CN113424304B - 装载盒及对象基板的装载方法 - Google Patents

装载盒及对象基板的装载方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113424304B
CN113424304B CN202080013515.9A CN202080013515A CN113424304B CN 113424304 B CN113424304 B CN 113424304B CN 202080013515 A CN202080013515 A CN 202080013515A CN 113424304 B CN113424304 B CN 113424304B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target substrate
loading
equal
substrate
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080013515.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113424304A (zh
Inventor
金性振
卢荣镐
金镇哲
张炳圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aibo Solik Co ltd
Original Assignee
Aibo Solik Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aibo Solik Co ltd filed Critical Aibo Solik Co ltd
Publication of CN113424304A publication Critical patent/CN113424304A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113424304B publication Critical patent/CN113424304B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/30—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure
    • B65D85/48—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure for glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/0061—Tools for holding the circuit boards during processing; handling transport of printed circuit boards
    • H05K13/0069—Holders for printed circuit boards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本实施方式涉及一种装载盒以及适用其的对象基板的装载方法。根据本实施方式的装载盒包括：上板；下板，与上述上板隔开间隔相对；边缘支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑对象基板的左、右边缘；及背面支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的中心和背面边缘。

Description

装载盒及对象基板的装载方法
技术领域
本实施方式涉及一种装载盒及对象基板的装载方法。
相关申请的相互参照
本申请要求于2019年3月12日提交的美国临时申请专利申请号62/816,984、于2019年3月12日提交的美国临时申请专利申请号62/816,995、于2019年3月29日提交的美国临时申请专利申请号62/826,105、于2019年3月29日提交的美国临时申请专利申请号62/826,122及于2019年3月29日提交的美国临时申请专利申请号62/826,144的优先权的权益，上述优先权的基础申请全文通过引用包含于本申请中。
背景技术
盒(cassette)用于简便、准确、顺利运输和保管多个基板。通常，在盒中，多个基板以上下多段隔开间隔的方式装载于一侧面开放的框架的内侧，取出所装载的基板，对基板进行作业，然后重新将进行作业后的基板插入到盒中。
半导体封装用玻璃基板用作高端封装基板，其在薄的玻璃基板上形成多个通孔以用作封装基板。相对较薄的玻璃基板由于其特性可能容易受到振动或冲击的影响，而大面积玻璃基板由于其自重而极有可能发生在盒中发生挠度，这可能会促进玻璃基板的损坏。
上述背景技术是发明人拥有的用于导出本发明的技术信息，或者是在导出过程中获知的技术信息，而不一定是在本发明的申请之前向公众公开的已知技术。
作为相关现有技术文献，有韩国授权实用新型第20-0266536号(公告日：2002.02.19.)及韩国公开专利公报第10-2001-0107033号(公开日：2001.12.07.)等。
发明内容
发明要解决的问题
本实施方式的目的在于，提供使在包括玻璃的基板的装载过程和移动过程中传递到包括玻璃的基板的冲击最小，尤其，适合于大面积玻璃基板等的装载和移动的装载盒和利用其的基板的装载方法。
用于解决问题的手段
为了达到上述目的，根据一实施方式的装载盒包括：上板，下板，与上述上板隔开间隔相对，装载空间，在上述上板和上述下板之间形成，以容纳对象基板，边缘支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑对象基板的左、右边缘，及背面支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的背面边缘；上述背面支撑部包括：背面框架，在背面连接上述上板和上述下板，及中间支撑部件，从上述背面框架向前方突出；上述对象基板为包括具有或不具有贯通孔的玻璃基板的基板；上述中间支撑部件以上述边缘支撑部为基准(0mm)，可将对象基板的最大挠度控制在3mm以内。
在一实施方式中，将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，上述边缘支撑部中一侧和中间支撑部件之间的距离D1(mm)可以满足下述条件(1)或(2)。
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330
在一实施方式中，上述中间支撑部件可以包括中间支撑杆，上述中间支撑杆倾斜设置，使得中间衬垫部件所在的上述中间支撑部件的一部分比靠近上述背面框架的另一部分高。
在一实施方式中，上述边缘支撑部包括：侧面框架，在左右两侧分别连接上述上板和上述下板，及边缘支撑部件，布置在上述侧面框架，形成支撑上述对象基板的左、右边缘的侧面狭槽，使上述对象基板不与上述侧面框架相接；多个上述侧面狭槽可以沿着上述侧面框架的上下长度方向隔开间隔形成。
在一实施方式中，上述中间支撑部件包括：连接块，与上述背面框架结合，及中间支撑杆，从上述连接块向前表面突出，越远离上述连接块，上述中间支撑杆的左右宽度越窄；一个或两个以上的上述中间衬垫部件可以布置在上述中间支撑杆。
在一实施方式中，上述中间支撑杆的长度可以为上述装载空间的前后方方向长度的1/3至2/3。
在一实施方式中，上述背面支撑部包括：背面框架，在背面连接上述上板和上述下板，在左右方向上形成有背面插入槽，中间支撑部件，与上述背面插入槽结合，从上述背面框架向前方突出，具有第一宽度部和第二宽度部；及中间衬垫部件，从上述中间支撑部件的上表面突出，直接与上述对象基板相接，控制上述对象基板的挠度；上述第一宽度部可以与上述背面框架连接，上述第二宽度部的宽度可以比上述第一宽度部的宽度窄。
为了达到上述目的，根据一实施方式的对象基板的装载方法包括：进场步骤，将对象基板搬入如上所述的装载盒的装载空间中，支撑步骤，将上述对象基板固定在装载运送部并移动，以使上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部上，，且上述对象基板整体位于上述装载空间中，上述对象基板中间的至少一点以上位于上述中间支撑部件并支撑上述对象基板自重的至少一部分，以上述边缘支撑部为基准(0mm)，将上述对象基板的最大挠度控制在3mm以内，及结束步骤，解除上述装载运送部和上述对象基板的固定；上述对象基板可以包括形成有或未形成有贯通孔的玻璃基板。
将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，上述边缘支撑部中一侧和中间支撑部件之间的距离D1(mm)可以满足下述条件(1)或(2)：
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275；
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330。
为了达到上述目的，根据另一实施方式的对象基板的装载方法包括：搬入步骤，通过适用具有两个以上的手部的装载运送部，在将由下述式1表示的变化量D保持在-15mm至+10mm以内的状态下，将具有长度L(mm)和宽度W(mm)的多边形对象基板搬入如上所述的装载盒的装载空间中，使对象基板进场，使得在上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部上，且上述对象基板整体位于上述装载空间中，支撑步骤，上述对象基板的中间的至少一点以上被中间支撑部件支撑，从而以上述边缘支撑部为基准(0mm)，将上述对象基板的最大挠度控制在3mm以内，及结束步骤，解除上述装载运送部和上述对象基板的固定，并向上述装载盒的外部搬出上述装载运送部；上述对象基板为具有多个贯通孔的玻璃基板或在上述玻璃基板上层叠导电图案和绝缘层而成的半导体封装用基板；将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，在分别具有一个以上手叉的上述手部中，位于不同手部上的手叉之间的最短间隔Wa2(mm)分别满足下述条件(1)或条件(2)：
式(1)：变化量D＝对象基板的内侧高度Hin(mm)–对象基板的外侧高度Hout(mm)；
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，(W/3.4)≤Wa2≤(W/1.8)；
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，(W/2.3)≤Wa2≤(W/1.6)。
在一实施方式中，上述装载盒可以包括多个边缘支撑部，在将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，彼此上下相邻的边缘支撑部之间的间隔Dh(mm)可以满足下述式(2)。
式(2)：25+(GT–0.8)×8≤Dh。
发明的效果
根据本实施方式，能够提供如下的盒，即，即使包括形成有或未形成有贯通孔的玻璃基板的对象基板具有大面积，也可以使在玻璃的装载、移动及搬出时可能发生的损坏最小，没有对象基板的挠度和因此导致的基板损伤问题，可以装载对象基板的盒。
并且，位于装载空间中的对象基板被边缘支撑部和背面支撑部稳定支撑，以能够保持被装载的状态，且可以稳定得到保护以免受到装载过程中可能发生的冲击、从外部施加的冲击等的影响。
附图说明
图1为示出根据本实施方式的一实施例的装载盒的立体图。
图2为示出玻璃基板装载在图1的装载盒上的状态的示意图。
图3为沿图2的Ⅲ-Ⅲ线切割的剖视图。
图4为图3的A部分放大图。
图5为图3的中心支撑部放大图。
图6为示出根据本实施方式的另一实施例的装载盒的立体图。
图7为示出玻璃基板装载在图6的装载盒的状态的示意图。
图8为沿图7的Ⅷ-Ⅷ线切割的剖视图。
图9为图8的A部分放大图。
图10为图8的中心支撑部放大图。
图11为示出图10的中心支撑部的侧视图。
图12为示出图11的中心支撑部支撑玻璃基板的状态的示意图。
图13为说明在本实施方式中实施的叉测试(fork test)的示意图。
图14为说明本实施方式的装载运送部和对象基板以及从a-a’观察的挠度的示意图。
图15为说明位于本实施方式的装载运送部上的对象基板插入到装载空间的过程的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图来对本发明的实施例进行详细说明，以使本发明所属技术领域的普通技术人员轻松实现本实施方式。本发明可通过多种不同的实施方式实现，并不限定于在本说明书中所说明的实施例。纵贯全文，相同的附图标记表示相同的部件。
