混合し、３本ローラーミル「ＥＸＡＫＴ　Ｍ－５０」（ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、６１．８ｇの感光性導電ペースト１を得た。なお、銀粒子、カーボンブラックの平均粒子径は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、倍率１００００倍、視野幅１２μｍで各粒子を観察し、無作為に選択した４０個の銀粒子およびカーボンブラックの一次粒子について、それぞれの最大幅を測定し、それらの数平均値を算出した。
　＜調製例２：感光性導電ペースト２の調製＞
　２３．０３ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．１７９ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト２を得た。
　＜調製例３：感光性導電ペースト３の調製＞
　７０．３９ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．４１７ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト３を得た。
　＜調製例４：感光性導電ペースト４の調製＞
　平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックにかえて平均粒子径０．０１μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト４を得た。
　＜調製例５：感光性導電ペースト５の調製＞
　平均粒子径１．０μｍの銀粒子にかえて平均粒子径１．５μｍの銀粒子を用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト５を得た。
　＜調製例６：感光性導電ペースト６の調製＞
　平均粒子径１．０μｍの銀粒子にかえて平均粒子径１．５μｍの銀粒子を用いたことと、平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックにかえて平均粒子径０．０１μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト６を得た。
　＜調製例７：感光性導電ペースト７の調製＞
　４３．４５ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．８５０ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト７を得た。
　＜調製例８：感光性導電ペースト８の調製＞
　４４．２４ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．０５７ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト８を得た。
　＜調製例９：感光性導電ペースト９の調製＞
　４４．２６ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．０４０ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト９を得た。
　＜調製例１０：感光性導電ペースト１０の調製＞
　４４．０２ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．２８０ｇの平均粒子径０．０５μｍのアンチモンスズ酸化物を用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト１０を得た。なお、アンチモンスズ酸化物の平均粒子径は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、倍率１００００倍、視野幅１２μｍで各粒子を観察し、無作為に選択した４０個の銀粒子およびアンチモンスズ酸化物の一次粒子について、それぞれの最大幅を測定し、それらの数平均値を算出した。
　＜調製例１１：感光性導電ペースト１１の調製＞
　１２．３７ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．１２５ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト１１を得た。
　＜調製例１２：感光性導電ペースト１２の調製＞
　２３６．１６ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、１．２５０ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを用いたこと以外は調製例１と同様にして感光性導電ペースト１２を得た。
　各実施例および比較例における評価方法は、以下のとおりである。
　＜転写前比抵抗の評価＞
　導電性の指標として各実施例および比較例により得られた比抵抗測定用（転写前初期抵抗）サンプルの両端部をテスターでつなぎ、抵抗値を測定し、以下の式（１）から比抵抗を算出した。またこの値を、転写後の抵抗変化率を求める際の初期値として用いた。
