JP2021184487A - 実装基板及び実装基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップの背面に放熱用の部材を取り付けても半導体装置全体の厚みが増加しない実装基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】実装基板１０は、第１面１３及び第１面１３の反対側に位置する第２面１４を有する基板１２と、基板１２の第１面側に位置し、基板１２とは反対の側に露出した電極５２を有する電子部品５０と、電子部品５０に対して基板１２の第１面１３と平行な方向に位置し、且つ、１０μｍ以上の厚さを有する金属部材６１と、電子部品５０及び金属部材６１を少なくとも部分的に覆う絶縁層３４と、絶縁層上に位置する第１部分３１１と、絶縁層３４を貫通し、第１部分３１１と電子部品５０の電極５２とを電気的に接続する第２部分３１２と、を有する導電層３１と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、実装基板に関する。また、本開示の実施形態は、実装基板の製造方法に関する。

従来から、半導体チップなどの電子部品が搭載された実装基板に関する種々の技術が提案されている。例えば特許文献１には、回路面を下に向けたフェイスダウンの状態で半導体チップを基板上に実装したフリップチップボンディング方式の半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置においては、半導体チップで生じた熱を効率的に外部に放出するため、半導体チップの背面に、冷媒路が形成された冷媒路部材が取り付けられている。

特開２０１０−７３８６６号公報

特許文献１のように半導体チップの背面に放熱用の部材を取り付けると、部材の分だけ半導体装置全体の厚みが増加してしまう。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る実装基板を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面側に位置し、前記基板とは反対の側に露出した電極を有する電子部品と、前記電子部品に対して前記基板の前記第１面と平行な方向に位置し、且つ１０μｍ以上の厚さを有する金属部材と、前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層と、前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層と、を備える、実装基板である。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記基板には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記金属部材に重なる第１貫通孔が設けられており、前記実装基板は、前記第１貫通孔内に位置する第１金属層を更に備えてもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記基板には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記電子部品に重なる第２貫通孔が設けられており、前記実装基板は、前記第２貫通孔内に位置する第２金属層を更に備えてもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極と、前記絶縁層を貫通し、前記導電層の前記第１部分と前記貫通電極とを電気的に接続する接続部材と、を更に備えてもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記貫通電極は、導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を介して、前記接続部材に電気的に接続していてもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記貫通電極は、インダクタの一部であってもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記貫通電極に電気的に接続するキャパシタを更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態による実装基板において、前記基板は、ガラスを含有してもよい。

本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第１面側に、前記基板とは反対の側に露出した電極を有する電子部品、及び１０μｍ以上の厚さを有する金属部材を配置する工程と、前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層を形成する工程と、を備える、実装基板の製造方法である。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記基板は、前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を備え、前記導電層を形成する工程は、前記絶縁層を貫通し、前記導電層の前記第１部分と前記貫通電極とを電気的に接続する接続部材を形成する工程を含んでもよい。

本開示の一実施形態は、支持面を有する支持基板を準備する工程と、前記支持基板の前記支持面側に、前記支持基板の側に露出した電極を有する電子部品、及び１０μｍ以上の厚さを有する金属部材を少なくとも含む構造部を配置する工程と、前記構造部に、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板を接合する工程と、前記支持基板を前記構造部から分離する工程と、前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層を形成する工程と、を備える、実装基板の製造方法である。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記基板は、前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を備え、前記絶縁層を貫通し、前記貫通電極と電気的に接続する接続部材を形成する工程を更に備え、前記導電層を形成する工程は、前記接続部材と前記導電層の前記第１部分とを電気的に接続する工程を含んでもよい。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記基板を接合する工程は、導電性粒子とバインダとを含む導電性ペーストを介して前記貫通電極と前記接続部材とを接合する工程を含んでもよい。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記金属部材の配置は、前記金属部材を接着材で接着することを含んでもよい。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記金属部材の配置は、めっき処理により前記金属部材を形成することを含んでもよい。

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記電子部品の配置は、前記電子部品を接着材で接着することを含んでもよい。

本開示の実施形態によれば、より放熱性に優れた実装基板を提供することができる。

一実施形態による実装基板を示す断面図である。 一実施形態の第１の変形例に係る実装基板を示す断面図である。 一実施形態の第２の変形例に係る実装基板を示す断面図である。 一実施形態の第３の変形例に係る実装基板を示す断面図である。 一実施形態の第４の変形例に係る実装基板を示す断面図である。 第１の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第１の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第１の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態に係る実装基板の製造工程を示す図である。

以下、一実施形態に係る実装基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

実装基板
まず、図１を参照して、一実施形態に係る実装基板１０の構成について説明する。図１は、本実施形態による実装基板１０を示す断面図である。

図１に示すように、実装基板１０は、基板１２、電子部品５０、絶縁層３４、導電層３１及び金属部材６１を備える。以下、実装基板１０の各構成要素について説明する。

（基板）
基板１２は、当該基板の厚み方向Ｄにおける上側Ｄ１の第１面１３、及び、第１面１３の反対側すなわち下側に位置する第２面１４を有する。上側Ｄ１の第１面１３は、上述の電子部品５０が実装される面である。なお「上側」及び「下側」という表現は、第１面１３と第２面１４との間の相対的な位置関係に基づく表現に過ぎず、製造時や使用時の実装基板１０の姿勢などを限定するものではない。