在本说明书中，作为马库什型描述中包含的术语的“其组合”是指，从由马库什型描述的多个构成要素组成的组中选择的一个以上的混合或组合，从而表示包括从由上述多个构成要素组成的组中选择的一个以上。
在本说明书中，除非另有说明，如“第一”、“第二”或“A”、“B”等术语用于将相同的术语彼此区分。并且，除非与上下文迥然不同的含义，单数表示可以包括复数表示。
在本说明书中，“～”类可以是指在化合物内包括相当于“～”的化合物或“～”的衍生物。
在本说明书中，“B位于A上”是指B以与A直接接触的方式位于A上，或是指B在A与B之间夹着其他层的状态下位于A上，而不限于B以与A的表面直接接触的方式位于A上的意思。
在本说明书中，A连接到B的含义是指A和B直接连接或通过A和B之间的其他构成要素连接，除非另有说明，否则解释不限于A和B直接连接。
在本说明书中，除非另有说明，单数的表述可解释为包括从文脉解读的单数或复数的含义。
在本说明书中，关于挠度，以毫米(mm)单位评价从基准位置下垂部分的位置，并表示为绝对值。
装载盒1
参照图1至图5对根据本实施方式的装载盒进行说明。
图1为示出根据本实施方式的装载盒的立体图，图2为示出对象基板装载在图1的装载盒上的状态的示意图，图3为沿图2的Ⅲ-Ⅲ线切割的剖视图，图4为图3的A部分放大图，图5为图3的背面支撑部放大图。
参照图1至图5，根据本实施方式的装载盒1用于支撑所装载的对象基板G等，且包括上板10、下板20、边缘支撑部40及背面支撑部50。
上述装载盒1还可包括前表面限位器60。
上述上板10和下板20以预先设定的宽度在上下方向上彼此间隔开。上述下板20可以通过在水平和垂直方向上连接多个框架而形成。
上述上板10和下板20通过上述边缘支撑部40和背面支撑部50保持其间隔，在其间形成有装载空间30，该装载空间30用于对象基板G的装载和容纳。其中，上述装载空间30的装载容量可以根据上述上板10和下板20的宽度及上述边缘支撑部40和背面支撑部50的上下方向长度而变化。装载容量，尤其，上述上板10和下板20的面积根据上述对象基板G的规格而变化。
上述对象基板G可以是大面积基板，且可以是厚度为1mm以下的玻璃基板、在上述玻璃基板上形成有贯通孔的贯通玻璃基板(也统称为玻璃基板)、或在上述玻璃基板(或贯通玻璃基板)上形成有绝缘体层和/或导电层的基板。
上述对象基板G可以具有至少一边长度为400mm以上的大致四边形板状，但该形状不限于四边形板状。
上述对象基板G可以包括相向的第一表面和第二表面。
上述对象基板G可以包括贯穿上述第一表面和上述第二表面的芯通孔。
上述芯通孔包括：第一开口部，与上述第一表面相接；第二开口部，与第二表面相接；及最小内径部，该最小内径部为连接上述第一开口部和上述第二开口部的整个芯通孔中内径最窄的区域。
具体而言，上述最小内径部的平均直径可以为50μm至95μm。
上述最小内径部可以满足下式1的条件。
[式1]
0.83×D90≤D50≤1.25×D10
在上述式1中，D50为相当于在最小内径部的直径分布中50％的值，D90为相当于在最小内径部的直径分布中90％的值，D10为相当于在最小内径部的直径分布中10％的值。
上述最小内径部的平均直径可以为55μm至85μm，或可以为60μm至70μm。
更具体而言，上述最小内径部可以满足下式1-1的条件。
[式1-1]
0.83×D90≤D50≤1.25×D10
在上述式1-1中，D50为相当于在最小内径部的直径分布中50％的值，D90为相当于在最小内径部的直径分布中90％的值，D10为相当于在最小内径部的直径分布中10％的值。
具体而言，作为上述第一开口部直径和上述第二开口部直径中大的直径的对象开口部的平均直径可以为70μm至120μm。
具体而言，作为上述第一开口部直径和上述第二开口部直径中大的直径的对象开口部可以满足下述式2的条件。
[式2]
0.9×D90≤D50≤1.1×D10
在上述式2中，D50为相当于在对象开口部的直径分布中50％的值，D90为相当于在对象开口部的直径分布中90％的值，D10为相当于在对象开口部的直径分布中10％的值。
具体而言，作为上述第一开口部直径和上述第二开口部直径中较大者的对象开口部的平均直径可以为80μm至105μm。
具体而言，作为上述第一开口部直径和上述第二开口部直径中较大者的对象开口部可以满足下述式2-1的条件。
[式2-1]
0.92×D90≤D50≤1.08×D10
在上述式2-1中，D50为相当于在对象开口部的直径分布中50％的值，D90为相当于在对象开口部的直径分布中90％的值，D10为相当于在对象开口部的直径分布中10％的值。
在上述芯通孔中，作为与上述第一表面相接的开口部的直径的第一开口部直径和作为与第二表面相接的开口部的直径的第二开口部直径中大的直径的对象开口部的平均直径可以具有比相当于对象开口部的直径分布中50％的值即D50更大的值。
至于在上面说明的直径分布，将对象基板的样品分成9个区划(3×3)，并在左上、左下、中心、右上及右下的5个区域中取样，进行切断处理，用显微镜观察截面来测定直径，以该直径为基准评价上述直径分布。
根据本实施方式的装载盒1可以稳定地装载包括具有上述直径分布和直径的芯通孔的对象基板。
并且，当将上述芯通孔的总长度定义为100％时，上述最小内径部所处的位置可以位于以上述第一开口部为基准40％至60％的位置，或可以位于以上述第一开口部为基准45％至55％的位置。如上，在以芯通孔的总长度为基准上述最小内径部位于如上所述的位置时，可以更容易实现通过对象基板的半导体的封装基板的导电层设计和导电层形成过程，根据本实施方式的装载盒1可以稳定地装载这些敏感的对象基板。
以上述对象基板G的单位面积(1cm×1cm)为基准，可以存在100至3000个上述芯通孔，或可以存在100至2500个上述芯通孔，或可以存在225至1024个上述芯通孔。上述芯通孔可以在上述对象基板上以1.2mm以下的间距设置，或可以以0.12mm至1.2mm的间距设置，或可以以0.3mm至0.9mm的间距设置。满足上述间距条件的对象基板有利于形成导电层等，且可以改善半导体封装基板的性能，根据本实施方式的装载盒1可以稳定地装载这些敏感的对象基板。
上述对象基板G可以为应力调整的玻璃基板。
在上述对象基板中，在作为在上述对象基板的第一表面上连接没有形成上述芯通孔的位置的直线的空白线上测定应力，作为连接形成有上述芯通孔的位置的直线的通孔线上测定应力，设P为在同一对象基板上测定的应力差值，则应力差值P为基于下式(1)值，上述对象基板可以满足为1.5MPa以下的条件。
式(1)P＝Vp-Np
在式(1)中，上述Vp为在通孔线上测定的应力的最大值的最小值之差，上述Np为在空白线上测定的应力的最大值的最小值之差。
上述P值可以为1.35MPa以下，上述P值可以为1.2MPa以下，或可以为1.1MPa以下。并且，上述P值可以为0.01MPa以上，或可以为0.1MPa以上。
当将具有上述范围的应力差值P的形成有芯通孔的对象基板适用作半导体封装用基板时，可以制造具有更稳定的机械物理性能的封装基板，根据本实施方式的装载盒1可以容易装载对象基板。
上述Vp值可以为2.5MPa以下，或可以为2.3MPa以下，上述Vp值可以为2.0MPa以下，或可以为1.8MPa以下。并且，上述Vp值可以为0.2MPa以上，或可以为0.4MPa以上。
当将在通孔线上测定的应力的最大值和最小值之差Vp在上述范围内的形成有芯通孔的玻璃基板适用作半导体封装用基板时，可以制造具有更稳定的机械物理性能的封装基板，且根据本实施方式的装载盒1可以容易装载上述对象基板。
上述Np值可以为1.0MPa以下，或可以为0.9MPa以下，或可以为0.8MPa以下。并且，上述Np值可以为0.1MPa以上，或可以为0.2MPa以上。
当将在空白线上测定的应力的最大值和最小值之差Np在上述范围内的形成有芯通孔的对象基板适用作半导体封装用基板时，可以制造具有更稳定的机械物理性能的封装基板，且根据本实施方式的装载盒1可以容易装载上述对象基板。
设K为在同一玻璃基板的同一表面上测定的应力差比率，上述应力差比率K为基于下式(2)的值，上述玻璃基板可以满足上述应力差比率K为6以下的条件。
式(2)：K＝Lp/La
在式(2)中，上述Lp为在选自作为连接没有形成芯通孔的位置的直线的空白线或作为连接形成芯通孔的位置的直线的通孔线中的对象线上测定的应力的最大值和最小值之差，上述La为在上述对象线上测定的应力的平均值。
具体而言，上述K值可以为5以下，或可以为4.5以下，或可以为4以下。当将具有上述K值的形成有芯通孔的玻璃基板适用作半导体封装用基板时，可以制造具有更稳定的机械物理性能的封装基板，且根据本实施方式的装载盒1可以容易装载上述对象基板。
上述应力差比率K是在上述空白线上测定的值，可以具有2以下的值。具体而言，空白线的应力差比率Kn可以为1.8以下，或大于0.3，或大于0.5。
上述应力差比率K是在上述通孔线是测定的值，可以具有6以下的值，或可以具有5以下的值。通孔线的应力差比率Kv可以为4.5以下，或可以为3以下。并且，通孔线的应力差比率Kv可以为0.5以上，或可以为1.0以上，或可以为1.5以上。
当将具有上述应力差比率K的形成有芯通孔的对象基板适用作半导体封装用基板时，可以制造具有更稳定的机械物理性能的封装基板，且根据本实施方式的装载盒1可以容易装载上述对象基板。
通过适用双折射二维评价装置来分析上述应力。具体而言，作为双折射二维分布评价装置，可以适用NPM公司(Nippon Pulse Korea Co.,LTD)的WPA-200装置。具体而言，当用探头沿着图2中所示的应力测定路径在玻璃基板上读取数据时，双折射值等测定值等被输入到上述装置，然后通过预定的演算过程在测定路径中的应力以压力单位(例如，MPa)表示。此时，可以通过输入光弹性系数和测定对象的厚度来测定应力，在本发明中，适用2.4的光弹性系数值。
上述边缘支撑部40在上述上板10和下板20的左右两侧沿前后方向Y排列，以连接上述上板10和下板20。并且，支撑上述装载空间30的对象基板G的左右两侧的边缘。
上述边缘支撑部40可以包括位于其表面的至少一部分上的缓冲覆盖层。
上述背面支撑部50位于上述上板10和下板20的背面，以连接上述上板10和下板20。
上述背面支撑部50位于距背面中心或上述边缘支撑部40规定距离的位置，以控制装载在上述装载空间30中的对象基板G因自重而发生挠度，具体而言，支撑上述对象基板G的至少一部分，以整体上抑制对象基板G的挠度。
上述前表面限位器60在上述装载空间30的前方阻断装载于装载空间30中的对象基板G，以防止该对象基板G向装载空间30的外部脱离。
上述前表面限位器60可以包括位于其表面的至少一部分上的缓冲覆盖层。
上述装载空间30的对象基板G可以通过上述边缘支撑部40和背面支撑部50保持稳定装载的状态。并且，可以得到保护，以免受到在装载过程中可能发生的冲击、从外部施加的冲击等的影响。并且，可以使在上述对象基板G的装载和移动时可能发生的对象基板G的损伤最小。
边缘支撑部40包括侧面框架41和边缘支撑部件42。
上述侧面框架41具有预先设定的长度，其上侧与上述上板10的侧面结合，其下侧与上述下板20的侧面结合。
上述侧面框架41通过如螺栓等的紧固构件(图中未示出)结合。
上述侧面框架41可由如涂覆或未涂覆保护层的铝形成，但并非限于铝。
上述边缘支撑部件42位于上述装载空间30中，以与上述侧面框架41连接。
上述边缘支撑部件42沿着上述侧面框架41的上下长度方向Z隔开间隔排列。因此，相邻的边缘支撑部件42之间形成有侧面狭槽421。插入到上述侧面狭槽421的上述对象基板G放置在上述边缘支撑部件42的上面上。因此，上述边缘支撑部件42在上述装载空间30支撑上述对象基板G的边缘。另一方面，相邻的边缘支撑部件42彼此连接，以在装载上述对象基板G时防止边缘支撑部件42的侧面与上述侧面框架41相接。并且，上述边缘支撑部件42的表面的至少一部分包括缓冲覆盖层。
上述背面支撑部50可以包括背面框架51、中间支撑部件52、中间衬垫部件53及背面限位器54。
上述背面框架51具有预先设定的长度，其上侧与上述上板10的背面结合，其下侧与上述下板20的背面结合。
上述背面框架51也通过紧固构件结合，且可由如涂覆或未涂覆保护层的铝等形成。
上述背面框架51可以包括背面主杆511和限位器结合杆512，上述背面主杆511在上下长度方向上形成有用于设置连接块的安置槽，上述限位器结合杆512在上述背面主杆的两侧向左右两侧延伸，且与上述背面限位器结合。
在上述背面主杆511可以形成有与上述装载空间30连接的安置槽511a。上述安置槽511a可以沿着上述背面主杆511的上下长度方向Z形成，上述安置槽511a的宽度从内部面越朝向开放的前表面越宽。
上述限位器结合杆512在上述背面主杆511的两侧向左右方向X延伸，具有预先设定的宽度。
上述限位器结合杆512具有平面。
上述限位器结合杆512与上述背面主杆511一体地形成，且可由如涂覆或未涂覆的铝等形成。
上述中间支撑部件52可以包括连接块521和中间支撑杆522。
上述连接块521位于上述安置槽511a，并通过紧固构件(图中未示出)被固定。
