JP3878663B2 - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、特に、複数のチップ状電子部品を内蔵しながらも容易に製造可能な配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップ等を搭載するための配線基板の中には、その内部に別途製造したコンデンサ、インダクタ、抵抗その他の電子部品を内蔵したものがある。特に、近時は、ＩＣチップの駆動周波数がますます高くなり、電源電位と接地電位との間に侵入するノイズを除去するため、より大きな静電容量のコンデンサを内蔵させ、電源配線と設置配線との間にコンデンサを接続することが求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、静電容量の大きなコンデンサを形成することは困難であり、歩留まりも低く高価である。
そこで、静電容量は比較的小さいが、安価なチップ状コンデンサを多数内蔵させて、これらを並列に接続して全体として大きな静電容量のコンデンサを合成することが考えられる。
ところが、このように多数のチップ状コンデンサを１つずつ内蔵させるのは、面倒であり工数もかかる上、位置ズレを生じて接続不良となったものがあると、その分静電容量値が低くなるなど、特性や性能が不安定になって歩留まりが低下しやすい。
【０００４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、形成容易で歩留まりも高い、電子部品として、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を内蔵した配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そしてその解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなり、上記凹部内に上記チップコンデンサ集合体を配置し固着させる配置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【０００６】
この配線基板の製造方法では、配置固着工程によって、凹部内に複数のチップコンデンサを収容することができる。このため、多数のチップコンデンサを収容する場合には、それらを用いて静電容量の大きなコンデンサを合成することができる。しかも、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を用いることで、一度に複数のチップコンデンサを凹部内に配置固着させることができるので、多数のチップコンデンサを凹部内に配置固着させるのに比して、極めて容易かつ歩留まり良く収納できる。
【０００７】
さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、フリップチップパッドなどのＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【０００８】
なお、配線は、第１主面の上方及び集合電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成されているが、その他、第２主面の下方（第２主面側）にも形成することができる。
【０００９】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記チップコンデンサと上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子とを接続してなり、上記貫通孔内に上記集合電子部品を配置し固着させる配置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１０】
この配線基板の製造方法によれば、配置固着工程によって、貫通孔内に複数のチップコンデンサを収容することができる。このため、多数のチップコンデンサを収容する場合には、それらを用いて静電容量の大きなコンデンサを合成することができる。しかも、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を用いることで、一度に複数のチップコンデンサを貫通孔内に配置固着させることができるので、多数のチップコンデンサを貫通孔内に配置固着させるのに比して、極めて容易かつ歩留まり良く収納できる。
なお、配線は、第２主面の下方及びチップコンデンサ集合体のうち第２主面側の面の下方（第２主面側）にも形成することができる。
【００１１】
さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１２】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる配線基板である。
【００１３】
この配線基板では、凹部内に複数のチップコンデンサを収容することができる。さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１４】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる配線基板である。
【００１５】
この配線基板では、貫通孔内に複数のチップコンデンサを収容することができる。さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明の配線基板１００は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００は、破線で示すチップコンデンサ２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体２０を接続し固着して内蔵するコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４５，４６，５５，５６を備える。
【００１７】
このうち、コア基板本体１０は、略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底のチップコンデンサ集合体内蔵用の凹部（以下単に凹部ともいう）１１を備える。この凹部１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１内には、上述のようにチップコンデンサ集合体２０が内蔵されている。また、このコア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されている。
【００１８】
チップコンデンサ集合体（以下、単に集合体ともいう）２０は、図２に示すように、同形状のチップコンデンサ２４を、エポキシ樹脂からなるモールド体２５で多数（本例では、８ヶ）集積したものであり、各チップコンデンサ２４は、それぞれ略四角柱状の本体部２４Ａとその端部を取り巻いて形成された端子部２４Ｂ，２４Ｃを備える。集合体２０の上面２０Ａには、各端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれぞれ接続する上面接続パッド２１を備える。図２では図示しないが、同様に集合体２０の下面２０Ｂにも、各端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれぞれ接続する下面接続パッド２２が形成されている（図１参照）。チップコンデンサ２４は、２段４列に並べられており、互いにわずかに隙間を空けて配置されている。これらチップコンデンサ２４同士の隙間、チップコンデンサ２４の上方と下方、及びこれらの周縁には、モールド体２５が配置されている。
【００１９】
さらに、集合体２０は、図１に示すように、下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体１０に内蔵された集合体２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能になっている。さらに、この集合体２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂３２によって凹部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっている。
【００２０】
さらに、コア基板本体上面１０Ａ及び集合体上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方にも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００２１】
また、チップコンデンサ２４の端子部２４Ｂと接続する上部接続パッド２１Ｂは、配線層４５のうち第１転換層６０によって互いに接続されている（図１参照）。同様に、図示しないが、端子部２４Ｃと接続する上部接続パッド２１Ｃも、配線層４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、各チップコンデンサ２４は、並列に接続されたことになり、多数（本例では８ヶ）のチップコンデンサ２４によって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサを形成できたことになる。なお、第１転換層６０や第２転換層はいずれも、配線層４６やフリップチップパッド１０１を介してＩＣチップ１と接続することができる。
【００２２】
一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とが配線層５５，５６によって結ばれる。このため、ＬＧＡパッド１０３から配線層５５，５６、底面スルーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、チップコンデンサ２４に接続できる。つまり、集合体２０を介して、ＬＧＡパッド１０３からＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）に接続することができる。したがって、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、底部スルーホール導体１２、集合体２０、第１転換層６０あるいは第２転換層、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、集合体２０により形成される合成コンデンサで電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、集合体２０は、コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができる。したがって、集合体２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、集合体２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長さ）をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００２３】
また、第１転換層６０や第２転換層と多数のフリップチップパッド１０１との間は、配線層４６で並列に接続されている。したがって、全体として、ＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）と第１，第２転換層や集合体２０との間の抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
同様に、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導体１２との間も並列に接続されている。したがって、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体２０の各チップコンデンサ２４とを結ぶ配線５５，５６や底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００２４】
一方、信号線など集合体２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から配線層４５，４６を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体１０を貫通して、配線層５５，５６からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにチップコンデンサ２４を多数集積した集合体２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００２５】
次いで、上記配線基板１００の製造方法について、個別の部材である集合体２０、コア基板本体１０の製造方法を含めて説明する。まず、このチップコンデンサ集合体２０の製造方法について説明する。チップコンデンサ２４を治具容器内の所定位置に配置し、エポキシ樹脂２６を注入浸漬し硬化させて、図３（ａ）に示すように、内部に閉じこめるようにモールドする。なお、モールド手法としては、インジェクションモールドによっても良い。チップコンデンサ２４は、公知のチップコンデンサを用いれば良く、例えば、積層セラミックコンデンサを用いる。この積層セラミックコンデンサは、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層とＰｄを主成分とする電極層とを交互に積層したもので、電極層は１つおきに端子部２４Ｂ及び２４Ｃに接続している。
【００２６】
その後、図３（ｂ）に示すようにエポキシ樹脂２６の上下を研磨して寸法を整えてモールド体２５とするとともに、その上下に平面２５Ａ，２５Ｂを形成する。ついで、平面２５Ａ，２５Ｂ側からそれぞれレーザ加工により、端子部２４Ｂ，２４Ｃの一部が露出するように、透孔２５Ｃをそれぞれ穿孔する（図３（ｃ）参照）。その後、メッキによって、透孔２５Ｃ内から平面２５Ａ（上面２０Ａ）をそれぞれ越えて突出する上面接続パッド２１（２１Ｂ，２１Ｃ）を、及び透孔２５Ｄ内から平面２５Ｂ（下面２０Ｂ）をそれぞれ越えて突出する下面接続パッド２２（２２Ｂ，２２Ｃ）を形成して（図３（ｄ）参照）、集合体２０を形成する。
【００２７】
この集合体２０では、小型のチップコンデンサ２４を多数内蔵している。このチップコンデンサ２４は、静電容量はやや小さいが、安価で信頼性も高いので、集合体２０も安価にでき、しかも、上述のように第１転換層６０や第２転換層によって容易に合成コンデンサを形成でき、しかも大きな静電容量を得ることができる。
