JP7379906B2 - 配線基板の製造方法、配線基板形成用基板、配線基板中間品、配線基板および素子付配線基板 - Google Patents

Description

本開示は、機能性素子等を実装するための配線基板の製造方法、配線基板形成用基板、配線基板中間品、配線基板および素子付配線基板に関する。

従来、機能素子を実装するための配線基板として、基板に形成された貫通電極の一部を切断し、表裏の導通を取るための側面導体が形成された配線基板を製造する方法が知られている。
一方、近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進んでおり、それに用いられる配線基板も高精細化され、上記側面導体も上記高精細とするために狭ピッチとする必要がある。

また、上記配線基板の側面導体の形成方法として、例えば、特許文献１に示すように無電解めっき法を用いて貫通孔の内壁に基板の表裏両面を導通させる配線を形成し、これを切断することにより側面導体とする方法がある。また、特許文献２に示すように、導電ペーストを用いて上記側面導体とする方法も用いられていた。

特開平７－４５９６１号公報 特許３２３６７６９号公報

しかしながら、上記特許文献１に示すような無電解めっき法を用いた方法の場合、例えば基板がガラスやセラミック等の無機物である場合は、無電解めっきで形成された側面導体と基板との密着性が劣るといった問題があった。また、上記特許文献２に示すような導電ペーストを用いた場合は、導電ペーストに対して貫通孔を穿設する必要があり、その際に導電層にひびや割れが生じ、信頼性を低下させるといった課題がある。

一方、上述した問題の無い側面導体の形成方法として、基板に形成された貫通孔に対し、蒸着法やスパッタリング法等のドライプロセスにより基板の表裏両面を導通させる導電層を形成してこれを配線として用いたり、上記導電層をシード層として用い電解めっき法により表裏両面を導通させる配線を形成したりした後、上記貫通孔を切断して側面導体とする方法が行われている。しかしながら、上述したように、電子機器の小型軽量化、携帯化に伴い側面導体が狭ピッチ化された場合、得られる側面導体が十分な導通が得られない場合があるといった問題があった。

本開示は、上記問題に鑑みてなされた発明であり、ドライプロセスで側面導体を製造した場合であっても、基板の表裏面における導通に問題が生じることの無い側面導体とすることができる配線基板の製造方法を提供することを主目的とする。

本発明者等は、上記課題について鋭意検討した結果、狭ピッチ化された側面導体をドライプロセスで得る場合は、貫通孔の径と基板の厚みとの関係で、貫通孔の厚み方向の中心部において、ドライプロセスで得られる薄膜の膜厚が十分でなく、結果的に貫通孔内の導電層の抵抗が高くなる、もしくは断線してしまうといった現象が生じるものである点を見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本開示は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、上記ランド部と導通する面内配線と、を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスによりシード層を形成する工程と、上記被切断基板の主面における上記シード層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域および面内配線形成領域を除いた領域に、レジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンから露出しているシード層にめっき層を形成する工程と、上記レジストパターン及び上記レジストパターン直下の上記シード層を除去することにより、側面導体、ランド部、および面内配線を形成する工程と、上記貫通孔を分断する切断面で上記被切断基板を切断することで、上記側面導体、上記ランド部、および上記面内配線が形成された配線基板を製造する工程と、を有する配線基板の製造方法を提供する。

また、本開示は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスにより導電層を形成する工程と、上記被切断基板の表面における上記導電層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域に、レジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンから露出している上記導電層を除去することにより、上記側面導体、および上記ランド部を形成する工程と、上記レジストパターンを除去する工程と、上記貫通孔を分断する切断面で上記被切断基板を切断することで、上記側面導体、および上記ランド部が形成された配線基板を製造する工程と、を有する、配線基板の製造方法を提供する。

本開示によれば、被切断基板の貫通孔が短軸および長軸を有する形状であることにより、ドライプロセスを用いて貫通孔の内壁に導電層を形成するに際して、長軸方向から飛来する金属等の導電材料が貫通孔の厚み方向の中心部に到達することから、狭ピッチ化された側面導体であっても、貫通孔の厚み方向の中心部でも配線として十分な膜厚とすることができ、信頼性の高い側面導体を有する配線基板を製造することができるといった効果を奏するものである。

本開示においては、上記被切断基板には、上記貫通孔が少なくとも２つ以上形成され、上記貫通孔はその長軸が平行となるように上記被切断基板に配置されていることが好ましく、また上記貫通孔は、上記複数の貫通孔の長軸側端部を直線で結んだ場合、少なくとも一方の上記直線は上記配線基板形成用基板の端辺に対して平行となるように配列されており、上記貫通孔のピッチ幅が、所定の値以下であることが好ましい。このような配線基板において、本開示の効果を十分に発揮することができるからである。

また、本開示においては、上記貫通孔の形状が、楕円または長円であることが好ましい。角部が無いことにより、無用な応力集中による断線等の不具合が生じる可能性が低く、側面導体としての信頼性を向上させることができるからである。
さらに、本開示においては、上記貫通孔の短軸の長さに対する、上記被切断基板の厚さで表されるアスペクト比が、所定の値以下であることが好ましい。このような貫通孔において、本開示の効果を十分に発揮することができるからである。

本開示においては、配線基板に用いられる配線基板形成用基板であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が少なくとも２つ以上形成され、上記貫通孔はその長軸が平行となるように配置されている、配線基板形成用基板を提供する。

本開示によれば、配線基板形成用基板が上述した貫通孔を有することにより、上述した配線基板の製造方法に用いることにより得られる配線基板において、側面導体の断線等の不具合を抑制することができる。

本開示においては、上記貫通孔は、上記複数の貫通孔の長軸側端部を直線で結んだ場合、少なくとも一方の上記直線は上記配線基板形成用基板の端辺に対して平行となるように配列されており、上記貫通孔のピッチ幅が、所定の値以下であることが好ましい。また、上記貫通孔の短軸の長さに対する、上記被切断基板の厚さで表されるアスペクト比が、所定の値以下であることが好ましい。このような配線基板形成用基板であれば、上述した配線基板の製造方法に用いた場合に、側面導体の断線等の不具合防止といった効果を十分に発揮することができるからである。

さらに、本開示においては、上記貫通孔の形状が、楕円または長円であることが好ましい。上述した配線基板の製造方法に用いた場合、角部が無いことにより、無用な応力集中による断線等の不具合が生じる可能性が低く、側面導体としての信頼性を向上させることができるからである。