上述连接块521可以不脱离上述安置槽511a。也就是说，上述连接块521可以位于连接块内部。
上述中间支撑杆522具有预先设定的长度，且通过上述连接块521与上述背面主杆511连接，从上述连接块521向前方突出。
上述中间支撑杆522的长度可以等于或小于上述装载空间30的前后方向Y的长度，且可以被配置成较短。具体而言，上述中间支撑杆的长度可以是上述装载空间的前后方方向长度的1/3至2/3，或可以是上述装载空间的前后方方向长度的2/5至4/5。
上述中间支撑杆522在至少一点以上支撑上述对象基板G，上述支撑点以下面描述的中间衬垫部件53例示，但也可以由上述中间支撑杆522本身支撑。
当俯视观察上述中间支撑杆522时，上述中间支撑杆522越远离上述连接块521其位置越高，与位于彼此相邻的位置的上述侧面狭槽421相比，上述中间支撑杆522和上述对象基板G相遇的一点的高度会更高。
这是考虑到在上述中间支撑杆522和上述对象基板G相遇的一点，对象基板自重中一部分施加到上述中间支撑杆522，从而中间支撑杆本身可能发生挠度。并且，在不适用上述倾斜，而将上述中间支撑杆522本身的高度设置为整体上比与此对应的相邻上述侧面狭槽421更高的情况下，在对象基板中挠度相对少的部分也发生通过上述中间支撑杆522的接触，反而有可能提高上述对象基板的损伤或污染的可能性。
也就是说，通过上述方法，上述中间支撑杆522顺利分散上述对象基板G自重的一部分，可以进一步缓解上述对象基板的挠度。
当上述中间支撑杆522在至少一点以上支撑上述对象基板G时，与上述中间支撑杆522不支撑上述对象基板G的情况相比，其高度变化被控制在3mm以内。
为了使上述中间支撑杆522在上述高度变化范围内发生挠度，可以控制上述中间支撑杆522的厚度和角度。
具体而言，上述中间支撑杆522可以具有如下形状，即，上述中间支撑杆522与上述对象基板相接的一侧的宽度更窄，且越靠近连接块521越宽。
具体而言，上述中间支撑杆522本身或其上表面可以以规定角度倾斜。上述中间支撑部件52的上表面在连接与上述连接块521结合的一末端和与上述对象基板相接的另一末端的线和与平行于上述上板或上述下板的线相遇的点的角度可以为0.1度至5度，或可以为0.1度至3度。在此情况下，可以控制中间支撑杆522的挠度，可以更有效地控制对象基板G的挠度。
上述中间支撑部件52可由如涂覆或未涂覆的铝等形成，且在上述装载空间30沿上下方向Z排列。
上述中间支撑部件52的排列间隔可以与边缘支撑部件42的排列间隔实质上相同。
上述中间衬垫部件53布置在中间支撑杆522的上表面并向上方突出，且与上述对象基板G的中心部分相接。
上述中间衬垫部件53可以沿着上述中间支撑杆522的长度方向Y隔开间隔排列一个或两个以上。
上述中间衬垫部件53可以包括缓冲覆盖层，上述缓冲覆盖层至少位于上述中间衬垫部件53的表面上。
上述中间衬垫部件53可以在上述中间支撑部件52上沿其长度方向Y支撑上述装载空间30的对象基板G的一部分，使得上述对象基板G可以控制在上述装载空间30可能发生的对象基板的挠度。
在将上述对象基板G的厚度(mm)定义为GT时，作为上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离(mm)的D1可以满足下述条件(1)或(2)。
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330
更具体而言，在将上述对象基板G的厚度(mm)定义为GT时，作为上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离(mm)的D1可以满足下述条件(1-1)或(2-1)。
条件(1-1)：在0.2<GT≤0.5时，200≤D1≤275
条件(2-1)：在0.5<GT≤1.2时，230≤D1≤300
上述中间支撑部件52可以将以上述边缘支撑部40为基准(0mm)的对象基板的最大挠度控制在3mm以内。
以在上述中间支撑部件52不支撑上述对象基板G时为基准(0mm)，在上述中间支撑部件52支撑上述对象基板G时发生的挠度可被控制在3mm以内。
更具体而言，上述对象基板G是玻璃基板或形成有贯通孔的玻璃基板，其厚度可以为0.25mm至0.45mm，上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离即D1可以为200mm至275mm。在此情况下，上述对象基板的挠度可被控制在2mm以内，可以更稳定地保管和移动对象基板。
更具体而言，上述对象基板G可以在形成有贯通孔的玻璃基板的至少一面上形成金属镀层和/或绝缘体层而成，上述对象基板的总平均厚度可以为0.3mm至1.2mm，或可以为0.5mm至0.9mm。此时，上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离D1可以为230mm至300mm。在这种情况下，上述对象基板的挠度可以被控制在1mm以内，且可以更稳定地保管和移动对象基板。
更具体而言，上述对象基板G可以是具有空腔结构的玻璃基板或形成有贯通孔的具有空腔结构的玻璃基板，以没有空腔的较厚的部分为基准的厚度可以为0.4mm至1mm，或可以为0.5mm至0.9mm。此时，上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离D1可以为200mm至275mm。在这种情况下，上述对象基板的挠度可以被控制在2mm以内，且可以更稳定地保管和移动对象基板。
更具体而言，上述对象基板G可以是在具有上述空腔结构的玻璃基板的至少一面上形成金属镀层和/或绝缘体层而成的，上述对象基板的总平均厚度可以为0.5mm至1.3mm，或可以为0.7mm至1.2mm。此时，上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离D1可以为230mm至300mm。在这种情况下，上述对象基板的挠度可以被控制在1mm以内，且可以更稳定地保管和移动对象基板。
上述背面限位器54位于上述装载空间30，并与上述限位器结合杆512连接。
上述背面限位器54沿着上述限位器结合杆512上下长度方向Z排列。在相邻的背面限位器54之间形成有供上述对象基板G插入的背面狭槽541，且相邻的背面限位器54相互连接。其中，对象基板G的背面部分的边缘可以位于上述背面限位器54的上面。此外，相邻的背面限位器54相连。因此，位于背面狭槽541的对象基板G背面部分不与限位器结合杆512相接。背面限位器54的表面的至少一部分可以包括缓冲覆盖层。
上述前表面限位器60包括杆部件61、间隔件62、棒部件63及限位器部件64。
上述间隔件62与位于前表面的上述边缘支撑部40连接，向前方突出。
上述间隔件62可以沿着上述边缘支撑部40的上下长度方向Z排列。
上述杆部件61具有预先设定的长度，并与上述间隔件62连接。
上述杆部件61通过上述间隔件62与上述边缘支撑部40隔开间隔相对。
上述棒部件63从上述杆部件61沿支撑对象基板G的边缘支撑部件42的前表面延伸。
上述限位器部件64在上述棒部件63的端部在上下方向Z上突出，并与位于上述边缘支撑部件42的对象基板G的前表面(厚度面)相对。位于上述边缘支撑部件42的对象基板G的前表面卡在上述限位器部件64，以免从上述装载空间30向前方脱离。
上述前表面限位器60可以沿着上述边缘支撑部40的上下长度方向Z排列。
上述前表面限位器60可以包括缓冲覆盖层，该缓冲覆盖层位于上述前表面限位器60的表面的至少一部分。
在与装载于上述装载空间30的对象基板G相接的部分整体上设置，因此，可以使在上述对象基板G的装载、搬出时可能发生的对象基板G的损伤最小，在上述装载盒1本身移动时，也可以实质上避免位于上述装载空间30的对象基板G的移动或损伤。因此，上述对象基板G的装载性提高，从而不发生对象基板的缺陷，能够提高上述装载盒的可靠性。
上述缓冲覆盖层可以包含聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、氟化乙丙烯(Fluorinated ethylene propylene，FEP)、全氟烷氧基(Perfluoroalkoxy，PFA)或聚芳醚酮(Polyaryletherketone，PAEK)，具体而言，可包含聚醚醚酮(Polyether etherketone，PEEK)。
根据本实施方式的装载盒1还可包括装载运送部70，上述装载运送部70用于将上述对象基板G装载于上述装载空间30或将装载的对象基板G取出。
作为上述装载盒1，可以单独适用一个盒，或也可以侧向形成上述装载盒1和/或侧向堆叠上述装载盒1以形成盒单位体(图中未示出)。当形成上述盒单位体来适用于对象基板的保管和移动时，可以进一步适用用于固定相邻装载盒之间的固定构件(图中未示出)，作为上述固定装置，只要不妨碍对象基板的插入和保管，就可以不受限制地适用。
上述装载运送部70连接到机械臂(图中未示出)等，并且可以通过吸附方法固定上述对象基板G。
上述装载运送部70将上述对象基板G插入到上述侧面狭槽421并放在边缘衬垫部件43。与此相反，提起放在上述边缘衬垫部件43的对象基板G，并将装载的对象基板G从上述装载空间30搬出。
在上述装载运送部70将上述对象基板G置于减压垫上之后，通过使上述减压垫减压的方式吸附、固定上述减压垫来进行移动，之后，在要拆卸的情况下，通过解除减压来分离上述减压垫和上述对象基板G。此时，当上述减压垫和上述对象基板的分离不顺利时，可向上述减压垫施加压缩空气以更容易地分离减压垫和对象基板。
装载盒2
参照图6至图12，对根据另一实施方式的装载盒2进行说明。
图6为示出根据一实施例的装载盒的立体图，图7为示出对象基板装载在图6的装载盒的状态的示意图，图8为沿图7的Ⅷ-Ⅷ线切割的剖视图，图9为图8的A部分放大图，图10为图8的背面支撑部放大图，图11为示出图10的背面支撑部的侧视图，图12为示出图11的背面支撑部支撑对象基板的状态的示意图。
参照图6至图12，根据本实施方式的装载盒2包括上板10、下板20、边缘支撑部40及背面支撑部50。其中，上述上板10和下板20的构成、作用及效果与图1至图5的根据本实施方式的装载盒1的上板和下板的构成、作用及效果相同，因此将省略重复说明。
上述边缘支撑部40包括侧面框架41、边缘支撑部件42及边缘衬垫部件43。并且，上述背面支撑部50包括背面框架51、中间支撑部件52及中间衬垫部件53。
上述侧面框架41连接上述上板10和下板20，且在与上述装载空间30连接的表面在前后方向Y上形成有侧面插入糟411。多个上述侧面插入糟411沿着上述侧面框架41的上下长度方向Z隔开间隔形成。
上述边缘支撑部件42与上述侧面插入糟411结合，向上述装载空间30突出。
上述边缘支撑部件42的上表面和侧面与上述对象基板G相对。
上述边缘衬垫部件43从上述边缘支撑部件42的上表面向上部突出。
上述边缘衬垫部件43沿着上述边缘支撑部件42的长度方向Y排列。
上述边缘衬垫部件43可以包括缓冲覆盖层，该缓冲覆盖层位于上述边缘衬垫部件43的表面的至少一部分上。上述边缘支撑部件42也可以包括缓冲覆盖层，该缓冲覆盖层位于上述边缘支撑部件42的表面的至少一部分。
这种上述边缘支撑部40的构成、作用及效果与图1至图7的根据本实施方式的边缘支撑部的构成、作用及效果相对应，因此下面将省略详细说明。
上述背面支撑部50可以包括背面框架51、中间支撑部件52及中间衬垫部件53。
上述背面框架51连接上述上板10和下板20，且在与上述装载空间30连接的表面在左右方向X上形成有背面插入槽513。其中，以上述下板20为基准，上述侧面插入糟411和背面插入槽513可以形成在同一位置。
上述中间支撑部件52与上述背面插入槽513结合，从上述背面框架51向前方突出。
上述中间支撑部件52可以与上述对象基板G的挠度部分相对，例如，可以与中心部分相对。
上述中间支撑部件52可以包括第一宽度部523和第二宽度部524，该第二宽度部524的宽度小于第一宽度部523的宽度。其中，上述第二宽度部524的长度可以比第一宽度部523的长度长。
上述中间支撑部件52的总长度可以是上述装载空间30的前后方方向长度的1/2以上。
上述中间支撑部件52可以从上述第二宽度部524越朝向第一宽度部523越向下倾斜。也就是说，上述中间支撑部件52可以具有从前方向后方逐渐向下倾斜的形状，在此情况下，即使对象基板发生挠度，也可以减少与中间支撑部件52直接接触的部分，可以减少上述对象基板G的损伤可能性。
上述中间支撑部件52的上表面可以以规定角度倾斜。具体而言，上述中间支撑部件52的上表面在连接与上述背面插入槽513结合的一末端和与上述对象基板相接的另一末端的线和与平行于上述上板或上述下板的线相遇的点的角度可以为0.1度至10度，或可以为0.1度至5度，或可以为0.1度至3度。
上述中间衬垫部件53从上述中间支撑部件52的上表面突出。
上述中间衬垫部件53沿着上述中间支撑部件52的长度方向Y隔开间隔排列。