完成した集合体２０は、各チップコンデンサ２４のショートの有無、静電容量値、チップコンデンサ２４同士間の絶縁抵抗値のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のある集合体２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のある集合体２０を使用する危険性を減少させることができる。
【００２８】
次いで、コア基板本体１０およびその製造方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、集合体２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキからなる底部スルーホール導体１２が、上記集合体２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されている。
【００２９】
なお、このコア基板本体１０には、そのコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていない。後述するように、コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を内蔵してから形成するからである。
【００３０】
さらに、このコア基板本体下面１０Ｂには、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部にＣｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したがって、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すように、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハンダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等によって配線層（例えば配線層５５など）を形成することができる。
【００３１】
このように、底部スルーホール導体１２の内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適するので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成したい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や配線層５５を形成したい場合に好都合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることもできる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この接続配線と配線層５５とを接続させることもできる。
【００３２】
このコア基板本体１０は、以下のようにして製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部コア基板本体１３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成する。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくしたい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００３３】
その後、公知のスルーホール導体形成手法により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させる。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をする。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像して不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
【００３４】
一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部コア基板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチングにより形成しておく。
【００３５】
次いで、図５（ｅ）に示すように、底部コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示すコア基板本体１０が作成できる。
【００３６】
本実施形態のように、凹部１１を有するコア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スルーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成することができる。したがって安価にコア基板本体１０を形成することができる。
【００３７】
次いで、このコア基板本体１０に集合体２０を内蔵固着させ、コアスルーホール導体３３を形成する工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
このように、集合体２０を用いたため、多数のチップコンデンサ２４を一度に凹部１１内に配置し、それぞれ底部スルーホール導体１２と接続させることができる。
【００３８】
凹部１１内のフラックスを洗浄除去した後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及び上面２０Ａ上に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、集合体２０が底部スルーホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合にも、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する不具合が防止される。
【００３９】
さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａ上及び集合体２０の上面２０Ａ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１と、上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。このようにして製作した集合体内蔵コア基板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中に集合体２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティも良好にできる。
【００４０】
さらに、図７（ａ）に示すように、このコア基板本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
次いで、公知のスルーホール導体形成手法によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。このようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア基板ともいう）３０を作成する。
【００４１】
このコア基板３０は、コア基板本体１０の他、集合体２０をその凹部１１に内蔵している。しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３３、あるいは、上面接続パッド２１や底部スルーホール導体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦にされている。したがって、集合体２０を内蔵しない通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることができる。
【００４２】
本実施形態では、コアスルーホール導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することができるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度に形成することができる。
【００４３】
その後は、このコア基板３０を用いて、公知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すればよい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前に、以下の処理を行う。即ち、図７（ｂ）に示すように、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良い。
【００４４】
さらに、図７（ｃ）に示すように、平坦化樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にする。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホール導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができる。
【００４５】
以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬化させて、図８（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００４６】
さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置されることになる。なお、前記したように、配線層４５のうち、チップコンデンサ２４の端子部２４Ｂにから延びる上部接続パッド２１Ｂに接続するものは、互いに接続して第１転換層６０をなしている。
【００４７】
以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップチップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフローすることで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面には、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。
【００４８】
また本実施形態では、上述のように樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいずれの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等を形成しても良い。
【００４９】
（変形形態１）
次いで、変形形態１にかかる配線基板２００を、図９を参照しつつ説明する。
上記実施形態では、チップコンデンサ集合体２０は、その上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ上面接続パッド２１及び下面接続パッド２２を有し、下面接続パッド２３は、凹部１１の底部１１Ｔに形成した底部スルーホール導体１２とそれぞれ接続し、配線層５５，５６によってＬＧＡパッド１０３と接続していた。
これに対し、本変形形態では、チップコンデンサ集合体２２０の下面２２０Ｂにはパッドは形成されておらず、凹部２１１の底部にも底部スルーホール導体は形成されていない。従って、集合体２２０は、その上面２２０Ａ側の上面接続パッド２２１でのみ接続できる点で異なるが、その他は同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分についてはその説明を省略あるいは簡略化する。
【００５０】
配線基板２００は、上記実施形態の配線基板１００と同様、略正方形板状で、その上面２００Ａに、破線で示すＩＣチップ２０１と接続するためのフリップチップパッド２０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ２０２が形成されている。一方、配線基板下面２００ＢにはＬＧＡパッド２０３が多数形成されている。この配線基板２００は、破線で示すチップコンデンサ２２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体２２０を固着内蔵するコア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層２４１，２４２，２４３，２５１，２５２，２５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層２４５，２４６，２５５，２５６を備える。
【００５１】
コア基板本体２１０は、その略中央にコア基板本体上面２１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の底部２１１Ｔには、実施形態１と異なり底部スルーホール導体は形成されていない。また、この凹部２１１内には集合体２２０が内蔵され、コア基板本体２１０の周縁部には、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形成されている。
【００５２】
集合体２２０は、同形状のチップコンデンサ２２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ２２４は、実施形態１のチップコンデンサ２４と同様である。集合体２２０の上面２２０Ａには、実施形態１と同様に上面接続パッド２２１を備える。しかし、下面２２０Ｂには下面接続パッドは形成されていない。
さらに、集合体２２０は、図９に示すように、下面２２０Ｂにおいて、凹部２１１の底面２１１Ｂと当接して、充填樹脂２３２によって凹部２１１内に固定されコア基板本体２１０と一体になっている。
【００５３】
チップコンデンサ２２４の一方の端子部と接続する上部接続パッド２２１Ｂは、実施形態１と同様に、配線層２４５のうち第１転換層２６０によって互いに接続されている（図１参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層２４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ２２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。なお、第１転換層２６０や第２転換層はいずれも、配線層２４６やフリップチップパッド２０１を介してＩＣチップ２０１と接続することができる。