基板１２は、一定の絶縁性を有する限り、有機基板であっても無機基板であってもよいが、一定の絶縁性を有する無機材料を含有することが好ましい。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al₂O₃)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO₂)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。

基板１２は、ガラスを含有することがより好ましく、ガラス基板であることがさらに好ましい。当該ガラスの例としては、無アルカリガラスなどのガラスを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２がガラスを含有することにより、基板の絶縁性及び熱への安定性が向上する。

基板１２の厚さは特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上且つ８００μｍ以下の厚さの基板１２を使用することが好ましい。より好ましくは、基板１２は、２００μｍ以上且つ６００μｍ以下の厚さを有する。基板１２の厚さを１００μｍ以上とすることにより、基板１２のたわみが大きくなることを抑制できる。このため、実装基板１０の製造時における基板１２のハンドリングが困難になることを抑制できる。また、基板１２の厚さを８００μｍ以下とすることにより、基板１２に後述の第１貫通孔２０等を形成する場合において、第１貫通孔２０等の形成に要する時間が長くなって実装基板１０の製造コストが上昇してしまうことを抑制できる。なお「厚さ」とは、対象となる構成要素の、基板１２の第１面１３の法線方向における寸法を意味する。

（電子部品）
電子部品５０は、第１面１３上に位置し、導電層３１を通じて電気信号を送信または受信する。電子部品５０は、本体部５１と、本体部５１の上側Ｄ１に位置する電極５２と、を有する。

本体部５１は、例えば、ＬＳＩ(Large-Scale Integration)、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)およびディスクリート部品などのデバイスチップである。ＭＥＭＳとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが１つの基板上に集積化された電子デバイスである。本体部５１は、シリコンなどから構成された基材を少なくとも含む。

電極５２は、電子部品５０の上側Ｄ１に露出している。このため、電極５２は、電子部品５０を他の構成要素に電気的に接続するための端子として機能することができる。

図１に示すように、電子部品５０は、電子部品５０の下側Ｄ２の端面（以下、「電子部品５０の下端面」とも記す。）において第１面１３と接していてもよい。若しくは、図示はしないが、電子部品５０の下端面と第１面１３との間に絶縁層などのその他の構成要素が存在していてもよい。電子部品５０の下端面を第１面１３に接着する場合には、例えば、ダイアタッチメント材などの図示しない接着材を介して第１面１３に接着されている。

電子部品５０の厚さは、特に限定されないが、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下である。

（絶縁層）
絶縁層３４は、電子部品５０及び金属部材６１を少なくとも部分的に覆い、且つ絶縁性を有する層である。絶縁層３４の材料としては、絶縁性を有する限りにおいて特に限定されないが、ポリイミド、エポキシ、アクリル樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの有機材料を用いることができる。

（導電層）
導電層３１は、絶縁層３４又は電子部品５０の上側Ｄ１に少なくとも部分的に位置する、導電性を有する層である。導電層３１は、例えば、電子部品５０などによって送信又は受信される電気信号を伝達するための配線として機能する。

導電層３１は、絶縁層３４の上側Ｄ１に位置する第１部分３１１と、電子部品５０の電極５２まで絶縁層３４を貫通する第２部分３１２とを有する。厚み方向Ｄにおける第２部分３１２の一端は第１部分３１１に接続されており、他端は電極５２に接続されている。

導電層３１の構成は、導電層３１が導電性を有する限りにおいて特に限定されないが、例えば、導電層３１は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。例えば、導電層３１は、絶縁層３４上に位置するシード層と、シード層上に位置するめっき層とを有していてもよい。シード層は、電解めっき処理によってめっき層を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層の材料としては、銅などの導電性を有する材料を用いることができる。シード層の材料は、めっき層の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、シード層は、チタンと銅を順に積層した積層膜や、クロムなどであってもよい。シード層は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法などによって形成してもよい。めっき層は、電解めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層は、銅を含有する。めっき層は、銅と、銅以外の金属、例えば、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムとの合金を含有していてもよく、または、銅と銅以外の金属とを積層したものであってもよい。

（金属部材）
本実施の形態に係る実装基板１０を基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合、第１面１３の面内方向における実装基板１０の端部１０ｅと電子部品５０の端部５０ｅとの間には、上述の導電層３１などの配線が存在する。導電層３１などの配線は、半導体のウェハプロセスを用いて形成され得る配線である。このため、ワイヤボンディングやバンプなどを用いて電子部品５０と他の構成要素との間の電気的な接続を実現する場合に比べて、配線の厚さや長さを低減することができる。これにより、配線の密度を高めることができる。

一方、電子部品５０の端部５０ｅよりも外側に配線が存在することは、電子部品５０の端部５０ｅから実装基板１０の端部１０ｅまでの間に領域が存在することを意味する。このため、電子部品５０の端部５０ｅが実装基板１０の端部１０ｅに近接している場合に比べて、電子部品５０で生じた熱が実装基板１０の端部１０ｅから放出されにくくなる。また、本実施の形態において、基板１２は、好ましくはガラスを含む。一方、ガラスの熱伝導率は、半導体ウェハで一般に用いられるシリコンの熱伝導率よりも低い。このため、第１面１３の面内方向における熱伝導への基板１２の寄与は小さい。この点でも、電子部品５０で生じた熱が実装基板１０の端部１０ｅから放出されにくくなっている。

