JP2001007531A

JP2001007531A - 配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2001007531A
Application number: JP11172475A
Authority: JP
Inventors: Eiji Kodera; 英司小寺; Koju Ogawa; 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1999-06-18
Filing date: 1999-06-18
Publication date: 2001-01-12
Anticipated expiration: 2019-06-18
Also published as: JP3878663B2

Abstract

(57)【要約】【課題】形成容易で歩留まりも高い、電子部品を内蔵
した配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板１００は、コア基板本体上面１
０Ａとコア基板本体下面１０Ｂを有する板形状をなし、
コア基板本体上面１０Ａから凹設された凹部１１を備え
るコア基板本体１０と、この凹部１１内に配置固着され
た多数のチップコンデンサ２４と、上面１０Ａの上方及
びチップコンデンサ２４の上方に形成され、チップコン
デンサ２４を並列に接続する第１転換層６０及び第２転
換層を有する。このため、チップコンデンサ２４は静電
容量の大きな合成コンデンサを形成し、接地電位と電源
電位との間のノイズを除去することが出来る。本発明の
配線基板の製造方法では、このチップコンデンサ２４を
凹部１１内に配置するに当たり、予めチップコンデンサ
２４を集合してなるチップコンデンサ集合体２０を形成
しておき、この集合体２０を凹部内に配置し固着させる
配置固着工程を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法に関し、特に、複数のチップ状電子部品を内蔵しなが
らも容易に製造可能な配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップ等を搭載するための配線基板
の中には、その内部に別途製造したコンデンサ、インダ
クタ、抵抗その他の電子部品を内蔵したものがある。特
に、近時は、ＩＣチップの駆動周波数がますます高くな
り、電源電位と接地電位との間に侵入するノイズを除去
するため、より大きな静電容量のコンデンサを内蔵さ
せ、電源配線と設置配線との間にコンデンサを接続する
ことが求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、静電容
量の大きなコンデンサを形成することは困難であり、歩
留まりも低く高価である。そこで、静電容量は比較的小
さいが、安価なチップ状コンデンサを多数内蔵させて、
これらを並列に接続して全体として大きな静電容量のコ
ンデンサを合成することが考えられる。ところが、この
ように多数のチップ状コンデンサを１つずつ内蔵させる
のは、面倒であり工数もかかる上、位置ズレを生じて接
続不良となったものがあると、その分静電容量値が低く
なるなど、特性や性能が不安定になって歩留まりが低下
しやすい。

【０００４】また、多数のチップ状インダクタを内蔵さ
せた場合や多数のチップ状抵抗を内蔵させた場合などに
も、同様に工数がかかる上、特性や性能が不安定になり
やすい。さらには、異なる部品を多数内蔵させた場合に
は、同様に工数がかかる上、一部の部品の接続不良によ
って、所期の特性や性能が全く得られない場合もある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
形成容易で歩留まりも高い、電子部品を内蔵した配線基
板の製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、第１主面及び第２主面を有する板形状を
なし、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本
体と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第
１主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の
上方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含
む配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記
電子部品は、複数のチップ状電子部品が集合してなる集
合電子部品であり、上記凹部内に上記集合電子部品を配
置し固着させる配置固着工程を備えることを特徴とする
配線基板の製造方法である。

【０００６】この配線基板の製造方法では、配置固着工
程によって、凹部内に複数のチップ状電子部品を収容す
ることができる。このため、例えば、多数のチップコン
デンサを収容する場合には、それらを用いて静電容量の
大きなコンデンサを合成することができるなど、多数の
チップ状電子部品によって、配線基板に様々な機能を持
たせることができる。しかも、複数のチップ状電子部品
が集合してなる集合電子部品を用いることで、一度に複
数のチップ状電子部品を凹部内に配置固着させることが
できるので、多数のチップ状電子部品を凹部内に配置固
着させるのに比して、極めて容易かつ歩留まり良く収納
できる。

【０００７】なお、チップ状電子部品には、チップ形状
にされたコンデンサ、インダクタ、抵抗、フィルタなど
の受動部品や、トランジスタ等の能動部品が挙げられ
る。また、配線は、第１主面の上方及び集合電子部品の
うち第１主面側の面の上方に形成されているが、その
他、第２主面の下方（第２主面側）にも形成することが
できる。

【０００８】さらに他の解決手段は、第１主面及び第２
主面を有する板形状をなし、第１主面と第２主面との間
を貫通する貫通孔を備える配線基板本体と、上記貫通孔
内に配置固着された電子部品と、上記第１主面の上方及
び上記電子部品のうち第１主面側の面の上方に形成さ
れ、上記電子部品と接続する接続配線を含む配線と、を
備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、
複数のチップ状電子部品が集合してなる集合電子部品で
あり、上記凹部内に上記集合電子部品を配置し固着させ
る配置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製
造方法である。

【０００９】この配線基板の製造方法によれば、配置固
着工程によって、貫通孔内に複数のチップ状電子部品を
収容することができる。このため、例えば、多数のチッ
プコンデンサを収容する場合には、それらを用いて静電
容量の大きなコンデンサを合成することができるなど、
多数のチップ状電子部品によって、配線基板に様々な機
能を持たせることができる。しかも、複数のチップ状電
子部品が集合してなる集合電子部品を用いることで、一
度に複数のチップ状電子部品を貫通孔内に配置固着させ
ることができるので、多数のチップ状電子部品を貫通孔
内に配置固着させるのに比して、極めて容易かつ歩留ま
り良く収納できる。なお、配線は、第２主面の下方及び
集合電子部品のうち第２主面側の面の下方（第２主面
側）にも形成することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の配線基板
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に示す本発明の配線基板１００は、略正方形板状
で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示す
ＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリ
ップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチ
ップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状の
フリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、
配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配
線基板と接続するための接続端子であるＬＧＡパッド１
０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００
は、破線で示すチップコンデンサ２４を多数集合してな
るチップコンデンサ集合体２０を接続し固着して内蔵す
るコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶
縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの
層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４
５，４６，５５，５６を備える。