【００５４】
一方、この集合体２２０は、実施形態１と異なり、凹部２１１の底部２１１Ｔを通じてＬＧＡパッド２０３に接続することがない。しかし、配線層２４５，２４６を通じて電源電位や接地電位と接続させることで、これらの間のノイズを除去することができる。しかも、集合体２２０は、コア基板本体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ２０１のごく近くに配置することができる。したがって、集合体２２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本変形形態では、集合体２２０を、ＩＣチップ２０１の直下（フリップチップパッド２０１の直下）に配置する構造としたので、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長さ）をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５５】
この配線基板２００の製造方法は、底部スルーホール導体をコア基板本体２１０の形成しない点や、集合体２２０をハンダ付けによって接続固定しない点などを除いて、実施形態１とほぼ同様である。つまり、底部に底部スルーホール導体を形成しない点を除いて実施形態１と同様にして形成したコア基板本体２１０の凹部２１１内に、集合体２２０を下面２２０Ｂを下にして配置し、底面２１１Ｂに当接させる。その後、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２を凹部２１１内及びコア基板本体上面２１０Ａ上や集合体上面２２０Ａ上に注入塗布して、集合体２２０を凹部内に固着する。以降は、実施形態１と同様に、整面しコアスルーホール導体２３３を形成、さらには、各絶縁樹脂層２４１，２４２，２４３，２５１，２５２，２５３や配線層２４５，２４６，２５５，２５６を形成して、配線基板２００を完成させる。
このように、集合体２２０を用いたため、多数のチップコンデンサ２２４を個々に凹部２１１内に配置し、配線層２４５と接続させる等の手間は不要であり、集合体２２０を凹部２１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ２２４を内蔵させることができる。
【００５６】
（実施形態２）
次いで、実施形態２について説明する。上記実施形態１では集合体２０を凹部１１内に配置し固着した。しかし、図１０に示す本実施形態の配線基板３００では、コア基板本体３１０の貫通孔３１１内にチップコンデンサ集合体３２０を配置し、その下面３２０Ｂに形成した下面接続パッド３２２は配線層３５５と接続し、配線層３５６を介してＬＧＡパッド３０３と接続している点で異なる。また、実施形態１の集合体２０では、チップコンデンサ２４はその内部に埋め込まれ、各端子部２４Ｂ，２４Ｃは、上面接続パッド２１及び下面接続パッド２２によってそれぞれ外部に引き出されていた。しかし、本実施形態の集合体３２０では、チップコンデンサ３２４の端子部３２４Ｂ，３２４Ｃが上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂから露出して、上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２とされている点で異なるが、他はほぼ同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省略あるいは簡略化する。
【００５７】
配線基板３００は、実施形態１の配線基板１００と同様、略正方形板状で、その上面３００Ａに、破線で示すＩＣチップ３０１と接続するためのフリップチップパッド３０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ３０２が形成されている。一方、配線基板下面３００ＢにはＬＧＡパッド３０３が多数形成されている。この配線基板３００は、破線で示すチップコンデンサ３２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体３２０を固着内蔵するコア基板本体３１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層３４１，３４２，３４３，３５１，３５２，３５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層３４５，３４６，３５５，３５６を備える。
【００５８】
コア基板本体３１０は、図１２に示すように、その略中央にコア基板本体上面３１０Ａと下面３１０Ｂとの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔３１１を備える。この貫通孔３１１の図１２（ｂ）中下方は、径方向寸法が小さくされて、集合体３２０の切り欠き部３２０Ｐと填り合う受け部３１２が形成されている。また、この貫通孔３１１内には集合体３２０が内蔵され、コア基板本体３１０の周縁部には、コア基板本体上面３１０Ａとコア基板本体下面３１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３３が多数形成されている（図１０参照）。
【００５９】
集合体３２０は、図１１に示すように、同形状のチップコンデンサ３２４を、エポキシ樹脂からなるモールド体３２５でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ３２４は、実施形態１のチップコンデンサ２４と同様に、本体部３２４Ａと、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃを有する。また、集合体３２０の上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂには、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃの上面側及び下面側部分からなる上面接続パッド３２１（図１１では図示しない）及び下面接続パッド３２２を備える。この上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２は、チップコンデンサ３２４をモールド後にその上下を研磨して、上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂを形成するとともに、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃのうち上面側及び下面側の露出部分にメッキを施して厚みを増やして形成する。なお、図１１では下面３２０Ｂが上になるように描いている。
さらに、集合体３２０は、中央に正方形状の領域を残して、その周縁が切り欠き部３２０Ｐにより階段状に１段低位とされており、上述したように（図１０参照）コア基板本体３１０のコンデンサ受け部３１２との当接面３２０Ｃが形成されている。従って、切り欠き部３２０Ｐの当接面３２０Ｃと貫通孔３１１の受け部３１２の受け面３１２Ｓとが当接して、填り合い充填樹脂３３２によって貫通孔３１１内に位置決め固定されてコア基板本体３１０と一体になる。
【００６０】
チップコンデンサ３２４の一方の端子部である上部接続パッド３２１Ｂは、実施形態１と同様に、配線層３４５のうち第１転換層３６０によって互いに接続されている（図１０参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層３４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ３２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成できる。なお、第１転換層３６０や第２転換層はいずれも、配線層３４６やフリップチップパッド３０１を介してＩＣチップ３０１と接続することができる。
【００６１】
一方、下部接続パッド３２２は、実施形態１と異なり底部スルーホール導体を経由することなく、直接に配線層３５５と接続し、配線層３５６を介してＬＧＡパッド３０３に接続する。したがって、ＬＧＡパッド３０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド３０３から、集合体３２０、第１転換層３６０あるいは第２転換層、フリップチップパッド３０１、フリップチップバンプ３０２を通じて、ＩＣチップ３０１に供給することができるようになる。さらに、集合体３２０（チップコンデンサ３２４）により形成される合成コンデンサで電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、集合体３２０は、コア基板本体３１０に内蔵されているので、ＩＣチップ３０１のごく近くに配置することができ、ノイズ除去能力をより高めることができる。本実施形態では、集合体３２０を、ＩＣチップ３０１の直下に配置したので、両者間の距離をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００６２】
また、第１転換層３６０や第２転換層と多数のフリップチップパッド３０１との間は、配線層３４６で並列に接続されている。したがって、全体として、ＩＣチップ３０１（フリップチップパッド３０１）と第１，第２転換層や集合体３２０との間の抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
同様に、多数のＬＧＡパッド３０３と多数の下面接続パッド３２２との間も並列に接続されている。したがって、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体３２０の各チップコンデンサ３２４とを結ぶ配線３５５，３５６や底部スルーホール導体３１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００６３】
一方、信号線など集合体３２０に接続しないで、ＩＣチップ３０１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド３０１から配線層３４５，３４６を通じて、コアスルーホール導体３３３に接続し、コア基板本体３１０を貫通して、配線層３５５，３５６からＬＧＡパッド３０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板３００でも、ＩＣチップ３０１のごく近くにチップコンデンサ３２４を多数集積した集合体３２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００６４】
次いで、上記配線基板３００の製造方法についてコア基板本体３１０の製造方法を含めて説明する。まず、コア基板本体３１０の製造方法について、図１３を参照して説明する。
まず図１３（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その受け部用コア基板本体上面３１３Ａと受け部用コア基板本体下面３１３Ｂとを有し、中央に略正方形状の貫通孔３１３Ｈを有する受け部用コア基板本体３１３を用意する。なお、貫通孔３１３Ｈは、次述する貫通孔３１６Ｈよりやや小さな寸法にしておく。
【００６５】
一方、図１３（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記受け部用コア基板本体３１３より厚さの厚い壁用コア基板本体３１６を用意する。この壁部用コア基板本体３１６にも、予め上記貫通孔３１１に対応した中央の位置に、略正方形状の貫通孔３１６Ｈをパンチング等により形成しておく。
【００６６】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、受け部用コア基板本体上面３１３Ａと、壁部用コア基板本体下面３１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、貫通孔３１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート３１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者３１３，３１６は、接着層３１７を介して接着され、図１２に示すコア基板本体３１０が作成できる。
【００６７】
次いで、このコア基板本体３１０に集合体３２０を内蔵固着させる工程を説明する。まず、図１４（ａ）に示すように、コア基板本体３１０の貫通孔３１１内に、上述の集合体３２０を下面３２０Ｂを下にして配置する。すると上記したように、集合体３２０の当接面３２０Ｃが受け部３１２の内向き面３１２Ｓに当接し、さらに、受け部３１２と、さらにいえばその内周縁３１２Ｈと切り欠き部３２０Ｐとが嵌合して、貫通孔３１１内で集合体３２０の上下方向及び平面方向の位置決めができる。
【００６８】
その後、図１４（ｂ）に示すように、貫通孔３１１内の他、コア基板本体上面３１０Ａ及びコンデンサ上面３２０Ａ上、コア基板本体下面３１０Ｂ及び下面３２０Ｂ上（図中下方）に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、集合体３２０が受け部３１２に当接、嵌合しつつ、貫通孔３１１内において充填樹脂３３２（３３２Ａ）で固定されて、コア基板本体３１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合にも、コア基板本体３１０と集合体３２０との間の位置ズレが生じる等の不具合が防止される。
【００６９】
さらに、図１４（ｃ）に示すように、コア基板本体上面３１０Ａ上及び上面３２０Ａ上の充填樹脂層３３２Ｂ，３３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド３２１を露出させると共に、この上面接続パッド３２１と、上面３２０Ａ上及びコア基板本体上面３１０Ａ上に残した充填樹脂層３３２Ｂ，３３２Ｃとを略面一に整面する。同様に、コア基板本体下面３１０Ｂ上及び下面３２０Ｂ上の充填樹脂層３３２Ｄ，３３２Ｅを平面に研磨して、下面接続パッド３２２を露出させると共に、この下面接続パッド３２２と、下面３２０Ｂ上及びコア基板本体下面３１０Ｂ上に残した充填樹脂層３３２Ｄ，３３２Ｅとを略面一に整面する。
このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体３１０に貫通孔３１１を形成し、その中に集合体３２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する樹脂絶縁層３４１，３５１等や配線層３４５，３５５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド３０１（あるいはフリップチップバンプ３０２）やＬＧＡパッド３０３への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド３０１やＬＧＡパッド３０３等のコプラナリティも良好にできる。
【００７０】
以降は、実施形態１と同様にして、コアスルーホール導体３３３を形成し、さらに、樹脂絶縁層３４１，３４２，３４３，３５１，４５２，３５３を形成するとともに、配線層３４５，３４６，３５５，３５６を形成して、配線基板３００を完成させる。
このように、本実施形態でも、集合体３２０を用いたため、多数のチップコンデンサ３２４を個々に貫通孔内に配置し、配線層３４５，３５５と接続させる等の手間は不要であり、集合体３２０を貫通孔３１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ３２４を内蔵させることができる。
【００７１】
（変形形態２）
次いで、変形形態２にかかる配線基板４００を、図１５を参照しつつ説明する。
上記実施形態２では、チップコンデンサ集合体３２０は、その上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂにそれぞれ上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２を有し、それぞれ配線層３４５，３５５と接続していた。
これに対し、本変形形態では、集合体４２０は、その上面４２０Ａ側の上面接続パッド４２１でのみ接続できる点で異なるが、その他は同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分についてはその説明を省略あるいは簡略化する。
【００７２】
配線基板４００は、上記実施形態の配線基板３００と同様、略正方形板状で、その上面４００Ａに、破線で示すＩＣチップ４０１と接続するためのフリップチップパッド４０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ４０２が形成されている。一方、配線基板下面４００ＢにはＬＧＡパッド４０３が多数形成されている。この配線基板４００は、破線で示すチップコンデンサ４２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体４２０を固着内蔵するコア基板本体４１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４４１，４４２，４４３，４５１，４５２，４５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４４５，４４６，４５５，４５６を備える。
【００７３】
コア基板本体４１０は、実施形態２と同様に、その略中央にコア基板本体上面４１０Ａと下面４１０Ｂの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔４１１を備える。この貫通孔４１１内には集合体４２０が内蔵され、コア基板本体４１０の周縁部には、コア基板本体上面４１０Ａとコア基板本体下面４１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体４３３が多数形成されている。
【００７４】
集合体４２０は、同形状のチップコンデンサ４２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ４２４は、実施形態２のチップコンデンサ３２４と、従って実施形態１のチップコンデンサ２４と同様である。集合体４２０の上面４２０Ａには、実施形態２と同様に上面接続パッド４２１を備える。しかし、下面４２０Ｂには下面接続パッドは形成されていない。
さらに、集合体４２０は、図１５に示すように、貫通孔に形成した受け部４１２と切り欠き部４２０Ｐとが嵌合し、当接面４２０Ｃと受け面４２１Ｓとが当接して、充填樹脂４３２によって貫通孔４１１内に位置決め固定され、コア基板本体４１０と一体になっている。
【００７５】
チップコンデンサの一方の端子部と接続する上部接続パッド４２１Ｂは、実施形態２と同様に、配線層４４５のうち第１転換層４６０によって互いに接続されている（図１５参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層４４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ４２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成できる。なお、第１転換層４６０や第２転換層はいずれも、配線層４４６やフリップチップパッド４０１を介してＩＣチップ４０１と接続することができる。
【００７６】
一方、この集合体４２０は、実施形態２と異なり、下面接続パッドを通じてＬＧＡパッド４０３に接続することがない。しかし、配線層４４５，４４６を通じて電源電位や接地電位と接続させることで、これらの間のノイズを除去することができる。しかも、集合体４２０は、コア基板本体４１０に内蔵されているので、ＩＣチップ４０１のごく近くに配置することができ、ノイズ除去能力をより高めることができる。本変形形態では、集合体４２０を、ＩＣチップ４０１の直下に配置したので、両者間の距離をごく短くすることができ、特にノイズ除去に有効となる。
【００７７】
この配線基板４００の製造方法は、集合体４２０に下面接続パッドを形成しないため、貫通孔４１１の下方に配線層４４５，４４６を形成しない点などを除いて、実施形態２とほぼ同様である。つまり、実施形態２と同様にして形成したコア基板本体４１０の貫通孔４１１内に、集合体４２０を下面４２０Ｂを下にして配置し、切り欠き部４２０Ｐと受け部４１２とを嵌合させる。その後、エポキシ樹脂からなる充填樹脂４３２を貫通孔４１１内及びコア基板本体上面４１０Ａ上や集合体上面４２０Ａ上に注入塗布して硬化させ、集合体４２０を凹部内に固着する。また、同様に充填樹脂４３２をコア基板本体下面４１０Ｂ上や集合体下面４２０Ｂ上に塗布し硬化させる。以降は、実施形態２と同様に、整面しコアスルーホール導体４３３を形成、さらには、各絶縁樹脂層４４１，４４２，４４３，４５１，４５２，４５３や配線層４４５，４４６，４５５，４５６を形成して、配線基板４００を完成させる。
このように、集合体４２０を用いたため、多数のチップコンデンサ４２４を個々に貫通孔４１１内に配置し、配線層４４５と接続させる等の手間は不要であり、集合体４２０を凹部４１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ４２４を内蔵させることができる。
【００７８】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態や変形形態では、集合電子部品としてチップコンデンサのみを多数集積したチップコンデンサ集合体２０等を用いた。しかし、集合電子部品に含まれるチップ状電子部品は、チップコンデンサに限定されることはなく、例えば、チップインダクタ、チップ抵抗、チップフィルタその他のチップ状電子部品を含んでいても良い。また、他種類のチップ状電子部品を含んでいても良い。
【００７９】
さらに、集合体２０等では、各チップコンデンサ２４等が独立しており、相互に接続されていないために、配線層４５の第１転換層６０や第２転換層などで相互に接続して合成コンデンサを構成するようにしたが、集合体内にチップ状電子部品相互を接続する配線、例えば、上記の第１転換層、第２転換層に相当するものなどを備えるようにしても良い。
このようにすると、凹部や貫通孔内に集合電子部品を搭載した後に、配線基板に形成する配線層の構造が簡易にでき、さらには配線層の層数や樹脂絶縁層の層数を減らすことができる場合もある。
【００８０】
上記実施形態や変形形態では、上下に樹脂絶縁層や配線層が形成されていないコア基板本体１０等の凹部１１内や貫通孔３１１内に、集合体２０を配置し固着した。しかし、予め樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板本体の凹部や貫通孔内に集合電子部品を配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１に係り、上下両面に端子を有するチップコンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図２】凹部内に配置する集合電子部品の斜視図である。
【図３】チップコンデンサ集合体を形成する工程を説明するための説明図である。
【図４】 実施形態１にかかる配線基板のうち、チップコンデンサ集合体を内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図５】 図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】 配線基板の製造方法のうち、図２のチップコンデンサ集合体を図４のコア基板本体の凹部内に接続し固着する工程を示す説明図である。
【図７】 配線基板の製造方法のうち、コア基板本体にスルーホール導体を形成し、整面する工程を示す説明図である。
【図８】 整面されたコア基板本体及びチップコンデンサ集合体の上下に、樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す説明図である。
【図９】 変形形態１に係り、上面に端子を有するチップコンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図１０】 実施形態２に係り、上下両面に端子を有するチップコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図１１】貫通孔内に配置するチップコンデンサ集合体の斜視図である。
【図１２】 実施形態２にかかる配線基板のうち、チップコンデンサ集合体を内蔵するための貫通孔を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図１３】 図１２のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図１４】 配線基板の製造方法のうち、図１１の集合電子部品を図１２のコア基板本体の凹部内に接続し固着する工程を示す説明図である。
【図１５】 変形形態２に係り、上面に端子を有するチップコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００ 配線基板
１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ 配線基板上面
１００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，４００Ｂ 配線基板下面
１０１，２０１，３０１，４０１ フリップチップパッド
１０２，２０２，３０２，４０２ フリップチップバンプ
１０３，２０３，３０３，４０３ ＬＧＡパッド
１０，２１０，３１０，４１０ コア基板本体（配線基板本体）
１０Ａ，２１０Ａ，３１０Ａ，４１０Ａ コア基板本体上面（第１主面）
１０Ｂ，２１０Ｂ，３１０Ｂ，４１０Ｂ コア基板本体下面（第２主面）
１１，２１１ 凹部
１１Ｂ，２１１Ｂ 凹部の底面
１１Ｔ，２１１Ｔ 凹部の底部
１２，２１２ 底部スルーホール導体
３１１，４１１ 貫通孔
３１２，４１２ 受け部
２０，２２０，３２０，４２０ チップコンデンサ集合体（集合電子部品）
２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ 上面
２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ 下面
２１，２２１，３２１，４２１ 上面接続パッド
２２，３２２ 下面接続パッド
３２０Ｐ，４２０Ｐ 切り欠き部
２３ ハンダ
２４，２２４，３２４，４２４ チップコンデンサ（チップ状電子部品）
２４Ａ，４２４Ａ 本体部
２４Ｂ，２４Ｃ，４２４Ｂ，４２４Ｃ 端子部
２５，４２５ モールド体
３２，２３２，３３２，４３２ 充填樹脂
３３，２３３，３３３，４３３ コアスルーホール導体
４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層
４５，４６，５５，５６ 配線層
６０，２６０，３６０，４６０ 第１転換層
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、特に、複数のチップ状電子部品を内蔵しながらも容易に製造可能な配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップ等を搭載するための配線基板の中には、その内部に別途製造したコンデンサ、インダクタ、抵抗その他の電子部品を内蔵したものがある。特に、近時は、ＩＣチップの駆動周波数がますます高くなり、電源電位と接地電位との間に侵入するノイズを除去するため、より大きな静電容量のコンデンサを内蔵させ、電源配線と設置配線との間にコンデンサを接続することが求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、静電容量の大きなコンデンサを形成することは困難であり、歩留まりも低く高価である。
そこで、静電容量は比較的小さいが、安価なチップ状コンデンサを多数内蔵させて、これらを並列に接続して全体として大きな静電容量のコンデンサを合成することが考えられる。
ところが、このように多数のチップ状コンデンサを１つずつ内蔵させるのは、面倒であり工数もかかる上、位置ズレを生じて接続不良となったものがあると、その分静電容量値が低くなるなど、特性や性能が不安定になって歩留まりが低下しやすい。