このような課題に鑑みて、本実施の形態においては、実装基板１０に金属部材６１を設けることを提案する。金属部材６１は、電子部品５０に対して基板１２の第１面１３と平行な方向に位置する。ここで、「平行な方向に位置する」とは、基板１２の第１面１３の面内方向に沿って見た場合に金属部材６１が少なくとも部分的に電子部品５０と重なっていることを意味する。

金属部材６１を配置することにより、実装基板１０における金属部材６１を配置した部分の熱伝導性が高くなり、電子部品５０の発する熱が第１面１３の面内方向に逃げ易くなる。従って、実装基板の放熱性を向上させることができる。また、金属部材６１を、電子部品５０に対して基板１２の第１面１３と平行な方向に配置することにより、実装基板１０の厚さが金属部材６１の厚さの分だけ増加することを抑制することができる。以上より、実装基板１０の全体の厚さを抑えつつ、実装基板１０の放熱性を向上させることができる。

図１に示すように、金属部材６１は、金属部材６１の下側Ｄ２の端面（以下、「金属部材６１の下端面」とも記す。）において第１面１３と接していてもよい。若しくは、図示はしないが、金属部材６１の下端面と第１面１３との間に絶縁層などのその他の構成要素が存在していてもよい。金属部材６１の下端面を第１面１３に接着する場合には、例えば、ダイアタッチメント材などの図示しない接着材を介して第１面１３に接着されている。

金属部材６１の材料としては、絶縁層３４よりも高い熱伝導率を有する材料が用いられる。例えば金属部材６１は、銅、アルミニウム、銀又は鉄の少なくともいずれか一つを含むことができる。金属部材６１の熱伝導率をより高めるため、金属部材６１としてアルマイト処理が施されたアルミニウム箔を用いてもよい。また、例えば金属部材６１は、ニッケルを含む鉄合金であってもよい。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含む鉄合金、いわゆるインバー材や、約４２質量％のニッケルを含む鉄合金、いわゆる４２合金等を挙げることができる。

基板１２の第１面１３の面内方向における金属部材６１と電子部品５０との間の最短距離は、好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。これにより、電子部品５０で生じた熱を効率的に金属部材６１に伝達することができる。

金属部材６１は、配線を構成する導電層の厚さよりも大きな厚さを有し、例えば１０μｍ以上の厚さを有する。より好ましくは、金属部材６１は、５０μｍ以上の厚さを有する。金属部材６１が上記の厚さを有することにより、金属部材６１の断面積を配線に比べて顕著に大きくすることができる。これにより、基板１２の第１面１３の面内方向における金属部材６１の熱抵抗を低くすることができる。従って、電子部品５０で生じた熱を第１面１３の面内方向において効率的に伝達して熱を外部へ放出することができる。

金属部材６１の厚さは、電子部品５０の厚さを大きく超えないことが好ましい。金属部材６１の厚さは、例えば１５０μｍ以下であり、１００μｍ以下であってもよい。また、好ましくは、金属部材６１の厚さは、電子部品５０の厚さ以下である。これにより、金属部材６１を設けることに起因して実装基板１０全体の厚さが増大してしまうことを抑制することができる。

（第１貫通孔及び第１金属層）
基板１２には、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に金属部材６１に重なる第１貫通孔２０が設けられていてもよい。この場合、好ましくは、第１貫通孔２０内に、基板１２よりも高い熱伝導率を有する部材が設けられる。例えば、第１貫通孔２０内に第１金属層６２が位置していてもよい。これにより、例えば基板１２がガラスを含む場合等、基板１２の熱伝導率が低い場合であっても、電子部品５０から金属部材６１に伝わった熱を、第１金属層６２を介して基板１２の厚み方向Ｄに逃がすことができる。このため、実装基板１０の放熱性をより向上させることができる。

第１貫通孔２０の形状について説明する。第１貫通孔２０の側壁は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って広がっていてもよい。若しくは、側壁が、基板１２の第１面１３の法線方向からずれた方向で広がっていてもよく、また、側壁の一部が湾曲していてもよい。

次に、第１貫通孔２０の寸法について説明する。第１貫通孔２０の長さ、すなわち第１面１３の法線方向における第１貫通孔２０の寸法は、基板１２の厚みに等しい。第１貫通孔２０の幅、すなわち第１面１３と平行な方向における第１貫通孔２０の寸法は、例えば４０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。また、第１貫通孔２０の幅に対する長さの比、すなわち第１貫通孔２０のアスペクト比は、例えば４以上且つ１０以下である。

金属部材６１と重なるよう配置される第１貫通孔２０の個数は、実装基板１０が適切な放熱性を有することができるよう決定される。例えば、基板１２の第１面１３のうち金属部材６１と重なる領域において、第１貫通孔２０の密度が９個／ｍｍ²以上であることが好ましい。また、基板１２の強度を確保し、かつ実装基板１０の製造にかかる時間及びコストを抑えるためには、基板１２の第１面１３のうち金属部材６１と重なる領域において、第１貫通孔２０の密度が５０個／ｍｍ²以下であることが好ましい。

