JP7125679B2 - キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 140
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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Description
図1~図3を参照しつつ、本発明の第1実施形態に係るキャパシタについて説明する。ここで、図1は、本発明の第1実施形態に係るキャパシタを示す平面図である。図2は、図1に示したキャパシタの側面図である。図3は、図1に示したキャパシタのIII-III線に沿った断面図である。なお、図2は、キャパシタ1を第1方向Xの正方向側から見た場合の図である。
次に、本発明の第2実施形態に係るキャパシタ1について説明する。以下の第2実施形態では、上記第1実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については逐次言及しない。また、第2実施形態において第1実施形態と同一の符号が付された構成は、第1実施形態における構成と同様の構成及び機能を有する。
11…第1主面 12…第2主面 13…第2端面 14…第1端面
L…長さ W…幅 T…厚み θ…角度
21…下部導電層 21A…下部電極 21B…下部部分
22…上部導電層 22A…上部電極 22B…上部部分
23…第2端子電極 24…第1端子電極
30…保護膜 40…誘電膜
Claims (23)
- 第1主面、前記第1主面と対向する第2主面、及び前記第1主面と前記第2主面とを繋ぐ第1端面を有する基板と、
前記基板の前記第1主面の上に設けられた下部電極と、
前記下部電極の上に設けられた誘電膜と、
前記誘電膜の上に設けられた上部電極と、
前記上部電極の上に設けられ前記基板よりも膜厚が薄い保護膜と、
前記第1端面の上に設けられ前記上部電極及び前記下部電極のいずれか一方と電気的に接続された第1端子電極と、
を備え、
前記基板が、さらに、前記第1端面と対向する第2端面を有し、
さらに、前記第2端面の上に設けられ前記上部電極及び前記下部電極の他方と電気的に接続された第2端子電極を備え、
前記保護膜は、平面視したときに前記基板の前記第1主面の全域に亘って形成されている、キャパシタ。 - 前記第1端子電極は、前記基板の前記第1端面から前記第2主面に亘って設けられる、
請求項1に記載のキャパシタ。 - 前記基板の前記第1主面の上に設けられ、前記下部電極から電気的に離れており前記上部電極の端部と重なる下部部分をさらに備え、
前記第1端子電極は、前記下部部分に接続される、
請求項1又は2に記載のキャパシタ。 - 前記第2端子電極は、前記基板の前記第2端面から前記第2主面に亘って設けられる、
請求項1から3のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 前記下部電極の上に設けられ、前記上部電極から電気的に離れており前記下部電極の端部と重なる上部部分をさらに備え、
前記第2端子電極は、前記下部電極の前記上部部分と重なる領域に接続される、
請求項1から4のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 第1主面、前記第1主面と対向する第2主面、前記第1主面と前記第2主面とを繋ぐ第1端面、及び前記第2主面から前記第1主面までを貫通する第1貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記第1主面の上に設けられた下部電極と、
前記下部電極の上に設けられた誘電膜と、
前記誘電膜の上に設けられた上部電極と、
前記上部電極の上に設けられ前記基板よりも膜厚が薄い保護膜と、
前記第1貫通孔の内部に設けられ前記上部電極及び前記下部電極のいずれか一方と電気的に接続された第1ビア電極と、
前記第2主面に設けられ前記第1ビア電極と電気的に接続された第1端子電極と、
を備え、
前記基板が、さらに、前記第1端面と対向する第2端面と、前記第2主面から前記第1主面までを貫通する第2貫通孔と、を有し、
さらに、前記第2貫通孔の内部に設けられ前記上部電極及び前記下部電極の他方と電気的に接続された第2ビア電極と、
前記第2主面に設けられ前記第2ビア電極と電気的に接続された第2端子電極と、を備え、
前記保護膜は、平面視したときに前記基板の前記第1主面の全域に亘って形成されている、
キャパシタ。 - 前記第1端子電極は、前記基板の前記第2主面から前記第1端面に亘って設けられる、
請求項6に記載のキャパシタ。 - 前記第2端子電極は、前記基板の前記第2主面から前記第2端面に亘って設けられる、
請求項6又は7に記載のキャパシタ。 - 前記第1端子電極は、前記第1主面の法線方向から平面視したときに、前記上部電極、前記誘電膜及び前記下部電極によって構成された真性容量部の外側に位置する、
請求項1から8のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 前記第1主面及び前記第2主面は、平坦な面である、
請求項1から9のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 前記基板の厚みは、前記下部電極、前記誘電膜、前記上部電極、及び前記保護膜の厚みの合計よりも厚い、
請求項1から10のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 前記第1端面の少なくとも一部は、前記第2主面と成す角度が90°以上135°以下である、
請求項1から11のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 前記第1端面の少なくとも一部は、前記第2主面と成す角度が鈍角であるテーパ形状を有する、
請求項1から12のいずれか1項に記載のキャパシタ。 - 基板の第1主面の上に下部電極を含む下部導電層を設ける工程と、
前記下部導電層の上に誘電膜を設ける工程と、
前記誘電膜の上に上部電極を含む上部導電層を設ける工程と、
前記上部導電層の上に保護膜を設ける工程と、
前記基板に前記第1主面と対向する第2主面を設ける工程と、
前記基板に前記第1主面と前記第2主面とを繋ぐ第1端面を設ける工程と、
前記上部電極及び前記下部電極のいずれか一方と電気的に接続された第1端子電極を前記第1端面の上に設ける工程と、
を含み、
前記第1端面を設ける工程において、前記第1主面と前記第2主面とを繋ぎ前記第1端面と対向する第2端面を設け、
前記第1端子電極を設ける工程において、前記上部電極及び前記下部電極の他方と電気的に接続された第2端子電極を前記第2端面の上に設け、
前記保護膜は、平面視したときに前記基板の前記第1主面の全域に亘って形成されている、