本開示は、さらに、切断することにより切断面に凹状の溝が形成される貫通孔が形成された被切断基板と、上記貫通孔の内壁に配置され、上記被切断基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記被切断基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板中間品であって、上記側面導体および上記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、上記被切断基板の上記貫通孔は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有するように形成されている、配線基板中間品を提供する。

本開示によれば、貫通孔を分断する切断面で、上記配線基板中間品を切断することにより、側面導体の断線が抑制された配線基板を得ることができる。

本開示は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板であって、上記側面導体および上記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、上記側面導体は、上記溝の最深部に配置された上記導電層の厚さが、上記溝の他の部分に配置された上記導電層の厚さよりも厚い、配線基板を提供する。本開示によれば、上記側面導体および上記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成されていることから、断線等の不具合の発生を抑制できる。また、側面導体を構成する導電層が上述した厚さの分布を有することにより、切断位置における導電層の膜厚を薄くすることができる。これにより、切断位置が多少ずれた場合であっても、上記側面導体の抵抗値に対する影響を小さくすることができるといった効果を奏するものである。

本開示は、上記側面導体および上記ランド部を構成する導電層が、ドライプロセスによる成膜層であることが好ましい。ドライプロセスにより成膜された導電層は、基板との密着性が高く、均質な膜となる。そのため、配線剥がれによる断線を抑制することができ、また、低抵抗な配線を形成できるため、信頼性の高い配線とすることができるからである。

また、本開示では上記溝部の形状が、楕円もしくは長円の短軸に沿って切断された形状であることが好ましい。角部が無い形状となるため、無用な応力集中等による断線等の不具合を防止できるからである。
本開示は、さらに、上述した配線基板に、機能性素子が搭載された、機能性素子付配線基板を提供する。

本開示の配線基板の製造方法は、例えば狭ピッチ化された高精細な配線であっても、ドライプロセスにより信頼性の高い側面導体を得ることができるといった効果を奏するものである。

本開示の配線基板の製造方法の第１実施態様の一例を示す工程図である。 本開示の配線基板の製造方法の第１実施態様の他の例を示す工程図である。 本開示の配線基板を例示する概略平面図、概略断面図、概略斜視図、溝の側面の展開図、および側面導体の厚さ分布を示すグラフである。 本開示の配線基板の製造方法の第２実施態様の一例を示す工程図である。 本開示の配線基板を例示する概略平面図、概略断面図、概略斜視図、溝の側面の展開図、および側面導体の厚さ分布を示すグラフである。 本開示の配線基板の製造方法の効果を説明する図である。 本開示の素子付配線基板の一例を示す概略断面図である。

下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

「上に」、あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。

本発明者らは、上述したように狭ピッチ化された側面導体をドライプロセスで得る場合は、貫通孔の径と基板の厚みとの関係で、貫通孔の厚み方向の中心部において、ドライプロセスで得られる薄膜の膜厚が十分でなく、結果的に貫通孔内の導電層の抵抗が高くなる、もしくは断線してしまうといった現象が生じることを見出した。

この現象は、以下のように生じるものであると推定される。すなわち、例えばスパッタリング法により導電層を形成する場合、ターゲットから放出される導電材料は、拡散光のようにターゲットから広い角度で放出される。このようにして放出された導電材料が貫通孔内に侵入し堆積することにより導電層が形成される。この際、例えば図６（Ａ）に示すように、基板の厚みに対し開口部が比較的広い貫通孔の場合は、貫通孔の厚み方向の中心部まで侵入する導電材料の量が充分に存在する。しかしながら、狭ピッチ化により貫通孔の径を小さくしなければならない場合は、図６（Ｂ）に示すように、基板の厚みに対し貫通孔の開口部が比較的狭い貫通孔となってしまう。この場合は、貫通孔の厚み方向の中心部まで侵入する導電材料の量が少なくなってしまい、導電層の膜厚を十分に得ることができず、抵抗値が高くなってしまう、もしくは断線してしまうという現象となる。

本発明者らは、貫通孔の平面視形状を短軸および長軸を有する形状とすることで、ドライプロセスを用いた導電層の形成時において、貫通孔の内壁に形成される導電層の断線を抑制し、良好な側面導体を有する配線基板が得られることを見出した。

このように貫通孔の平面視形状を短軸および長軸を有する形状とすると、短軸側を、側面導体を得るための切断線に沿って配列させることにより、狭ピッチ化に対応させることができる。また、長軸側を有することにより、長軸側方向に放出された上記導電材料は、貫通孔の厚み方向の中心部まで侵入することができることから、貫通孔の厚み方向の中心部においても必要な膜厚を確保することが可能となる。
本開示は、配線基板の製造方法、配線基板形成用基板、配線基板中間品、配線基板および素子付配線基板に関する技術である。以下、詳細に説明する。

Ａ．配線基板の製造方法
本開示の配線基板の製造方法は、ドライプロセスにより導電層をシード層として用い、電界めっきにより側面導体等を形成する第１実施態様と、ドライプロセスによる導電層をそのまま側面導体として用いる第２実施態様との、二つの態様がある。以下、それぞれについて、説明する。

１．第１実施態様
本態様の配線基板の製造方法は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、上記ランド部と導通する面内配線と、を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスによりシード層を形成する工程と、上記被切断基板の主面における上記シード層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域および面内配線形成領域を除いた領域に、レジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンから露出しているシード層にめっき層を形成する工程と、上記レジストパターン及び上記レジストパターン直下の上記シード層を除去することにより、側面導体、ランド部、および面内配線を形成する工程と、上記貫通孔を分断する切断面で上記被切断基板を切断することで、上記側面導体、上記ランド部、および上記面内配線が形成された配線基板を製造する工程と、を有するものである。なお、本項目において、上記シード層を導電層として説明する場合がある。

本態様の配線基板の製造方法について図を用いて説明する。図１（Ａ）～（Ｆ）は、本態様の配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。本態様においては、まず図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、切断することにより切断面に凹状の溝が形成される平面視上長軸および短軸を有する貫通孔Ｈが形成された被切断基板１１を準備する。図１（Ａ）、（Ｂ）では、大型の基板１１を準備し貫通孔Ｈを形成することで非切断基板１１を準備する例を示している。次に、図１（Ｃ）に示すように、上記非切断基板１１の両面および貫通孔Ｈの内壁に、ドライプロセスによりシード層となる導電層５を形成する。