第１金属層６２の形状は、実装基板１０が適切な放熱性を有することができる限りにおいて特に限定されない。例えば、図１に示すように、第１貫通孔２０内に第１金属層６２が充填されていてもよい。すなわち、第１金属層６２がいわゆるフィルドビアを構成していてもよい。また、第１金属層６２の厚みが第１貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、第１貫通孔２０の内部には第１金属層６２が存在しない空間があってもよい。すなわち、第１金属層６２は、いわゆるコンフォーマルビアを構成していてもよい。また、第１金属層６２の形状をコンフォーマルビアとする場合においては、第１貫通孔２０の内部の空間は、空洞であってもよいし、有機層等により充填されていてもよい。第１貫通孔２０の内部の空間が有機層により充填される場合においては、絶縁層３４を構成するのに用いる有機材料と同じものにより充填されていてもよい。

なお、図１に示してはいないが、第１金属層６２は、第１貫通孔２０の側壁から基板１２の第１面１３上又は第２面１４上にまで広がっていてもよい。

第１金属層６２は、導電層３１と同様に、第１貫通孔２０の側壁側から順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１金属層６２を構成する材料は、導電層３１の材料と同様であってもよい。

（本実施の形態の効果）
本実施の形態に係る実装基板１０においては、電子部品５０の端部５０ｅから実装基板１０の端部１０ｅまでの間に、導電層や絶縁層などの構成要素が位置することができる領域が存在する。このため、電子部品５０の電極５２に電気的に接続された配線などを、上述の導電層３１などを用いて、電子部品５０の端部５０ｅから実装基板１０の端部１０ｅまでの間の領域に設けることができる。この場合、半導体のウェハプロセスを用いて導電層３１を形成することにより、配線を微細化することができる。これにより、ワイヤボンディングなどを用いて電子部品５０と他の構成要素との間の電気的な接続を実現する場合に比べて、配線の密度を高めることができる。

また、本実施の形態に係る実装基板１０においては、電子部品５０の電極５２が、電子部品５０の上側Ｄ１に露出している。このため、バンプを用いることなく電子部品５０の電極５２を導電層３１に電気的に接続することができる。このことにより、電子部品５０を基板１２上に簡便に搭載することができる。

また、本実施の形態に係る実装基板１０は、電子部品５０に対して基板１２の第１面１３と平行な方向に位置する金属部材６１を備える。これにより、実装基板１０の全体の厚さを抑えつつ、電子部品５０の発する熱が第１面１３の面内方向に逃げ易くすることができる。これにより、実装基板１０の放熱性を向上させることができる。

また、本実施の形態に係る実装基板１０によれば、金属部材６１を通じて逃げる熱を、さらに第１金属層６２を介して基板１２の厚み方向Ｄにも逃がすことができる。これにより、実装基板１０の放熱性をより向上させることができる。

（実装基板の第１の変形例）
次に、上述の実施の形態の第１の変形例について説明する。図２は、第１の変形例による実装基板１０を示す断面図である。

図２に示すように、第１の変形例の実装基板１０においては、基板１２には、第１面１３の法線方向に沿って見た場合に電子部品５０に重なる第２貫通孔２１が設けられている。第２貫通孔２１内には第２金属層６３が位置する。

第２貫通孔２１の形状、寸法及び個数、並びに第２金属層６３の形状は、それぞれ第１貫通孔２０及び第１金属層６２と同様であってもよい。

第２金属層６３は、導電層３１と同様に、第２貫通孔２１の側壁側から順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第２金属層６３を構成する材料は、導電層３１に用いることができる材料と同様であってもよい。

第１の変形例によれば、例えば基板１２がガラスを含む場合等、基板１２の熱伝導率が低い場合であっても、電子部品５０から発された熱を、第２金属層６３を介して基板１２の厚み方向Ｄに逃がすことができる。このため、実装基板１０の放熱性をより向上させることができる。

（実装基板の第２の変形例）
次に、上述の実施の形態の第２の変形例について説明する。図３は、第２の変形例による実装基板１０を示す断面図である。

図３に示すように、第２の変形例の実装基板１０は、基板１２を貫通する貫通電極２３と、絶縁層３４を貫通し、導電層３１の第１部分３１１と貫通電極２３とを電気的に接続する接続部材３２とを備える。

第３貫通孔２２の形状及び寸法、並びに貫通電極２３の形状及び材料は、貫通電極２３が導電性を有する限りにおいて、特には限定されない。例えば、第３貫通孔２２及び貫通電極２３は、それぞれ第１貫通孔２０及び第１金属層６２と同様の形状及び材料を有していてもよい。

貫通電極２３は、導電層３１と同様に、第３貫通孔２２の側壁側から順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。貫通電極２３を構成する材料は、導電層３１の材料と同様であってもよい。

接続部材３２は、導電層３１と同様に、絶縁層３４の上側Ｄ１に順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第２金属層６３を構成する材料は、導電層３１の材料と同様であってもよい。

貫通電極２３は、図３には示していない導電性粒子とバインダとを少なくとも含む導電性部材を介して、接続部材３２に電気的に接続されていてもよい。導電性部材は、後述する導電性ペーストが固化することにより形成される部材である。

（実装基板の第３の変形例）
次に、上述の実施の形態の第３の変形例として、第２の変形例において示した貫通電極２３が、インダクタの一部を構成する例について説明する。図４は、第３の変形例による実装基板１０を示す断面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面に対応する断面図である。