上述中间衬垫部件53与上述对象基板G相接，可以直接支撑对象基板G的中心部分。
上述中间衬垫部件53通过上述中间支撑部件52支撑上述对象基板G的中心部分，从而可以防止由于对象基板G的自重而导致其中心部分下垂。
如图1至图5所示的本实施方式中说明的多个特征也可以适用于这样的实施方式中。
上述装载盒1、2还可包括包围上述边缘支撑部的保护壳体(图中未示出)。
上述保护壳体可以具有包围上述上板和上述下板中的至少一个和上述边缘支撑部的形状。
上述保护壳体可以整体上具有一面开放的长方体形状，且套在上述装载盒。
上述保护壳体在包围边缘支撑部的表面中一部分或全部还可包括壳体开闭部(图中未示出)，该壳体开闭部允许上述玻璃基板进入且可以开闭。
上述保护壳体可以用来在上述装载盒装载玻璃基板的状态下移动时防止异物混入，并阻止由于流体的流动损坏玻璃基板的可能性。
并且，在层叠多个装载盒进行移动或层叠多个装载盒的状态下，即使任一装载盒的一部分玻璃基板损伤，上述保护壳体也可以用来防止其他装载盒的内部或所装载的玻璃基板损伤。
作为上述保护壳体的材料，可以适用承受玻璃基板和盒的载荷的同时具有优异的抗冲击性、耐热性、耐酸性等的材料，具体而言，可以适用透明或不透明的聚碳酸酯材料等，在此情况下，存在具有足够的强度和优异尺寸稳定性的优点。
对象基板的装载方法
根据另一实施方式的对象基板的装载方法包括：搬入步骤；支撑步骤；及结束步骤。
上述对象基板的装载方法可以通过如上所述的装载盒1、2和下面描述的装载运送部70实现。
上述搬入步骤是通过适用具有两个以上手部(hand)72的装载运送部70来将对象基板G搬入盒1、2的装载空间30中的步骤。
上述对象基板G可以是具有多个贯通孔的玻璃基板或在上述玻璃基板上层叠导电图案和绝缘层而成的半导体封装用基板。
上述对象基板G通常具有较薄的厚度(通常1500μm以下)，因此会容易下垂或弯曲。并且，为了作为半导体封装用基板使用，适用以预先设定的大小在预先设定的位置形成贯通孔(芯通孔)的玻璃基板作为对象基板，应力集中在玻璃基板的一部分区域，玻璃基板整体上可能发生应力不均衡，这会导致基板的机械强度下降。因此，需要使上述对象基板的挠度或弯曲最小的同时稳定地移送和保管对象基板，这在适用大面积基板时更重要。
上述对象基板G可以是具有长度L(mm)和宽度W(mm)的多边形玻璃基板。上述L和W分别独立地为400mm以上，例如，上述对象基板可以包括四边形玻璃基板。
在上述搬入过程中，对象基板G以具有受控制的变化量的方式移动。具体而言，上述变化量由下述式(1)计算(参照图1)。
式(1)：变化量D＝对象基板的内侧高度(Hin，mm)–对象基板的外侧高度(Hout，mm)
作为上述对象基板的内侧高度和外侧高度，测定同一基准线B的高度来适用。
上述变化量D可以在–15mm至+10mm以内，或可以在–10mm至7mm以内，或可以为–10mm至4mm。在上述范围内的变化量可以通过改变所适用的手部的数量、上述手叉的位置和间隔来调节。
上述手部72分别具有一个以上的手叉(hand fork)72a，位于上述手部72的手叉72a之间的最短间隔Wa2(mm)可以分别满足下述条件(1)或条件(2)。GT是指上述对象基板的厚度(mm)。
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，(W/3.4)≤Wa2≤(W/1.8)
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，(W/2.3)≤Wa2≤(W/1.6)
并且，上述Wa2(mm)可以满足下述条件(1-1)或条件(2-1)。
条件(1-1)：在0.1<GT≤0.5时，(W/2.5)≤Wa2≤(W/1.9)
条件(2-1)：在0.5<GT≤1.5时，(W/2.2)≤Wa2≤(W/1.8)
当将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，同一手部72上的手叉72a之间的间隔Wa1值可以满足下述条件(3)或条件(4)。
条件(3)：在0.1<GT≤0.5时，(L/3.4)≤Wa1≤(L/1.8)
条件(4)：在0.5<GT≤1.5时，(L/2.3)≤Wa1≤(L/1.6)
并且，上述Wa1值可以满足下述条件(3-1)或条件(4-1)。
条件(3-1)：在0.1<GT≤0.5时，(L/2.5)≤Wa1≤(L/1.9)
条件(4-1)：在0.5<GT≤1.5时，(L/2.2)≤Wa1≤(L/1.8)
当满足上述手叉72a的间隔条件时，可以更稳定地移动对象基板。
上述对象基板G在将变化量D保持在如上说明的范围内的状态下被搬入装载盒1、2的装载空间30中，且以上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部40上且上述对象基板整体位于上述装载空间30中的方式进场。上述进场可以被沿着预先设定的移动路径移动的装载运送部和手部控制。
例如，示出针对具有508×508(L×W，mm)的尺寸和0.3mm至0.7mm的厚度的形成有贯通孔的玻璃基板进行叉测试的结果。
确认到以形成有贯通孔的玻璃基板为基准，在叉间距(mm)为220时，变化量(内侧高度-外侧高度，mm)为4.7，在叉间距为260时，变化量为-0.6，在叉间距为270时，变化量为-1，在叉间距为320时，变化量为-11，在叉间距为420时，发生-27.5的变化量。
与此相反，作为以未形成贯通孔的玻璃基板为基准的评价结果，确认到在叉间距(mm)为220时，变化量(内侧高度-外侧高度，mm)为4.9，在叉间距为270时，变化量为-0.4，在叉间距为320时，变化量为-5.1，在叉间距为420时，发生-17.1的变化量。
考虑到上述结果，确认到，形成有贯通孔的玻璃基板与未形成贯通孔的玻璃基板相比，挠度发生宽度大，尤其，在叉间距变大时，其变化量急剧增加。另外，据了解，变化量增加的主要原因是内侧高度的变化，被认为是因为玻璃基板的载荷、截面惯性矩(areamoment of inertia)等多种因素的变化。但是，上述结果是针对形成有芯通孔的玻璃基板的评价结果，根据设计的不同，金属图案等导电层或绝缘层可以不对称形成，在这种情况下，可能与上述略有不同。
上述支撑步骤是如下步骤，即，上述对象基板G在其中间的至少一点以上被中间支撑部件52支撑，从而将以上述边缘支撑部40为基准(0mm)的上述对象基板的最大挠度控制在3mm以内(按基准，最大挠度的位置具有负数，但用正数表示评价挠度)。
在上述支撑步骤中，对于上述对象基板G的最大挠度，可以适用调节上述边缘支撑部件42中一侧和中间支撑部件52之间的距离D1的方法。
具体而言，当将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，上述边缘支撑部件中一侧和中间支撑部件之间的距离D1(mm)可以满足下述条件(5)或(6)。
条件(5)：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275
条件(6)：在0.1<GT≤0.5时，220≤D1≤330
更具体而言，当将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，上述边缘支撑部件42中一侧和上述中间支撑部件52之间的距离D1(mm)可以满足下述条件(5-1)至(6-1)。
条件(5-1)：在0.2<GT≤0.5时，200≤D1≤275
条件(6-1)：在0.5<GT≤1.2时，230≤D1≤300
通过适用满足上述条件的中间支撑部件52，有利于将以上述边缘支撑部为基准(0mm)的对象基板的最大挠度控制在3mm以内。
上述中间支撑部件52可以包括中间支撑杆522，上述中间支撑杆522倾斜设置，使得与上述对象基板G相接的中间衬垫部件53所在的一部分比靠近上述背面框架51的另一部分高。并且，在上述支撑步骤中，支撑上述对象基板的上述中间衬垫部件的高度以不支撑上述对象基板时为基准(0mm)变更为3mm以内，从而可以更稳定地起到支撑作用。
上述结束步骤是解除上述装载运送部70和上述对象基板G的固定并将上述装载运送部搬出上述装载盒1、2外部的步骤。
在上述装载运送部的手部72中，手叉72a位于与上述对象基板直接相接的部分，上述手叉选择性地可包括压力调节装置(图中未示出)，具体而言，通过上述手部与额外设置的压力调节装置(图中未示出)连接，使得上述手叉可以调节气压以吸入或呼出空气。例如，在要固定上述对象基板的情况下，在使上述手叉和上述对象基板相接的状态下进行减压以吸入空气，从而可以将对象基板稳定地固定在手部上。在上述结束步骤中解除减压来除去上述手叉固定上述对象基板的力量，使上述手叉选择性地暂时呼出空气，从而上述手叉和上述对象基板可容易分离。
上述装载盒1、2包括多个边缘支撑部40，当将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，彼此上下相邻的边缘支撑部之间的间隔Dh(mm)可以满足下述式(2)。
式(2)：25+(GT–0.8)×8≤Dh
为了装载的效率，上述Dh可以为40mm以下，或可以为35mm以下。
对象基板的装载方法
根据又一实施方式的对象基板的装载方法包括：进场步骤，将对象基板搬入上述装载盒的装载空间中，上述对象基板包括形成有或不形成有贯通孔的玻璃基板；支撑步骤，将上述对象基板固定在装载运送部并移动，以使在上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部上，且上述对象基板整体位于上述装载空间中，上述对象基板中间的至少一点以上位于上述中间支撑部件并支撑上述对象基板自重的至少一部分；及结束步骤，解除上述装载运送部和上述对象基板的固定。
在上述支撑步骤和上述结束步骤中，以上述边缘支撑部为基准(0mm)，上述对象基板的最大挠度被控制在3mm以内。
具体而言，上述对象基板的装载方法包括如下步骤，从而装载上述对象基板：进场步骤，将固定在减压垫(图中未示出)上的对象基板搬入装载空间中，使得上述对象基板位于边缘支撑部40；及支撑步骤，解除上述减压垫的减压，将上述对象基板的左、右边缘置于上述边缘支撑部40，且上述中间支撑部件52支撑上述对象基板中间的至少一点以上。
如上所述，上述对象基板是包括具有或不具有贯通孔的玻璃基板的基板等。
当将上述对象基板的厚度(mm)定义为GT时，上述边缘支撑部件中一侧和上述中间支撑部件之间的距离D1(mm)可以满足下述条件(1)或(2)。
条件(1)：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275
条件(2)：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330
上述中间支撑部件52可以以上述边缘支撑部为基准(0mm)，将对象基板的最大挠度控制在3mm以内。
上述对象基板G的至少一面与倾斜的上述中间支撑部件52在至少一点相接并被支撑。
在上述支撑步骤中，以上述中间支撑部件52不支撑上述对象基板时为基准(0mm)，在上述中间支撑部件52支撑上述对象基板时发生的挠度可以控制在3mm以内。
上述中间支撑部件可以包括中间支撑杆，该中间支撑杆倾斜设置，使得与上述对象基板相接的中间衬垫部件所在的上述中间支撑部件的一部分比靠近上述背面框架的另一部分高。并且，在上述支撑步骤中，支撑上述对象基板的上述中间衬垫部件的高度，以不支撑上述对象基板时为基准(0mm)变更为3mm以内，从而可以更稳定地起到支撑作用。
下面，通过具体实施例更详细地说明本发明。下述实施例仅是用于帮助理解本发明的示例，而本发明的范围不限于此。
<比较例-通过没有中间支撑部件的装载盒装载形成有贯通孔的玻璃基板>
作为对象基板，准备宽度和长度分别为500mm、厚度约为0.4mm的形成有贯通孔(以1mm间距形成100μm直径的孔)的玻璃基板G。
之后，准备了装载盒，该装载盒包括：上板；下板，与上述上板隔开间隔相对；装载空间，在上述上板和上述下板之间形成，以容纳对象基板；边缘支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑对象基板的左、右边缘；及背面支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的背面边缘。
之后，将所准备的上述玻璃基板通过装载运送部搬入所准备的上述装载盒的装载空间中，放置24小时。
在此情况下，在用边缘支撑部支撑上述玻璃基板的左右两侧边缘而没有中间支撑部件的情况下，在作为对象基板的玻璃基板的中心部分发生30mm以上的挠度。
<实施例-通过装载盒装载形成有贯通孔的玻璃基板>
准备了与在上述比较例中使用的玻璃基板相同的玻璃基板G。