【００１１】このうち、コア基板本体１０は、略正方形
板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その
略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視
略正方形状で有底のチップコンデンサ集合体内蔵用の凹
部（以下単に凹部ともいう）１１を備える。この凹部１
１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下面
１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホール
導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１内
には、上述のようにチップコンデンサ集合体２０が内蔵
されている。また、このコア基板本体１０の周縁部に
は、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂ
との間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成
されている。

【００１２】チップコンデンサ集合体（以下、単に集合
体ともいう）２０は、図２に示すように、同形状のチッ
プコンデンサ２４を、エポキシ樹脂からなるモールド体
２５で多数（本例では、８ヶ）集積したものであり、各
チップコンデンサ２４は、それぞれ略四角柱状の本体部
２４Ａとその端部を取り巻いて形成された端子部２４
Ｂ，２４Ｃを備える。集合体２０の上面２０Ａには、各
端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれぞれ接続する上面接続パッ
ド２１を備える。図２では図示しないが、同様に集合体
２０の下面２０Ｂにも、各端子部２４Ｂ，２４Ｃにそれ
ぞれ接続する下面接続パッド２２が形成されている（図
１参照）。チップコンデンサ２４は、２段４列に並べら
れており、互いにわずかに隙間を空けて配置されてい
る。これらチップコンデンサ２４同士の隙間、チップコ
ンデンサ２４の上方と下方、及びこれらの周縁には、モ
ールド体２５が配置されている。

【００１３】さらに、集合体２０は、図１に示すよう
に、下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド２２とこれに
対応する底部スルーホール導体１２とが、それぞれＡｇ
−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によって導通、接続
されている。これにより、コア基板本体１０に内蔵され
た集合体２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、
図中下方には下面接続パッド２２に接続する底部スルー
ホール導体１２でそれぞれ接続可能になっている。さら
に、この集合体２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂
３２によって凹部１１内に固定されて、コア基板本体１
０と一体となっている。

【００１４】さらに、コア基板本体上面１０Ａ及び集合
体上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする
３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一
方、コア基板本体下面１０Ｂの下方にも、同じく３層の
下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部
樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と
４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２を
も貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成
されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間
及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下
部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからな
る配線層５５，５６が形成されている。

【００１５】また、チップコンデンサ２４の端子部２４
Ｂと接続する上部接続パッド２１Ｂは、配線層４５のう
ち第１転換層６０によって互いに接続されている（図１
参照）。同様に、図示しないが、端子部２４Ｃと接続す
る上部接続パッド２１Ｃも、配線層４５のうち第２転換
層によって互いに接続されている。このため、各チップ
コンデンサ２４は、並列に接続されたことになり、多数
（本例では８ヶ）のチップコンデンサ２４によって、静
電容量の大きな１つの合成コンデンサを形成できたこと
になる。なお、第１転換層６０や第２転換層はいずれ
も、配線層４６やフリップチップパッド１０１を介して
ＩＣチップ１と接続することができる。

【００１６】一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の
層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通し
て、底面スルーホール導体１２とこれに対応するＬＧＡ
パッド１０３とが配線層５５，５６によって結ばれる。
このため、ＬＧＡパッド１０３から配線層５５，５６、
底面スルーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じ
て、チップコンデンサ２４に接続できる。つまり、集合
体２０を介して、ＬＧＡパッド１０３からＩＣチップ１
（フリップチップパッド１０１）に接続することができ
る。したがって、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザー
ボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、Ｌ
ＧＡパッド１０３から、底部スルーホール導体１２、集
合体２０、第１転換層６０あるいは第２転換層、フリッ
プチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を
通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようにな
る。さらに、集合体２０により形成される合成コンデン
サで電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去する
ことができる。しかも、集合体２０は、コア基板本体１
０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配
置することができる。したがって、集合体２０によるノ
イズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施
形態では、集合体２０を、ＩＣチップ１の直下に、した
がって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する
構造としたので、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長
さ）をごく短くすることができ、この間でノイズが重畳
されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。

【００１７】また、第１転換層６０や第２転換層と多数
のフリップチップパッド１０１との間は、配線層４６で
並列に接続されている。したがって、全体として、ＩＣ
チップ１（フリップチップパッド１０１）と第１，第２
転換層や集合体２０との間の抵抗やインダクタンスも小
さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。同様
に、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホー
ル導体１２との間も並列に接続されている。したがっ
て、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体２０の各
チップコンデンサ２４とを結ぶ配線５５，５６や底部ス
ルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小
さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。

【００１８】一方、信号線など集合体２０に接続しない
で、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フ
リップチップパッド１０１から配線層４５，４６を通じ
て、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体
１０を貫通して、配線層５５，５６からＬＧＡパッド１
０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成
したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同
様である。このように、本実施形態の配線基板１００で
は、ＩＣチップ１のごく近くにチップコンデンサ２４を
多数集積した集合体２０を内蔵して、有効にノイズを除
去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造
にすることができる。

【００１９】次いで、上記配線基板１００の製造方法に
ついて、個別の部材である集合体２０、コア基板本体１
０の製造方法を含めて説明する。まず、このチップコン
デンサ集合体２０の製造方法について説明する。チップ
コンデンサ２４を治具容器内の所定位置に配置し、エポ
キシ樹脂２６を注入浸漬し硬化させて、図３（ａ）に示
すように、内部に閉じこめるようにモールドする。な
お、モールド手法としては、インジェクションモールド
によっても良い。チップコンデンサ２４は、公知のチッ
プコンデンサを用いれば良く、例えば、積層セラミック
コンデンサを用いる。この積層セラミックコンデンサ
は、例えば、ＢａＴｉＯ₃を主成分とする誘電体層とＰ
ｄを主成分とする電極層とを交互に積層したもので、電
極層は１つおきに端子部２４Ｂ及び２４Ｃに接続してい
る。