図４に示すように、第３の変形例の実装基板１０においては、導電層３１、貫通電極２３および基板１２の第２面１４側に位置する第２面第１導電層４１が、らせん状の構造体を構成するように接続されている。すなわち、貫通電極２３は、導電層３１および基板１２の第２面１４側に位置する第２面第１導電層４１とともに、インダクタ１７を構成している。

第２面第１導電層４１は、基板１２の第２面１４側に位置する、導電性を有する層である。第２面第１導電層４１の少なくとも一部は、貫通電極２３と電気的に接続している。第２面第１導電層４１は、貫通電極２３と電気的に接続していない部分を有していてもよい。

第２面第１導電層４１は、導電層３１と同様に、基板１２の第２面１４上に順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第２面第１導電層４１を構成する材料は、導電層３１の材料と同様であってもよい。

第３の変形例において、金属部材６１は、図４の通り、第１面１３においてインダクタ１７を構成する貫通電極２３が位置する第３貫通孔２２が並ぶ方向Ｄ５及び方向Ｄ５に直交する方向Ｄ６のそれぞれにおいて広がることが好ましい。これにより、インダクタ１７の発する熱が逃げ易くなり、実装基板１０の放熱性を向上させることができるためである。

第３の変形例によれば、インダクタ１７と電子部品５０とを導電層３１を介して電気的に接続することができるため、インダクタ１７を有する基板１２に電子部品５０を簡便に搭載することができる。また、金属部材６１を備えることにより、電子部品５０やインダクタ１７の発する熱を第１面１３の面内方向に逃げ易くすることができ、実装基板１０の放熱性を向上させることができる。

（実装基板の第４の変形例）
次に、上述の実施の形態の第４の変形例について説明する。図５は、第４の変形例による実装基板１０を示す断面図である。

図５に示すように、第４の変形例において、実装基板１０は、貫通電極２３に電気的に接続されたキャパシタ１５を備える。

キャパシタ１５は、基板１２の第２面１４側に位置している。キャパシタ１５は、例えば、ＭＩＭ (Metal-Insulator-Metal) 構造を有するキャパシタである。図５の例において、キャパシタ１５は、基板１２に対して電子部品５０とほぼ正反対の位置に配置されている。キャパシタ１５の位置は、図５の態様に限定されず、例えば、電子部品５０の正反対の第２面１４の下側Ｄ２の位置から第２面１４に沿った面方向にずれた位置であってもよい。また、キャパシタ１５は、基板１２の第１面１３側に位置していてもよい。

キャパシタ１５は、例えば、貫通電極２３に電気的に接続され、基板１２側に位置する電極を構成する第２面第１導電層４１と、絶縁体を構成する第２面無機層４２と、下部電極よりも基板１２から離れて位置する電極を構成する第２面第２導電層４３とを有するものとすることができる。

第２面無機層４２は、第２面第１導電層４１に対して下側Ｄ２に位置し、無機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第２面無機層４２は、キャパシタ１５の絶縁体以外の部分を有していてもよい。

第２面無機層４２の無機材料としては、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、第２面無機層４２の無機材料の例として、酸化シリコン、酸化アルミ、五酸化タンタル等を挙げることができる。第２面無機層４２は、単一の層から構成されていてもよく、複数の層から構成されていてもよい。

第２面無機層４２は、例えば、プラズマＣＶＤやスパッタリング等の方法によって形成してもよい。また、第２面無機層４２は、例えば、反応性イオンエッチングによってキャパシタ１５に適した大きさ及び形状に加工してもよい。

第２面第２導電層４３は、第２面無機層４２に対して下側Ｄ２に位置する、導電性を有する層である。第２面第２導電層４３は、キャパシタ１５の電極以外の部分を有していてもよい。

第２面第２導電層４３は、導電層３１と同様に、第２面無機層４２の下側Ｄ２に順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。第２面第２導電層４３を構成する材料は、導電層３１の材料と同様であってもよい。

第４の変形例によれば、キャパシタ１５と電子部品５０とを貫通電極２３や導電層３１を介して電気的に接続することができるため、キャパシタ１５を有する基板１２に電子部品５０を簡便に搭載することができる。また、金属部材６１を備えることにより、電子部品５０やキャパシタ１５の発する熱を第１面１３の面内方向に逃げ易くすることができ、実装基板１０の放熱性を向上させることができる。

実装基板の製造方法
以下、実装基板１０の製造方法について説明する。

第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法
まず、図６乃至図８を参照して、第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法について説明する。ここでは、図１に示された実装基板１０を製造する例について説明する。

（基板の準備工程）
図６は、本実施形態による実装基板１０の製造方法を示す断面図である。まず、基板１２を準備する。ここでは、図６に示す通り、第１貫通孔２０及び第１金属層６２を備える基板１２を準備する。第１貫通孔２０及び第１金属層６２は、例えば以下の方法により形成することができる。

まず、第１面１３及び第２面１４の少なくともいずれか一方にレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち第１貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。

次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図６に示すように、基板１２に第１貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法等を用いることができる。

なお、基板１２にレーザを照射することによって、基板１２に第１貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち第１貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に第１貫通孔２０を形成することができる。その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に第１貫通孔２０を形成してもよい。