比抵抗　＝　抵抗値×膜厚×線幅／ライン長　・・・　（１）。
　＜転写部観察評価＞
　屈曲部の断線抑制効果の指標として、各実施例および比較例により得られた転写サンプルを光学顕微鏡を用いて倍率１０００倍、視野幅３５０μｍで観察した。転写後の配線に断線がないものを断線なし、転写後の配線に断線や、転写不良、クラックが入っているものを断線ありと判定した。
　＜転写後比抵抗の評価＞
　屈曲部の導電性の指標として、各実施例および比較例により得られた転写サンプルの配線両端部をテスターでつなぎ、抵抗値を測定し、式（１）により比抵抗を算出した。また、以下の式（２）から抵抗変化率を算出した。算出した抵抗変化率が１．２０以下のものをＡ、１．２０より大きく２．００以下のものをＢ、２．００より大きいもの、および、転写後の抵抗値が絶縁のものをＣと判定した。
抵抗変化率　＝　転写後比抵抗／転写前初期比抵抗　・・・　（２）。
　＜屈曲性評価＞
　各実施例および比較例により得られた屈曲性評価用サンプルについて、厚みが０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．０ｍｍ、１．２ｍｍ、１．５ｍｍ、２．０ｍｍのスペーサー（ＳＵＳ製）に、配線が外側になるように、屈曲性評価用サンプルの幅５０μｍの部分を巻き付けて、その上にガラス板を乗せて固定して屈曲性評価を行った。ここでのスペーサーの厚みを屈曲可能な屈曲直径（φ）とした。さらに、固定して静置１０分後の抵抗値を測定し、式（１）により比抵抗を算出し、以下の式（３）から抵抗変化率を算出した。算出した抵抗変化率が１．１０以下のものを、評価した屈曲径における屈曲が可能と判断し、抵抗変化率が１．１０より大きいもの、および、屈曲後のサンプルが絶縁を示したものを、評価した屈曲径における屈曲が不可能と判断した。この測定を行い、屈曲可能な最小屈曲径を求めた。
抵抗変化率　＝　屈曲後比抵抗／屈曲前比抵抗　・・・　（３）。
　（実施例１）
　＜比抵抗測定用（転写前初期抵抗）及び屈曲性評価用サンプルの作製＞
　厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に、調製例１により得られた感光性導電ペースト１を乾燥後の膜厚が６．０μｍになるように塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で１０分間乾燥した。図２に示す透光パターンを有するフォトマスクを介して、超高圧水銀ランプを有する露光機を用いて３５０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した後、現像液として０．１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像して、パターンを得た。その後、得られたパターンを３０分間、１４０℃の乾燥オーブン内でキュアして、比抵抗測定用及び屈曲性評価用サンプルを得た。得られたパターンのライン幅は５０μｍであり、ライン長さは９０ｍｍであった。
　＜転写サンプルの作製＞
　厚さ１６μｍのＰＥＴフィルム上に離型剤が塗布された離型ＰＥＴフィルム上に、＜比抵抗測定用及び屈曲性評価用サンプルの作製＞と同様の方法によりパターンを作製し、転写用サンプルを得た。転写用サンプルを配線の一部がＲ面取り部を有するガラス端部に配されるように両面に貼り合わせ、ガラス側面部を１３０℃のホットプレートに３０秒間押し当て、その後ホットロールラミネーターを用いて、１３０℃、１．０ｍ／分の条件で残部を転写し、転写サンプルを得た。
　（実施例２～１５、１９、比較例１、２）
　感光性導電ペーストの種類、配線の厚み、ガラス端部の面取り部を表１、２に記載のとおりに変更したこと以外は実施例１と同様にして、比抵抗測定用サンプルおよび転写サンプルを作製した。
　（実施例１６）
　（実施例１）の＜転写サンプルの作製＞において、転写方法を前面、側面、後面の順に行ったこと以外は実施例１と同様にしてサンプルの作製・評価を行った。具体的には転写用サンプルを配線の一部がＲ面を有するガラス端部に配されるように両面に貼り合わせ、１３０℃のホットプレートで基材の一方の面のパターンを３０秒間転写した後、基材側面のパターンを３０秒間転写し、その後基材の他方の面のパターンを転写して転写サンプルを作製した。
　（実施例１７）
　（実施例１）の＜転写サンプルの作製＞において、ガラス端部を樹脂溶液に浸して、引き上げたものを１００℃の乾燥オーブン内で１０分間乾燥した後、転写サンプルを得たこと以外は実施例１と同様にしてサンプルの作製・評価を行った。
　（実施例１８）
　（実施例１）の＜転写サンプルの作製＞において、転写サンプルの配線の一部に、樹脂溶液を塗布し、１００℃の乾燥オーブン内で１０分間乾燥した後、転写サンプルを得たこと以外は実施例１と同様にしてサンプルの作製・評価を行った。
　実施例１～１９および比較例１、２の構成を表１、２に、評価結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　（実施例２０）