【００２０】その後、図３（ｂ）に示すようにエポキシ
樹脂２６の上下を研磨して寸法を整えてモールド体２５
とするとともに、その上下に平面２５Ａ，２５Ｂを形成
する。ついで、平面２５Ａ，２５Ｂ側からそれぞれレー
ザ加工により、端子部２４Ｂ，２４Ｃの一部が露出する
ように、透孔２５Ｃをそれぞれ穿孔する（図３（ｃ）参
照）。その後、メッキによって、透孔２５Ｃ内から平面
２５Ａ（上面２０Ａ）をそれぞれ越えて突出する上面接
続パッド２１（２１Ｂ，２１Ｃ）を、及び透孔２５Ｄ内
から平面２５Ｂ（下面２０Ｂ）をそれぞれ越えて突出す
る下面接続パッド２２（２２Ｂ，２２Ｃ）を形成して
（図３（ｄ）参照）、集合体２０を形成する。

【００２１】この集合体２０では、小型のチップコンデ
ンサ２４を多数内蔵している。このチップコンデンサ２
４は、静電容量はやや小さいが、安価で信頼性も高いの
で、集合体２０も安価にでき、しかも、上述のように第
１転換層６０や第２転換層によって容易に合成コンデン
サを形成でき、しかも大きな静電容量を得ることができ
る。完成した集合体２０は、各チップコンデンサ２４の
ショートの有無、静電容量値、チップコンデンサ２４同
士間の絶縁抵抗値のチェック等、各種のチェックを行
い、不具合のある集合体２０は廃棄する。これにより、
後述する工程で不具合のある集合体２０を使用する危険
性を減少させることができる。

【００２２】次いで、コア基板本体１０およびその製造
方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、集
合体２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即
ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上面
１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３
と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部
用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成
されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁
部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口
しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキ
からなる底部スルーホール導体１２が、上記集合体２０
の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されてい
る。

【００２３】なお、このコア基板本体１０には、そのコ
ア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間
を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていな
い。後述するように、コアスルーホール導体３３は、コ
ア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を内
蔵してから形成するからである。

【００２４】さらに、このコア基板本体下面１０Ｂに
は、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１
５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２
は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部に
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上
下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したが
って、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すよ
うに、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハン
ダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等に
よって配線層（例えば配線層５５など）を形成すること
ができる。

【００２５】このように、底部スルーホール導体１２の
内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋
状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１
２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適す
るので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成し
たい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や
配線層５５を形成したい場合に好都合である。一方、底
部スルーホール導体１２同士の間隔に余裕がある場合に
は、凹部１１の底面１１Ｂに、底部スルーホール導体１
２から延在するパッドを形成して、このパッドと下面接
続パッド２２とを接続させることもできる。また、コア
基板本体下面１０Ｂに、底部スルーホール導体１２から
延在する接続配線を形成して、この接続配線と配線層５
５とを接続させることもできる。

【００２６】このコア基板本体１０は、以下のようにし
て製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部コア基板本体１
３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅
張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線
で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形
成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方
向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成す
る。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくし
たい場合には、レーザ（ＣＯ₂，ＹＡＧ等）で穿孔する
と良い。

【００２７】その後、公知のスルーホール導体形成手法
により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１
２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、
無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルー
ホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。
その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させ
る。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を
研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを
施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をす
る。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像し
て不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メ
ッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３
Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体
１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。

【００２８】一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部コア基
板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意
する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部
１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチン
グにより形成しておく。

【００２９】次いで、図５（ｅ）に示すように、底部コ
ア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６
Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔
１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７
Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１
３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示す
コア基板本体１０が作成できる。

【００３０】本実施形態のように、凹部１１を有するコ
ア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を
構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を
構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、そ
の後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易
かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スル
ーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成する
ことができる。したがって安価にコア基板本体１０を形
成することができる。

【００３１】次いで、このコア基板本体１０に集合体２
０を内蔵固着させ、コアスルーホール導体３３を形成す
る工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コ
ア基板本体１０の凹部１１内に、上述の集合体２０を下
面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パッド２２と対応
する底部スルーホール導体１２とをＡｇ−Ｓｎからなる
ハンダ２３でハンダ付け接続する。具体的には、予め下
面接続パッド２２にハンダペーストを印刷しておき、底
部スルーホール導体１２と重ねた後に、リフロー炉を通
過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
このように、集合体２０を用いたため、多数のチップコ
ンデンサ２４を一度に凹部１１内に配置し、それぞれ底
部スルーホール導体１２と接続させることができる。

【００３２】凹部１１内のフラックスを洗浄除去した
後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基
板本体上面１０Ａ及び上面２０Ａ上に、エポキシ樹脂を
主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させ
る。これにより、集合体２０が底部スルーホール導体１
２に接続されつつ、凹部１１内において充填樹脂３２
（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵さ
れ、熱や振動等が掛かった場合にも、下面接続パッド２
２と底部スルーホール導体１２との間が破断する不具合
が防止される。

【００３３】さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基
板本体上面１０Ａ上及び集合体２０の上面２０Ａ上の充
填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パ
ッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１
と、上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残し
た充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。こ
のようにして製作した集合体内蔵コア基板では、コア基
板本体１０に凹部１１を形成し、その中に集合体２０を
内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形
成する上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等が段差によ
って歪み、断線やショート等の不具合を生じることはな
くなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいは
フリップチップバンプ１０２）への段差の影響もなくな
るため、フリップチップパッド１０１等のコプラナリテ
ィも良好にできる。

【００３４】さらに、図７（ａ）に示すように、このコ
ア基板本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面
１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充
填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０
Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリル
によって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場
合などでは、レーザ（ＣＯ₂，ＹＡＧ等）で穿孔すると
良い。次いで、公知のスルーホール導体形成手法によっ
て、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣ
ｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。な
お、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０
Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層
４５、５５と接続するための接続配線３４，３５も形成
する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パ
ッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填
樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。このよう
にして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア基板と
もいう）３０を作成する。

【００３５】このコア基板３０は、コア基板本体１０の
他、集合体２０をその凹部１１に内蔵している。しか
し、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）や
コア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所定
部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３
３、あるいは、上面接続パッド２１や底部スルーホール
導体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されてお
り、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は
平坦にされている。したがって、集合体２０を内蔵しな
い通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いること
ができる。