次に、図１（Ｄ）に示すように、被切断基板１１の主面における導電層５が形成された領域の、平面視でランド部形成領域および面内配線形成領域を除く領域に、レジストパターン６を形成する。次に、上記レジストパターン６から露出しているシード層に電解めっき処理を行うことによりめっき層を形成した後、上記レジストパターン及び上記レジストパターン直下の上記シード層を除去することにより、ランド部３および面内配線４を形成する（図１（Ｅ））。最後に、図１（Ｆ）に示すように、貫通孔Ｈの短軸に沿って分断する切断面で被切断基板１１を切断することで、側面導体、ランド部３および面内配線４が形成された配線基板１０を得る。本態様においては、図１（Ｂ）に示すように、被切断基板の貫通孔Ｈは、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有することを特徴の一つとして有する。なお、上記例のように、上記貫通孔の長軸は、上記切断面と直交するように配置されていることが好ましい。

本態様によれば、被切断基板の貫通孔が短軸および長軸を有する形状であることにより、ドライプロセスを用いて貫通孔の内壁に導電層を良好に形成することができるため、側面導体の断線を抑制して配線基板を製造することができる。

本態様の配線基板の製造方法の効果を詳細に説明する。ここで、従来から被切断基板に設けられる貫通孔は、正円形状を有している。スパッタ等のドライプロセスを用いて導電層を形成する場合、図６（Ａ）に示すように、通常、貫通孔Ｈの内壁へは、被切断基板１１の内壁に対して斜め方向から導電層の成分である導電材料５ａを付着させることで、導電層５が形成される。斜め方向の導電材料５ａは、貫通孔へ入射できる傾き（最傾斜方向）が制限される。正円形状の貫通孔は、導電層の成分の最傾斜方向が制限されやすく、内壁の厚さ方向中心付近に導電層が形成されにくい傾向にある。特に、貫通孔を高アスペクト比、狭ピッチで設けた場合、図６（Ｂ）に示すように、上述した傾向が強くなる。

これに対し、本態様においては、図６（Ｃ）に示すように、被切断基板１１の貫通孔Ｈを短軸および長軸を有する形状とすることで、短軸方向ｘおよび長軸方向ｙのうち、少なくとも長軸方向ｙにおいては、貫通孔Ｈの内壁へ、斜め方向から導電材料５ａを付着させやすくすることができる。そのため、本態様においては、側面導体の断線を抑制して配線基板を製造することができる。
以下、本態様の配線基板の製造方法の各工程について説明する。

（１）貫通孔が形成された被切断基板準備工程
本工程は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔Ｈが配置された被切断基板１１を準備する工程である（図１（Ａ）、（Ｂ））。本工程において準備される被切断基板は、後工程において、切断される基板であり、切断することにより上記凹状の溝が構成される貫通孔を有する。

被切断基板は、例えば、貫通孔を有しない基板に対し貫通孔を形成することで準備してもよく、予め貫通孔が形成された基板を購入することにより準備してもよい。

ａ）貫通孔
貫通孔は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する。すなわち、貫通孔は短軸および長軸を有する形状である。

貫通孔の短軸の長さに対する、長軸の長さの比率（長軸の長さ／短軸の長さ）は、１より大きければよく、例えば、２以上であってもよく、３以上であってもよく、５以上であってもよい。また上記比率は、通常、２０００以下である。
上記範囲より小さい場合は、上述した本態様の作用を効果的に得ることができない場合があるからである。一方、上記範囲より大きい場合は、貫通孔の長さが長くなりすぎ、被切断基板から配線基板を得る歩留まりが悪くなるため、好ましくない。

貫通孔の短軸の長さとしては、特に限定されるものではないが、狭ピッチ化された側面導体として用いられる範囲であることが好ましく、通常、５μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上８０μｍ以下である。

一方、貫通孔の長軸の長さとしては、特に限定されるものではないが、本態様の効果を奏する点を考慮すると、１０μｍ以上１００００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下である。

具体的な貫通孔の形状としては、例えば、長方形、楕円、長円等を挙げることができ、なかでも楕円または長円であることが好ましい。貫通孔の内壁へ導電層を形成しやすいからである。
なお、ここでいう長円とは、両端に正円を直径で二つに分けた曲部を有し、その間を直線で結んだ形状、および上記形状に近似された形状を示すものである。

本態様においては、上記貫通孔の短軸の長さに対する、上記被切断基板の厚さで表されるアスペクト比（基板厚／短軸）は、側面導体を形成することができれば特に限定されるものではないが、例えば、２．５以上であることが好ましく、６以上であることがより好ましく、１０以上であることが特に好ましい。

上記範囲内であれば、上記短軸の長さを直径とする正円で貫通孔を形成した場合、側面導体が、高抵抗な配線、もしくは断線となってしまう可能性が高く、本態様の効果を有効に奏することが可能となるからである。
また、上記アスペクト比は、通常、１００以下とされる。
上記範囲を超える場合は、長軸の長さを長くとった場合でも、抵抗値が増加する、もしくは断線する可能性が高く、側面導体を形成することが難しいからである。

本態様における被切断基板は、少なくとも１つの貫通孔を有していればよいが、通常、少なくとも２つ以上形成され、上記貫通孔はその長軸が平行となるように配置されている。
例えば、一つの側面に少なくとも２つ以上の側面導体を有する配線基板を得るための被切断基板としては、少なくとも２つ以上の貫通孔が形成されており、貫通孔同士は互いに長軸が平行となるように切断面に対して一列に配列されている被切断基板を挙げることができる。ここで、「貫通孔同士は互いに長軸が平行となる」とは、厳密な意味での平行だけでなく、所望の２つ以上の側面導体が得られる程度の誤差を有する場合を含む概念である。

また、上記複数の貫通孔の長軸側端部を直線で結んだ場合、少なくとも一方の上記直線は上記被切断基板の端辺に対して平行となるように配列されていることが好ましい。通常切断面は上記被切断基板の端辺に対して平行となるので、このように配置することにより、得られる配線基板の側面導体の溝部を均一なものとすることができるからである。