第１貫通孔２０を形成した後、図６に示すように、第１貫通孔２０の側壁に第１金属層６２を形成する。具体的には、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法等によって、側壁上にシード層を形成する。シード層を形成した後、第１金属層６２を設けないことを意図する領域があれば、当該領域のシード層上にレジスト層を形成する。レジスト層を形成した後、電解めっきにより、レジスト層によって覆われていないシード層上にめっき層を形成する。次に、レジスト層を除去する。その後、シード層のうちレジスト層が形成されていた部分を、ウェットエッチングにより除去する。これにより、シード層及びめっき層を含む第１金属層６２を、第１貫通孔２０の内部などに形成することができる。なお、電解めっき工程の後、めっき層をアニールする工程を実施してもよい。

また、図６に示してはいないが、第１金属層６２は、第１貫通孔２０の側壁から基板１２の第１面１３上又は第２面１４上にまで広がっていてもよい。

また、図６に示してはいないが、第１金属層６２の形状がコンフォーマルビアであってもよい。すなわち、第１貫通孔２０の内部に、第１金属層６２が存在しない空間があってもよい。この場合、第１貫通孔２０の内部に有機層が形成されていてもよい。当該有機層は、例えば以下の工程にて形成することができる。

第１金属層６２を形成した後、有機層を構成するための樹脂層を含むフィルムを、基板１２の第１面１３側及び第２面１４側に配置する。次いで、フィルムを加圧することにより、樹脂層を第１貫通孔２０の内部に押し込む。その後、第１貫通孔２０の内部に押し込まれた樹脂層を、樹脂層に光を照射することなどによって硬化させる。さらに、樹脂層の不要部分を除去する。このようにして、第１貫通孔２０の内部に有機層を形成することができる。なお、第１貫通孔２０の内部に有機層を形成する工程は、後述する、電子部品５０及び金属部材６１を配置する工程の後に実施されてもよい。この場合、第１貫通孔２０の内部の有機層と、電子部品５０及び金属部材６１を少なくとも部分的に覆う絶縁層３４とを、同一の材料を用いて同時に形成してもよい。

なお、図６においては、図１に示す実装基板１０の基板１２を準備する例を示したが、これに限られることはなく、図２又は図３に示す実装基板１０の基板１２を準備してもよい。図２に示す実装基板１０の第２貫通孔２１及び第２金属層６３、並びに図３に示す第３貫通孔２２及び貫通電極２３は、第１貫通孔２０及び第１金属層６２を形成する方法と同様の方法によって形成され得る。

（電子部品及び金属部材の配置工程）
図７は、図６に続く本実施形態による実装基板１０の製造方法を示す断面図である。第１金属層６２を形成した後、図７に示すように、基板１２の第１面１３上に電子部品５０及び金属部材６１を配置する。

〔電子部品の配置〕
電子部品５０の配置の方法は、特に限定されないが、電子部品５０を接着材で接着する工程を含んでいてもよい。

例えば、まず、電子部品５０の配置位置に、接着剤として、例えばフィルム状のダイアタッチメント材を配置する。次に、電子部品５０を、その電極５２を含む回路面を上側Ｄ１に向けたフェイスアップの状態で、配置位置に載置する。これにより、ダイアタッチメント材の粘着力によって電子部品５０を第１面１３上に仮止めすることができる。

〔金属部材の配置〕
金属部材６１の配置の方法は、特に限定されないが、金属部材６１を接着材で接着する工程を含んでいてもよく、めっき処理により金属部材６１を形成する工程を含んでいてもよい。

金属部材６１を接着材で基板１２に接着する場合、あらかじめ厚さを調整した金属部材を用いることができるので、金属部材の厚さが設計からずれることを抑制することができる。

めっき処理により金属部材６１を形成する場合、金属部材６１と同時に第１面１３上に配線などの別部材を形成してもよい。

（絶縁層の形成工程）
電子部品５０及び金属部材６１を配置した後、図８に示すように、第１面１３上、電子部品５０上又は金属部材６１上に、絶縁層３４を形成する。また、電子部品５０の電極５２まで厚み方向Ｄに絶縁層３４を貫通する第１絶縁層貫通孔３４ａを形成する。

絶縁層３４及び第１絶縁層貫通孔３４ａは、例えば以下の方法によって形成することができる。まず、有機材料を含む感光層と、基材とを有するフィルムを、基板１２の第１面１３側に貼り付ける。次いで、フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、フィルムの感光層からなり、第１絶縁層貫通孔３４ａが形成された絶縁層３４を、基板１２の第１面１３側に形成することができる。

（導電層の形成工程）
絶縁層３４を形成した後、図１に示すように、絶縁層３４上に位置する第１部分３１１及び絶縁層３４を貫通する第２部分３１２を含む導電層３１を形成する。導電層３１は、第１金属層６２の形成に用いられる方法と同様の方法でシード層及びめっき層を積層することによって形成してもよい。

なお、図３に示すように基板１２が貫通電極を備える場合は、絶縁層３４を貫通し、導電層３１の第１部分３１１と貫通電極とを電気的に接続する接続部材を、導電層３１の一部として第１部分３１１及び第２部分３１２と同時に形成してもよい。

以上の工程により、図１に示した実装基板１０が得られる。本実施形態の実装基板の製造方法によれば、金属部材６１を設けることにより、電子部品５０の発する熱が第１面１３の面内方向に逃げ易くなり、より放熱性に優れた実装基板１０を提供することができる。