【００３６】本実施形態では、コアスルーホール導体３
３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成さ
れた略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホー
ル導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填しその上
下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このように
すれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５
５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することが
できるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度
に形成することができる。

【００３７】その後は、このコア基板３０を用いて、公
知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂
絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すれば
よい。なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前
に、以下の処理を行う。即ち、図７（ｂ）に示すよう
に、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層
３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線
３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホー
ル導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエ
ポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８
を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスル
ーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化
させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させ
ても良い。

【００３８】さらに、図７（ｃ）に示すように、平坦化
樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にす
る。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホー
ル導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面
一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接
続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦
化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面
接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線
１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コ
ア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出
して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶
縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける
影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等
の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパ
ッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができ
る。

【００３９】以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及
び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主
成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光
現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配
線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露
出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、
感光性フィルムを硬化させて、図８（ａ）に示すよう
に、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、
樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後
に、レーザ（ＣＯ₂，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４
１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。

【００４０】さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライ
フィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分
のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開
口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除
去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチン
グにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、
５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、
上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５
Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁さ
れて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さら
に上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁
層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に
配置されることになる。なお、前記したように、配線層
４５のうち、チップコンデンサ２４の端子部２４Ｂにか
ら延びる上部接続パッド２１Ｂに接続するものは、互い
に接続して第１転換層６０をなしている。

【００４１】以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５
２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０
１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に
形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップ
チップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフロー
することで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０
２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１
００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面に
は、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても
良い。

【００４２】また本実施形態では、上述のように樹脂絶
縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹
脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形
成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディ
ティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等
を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線
層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいず
れの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等
を形成しても良い。

【００４３】（変形形態１）次いで、変形形態１にかか
る配線基板２００を、図９を参照しつつ説明する。上記
実施形態では、チップコンデンサ集合体２０は、その上
面２０Ａ及び下面２０Ｂにそれぞれ上面接続パッド２１
及び下面接続パッド２２を有し、下面接続パッド２３
は、凹部１１の底部１１Ｔに形成した底部スルーホール
導体１２とそれぞれ接続し、配線層５５，５６によって
ＬＧＡパッド１０３と接続していた。これに対し、本変
形形態では、チップコンデンサ集合体２２０の下面２２
０Ｂにはパッドは形成されておらず、凹部２１１の底部
にも底部スルーホール導体は形成されていない。従っ
て、集合体２２０は、その上面２２０Ａ側の上面接続パ
ッド２２１でのみ接続できる点で異なるが、その他は同
様である。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な
部分についてはその説明を省略あるいは簡略化する。

【００４４】配線基板２００は、上記実施形態の配線基
板１００と同様、略正方形板状で、その上面２００Ａ
に、破線で示すＩＣチップ２０１と接続するためのフリ
ップチップパッド２０１、及び、略半球状高温ハンダか
らなるフリップチップバンプ２０２が形成されている。
一方、配線基板下面２００ＢにはＬＧＡパッド２０３が
多数形成されている。この配線基板２００は、破線で示
すチップコンデンサ２２４を多数集合してなるチップコ
ンデンサ集合体２２０を固着内蔵するコア基板本体２１
０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層２４１，２４
２，２４３，２５１，２５２，２５３及びこれらの層間
に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層２４
５，２４６，２５５，２５６を備える。

【００４５】コア基板本体２１０は、その略中央にコア
基板本体上面２１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で
有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の底部２１
１Ｔには、実施形態１と異なり底部スルーホール導体は
形成されていない。また、この凹部２１１内には集合体
２２０が内蔵され、コア基板本体２１０の周縁部には、
コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂ
との間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形
成されている。

【００４６】集合体２２０は、同形状のチップコンデン
サ２２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したもので
あり、各チップコンデンサ２２４は、実施形態１のチッ
プコンデンサ２４と同様である。集合体２２０の上面２
２０Ａには、実施形態１と同様に上面接続パッド２２１
を備える。しかし、下面２２０Ｂには下面接続パッドは
形成されていない。さらに、集合体２２０は、図９に示
すように、下面２２０Ｂにおいて、凹部２１１の底面２
１１Ｂと当接して、充填樹脂２３２によって凹部２１１
内に固定されコア基板本体２１０と一体になっている。

【００４７】チップコンデンサ２２４の一方の端子部と
接続する上部接続パッド２２１Ｂは、実施形態１と同様
に、配線層２４５のうち第１転換層２６０によって互い
に接続されている（図１参照）。同様に、図示しない
が、他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層
２４５のうち第２転換層によって互いに接続されてい
る。このため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ
２２４は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成
コンデンサが形成される。なお、第１転換層２６０や第
２転換層はいずれも、配線層２４６やフリップチップパ
ッド２０１を介してＩＣチップ２０１と接続することが
できる。

【００４８】一方、この集合体２２０は、実施形態１と
異なり、凹部２１１の底部２１１Ｔを通じてＬＧＡパッ
ド２０３に接続することがない。しかし、配線層２４
５，２４６を通じて電源電位や接地電位と接続させるこ
とで、これらの間のノイズを除去することができる。し
かも、集合体２２０は、コア基板本体２１０に内蔵され
ているので、ＩＣチップ２０１のごく近くに配置するこ
とができる。したがって、集合体２２０によるノイズ除
去能力をより高めることができる。特に、本変形形態で
は、集合体２２０を、ＩＣチップ２０１の直下（フリッ
プチップパッド２０１の直下）に配置する構造としたの
で、両者間の距離（両者を結ぶ配線の長さ）をごく短く
することができ、この間でノイズが重畳されることが少
なく、特にノイズ除去に有効となる。