また、上記貫通孔は、上記貫通孔の長軸が上記被切断基板の端辺に対して直交するように配置されていることが好ましい。
なお、本態様における上記被切断基板の端辺とは、切断面に平行な被切断基板の辺をいう。

上記構成を有する切断基板の貫通孔のピッチ幅としては、配線基板の用途に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、本態様の作用効果を効果的に発揮できることを考慮すると、例えば１６０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい。一方、貫通孔の形成精度から、通常は、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍ以上であることが特に好ましい。なお、ピッチ幅とは、隣接する貫通孔の中心間の距離をいい、例えば、図１（Ｂ）において、ｐで表される距離を指す。

ここで、上述した貫通孔の短軸の長さ、長軸の長さ、被切断基板の厚さ、ピッチ幅等の距離は、配線基板の構成における距離の測定方法として一般的な測定方法を用いて測定することができる。一例としては、光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察像を用いた測定方法を挙げることができる。なお、本態様における他の構成の距離の測定方法についても同様である。

ｂ）被切断基板
本態様における被切断基板は、上述した貫通孔が形成された基板である。被切断基板に用いられる基板の材質としては、一般的な配線基板に用いられる基板の材料と同様とすることができ、特に限定されない。例えば、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板、シリコン基板、石英基板、サファイア基板等の無機材料からなる基板を挙げることができる。基板がガラス基板である場合、用いられるガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等を挙げることができる。また、基板が樹脂基板である場合、用いられる樹脂としては、例えば、ポリイミドを挙げることができる。被切断基板に用いられる基板は、機械強度が良好であることから無機材料からなる基板が好ましく、中でも汎用性があることから、ガラス基板が好適に用いられる。

被切断基板の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上１０００μｍ以下、中でも、３００μｍ以上７００μｍ以下である。
このような厚さの基板であれば、近年の機能性素子の小型化に対応できるとともに、側面導体の信頼性に優れ、かつ、強度の高い配線基板を得ることができるからである。

被切断基板の形状としては、特に限定されないが、通常は矩形状のものが用いられる。また、被切断基板の大きさとしては、特に限定されず、製造される配線基板の使用用途に応じて適宜選択することができる。

ｃ）貫通孔の形成方法
本態様における被切断基板準備工程において、基板に対して貫通孔を形成する場合、貫通孔の形成方法としては、例えば、プラズマエッチングやウェットエッチング等のエッチング、レーザー照射、またはサンドブラストや超音波ドリル等の機械的な加工法が挙げられる。

（２）シード層形成工程
本工程は、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスによりシード層（導電層５）を形成する工程である（図１（Ｃ））。

本工程に用いられるドライプロセスとしては、物理蒸着法（ＰＶＤ法）および化学蒸着法（ＣＶＤ法）のいずれでも用いることが可能であるが、通常はＰＶＤ法が用いられ、中でも蒸着法およびスパッタ法が好適に用いられる。本態様においては、特にスパッタ法が被切断基板との密着性の観点で好ましい方法として挙げられる。

本工程においては、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスを用いてシード層として用いる導電層を形成するものであるが、上記貫通孔、ランド部、および面内配線が形成される領域に導電層が形成されるようにドライプロセスが行われればよい。しかしながら、工程上の手間等の関係で、通常は上記被切断基板の両面全面に導電層が設けられる。

本工程により形成されるシード層の材料としては、一般的なめっき法におけるシード層に用いられる材料から適宜選択することができる。シード層の材料は、基板に対して密着性を有する導電性材料であることが好ましく、例えば、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金等を挙げることができる。めっき層が銅を含む場合、シード層の材料は、銅が基板の内部に拡散するのを抑制することができる材料であることが好ましく、例えば、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル等を挙げることができる。

シード層の厚さは、導電性を示す程度であれば特に限定さるものではないが、１００μｍ以下、特に１０μｍ以下、中でも５μｍ以下とされることが好ましい。上記範囲より厚い場合は、工程に長時間必要となるため好ましくない。一方、電解めっきを行う際の抵抗を考慮すると、０．０１μｍ以上、中でも０．０５μｍ以上、特に０．１μｍ以上であることが好ましい。

（３）レジストパターン形成工程
本工程は、上記被切断基板１１の主面における上記シード層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域および面内配線形成領域を除いた領域に、レジストパターン６を形成する工程である（図１（Ｄ））。具体的には、ドライフィルムレジストを貼合し、フォトリソグラフィ等によりパターニングして、ランド部形成領域および面内配線形成領域のレジスト層を除去する。

レジストパターンに用いられるレジストとしては、一般的な配線基板の製造方法に用いられるレジストを使用することができ、液体レジストでも良いが、ドライフィルムレジストであることが好ましい。ドライフィルムレジストであれば、基板に貼合した際に貫通孔の内部にレジストが侵入する恐れがないからである。

ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）は、典型的には、フィルム層と、上記フィルム層の一方の面側に配置され樹脂組成物を含有するレジスト層とを有する。フィルム層としてはドライフィルムレジストに用いられる一般的なフィルムを挙げることができる。また、レジスト層に用いられる樹脂組成物としては、感光性を有する樹脂からなるものであれば良く、ポジ型であっても、ネガ型であっても良く、具体的には、エポキシ系ＤＦＲや、アクリル系ＤＦＲを挙げることができる。

本工程においては、レジストパターンは、通常、被配線基板の主面上に配置されたレジスト層またはドライフィルムレジストをフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより形成される。フォトリソグラフィ法については、従来公知の方法を用いることができるため、ここでの説明は省略する。

本工程においては、図２（Ｄ）に示す通り、上記レジストパターン６を形成する際、ランド部形成領域の切断面となる領域にレジストパターン６を設けてもよい。このようにランド部形成領域の切断面となる領域にレジストパターン６を設けることにより、後述する切断工程において、電解めっきを施すことにより得られる導電層が形成されていない領域を切断することが可能となり、切断領域に金属層が存在することにより生じる種々の不具合を抑制することができるからである。

なお、図２（Ｄ）では、切断面の周囲の領域にのみレジストパターン６を設けているが、例えば上記ランド部の面内配線４が形成されていない側の領域全体にレジストパターンを設けてもよい。

（４）めっき工程
本工程は、上記レジストパターンから露出しているシード層にめっき層を形成する工程である。具体的には、基板をめっき液に浸漬し、レジストパターンから露出した領域に電解めっき法でめっき層を成長させる。これにより、側面導体、ランド部、および面内配線が形成される。