【０００４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、形成容易で歩留まりも高い、電子部品として、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を内蔵した配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そしてその解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなり、上記凹部内に上記チップコンデンサ集合体を配置し固着させる配置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【０００６】
この配線基板の製造方法では、配置固着工程によって、凹部内に複数のチップコンデンサを収容することができる。このため、多数のチップコンデンサを収容する場合には、それらを用いて静電容量の大きなコンデンサを合成することができる。しかも、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を用いることで、一度に複数のチップコンデンサを凹部内に配置固着させることができるので、多数のチップコンデンサを凹部内に配置固着させるのに比して、極めて容易かつ歩留まり良く収納できる。
【０００７】
さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、フリップチップパッドなどのＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【０００８】
なお、配線は、第１主面の上方及び集合電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成されているが、その他、第２主面の下方（第２主面側）にも形成することができる。
【０００９】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記チップコンデンサと上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子とを接続してなり、上記貫通孔内に上記集合電子部品を配置し固着させる配置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１０】
この配線基板の製造方法によれば、配置固着工程によって、貫通孔内に複数のチップコンデンサを収容することができる。このため、多数のチップコンデンサを収容する場合には、それらを用いて静電容量の大きなコンデンサを合成することができる。しかも、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体を用いることで、一度に複数のチップコンデンサを貫通孔内に配置固着させることができるので、多数のチップコンデンサを貫通孔内に配置固着させるのに比して、極めて容易かつ歩留まり良く収納できる。
なお、配線は、第２主面の下方及びチップコンデンサ集合体のうち第２主面側の面の下方（第２主面側）にも形成することができる。
【００１１】
さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１２】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる配線基板である。
【００１３】
この配線基板では、凹部内に複数のチップコンデンサを収容することができる。さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１４】
さらに他の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、上記接続配線は、各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる配線基板である。
【００１５】
この配線基板では、貫通孔内に複数のチップコンデンサを収容することができる。さらに、複数のチップコンデンサのうち、一方の端子部同士は、第１転換層によって互いに接続されている。同様に、他方の端子部同士は、第２転換層によって互いに接続されている。これにより、各チップコンデンサは、互いに並列に接続されている。つまり、複数のチップコンデンサによって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。さらに、第１転換層や第２転換層は、それぞれＩＣ接続端子に接続している。このため、第１転換層や第２転換層は、それぞれ、このＩＣ接続端子を介して、配線基板の配線基板上面に搭載したＩＣチップとも接続することができる。
しかも、チップコンデンサ集合体は、配線基板本体に内蔵されているので、ＩＣチップのごく近くに配置することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明の配線基板１００は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００は、破線で示すチップコンデンサ２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体２０を接続し固着して内蔵するコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４５，４６，５５，５６を備える。
【００１７】
このうち、コア基板本体１０は、略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底のチップコンデンサ集合体内蔵用の凹部（以下単に凹部ともいう）１１を備える。この凹部１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１内には、上述のようにチップコンデンサ集合体２０が内蔵されている。また、このコア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されている。
【００１８】
チップコンデンサ集合体（以下、単に集合体ともいう）２０は、図２に示すように、同形状のチップコンデンサ２４を、エポキシ樹脂からなるモールド体２５で多数（本例では、８ヶ）集積したものであり、各チップコンデンサ２４は、それぞれ略四角柱状の本体部２４Ａとその端部を取り巻いて形成された端子部２４Ｂ，２４Ｃを備える。集合体２０の上面２０Ａには、各端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれぞれ接続する上面接続パッド２１を備える。図２では図示しないが、同様に集合体２０の下面２０Ｂにも、各端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれぞれ接続する下面接続パッド２２が形成されている（図１参照）。チップコンデンサ２４は、２段４列に並べられており、互いにわずかに隙間を空けて配置されている。これらチップコンデンサ２４同士の隙間、チップコンデンサ２４の上方と下方、及びこれらの周縁には、モールド体２５が配置されている。
【００１９】
さらに、集合体２０は、図１に示すように、下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体１０に内蔵された集合体２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能になっている。さらに、この集合体２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂３２によって凹部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっている。
【００２０】
さらに、コア基板本体上面１０Ａ及び集合体上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方にも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００２１】
また、チップコンデンサ２４の端子部２４Ｂと接続する上部接続パッド２１Ｂは、配線層４５のうち第１転換層６０によって互いに接続されている（図１参照）。同様に、図示しないが、端子部２４Ｃと接続する上部接続パッド２１Ｃも、配線層４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、各チップコンデンサ２４は、並列に接続されたことになり、多数（本例では８ヶ）のチップコンデンサ２４によって、静電容量の大きな１つの合成コンデンサを形成できたことになる。なお、第１転換層６０や第２転換層はいずれも、配線層４６やフリップチップパッド１０１を介してＩＣチップ１と接続することができる。
【００２２】
一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とが配線層５５，５６によって結ばれる。このため、ＬＧＡパッド１０３から配線層５５，５６、底面スルーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、チップコンデンサ２４に接続できる。つまり、集合体２０を介して、ＬＧＡパッド１０３からＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）に接続することができる。したがって、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、底部スルーホール導体１２、集合体２０、第１転換層６０あるいは第２転換層、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、集合体２０により形成される合成コンデンサで電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、集合体２０は、コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができる。したがって、集合体２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、集合体２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長さ）をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００２３】
また、第１転換層６０や第２転換層と多数のフリップチップパッド１０１との間は、配線層４６で並列に接続されている。したがって、全体として、ＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）と第１，第２転換層や集合体２０との間の抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
同様に、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導体１２との間も並列に接続されている。したがって、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体２０の各チップコンデンサ２４とを結ぶ配線５５，５６や底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００２４】
一方、信号線など集合体２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から配線層４５，４６を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体１０を貫通して、配線層５５，５６からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにチップコンデンサ２４を多数集積した集合体２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００２５】
次いで、上記配線基板１００の製造方法について、個別の部材である集合体２０、コア基板本体１０の製造方法を含めて説明する。まず、このチップコンデンサ集合体２０の製造方法について説明する。チップコンデンサ２４を治具容器内の所定位置に配置し、エポキシ樹脂２６を注入浸漬し硬化させて、図３（ａ）に示すように、内部に閉じこめるようにモールドする。なお、モールド手法としては、インジェクションモールドによっても良い。チップコンデンサ２４は、公知のチップコンデンサを用いれば良く、例えば、積層セラミックコンデンサを用いる。この積層セラミックコンデンサは、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層とＰｄを主成分とする電極層とを交互に積層したもので、電極層は１つおきに端子部２４Ｂ及び２４Ｃに接続している。
【００２６】
その後、図３（ｂ）に示すようにエポキシ樹脂２６の上下を研磨して寸法を整えてモールド体２５とするとともに、その上下に平面２５Ａ，２５Ｂを形成する。ついで、平面２５Ａ，２５Ｂ側からそれぞれレーザ加工により、端子部２４Ｂ，２４Ｃの一部が露出するように、透孔２５Ｃをそれぞれ穿孔する（図３（ｃ）参照）。その後、メッキによって、透孔２５Ｃ内から平面２５Ａ（上面２０Ａ）をそれぞれ越えて突出する上面接続パッド２１（２１Ｂ，２１Ｃ）を、及び透孔２５Ｄ内から平面２５Ｂ（下面２０Ｂ）をそれぞれ越えて突出する下面接続パッド２２（２２Ｂ，２２Ｃ）を形成して（図３（ｄ）参照）、集合体２０を形成する。
【００２７】
この集合体２０では、小型のチップコンデンサ２４を多数内蔵している。このチップコンデンサ２４は、静電容量はやや小さいが、安価で信頼性も高いので、集合体２０も安価にでき、しかも、上述のように第１転換層６０や第２転換層によって容易に合成コンデンサを形成でき、しかも大きな静電容量を得ることができる。
完成した集合体２０は、各チップコンデンサ２４のショートの有無、静電容量値、チップコンデンサ２４同士間の絶縁抵抗値のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のある集合体２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のある集合体２０を使用する危険性を減少させることができる。
【００２８】
次いで、コア基板本体１０およびその製造方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、集合体２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキからなる底部スルーホール導体１２が、上記集合体２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されている。