【００４９】この配線基板２００の製造方法は、底部ス
ルーホール導体をコア基板本体２１０の形成しない点
や、集合体２２０をハンダ付けによって接続固定しない
点などを除いて、実施形態１とほぼ同様である。つま
り、底部に底部スルーホール導体を形成しない点を除い
て実施形態１と同様にして形成したコア基板本体２１０
の凹部２１１内に、集合体２２０を下面２２０Ｂを下に
して配置し、底面２１１Ｂに当接させる。その後、エポ
キシ樹脂からなる充填樹脂２３２を凹部２１１内及びコ
ア基板本体上面２１０Ａ上や集合体上面２２０Ａ上に注
入塗布して、集合体２２０を凹部内に固着する。以降
は、実施形態１と同様に、整面しコアスルーホール導体
２３３を形成、さらには、各絶縁樹脂層２４１，２４
２，２４３，２５１，２５２，２５３や配線層２４５，
２４６，２５５，２５６を形成して、配線基板２００を
完成させる。このように、集合体２２０を用いたため、
多数のチップコンデンサ２２４を個々に凹部２１１内に
配置し、配線層２４５と接続させる等の手間は不要であ
り、集合体２２０を凹部２１１内に配置することで、一
度に多数のチップコンデンサ２２４を内蔵させることが
できる。

【００５０】（実施形態２）次いで、実施形態２につい
て説明する。上記実施形態１では集合体２０を凹部１１
内に配置し固着した。しかし、図１０に示す本実施形態
の配線基板３００では、コア基板本体３１０の貫通孔３
１１内にチップコンデンサ集合体３２０を配置し、その
下面３２０Ｂに形成した下面接続パッド３２２は配線層
３５５と接続し、配線層３５６を介してＬＧＡパッド３
０３と接続している点で異なる。また、実施形態１の集
合体２０では、チップコンデンサ２４はその内部に埋め
込まれ、各端子部２４Ｂ，２４Ｃは、上面接続パッド２
１及び下面接続パッド２２によってそれぞれ外部に引き
出されていた。しかし、本実施形態の集合体３２０で
は、チップコンデンサ３２４の端子部３２４Ｂ，３２４
Ｃが上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂから露出して、上面
接続パッド３２１及び下面接続パッド３２２とされてい
る点で異なるが、他はほぼ同様である。従って、異なる
部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省略あるいは
簡略化する。

【００５１】配線基板３００は、実施形態１の配線基板
１００と同様、略正方形板状で、その上面３００Ａに、
破線で示すＩＣチップ３０１と接続するためのフリップ
チップパッド３０１、及び、略半球状高温ハンダからな
るフリップチップバンプ３０２が形成されている。一
方、配線基板下面３００ＢにはＬＧＡパッド３０３が多
数形成されている。この配線基板３００は、破線で示す
チップコンデンサ３２４を多数集合してなるチップコン
デンサ集合体３２０を固着内蔵するコア基板本体３１
０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層３４１，３４
２，３４３，３５１，３５２，３５３及びこれらの層間
に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層３４
５，３４６，３５５，３５６を備える。

【００５２】コア基板本体３１０は、図１２に示すよう
に、その略中央にコア基板本体上面３１０Ａと下面３１
０Ｂとの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔３１１
を備える。この貫通孔３１１の図１２（ｂ）中下方は、
径方向寸法が小さくされて、集合体３２０の切り欠き部
３２０Ｐと填り合う受け部３１２が形成されている。ま
た、この貫通孔３１１内には集合体３２０が内蔵され、
コア基板本体３１０の周縁部には、コア基板本体上面３
１０Ａとコア基板本体下面３１０Ｂとの間を貫通するコ
アスルーホール導体３３３が多数形成されている（図１
０参照）。

【００５３】集合体３２０は、図１１に示すように、同
形状のチップコンデンサ３２４を、エポキシ樹脂からな
るモールド体３２５でモールドし集積したものであり、
各チップコンデンサ３２４は、実施形態１のチップコン
デンサ２４と同様に、本体部３２４Ａと、端子部３２４
Ｂ，３２４Ｃを有する。また、集合体３２０の上面３２
０Ａ及び下面３２０Ｂには、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃ
の上面側及び下面側部分からなる上面接続パッド３２１
（図１１では図示しない）及び下面接続パッド３２２を
備える。この上面接続パッド３２１及び下面接続パッド
３２２は、チップコンデンサ３２４をモールド後にその
上下を研磨して、上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂを形成
するとともに、端子部３２４Ｂ，３２４Ｃのうち上面側
及び下面側の露出部分にメッキを施して厚みを増やして
形成する。なお、図１１では下面３２０Ｂが上になるよ
うに描いている。さらに、集合体３２０は、中央に正方
形状の領域を残して、その周縁が切り欠き部３２０Ｐに
より階段状に１段低位とされており、上述したように
（図１０参照）コア基板本体３１０のコンデンサ受け部
３１２との当接面３２０Ｃが形成されている。従って、
切り欠き部３２０Ｐの当接面３２０Ｃと貫通孔３１１の
受け部３１２の受け面３１２Ｓとが当接して、填り合い
充填樹脂３３２によって貫通孔３１１内に位置決め固定
されてコア基板本体３１０と一体になる。

【００５４】チップコンデンサ３２４の一方の端子部で
ある上部接続パッド３２１Ｂは、実施形態１と同様に、
配線層３４５のうち第１転換層３６０によって互いに接
続されている（図１０参照）。同様に、図示しないが、
他方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層３４
５のうち第２転換層によって互いに接続されている。こ
のため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ３２４
は並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデ
ンサが形成できる。なお、第１転換層３６０や第２転換
層はいずれも、配線層３４６やフリップチップパッド３
０１を介してＩＣチップ３０１と接続することができ
る。