めっき材料としては、シード層に対して密着性を有する導電性材料であることが好ましい。例えば、めっき層の材料として、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。

（５）レジストパターン及びシード層除去工程
本工程は、上記レジストパターン及び上記レジストパターン直下の上記シード層を除去することにより、側面導体、ランド部３、および面内配線４を形成する工程である（図１（Ｅ））。具体的には、レジストパターンを除去し、レジストパターン直下のシード層をエッチング等により除去する。これにより、側面導体、ランド部、及び面内配線が形成される。レジストパターンの除去、及びシード層のエッチングとしては、従来公知の方法を採用することができる。

（６）切断工程
本工程は、上記貫通孔Ｈを分断する切断面で上記被切断基板を切断することで、上記側面導体、上記ランド部３、および上記面内配線４が形成された配線基板１０を製造する工程である（図１（Ｅ）、（Ｆ））。

被切断基板の切断方法としては、特に限定されないが、レーザー切断、スクライブ切断、およびダイシング切断等が挙げられる。

本工程においては、図２（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、貫通孔を分断するように、上記シード層および上記めっき層が形成されていない切断面で上記被切断基板を切断することが好ましい。

本態様における切断面の貫通孔における位置は、貫通孔を切断して、配線基板に溝部が形成できる位置であれば特に限定されないが、上記貫通孔の切断面の幅Ｗと、切断によって形成される溝の深さＤとの関係が、４０＞Ｗ／Ｄ＞０．０１となる位置で切断することがこのましい。なお、上記幅Ｗおよび深さＤは、後述する図３（Ａ）に示すものと同様となる。

上記切断工程においては、切断面に導電層を含むものとなるが、後述する通り、導電層の膜厚が薄い部分を切断することから、導電層を切断する際に生じる不具合の発生を最小限とすることが可能となる。

（７）配線基板
本態様の製造方法により製造される配線基板は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、上記ランド部と導通する面内配線と、を有するものである。

このような本態様の製造方法により製造される配線基板について図を用いて説明する。図３（Ａ）は本態様の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略平面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ－Ａ’線断面図であり、図３（Ｃ）は図３（Ａ）の溝側の側面１ａ近傍の一例を示す概略斜視図である。また、図３（Ｄ）は図３（Ｃ）に示す配線基板の側面のａ－ｂ－ｃの展開図（溝の内壁１ｂの展開図）であり、図３（Ｅ）は図３（Ｄ）のＡ－Ａ’線、Ｂ－Ｂ’線およびＣ－Ｃ’線における側面導体の厚さ分布を示すグラフである。さらにまた、図３（Ｆ）は図３（Ａ）の溝側の側面１ａ近傍の他の例を示す概略斜視図である。また、図３（Ｇ）は図３（Ｆ）に示す配線基板の側面のａ－ｂ－ｃの展開図（溝の内壁１ｂの展開図）であり、図３（Ｈ）は図３（Ｇ）のＡ－Ａ’線、Ｂ－Ｂ’線およびＣ－Ｃ’線における側面導体の厚さ分布を示すグラフである。

図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｆ）に示すように、本態様により得られる配線基板１０は、表裏両面に至る凹状の溝Ｔが側面１ａに設けられた基板１と、溝Ｔの内壁１ｂに配置され、基板１の表裏両面間に連続して形成された側面導体２と、基板１の表裏両面に配置され、側面導体２と導通するランド部３と、を有する。本態様においては、側面導体２とランド部３とは同一の導電材料、すなわちシード層およびめっき層の積層体５で一体に形成されている。図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｆ）では、配線基板１０は、さらに、側面導体２とランド部３で電気的に接続される面内配線４を有しており、面内配線４も、側面導体２およびランド部３と同一の導電材料で構成された積層体５で一体に形成されている。また、図３（Ｃ）では、側面導体２が溝Ｔの内壁１ｂに部分的に配置されている例を示しており、図３（Ｆ）では、側面導体２が溝Ｔの内壁１ｂ全体に配置されている例を示している。
以下、配線基板の各構成について説明する。

ａ）基板
基板は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた部材である。本態様においては、上述した被切断基板の切断面が基板の側面端面となる。

基板の側面に設けられた溝は、基板の側面に設けられた、基板の表裏両面に至る凹状のものである。溝は、基板の側面のうち、少なくとも一面に設けられており、基板の一側面に、１つ以上、通常は２つ以上設けられていることが好ましい。

溝の上面視形状は、上述した被切断基板の貫通孔を、所定の位置で切断した形状となる。溝の平面視形状は、楕円や長円等のオーバル形状をその短軸に沿って切断した形状であることが好ましい。

具体的には、溝の深さ（図３（Ａ）中、Ｄで示す。）としては、特に限定されないが、５μｍ以上５００μｍ以下、特には、１０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましい。また、溝の幅（図３（Ａ）中、Ｗで示す。）としては、特に限定されないが、５μｍ以上２００μｍ以下、特には、２０μｍ以上８０μｍ以下が好ましい。

また、溝のピッチ（即ち、隣り合う溝の最深部間の距離）は、特に限定されないが、１０μｍ以上４００μｍ以下、特には、２０μｍ以上１６０μｍ以下が好ましい。

基板の材質および厚さについては、上述した「（１）被切断基板準備工程」の項で説明した被切断基板の材質および厚さの項で説明した内容と同様である。また、基板の形状としては、配線基板の種類に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、矩形状を挙げることができる。

ｂ）側面導体
本態様における側面導体は、溝の内壁に配置され、基板の表裏両面間に連続して形成された部材である。側面導体は、後述するランド部と一体形成されたシード層とめっき層との積層体（以下、積層体と称する場合がある。）で構成される。

側面導体を構成する積層体の形態は、側面導体およびランド部を一体形成することが可能な形態であれば特に限定されない。側面導体の積層体の形態としては、例えば、溝の最深部に配置された積層体の厚さが、溝の他の部分に配置された積層体の厚さよりも厚くなる形態を有していてもよい。具体的には、図３（Ｄ）、および（Ｅ）、ならびに図３（Ｇ）、および（Ｈ）に示すように、溝Ｔの内壁に形成される積層体５の厚さは、溝Ｔの最深部となる部分の厚さが最も厚くなり、側面端面に近いほど薄くなるといった厚さ分布を有していてもよい。側面導体を構成する積層体が上述した厚さの分布を有する形態であることにより、切断面における積層体の膜厚を薄くすることができ、切断面の位置がずれた場合でも上記側面導体としての抵抗値の変化を抑えることが可能となるといった利点を有する。また、配線基板の製造時における側面導体の割れを抑制することができる。

