JP6897163B2 - 貫通電極基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
H1≧H2+8μm
11 …基板
12 …貫通孔
13 …第1導電層
14、14A、14B …貫通電極
15 …柱状導電体
16 …第1絶縁層
17 …第2導電層
20 …半導体チップ
Claims (10)
- 第1面と前記第1面に対して反対の側の第2面とを有し、前記第1面と前記第2面と貫通する貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔に配置された貫通電極と、
前記基板上に実装され、前記貫通電極に電気的に接続された半導体チップと、
前記貫通電極と連続し、かつ、前記基板から突出した柱状導電体と、
を有し、
前記柱状導電体の幅は、前記貫通孔の開口幅よりも小さい、
貫通電極基板。 - 前記貫通電極の側面は、前記貫通孔の側壁から内側に向かって傾斜する傾斜面を有し、前記貫通電極及び前記柱状導電体が前記傾斜面を介して接続されている、請求項1に記載の貫通電極基板。
- 前記柱状導電体の側面は、前記貫通孔の外縁から内側に向かって傾斜する傾斜面を有する、請求項1に記載の貫通電極基板。
- 前記柱状導電体の周囲に配置された絶縁層をさらに備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
- 前記半導体チップ、前記柱状導電体、及び前記絶縁層が前記基板の同じ面に配置されており、前記半導体チップの接続部が前記基板とは反対側に位置しており、前記柱状導電体と前記半導体チップの前記接続部とが、前記絶縁層上に配置された導電層を介して接続されている、請求項4に記載の貫通電極基板。
- 前記柱状導電体から前記半導体チップまでの距離は、前記柱状導電体の高さの1倍以上である、請求項5に記載の貫通電極基板。
- 前記半導体チップと前記導電層との間に前記絶縁層が配置されており、前記半導体チップと前記導電層との間の前記絶縁層の厚みが8μm以上である、請求項5又は6に記載の貫通電極基板。
- 第1面と前記第1面に対して反対の側の第2面とを有し、前記第1面と前記第2面を貫通する貫通孔を有する基板を提供する工程と、
前記基板の前記第1面に金属層を形成する工程と、
前記基板の前記第2面にレジストを形成する工程と、
前記貫通孔の貫通電極と、前記基板の前記第2面から突出する柱状導電体とを一体的に形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記基板の前記第2面に、接続部を有する半導体チップを配置する工程と、
前記基板の前記第2面において前記柱状導電体及び前記半導体チップを覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記柱状導電体及び前記半導体チップの前記接続部に対応する前記絶縁層の部分を除去する工程と、
前記柱状導電体と前記半導体チップの前記接続部とを接続するように導電層を形成する工程と、
を含む貫通電極基板の製造方法。 - 前記レジストを形成する工程は、前記レジストを前記貫通孔の外縁よりも内側に入り込むように形成することを含む、請求項8に記載の貫通電極基板の製造方法。
- 前記レジストを形成する工程は、前記レジストを前記貫通孔の側壁に接するように形成することを含む、請求項9に記載の貫通電極基板の製造方法。
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