【００５５】一方、下部接続パッド３２２は、実施形態
１と異なり底部スルーホール導体を経由することなく、
直接に配線層３５５と接続し、配線層３５６を介してＬ
ＧＡパッド３０３に接続する。したがって、ＬＧＡパッ
ド３０３に接続したマザーボードなどから供給される電
源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド３０３から、集合
体３２０、第１転換層３６０あるいは第２転換層、フリ
ップチップパッド３０１、フリップチップバンプ３０２
を通じて、ＩＣチップ３０１に供給することができるよ
うになる。さらに、集合体３２０（チップコンデンサ３
２４）により形成される合成コンデンサで電源電位や接
地電位に重畳されるノイズを除去することができる。し
かも、集合体３２０は、コア基板本体３１０に内蔵され
ているので、ＩＣチップ３０１のごく近くに配置するこ
とができ、ノイズ除去能力をより高めることができる。
本実施形態では、集合体３２０を、ＩＣチップ３０１の
直下に配置したので、両者間の距離をごく短くすること
ができ、この間でノイズが重畳されることが少なく、特
にノイズ除去に有効となる。

【００５６】また、第１転換層３６０や第２転換層と多
数のフリップチップパッド３０１との間は、配線層３４
６で並列に接続されている。したがって、全体として、
ＩＣチップ３０１（フリップチップパッド３０１）と第
１，第２転換層や集合体３２０との間の抵抗やインダク
タンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利と
なる。同様に、多数のＬＧＡパッド３０３と多数の下面
接続パッド３２２との間も並列に接続されている。した
がって、全体として、ＬＧＡパッド１０３と集合体３２
０の各チップコンデンサ３２４とを結ぶ配線３５５，３
５６や底部スルーホール導体３１２の持つ抵抗やインダ
クタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に
有利となる。

【００５７】一方、信号線など集合体３２０に接続しな
いで、ＩＣチップ３０１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド３０１から配線層３４５，３
４６を通じて、コアスルーホール導体３３３に接続し、
コア基板本体３１０を貫通して、配線層３５５，３５６
からＬＧＡパッド３０３に接続する。この構造は、スル
ーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルド
アップ配線基板と同様である。このように、本実施形態
の配線基板３００でも、ＩＣチップ３０１のごく近くに
チップコンデンサ３２４を多数集積した集合体３２０を
内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等に
ついては、従来と同様の構造にすることができる。

【００５８】次いで、上記配線基板３００の製造方法に
ついてコア基板本体３１０の製造方法を含めて説明す
る。まず、コア基板本体３１０の製造方法について、図
１３を参照して説明する。まず図１３（ａ）に示すよう
に、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その受け
部用コア基板本体上面３１３Ａと受け部用コア基板本体
下面３１３Ｂとを有し、中央に略正方形状の貫通孔３１
３Ｈを有する受け部用コア基板本体３１３を用意する。
なお、貫通孔３１３Ｈは、次述する貫通孔３１６Ｈより
やや小さな寸法にしておく。

【００５９】一方、図１３（ｂ）に示すように、同じく
ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記受け部用
コア基板本体３１３より厚さの厚い壁用コア基板本体３
１６を用意する。この壁部用コア基板本体３１６にも、
予め上記貫通孔３１１に対応した中央の位置に、略正方
形状の貫通孔３１６Ｈをパンチング等により形成してお
く。

【００６０】次いで、図１３（ｃ）に示すように、受け
部用コア基板本体上面３１３Ａと、壁部用コア基板本体
下面３１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、貫
通孔３１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シー
ト３１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これによ
り、両者３１３，３１６は、接着層３１７を介して接着
され、図１２に示すコア基板本体３１０が作成できる。

【００６１】次いで、このコア基板本体３１０に集合体
３２０を内蔵固着させる工程を説明する。まず、図１４
（ａ）に示すように、コア基板本体３１０の貫通孔３１
１内に、上述の集合体３２０を下面３２０Ｂを下にして
配置する。すると上記したように、集合体３２０の当接
面３２０Ｃが受け部３１２の内向き面３１２Ｓに当接
し、さらに、受け部３１２と、さらにいえばその内周縁
３１２Ｈと切り欠き部３２０Ｐとが嵌合して、貫通孔３
１１内で集合体３２０の上下方向及び平面方向の位置決
めができる。

【００６２】その後、図１４（ｂ）に示すように、貫通
孔３１１内の他、コア基板本体上面３１０Ａ及びコンデ
ンサ上面３２０Ａ上、コア基板本体下面３１０Ｂ及び下
面３２０Ｂ上（図中下方）に、エポキシ樹脂を主成分と
する充填樹脂３３２を注入及び塗布し硬化させる。これ
により、集合体３２０が受け部３１２に当接、嵌合しつ
つ、貫通孔３１１内において充填樹脂３３２（３３２
Ａ）で固定されて、コア基板本体３１０に内蔵され、熱
や振動等が掛かった場合にも、コア基板本体３１０と集
合体３２０との間の位置ズレが生じる等の不具合が防止
される。

【００６３】さらに、図１４（ｃ）に示すように、コア
基板本体上面３１０Ａ上及び上面３２０Ａ上の充填樹脂
層３３２Ｂ，３３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッ
ド３２１を露出させると共に、この上面接続パッド３２
１と、上面３２０Ａ上及びコア基板本体上面３１０Ａ上
に残した充填樹脂層３３２Ｂ，３３２Ｃとを略面一に整
面する。同様に、コア基板本体下面３１０Ｂ上及び下面
３２０Ｂ上の充填樹脂層３３２Ｄ，３３２Ｅを平面に研
磨して、下面接続パッド３２２を露出させると共に、こ
の下面接続パッド３２２と、下面３２０Ｂ上及びコア基
板本体下面３１０Ｂ上に残した充填樹脂層３３２Ｄ，３
３２Ｅとを略面一に整面する。このようにして製作した
コンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体３１０に貫
通孔３１１を形成し、その中に集合体３２０を内蔵させ
たことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する樹
脂絶縁層３４１，３５１等や配線層３４５，３５５等が
段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じる
ことはなくなる。また、フリップチップパッド３０１
（あるいはフリップチップバンプ３０２）やＬＧＡパッ
ド３０３への段差の影響もなくなるため、フリップチッ
プパッド３０１やＬＧＡパッド３０３等のコプラナリテ
ィも良好にできる。