側面導体の積層体の形態としては、図３（Ｅ）、および（Ｈ）のＡ－Ａ’線のグラフに示すように、上記基板の厚み方向の中心部において溝の最深部に配置された積層体の厚さが、溝の他の部分に配置された積層体の厚さよりも厚くなり、図３（Ｅ）および（Ｈ）のＢ－Ｂ’線およびＣ－Ｃ’線のグラフに示すように、上記基板の厚み方向の基板表面（外部）に近づくほど、溝の最深部に配置された積層体の厚みと溝の他の部分に配置された積層体の厚みとが均一な厚みとなる形態を有していてもよい。

側面導体を構成する積層体の膜厚は、基板の厚み方向の中心部が最も薄く形成される。上記基板の厚み方向の中心部における上記積層体の膜厚としては、所望の導電性を有することができれば特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ以上、なかでも０．２μｍ以上、特に０．５μｍ以上であることが好ましい。また、側面導体を構成する積層体の厚さは、例えば、１００μｍ以下、なかでも５０μｍ以下、特に１０μｍ以下であることが好ましい。側面導体を構成する積層体の膜厚が上述した範囲にあることにより、側面導体の導電性を良好にすることができるからである。なお、側面導体を構成する積層体が、図３（Ｅ）、（Ｆ）に示される膜厚の分布を有する場合、導電層の最大厚さが上述した範囲内であることが好ましい。

ｃ）ランド部
本態様におけるランド部は、基板の表裏両面に配置され、側面導体と導通する部材である。

ランド部の平面視外形形状としては、配線基板の用途等に応じて適宜選択することができ、特に限定されない。ランド部の平面視外形形状は、例えば、後述する貫通孔の外周形状を切断した外周形状（半円弧、楕円弧等）を有する形状とすることができる。

ランド部を構成する積層体の膜厚としては、特に限定されないが、０．０５μｍ以上１００μｍ以下、特には、０．５μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。このような膜厚であれば、配線基板としての導電性に不具合が無いからである。

ｄ）面内配線
本態様の配線基板では、少なくとも一方の基板主面上に、上記ランド部により上記側面導体と電気的に接続される面内配線が設けられている。面内配線を構成する積層体は、所望される機能や目的に応じて、線状の配線層や、各種端子、電極、センサ等として、任意の寸法において設けることができる。

ｅ）その他
本態様により製造される配線基板は、上述した面内配線が、絶縁層を介して多層に形成された多層配線層を有するものであってもよい。また、後述する機能性素子と接続するための端子部等を有するものであってもよい。

２．第２実施態様
次に、本開示の配線基板の製造方法の第２実施態様について説明する。
本態様の配線基板の製造方法は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスにより導電層を形成する工程と、上記被切断基板の表面における上記導電層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域に、レジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンから露出している上記導電層を除去することにより、上記側面導体、および上記ランド部を形成する工程と、上記レジストパターンを除去する工程と、上記貫通孔を分断する切断面で上記被切断基板を切断することで、上記側面導体、および上記ランド部が形成された配線基板を製造する工程と、を有するものである。

（１）貫通孔を有する被切断基板準備工程
本工程は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程である（図４（Ａ）、（Ｂ））。本工程で準備する貫通孔を有する被切断基板は、上述した「Ａ．配線基板の製造方法 １．第一実施形態 （１）貫通孔を有する被切断基板準備工程」の工程で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

（２）導電層形成工程
本工程は、上記被切断基板の両面に、ドライプロセスにより導電層５を形成する工程である（図４（Ｃ））。具体的方法としては、上述した「Ａ．配線基板の製造方法 １．第一実施形態 （２）シード層形成工程」の工程で説明したドライプロセスによるシード層の形成方法と同様の方法とすることができる。

（３）レジストパターン形成工程
本工程は、上面視で少なくともランド部形成領域に、レジストパターン６を形成する工程である（図４（Ｄ））。具体的には、ドライフィルムレジストを少なくとも一方の主表面全面に貼合し、フォトリソグラフィ等によりパターニングして、ランド部形成領域に、レジストパターンを形成する。この際、ランド部領域に加え、面内配線形成領域にも、レジストパターンを形成することが好ましい。ドライフィルムとしては、「Ａ．配線基板の製造方法 １．第一実施形態 （３）レジストパターン形成工程」で説明したものと同様のものが挙げられる。

（４）側面導体、およびランド部の形成工程
本工程は、レジストパターンから露出している導電層を除去することにより、上記側面導体、およびランド部を形成する工程である。この際、通常は上記面内配線も同時に形成される。

（５）レジストパターンの除去工程
本工程は、レジストパターンを除去する工程である（図４（Ｅ））。レジストパターンの除去方法としては、従来公知の方法を用いることができる。

（６）切断工程
本工程は、上記貫通孔Ｈを分断する切断面で上記被切断基板１１を切断することで、上記側面導体、および上記ランド部３が形成された配線基板１０を製造する工程である（図４（Ｅ）、（Ｆ））。
切断方法としては、上述した「Ａ．配線基板の製造方法 １．第一実施形態 （６）切断工程」と同様の方法を用いることができる。

（７）配線基板
本態様の製造方法により製造される配線基板は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有するものであり、第１実施態様が面内配線を必須としている点を除き、同様の構成を有するものである。

また、本態様の製造方法により製造される配線基板の側面導体、ランド部、および必要に応じて形成される面内配線を構成するのが、ドライプロセスにより形成される導電層であるのに対し、上記第１実施態様では、シード層およびめっき層の積層体で構成されている点が異なる。本態様により製造される配線基板の例を図５（Ａ）～（Ｈ）に示す。
以下、配線基板の各構成について説明する。

ａ）基板
上記第１実施態様において説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

ｂ）側面導体
本態様における側面導体は、溝の内壁に配置され、基板の表裏両面間に連続して形成された部材である。側面導体は、後述するランド部と一体形成された導電層で構成される。
側面導体を構成する導電層の形態は、上記第１実施態様における側面導体を構成する積層体の形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。