之后，准备了装载盒，该装载盒包括：上板10，下板20，与上述上板10隔开间隔相对，装载空间30，在上述上板和上述下板之间形成，以容纳对象基板，边缘支撑部40，将上述上板和上述下板连接，支撑对象基板的左、右边缘，及背面支撑部50，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的背面边缘；上述背面支撑部50包括：背面框架51，在背面连接上述上板10和上述下板20，及中间支撑部件52，从上述背面框架向前方突出。
之后，将所准备的上述玻璃基板通过装载运送部70搬入所准备的上述装载盒的装载空间中，放置24小时。
结果，在左侧边缘和中间支撑部件之间和中间支撑部件和右侧边缘之间分别发生玻璃基板的挠度，确认到，该挠度程度分别约为0.9mm和约1mm，即，实质上能够很好地控制玻璃挠度。
如上所述，虽然对本发明的优选实施例进行了详细说明，但应当理解为，本发明的范围不限于上述实施例，而是使用在权利要求书中定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变更或变形均属于本发明的范围。
附图标记说明
1、2：装载盒
10：上板
20：下板
30：装载空间
40：边缘支撑部
41：侧面框架
411：侧面插入糟
42：边缘支撑部件
421：侧面狭槽
43：边缘衬垫部件
50：背面支撑部
51：背面框架
511：背面主杆
511a：安置槽
512：限位器结合杆
513：背面插入槽
52：中间支撑部件
521：连接块
522：中间支撑杆
523：第一宽度部
524：第二宽度部
53：中间衬垫部件
54：背面限位器
541：背面狭槽
60：前表面限位器
61：杆部件
62：间隔件
63：棒部件
64：限位器部件
70：装载运送部

Claims (9)

1.一种装载盒，其特征在于，包括：
上板，
下板，与上述上板隔开间隔相对，
装载空间，在上述上板和上述下板之间形成，以容纳对象基板，
边缘支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的左、右边缘，及
背面支撑部，将上述上板和上述下板连接，支撑上述对象基板的背面边缘；
上述背面支撑部包括：
背面框架，在背面连接上述上板和上述下板，及
中间支撑部件，从上述背面框架向前方突出；
上述对象基板为包括具有或不具有贯通孔的玻璃基板的基板；
上述中间支撑部件，以上述边缘支撑部为基准，即以0mm为基准，将对象基板的最大挠度控制在3mm以内，
上述中间支撑部件包括中间支撑杆，上述中间支撑杆倾斜设置，使得中间衬垫部件所在的上述中间支撑部件的一部分比靠近上述背面框架的上述中间支撑部件的另一部分高，
上述中间衬垫部件从上述中间支撑部件的上表面突出，直接与上述对象基板相接，控制上述对象基板的挠度。
2.根据权利要求1所述的装载盒，其特征在于，
将上述对象基板的厚度定义为GT时，上述边缘支撑部中一侧和中间支撑部件之间的距离D1满足下述第一条件或第二条件，其中，上述厚度和上述距离的单位为mm：
第一条件：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275；
第二条件：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330。
3.根据权利要求1所述的装载盒，其特征在于，
上述边缘支撑部包括：
侧面框架，在左右两侧分别连接上述上板和上述下板，及
边缘支撑部件，布置在上述侧面框架，形成支撑上述对象基板的左、右边缘的侧面狭槽，使上述对象基板不与上述侧面框架相接；
多个上述侧面狭槽沿着上述侧面框架的上下长度方向隔开间隔形成。
4.根据权利要求1所述的装载盒，其特征在于，
上述中间支撑部件包括：
连接块，与上述背面框架结合，及
上述中间支撑杆，从上述连接块向前表面突出，越远离上述连接块，上述中间支撑杆的左右宽度越窄；
一个或两个以上的上述中间衬垫部件布置在上述中间支撑杆。
5.根据权利要求1所述的装载盒，其特征在于，
上述中间支撑杆的长度为上述装载空间的前后方方向长度的1/3至2/3。
6.根据权利要求1所述的装载盒，其特征在于，
上述背面框架在左右方向上形成有背面插入槽，
上述中间支撑部件与上述背面插入槽结合，具有第一宽度部和第二宽度部，
上述第一宽度部与上述背面框架连接，上述第二宽度部的宽度比上述第一宽度部的宽度窄。
7.一种对象基板的装载方法，其特征在于，包括：
进场步骤，将对象基板搬入权利要求1所述的装载盒的装载空间中，
支撑步骤，将上述对象基板固定在装载运送部并移动，以使上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部上且使上述对象基板整体位于上述装载空间中，上述对象基板中间的至少一点以上位于上述中间支撑部件且支撑上述对象基板自重的至少一部分，从而以上述边缘支撑部为基准，即以0mm为基准，将上述对象基板的最大挠度控制在3mm以内，及
结束步骤，解除上述装载运送部和上述对象基板的固定；
上述对象基板包括形成有或未形成有贯通孔的玻璃基板，
将上述对象基板的厚度定义为GT时，作为上述边缘支撑部中一侧和中间支撑部件之间的距离D1满足下述第一条件或第二条件，其中，上述厚度和上述距离的单位为mm：
第一条件：在0.1<GT≤0.5时，150≤D1≤275；
第二条件：在0.5<GT≤1.5时，220≤D1≤330。
8.一种对象基板的装载方法，其特征在于，
搬入步骤，通过适用具有两个以上的手部的装载运送部，在将由下述第一式表示的变化量D保持在-15mm至+10mm以内的状态下，将具有长度L和宽度W的多边形对象基板搬入权利要求1所述的装载盒的装载空间中，使上述对象基板进场，使得在上述对象基板的左、右边缘位于上述装载盒的边缘支撑部上，且上述对象基板整体位于上述装载空间中，上述长度和宽度的单位为mm，
支撑步骤，上述对象基板的中间的至少一点以上被中间支撑部件支撑，从而以上述边缘支撑部为基准，即以0mm为基准，将上述对象基板的最大挠度控制在3mm以内，及
结束步骤，解除上述装载运送部和上述对象基板的固定，并向上述装载盒的外部搬出上述装载运送部；
上述对象基板为具有多个贯通孔的玻璃基板或在上述玻璃基板上层叠导电图案和绝缘层而成的半导体封装用基板；
将上述对象基板的厚度定义为GT时，在分别具有一个以上手叉的上述手部中，位于不同手部上的手叉之间的最短间隔Wa2分别满足下述第一条件或第二条件，上述厚度和Wa2的单位为mm：
第一式：变化量D＝对象基板的内侧高度Hin–对象基板的外侧高度Hout，其中，对象基板的内侧高度和外侧高度的单位为mm；
第一条件：在0.1<GT≤0.5时，(W/3.4)≤Wa2≤(W/1.8)
第二条件：在0.5<GT≤1.5时，(W/2.3)≤Wa2≤(W/1.6)。
9.根据权利要求8所述的对象基板的装载方法，其特征在于，
上述装载盒包括多个边缘支撑部，
在将上述对象基板的厚度定义为GT时，
彼此上下相邻的边缘支撑部之间的间隔Dh满足下述第二式，其中，上述厚度和Dh的单位为mm：
第二式：25+(GT–0.8)×8≤Dh。
CN202080013515.9A 2019-03-12 2020-03-12 装载盒及对象基板的装载方法 Active CN113424304B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962816995P 2019-03-12 2019-03-12
US201962816984P 2019-03-12 2019-03-12
US62/816,984 2019-03-12
US62/816,995 2019-03-12
US201962826122P 2019-03-29 2019-03-29
US201962826105P 2019-03-29 2019-03-29
US201962826144P 2019-03-29 2019-03-29
US62/826,122 2019-03-29
US62/826,105 2019-03-29
US62/826,144 2019-03-29
PCT/KR2020/003480 WO2020185020A1 (ko) 2019-03-12 2020-03-12 유리를 포함하는 기판의 적재 카세트 및 이를 적용한 기판의 적재방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113424304A CN113424304A (zh) 2021-09-21
CN113424304B true CN113424304B (zh) 2024-04-12

Family

ID=72426431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080013515.9A Active CN113424304B (zh) 2019-03-12 2020-03-12 装载盒及对象基板的装载方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11981501B2 (zh)
KR (1) KR102537005B1 (zh)
CN (1) CN113424304B (zh)
WO (1) WO2020185020A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6915037B2 (ja) * 2017-02-27 2021-08-04 ミライアル株式会社 基板収納容器
KR20220121297A (ko) * 2021-02-24 2022-09-01 삼성디스플레이 주식회사 유리판 적재 장치 및 이를 이용한 유리판 강화 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000142876A (ja) * 1999-01-01 2000-05-23 Sharp Corp 基板収納カセット
KR20020008574A (ko) * 2000-07-24 2002-01-31 김영민 멀티 포크형 엔드 이펙터 및 유리기판의 반송방법
CN1614464A (zh) * 2003-11-08 2005-05-11 纳伊系统株式会社 液晶面板用玻璃基板的收纳盒
CN101415626A (zh) * 2006-04-07 2009-04-22 纳幕尔杜邦公司 支承杆件和基底盒
KR20130027159A (ko) * 2011-09-07 2013-03-15 효창산업 주식회사 엘씨디 글라스용 카세트의 서포트바 및 그 서포트바 조립 지그
CN107758041A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 象牙弗隆泰克株式会社 盒及其包括的用于支撑基板装载盒的支撑杆的插入结构体
CN107848878A (zh) * 2015-07-24 2018-03-27 旭硝子株式会社 玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法

Family Cites Families (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835598A (en) 1985-06-13 1989-05-30 Matsushita Electric Works, Ltd. Wiring board
US5081563A (en) 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
US5304743A (en) 1992-05-12 1994-04-19 Lsi Logic Corporation Multilayer IC semiconductor package
JP3173250B2 (ja) 1993-10-25 2001-06-04 ソニー株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR0184043B1 (ko) 1995-08-01 1999-05-01 구자홍 브이오디용 멀티인터페이스 시스템
KR0150124B1 (ko) 1995-12-13 1998-10-15 김광호 액정표시장치 글래스 적재용 카세트 및 지그
BR9913588A (pt) 1998-09-10 2001-06-05 Viasystems Group Inc Microvia não circular
JP3878663B2 (ja) 1999-06-18 2007-02-07 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
JP4605184B2 (ja) 1999-08-25 2011-01-05 日立化成工業株式会社 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法