【００２９】
なお、このコア基板本体１０には、そのコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていない。後述するように、コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を内蔵してから形成するからである。
【００３０】
さらに、このコア基板本体下面１０Ｂには、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部にＣｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したがって、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すように、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハンダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等によって配線層（例えば配線層５５など）を形成することができる。
【００３１】
このように、底部スルーホール導体１２の内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適するので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成したい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や配線層５５を形成したい場合に好都合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることもできる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この接続配線と配線層５５とを接続させることもできる。
【００３２】
このコア基板本体１０は、以下のようにして製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部コア基板本体１３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成する。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくしたい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００３３】
その後、公知のスルーホール導体形成手法により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させる。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をする。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像して不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
【００３４】
一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部コア基板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチングにより形成しておく。
【００３５】
次いで、図５（ｅ）に示すように、底部コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示すコア基板本体１０が作成できる。
【００３６】
本実施形態のように、凹部１１を有するコア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スルーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成することができる。したがって安価にコア基板本体１０を形成することができる。
【００３７】
次いで、このコア基板本体１０に集合体２０を内蔵固着させ、コアスルーホール導体３３を形成する工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
このように、集合体２０を用いたため、多数のチップコンデンサ２４を一度に凹部１１内に配置し、それぞれ底部スルーホール導体１２と接続させることができる。
【００３８】
凹部１１内のフラックスを洗浄除去した後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及び上面２０Ａ上に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、集合体２０が底部スルーホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合にも、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する不具合が防止される。
【００３９】
さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａ上及び集合体２０の上面２０Ａ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１と、上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。このようにして製作した集合体内蔵コア基板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中に集合体２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティも良好にできる。
【００４０】
さらに、図７（ａ）に示すように、このコア基板本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
次いで、公知のスルーホール導体形成手法によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。このようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア基板ともいう）３０を作成する。
【００４１】
このコア基板３０は、コア基板本体１０の他、集合体２０をその凹部１１に内蔵している。しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３３、あるいは、上面接続パッド２１や底部スルーホール導体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦にされている。したがって、集合体２０を内蔵しない通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることができる。
【００４２】
本実施形態では、コアスルーホール導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することができるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度に形成することができる。
【００４３】
その後は、このコア基板３０を用いて、公知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すればよい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前に、以下の処理を行う。即ち、図７（ｂ）に示すように、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良い。
【００４４】
さらに、図７（ｃ）に示すように、平坦化樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にする。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホール導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができる。
【００４５】
以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬化させて、図８（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００４６】
さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置されることになる。なお、前記したように、配線層４５のうち、チップコンデンサ２４の端子部２４Ｂにから延びる上部接続パッド２１Ｂに接続するものは、互いに接続して第１転換層６０をなしている。
【００４７】
以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップチップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフローすることで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面には、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。
【００４８】
また本実施形態では、上述のように樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいずれの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等を形成しても良い。
【００４９】
（変形形態１）
次いで、変形形態１にかかる配線基板２００を、図９を参照しつつ説明する。
上記実施形態では、チップコンデンサ集合体２０は、その上面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ上面接続パッド２１及び下面接続パッド２２を有し、下面接続パッド２３は、凹部１１の底部１１Ｔに形成した底部スルーホール導体１２とそれぞれ接続し、配線層５５，５６によってＬＧＡパッド１０３と接続していた。
これに対し、本変形形態では、チップコンデンサ集合体２２０の下面２２０Ｂにはパッドは形成されておらず、凹部２１１の底部にも底部スルーホール導体は形成されていない。従って、集合体２２０は、その上面２２０Ａ側の上面接続パッド２２１でのみ接続できる点で異なるが、その他は同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分についてはその説明を省略あるいは簡略化する。
【００５０】
配線基板２００は、上記実施形態の配線基板１００と同様、略正方形板状で、その上面２００Ａに、破線で示すＩＣチップ２０１と接続するためのフリップチップパッド２０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ２０２が形成されている。一方、配線基板下面２００ＢにはＬＧＡパッド２０３が多数形成されている。この配線基板２００は、破線で示すチップコンデンサ２２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体２２０を固着内蔵するコア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層２４１，２４２，２４３，２５１，２５２，２５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層２４５，２４６，２５５，２５６を備える。
【００５１】
コア基板本体２１０は、その略中央にコア基板本体上面２１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の底部２１１Ｔには、実施形態１と異なり底部スルーホール導体は形成されていない。また、この凹部２１１内には集合体２２０が内蔵され、コア基板本体２１０の周縁部には、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形成されている。
【００５２】
集合体２２０は、同形状のチップコンデンサ２２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ２２４は、実施形態１のチップコンデンサ２４と同様である。集合体２２０の上面２２０Ａには、実施形態１と同様に上面接続パッド２２１を備える。しかし、下面２２０Ｂには下面接続パッドは形成されていない。
さらに、集合体２２０は、図９に示すように、下面２２０Ｂにおいて、凹部２１１の底面２１１Ｂと当接して、充填樹脂２３２によって凹部２１１内に固定されコア基板本体２１０と一体になっている。
【００５３】
チップコンデンサ２２４の一方の端子部と接続する上部接続パッド２２１Ｂは、実施形態１と同様に、配線層２４５のうち第１転換層２６０によって互いに接続されている（図１参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層２４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ２２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成される。なお、第１転換層２６０や第２転換層はいずれも、配線層２４６やフリップチップパッド２０１を介してＩＣチップ２０１と接続することができる。
【００５４】
一方、この集合体２２０は、実施形態１と異なり、凹部２１１の底部２１１Ｔを通じてＬＧＡパッド２０３に接続することがない。しかし、配線層２４５，２４６を通じて電源電位や接地電位と接続させることで、これらの間のノイズを除去することができる。しかも、集合体２２０は、コア基板本体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ２０１のごく近くに配置することができる。したがって、集合体２２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本変形形態では、集合体２２０を、ＩＣチップ２０１の直下（フリップチップパッド２０１の直下）に配置する構造としたので、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長さ）をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５５】