【００６４】以降は、実施形態１と同様にして、コアス
ルーホール導体３３３を形成し、さらに、樹脂絶縁層３
４１，３４２，３４３，３５１，４５２，３５３を形成
するとともに、配線層３４５，３４６，３５５，３５６
を形成して、配線基板３００を完成させる。このよう
に、本実施形態でも、集合体３２０を用いたため、多数
のチップコンデンサ３２４を個々に貫通孔内に配置し、
配線層３４５，３５５と接続させる等の手間は不要であ
り、集合体３２０を貫通孔３１１内に配置することで、
一度に多数のチップコンデンサ３２４を内蔵させること
ができる。

【００６５】（変形形態２）次いで、変形形態２にかか
る配線基板４００を、図１５を参照しつつ説明する。上
記実施形態２では、チップコンデンサ集合体３２０は、
その上面３２０Ａ及び下面３２０Ｂにそれぞれ上面接続
パッド３２１及び下面接続パッド３２２を有し、それぞ
れ配線層３４５，３５５と接続していた。これに対し、
本変形形態では、集合体４２０は、その上面４２０Ａ側
の上面接続パッド４２１でのみ接続できる点で異なる
が、その他は同様である。従って、異なる部分を中心に
説明し、同様な部分についてはその説明を省略あるいは
簡略化する。

【００６６】配線基板４００は、上記実施形態の配線基
板３００と同様、略正方形板状で、その上面４００Ａ
に、破線で示すＩＣチップ４０１と接続するためのフリ
ップチップパッド４０１、及び、略半球状高温ハンダか
らなるフリップチップバンプ４０２が形成されている。
一方、配線基板下面４００ＢにはＬＧＡパッド４０３が
多数形成されている。この配線基板４００は、破線で示
すチップコンデンサ４２４を多数集合してなるチップコ
ンデンサ集合体４２０を固着内蔵するコア基板本体４１
０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４４１，４４
２，４４３，４５１，４５２，４５３及びこれらの層間
に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層４４
５，４４６，４５５，４５６を備える。

【００６７】コア基板本体４１０は、実施形態２と同様
に、その略中央にコア基板本体上面４１０Ａと下面４１
０Ｂの間を貫通する平面視略正方形状の貫通孔４１１を
備える。この貫通孔４１１内には集合体４２０が内蔵さ
れ、コア基板本体４１０の周縁部には、コア基板本体上
面４１０Ａとコア基板本体下面４１０Ｂとの間を貫通す
るコアスルーホール導体４３３が多数形成されている。

【００６８】集合体４２０は、同形状のチップコンデン
サ４２４を、エポキシ樹脂でモールドし集積したもので
あり、各チップコンデンサ４２４は、実施形態２のチッ
プコンデンサ３２４と、従って実施形態１のチップコン
デンサ２４と同様である。集合体４２０の上面４２０Ａ
には、実施形態２と同様に上面接続パッド４２１を備え
る。しかし、下面４２０Ｂには下面接続パッドは形成さ
れていない。さらに、集合体４２０は、図１５に示すよ
うに、貫通孔に形成した受け部４１２と切り欠き部４２
０Ｐとが嵌合し、当接面４２０Ｃと受け面４２１Ｓとが
当接して、充填樹脂４３２によって貫通孔４１１内に位
置決め固定され、コア基板本体４１０と一体になってい
る。

【００６９】チップコンデンサの一方の端子部と接続す
る上部接続パッド４２１Ｂは、実施形態２と同様に、配
線層４４５のうち第１転換層４６０によって互いに接続
されている（図１５参照）。同様に、図示しないが、他
方の端子部と接続する上部接続パッドも、配線層４４５
のうち第２転換層によって互いに接続されている。この
ため、実施形態１と同様、各チップコンデンサ４２４は
並列に接続され、静電容量の大きな１つの合成コンデン
サが形成できる。なお、第１転換層４６０や第２転換層
はいずれも、配線層４４６やフリップチップパッド４０
１を介してＩＣチップ４０１と接続することができる。

【００７０】一方、この集合体４２０は、実施形態２と
異なり、下面接続パッドを通じてＬＧＡパッド４０３に
接続することがない。しかし、配線層４４５，４４６を
通じて電源電位や接地電位と接続させることで、これら
の間のノイズを除去することができる。しかも、集合体
４２０は、コア基板本体４１０に内蔵されているので、
ＩＣチップ４０１のごく近くに配置することができ、ノ
イズ除去能力をより高めることができる。本変形形態で
は、集合体４２０を、ＩＣチップ４０１の直下に配置し
たので、両者間の距離をごく短くすることができ、特に
ノイズ除去に有効となる。

【００７１】この配線基板４００の製造方法は、集合体
４２０に下面接続パッドを形成しないため、貫通孔４１
１の下方に配線層４４５，４４６を形成しない点などを
除いて、実施形態２とほぼ同様である。つまり、実施形
態２と同様にして形成したコア基板本体４１０の貫通孔
４１１内に、集合体４２０を下面４２０Ｂを下にして配
置し、切り欠き部４２０Ｐと受け部４１２とを嵌合させ
る。その後、エポキシ樹脂からなる充填樹脂４３２を貫
通孔４１１内及びコア基板本体上面４１０Ａ上や集合体
上面４２０Ａ上に注入塗布して硬化させ、集合体４２０
を凹部内に固着する。また、同様に充填樹脂４３２をコ
ア基板本体下面４１０Ｂ上や集合体下面４２０Ｂ上に塗
布し硬化させる。以降は、実施形態２と同様に、整面し
コアスルーホール導体４３３を形成、さらには、各絶縁
樹脂層４４１，４４２，４４３，４５１，４５２，４５
３や配線層４４５，４４６，４５５，４５６を形成し
て、配線基板４００を完成させる。このように、集合体
４２０を用いたため、多数のチップコンデンサ４２４を
個々に貫通孔４１１内に配置し、配線層４４５と接続さ
せる等の手間は不要であり、集合体４２０を凹部４１１
内に配置することで、一度に多数のチップコンデンサ４
２４を内蔵させることができる。