KR100361464B1 (ko) 2000-05-24 2002-11-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 수납용 카세트
KR100720090B1 (ko) 2000-08-29 2007-05-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 글래스 적재 카세트
EP1220309A1 (en) 2000-12-28 2002-07-03 STMicroelectronics S.r.l. Manufacturing method of an electronic device package
JP4012375B2 (ja) 2001-05-31 2007-11-21 株式会社ルネサステクノロジ 配線基板およびその製造方法
JP4092890B2 (ja) 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
KR200266536Y1 (ko) 2001-07-12 2002-02-28 (주)상아프론테크 액정표시장치 글래스 적재용 카세트의 사이드 프레임
JP3998984B2 (ja) 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
KR100447323B1 (ko) 2002-03-22 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 물리기상 증착 방법
KR20030077070A (ko) * 2002-03-25 2003-10-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 중력불량측정용 카세트
US20040107569A1 (en) 2002-12-05 2004-06-10 John Guzek Metal core substrate packaging
EP1435651B1 (en) 2003-01-02 2012-11-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymetrically configured dielectric layers
JP2004311919A (ja) 2003-02-21 2004-11-04 Shinko Electric Ind Co Ltd スルーホールフィル方法
KR20060111449A (ko) 2003-09-24 2006-10-27 이비덴 가부시키가이샤 인터포저, 다층프린트배선판
JP3951055B2 (ja) 2004-02-18 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7416789B2 (en) 2004-11-01 2008-08-26 H.C. Starck Inc. Refractory metal substrate with improved thermal conductivity
US20060182556A1 (en) * 2005-01-10 2006-08-17 Au Optronics Corporation Substrate transportation device (wire)
US7299111B2 (en) 2005-02-04 2007-11-20 Johnson Controls Technology Company Method of clearing an HVAC control fault code memory
JP2006293257A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Samsung Electronics Co Ltd 表示パネル用ガラスを積載するためのガラスカセット
JP4891235B2 (ja) 2005-06-01 2012-03-07 パナソニック株式会社 回路基板とその製造方法及びこれを用いた電子部品
JP4804083B2 (ja) 2005-09-15 2011-10-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 導電性金属ペースト
KR100687557B1 (ko) 2005-12-07 2007-02-27 삼성전기주식회사 뒤틀림이 개선된 기판 및 기판형성방법
JP5021216B2 (ja) 2006-02-22 2012-09-05 イビデン株式会社 プリント配線板およびその製造方法
TWI433626B (zh) 2006-03-17 2014-04-01 Ngk Spark Plug Co 配線基板之製造方法及印刷用遮罩
JP2007281252A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 E I Du Pont De Nemours & Co 基板カセット
KR100794961B1 (ko) 2006-07-04 2008-01-16 주식회사제4기한국 인쇄회로기판 제조용 ｐｓａｐ 방법
US20080017407A1 (en) 2006-07-24 2008-01-24 Ibiden Co., Ltd. Interposer and electronic device using the same
KR20080047127A (ko) * 2006-11-24 2008-05-28 엘지디스플레이 주식회사 기판 수납용 카세트 및 이를 포함하는 기판반송장치
US20100044089A1 (en) 2007-03-01 2010-02-25 Akinobu Shibuya Interposer integrated with capacitors and method for manufacturing the same
US20080217761A1 (en) 2007-03-08 2008-09-11 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of semiconductor device package and method of the same
KR100859206B1 (ko) 2007-03-15 2008-09-18 주식회사제4기한국 플라즈마를 이용한 ｌｖｈ 제조방법
JP4840245B2 (ja) 2007-04-27 2011-12-21 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
WO2009005492A1 (en) 2007-06-29 2009-01-08 United States Postal Service Systems and methods for validating an address
JP2009295862A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp 高周波樹脂パッケージ
US8304915B2 (en) 2008-07-23 2012-11-06 Nec Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010080679A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Kyocera Corp 半導体装置の製造方法
KR101655331B1 (ko) 2008-10-15 2016-09-07 사일렉스 마이크로시스템스 에이비 비아 상호접속을 제조하는 방법
KR100993220B1 (ko) 2008-10-22 2010-11-10 주식회사 디이엔티 노광장비용 카세트의 위치 정렬장치
KR101058685B1 (ko) 2009-02-26 2011-08-22 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 이의 제조 방법
KR101341273B1 (ko) 2009-06-22 2013-12-12 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 패키지 및 당해 반도체 패키지의 실장구조
US8774580B2 (en) 2009-12-02 2014-07-08 Alcatel Lucent Turning mirror for photonic integrated circuits
CN102097330B (zh) 2009-12-11 2013-01-02 日月光半导体（上海）股份有限公司 封装基板的导通结构及其制造方法
US9420707B2 (en) 2009-12-17 2016-08-16 Intel Corporation Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same
JP5904556B2 (ja) 2010-03-03 2016-04-13 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 無機インターポーザ上のパッケージ貫通ビア（ｔｐｖ）構造およびその製造方法
KR101179386B1 (ko) 2010-04-08 2012-09-03 성균관대학교산학협력단 패키지 기판의 제조방법
JP2011228495A (ja) 2010-04-20 2011-11-10 Asahi Glass Co Ltd 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法および半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板
CN102844857A (zh) 2010-04-20 2012-12-26 旭硝子株式会社 半导体器件贯通电极用的玻璃基板
US8846451B2 (en) 2010-07-30 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Methods for depositing metal in high aspect ratio features
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
US9167694B2 (en) 2010-11-02 2015-10-20 Georgia Tech Research Corporation Ultra-thin interposer assemblies with through vias
CN102122691B (zh) 2011-01-18 2015-06-10 王楚雯 Led外延片、led结构及led结构的形成方法
KR20120051992A (ko) 2010-11-15 2012-05-23 삼성전기주식회사 방열 기판 및 그 제조 방법, 그리고 상기 방열 기판을 구비하는 패키지 구조체
JP5855905B2 (ja) 2010-12-16 2016-02-09 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
JP2013038374A (ja) 2011-01-20 2013-02-21 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
US9420708B2 (en) 2011-03-29 2016-08-16 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer printed wiring board
KR101160120B1 (ko) 2011-04-01 2012-06-26 한밭대학교 산학협력단 유리기판의 금속 배선 방법 및 이를 이용한 유리기판
US20130050227A1 (en) 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Glass as a substrate material and a final package for mems and ic devices
JP5820673B2 (ja) 2011-09-15 2015-11-24 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI437672B (zh) 2011-12-16 2014-05-11 利用氣體充壓以抑制載板翹曲的載板固定方法