この配線基板２００の製造方法は、底部スルーホール導体をコア基板本体２１０の形成しない点や、集合体２２０をハンダ付けによって接続固定しない点などを除いて、実施形態１とほぼ同様である。つまり、底部に底部スルーホール導体を形成しない点を除いて実施形態１と同様にして形成したコア基板本体２１０の凹部２１１内に、集合体２２０を下面２２０Ｂを下にして配置し、底面２１１Ｂに当接させる。その後、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２を凹部２１１内及びコア基板本体上面２１０Ａ上や集合体上面２２０Ａ上に注入塗布して、集合体２２０を凹部内に固着する。以降は、実施形態１と同様に、整面しコアスルーホール導体２３３を形成、さらには、各絶縁樹脂層２４１，２４２，２４３，２５１，２５２，２５３や配線層２４５，２４６，２５５，２５６を形成して、配線基板２００を完成させる。
このように、集合体２２０を用いたため、多数のチップコンデンサ２２４を個々に凹部２１１内に配置し、配線層２４５と接続させる等の手間は不要であり、集合体２２０を凹部２１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ２２４を内蔵させることができる。
【００５６】
（実施形態２）
次いで、実施形態２について説明する。上記実施形態１では集合体２０を凹部１１内に配置し固着した。しかし、図１０に示す本実施形態の配線基板３００では、コア基板本体３１０の貫通孔３１１内にチップコンデンサ集合体３２０を配置し、その下面３２０Ｂに形成した下面接続パッド３２２は配線層３５５と接続し、配線層３５６を介してＬＧＡパッド３０３と接続している点で異なる。また、実施形態１の集合体２０では、チップコンデンサ２４はその内部に埋め込まれ、各端子部２４Ｂ，２４Ｃは、上面接続パッド２１及び下面接続パッド２２によってそれぞれ外部に引き出されていた。しかし、本実施形態の集合体３２０では、チップコンデンサ３２４の端子部３２４Ｂ，３２４Ｃが上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂから露出して、上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２とされている点で異なるが、他はほぼ同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省略あるいは簡略化する。
【００５７】
配線基板３００は、実施形態１の配線基板１００と同様、略正方形板状で、その上面３００Ａに、破線で示すＩＣチップ３０１と接続するためのフリップチップパッド３０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ３０２が形成されている。一方、配線基板下面３００ＢにはＬＧＡパッド３０３が多数形成されている。この配線基板３００は、破線で示すチップコンデンサ３２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体３２０を固着内蔵するコア基板本体３１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層３４１，３４２，３４３，３５１，３５２，３５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層３４５，３４６，３５５，３５６を備える。
【００５８】
コア基板本体３１０は、図１２に示すように、その略中央にコア基板本体上面３１０Ａと下面３１０Ｂとの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔３１１を備える。この貫通孔３１１の図１２（ｂ）中下方は、径方向寸法が小さくされて、集合体３２０の切り欠き部３２０Ｐと填り合う受け部３１２が形成されている。また、この貫通孔３１１内には集合体３２０が内蔵され、コア基板本体３１０の周縁部には、コア基板本体上面３１０Ａとコア基板本体下面３１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３３が多数形成されている（図１０参照）。
【００５９】
集合体３２０は、図１１に示すように、同形状のチップコンデンサ３２４を、エポキシ樹脂からなるモールド体３２５でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ３２４は、実施形態１のチップコンデンサ２４と同様に、本体部３２４Ａと、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃを有する。また、集合体３２０の上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂには、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃの上面側及び下面側部分からなる上面接続パッド３２１（図１１では図示しない）及び下面接続パッド３２２を備える。この上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２は、チップコンデンサ３２４をモールド後にその上下を研磨して、上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂを形成するとともに、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃのうち上面側及び下面側の露出部分にメッキを施して厚みを増やして形成する。なお、図１１では下面３２０Ｂが上になるように描いている。
さらに、集合体３２０は、中央に正方形状の領域を残して、その周縁が切り欠き部３２０Ｐにより階段状に１段低位とされており、上述したように（図１０参照）コア基板本体３１０のコンデンサ受け部３１２との当接面３２０Ｃが形成されている。従って、切り欠き部３２０Ｐの当接面３２０Ｃと貫通孔３１１の受け部３１２の受け面３１２Ｓとが当接して、填り合い充填樹脂３３２によって貫通孔３１１内に位置決め固定されてコア基板本体３１０と一体になる。
【００６０】
チップコンデンサ３２４の一方の端子部である上部接続パッド３２１Ｂは、実施形態１と同様に、配線層３４５のうち第１転換層３６０によって互いに接続されている（図１０参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層３４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ３２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成できる。なお、第１転換層３６０や第２転換層はいずれも、配線層３４６やフリップチップパッド３０１を介してＩＣチップ３０１と接続することができる。
【００６１】
一方、下部接続パッド３２２は、実施形態１と異なり底部スルーホール導体を経由することなく、直接に配線層３５５と接続し、配線層３５６を介してＬＧＡパッド３０３に接続する。したがって、ＬＧＡパッド３０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド３０３から、集合体３２０、第１転換層３６０あるいは第２転換層、フリップチップパッド３０１、フリップチップバンプ３０２を通じて、ＩＣチップ３０１に供給することができるようになる。さらに、集合体３２０（チップコンデンサ３２４）により形成される合成コンデンサで電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、集合体３２０は、コア基板本体３１０に内蔵されているので、ＩＣチップ３０１のごく近くに配置することができ、ノイズ除去能力をより高めることができる。本実施形態では、集合体３２０を、ＩＣチップ３０１の直下に配置したので、両者間の距離をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００６２】
また、第１転換層３６０や第２転換層と多数のフリップチップパッド３０１との間は、配線層３４６で並列に接続されている。したがって、全体として、ＩＣチップ３０１（フリップチップパッド３０１）と第１，第２転換層や集合体３２０との間の抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
同様に、多数のＬＧＡパッド３０３と多数の下面接続パッド３２２との間も並列に接続されている。したがって、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体３２０の各チップコンデンサ３２４とを結ぶ配線３５５，３５６や底部スルーホール導体３１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００６３】
一方、信号線など集合体３２０に接続しないで、ＩＣチップ３０１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド３０１から配線層３４５，３４６を通じて、コアスルーホール導体３３３に接続し、コア基板本体３１０を貫通して、配線層３５５，３５６からＬＧＡパッド３０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板３００でも、ＩＣチップ３０１のごく近くにチップコンデンサ３２４を多数集積した集合体３２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００６４】
次いで、上記配線基板３００の製造方法についてコア基板本体３１０の製造方法を含めて説明する。まず、コア基板本体３１０の製造方法について、図１３を参照して説明する。
まず図１３（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その受け部用コア基板本体上面３１３Ａと受け部用コア基板本体下面３１３Ｂとを有し、中央に略正方形状の貫通孔３１３Ｈを有する受け部用コア基板本体３１３を用意する。なお、貫通孔３１３Ｈは、次述する貫通孔３１６Ｈよりやや小さな寸法にしておく。
【００６５】
一方、図１３（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記受け部用コア基板本体３１３より厚さの厚い壁用コア基板本体３１６を用意する。この壁部用コア基板本体３１６にも、予め上記貫通孔３１１に対応した中央の位置に、略正方形状の貫通孔３１６Ｈをパンチング等により形成しておく。
【００６６】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、受け部用コア基板本体上面３１３Ａと、壁部用コア基板本体下面３１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、貫通孔３１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート３１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者３１３，３１６は、接着層３１７を介して接着され、図１２に示すコア基板本体３１０が作成できる。
【００６７】
次いで、このコア基板本体３１０に集合体３２０を内蔵固着させる工程を説明する。まず、図１４（ａ）に示すように、コア基板本体３１０の貫通孔３１１内に、上述の集合体３２０を下面３２０Ｂを下にして配置する。すると上記したように、集合体３２０の当接面３２０Ｃが受け部３１２の内向き面３１２Ｓに当接し、さらに、受け部３１２と、さらにいえばその内周縁３１２Ｈと切り欠き部３２０Ｐとが嵌合して、貫通孔３１１内で集合体３２０の上下方向及び平面方向の位置決めができる。
【００６８】
その後、図１４（ｂ）に示すように、貫通孔３１１内の他、コア基板本体上面３１０Ａ及びコンデンサ上面３２０Ａ上、コア基板本体下面３１０Ｂ及び下面３２０Ｂ上（図中下方）に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、集合体３２０が受け部３１２に当接、嵌合しつつ、貫通孔３１１内において充填樹脂３３２（３３２Ａ）で固定されて、コア基板本体３１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合にも、コア基板本体３１０と集合体３２０との間の位置ズレが生じる等の不具合が防止される。
【００６９】
さらに、図１４（ｃ）に示すように、コア基板本体上面３１０Ａ上及び上面３２０Ａ上の充填樹脂層３３２Ｂ，３３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド３２１を露出させると共に、この上面接続パッド３２１と、上面３２０Ａ上及びコア基板本体上面３１０Ａ上に残した充填樹脂層３３２Ｂ，３３２Ｃとを略面一に整面する。同様に、コア基板本体下面３１０Ｂ上及び下面３２０Ｂ上の充填樹脂層３３２Ｄ，３３２Ｅを平面に研磨して、下面接続パッド３２２を露出させると共に、この下面接続パッド３２２と、下面３２０Ｂ上及びコア基板本体下面３１０Ｂ上に残した充填樹脂層３３２Ｄ，３３２Ｅとを略面一に整面する。
このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体３１０に貫通孔３１１を形成し、その中に集合体３２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する樹脂絶縁層３４１，３５１等や配線層３４５，３５５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド３０１（あるいはフリップチップバンプ３０２）やＬＧＡパッド３０３への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド３０１やＬＧＡパッド３０３等のコプラナリティも良好にできる。
【００７０】
以降は、実施形態１と同様にして、コアスルーホール導体３３３を形成し、さらに、樹脂絶縁層３４１，３４２，３４３，３５１，４５２，３５３を形成するとともに、配線層３４５，３４６，３５５，３５６を形成して、配線基板３００を完成させる。