側面導体を構成する導電層の膜厚は、基板の厚み方向の中心部が最も薄く形成される。上記基板の厚み方向の中心部における上記導電層の膜厚としては、所望の導電性を有することができれば特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ以上、なかでも０．２μｍ以上、特に０．５μｍ以上であることが好ましい。また、側面導体を構成する積層体の厚さは、例えば、１００μｍ以下、なかでも５０μｍ以下、特に１０μｍ以下であることが好ましい。側面導体を構成する導電層の膜厚が上述した範囲にあることにより、側面導体の導電性を良好にすることができるからである。なお、側面導体を構成する導電層が、図３（Ｅ）、（Ｆ）に示される膜厚の分布を有する場合、導電層の最大厚さが上述した範囲内であることが好ましい。

ｃ）ランド部
本態様により製造される配線基板におけるランド部は、導電層の膜厚以外は、上記第１実施態様で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

ランド部を構成する導電層の膜厚としては、特に限定されないが、０．０５μｍ以上１００μｍ以下、特には、０．５μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。このような膜厚であれば、配線基板としての導電性に不具合が無いからである。

ｄ）その他
本実施態様で製造される配線基板では、少なくとも一方の基板主面上に、上記ランド部により上記ランド部と電気的に接続される面内配線が設けられていてもよい。また、第１実施態様と同様に、上記面内配線が、絶縁層を介して多層に形成された多層配線層を有するものであってもよい。

導電層の成膜条件にもよるが、図３（Ｄ）および（Ｅ）と図５（Ｄ）および（Ｅ）との対比、ならびに図３（Ｇ）および（Ｈ）と図５（Ｇ）および（Ｈ）との対比で示すように、第１実施態様の積層体は、本実施態様の導電層に比べて、めっき層の厚さ分だけ嵩上げされた厚さを有する構成とすることができる。言い換えると、本実施態様の導電層は、第１実施態様の積層体に比べて、メッキ層の厚さ分だけ厚さを薄くすることができる。

Ｂ．配線基板形成用基板
次に、本開示の配線基板形成用基板について説明する。本開示の配線基板形成用基板は、配線基板に用いられる配線基板形成用基板であって、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が少なくとも２つ以上形成され、上記貫通孔はその長軸が平行となるように配置されているものである。
本開示の配線基板形成用基板は、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」において、被切断基板として用いることができ、例えば、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、および図４（Ｂ）で説明した被切断基板１１を例示することができる。

本開示の配線基板形成用基板は、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」において「被切断基板」として説明した内容と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
本開示によれば、配線基板形成用基板が上述した「Ａ．配線基板の製造方法」において説明した貫通孔を有することにより、最終的に得られる配線基板に配置される側面導体が狭ピッチであった場合でも、側面導体が高い抵抗値となってしまう、もしくは断線してしまうといった不具合を抑制することができる。

Ｃ．配線基板中間品
本開示の配線基板中間品は、切断することにより切断面に凹状の溝が形成される貫通孔が形成された被切断基板と、上記貫通孔の内壁に配置され、上記被切断基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記被切断基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板中間品であって、上記側面導体および上記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、上記被切断基板の上記貫通孔は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有するように形成されているものである。

このような配線基板中間品であれば、上記被切断基板の上記貫通孔は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有するように形成されているので、最終的に得られる配線基板の側面導体が狭ピッチであるため上記配線基板中間品の上記貫通孔が狭ピッチで配列されていた場合でも、上記側面導体の抵抗値が高く実使用に適さない、もしくは断線している等の不具合の無い配線基板を得ることができる配線基板中間品とすることができる。また、上記配線基板および上記ランド部が同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成されているので、断線等の不具合の無い配線基板とすることができる。

このような配線基板中間品としては、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」において例示した、図１（Ｅ）、図２（Ｅ）、および図４（Ｅ）に示す配線基板中間品２０を挙げることができる。

上記被切断基板、側面導体およびランド部、ならびに被切断基板に形成されるその他の部材については、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」の項で説明した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

Ｄ．配線基板
本開示の配線基板は、表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、上記溝の内壁に配置され、上記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、上記基板の表裏両面に配置され、上記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板であって、上記側面導体および上記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、上記側面導体は、上記溝の最深部に配置された上記導電層の厚さが、上記溝の他の部分に配置された上記導電層の厚さよりも厚いものである。

本開示の配線基板としては、例えば、図３（Ａ）～（Ｄ）、（Ｆ）、および（Ｇ）、ならびに図５（Ａ）～（Ｄ）、（Ｆ）、および（Ｇ）に示される配線基板を例示することができる。

本開示によれば、側面導体を構成する導電層が上述した厚さの分布を有することにより、切断位置がずれた場合でも側面導体の抵抗値が大幅に変化することが無いという利点を有するものである。

本開示において、「上記溝の最深部に配置された上記導電層の厚さが、上記溝の他の部分に配置された上記導電層の厚さよりも厚い」とは、上記溝において、上記溝が形成されている基板の厚み方向のいずれかの領域における、上記溝の最深部に配置された上記導電層の厚さが、上記溝の他の部分に配置された上記導電層の厚さよりも厚ければよいが、より明確には、上記溝において、上記溝が形成されている基板の厚み方向の中心における、上記溝の最深部に配置された上記導電層の厚さが、上記溝の他の部分に配置された上記導電層の厚さよりも厚いことを示すものとする。

１．側面導体
本開示における側面導体は、溝の最深部に配置された導電層の厚さが、溝の他の部分に配置された導電層の厚さよりも厚いといった構成を有する。このような側面導体を構成する導電層としては、例えば、ドライプロセスによる成膜層のみで構成されたもの、もしくはドライプロセスにより成膜されたシード層上にめっき層が積層されたものであることが好ましい。上述した厚さの分布を有する導電層を形成しやすいからである。側面導体の詳細については、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」の項で説明した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

２．配線基板
本開示の配線基板の各構成については、上述した「Ａ．配線基板の製造方法」の項で説明した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

Ｅ．素子付配線基板
本開示の素子付配線基板は、上述した「Ｄ．配線基板」の項で説明した配線基板に、機能性素子が搭載された素子付配線基板である。

素子付配線基板について、図を用いて説明する。図７は本開示の素子付配線基板の一例を示す概略断面図である。図７に示す本開示の素子付配線基板１００は、上述の側面導体４を有する配線基板１０と、多層配線層２０と、多層配線層２０と電気的に接続される機能性素子３０とを有するものである。側面導体４によって配線基板の表裏面の導通を取っている。