第２の実施の形態に係る実装基板の製造方法
上述の第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法としては、基板１２の第１面１３上に、電子部品５０及び金属部材６１、絶縁層３４、並びに導電層３１を順に配置していく例を示した。第２の実施の形態に係る実装基板の製造方法においては、まず、電子部品５０及び金属部材６１を支持基板７１の支持面７３上に形成し、続いて、電子部品５０及び金属部材６１を支持基板７１から基板１２に転移させることで、基板１２、電子部品５０及び金属部材６１を備えた実装基板１０を得る。以下、本実施の形態に係る実装基板の製造方法について、図９乃至図１４を参照して説明する。ここでは、図３に示された実装基板１０を製造する例について説明する。

（支持基板の準備工程）
図９は、本実施形態による実装基板１０の製造方法を示す断面図である。まず、支持面７３を有する支持基板７１を準備する。電子部品５０及び金属部材６１を適切に支持することができる限りにおいて、支持基板７１の材料は任意である。例えば、支持基板７１の材料は、基板１２の材料と同様であってもよい。

（構造部の形成工程）
支持基板７１を準備した後、図９に示すように、支持基板７１の支持面７３側に、支持基板７１の側に露出した電極５２を有する電子部品５０及び金属部材６１を配置する。

支持基板７１の支持面７３側に、電子部品５０及び金属部材６１以外の構成要素を更に設けてもよい。例えば、電子部品５０及び金属部材６１を少なくとも部分的に覆う絶縁層３４の一部を支持基板７１の支持面７３側に形成してもよい。また、図１０に示すように、電子部品５０と金属部材６１との間隙を充填するように絶縁層３４を形成してもよい。以下の説明において、支持基板７１の支持面７３側に設けられる、少なくとも電子部品５０及び金属部材６１を含む複数の構成要素であって、後に支持基板７１側から基板１２側へ転移する複数の構成要素のことを、構造部６０とも称する。

構造部６０が、電子部品５０と金属部材６１との間隙に位置する絶縁層３４を含む場合、構造部６０を基板１２に接合する後述する工程において、構造部６０と基板１２との接合面が広くなるので、構造部６０に対して基板１２をより強固に接合することができる。また、図示はしないが、電子部品５０と金属部材６１との厚さが異なる場合であっても、電子部品５０又は金属部材６１に対して上側Ｄ３に絶縁層３４を形成することにより、構造部６０の上側Ｄ３の面を平面化することができ、基板１２を接合する工程において、構造部６０に対して基板１２をより強固に接合することができる。

絶縁層３４の一部を支持基板７１の支持面７３側に形成する方法としては、第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法における、絶縁層３４を基板１２の第１面１３上、電子部品５０上又は金属部材６１上に形成する方法と同様の方法を用いることができる。

（接続部材の形成工程）
また、電子部品５０及び金属部材６１を配置する工程の前後において、または当該工程と同時に、図９に示すように接続部材３２を形成する。例えば、第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法における、第１金属層６２を第１貫通孔２０の側壁に形成する方法と同様の方法によって、接続部材３２を支持基板７１の支持面７３上に形成することができる。

（基板の準備工程）
また、図１０に示すような、第１面１３及び前記第１面の反対側に位置する第２面１４を有する基板１２を準備する。基板１２は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に金属部材６１に重なるよう、第１貫通孔２０及び第１金属層６２を備えていてもよい。また、基板１２は、第３貫通孔２２及び第１面１３から第２面１４まで基板１２を貫通する貫通電極２３を備えていてもよい。

（基板の接合工程）
基板１２を準備した後、図１１及び図１２に示すように、構造部６０に基板１２を接合する接合工程を実施する。

接合工程は、図１１に示す通り、導電性粒子とバインダとを含む導電性ペースト８１を介して貫通電極２３と接続部材３２とを接合する工程を含んでもよい。当該工程を含むことにより、構造部６０に基板１２を接合しつつ、導電性ペースト８１により導電性部材を形成し、当該導電性部材を介して貫通電極２３を接続部材３２に電気的に接続することができる。

導電性ペーストは、導電性粒子及びバインダを少なくとも含み、必要に応じて溶媒、添加剤等を含んでもよい。導電性粒子は、導電性を有していればよく、具体的には、金属粒子を使用することができる。金属粒子に用いられる金属としては、銅、銀、またはこれらを用いた合金等を挙げることができる。導電性粒子は、複数種類の金属粒子を組み合わせて使用してもよい。また、バインダには、樹脂を用いることができる。バインダに用いられる樹脂としては、エポキシ樹脂等を挙げることができる。

（支持基板の分離工程）
基板１２の接合工程の後、図１３に示すように、支持基板７１を構造部６０から分離する。ここで、図１３以降の図については、図１２とは図の上下を逆転させて表示する。支持基板７１を分離する具体的な方法については特に限定されないが、例えば、構造部６０と支持基板７１との接着力を、構造部６０と基板１２との接着力よりも低くした上で、支持基板７１を引き剥がすことにより、分離することができる。具体的には、支持基板７１上に構造部６０を形成する工程において、支持基板７１と構造部６０との間に熱剥離性の仮粘着シートを介在させておき、分離工程において仮粘着シートを剥離温度まで加熱し、構造部６０と支持基板７１との接着力を低下させた上で、支持基板７１を引き剥がすことにより、分離することができる。この場合において、剥離温度は、接続部材３２等の構造部６０の構成要素が損傷しないように設定される。