このように、本実施形態でも、集合体３２０を用いたため、多数のチップコンデンサ３２４を個々に貫通孔内に配置し、配線層３４５，３５５と接続させる等の手間は不要であり、集合体３２０を貫通孔３１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ３２４を内蔵させることができる。
【００７１】
（変形形態２）
次いで、変形形態２にかかる配線基板４００を、図１５を参照しつつ説明する。
上記実施形態２では、チップコンデンサ集合体３２０は、その上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂにそれぞれ上面接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２を有し、それぞれ配線層３４５，３５５と接続していた。
これに対し、本変形形態では、集合体４２０は、その上面４２０Ａ側の上面接続パッド４２１でのみ接続できる点で異なるが、その他は同様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分についてはその説明を省略あるいは簡略化する。
【００７２】
配線基板４００は、上記実施形態の配線基板３００と同様、略正方形板状で、その上面４００Ａに、破線で示すＩＣチップ４０１と接続するためのフリップチップパッド４０１、及び、略半球状高温ハンダからなるフリップチップバンプ４０２が形成されている。一方、配線基板下面４００ＢにはＬＧＡパッド４０３が多数形成されている。この配線基板４００は、破線で示すチップコンデンサ４２４を多数集合してなるチップコンデンサ集合体４２０を固着内蔵するコア基板本体４１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４４１，４４２，４４３，４５１，４５２，４５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４４５，４４６，４５５，４５６を備える。
【００７３】
コア基板本体４１０は、実施形態２と同様に、その略中央にコア基板本体上面４１０Ａと下面４１０Ｂの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔４１１を備える。この貫通孔４１１内には集合体４２０が内蔵され、コア基板本体４１０の周縁部には、コア基板本体上面４１０Ａとコア基板本体下面４１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体４３３が多数形成されている。
【００７４】
集合体４２０は、同形状のチップコンデンサ４２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したものであり、各チップコンデンサ４２４は、実施形態２のチップコンデンサ３２４と、従って実施形態１のチップコンデンサ２４と同様である。集合体４２０の上面４２０Ａには、実施形態２と同様に上面接続パッド４２１を備える。しかし、下面４２０Ｂには下面接続パッドは形成されていない。
さらに、集合体４２０は、図１５に示すように、貫通孔に形成した受け部４１２と切り欠き部４２０Ｐとが嵌合し、当接面４２０Ｃと受け面４２１Ｓとが当接して、充填樹脂４３２によって貫通孔４１１内に位置決め固定され、コア基板本体４１０と一体になっている。
【００７５】
チップコンデンサの一方の端子部と接続する上部接続パッド４２１Ｂは、実施形態２と同様に、配線層４４５のうち第１転換層４６０によって互いに接続されている（図１５参照）。同様に、図示しないが、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層４４５のうち第２転換層によって互いに接続されている。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ４２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデンサが形成できる。なお、第１転換層４６０や第２転換層はいずれも、配線層４４６やフリップチップパッド４０１を介してＩＣチップ４０１と接続することができる。
【００７６】
一方、この集合体４２０は、実施形態２と異なり、下面接続パッドを通じてＬＧＡパッド４０３に接続することがない。しかし、配線層４４５，４４６を通じて電源電位や接地電位と接続させることで、これらの間のノイズを除去することができる。しかも、集合体４２０は、コア基板本体４１０に内蔵されているので、ＩＣチップ４０１のごく近くに配置することができ、ノイズ除去能力をより高めることができる。本変形形態では、集合体４２０を、ＩＣチップ４０１の直下に配置したので、両者間の距離をごく短くすることができ、特にノイズ除去に有効となる。
【００７７】
この配線基板４００の製造方法は、集合体４２０に下面接続パッドを形成しないため、貫通孔４１１の下方に配線層４４５，４４６を形成しない点などを除いて、実施形態２とほぼ同様である。つまり、実施形態２と同様にして形成したコア基板本体４１０の貫通孔４１１内に、集合体４２０を下面４２０Ｂを下にして配置し、切り欠き部４２０Ｐと受け部４１２とを嵌合させる。その後、エポキシ樹脂からなる充填樹脂４３２を貫通孔４１１内及びコア基板本体上面４１０Ａ上や集合体上面４２０Ａ上に注入塗布して硬化させ、集合体４２０を凹部内に固着する。また、同様に充填樹脂４３２をコア基板本体下面４１０Ｂ上や集合体下面４２０Ｂ上に塗布し硬化させる。以降は、実施形態２と同様に、整面しコアスルーホール導体４３３を形成、さらには、各絶縁樹脂層４４１，４４２，４４３，４５１，４５２，４５３や配線層４４５，４４６，４５５，４５６を形成して、配線基板４００を完成させる。
このように、集合体４２０を用いたため、多数のチップコンデンサ４２４を個々に貫通孔４１１内に配置し、配線層４４５と接続させる等の手間は不要であり、集合体４２０を凹部４１１内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ４２４を内蔵させることができる。
【００７８】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態や変形形態では、集合電子部品としてチップコンデンサのみを多数集積したチップコンデンサ集合体２０等を用いた。しかし、集合電子部品に含まれるチップ状電子部品は、チップコンデンサに限定されることはなく、例えば、チップインダクタ、チップ抵抗、チップフィルタその他のチップ状電子部品を含んでいても良い。また、他種類のチップ状電子部品を含んでいても良い。
【００７９】
さらに、集合体２０等では、各チップコンデンサ２４等が独立しており、相互に接続されていないために、配線層４５の第１転換層６０や第２転換層などで相互に接続して合成コンデンサを構成するようにしたが、集合体内にチップ状電子部品相互を接続する配線、例えば、上記の第１転換層、第２転換層に相当するものなどを備えるようにしても良い。
このようにすると、凹部や貫通孔内に集合電子部品を搭載した後に、配線基板に形成する配線層の構造が簡易にでき、さらには配線層の層数や樹脂絶縁層の層数を減らすことができる場合もある。
【００８０】
上記実施形態や変形形態では、上下に樹脂絶縁層や配線層が形成されていないコア基板本体１０等の凹部１１内や貫通孔３１１内に、集合体２０を配置し固着した。しかし、予め樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板本体の凹部や貫通孔内に集合電子部品を配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１に係り、上下両面に端子を有するチップコンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図２】凹部内に配置する集合電子部品の斜視図である。
【図３】チップコンデンサ集合体を形成する工程を説明するための説明図である。
【図４】 実施形態１にかかる配線基板のうち、チップコンデンサ集合体を内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図５】 図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】 配線基板の製造方法のうち、図２のチップコンデンサ集合体を図４のコア基板本体の凹部内に接続し固着する工程を示す説明図である。
【図７】 配線基板の製造方法のうち、コア基板本体にスルーホール導体を形成し、整面する工程を示す説明図である。
【図８】 整面されたコア基板本体及びチップコンデンサ集合体の上下に、樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す説明図である。
【図９】 変形形態１に係り、上面に端子を有するチップコンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図１０】 実施形態２に係り、上下両面に端子を有するチップコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【図１１】貫通孔内に配置するチップコンデンサ集合体の斜視図である。
【図１２】 実施形態２にかかる配線基板のうち、チップコンデンサ集合体を内蔵するための貫通孔を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図１３】 図１２のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図１４】 配線基板の製造方法のうち、図１１の集合電子部品を図１２のコア基板本体の凹部内に接続し固着する工程を示す説明図である。
【図１５】 変形形態２に係り、上面に端子を有するチップコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配線基板の断面図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００ 配線基板
１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ 配線基板上面
１００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，４００Ｂ 配線基板下面
１０１，２０１，３０１，４０１ フリップチップパッド
１０２，２０２，３０２，４０２ フリップチップバンプ
１０３，２０３，３０３，４０３ ＬＧＡパッド
１０，２１０，３１０，４１０ コア基板本体（配線基板本体）
１０Ａ，２１０Ａ，３１０Ａ，４１０Ａ コア基板本体上面（第１主面）
１０Ｂ，２１０Ｂ，３１０Ｂ，４１０Ｂ コア基板本体下面（第２主面）
１１，２１１ 凹部
１１Ｂ，２１１Ｂ 凹部の底面
１１Ｔ，２１１Ｔ 凹部の底部
１２，２１２ 底部スルーホール導体
３１１，４１１ 貫通孔
３１２，４１２ 受け部
２０，２２０，３２０，４２０ チップコンデンサ集合体（集合電子部品）
２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ 上面
２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ 下面
２１，２２１，３２１，４２１ 上面接続パッド
２２，３２２ 下面接続パッド
３２０Ｐ，４２０Ｐ 切り欠き部
２３ ハンダ
２４，２２４，３２４，４２４ チップコンデンサ（チップ状電子部品）
２４Ａ，４２４Ａ 本体部
２４Ｂ，２４Ｃ，４２４Ｂ，４２４Ｃ 端子部
２５，４２５ モールド体
３２，２３２，３３２，４３２ 充填樹脂
３３，２３３，３３３，４３３ コアスルーホール導体
４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層
４５，４６，５５，５６ 配線層
６０，２６０，３６０，４６０ 第１転換層
Claims (4)
- 第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、
上記接続配線は、
各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、
上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなり、
上記凹部内に上記チップコンデンサ集合体を配置し固着させる配置固着工程を備える
ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、
上記接続配線は、
各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、
上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなり、
上記貫通孔内に上記集合電子部品を配置し固着させる配置固着工程を備える
ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、
上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、
上記接続配線は、
各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、
上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる
配線基板。 - 第１主面及び第２主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子部品と、上記第１主面 の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を備える配線基板であって、
上記電子部品は、複数のチップコンデンサが集合してなるチップコンデンサ集合体であり、
上記接続配線は、
各々の上記チップコンデンサのうち、一方の端子部同士を互いに接続してなる第１転換層と、他方の端子部同士を互いに接続してなる第２転換層とを含み、上記チップコンデンサを互いに並列に接続してなり、
上記第１転換層及び第２転換層は、上記配線基板の配線基板上面に形成したＩＣ接続端子にそれぞれを接続してなる
配線基板。
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