本開示によれば、上述した配線基板を有することにより、導電性が良好な側面導体を有する素子付配線基板とすることができる。

本開示の素子付配線基板は、上述した配線基板および機能性素子を有していれば特に限定されず、素子付配線基板の用途に応じて、種々の構成をとり得る。以下の説明では、一例として図７に示す素子付配線基板について詳述する。

１．配線基板
配線基板としては、上述した「Ａ．配線基板」の項で説明した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。

２．多層配線層
多層配線板は、複数の絶縁層及び配線層を有する。上記複数の配線層は、それぞれが絶縁層によって電気的に絶縁されている。なお、絶縁層は、樹脂等の絶縁材料で構成される層である。また、配線層は、金属等の導電性材料のパターンで構成される配線を有する層である。絶縁層で絶縁されている複数の配線層間は、導電性バンプ等の層間接続部で電気的に接続されている。

３．機能性素子
機能性素子としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、IC等の半導体素子およびセンサ、受動素子、バイオチップ等を挙げることができる。

なお、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示の技術的範囲に包含される。

１ … 基板
２ … 側面導体
３ … 面内配線
４ … ランド部
１０ … 配線基板
１００… 素子付配線基板

Claims (11)

1. 表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、
   前記溝の内壁に配置され、前記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、
   前記基板の表裏両面に配置され、前記側面導体と導通するランド部と、
   前記ランド部と導通する面内配線と、を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、
   直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、
   前記被切断基板の両面に、ドライプロセスによりシード層を形成する工程と、
   前記被切断基板の主面における前記シード層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域および面内配線形成領域を除いた領域に、レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンから露出しているシード層にめっき層を形成する工程と
   前記レジストパターン及び前記レジストパターン直下の前記シード層を除去することにより、側面導体、ランド部、および面内配線を形成する工程と、
   前記貫通孔を分断する切断面で前記被切断基板を切断することで、前記側面導体、前記ランド部、および前記面内配線が形成された配線基板を製造する工程と、
   を有し、前記配線基板において、平面視における前記溝の深さが最も大きい部分を前記溝の最深部としたとき、前記基板の厚さ方向の中心部を含み、前記基板の表裏両面に平行な断面において、前記側面導体は、前記溝の最深部に配置された前記シード層および前記めっき層の合計厚さが、前記溝の他の部分に配置された前記シード層および前記めっき層の合計厚さよりも厚い、配線基板の製造方法。
2. 表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、
   前記溝の内壁に配置され、前記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、
   前記基板の表裏両面に配置され、前記側面導体と導通するランド部と、
   を有する配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、
   直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有する貫通孔が配置された被切断基板を準備する工程と、
   前記被切断基板の両面に、ドライプロセスにより導電層を形成する工程と、
   前記被切断基板の表面における前記導電層が形成された領域の、平面視でランド部形成領域に、レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンから露出している前記導電層を除去することにより、前記側面導体、および前記ランド部を形成する工程と、
   前記レジストパターンを除去する工程と、
   前記貫通孔を分断する切断面で前記被切断基板を切断することで、前記側面導体、および前記ランド部が形成された配線基板を製造する工程と、
   を有し、前記配線基板において、平面視における前記溝の深さが最も大きい部分を前記溝の最深部としたとき、前記基板の厚さ方向の中心部を含み、前記基板の表裏両面に平行な断面において、前記側面導体は、前記溝の最深部に配置された前記導電層の厚さが、前記溝の他の部分に配置された前記導電層の厚さよりも厚い、配線基板の製造方法。
3. 前記被切断基板には、前記貫通孔が少なくとも２つ以上形成され、前記貫通孔はその長軸が平行となるように前記被切断基板に配置されている、請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記貫通孔は、前記複数の貫通孔の長軸側端部を直線で結んだ場合、少なくとも一方の前記直線は前記配線基板形成用基板の端辺に対して平行となるように配列されており、前記貫通孔のピッチ幅が、１００μｍ以下である、請求項３に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記貫通孔の形状が、楕円または長円である、請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記貫通孔の短軸の長さに対する、前記被切断基板の厚さで表されるアスペクト比が、６以上である、請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の配線基板の製造方法。
7. 切断することにより切断面に凹状の溝が形成される貫通孔が形成された被切断基板と、
   前記貫通孔の内壁に配置され、前記被切断基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、
   前記被切断基板の表裏両面に配置され、前記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板中間品であって、
   前記側面導体および前記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、
   前記被切断基板の前記貫通孔は、直交する２軸のうち一方の軸が他方の軸よりも長い形状を有するように形成されており、
   平面視において前記溝の深さが最も大きい部分を前記溝の最深部としたとき、前記被切断基板の厚さ方向の中心部を含み、前記被切断基板の表裏両面に平行な断面において、前記側面導体は、前記溝の最深部に配置された前記導電層の厚さが、前記溝の他の部分に配置された前記導電層の厚さよりも厚い、配線基板中間品。
8. 表裏両面に至る凹状の溝が側面に設けられた基板と、
   前記溝の内壁に配置され、前記基板の表裏両面間に連続して形成された側面導体と、
   前記基板の表裏両面に配置され、前記側面導体と導通するランド部と、を有する配線基板であって、
   前記側面導体および前記ランド部は、同一の導電材料で構成された導電層で一体に形成され、
   平面視において前記溝の深さが最も大きい部分を前記溝の最深部としたとき、前記基板の厚さ方向の中心部を含み、前記基板の表裏両面に平行な断面において、前記側面導体は、前記溝の最深部に配置された前記導電層の厚さが、前記溝の他の部分に配置された前記導電層の厚さよりも厚い、配線基板。
9. 前記側面導体および前記ランド部を構成する導電層が、ドライプロセスによる成膜層を有するものである、請求項８に記載の配線基板。
10. 前記溝部の形状が、楕円もしくは長円の短軸に沿って切断された形状である、請求項８または請求項９に記載の配線基板。
11. 請求項８から請求項１０までのいずれかの請求項に記載の配線基板に、機能性素子が搭載された、機能性素子付配線基板。