【００７２】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記各実施形
態や変形形態では、集合電子部品としてチップコンデン
サのみを多数集積したチップコンデンサ集合体２０等を
用いた。しかし、集合電子部品に含まれるチップ状電子
部品は、チップコンデンサに限定されることはなく、例
えば、チップインダクタ、チップ抵抗、チップフィルタ
その他のチップ状電子部品を含んでいても良い。また、
他種類のチップ状電子部品を含んでいても良い。

【００７３】さらに、集合体２０等では、各チップコン
デンサ２４等が独立しており、相互に接続されていない
ために、配線層４５の第１転換層６０や第２転換層など
で相互に接続して合成コンデンサを構成するようにした
が、集合体内にチップ状電子部品相互を接続する配線、
例えば、上記の第１転換層、第２転換層に相当するもの
などを備えるようにしても良い。このようにすると、凹
部や貫通孔内に集合電子部品を搭載した後に、配線基板
に形成する配線層の構造が簡易にでき、さらには配線層
の層数や樹脂絶縁層の層数を減らすことができる場合も
ある。

【００７４】上記実施形態や変形形態では、上下に樹脂
絶縁層や配線層が形成されていないコア基板本体１０等
の凹部１１内や貫通孔３１１内に、集合体２０を配置し
固着した。しかし、予め樹脂絶縁層や配線層が形成され
た配線基板本体の凹部や貫通孔内に集合電子部品を配置
しても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係り、上下両面に端子を有するチ
ップコンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配
置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成し
た配線基板の断面図である。

【図２】凹部内に配置する集合電子部品の斜視図であ
る。

【図３】チップコンデンサ集合体を形成する工程を説明
するための説明図である。

【図４】実施形態１にかかる配線基板のうち、チップコ
ンデンサ集合体を内蔵するための凹部を有するコア基板
本体の部分拡大断面図である。

【図５】図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明
図である。

【図６】配線基板の製造方法のうち、図２のチップコン
デンサ集合体を図４のコア基板本体の凹部内に接続し固
着する工程を示す説明図である。

【図７】配線基板の製造方法のうち、コア基板本体にス
ルーホール導体を形成し、整面する工程を示す説明図で
ある。

【図８】整面されたコア基板本体及びチップコンデンサ
集合体の上下に、樹脂絶縁層および各配線層を形成する
工程を示す説明図である。

【図９】変形形態１に係り、上面に端子を有するチップ
コンデンサ集合体を凹部を有する配線基板本体に配置固
着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成した配
線基板の断面図である。

【図１０】実施形態２に係り、上下両面に端子を有する
チップコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体
に配置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形
成した配線基板の断面図である。

【図１１】貫通孔内に配置するチップコンデンサ集合体
の斜視図である。

【図１２】実施形態２にかかる配線基板のうち、チップ
コンデンサ集合体を内蔵するための貫通孔を有するコア
基板本体の部分拡大断面図である。

【図１３】図１２のコア基板本体の製造方法を説明する
説明図である。

【図１４】配線基板の製造方法のうち、図１１の集合電
子部品を図１２のコア基板本体の凹部内に接続し固着す
る工程を示す説明図である。

【図１５】変形形態２に係り、上面に端子を有するチッ
プコンデンサ集合体を貫通孔を有する配線基板本体に配
置固着し、さらに上下に樹脂絶縁層及び配線層を形成し
た配線基板の断面図である。

【符号の説明】

１００，２００，３００，４００配線基板１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ配線基板上
面１００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，４００Ｂ配線基板下
面１０１，２０１，３０１，４０１フリップチップパッ
ド１０２，２０２，３０２，４０２フリップチップバン
プ１０３，２０３，３０３，４０３ＬＧＡパッド１０，２１０，３１０，４１０コア基板本体（配線
基板本体）１０Ａ，２１０Ａ，３１０Ａ，４１０Ａコア基板本体
上面（第１主面）１０Ｂ，２１０Ｂ，３１０Ｂ，４１０Ｂコア基板本体
下面（第２主面）１１，２１１凹部１１Ｂ，２１１Ｂ凹部の底面１１Ｔ，２１１Ｔ凹部の底部１２，２１２底部スルーホール導体３１１，４１１貫通孔３１２，４１２受け部２０，２２０，３２０，４２０チップコンデンサ集合
体（集合電子部品）２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ上面２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ下面２１，２２１，３２１，４２１上面接続パッド２２，３２２下面接続パッド３２０Ｐ，４２０Ｐ切り欠き部２３ハンダ２４，２２４，３２４，４２４チップコンデンサ（チ
ップ状電子部品）２４Ａ，４２４Ａ本体部２４Ｂ，２４Ｃ，４２４Ｂ，４２４Ｃ端子部２５，４２５モールド体３２，２３２，３３２，４３２充填樹脂３３，２３３，３３３，４３３コアスルーホール導体４１，４２，４３，５１，５２，５３樹脂絶縁層４５，４６，５５，５６配線層６０，２６０，３６０，４６０第１転換層

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１主面及び第２主面を有する板形状をな
し、第１主面から凹設された凹部を備える配線基板本体
と、上記凹部内に配置固着された電子部品と、上記第１
主面の上方及び上記電子部品のうち第１主面側の面の上
方に形成され、上記電子部品と接続する接続配線を含む
配線と、を備える配線基板の製造方法であって、上記電子部品は、複数のチップ状電子部品が集合してな
る集合電子部品であり、上記凹部内に上記集合電子部品を配置し固着させる配置
固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方
法。
【請求項２】第１主面及び第２主面を有する板形状をな
し、第１主面と第２主面との間を貫通する貫通孔を備え
る配線基板本体と、上記貫通孔内に配置固着された電子
部品と、上記第１主面の上方及び上記電子部品のうち第
１主面側の面の上方に形成され、上記電子部品と接続す
る接続配線を含む配線と、を備える配線基板の製造方法
であって、上記電子部品は、複数のチップ状電子部品が集合してな
る集合電子部品であり、上記貫通孔内に上記集合電子部品を配置し固着させる配
置固着工程を備えることを特徴とする配線基板の製造方
法。