US9117730B2 (en) 2011-12-29 2015-08-25 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
US20130293482A1 (en) 2012-05-04 2013-11-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Transparent through-glass via
US8816218B2 (en) 2012-05-29 2014-08-26 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Multilayer electronic structures with vias having different dimensions
JP6083152B2 (ja) 2012-08-24 2017-02-22 ソニー株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP6007044B2 (ja) 2012-09-27 2016-10-12 新光電気工業株式会社 配線基板
JP6114527B2 (ja) 2012-10-05 2017-04-12 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2015038912A (ja) 2012-10-25 2015-02-26 イビデン株式会社 電子部品内蔵配線板およびその製造方法
US9113574B2 (en) 2012-10-25 2015-08-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board with built-in electronic component and method for manufacturing the same
JP2014127701A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
JP2014139963A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラス基板の製造方法
KR101825276B1 (ko) 2013-03-15 2018-02-02 쇼오트 글라스 테크놀로지스 (쑤저우) 코퍼레이션 리미티드. 화학 강인화 가요성 초박형 유리
US20140326686A1 (en) * 2013-05-06 2014-11-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Substrate cartridge
KR101468680B1 (ko) 2013-05-09 2014-12-04 (주)옵토레인 인터포저 기판의 관통전극 형성 방법 및 인터포저 기판을 포함하는 반도체 패키지
JP2014236029A (ja) 2013-05-31 2014-12-15 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP5993812B2 (ja) 2013-07-10 2016-09-14 富士フイルム株式会社 導電膜の製造方法
KR20150014167A (ko) 2013-07-29 2015-02-06 삼성전기주식회사 유리 코어가 구비된 인쇄회로기판
KR101531097B1 (ko) 2013-08-22 2015-06-23 삼성전기주식회사 인터포저 기판 및 이의 제조방법
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
US9263370B2 (en) 2013-09-27 2016-02-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Semiconductor device with via bar
JP2015070189A (ja) 2013-09-30 2015-04-13 凸版印刷株式会社 インターポーザーおよびその製造方法、並びにインターポーザーを備える半導体装置およびその製造方法
JP2015080800A (ja) 2013-10-23 2015-04-27 旭硝子株式会社 レーザ光を用いてガラス基板に貫通孔を形成する方法
JP6201663B2 (ja) 2013-11-13 2017-09-27 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板、および半導体装置
JP5846185B2 (ja) 2013-11-21 2016-01-20 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9472479B2 (en) 2014-01-31 2016-10-18 Corning Incorporated Methods and apparatus for providing an interposer for interconnecting semiconductor chips
JP6273873B2 (ja) 2014-02-04 2018-02-07 大日本印刷株式会社 ガラスインターポーザー基板の製造方法
US9768090B2 (en) 2014-02-14 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US9935090B2 (en) 2014-02-14 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
US10026671B2 (en) 2014-02-14 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate design for semiconductor packages and method of forming same
KR102155740B1 (ko) 2014-02-21 2020-09-14 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
WO2015183915A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 The University Of Florida Research Foundation, Inc. Glass interposer integrated high quality electronic components and systems
US10802260B2 (en) * 2014-05-29 2020-10-13 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
JP6466252B2 (ja) 2014-06-19 2019-02-06 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2016009844A (ja) 2014-06-26 2016-01-18 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6387712B2 (ja) 2014-07-07 2018-09-12 イビデン株式会社 プリント配線板
JP6121001B2 (ja) 2014-08-29 2017-04-26 三井金属鉱業株式会社 導電体の接続構造及びその製造方法、導電性組成物並びに電子部品モジュール
CN105814687B (zh) 2014-09-30 2019-01-25 株式会社村田制作所 半导体封装及其安装结构
US20160111380A1 (en) 2014-10-21 2016-04-21 Georgia Tech Research Corporation New structure of microelectronic packages with edge protection by coating
KR102388635B1 (ko) 2014-11-05 2022-04-20 코닝 인코포레이티드 비평면 특징들을 가지는 유리 물품들 및 무알칼리 유리 요소들
JP6539992B2 (ja) 2014-11-14 2019-07-10 凸版印刷株式会社 配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法
JP2016111221A (ja) 2014-12-08 2016-06-20 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
KR102380304B1 (ko) 2015-01-23 2022-03-30 삼성전기주식회사 전자부품 내장 기판 및 그 제조방법
KR101696705B1 (ko) 2015-01-30 2017-01-17 주식회사 심텍 칩 내장형 pcb 및 그 제조 방법과, 그 적층 패키지
US9778226B2 (en) 2015-02-19 2017-10-03 Saudi Arabian Oil Company Slug flow monitoring and gas measurement
US9585257B2 (en) 2015-03-25 2017-02-28 Globalfoundries Inc. Method of forming a glass interposer with thermal vias
CN104714317B (zh) * 2015-04-07 2017-06-23 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种卡匣及基板转移装置
KR102172630B1 (ko) 2015-04-16 2020-11-04 삼성전기주식회사 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법
JP6596906B2 (ja) 2015-04-30 2019-10-30 大日本印刷株式会社 貫通電極基板並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置
TWI544580B (zh) 2015-05-01 2016-08-01 頎邦科技股份有限公司 具中空腔室之半導體封裝製程
US9984979B2 (en) 2015-05-11 2018-05-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package and method of manufacturing the same
KR20160132751A (ko) 2015-05-11 2016-11-21 삼성전기주식회사 전자부품 패키지 및 그 제조방법
KR102425753B1 (ko) 2015-06-01 2022-07-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 인쇄회로기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP6657609B2 (ja) 2015-06-12 2020-03-04 凸版印刷株式会社 配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
CN105035717B (zh) * 2015-06-23 2019-09-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 装卸卡匣的系统和装卸卡匣的方法
JP2017050315A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP6369436B2 (ja) 2015-09-29 2018-08-08 大日本印刷株式会社 貫通電極基板および貫通電極基板の製造方法
EP3758048B1 (en) 2015-10-02 2022-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. A bonding junction structure
US20170103249A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Corning Incorporated Glass-based substrate with vias and process of forming the same