（絶縁層の形成工程）
支持基板７１の分離工程の後、図１４に示すように、電子部品５０及び金属部材６１を少なくとも部分的に覆う絶縁層３４を形成する。例えば、第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法における、絶縁層３４を形成する方法と同様の方法により、絶縁層３４を形成することができる。

なお、図１３に示すように、構造部６０が絶縁層３４の一部を含んでいる場合は、図１４に示すように、構造部６０の絶縁層３４、電子部品５０及び金属部材６１の上側Ｄ１に、さらに絶縁層３４を形成する。

（導電層の形成工程）
絶縁層３４を形成した後、図３に示すように、絶縁層３４上に位置する第１部分３１１及び絶縁層３４を貫通する第２部分３１２を含む導電層３１を形成する。導電層３１は、第１の実施の形態に係る実装基板の製造方法における第１金属層６２を形成する方法と同様の方法でシード層及びめっき層を積層することによって形成してもよい。

以上の工程により、図３に示した実装基板１０が得られる。本実施形態の実装基板の製造方法においても、金属部材６１を設けることにより、電子部品５０の発する熱が第１面１３の面内方向に逃げ易くなり、より放熱性に優れた実装基板１０を提供することができる。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

１０ 実装基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ キャパシタ
１７ インダクタ
２０ 第１貫通孔
２１ 第２貫通孔
２２ 第３貫通孔
２３ 貫通電極
３１ 導電層
３１１ 第１部分
３１２ 第２部分
３２ 接続部材
３４ 絶縁層
３４ａ 第１絶縁層貫通孔
３４ｂ 第２絶縁層貫通孔
４１ 第２面第１導電層
４２ 第２面無機層
４３ 第２面第２導電層
５０ 電子部品
５１ 本体部
５２ 電極
６０ 構造部
６１ 金属部材
６２ 第１金属層
６３ 第２金属層
７１ 支持基板
７３ 支持面
８１ 導電性ペースト

Claims (16)

1. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、前記基板とは反対の側に露出した電極を有する電子部品と、
   前記電子部品に対して前記基板の前記第１面と平行な方向に位置し、且つ１０μｍ以上の厚さを有する金属部材と、
   前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層と、
   前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層と、を備える、実装基板。
2. 前記基板には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記金属部材に重なる第１貫通孔が設けられており、
   前記実装基板は、前記第１貫通孔内に位置する第１金属層を更に備える、請求項１に記載の実装基板。
3. 前記基板には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記電子部品に重なる第２貫通孔が設けられており、
   前記実装基板は、前記第２貫通孔内に位置する第２金属層を更に備える、請求項１又は２に記載の実装基板。
4. 前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極と、
   前記絶縁層を貫通し、前記導電層の前記第１部分と前記貫通電極とを電気的に接続する接続部材と、を更に備える、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の実装基板。
5. 前記貫通電極は、導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を介して、前記接続部材に電気的に接続する、請求項４に記載の実装基板。
6. 前記貫通電極は、インダクタの一部である、請求項４又は５に記載の実装基板。
7. 前記貫通電極に電気的に接続するキャパシタを更に備える、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の実装基板。
8. 前記基板は、ガラスを含有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の実装基板。
9. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板を準備する工程と、
   前記基板の前記第１面側に、前記基板とは反対の側に露出した電極を有する電子部品、及び１０μｍ以上の厚さを有する金属部材を配置する工程と、
   前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層を形成する工程と、を備える、実装基板の製造方法。
10. 前記基板は、前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を備え、
    前記導電層を形成する工程は、前記絶縁層を貫通し、前記導電層の前記第１部分と前記貫通電極とを電気的に接続する接続部材を形成する工程を含む、請求項９に記載の実装基板の製造方法。
11. 支持面を有する支持基板を準備する工程と、
    前記支持基板の前記支持面側に、前記支持基板の側に露出した電極を有する電子部品、及び１０μｍ以上の厚さを有する金属部材を少なくとも含む構造部を配置する工程と、
    前記構造部に、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板を接合する工程と、
    前記支持基板を前記構造部から分離する工程と、
    前記電子部品及び前記金属部材を少なくとも部分的に覆う絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層上に位置する第１部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第１部分と前記電子部品の前記電極とを電気的に接続する第２部分と、を有する導電層を形成する工程と、を備える、実装基板の製造方法。
12. 前記基板は、前記第１面から前記第２面まで前記基板を貫通する貫通電極を備え、
    前記絶縁層を貫通し、前記貫通電極と電気的に接続する接続部材を形成する工程を更に備え、
    前記導電層を形成する工程は、前記接続部材と前記導電層の前記第１部分とを電気的に接続する工程を含む、請求項１１に記載の実装基板の製造方法。
13. 前記基板を接合する工程は、導電性粒子とバインダとを含む導電性ペーストを介して前記貫通電極と前記接続部材とを接合する工程を含む、請求項１２に記載の実装基板の製造方法。
14. 前記金属部材の配置は、前記金属部材を接着材で接着することを含む、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の実装基板の製造方法。
15. 前記金属部材の配置は、めっき処理により前記金属部材を形成することを含む、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の実装基板の製造方法。
16. 前記電子部品の配置は、前記電子部品を接着材で接着することを含む、請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の実装基板の製造方法。

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