キャパシタの製造方法。 - 前記第1端子電極を設ける工程において、前記第1端子電極を前記基板の前記第2主面に亘って設ける、
請求項14に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記第2端子電極を設ける工程において、前記第2端子電極を前記基板の前記第2主面に亘って設ける、
請求項14又は15に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記第1端子電極は、前記第1主面の法線方向から平面視したときに、前記上部電極、前記誘電膜及び前記下部電極によって構成された真性容量部の外側に位置する、
請求項14から16のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記第1主面及び前記第2主面は、平坦な面である、
請求項14から17のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記基板の厚みは、前記下部電極、前記誘電膜、前記上部電極、及び前記保護膜の厚みの合計よりも厚い、
請求項14から18のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記第1端面の少なくとも一部は、前記第2主面と成す角度が90°以上135°以下である、
請求項14から19のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記下部導電層を設ける工程において、前記下部電極と、前記下部電極から電気的に離れた下部部分と、をパターン形成し、
前記第1端子電極を設ける工程において、前記上部電極の端部と重なる前記下部電極に前記第1端子電極を接続させる、
請求項14又は15に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記上部導電層を設ける工程において、前記上部電極と、前記上部電極から電気的に離れており前記下部電極の端部と重なる上部部分と、をパターン成形し、
前記第2端子電極を設ける工程において、前記下部電極の前記上部部分と重なる領域に前記第2端子電極を接続させる、
請求項14から21のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。 - 前記第1端面の少なくとも一部は、前記第2主面と成す角度が鈍角であるテーパ形状を有する、
請求項14から22のいずれか1項に記載のキャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016234364 | 2016-12-01 | ||
JP2016234364 | 2016-12-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554174A Division JPWO2018101291A1 (ja) | 2016-12-01 | 2017-11-29 | キャパシタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021068922A JP2021068922A (ja) | 2021-04-30 |
JP7125679B2 true JP7125679B2 (ja) | 2022-08-25 |
Family
ID=62241388
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554174A Pending JPWO2018101291A1 (ja) | 2016-12-01 | 2017-11-29 | キャパシタ及びその製造方法 |
JP2021016074A Active JP7125679B2 (ja) | 2016-12-01 | 2021-02-03 | キャパシタ及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554174A Pending JPWO2018101291A1 (ja) | 2016-12-01 | 2017-11-29 | キャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11232911B2 (ja) |
JP (2) | JPWO2018101291A1 (ja) |
WO (1) | WO2018101291A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007188957A (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Tdk Corp | 表面実装型電子部品 |
JP2007194595A (ja) | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法 |
JP2008117873A (ja) | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284166A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | レーザートリマブルコンデンサ |
JP2002075781A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 薄膜コンデンサ |
JP6357856B2 (ja) | 2014-05-12 | 2018-07-18 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
-
2017
- 2017-11-29 JP JP2018554174A patent/JPWO2018101291A1/ja active Pending
- 2017-11-29 WO PCT/JP2017/042725 patent/WO2018101291A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-04-17 US US16/386,694 patent/US11232911B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-03 JP JP2021016074A patent/JP7125679B2/ja active Active
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JP2008117873A (ja) | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
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