　（実施例１）の＜転写サンプルの作製＞において得られた転写サンプルの配線に、「焼成用半導体レーザーＴＲＭ６０ＴＣ－Ｌ－Ｎ」（タマリ社製）を用いてレーザーを照射し、高電導配線基板サンプルを得た。用いたレーザーの条件は、中心波長９７０ｎｍ、出力１４０Ｗで、7秒間配線に照射した。得られたサンプルの配線両端部をテスターでつなぎ、抵抗値を測定し、式（１）により比抵抗を算出したところ、９．８×１０－６（Ω・ｃｍ）であった。
　表３からわかるように、転写評価において実施例１～１９のサンプルは転写前後における抵抗変化率が１．９以下と小さかった。さらに転写部観察評価においても断線は認められなかった。また屈曲性評価においても屈曲可能最小屈曲径が０．５ｍｍ以下と小さかった。一方、比較例１及び２のサンプルは転写前もしくは転写後において断線が認められ、抵抗変化率を計算することができず、比較例２の屈曲性評価においても屈曲可能最小屈曲径は２．０ｍｍと大きかった。また、実施例２０より、転写後のサンプルの配線にレーザーを照射することにより、比抵抗のより小さいサンプルが得られた。
１：基材
２：電極
３：配線
４：透光パターン
５：主面
６：角面取りを施した面
７：側面の平坦部
８：面取り角度

Claims (17)

  1. 両面に電極を有する基材と、基材両面の該電極を接続する、一部が基材端部に配される配線とを有する配線基板であって、
    前記配線が有機物および導電性粒子を含有し、配線中の導電性粒子の含有量が６０～９０質量％である配線基板。
  2. 前記配線が導電性粒子を２種以上含有する請求項１記載の配線基板。
  3. ２種以上の前記導電性粒子のうち、粒径の最も小さい導電性粒子（小径粒子）の平均粒子径に対する粒径の最も大きい導電性粒子（大径粒子）の平均粒子径の比（大径粒子／小径粒子）が５～４００である請求項２記載の配線基板。
  4. ２種以上の前記導電性粒子のうち、前記小径粒子の含有量に対する大径粒子の含有量の質量比（大径粒子／小径粒子）が２０～１５００である請求項３記載の配線基板。
  5. 前記導電性粒子の平均粒子径が０．００５～２．０μｍである請求項１～４のいずれか一項記載の配線基板。
  6. 前記配線の厚さが２．０～１０．０μｍである請求項１～５のいずれか一項記載の配線基板。
  7. 前記基材がガラス、ガラスエポキシ、および、セラミックスからなる群から選ばれる少なくとも一つを含有し、基材の厚みが０．３～２．０ｍｍである請求項１～６のいずれか一項記載の配線基板。
  8. 前記基材の端部にＲ面取り部を有する請求項１～７のいずれか一項記載の配線基板。
  9. 前記基材の端部に面取り角度１°～７０°の角面取り部を有し、側面に０．１ｍｍ以上の平坦部を有する請求項１～８のいずれか一項記載の配線基板。
  10. 請求項１～９のいずれか一項記載の配線基板の製造方法であって、少なくとも、
    フィルム上に有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストの塗膜を形成する工程、
    塗膜を露光、現像してパターンを有するドライフィルムを得る工程、
    前記両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせ、７０℃～３００℃で熱処理し、フィルムを剥離する工程、
    をこの順に有する配線基板の製造方法。
  11. 前記熱処理する工程が、基材側面に位置するパターンを熱処理した後に残部を熱処理する工程を有する請求項１０記載の配線基板の製造方法。
  12. 前記熱処理する工程が、基材の一方の面に位置するパターンを熱処理した後、基材側面のパターンを熱処理し、その後基材の他方の面のパターンを熱処理する工程を有する請求項１０記載の配線基板の製造方法。
  13. 前記熱処理する工程が、基材の両面および側面に位置するパターンを一括して熱処理する工程を有する請求項１０記載の配線基板の製造方法。
  14. 前記ドライフィルムを得る工程が、さらに、形成されたパターン上の少なくとも一部に樹脂層を形成する工程を有し、前記両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせる工程において、樹脂層を電極以外の部分に配置するように貼り合わせる請求項１０～１３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
  15. 前記両面に電極を有する基材にドライフィルムのパターンを貼り合わせる工程において、前記両面に電極を有する基材の電極以外の部分の少なくとも一部に樹脂層を形成した後、前記ドライフィルムのパターンを熱処理する請求項１０～１３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
  16. 請求項１～９のいずれか一項記載の配線基板の配線に、レーザーを照射する工程を有する高電導配線基板の製造方法。
  17. 請求項１０～１５のいずれか一項記載の配線基板の製造方法における各工程、および、該製造方法により得られた配線基板の配線にレーザーを照射する工程、を有する高電導配線基板の製造方法。
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