JP6690929B2 (ja) 2015-12-16 2020-04-28 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法
JP6720534B2 (ja) 2016-01-07 2020-07-08 日立化成株式会社 組立品の製造方法、加圧接合容器及び加圧接合装置
KR102450599B1 (ko) 2016-01-12 2022-10-07 삼성전기주식회사 패키지기판
US10330874B2 (en) 2016-02-02 2019-06-25 Georgia Tech Research Corporation Mixed-signal substrate with integrated through-substrate vias
CN109070549B (zh) 2016-04-28 2021-07-06 Ａｇｃ株式会社 玻璃层叠体及其制造方法
WO2017185354A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. High strength ultrathin glass and the making method therefore
TWI559410B (zh) 2016-05-09 2016-11-21 以壓差法抑制材料翹曲的方法
US10072328B2 (en) 2016-05-24 2018-09-11 Emagin Corporation High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor
JP6747063B2 (ja) 2016-06-01 2020-08-26 凸版印刷株式会社 ガラス回路基板
US10366904B2 (en) 2016-09-08 2019-07-30 Corning Incorporated Articles having holes with morphology attributes and methods for fabricating the same
CN206541281U (zh) 2016-10-12 2017-10-03 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 一种电子器件结构及其使用的超薄玻璃板
TWI669797B (zh) 2016-11-16 2019-08-21 矽品精密工業股份有限公司 電子裝置及其製法與基板結構
JP7080579B2 (ja) 2016-12-02 2022-06-06 凸版印刷株式会社 電子部品製造方法
CN106449574B (zh) 2016-12-05 2019-04-30 中国科学院微电子研究所 同轴式差分对硅通孔结构
JP2018107256A (ja) 2016-12-26 2018-07-05 凸版印刷株式会社 ガラス配線板、半導体パッケージ基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP6984277B2 (ja) 2016-12-27 2021-12-17 大日本印刷株式会社 有孔基板、有孔基板を備える実装基板及び有孔基板の製造方法
JP6810617B2 (ja) 2017-01-16 2021-01-06 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
JP7021854B2 (ja) 2017-01-24 2022-02-17 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 電力用電子回路パッケージおよびその製造方法
DE102018100299A1 (de) 2017-01-27 2018-08-02 Schott Ag Strukturiertes plattenförmiges Glaselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20180240778A1 (en) 2017-02-22 2018-08-23 Intel Corporation Embedded multi-die interconnect bridge with improved power delivery
JP7022365B2 (ja) 2017-03-24 2022-02-18 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及びその製造方法
JP2018163901A (ja) 2017-03-24 2018-10-18 イビデン株式会社 プリント配線板
JP6889855B2 (ja) 2017-03-31 2021-06-18 大日本印刷株式会社 貫通電極基板およびその製造方法
JP2018174189A (ja) 2017-03-31 2018-11-08 大日本印刷株式会社 貫通電極基板およびその製造方法
KR20180116733A (ko) 2017-04-14 2018-10-25 한국전자통신연구원 반도체 패키지
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP2018199605A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板の製造方法およびガラス基板
KR101980871B1 (ko) 2017-06-30 2019-05-23 한국과학기술원 관통형 ｔｇｖ 금속 배선 형성 방법
JP6928896B2 (ja) 2017-07-05 2021-09-01 大日本印刷株式会社 実装基板及び実装基板の製造方法
JP6871095B2 (ja) 2017-07-14 2021-05-12 株式会社ディスコ ガラスインターポーザの製造方法
CN109411432B (zh) 2017-08-18 2020-09-18 财团法人工业技术研究院 半导体封装重布线层结构
KR102028715B1 (ko) 2017-12-19 2019-10-07 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR101903485B1 (ko) * 2018-03-27 2018-10-02 (주)상아프론테크 기판 적재용 카세트
CN108878343B (zh) 2018-06-29 2022-05-03 信利半导体有限公司 一种柔性显示装置的制造方法
KR101944718B1 (ko) 2018-07-05 2019-02-01 (주)상아프론테크 인서트 구조체 및 이를 구비한 기판 적재용 카세트
JP6669201B2 (ja) 2018-07-06 2020-03-18 大日本印刷株式会社 貫通電極基板
KR20230033077A (ko) * 2021-08-26 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 글래스 수납용 카세트, 글래스를 카세트에 적재하는 방법 및 커버 윈도우의 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000142876A (ja) * 1999-01-01 2000-05-23 Sharp Corp 基板収納カセット
KR20020008574A (ko) * 2000-07-24 2002-01-31 김영민 멀티 포크형 엔드 이펙터 및 유리기판의 반송방법
CN1614464A (zh) * 2003-11-08 2005-05-11 纳伊系统株式会社 液晶面板用玻璃基板的收纳盒
CN101415626A (zh) * 2006-04-07 2009-04-22 纳幕尔杜邦公司 支承杆件和基底盒
KR20130027159A (ko) * 2011-09-07 2013-03-15 효창산업 주식회사 엘씨디 글라스용 카세트의 서포트바 및 그 서포트바 조립 지그
CN107848878A (zh) * 2015-07-24 2018-03-27 旭硝子株式会社 玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法
CN107758041A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 象牙弗隆泰克株式会社 盒及其包括的用于支撑基板装载盒的支撑杆的插入结构体

Also Published As

Publication number Publication date
US20220048699A1 (en) 2022-02-17
WO2020185020A1 (ko) 2020-09-17
CN113424304A (zh) 2021-09-21
KR102537005B1 (ko) 2023-05-26
US11981501B2 (en) 2024-05-14
KR20210068578A (ko) 2021-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113424304B (zh) 装载盒及对象基板的装载方法
US7547175B2 (en) Transfer device for substrate and storing device and hand therein, and substrate handled by the device
US20060226093A1 (en) Glass cassette for loading glass substrates of display panels
TWI290352B (en) Wafer carrier with wafer retaining system
US20070215437A1 (en) Gas Bearing Substrate-Loading Mechanism Process
CN1298599C (zh) 用于半导体晶片输送容器的晶片支承件连接
KR20090082092A (ko) 기판 파지 장치 및 그것을 구비한 기판 반송 로봇, 반도체 제조 장치
JP2018522810A (ja) ガラス基板をエッジ仕上げするための方法および装置
US8505468B2 (en) Substrate accommodating tray
KR102174217B1 (ko) 기판 가이드, 캐리어
KR101422628B1 (ko) 글래스판 곤포용 팰릿 및 글래스판 곤포체
KR100361464B1 (ko) 기판 수납용 카세트
KR102467792B1 (ko) 글라스 기판의 이송 시 발생되는 손상을 방지하는 컨베이어 장치
JP4638787B2 (ja) 物品積層処理方法及び装置
JP2007210641A (ja) 梱包ケースおよび梱包方法
KR102324629B1 (ko) 로봇 암 정렬 장치 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치
KR102133328B1 (ko) 사이드 지지구조체 및 이를 구비한 기판 적재용 카세트
JP2008098295A (ja) 基板収納カセット及び収納ケース
US20220234948A1 (en) Substrate loading cassette and method of processing substrate using the same
KR101669081B1 (ko) 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이
WO2024084538A1 (ja) ロボットハンド、基板搬送装置、保持ユニット、及び基板取り出し方法
TWI841930B (zh) 用於提取基板之處理系統
JP2009040478A (ja) 梱包ケース
KR20240061328A (ko) 웨이퍼 카세트
KR20180013006A (ko) 풉 웨이퍼 캐리어의 트레이

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220110

Address after: State of Georgia, US

Applicant after: Aibo solik Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: SKC Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant