JP2005197763A - コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ - Google Patents
コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197763A JP2005197763A JP2005077826A JP2005077826A JP2005197763A JP 2005197763 A JP2005197763 A JP 2005197763A JP 2005077826 A JP2005077826 A JP 2005077826A JP 2005077826 A JP2005077826 A JP 2005077826A JP 2005197763 A JP2005197763 A JP 2005197763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- wiring board
- chip
- terminals
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】 ノイズを確実に除去でき、しかも、ＩＣチップとコンデンサとの接続に伴う抵抗やインダクタンスを極めて低くしたコンデンサ付属配線基板、これに用いる配線基板及びコンデンサを提供する。
【解決手段】 ＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板１００は、ＩＣチップ１０１を搭載したコンデンサ付属配線基板１１０であり、配線基板１２０は、多数のＩＣ接続基板バンプ１５２と、有底凹状のコンデンサ配置空所１２１とを有する。コンデンサ１３０は、空所１２１内に配置され、一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆと、このいずれかに接続する多数のＩＣ接続コンデンサバンプ１３１端子とを有する。ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、コンデンサ接続バンプ１０３とそれぞれフリップチップ接続し、ＩＣ接続基板バンプ１５２は、基板接続バンプ１０４とそれぞれフリップチップ接続してなる。
【選択図】 図１
【解決手段】 ＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板１００は、ＩＣチップ１０１を搭載したコンデンサ付属配線基板１１０であり、配線基板１２０は、多数のＩＣ接続基板バンプ１５２と、有底凹状のコンデンサ配置空所１２１とを有する。コンデンサ１３０は、空所１２１内に配置され、一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆと、このいずれかに接続する多数のＩＣ接続コンデンサバンプ１３１端子とを有する。ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、コンデンサ接続バンプ１０３とそれぞれフリップチップ接続し、ＩＣ接続基板バンプ１５２は、基板接続バンプ１０４とそれぞれフリップチップ接続してなる。
【選択図】 図１
Description
本発明は、コンデンサが付属した配線基板、さらに詳しくは、コンデンサに形成した接続端子と配線基板に形成した接続端子とを、それぞれＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板に接続したＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載したコンデンサ付属配線基板、あるいは、ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板に接続可能なコンデンサ付属配線基板に関する。また、このコンデンサ付属配線基板に用いる配線基板及びコンデンサに関する。
集積回路技術の進歩によりますますＩＣチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこでノイズ除去のため、例えば図３０に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａあるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続することが行われている。
しかしながら、上記の手法では、チップコンデンサ３を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
そこで、配線基板のうち、コア基板の上下に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付いた配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静電容量を十分大きくすることも困難である。
さらに、配線基板には、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）などＩＣチップとほぼ同程度の大きさの配線基板もあり、ＣＳＰなどを用いる場合には、ＩＣチップの代わりに、ＩＣチップを搭載した配線基板（ＣＳＰ）を、別の配線基板に搭載する。このような場合にも、同様にノイズを除去したい場合があるが、上記と同様、この別の配線基板に、低抵抗、低インダクタンスでチップコンデンサを設けたり、大容量のコンデンサを内蔵させることは困難である。
またさらに、例えばＢＧＡタイプの端子を有する配線基板をマザーボードのスルーホールやソケットに挿入接続可能にするため、あるいは両者間の熱応力などを緩和するためなどを目的として、マザーボードやソケットなどと他の配線基板との間に介在させて両者間を接続するインターポーザもある。このようなインターポーザを用いる場合にも、同様にコンデンサによってノイズを除去したい場合がある。
またさらに、例えばＢＧＡタイプの端子を有する配線基板をマザーボードのスルーホールやソケットに挿入接続可能にするため、あるいは両者間の熱応力などを緩和するためなどを目的として、マザーボードやソケットなどと他の配線基板との間に介在させて両者間を接続するインターポーザもある。このようなインターポーザを用いる場合にも、同様にコンデンサによってノイズを除去したい場合がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、ノイズを確実に除去でき、しかも、ＩＣチップとコンデンサとの接続に伴う抵抗やインダクタンスを極めて低くしたコンデンサ付属配線基板や、ＩＣチップ搭載配線基板とコンデンサとの接続に伴う抵抗やインダクタンスを極めて低くしたコンデンサ付属配線基板を提供することを目的とする。また、ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能なコンデンサ付属配線基板を提供することを目的とする。また、このようなコンデンサ付属配線基板に用いる配線基板及びコンデンサを提供することを目的とする。
そしてその解決手段は、ＩＣチップを搭載したコンデンサ付属配線基板であって、コンデンサは、一対の電極または電極群と、複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、を有し、配線基板は、複数の基板端子を有し、上記コンデンサの複数のコンデンサ端子は、上記ＩＣチップの複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続し、上記配線基板の複数の基板端子は、上記ＩＣチップの複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続してなることを特徴とするコンデンサ付属配線基板である。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、ＩＣチップは、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備える。そして、配線基板が、複数の基板端子でＩＣチップの複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続してなる。従って、配線基板内の配線を通じてＩＣチップとの間で信号等の入出力ができる。また、電源電位や接地電位を供給することもできる。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣチップの複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続してなるので、極めて、低抵抗、低インダクタンスで両者が接続される。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣチップの複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続してなるので、極めて、低抵抗、低インダクタンスで両者が接続される。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
つまり、ＩＣチップは、コンデンサの一対の電極（または電極群）のいずれとも接続するため、例えば、一方の電極（電極群）をＩＣチップ内の電源配線に、また他方の電極（電極群）を他の電源配線（例えば接地配線）に接続することにより、電源配線層等に侵入したノイズをコンデンサによって確実に除去することができる。しかも、コンデンサは、ＩＣチップと直接接続しているので、ＩＣチップとコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができる。従って、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
また、コンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを用いることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
また、コンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを用いることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
他の解決手段は、ＩＣチップ搭載配線基板を搭載したコンデンサ付属配線基板であって、コンデンサは、一対の電極または電極群と、複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、を有し、配線基板は、複数の基板端子を有し、上記コンデンサの複数のコンデンサ端子は、上記ＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれ接続面対向接続し、上記配線基板の複数の基板端子は、上記ＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれ接続面対向接続してなることを特徴とするコンデンサ付属配線基板である。
本発明のＩＣチップ搭載配線基板を搭載したコンデンサ付属配線基板では、ＩＣチップ搭載配線基板（以下、単にＩＣ搭載基板ともいう）は、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備える。そして、配線基板が、複数の基板端子でＩＣ搭載基板の複数の基板接続端子とそれぞれ接続面対向接続してなる。従って、配線基板内の配線を通じてＩＣ搭載基板との間で信号等の入出力ができる。また、これらに電源電位や接地電位を供給することもできる。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣ搭載基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれ接続面対向接続してなるので、極めて低抵抗、低インダクタンスで両者が接続される。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣ搭載基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれ接続面対向接続してなるので、極めて低抵抗、低インダクタンスで両者が接続される。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
つまり、ＩＣ搭載基板は、コンデンサの一対の電極（または電極群）のいずれとも接続するため、例えば、一方の電極（電極群）をＩＣ搭載基板内の電源配線に、また他方の電極（電極群）を他の電源配線（例えば接地配線）に接続することにより、電源配線層等に侵入したノイズをコンデンサによって確実に除去することができる。しかも、コンデンサは、ＩＣ搭載基板と直接接続しているので、ＩＣ搭載基板とコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができる。従って、誤動作等の不具合を抑制でき、高い信頼性を得ることができる。
また、コンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを用いることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
また、コンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを用いることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
なお、ＩＣチップ搭載配線基板には、ＩＣチップを搭載した配線基板であればいずれのものも含まれ、通常の配線基板のほか、ＣＳＰなどＩＣチップと概略同寸法の配線基板なども含まれる。
一方、ＩＣ搭載基板を搭載するコンデンサ付属配線基板としては、ＩＣ搭載基板を搭載するものであればいずれのものでも良く、ＩＣチップを搭載するＣＳＰなどを搭載する通常の配線基板の他、ＩＣチップを搭載した通常の配線基板を搭載し、この通常の配線基板とマザーボード等の他の配線基板やソケットとの間に介在させるインターポーザなども含まれる。
一方、ＩＣ搭載基板を搭載するコンデンサ付属配線基板としては、ＩＣ搭載基板を搭載するものであればいずれのものでも良く、ＩＣチップを搭載するＣＳＰなどを搭載する通常の配線基板の他、ＩＣチップを搭載した通常の配線基板を搭載し、この通常の配線基板とマザーボード等の他の配線基板やソケットとの間に介在させるインターポーザなども含まれる。
さらに、コンデンサ端子とＩＣ搭載基板のコンデンサ接続端子との接続、及び基板端子とＩＣ搭載基板の基板接続端子とは、接続面対向接続の手法が用いられる。即ち、ＬＧＡ，ＢＧＡなど所定のパターンに配置したＩＣ搭載基板の接続面に形成したランドやバンプ、あるいはバットジョイントＰＧＡなど所定パターンに配置したＩＣ搭載基板の接続面に形成した突き当て接続用ピンなど（コンデンサ接続端子や基板接続端子に相当）と、コンデンサや配線基板の接続面に形成したパッドやバンプなど（コンデンサ端子や基板端子に相当）との間を、両者の接続面を対向させた状態で、ハンダや導電性樹脂などの導電材料を用いて接続面間で接続する手法を用いる。
さらに、上記に記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記ＩＣチップ搭載配線基板は、ＩＣチップを搭載したＣＳＰであることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、搭載したＩＣチップ搭載配線基板が、ＩＣチップを搭載したＣＳＰであるから、ＣＳＰのコンデンサ接続端子に接続したコンデンサは、ＣＳＰを介してＩＣチップに接続できるので、直接ＩＣチップに接続したのとほぼ同様に機能させることができる。従って、例えば、コンデンサの一方の電極または電極群をＣＳＰを介してＩＣチップの電源配線に、他方の電極または電極群を同じくＣＳＰを介してＩＣチップの他の電源配線（例えば接地配線）に接続することで、ノイズを除去しＩＣチップの誤動作等を防止することが出来る。
なお、ＣＳＰは、公知の構造や材質のものを用いれば良く、例えばアルミナセラミック等のセラミックやポリイミドなどの樹脂を基材とし、タングステン、モリブデン、あるいは銅メッキやハンダによって基材を貫通するビア導体を構成するものなどが挙げられる。
なお、ＣＳＰは、公知の構造や材質のものを用いれば良く、例えばアルミナセラミック等のセラミックやポリイミドなどの樹脂を基材とし、タングステン、モリブデン、あるいは銅メッキやハンダによって基材を貫通するビア導体を構成するものなどが挙げられる。
さらに他の解決手段は、ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能なコンデンサ付属配線基板であって、コンデンサは、一対の電極または電極群と、上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、を有し、上記配線基板は、上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数の基板端子を有することを特徴とするコンデンサ付属配線基板である。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能である。そして、配線基板は、複数の基板端子でＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能である。従って、配線基板内の配線を通じてＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板との間で信号等の入出力ができる。また、必要に応じて、電源電位や接地電位を供給することもできる。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能である。従って、ＩＣチップやＩＣ搭載基板と、低抵抗、低インダクタンスで接続することができる。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
さらに、コンデンサは、複数のコンデンサ端子でＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能である。従って、ＩＣチップやＩＣ搭載基板と、低抵抗、低インダクタンスで接続することができる。しかも、コンデンサのコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、一対の電極または電極群のいずれも複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。
つまり、このコンデンサ付属配線基板に対応する複数のコンデンサ接続端子及び複数の基板接続端子を有するＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を接続すると、このＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板は、コンデンサの一対の電極（または電極群）のいずれとも接続する。このため、例えば、一方の電極（電極群）をＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）内の電源配線に、また他方の電極（電極群）を他の電源配線（例えば接地配線）に接続することにより、コンデンサによって重畳されたノイズを確実に除去することができる。しかも、コンデンサは、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続するので、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）とコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができる。従って、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
なお、コンデンサ端子及び基板端子の形状は、接続するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のコンデンサ接続端子及び基板接続端子の形状に対応して適宜選択すればよいが、たとえば、フリップチップパッドやハンダを盛り上げたフリップチップバンプ、パッドやバンプ、突き当て接続用のピンの形状などが挙げられる。
また、上記コンデンサ付属配線基板であって、前記コンデンサと配線基板とは、絶縁樹脂により互いに固着されていることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサと配線基板が互いに固着されているので、コンデンサと配線基板とを一体として取り扱えるため、取り扱いが容易になる。また、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と接続する場合にも、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のコンデンサ接続端子とコンデンサのコンデンサ端子との接続、及び、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）の基板接続端子と配線基板の基板端子との接続を、容易かつ同時に行えるため、ＩＣチップ接続作業（あるいはＩＣチップ搭載配線基板接続作業）も簡易にできる。また、配線基板とコンデンサが一体となっているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ等の搭載の費用が不要となるため、安価なコンデンサ付属配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記コンデンサは、第一コンデンサ主面を有し、前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成され、前記配線基板は、第一基板主面を有し、前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、上記複数のコンデンサ端子と複数の基板端子とは、略同一の共平面を有することを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、複数のコンデンサ端子と複数の基板端子とは略同一の共平面を有するため、接続するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に形成される複数のコンデンサ接続端子と複数の基板接続端子とが、共通の共平面を持つように形成したもので足りる。さらに具体的には、複数のコンデンサ接続端子と複数の基板接続端子として、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）の接続平面に略同形状の接続端子を多数形成したＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）で足りる。従って、接続するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）が容易に形成できる。また、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）とコンデンサや配線基板との接続も、より容易になる。
さらに上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記配線基板は、前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所と、上記コンデンサ配置空所の周縁の空所周縁領域と、を有し、前記複数の基板端子は、上記空所周縁領域に形成されていることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、配線基板にコンデンサをその中に配置することが予定されているコンデンサ配置空所とこの周縁の空所周縁領域とを有し、この空所周縁領域に複数の基板端子が形成されているので、コンデンサ端子と基板端子とが、コンデンサ及びその周縁に密集して位置することになる。このため、これらと接続するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）の平面寸法が、これらの端子の配置に制限されて小さくできない不具合を防止し、可能な限り小さくすることができる。これにより、搭載するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）の単価を引き下げ、全体として安価なＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）を搭載した搭載コンデンサ付属配線基板を形成することができる。
なお、上記コンデンサ配置空所としては、コンデンサをその中に配置するための空所であればいずれの形状も良く、例えば、配線基板の一部が低位とされた有底凹状であっても、配線基板の厚さ方向に貫通した貫通孔形状であっても良い。また、コンデンサ配置空所は、配線基板の略中央領域に位置している必要はなく、配線基板の周縁部に形成されていても良い。従って、貫通孔のように配線基板に周囲を取り囲まれた形状ではなく、厚さ方向に貫通した部分によって一部が切り欠かれた形状（例えばコ字状）とされていたり、有底凹状のコンデンサ配置空所の底部が配線基板の側面に露出した形状でも良い。
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記配線基板は、前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所を有し、上記コンデンサ配置空所は、この中に配置した上記コンデンサと当接して、コンデンサ配置空所の深さ方向についての上記コンデンサの位置を規制するコンデンサ位置規制部を有することを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサ配置空所にコンデンサ位置規制部を有する。このため、このコンデンサ配置空所内にコンデンサを配置し、コンデンサ位置規制部と当接させることにより、コンデンサ配置空所の深さ方向についてのコンデンサの位置決めを容易にすることができる。従って、この方向について、コンデンサに形成されたコンデンサ端子の位置決めを容易にすることができる。
なお、コンデンサ位置規制部は、コンデンサの形状（寸法）を勘案して、コンデンサ配置空所の深さ方向についてのコンデンサの位置を規制可能に形成したものであればいずれのものでも良いが、例えば、有底凹状のコンデンサ配置空所の底面や、貫通凹状のコンデンサ配置空所内の一端（上端または下端）近傍において径方向内側に向かって突出する突起などが挙げられる。
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記配線基板は、第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、上記第一基板主面より上記第二基板主面側に低位とされ、前記コンデンサをその中に配置するための有底凹状コンデンサ配置空所と、上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、上記複数の第二面基板端子のうちのいずれか複数から延びて上記有底凹状コンデンサ配置空所の底面にそれぞれ延出する複数の接続配線と、を備え、前記コンデンサは、上記有底凹状コンデンサ配置空所内に配置され、第一コンデンサ主面と、この第一コンデンサ主面と略平行な第二コンデンサ主面と、上記第二コンデンサ主面に形成された複数の第二面コンデンサ端子であって、前記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の第二面コンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数の第二面コンデンサ端子と、を備え、前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成され、上記複数の第二面コンデンサ端子は、上記有底凹状コンデンサ配置空所の底面に延出した接続配線とそれぞれ接続してなることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、配線基板は、有底凹状コンデンサ配置空所、基板端子、第二面基板端子、及び接続配線を備える。また、コンデンサは、第一コンデンサ主面にコンデンサ端子、第二コンデンサ主面に第二面コンデンサ端子を備える。さらに有底凹状コンデンサ配置空所内に配置したコンデンサの第二面コンデンサ端子と接続配線とがそれぞれ接続されている。このため、配線基板はＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）及び他の配線基板等と直接接続することができる。一方コンデンサは、コンデンサ端子でＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できるほか、第二面コンデンサ端子から接続配線を通じて第二面基板端子にコンデンサの両極を引き出し、マザーボード等の他の配線基板等と接続することができる。
このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、第二面基板端子やこれに接続した他の配線基板等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、第二面基板端子やこれに接続した他の配線基板等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
さらに、コンデンサ端子と第二面基板端子のうち接続配線を介して第二面コンデンサ端子に接続しているものとが、コンデンサの一対の電極（電極群）のいずれかを介して、それぞれ接続していることになる。このため、第二面コンデンサ端子と接続する第二面基板端子を他の配線基板内の電源配線や接地配線と接続させることにより、他の配線基板から、接続配線を介し、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に電源電位や接地電位（電源電流や接地電流）を供給することができる。しかも、コンデンサによって上述のようにノイズの除去も行うことができる。
また、他の配線基板等との接続は、配線基板の第二面基板端子で行うため、コンデンサとの接続を考慮する必要が無く、他の配線基板等との接続が容易である。
また、他の配線基板等との接続は、配線基板の第二面基板端子で行うため、コンデンサとの接続を考慮する必要が無く、他の配線基板等との接続が容易である。
あるいは、前記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記配線基板は、第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、上記第一基板主面と第二基板主面の間を貫通し、前記コンデンサをその中に配置するための貫通コンデンサ配置空所と、上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、を備え、前記コンデンサは、上記貫通コンデンサ配置空所内に配置され、第一コンデンサ主面と、この第一コンデンサ主面と略平行な第二コンデンサ主面と、上記第二コンデンサ主面に形成された複数の第二面コンデンサ端子であって、前記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の第二面コンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数の第二面コンデンサ端子と、を備え、前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成されてなることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、配線基板は、貫通コンデンサ配置空所と基板端子と第二面基板端子とを備える。また、コンデンサは、第一コンデンサ主面にコンデンサ端子、第二コンデンサ主面に第二面コンデンサ端子を備える。このため、配線基板は直接ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）及び他の配線基板等と接続できる。同様にコンデンサも、コンデンサ端子でＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できるほか、第二面コンデンサ端子により、マザーボード等他の配線基板等に直接コンデンサの両極を接続することができる。
このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、他の配線基板からもごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
さらに、このコンデンサの一対の電極（電極群）のいずれかを介して、コンデンサ端子と第二面コンデンサ端子とがそれぞれ接続していることになる。このため、第二面コンデンサ端子をマザーボード等他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させることにより、他の配線基板から、本発明の配線基板内の配線を介さず、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に電源電位や接地電位（電源電流や接地電流）を供給することができるので、特に、低抵抗、低インダクタンスで接続できる。しかも、コンデンサによってノイズの除去も行うことができる。
このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、他の配線基板からもごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
さらに、このコンデンサの一対の電極（電極群）のいずれかを介して、コンデンサ端子と第二面コンデンサ端子とがそれぞれ接続していることになる。このため、第二面コンデンサ端子をマザーボード等他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させることにより、他の配線基板から、本発明の配線基板内の配線を介さず、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に電源電位や接地電位（電源電流や接地電流）を供給することができるので、特に、低抵抗、低インダクタンスで接続できる。しかも、コンデンサによってノイズの除去も行うことができる。
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記コンデンサは、前記複数のコンデンサ端子同士の間隔よりも、前記複数の第二面コンデンサ端子同士の間隔が大きいことを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサ端子同士の間隔よりも第二面コンデンサ端子同士の間隔が大きい。このため、一方ではＩＣチップやＣＳＰと接続し、他方では一般にＩＣチップ（あるいはＣＳＰ）の接続端子同士の間隔よりも大きい間隔で形成されるマザーボードなど他の配線基板等の接続端子の間隔に適合させて接続することができる。
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、前記配線基板は、前記ＩＣチップ搭載配線基板と他の配線基板との間を中継するインタポーザであることを特徴とするコンデンサ付属配線基板とすると良い。
コンデンサ付属配線基板では、コンデンサに不具合を生じていたり、コンデンサを配線基板に内蔵させたり、接続させたりした際に不良となったりすると、コンデンサとともに配線基板も廃棄することになる場合が多い。従って、配線基板自身が複雑な構造や配線を有し高価な場合には、廃棄した場合の損失が大きくなる。また、ＩＣチップをも一緒に廃棄する場合には、さらに損失が大きくなる。
これに対し、本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサが付属する配線基板が、ＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能で、このＩＣチップ搭載配線基板と他の配線基板との間を中継するインタポーザであるので、構造が簡単で安価であり、コンデンサの不具合やコンデンサを内蔵させる際の不具合などがあっても、安価なインターポーザを廃棄すれば済み、ＩＣチップ搭載配線基板を廃棄する必要がないので、損失が少なくて済む。
これに対し、本発明のコンデンサ付属配線基板では、コンデンサが付属する配線基板が、ＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能で、このＩＣチップ搭載配線基板と他の配線基板との間を中継するインタポーザであるので、構造が簡単で安価であり、コンデンサの不具合やコンデンサを内蔵させる際の不具合などがあっても、安価なインターポーザを廃棄すれば済み、ＩＣチップ搭載配線基板を廃棄する必要がないので、損失が少なくて済む。
さらに他の解決手段は、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板と接続する配線基板であって、上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数の基板端子を有することを特徴とする配線基板である。
本発明の配線基板では、ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板のうちでも、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板における複数の基板接続端子と、フリップチップ接続可能あるいは接続面対向接続可能な複数の基板端子を有する。従って、このようなＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板と本発明の配線基板とを接続させると、コンデンサ接続端子は除いて、基板接続端子と基板端子とをフリップチップ接続あるいは接続面対向接続させることができる。従って、同時にあるいは別途、コンデンサ接続端子にコンデンサを接続させることにより、配線基板内の配線を介することなく、コンデンサをＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板に接続させることができる。
なお、上記配線基板であって、前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所と、上記コンデンサ配置空所の周縁の空所周縁領域と、を有し、前記複数の基板端子は、上記空所周縁領域に形成されていることを特徴とする配線基板とするのが好ましい。
この配線基板では、配線基板にコンデンサ配置空所と空所周縁領域とを有し、この空所周縁領域に複数の基板端子が形成されているので、基板端子が、コンデンサ配置空所の周縁に密集して位置することになる。このため、配線基板及びコンデンサと接続するＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板（特にＣＳＰ）の平面寸法が、配線基板の基板端子の配置に制限されて小さくできない不具合を防止し、可能な限り小さくすることができる。これにより、搭載するＩＣチップやＩＣチップ搭載配線基板の単価を引き下げ、全体として安価なＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載したコンデンサ付属配線基板を形成することができるようになる。
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所を有し、上記コンデンサ配置空所は、この中に配置した上記コンデンサと当接して、コンデンサ配置空所の深さ方向についての上記コンデンサの位置を規制するコンデンサ位置規制部を有することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。
この配線基板では、コンデンサ配置空所にコンデンサ位置規制部を有する。このため、このコンデンサ配置空所内にコンデンサを配置し、コンデンサ位置規制部と当接させることにより、コンデンサ配置空所の深さ方向についてのコンデンサの位置決めを容易にすることができる。従って、この方向について、コンデンサに形成されたＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板との接続端子の位置決めを容易にすることができる。
さらに、上記いずれかに記載の配線基板であって、前記第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、上記第一基板主面より上記第二基板主面側に低位とされ、前記コンデンサをその中に配置するための有底凹状コンデンサ配置空所と、上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、上記複数の第二面基板端子のうちのいずれか複数から延びて上記有底凹状コンデンサ配置空所の底面にそれぞれ延出する複数の接続配線と、を備え、前記基板端子は、上記第一基板主面に形成されてなることを特徴とする配線基板とするのが好ましい。
この配線基板では、有底凹状コンデンサ配置空所、基板端子、第二面基板端子、及び接続配線を備える。このため、第一基板主面側ではＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板と接続でき、第二基板主面側では、マザーボード等の他の配線基板と接続できる。また、この有底凹状コンデンサ配置空所内にＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板と接続可能なコンデンサを配置し、さらにコンデンサの一対の電極を接続配線にそれぞれ接続させれば、空所内にコンデンサを保持し、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）とコンデンサを接続させつつ、第二基板主面側に接続した他の配線基板等から第二面基板端子及び接続配線を通じてコンデンサに接続することができる。
このため、ＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、第二面基板端子やこれに接続した他の配線基板等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
このため、ＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、第二面基板端子やこれに接続した他の配線基板等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。
さらに、第二面基板端子のうち接続配線を介して第二面コンデンサ端子と接続しているものとコンデンサ端子とは、コンデンサの一対の電極（電極群）のいずれかを介して、それぞれ接続していることになる。このため、第二面コンデンサ端子と接続する第二面基板端子をマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させることにより、他の配線基板から、本発明の配線基板内の接続配線を介して、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板に電源電位や接地電位（電源電流や接地電流）を供給することができる。しかも、コンデンサによって上述のようにノイズの除去も行うことができる。
また、他の配線基板等との接続は、配線基板の第二面基板端子で行うため、コンデンサとの接続を考慮する必要が無く、他の配線基板等との接続が容易である。
また、他の配線基板等との接続は、配線基板の第二面基板端子で行うため、コンデンサとの接続を考慮する必要が無く、他の配線基板等との接続が容易である。
あるいは、前記いずれかに記載の配線基板であって、前記第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、上記第一基板主面と第二基板主面の間を貫通し、前記コンデンサをその中に配置するための貫通コンデンサ配置空所と、上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、を備え、前記基板端子は、上記第一基板主面に形成されてなることを特徴とする配線基板とするのが好ましい。
この配線基板では、基板端子の他に、貫通コンデンサ配置空所と第二面基板端子とを備える。このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）とこの配線基板とは基板端子で接続させることができ、マザーボード等の他の配線基板とは、第二面基板端子で接続させることができる。
さらに、この貫通コンデンサ配置空所内に、ＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板と接続可能なコンデンサ端子を有するコンデンサを配置すれば、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できる。このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる。その他、この逆側にも配線基板と接続可能なコンデンサ端子をそれぞれ有するコンデンサを配置すれば、一方でＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できるほか、他の配線基板等に直接コンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、他の配線基板からもごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。さらに、本発明の配線基板内の配線を介さず、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に電源電流や接地電流を供給することができる。
さらに、この貫通コンデンサ配置空所内に、ＩＣチップあるいはＩＣチップ搭載配線基板と接続可能なコンデンサ端子を有するコンデンサを配置すれば、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できる。このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる。その他、この逆側にも配線基板と接続可能なコンデンサ端子をそれぞれ有するコンデンサを配置すれば、一方でＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）と直接接続できるほか、他の配線基板等に直接コンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のごく近くにコンデンサを配置することができる上に、他の配線基板からもごく近い距離にコンデンサを配置することができる。従ってこの間で侵入するノイズもごく小さくできる。さらに、本発明の配線基板内の配線を介さず、コンデンサの一対の電極（電極群）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）に電源電流や接地電流を供給することができる。
さらに他の解決手段は、コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板と接続するコンデンサであって、一対の電極または電極群と、上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、を有することを特徴とするコンデンサである。
本発明のコンデンサでは、一対の電極（電極群）とコンデンサ端子とを備える。このコンデンサ端子は、一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する。つまり、このコンデンサに、コンデンサ接続端子及び基板接続端子を有するＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）を接続すると、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）はコンデンサの一対の電極（電極群）のいずれとも接続するため、例えば、一方の電極（電極群）をＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）内の電源配線に、また他方の電極（電極群）を他の電源配線（例えば接地配線）に接続することにより、電源配線等に侵入したノイズをコンデンサによって確実に除去することができる。しかも、コンデンサ端子は、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）のコンデンサ接続端子と直接フリップチップ接続可能（あるいは接続面対向接続可能）であるので、接続した際には、低抵抗、低インダクタンスで接続でき、ＩＣチップ（あるいはＩＣチップ搭載配線基板）とコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができる。従って、接続するＩＣチップやＩＣチップ搭載配線基板において誤動作等の不具合を生じることを防ぎ、信頼性を高めることができる。
なお、上記コンデンサであって、第一コンデンサ主面と、この第一コンデンサ主面と略平行な第二コンデンサ主面と、上記第二コンデンサ主面に形成され、前記配線基板の有底凹状コンデンサ配置空所の底面に延出する複数の接続配線、または他の配線基板の複数の接続端子のいずれかと接続可能な複数の第二面コンデンサ端子であって、前記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の第二面コンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数の第二面コンデンサ端子と、を備え、前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成されてなることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
このコンデンサでは、コンデンサ端子の他、第二コンデンサ主面に形成された第二面コンデンサ端子を備え、この第二面コンデンサ端子は、配線基板の有底凹状コンデンサ配置空所底面の接続配線、あるいは、他の配線基板の接続端子と接続可能となっている。このため、このコンデンサは、第一コンデンサ主面側でＩＣチップ（あるいはＩＣ搭載基板）と接続することができる他、第二コンデンサ主面側で配線基板の接続配線と、あるいは直接マザーボード等他の配線基板の接続端子と接続できる。従って、配線基板の接続配線や他の配線基板の接続端子から、一対の電極（電極層）を通じて、ＩＣチップ（あるいはＩＣ搭載基板）に電源電流や接地電流を供給することができる。しかも、コンデンサによって電源電位と接地電位との間などでのノイズの除去も行うことができる。
さらに、上記コンデンサであって、前記複数のコンデンサ端子同士の間隔よりも、前記複数の第二面コンデンサ端子同士の間隔が大きいことを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
一般にＩＣチップ（あるいはＣＳＰ）と配線基板との接続に用いられる接続端子同士の間隔よりも、配線基板同士の接続に用いる接続端子の間隔は大きいので、コンデンサ端子及び第二面コンデンサ端子をそれぞれ適合させることにより、ＩＣチップ（あるいはＣＳＰなどのＩＣチップ搭載配線基板）及び配線基板あるいは他の配線基板とも容易に接続することができる。
（実施形態１）
本発明の第一の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明のＩＣチップを搭載したコンデンサ付属配線基板１００は、ＩＣチップ１０１とこれを搭載、接続したコンデンサ付属配線基板１１０とからなる。
このうち、ＩＣチップ１０１は、接続平面である下面１０１Ｂに半球状の接続端子１０２を多数備える。この接続端子１０２は、高温ハンダからなるハンダバンプであり、このうち、図中略中央付近の接続端子１０２が、後述するコンデンサ１３０と接続することが予定されているコンデンサ接続バンプ１０３であり、その周縁（図中左右方向）の接続端子１０２が、後述する配線基板１２０と接続することが予定されている基板接続バンプ１０４である。
本発明の第一の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明のＩＣチップを搭載したコンデンサ付属配線基板１００は、ＩＣチップ１０１とこれを搭載、接続したコンデンサ付属配線基板１１０とからなる。
このうち、ＩＣチップ１０１は、接続平面である下面１０１Ｂに半球状の接続端子１０２を多数備える。この接続端子１０２は、高温ハンダからなるハンダバンプであり、このうち、図中略中央付近の接続端子１０２が、後述するコンデンサ１３０と接続することが予定されているコンデンサ接続バンプ１０３であり、その周縁（図中左右方向）の接続端子１０２が、後述する配線基板１２０と接続することが予定されている基板接続バンプ１０４である。
一方、コンデンサ付属配線基板１１０は、略正方形板状で、その略中央に平面視正方形状で底部１２２を有する有底凹状のコンデンサ配置空所（以下単に凹部ともいう）１２１を備えた配線基板１２０と、この凹部１２１内に配置されたコンデンサ１３０とからなる。なお、配線基板１２０とコンデンサ１３０とは、両者間の隙間に充填されたエポキシ樹脂からなる絶縁性の充填樹脂１２３によって互いに固着され、一体とされている。なお、コンデンサ１３０の内部構造は、後述（図２参照）するので、図１等においては略記する。
また、この配線基板１２０の上面（第一基板主面）１２０Ａには、上述したＩＣチップ１０１の基板接続バンプ１０４にそれぞれ対応した位置に、頂部が平坦にされた略半球状のＩＣ接続基板バンプ１５２が多数形成されている。なお、ＩＣチップ１０１搭載の際に、溶融したＩＣ接続基板バンプ１５２は、破線で示すように基板接続バンプ１０４に溶着して、ＩＣチップ１０１と配線基板１２０とがフリップチップ接続される。また同様に、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１も破線で示すようにコンデンサ接続バンプ１０３に溶着して、ＩＣチップ１０１とコンデンサ１３０とがフリップチップ接続される。
また、この配線基板１２０の上面（第一基板主面）１２０Ａには、上述したＩＣチップ１０１の基板接続バンプ１０４にそれぞれ対応した位置に、頂部が平坦にされた略半球状のＩＣ接続基板バンプ１５２が多数形成されている。なお、ＩＣチップ１０１搭載の際に、溶融したＩＣ接続基板バンプ１５２は、破線で示すように基板接続バンプ１０４に溶着して、ＩＣチップ１０１と配線基板１２０とがフリップチップ接続される。また同様に、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１も破線で示すようにコンデンサ接続バンプ１０３に溶着して、ＩＣチップ１０１とコンデンサ１３０とがフリップチップ接続される。
配線基板１２０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板１４０の上面１４０Ａ及び下面１４０Ｂに、それぞれ銅からなる配線層１４３，１４４を備える他、それぞれエポキシ樹脂を主成分とし、上面１４０Ａ、下面１４０Ｂ、及び配線層１４３，１４４を覆う樹脂絶縁層１５０，１６０を備える。配線層１４３，１４４の間は、コア基板１４０を貫通するコアスルーホール孔１４２内に形成されたスルーホール導体１４５によって互いに導通している。スルーホール導体１４５内には、エポキシ樹脂からなる充填樹脂１４６が充填されている。また、コア基板１４０の中央には、平面視正方形状の有底の凹部１４１が形成され、この凹部１４１では、コア基板１４０の厚さが薄くされている。
樹脂絶縁層１５０のうち、凹部１２１の周縁の空所周縁領域１１１には、上記基板接続バンプ１０４にそれぞれ対応した位置に、その上面１２０Ａから、配線層１４３まで貫通する開口１５１を有しており、開口１５１内に露出した配線層１４３は、ＩＣチップ１０１と接続するためのＩＣ接続基板パッド（フリップチップパッド）１４３Ｐとなっている。この開口１５１内には、Ａｇ−Ｓｎハンダからなるハンダが上面１２０Ａを越えて頂部が平坦にされた略半球状に盛り上げられて、上述のＩＣ接続基板バンプ１５２が形成されている。
なお、このＩＣ接続基板バンプ１５２は、後述するように形成時に治具の平面部に当接した状態で形成されるので、その頂部が高いコプラナリティ（共平面性）を有するように形成されている。
なお、このＩＣ接続基板バンプ１５２は、後述するように形成時に治具の平面部に当接した状態で形成されるので、その頂部が高いコプラナリティ（共平面性）を有するように形成されている。
一方、樹脂絶縁層１６０には、配線基板１２０の周縁部分に格子状に、その下面（第二基板主面）１２０Ｂから、配線層１４４まで貫通する開口１６１を有しており、開口１６１内に露出した配線層１４４は、マザーボードなど他の配線基板と接続するための接続パッド１４４Ｐとなっている。この開口１６１内にも、Ａｇ−Ｓｎハンダからなるハンダが下面１２０Ｂを越えて略半球状に盛り上げられて、ハンダバンプ１６２が格子状に形成されている。このため、この配線基板１２０は、ＢＧＡタイプの配線基板となっている。従って、マザーボード等の他の配線基板をこのハンダバンプ１６２で接続することにより、配線基板１２０を介してＩＣチップ１０１と接続させることができる。
樹脂絶縁層１５０，１６０は、それぞれ、ＩＣ接続基板バンプ１５２、ハンダバンプ１６２の形成の際、あるいはこれらとＩＣチップ１０１等の接続時のソルダーレジスト層の役割をも有している。
樹脂絶縁層１５０，１６０は、それぞれ、ＩＣ接続基板バンプ１５２、ハンダバンプ１６２の形成の際、あるいはこれらとＩＣチップ１０１等の接続時のソルダーレジスト層の役割をも有している。
コンデンサ１３０は、図２（ａ）に示すように、比誘電率εｒが数１００以上と高誘電率の、具体的には高誘電体セラミック、さらに具体的には、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層１３２（比誘電率εｒ＝約１９０００）とＰｄを主成分とする電極層１３３とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサである。ただし、チップコンデンサなどに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面からコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のための電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ａ）（ｂ）に示すように、コンデンサ上面（第一コンデンサ主面）１３０Ａのうち、上記ＩＣチップ１０１のコンデンサ接続バンプ１０３にそれぞれ対応した配置で、頂部が平坦にされた略半球状のＡｇ−Ｓｎハンダからなる多数のＩＣ接続コンデンサパッド１３４（図２（ｂ）では、１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ）を備えている。また、このＩＣ接続コンデンサパッド１３４の上には、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１（図２（ｂ）では、破線で示す１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ）が後ほど形成される。このため、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、これを溶融させることによって、ＩＣチップ１０１のコンデンサ接続バンプ１０４とフリップチップ接続可能になっている。
コンデンサ１３０の各電極層１３３は、図２（ｂ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体１３５Ｅ，１３５Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電極層の群１３３Ｅ，１３３Ｆに分けられている。しかも、電極層の群１３３Ｅ，１３３Ｆは、互いに絶縁されている。したがって、各誘電体層１３２を挟んで対向する２つ（一対）の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆは、コンデンサ１３０の２つの電極をなす。
また、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の一部（図中中央のパッド１３４Ｂ）は、この電極群１３３Ｅに属するトップ電極層１３３ＥＴと、誘電体層１３２のうち最も上方に位置するトップ誘電体層１３２Ｔを貫通するビア導体１３５ＥＴによって接続している。一方、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の他の一部（図中右及び左のパッド１３４Ａ，１３４Ｃ）は、上記トップ電極層１３３ＥＴのすぐ下層に位置し他方の電極群１３３Ｆに属する電極層１３３ＦＳと、ビア導体１３５ＦＴ及び１３５ＦＳによって接続している。
また、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の一部（図中中央のパッド１３４Ｂ）は、この電極群１３３Ｅに属するトップ電極層１３３ＥＴと、誘電体層１３２のうち最も上方に位置するトップ誘電体層１３２Ｔを貫通するビア導体１３５ＥＴによって接続している。一方、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の他の一部（図中右及び左のパッド１３４Ａ，１３４Ｃ）は、上記トップ電極層１３３ＥＴのすぐ下層に位置し他方の電極群１３３Ｆに属する電極層１３３ＦＳと、ビア導体１３５ＦＴ及び１３５ＦＳによって接続している。
このように、多数のＩＣ接続コンデンサパッド１３４及びＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆのいずれも複数のＩＣ接続コンデンサパッド１３４（ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１）のうちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数のＩＣ接続コンデンサパッド１３４（ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１）のうちあるＩＣ接続コンデンサパッド１３４（例えば、１３４Ｂ）は、一方の電極群１３３Ｅに接続している。またあるＩＣ接続コンデンサパッド１３４（例えば、１３４Ａ）は、他方の電極群１３３Ｆと接続している。このため、図２（ｃ）に示すように、コンデンサ１３０の上方から、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１（ＩＣ接続コンデンサパッド１３４）を通じて、一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆのいずれとも導通することができる。
これにより、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１に接続されたＩＣチップ１０１は、コンデンサ１３０の一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆとそれぞれ接続することになる。
これにより、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１に接続されたＩＣチップ１０１は、コンデンサ１３０の一対の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆとそれぞれ接続することになる。
さらに、コンデンサ１３０は、図１に示すように、コンデンサ下面（第二コンデンサ主面）１３０Ｂにおいて、凹部１２１の底面１２１Ｓと当接して、深さ方向（図中上下方向）のコンデンサ１３０の位置が決められている。つまり、この底面１３１Ｓにより、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４及びＩＣ接続コンデンサバンプ１３１の深さ方向の位置が規制（決定）される。
コンデンサ１３０の各ＩＣ接続コンデンサパッド１３４は、それぞれその深さ方向（コンデンサの厚さ方向、図中上下方向）の位置が高精度に形成されており、ＩＣ接続コンデンサ各パッド１３４は、高いコプラナリティ（共平面性）を有する。
さらに、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、後述するように治具の平面部に当接した状態で形成されるので、その頂部はさらに高いコプラナリティ（共平面性）を有する。その上、後述するように、上記配線基板１２０のＩＣ接続基板バンプ１５２とＩＣ接続コンデンサバンプ１３１とは、同時に治具の同一平面部に当接させて形成するので、この両者がほぼ同一の共平面を有する。このため、ＩＣチップ１０１の下面１０１Ｂに形成されたコンデンサ接続バンプ１０３と基板接続バンプ１０４とで形状や高さを異ならせる必要が無く、これらを同形状のものとすることができるので、ＩＣチップ１０１の製造が容易にできる。また、ＩＣチップ１０１との接続も容易、確実にできる。
さらに、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１は、後述するように治具の平面部に当接した状態で形成されるので、その頂部はさらに高いコプラナリティ（共平面性）を有する。その上、後述するように、上記配線基板１２０のＩＣ接続基板バンプ１５２とＩＣ接続コンデンサバンプ１３１とは、同時に治具の同一平面部に当接させて形成するので、この両者がほぼ同一の共平面を有する。このため、ＩＣチップ１０１の下面１０１Ｂに形成されたコンデンサ接続バンプ１０３と基板接続バンプ１０４とで形状や高さを異ならせる必要が無く、これらを同形状のものとすることができるので、ＩＣチップ１０１の製造が容易にできる。また、ＩＣチップ１０１との接続も容易、確実にできる。
下面１２０Ｂで接続させたマザーボード等の他の配線基板からは、配線基板１２０内の配線層１４４、スルーホール導体１４５、配線層１４３、ＩＣ接続基板バンプ１５２、基板接続バンプ１０４を通じて、ＩＣチップ１０１に各種の信号の他、電源電位、接地電位が入力される。また、ＩＣチップ１０１内の電源配線や接地配線などと接続したコンデンサ１３０により、これらに侵入したノイズが除去される。
しかも、コンデンサ１３０は、ＩＣチップ１０１に直接接続しているため、ＩＣチップ１のごく近くに配置されることになり、コンデンサ１３０によるノイズ除去能力をより高めることができる。
しかも、コンデンサ１３０は、ＩＣチップ１０１に直接接続しているため、ＩＣチップ１のごく近くに配置されることになり、コンデンサ１３０によるノイズ除去能力をより高めることができる。
また、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１（ＩＣ接続コンデンサパッド１３４）は多数形成され、多数のコンデンサ接続バンプ１０３と並列に接続している。したがって、コンデンサ１３０の電極群１３３Ｅ，１３３Ｆを共通電極として用いて、電源電位や接地電位の必要なＩＣチップ上の各点に、各電位を供給できる。
なお、ＩＣ接続基板バンプ１５２（ＩＣ接続基板パッド１４３Ｐ）は、凹部１２１周縁の空所周縁領域１１１、即ち、ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１のまわりに形成されている。このため、本実施形態では、コンデンサ１３０と配線基板１２０の両方に接続する必要のあるＩＣチップ１０１の接続端子１０２の形成領域が大きくなることによって、ＩＣチップ１０１の寸法（平面寸法）が大きくせざるを得なくなることが防止でき、寸法の小さなＩＣチップで足りるので、安価なＩＣチップを用いることができる。ひいては安価なＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板１００とすることができる。
次いで、上記ＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板１００及びコンデンサ付属配線基板１１０の製造方法について、個別の部材であるコンデンサ１３０、配線基板１２０およびその製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ１３０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１７１を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示すように、このシート１７１の所定位置に、その表面１７１Ａと裏面１７１Ｂとの間を貫通するビア孔１７１Ｈをパンチングにより形成する。
さらに、図３（ｃ）に示すように、各シート１７１のビア孔１７１Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填して未焼成ビア導体１７２を形成し、さらに、各シート１７１の上面１７１Ａ側に、Ｐｄペーストからなる所定パターンの未焼成電極層１７３Ｅ，１７３Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１７３Ｅは、図３（ｃ）において３列形成した未焼成ビア導体１７２のうち、左右２列の未焼成ビア導体１７２と接続し、中央列のものとは接続しないパターンに形成されている。他方の未焼成電極層１７３Ｆは、これとは逆に、中央列の未焼成ビア導体１７２と接続し、左右のものとは接続しないパターンに形成されている。
なお、未焼成電極層１７３Ｅあるいは１７３Ｆと接続しないビア１７２については、後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接触、導通させるため、各未焼成ビア導体１７２の上方に、未焼成電極層１７３Ｅ，１７３Ｆと同時にカバーパッド１７４を形成しておくと良い。
また、次述する積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１７１Ｔは、未焼成電極層１７３Ｅ，１７３Ｆのいずれも形成せず、各未焼成ビア導体１７２の上方に、カバーパッド１７５のみを形成する。
また、最も下層の未焼成誘電体層１７１Ｄには、貫通孔１７１及び未焼成ビア導体１７２は形成せず、ほぼ全面に未焼成電極層１７３ＦＤを形成している。さらに、最下層の未焼成誘電体層１７１Ｄのすぐ上の未焼成誘電体層１７１ＤＳでは、未焼成電極層１７３Ｅに接続する未焼成ビア導体１７２は形成しない（図３（ｃ）では、中央のもの）。
また、次述する積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１７１Ｔは、未焼成電極層１７３Ｅ，１７３Ｆのいずれも形成せず、各未焼成ビア導体１７２の上方に、カバーパッド１７５のみを形成する。
また、最も下層の未焼成誘電体層１７１Ｄには、貫通孔１７１及び未焼成ビア導体１７２は形成せず、ほぼ全面に未焼成電極層１７３ＦＤを形成している。さらに、最下層の未焼成誘電体層１７１Ｄのすぐ上の未焼成誘電体層１７１ＤＳでは、未焼成電極層１７３Ｅに接続する未焼成ビア導体１７２は形成しない（図３（ｃ）では、中央のもの）。
次いで、これを積層、圧着して焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ１３０を形成する。コンデンサ１３０をこのようにして形成したので、例えば、焼成後に誘電体層１３２の側面に各電極群１３３Ｅあるいは１３３Ｆと接続するための共通電極を形成する必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ビア導体１３５Ｅ，１３５Ｆ（未焼成ビア導体１７２）は、必ずしも上下同位置に形成する必要はなく、上層や下層のビア導体の位置や隣り合うビア導体１３５Ｅ、１３５Ｆとの間隔、各電極層のパターン等を考慮すれば、誘電体層１３２（未焼成誘電体層１７１）の面内いずれの位置にも形成できる。
したがって、ＩＣチップ１０１に形成する各コンデンサ接続バンプ１０３の位置に応じて、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４（ＩＣ接続コンデンサバンプ１３１）の位置や数を任意に形成することができる。なお、ＰｄからなるＩＣ接続コンデンサパッド１３４は、バンプ形成の際の濡れ性等を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッキ等を施しておくこともできる。また、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の周囲には、公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソルダーレジスト層を形成しておくこともできる。
完成したコンデンサ１３０は、ショートの有無、静電容量値、電極群１３３Ｅと１３３Ｆとの間の絶縁抵抗値、各ＩＣ接続コンデンサパッド１３４と電極群１３３Ｅ，１３３Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデンサ１３０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のあるコンデンサ１３０を使用する危険性を減少させることができる。
次いで、配線基板１２０及びその製造方法について説明する。まず図４（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１４７を用意する。
一方、図４（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体１４７より厚さの厚い壁部用コア基板本体１４８を用意する。この壁部用コア基板本体１４８には、予め上記凹部１２１（１４１）に対応した位置に、凹部用貫通孔１４８Ｈをパンチングにより形成しておく。
一方、図４（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体１４７より厚さの厚い壁部用コア基板本体１４８を用意する。この壁部用コア基板本体１４８には、予め上記凹部１２１（１４１）に対応した位置に、凹部用貫通孔１４８Ｈをパンチングにより形成しておく。
次いで、図４（ｃ）に示すように、底部用コア基板本体上面１４７Ａと、壁部用コア基板本体下面１４８Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔１４８Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１４９Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１４７，１４８は、接着層１４９を介して接着され、図４（ｄ）に示すコア基板１４０が形成される。このコア基板１４０には、凹部１４１（１４８Ｈ）が形成され、底部用コア基板本体１４７の上面１４７Ａのうち凹部１４１内の露出した部分は、コンデンサ配置空所１２１の底面１２１Ｓとなる。
次いで、凹部１４１の周縁に、コア基板本体上面１４０Ａとコア基板本体下面１４０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔１４２をドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
さらに、公知の配線層及びスルーホール導体形成手法によって、図５（ａ）に示すように、コア基板上面１４０Ａ及びコア基板下面１４０Ｂには、それぞれＣｕからなる配線層１４３，１４４を、また、コアスルーホール孔１４２内及びその周縁にも、配線層１４３，１４４に接続し、Ｃｕからなるスルーホール導体１４５を形成する。
その後、スルーホール導体１４５内をエポキシ樹脂からなる充填樹脂１４６で充填する。さらに、コア基板上面１４０Ａ及び配線層１４３上、また、コア基板下面１４０Ｂ及び配線層１４４上に、それぞれ公知の手法によりエポキシ樹脂からなり、所定位置に配線層１４３のＩＣ接続基板パッド１４３Ｐ、配線層１４４の接続パッド１４４Ｐがそれぞれ露出した開口１５１，１６１を備える樹脂絶縁層１５０，１６０を形成する。これにより、図５（ｂ）に示すように、有底凹状のコンデンサ配置空所１２１を有する配線基板１２０が完成する。
なお、コンデンサ１３０のＩＣ接続コンデンサバンプ１３１、及び配線基板１２０のＩＣ接続基板バンプ１５２とも形成されていないが、これらは次述するように、コンデンサ１３０を配線基板１２０の凹部１２１内に配置してから形成する。
なお、コンデンサ１３０のＩＣ接続コンデンサバンプ１３１、及び配線基板１２０のＩＣ接続基板バンプ１５２とも形成されていないが、これらは次述するように、コンデンサ１３０を配線基板１２０の凹部１２１内に配置してから形成する。
なお、樹脂絶縁層１５０に形成する開口１５１は、凹部１４１（１２１）周縁の空所周縁領域１１１に形成する。ＩＣ接続基板パッド１４３Ｐ、あるいはＩＣ接続基板バンプ１５２を、凹部１４１（１２１）の近くに形成して、搭載するＩＣチップ１０１の基板接続パンプ１０４の形成位置をできるだけコンデンサ接続バンプ１０３に近づけて、ＩＣチップ１０１の平面寸法を小さくできるようにするためである。
その後、図６に示すように、凹部１２１内にコンデンサ１３０を配置する。この際、底部１２２がコンデンサ位置規制部となりコンデンサ１３０の下面１３０Ｂと凹部１２１の底面１２１Ｓとが当接することにより、コンデンサ１３０の凹部１２１の深さ方向（図中上下方向）の位置が規制される。従って、ＩＣ接続コンデンサパッド１３４の深さ方向の位置も決まる。
その後、凹部１２１とコンデンサ１３０との隙間に、エポキシ樹脂からなる充填樹脂１２３を注入し硬化させて、配線基板１２０とコンデンサ１３０とを互いに固着する。
その後、凹部１２１とコンデンサ１３０との隙間に、エポキシ樹脂からなる充填樹脂１２３を注入し硬化させて、配線基板１２０とコンデンサ１３０とを互いに固着する。
さらに、破線で示すように、開口１５１内、及びＩＣ接続コンデンサパッド１３４上にハンダペーストを塗布し、平面部ＪＧ１を有する足つきの平坦化治具ＪＧを載せて、ハンダペーストを溶融させ、ＩＣ接続基板バンプ１５２及びＩＣ接続コンデンサバンプ１３１を形成する。また、これと同時に、開口１６１内にもハンダペーストを塗布し、これを溶融させて、ハンダバンプ１６２を形成する。このようにしてコンデンサ付属配線基板１１０を完成させる（図１参照）。
この際、形成されたＩＣ接続基板バンプ１５２及びＩＣ接続コンデンサバンプ１３１の頂部は、治具ＪＧの平面部ＪＧ１に倣って平坦にされ、良好なコプラナリティを備えたものとなる。しかも、両者はほぼ同じ共平面を持つ。従って、ＩＣチップの下面（接続平面）１０１Ｂに、ほぼ同形状の基板接続バンプ１０４及びコンデンサ接続バンプ１０３を形成したＩＣチップ１０１でも、容易かつ確実に配線基板１２０及びコンデンサ１３０、即ち、コンデンサ付属配線基板１１０と接続させることができる。
この際、形成されたＩＣ接続基板バンプ１５２及びＩＣ接続コンデンサバンプ１３１の頂部は、治具ＪＧの平面部ＪＧ１に倣って平坦にされ、良好なコプラナリティを備えたものとなる。しかも、両者はほぼ同じ共平面を持つ。従って、ＩＣチップの下面（接続平面）１０１Ｂに、ほぼ同形状の基板接続バンプ１０４及びコンデンサ接続バンプ１０３を形成したＩＣチップ１０１でも、容易かつ確実に配線基板１２０及びコンデンサ１３０、即ち、コンデンサ付属配線基板１１０と接続させることができる。
なお、本実施形態では、スルーホール導体１４５をコアスルーホール孔１４２の内周及び周縁に略円筒形状に形成したが、内部にＣｕ粉末を含有する充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、スルーホール導体１４５の直上あるいは直下にも開口１５１あるいは開口１６１を形成することができるので、スルーホール導体１４５をさらに高密度に形成することができる。
また、本実施形態のように、凹部１４１を有するコア基板１４０を作成するのに、予め凹部１４１の底部を構成する底部用コア基板本体１４７と、凹部１４１の壁部を構成する壁部用コア基板本体１４８とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１４１を容易かつ正確な寸法で形成できる。したがって安価にコア基板１４０を形成することができる。
（変形形態１）
上記実施形態１では、配線基板１２０にのみソルダレジスト層の役割をも果たす樹脂絶縁層１５０を形成したが、コンデンサ１３０の上面１３０Ａ上にも同時に形成しても良い。また、配線層１４３，１４４やスルーホール導体１４５、樹脂絶縁層１５０，１６０を形成した後に、コンデンサ１３０を凹部１２１（１４１）内に配置したが、これらを形成する前にコンデンサを凹部１４１内に配置し、その後、配線層などを形成するようにしても良い。
即ち、まず図７（ａ）に示すように、図４（ｄ）に示したコア基板１４０の凹部１４１内にコンデンサ２３０を配置する。なお、このコンデンサ２３０には、上記コンデンサ１３０よりその厚さ（上面２３０Ａと下面２３０Ｂ間の寸法）が、やや薄く形成されているのみで、内部構造その他は、同様のものを用いる。
このコンデンサ２３０の下面２３０Ｂと凹部１４１の底面１２１Ｓとが当接することにより、凹部の深さ方向（図中上下方向）のコンデンサ２３０の位置が規制される。本例では、コンデンサ２３０を凹部１４１内に配置した際、上面２３０Ａに形成されたＩＣ接続コンデンサパッド２３４の上面がコア基板１４０の上面１４０Ａよりも上位に位置するような寸法のコンデンサ２３０を用いる。
上記実施形態１では、配線基板１２０にのみソルダレジスト層の役割をも果たす樹脂絶縁層１５０を形成したが、コンデンサ１３０の上面１３０Ａ上にも同時に形成しても良い。また、配線層１４３，１４４やスルーホール導体１４５、樹脂絶縁層１５０，１６０を形成した後に、コンデンサ１３０を凹部１２１（１４１）内に配置したが、これらを形成する前にコンデンサを凹部１４１内に配置し、その後、配線層などを形成するようにしても良い。
即ち、まず図７（ａ）に示すように、図４（ｄ）に示したコア基板１４０の凹部１４１内にコンデンサ２３０を配置する。なお、このコンデンサ２３０には、上記コンデンサ１３０よりその厚さ（上面２３０Ａと下面２３０Ｂ間の寸法）が、やや薄く形成されているのみで、内部構造その他は、同様のものを用いる。
このコンデンサ２３０の下面２３０Ｂと凹部１４１の底面１２１Ｓとが当接することにより、凹部の深さ方向（図中上下方向）のコンデンサ２３０の位置が規制される。本例では、コンデンサ２３０を凹部１４１内に配置した際、上面２３０Ａに形成されたＩＣ接続コンデンサパッド２３４の上面がコア基板１４０の上面１４０Ａよりも上位に位置するような寸法のコンデンサ２３０を用いる。
その後、図７（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂からなる絶縁性の充填樹脂２２３を、凹部１４１とコンデンサ２３０の隙間の他、コンデンサ２３０の上面２３０Ａ上、及びコア基板１４０の上面１４０Ａ上にも塗布し、硬化させる。これにより、コア基板１４０とコンデンサ２３０とが互いに固着されて一体となる。
さらに、図７（ｃ）に示すように、上面２３０Ａ上及び上面１４０Ａ上の充填樹脂２２３を研磨して、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４を面一に露出させるとともに、その表面を平坦にする。これにより、コア基板１４０とコンデンサ２３０の隙間に位置する充填樹脂２２３Ａの他、コンデンサ上面２３０Ａ上の充填樹脂層２２３Ｂ及びコア基板上面１４０Ａ上の充填樹脂層２２３Ｃが形成される。
さらに、図７（ｃ）に示すように、上面２３０Ａ上及び上面１４０Ａ上の充填樹脂２２３を研磨して、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４を面一に露出させるとともに、その表面を平坦にする。これにより、コア基板１４０とコンデンサ２３０の隙間に位置する充填樹脂２２３Ａの他、コンデンサ上面２３０Ａ上の充填樹脂層２２３Ｂ及びコア基板上面１４０Ａ上の充填樹脂層２２３Ｃが形成される。
さらに、図８（ａ）に示すように、凹部１４１の周縁、充填樹脂層２２３Ｃの上面２２３ＣＵとコア基板本体下面１４０Ｂとの間を貫通するスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
次いで、公知の手法によって、このコアスルーホール孔２４２内及びその周縁にＣｕからなるスルーホール導体２４５を形成する。また、充填樹脂層上面２２３ＣＵ及びコア基板下面１４０Ｂには、コアスルーホール導体２４５から延在する配線層２４３，２４４を形成する。また、充填樹脂層２２３Ｂと面一にしたＩＣ接続コンデンサパッド２３４も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層２２３Ｂより上方に突出した状態とする。
さらに、図８（ｂ）に示すように、スルーホール導体２４５内に充填樹脂２４６を充填する。また、充填樹脂層２２３Ｂ，２２３Ｃ及び配線層２４３上、及びコア基板下面１４０Ｂ及び配線層２４４上に、公知の樹脂絶縁層形成手法により、エポキシ樹脂からなり、所定位置に配線層２４３のＩＣ接続基板パッド２４３Ｐ、配線層２４４の接続パッド２４４Ｐがそれぞれ露出した開口２５１，２６１を備える樹脂絶縁層２５０，２６０を形成する。なお、樹脂絶縁層２５０には、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４上にも開口２５３をそれぞれ形成する。
その後、図９に示すように、開口２５１，２５３及び２６１内にハンダペーストを塗布し溶融させて、ＩＣ接続コンデンサバンプ２３１、ＩＣ接続基板バンプ２５２及びハンダバンプ２６２を有するコンデンサ付属配線基板２１０が完成する。なお、上記実施形態１と同様に、治具ＪＧを用いて、ＩＣ接続コンデンサバンプ２３１及びＩＣ接続基板バンプ２５２の頂部を平坦にすると良い。
このようにして形成したコンデンサ付属配線基板２１０では、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４の周縁にも樹脂絶縁層２５０が形成されているので、この樹脂絶縁層２５０は、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４及びＩＣ接続基板パッド２４３Ｐのいずれについても、ソルダーレジスト層の役割を果たす。
このようにして形成したコンデンサ付属配線基板２１０では、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４の周縁にも樹脂絶縁層２５０が形成されているので、この樹脂絶縁層２５０は、ＩＣ接続コンデンサパッド２３４及びＩＣ接続基板パッド２４３Ｐのいずれについても、ソルダーレジスト層の役割を果たす。
さらに、図８（ａ）に示したように、コア基板上面１４０Ａ及びコンデンサ上面２３０Ａ上の充填樹脂２２３を研磨して平坦にしたので、コンデンサ２３０の寸法や凹部１４１の寸法の誤差、コア基板１４０の反り等の変形などの影響を無くすことができる。したがって、配線層２４３の断線やショートの防止、あるいは、ＩＣ接続基板パッド２４３ＰやＩＣ接続コンデンサパッド２３４のコプラナリティの向上を図ることができる。
（変形形態２）
上記実施形態１及び変形形態１では、コア基板の上下にそれぞれ１層ずつ樹脂絶縁層１５０，１６０または２５０，２６０を形成した配線基板を示したが、樹脂絶縁層を多数層形成することもできる。例えば、図１０に示すように、実施形態１におけるコア基板１４０と同様に形成したコア基板３４０の上下に、公知のビルドアップ配線基板形成手法によって、それぞれ３層の樹脂絶縁層３５１，３５２，３５３，３６１，３６２，３６３を形成し、有底凹状のコンデンサ配置空所３２１を有する配線基板３２０を挙げることができる。
この配線基板３２０では、その上面（第一基板主面）３２０ＡにＩＣ接続基板バンプ３５４を、その下面（第二基板主面）３２０Ｂに接続パッド３４７Ｐを備える。配線基板３２０内には、コア基板３４０を貫通するスルーホール導体３４１の他、各樹脂絶縁層を貫通しあるいは層間に位置する配線層３４２，３４３，３４４，３４５，３４６，３４７が形成されて、ＩＣ接続基板バンプ３５４と接続パッド３４７Ｐとが接続されている。
上記実施形態１及び変形形態１では、コア基板の上下にそれぞれ１層ずつ樹脂絶縁層１５０，１６０または２５０，２６０を形成した配線基板を示したが、樹脂絶縁層を多数層形成することもできる。例えば、図１０に示すように、実施形態１におけるコア基板１４０と同様に形成したコア基板３４０の上下に、公知のビルドアップ配線基板形成手法によって、それぞれ３層の樹脂絶縁層３５１，３５２，３５３，３６１，３６２，３６３を形成し、有底凹状のコンデンサ配置空所３２１を有する配線基板３２０を挙げることができる。
この配線基板３２０では、その上面（第一基板主面）３２０ＡにＩＣ接続基板バンプ３５４を、その下面（第二基板主面）３２０Ｂに接続パッド３４７Ｐを備える。配線基板３２０内には、コア基板３４０を貫通するスルーホール導体３４１の他、各樹脂絶縁層を貫通しあるいは層間に位置する配線層３４２，３４３，３４４，３４５，３４６，３４７が形成されて、ＩＣ接続基板バンプ３５４と接続パッド３４７Ｐとが接続されている。
また、コンデンサ配置空所３２１内に配置されたコンデンサ３３０は、この空所３２１の深さに適合した寸法を備え、また、その上面３３０Ａには、実施形態１と同様に、ＩＣ接続コンデンサバンプ３３１が多数形成されている。
配線基板３２０とコンデンサ３３０とは、実施形態１と同様に、充填樹脂３２３で固着されている。
さらに、コンデンサ３３０のＩＣ接続コンデンサバンプ３３１、及び配線基板３２０のＩＣ接続基板バンプ３５４は、破線で示すＩＣチップ３０１の下面３０１Ｂに形成された接続端子３０２のうち、コンデンサ接続バンプ３０３及び基板接続バンプ３０４と、それぞれ接続可能となっている。
このように、樹脂絶縁層を多数層（図１０では上下３層ずつ）形成した場合でも、配線基板のほか、コンデンサを直接ＩＣチップに接続するため、このコンデンサでノイズを確実に除去することができるなど、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
配線基板３２０とコンデンサ３３０とは、実施形態１と同様に、充填樹脂３２３で固着されている。
さらに、コンデンサ３３０のＩＣ接続コンデンサバンプ３３１、及び配線基板３２０のＩＣ接続基板バンプ３５４は、破線で示すＩＣチップ３０１の下面３０１Ｂに形成された接続端子３０２のうち、コンデンサ接続バンプ３０３及び基板接続バンプ３０４と、それぞれ接続可能となっている。
このように、樹脂絶縁層を多数層（図１０では上下３層ずつ）形成した場合でも、配線基板のほか、コンデンサを直接ＩＣチップに接続するため、このコンデンサでノイズを確実に除去することができるなど、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
（変形形態３）
さらに、上記実施形態１及び変形形態１，２では、コンデンサ配置空所１２１等が有底凹状の配線基板を示したが、この空所は貫通孔になっていても良い。例えば、図１１に示す本例のＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板４００では、その配線基板４２０のコンデンサ配置空所４２１が、貫通孔となっている点で実施形態１と異なり、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明する。
本例のＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板４００は、ＩＣチップ４０１とこれを搭載、接続したコンデンサ付属配線基板４１０とからなる。ＩＣチップ４０１は、実施形態１と同様に、下面４０１Ｂに半球状の接続端子４０２を多数備える。この接続端子４０２には、コンデンサ接続バンプ４０３と基板接続バンプ４０４とがある。
さらに、上記実施形態１及び変形形態１，２では、コンデンサ配置空所１２１等が有底凹状の配線基板を示したが、この空所は貫通孔になっていても良い。例えば、図１１に示す本例のＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板４００では、その配線基板４２０のコンデンサ配置空所４２１が、貫通孔となっている点で実施形態１と異なり、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明する。
本例のＩＣチップ搭載コンデンサ付属配線基板４００は、ＩＣチップ４０１とこれを搭載、接続したコンデンサ付属配線基板４１０とからなる。ＩＣチップ４０１は、実施形態１と同様に、下面４０１Ｂに半球状の接続端子４０２を多数備える。この接続端子４０２には、コンデンサ接続バンプ４０３と基板接続バンプ４０４とがある。
一方、コンデンサ付属配線基板４１０は、略正方形板状で、その略中央に平面視正方形状の貫通孔から構成されるコンデンサ配置空所（以下単に貫通空所ともいう）４２１を備えた配線基板４２０と、この貫通空所４２１内に配置されたコンデンサ４３０とからなる。なお、配線基板４２０とコンデンサ４３０とは、両者間の隙間に充填されたエポキシ樹脂からなる充填樹脂４２３によって互いに固着され、一体とされている。
また、この配線基板４２０の上面（第一基板主面）４２０Ａには、基板接続バンプ４０４にそれぞれ対応した位置にＩＣ接続基板バンプ４５２が多数形成されている。ＩＣチップ４０１搭載の際に、溶融したＩＣ接続基板バンプ４５２は、破線で示すように基板接続バンプ４０４に溶着して、ＩＣチップ４０１と配線基板４２０とがフリップチップ接続される。また同様に、ＩＣ接続コンデンサバンプ４３１も破線で示すようにコンデンサ接続バンプ４０３に溶着して、ＩＣチップ４０１とコンデンサ４３０とがフリップチップ接続される。
また、この配線基板４２０の上面（第一基板主面）４２０Ａには、基板接続バンプ４０４にそれぞれ対応した位置にＩＣ接続基板バンプ４５２が多数形成されている。ＩＣチップ４０１搭載の際に、溶融したＩＣ接続基板バンプ４５２は、破線で示すように基板接続バンプ４０４に溶着して、ＩＣチップ４０１と配線基板４２０とがフリップチップ接続される。また同様に、ＩＣ接続コンデンサバンプ４３１も破線で示すようにコンデンサ接続バンプ４０３に溶着して、ＩＣチップ４０１とコンデンサ４３０とがフリップチップ接続される。
配線基板４２０は、実施形態１と同様に、コア基板４４０の上面４４０Ａ及び下面４４０Ｂに、それぞれ配線層４４３，４４４を備える他、樹脂絶縁層４５０，４６０を備える。配線層４４３，４４４の間は、コア基板４４０を貫通するスルーホール導体４４５によって互いに導通している。
コア基板４４０の中央には、平面視正方形状の貫通孔４４１が形成されている。
コア基板４４０の中央には、平面視正方形状の貫通孔４４１が形成されている。
樹脂絶縁層４５０にも、実施形態１と同様に、貫通空所４４１の周縁に開口４５１を有しており、開口４５１内に露出した配線層４４３は、ＩＣ接続基板パッド４４３Ｐとなっている。この開口４５１内には、ハンダが上面４２０Ａを越えて上述のＩＣ接続基板バンプ４５２が形成されている。
一方、樹脂絶縁層４６０にも、実施形態１と同様に、配線基板４２０の周縁部分に格子状に開口４６１を有しており、開口４６１内に露出した配線層４４４は、接続パッド４４４Ｐとなっている。この開口４６１内には、ハンダバンプ４６２が格子状に形成されてＢＧＡタイプの配線基板となっている。
一方、樹脂絶縁層４６０にも、実施形態１と同様に、配線基板４２０の周縁部分に格子状に開口４６１を有しており、開口４６１内に露出した配線層４４４は、接続パッド４４４Ｐとなっている。この開口４６１内には、ハンダバンプ４６２が格子状に形成されてＢＧＡタイプの配線基板となっている。
このコンデンサ付属配線基板４１０でも、実施形態１の配線基板１１０と同様に、ＩＣチップ４０１を配線基板４２０に接続させることができるほか、コンデンサ４３０も直接ＩＣチップ４０１に接続させることができる。従って、ノイズを確実に除去できるなど、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
また、この配線基板４２０においてはコア基板４４０において底部を形成する必要がないので、実施形態１のように２つのコア基板本体１４７，１４８を貼り合わせてコア基板を形成する必要が無く、形成容易である。
また、この配線基板４２０においてはコア基板４４０において底部を形成する必要がないので、実施形態１のように２つのコア基板本体１４７，１４８を貼り合わせてコア基板を形成する必要が無く、形成容易である。
なお、貫通空所４２１において、コンデンサ４３０の深さ方向の位置決めを容易にするために、破線で示すように、コア基板４４０の下面４４０Ｂ近傍に、貫通空所４２１の径方向内向きに突出するコンデンサ受け部４２２を形成し、このコンデンサ受け部４２２の図中上面４２２Ａとコンデンサ４３０の下面４３０Ｂとを当接させるようにすると良い。なおこの場合に、コンデンサ受け部４２２と共に、樹脂絶縁層４６０も突出させて突出部４６３を形成するようにしたり、さらには、この部分にも配線層４４４やハンダバンプ４６２を形成するようにしても良い。
なお、本例では、樹脂絶縁層を上下にそれぞれ１層（４５０，４６０）としたものを示したが、貫通空所を有し、しかも樹脂絶縁層を上下に複数層形成したものとすることもできる。
なお、本例では、樹脂絶縁層を上下にそれぞれ１層（４５０，４６０）としたものを示したが、貫通空所を有し、しかも樹脂絶縁層を上下に複数層形成したものとすることもできる。
また、上記した実施形態１、変形形態２，変形形態３の配線基板１２０，３２０，４２０は、一旦、コンデンサ配置空所１２１，３２１，４２１を有しない配線基板を公知のビルドアップ法等によって形成しておき、その後、配線基板上面１２０Ａ等の側から、その中央部をルータ等の機器で削って有底凹状あるいは貫通孔状のコンデンサ配置空所１２１等を形成することもできる。
（変形形態４，５，６）
さらに、上記実施形態１及び変形形態１〜３では、ＩＣチップ１０１を搭載したコンデンサ付属配線基板１００、あるいはＩＣチップ１０１，３０１，４０１をそれぞれ搭載するコンデンサ付属配線基板１１０，２１０，３１０，４１０を示した。しかし、ＩＣチップを搭載するのに代えて、ＩＣチップを搭載した配線基板、即ちＩＣチップ搭載配線基板を搭載するようにしても良い。本変形形態４では、予めＣＳＰ８１０にＩＣチップ１０１を搭載してＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を形成しておき、上記実施形態１で示したコンデンサ付属配線基板１１０に、ＩＣチップ１０１に代えて、このＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を搭載したコンデンサ付属配線基板８００を図１２に示す。
さらに、上記実施形態１及び変形形態１〜３では、ＩＣチップ１０１を搭載したコンデンサ付属配線基板１００、あるいはＩＣチップ１０１，３０１，４０１をそれぞれ搭載するコンデンサ付属配線基板１１０，２１０，３１０，４１０を示した。しかし、ＩＣチップを搭載するのに代えて、ＩＣチップを搭載した配線基板、即ちＩＣチップ搭載配線基板を搭載するようにしても良い。本変形形態４では、予めＣＳＰ８１０にＩＣチップ１０１を搭載してＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を形成しておき、上記実施形態１で示したコンデンサ付属配線基板１１０に、ＩＣチップ１０１に代えて、このＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を搭載したコンデンサ付属配線基板８００を図１２に示す。
ＣＳＰ８１０は、アルミナセラミックからなり、ＩＣチップ１０１と平面形状が略同形で、その上面８１０Ａと下面８１０Ｂとの間を貫通しタングステンからなるビア導体８０１を多数備える。このビア導体８０１は、ＩＣチップ１０１の各接続端子１０２の位置に対応して形成されており、その上面８１０Ａ側において、９５Ｐｂ−５Ｓｎ高温ハンダからなり、ＩＣチップ１０１の各接続端子１０２とそれぞれ接続するバンプ８０２が形成されている。また、下面８１０Ｂ側において、コンデンサ付属配線基板１１０、具体的には、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなり、配線基板１２０の基板バンプ１５２及びコンデンサ１３０のコンデンサバンプ１３１とそれぞれ接続するバンプ８０３が形成されている。
従って、各接続端子１０２にバンプ８０２を溶着して接続することにより、ＩＣチップ１０１をこのＣＳＰ８１０に搭載したＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を形成する。このＩＣ搭載ＣＳＰ８２０も、実施形態１におけるＩＣチップ１０１と同様に、ＣＳＰ８１０の下面（接続面）８１０Ｂと配線基板上面（接続面）１２０Ａ及びコンデンサ上面（接続面）１３０Ａとを対向させて接続することにより、コンデンサ付属配線基板１１０に搭載することができる。
従って、各接続端子１０２にバンプ８０２を溶着して接続することにより、ＩＣチップ１０１をこのＣＳＰ８１０に搭載したＩＣ搭載ＣＳＰ８２０を形成する。このＩＣ搭載ＣＳＰ８２０も、実施形態１におけるＩＣチップ１０１と同様に、ＣＳＰ８１０の下面（接続面）８１０Ｂと配線基板上面（接続面）１２０Ａ及びコンデンサ上面（接続面）１３０Ａとを対向させて接続することにより、コンデンサ付属配線基板１１０に搭載することができる。
このように、ＩＣチップ１０１に代えて、ＩＣチップ１０１を搭載したＣＳＰ８１０を用いることにより、ＩＣチップ１０１とコンデンサ付属配線基板１１０との熱膨張率の違いで発生する応力に起因する接続端子１０２の破壊やＩＣチップ１０１自身の破壊などの不具合を防止することができる。また、ＩＣチップ１０１に不具合があった場合にも、コンデンサ付属配線基板１１０からＣＳＰ８１０を取り外し、正常なＩＣチップを搭載したＣＳＰ８１０を再度搭載することでリペアが容易にできる。あるいはこれとは逆に、コンデンサ１３０に不具合があった場合にも、ＣＳＰ８１０を取り外し、正常なコンデンサ付属配線基板１１０にＣＳＰ８１０を再度搭載することで、リペアが容易にできるなどのメリットを得ることができる。
なお、上記変形形態２，３において示したコンデンサ付属配線基板３１０，４１０についても、同様に、ＩＣチップ３０１，４０１に代えて、ＩＣチップ３０１と平面寸法が略同寸のＣＳＰ８３０に搭載したＩＣ搭載ＣＳＰ８４０や、ＩＣチップ４０１をＣＳＰ８５０に搭載したＩＣ搭載ＣＳＰ８６０を用意しておき、これらを搭載しても良い（変形形態５，６）。
また、用いるＣＳＰの構造や材質としては、上記した構造やアルミナセラミックやタングステンからなるビア導体に限定されるものではなく、公知の構造、ガラスセラミックや樹脂などの材質から適宜選択して用いることができる。
また、用いるＣＳＰの構造や材質としては、上記した構造やアルミナセラミックやタングステンからなるビア導体に限定されるものではなく、公知の構造、ガラスセラミックや樹脂などの材質から適宜選択して用いることができる。
（実施形態２）
次いで、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１５に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板５１０では、コンデンサ５３０が上面５３０Ａ側でＩＣチップ５０１と直接接続できるほか、下面５３０Ｂ側で配線基板５２０の有底凹状のコンデンサ配置空所５２１の底面に形成した接続配線と接続し、下方からもコンデンサ５３０と接続できる点で、上記実施形態１等と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
コンデンサ付属配線基板５１０は、破線で示すＩＣチップ５０１を搭載可能であり、配線基板５２０とコンデンサ５３０とからなる。ＩＣチップ５０１は、実施形態１と同様に、下面５０１Ｂに半球状の接続端子５０２を多数備える。この接続端子５０２には、コンデンサ接続バンプ５０３と基板接続バンプ５０４とがある。
次いで、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１５に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板５１０では、コンデンサ５３０が上面５３０Ａ側でＩＣチップ５０１と直接接続できるほか、下面５３０Ｂ側で配線基板５２０の有底凹状のコンデンサ配置空所５２１の底面に形成した接続配線と接続し、下方からもコンデンサ５３０と接続できる点で、上記実施形態１等と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
コンデンサ付属配線基板５１０は、破線で示すＩＣチップ５０１を搭載可能であり、配線基板５２０とコンデンサ５３０とからなる。ＩＣチップ５０１は、実施形態１と同様に、下面５０１Ｂに半球状の接続端子５０２を多数備える。この接続端子５０２には、コンデンサ接続バンプ５０３と基板接続バンプ５０４とがある。
配線基板５２０は、略正方形板状で、その略中央に平面視正方形状で有底凹状のコンデンサ配置空所（以下単に凹部ともいう）５２１を備える。配線基板５２０とコンデンサ５３０とは、充填樹脂５２３Ａによって互いに固着され、一体とされている。なお、コンデンサ５３０の内部構造は、後述（図１６参照）するので、図１５等においては略記する。
また、この配線基板５２０の上面（第一基板主面）５２０Ａには、ＩＣチップ５０１の基板接続バンプ５０４にそれぞれ対応した位置に、これとフリップチップ接続可能なＩＣ接続基板バンプ５５２が多数形成されている。
また、この配線基板５２０の上面（第一基板主面）５２０Ａには、ＩＣチップ５０１の基板接続バンプ５０４にそれぞれ対応した位置に、これとフリップチップ接続可能なＩＣ接続基板バンプ５５２が多数形成されている。
配線基板５２０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板５４０の上面５４０Ａに形成した充填樹脂層５２３Ｃ上、及びコア基板下面５４０Ｂ上に、それぞれ銅からなる配線層５４３，５４４，５７５を備える。また、エポキシ樹脂を主成分とし、充填樹脂層５２３Ｃと配線層５４３を覆う樹脂絶縁層５５０、及び、コア基板下面５４０Ｂと配線層５４４，５７５を覆う樹脂絶縁層５６０をそれぞれ備える。配線層５４３，５４４の間は、コアスルーホール孔５４２内に形成されたスルーホール導体５４５によって互いに導通している。スルーホール導体５４５内には、エポキシ樹脂からなる充填樹脂５４６が充填されている。また、コア基板５４０の中央には、平面視正方形状の有底の凹部５４１が形成されている。
樹脂絶縁層５５０のうち、凹部５４１の空所周縁領域５１１には、実施形態１と同様に、上記基板接続バンプ５０４にそれぞれ対応した位置に、開口５５１を有しており、開口５５１内に露出した配線層５４３はＩＣ接続基板パッド５４３Ｐとなっている。この開口５５１内には、ハンダが上面５２０Ａを越えて頂部が平坦な略半球状に盛り上げられ、上述のＩＣ接続基板バンプ５５２が形成されている。このバンプ５５２の頂部が高いコプラナリティを有することも実施形態１と同様である。
なお、この樹脂絶縁層５５０は、上述した変形形態１と同様に、後述するコンデンサ５３０の上面５３０Ａ上にも形成されている。
なお、この樹脂絶縁層５５０は、上述した変形形態１と同様に、後述するコンデンサ５３０の上面５３０Ａ上にも形成されている。
また、樹脂絶縁層５６０にも、実施形態１と同様に、配線基板５２０に格子状に開口５６１を有しており、配線層５４４のうち開口５６１内に露出した部分はマザーボードなど他の配線基板と接続するための接続パッド５４４Ｐとなっている。さらに、中央部にも格子状に開口５６３を有しており、配線層５７５のうち開口５６３に露出した部分は、同じく接続パッド５７５Ｐとなっている。これらの開口５６１，５６３内には、ハンダが下面５２０Ｂを越えて略半球状に盛り上げられて、ハンダバンプ５６２，５６４がそれぞれ形成されている。
樹脂絶縁層５５０，５６０はそれぞれ、後述するように、ＩＣ接続基板バンプ５５２、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１、ハンダバンプ５６２の形成の際、あるいはこれらの接続の際にソルダーレジスト層の役割をも果たす。
樹脂絶縁層５５０，５６０はそれぞれ、後述するように、ＩＣ接続基板バンプ５５２、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１、ハンダバンプ５６２の形成の際、あるいはこれらの接続の際にソルダーレジスト層の役割をも果たす。
さらに、この配線基板５２０では、下面５２０Ｂ側の略中央部分、即ち、凹部５２１の底部５２２にも配線層５７５、開口５６３、これから露出する接続パッド５７５Ｐ、及びハンダバンプ５６４が形成されている。さらに、凹部５２１の底面５２１Ｓとコア基板下面５４０Ｂとの間を貫通する貫通孔５７１内には底部スルーホール導体５７２が、また、底面５２１Ｓにはコンデンサ接続パッド５７３が形成されている。即ち、ハンダバンプ５６４及び接続パッド５７５Ｐから延びて底面５２１Ｓまで延出する接続配線５７０が形成されている。
この接続配線５７０、具体的にはコンデンサ接続パッド５７３は、次述するコンデンサ５３０の第二面コンデンサパッド５３６と接続する。
この接続配線５７０、具体的にはコンデンサ接続パッド５７３は、次述するコンデンサ５３０の第二面コンデンサパッド５３６と接続する。
一方、図１６（ａ）に示すコンデンサ５３０は、実施形態１と同様に、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層５３２とＰｄを主成分とする電極層５３３とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサである。このコンデンサ５３０は、図１６（ｂ）に示すように、コンデンサ上面（第一コンデンサ主面）５３０Ａに、コンデンサ接続バンプ５０３にそれぞれ対応した配置で、多数のＩＣ接続コンデンサパッド５３４（図１６（ｂ）では、５３４Ａ，５３４Ｂ，５３４Ｃ）を備えている。このため、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４は、ハンダ等を介してＩＣチップ５０１のコンデンサ接続バンプ５０４とフリップチップ接続可能である。また、具体的には、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１を形成してフリップチップ接続を行う。
コンデンサ５３０の各電極層５３３は、図１６（ｂ）にその内部構造の概要を示すように、実施形態１と同様、ビア導体５３５Ｅ，５３５Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電極層の群５３３Ｅ，５３３Ｆに分けられている。しかも、電極層の群５３３Ｅ，５３３Ｆは、互いに絶縁されているので、この２つ（一対）の電極群５３３Ｅ，５３３Ｆは、コンデンサ５３０の２つの電極をなす。
また、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４の一部（図中中央のパッド５３４Ｂ）は、一方の電極群５３３Ｅと接続し、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４の他の一部（図中右及び左のパッド５３４Ａ，５３４Ｃ）は、他方の電極群５３３Ｆに接続している。
また、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４の一部（図中中央のパッド５３４Ｂ）は、一方の電極群５３３Ｅと接続し、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４の他の一部（図中右及び左のパッド５３４Ａ，５３４Ｃ）は、他方の電極群５３３Ｆに接続している。
さらに、このコンデンサ５３０では、その下面（第二コンデンサ主面）５３０Ｂに多数の第二面パッド５３６（図１６（ｂ）では、５３６Ａ，５３６Ｂ，５３６Ｃ）を備える。この、第二面コンデンサパッド５３６の一部（図中左右のパッド５３６Ａ，５３６Ｃ）は、図中最下に位置する誘電体層５３２Ｄに形成したビア導体５３５ＦＤによって一方の電極群５３３Ｆと接続し、第二面コンデンサパッド５３６の他の一部（図中中央のパッド５３６Ｂ）は、誘電体層５３２Ｄ及びその上の誘電体層５３２に形成したビア導体５３５ＥＤ、５３５ＥＳによって他方の電極群５３３Ｅに接続している。
つまり、多数の第二面コンデンサパッド５３６も、コンデンサ５３０の２つの電極をなす一対の電極群５３３Ｅ，５３３Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群５３３Ｅ，５３３Ｆのいずれも複数の第二面コンデンサパッド５３６のうちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の第二面コンデンサパッド５３６のうちあるもの（例えば、５３６Ｂ）は、一方の電極群５３３Ｅに接続している。また、ある第二面コンデンサパッド５３６（例えば、５３６Ａ）は、他方の電極群５３３Ｆと接続している。
さらに、このコンデンサ５３０は、配線基板５２０の凹部５２１内に配置され、第二面コンデンサパッド５３６は、底部５２２に形成された接続配線５７０、具体的にはコンデンサ接続パッド５７３とＡｇ−Ｓｎハンダ５２４により、それぞれ接続されて、接続パッド５７５Ｐ及びハンダバンプ５６４と導通している。
このため、コンデンサ５３０及び配線基板５２０の接続配線５７０は、図１６（ｃ）の回路図に示すように、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１（及びＩＣ接続コンデンサパッド５３４）とハンダバンプ５６４（及び接続パッド５４４Ｐ）とが、接続配線５７０及び一方の電極群５３３Ｅ、あるいは接続配線５７０及び他方の電極群５３３Ｆで結ばれ、しかも、この間にコンデンサ５３０が挿入された状態となる。従って、ハンダバンプ５６４から接続配線５７０、コンデンサ５３０の電極層の群５３３Ｅ，５５３Ｆ、及びＩＣ接続コンデンサバンプ５３１を通じて、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップ５０１に電源電位や接地電位を供給することができる。しかも、この間のノイズをコンデンサ５３０で確実に除去できる。一方、配線基板５２０を経由して、即ち、ハンダバンプ５６２から配線層５４４、コアスルーホール導体５４５，配線層５４３，ＩＣ接続基板バンプ５５２を通じて、ＩＣチップ５０１と信号を入出力させることができる。
なお、このコンデンサ５３０においては、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４同士の間隔に比して、第二面コンデンサパッド５３６同士の間隔が大きくされている。ＩＣ接続コンデンサパッド５３４及びこれと直接接続するコンデンサ接続バンプ５０３の間隔に比べて、下面５２０Ｂで接続する他の配線基板の接続端子及びこれに対応するハンダバンプ５６４の間隔は、図１５に示すように一般に大きいので、この間隔に対応させるためである。
次いで、このコンデンサ付属配線基板５１０の製造方法について説明する。
コンデンサ５３０は、上記実施形態１のコンデンサ１３０と概略同様な方法によって形成すればよいので説明を省略する。なお、このコンデンサ５３０の第二面コンデンサ端子５３６は、未焼成ビア導体及び未焼成電極層を形成した未焼成誘電体層を一旦積層圧着した後に、積層体の下面に第二面コンデンサ端子５３６に相当するパターンをＰｄペーストで印刷し、その後同時焼成により形成すればよい。
コンデンサ５３０は、上記実施形態１のコンデンサ１３０と概略同様な方法によって形成すればよいので説明を省略する。なお、このコンデンサ５３０の第二面コンデンサ端子５３６は、未焼成ビア導体及び未焼成電極層を形成した未焼成誘電体層を一旦積層圧着した後に、積層体の下面に第二面コンデンサ端子５３６に相当するパターンをＰｄペーストで印刷し、その後同時焼成により形成すればよい。
まず、図１７（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体５４７の上下両面５４７Ａ，５４７Ｂに銅箔５４７Ｃ，５４７Ｄを備えた両面銅張り基板５４７Ｐを用意する。次いで、図１７（ｂ）に示すように、凹部５２１を形成する領域内の所定位置に、この両面銅張り基板５４７Ｐを厚さ方向に貫通する貫通孔５７１をドリルで形成する。なお、貫通孔５７１の間隔や径を小さくしたい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
その後、公知のスルーホール導体形成手法により、貫通孔５７１内に底部スルーホール導体５７２を形成する（図１７（ｃ）参照）。例えば具体的には、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、貫通５７１内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。その後、貫通孔５７１内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、Ｃｕ粉末を含有する電解メッキ可能な充填樹脂５７４を充填し硬化させる。ついで、銅箔５４７Ｃの上面及び５４７Ｄの下面を研磨して整面し、この上下面に電解Ｃｕメッキを施し、充填樹脂５７４の上下に電解メッキ層で蓋をする。さらに、上下面にレジスト層を形成し、露光現像して不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メッキ層及び銅箔を除去することで、貫通孔５７１内に底部スルーホール導体５７２、上面５４７Ａにコンデンサ接続パッド５７３、コア基板下面５４０Ｂに底部スルーホール導体５７２と導通する配線層５７５を形成する。なおこの配線層５７５は、貫通孔５７１の直下近傍にのみ形成してパッド状となっているものも含む。
このように、充填樹脂５７４で充填した貫通孔５７１上にコンデンサ接続パッド５７３を形成すると、底部スルーホール導体５７２を高密度に配置することができる。なお、上面５４７Ａにも、コンデンサ接続パッド５７３のみでなく底部スルーホール導体５７２と導通する配線層を形成しても良い。
このように、充填樹脂５７４で充填した貫通孔５７１上にコンデンサ接続パッド５７３を形成すると、底部スルーホール導体５７２を高密度に配置することができる。なお、上面５４７Ａにも、コンデンサ接続パッド５７３のみでなく底部スルーホール導体５７２と導通する配線層を形成しても良い。
一方、図１７（ｄ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体５４７より厚さの厚い壁部用コア基板本体５４８を用意する。この壁部用コア基板本体５４８には、予め上記凹部５２１に対応した位置に、凹部用貫通孔５４８Ｈをパンチングにより形成しておく。
次いで、図１７（ｅ）に示すように、底部用コア基板本体上面５４７Ａと、壁部用コア基板本体下面５４８Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔５４８Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート５４９を介して挟み、加熱、圧着する。これにより、図１７（ｆ）に示すように、両者５４７，５４８は、接着層５４９を介して接着され、凹部５４１を有するコア基板５４０が作成できる。
次に、このコア基板５４０の凹部５４１内にコンデンサ５３０を配置し、コンデンサ付属配線基板５１０を形成する工程を説明する。まず、図１８（ａ）に示すように、コア基板５４０の凹部５４１内に、上述のコンデンサ５３０をコンデンサ下面５３０Ｂを下にして配置し、第二面コンデンサパッド５３６とこれに対応する接続配線５７０，具体的にはコンデンサ接続パッド５７３とをそれぞれＡｇ−Ｓｎからなるハンダ５２４でハンダ付け接続する。具体的な手法としては、予め第二面コンデンサパッド５３６にハンダペーストを印刷しておき、底部スルーホール導体５７３と重ねた後に、リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
凹部５４１内のフラックスを洗浄除去した後、図１８（ｂ）に示すように、凹部５４１内の他、コア基板上面５４０Ａ及びコンデンサ上面５３０Ａ上に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂５２３を注入及び塗布し硬化させる。これにより、コンデンサ５３０が接続配線５７０に接続されつつ、凹部５４１内において充填樹脂５２３（５２３Ａ）で固定される。このようにコンデンサ５３０をコア基板５４０（配線基板５２０）と固着させると、熱や振動等が掛かった場合にも、第二面コンデンサパッド５３６と底部スルーホール導体５７３との間で破断する不具合が防止される。
さらに、図１８（ｃ）に示すように、コア基板上面５４０Ａ上及びコンデンサ上面５３０Ａ上の充填樹脂５２３を平坦に研磨して、コンデンサ上面５３０Ａ上及びコア基板上面５４０Ａ上に充填樹脂層５２３Ｂ，５２３Ｃを形成すると共に、これらと略面一にＩＣ接続コンデンサパッド５３４を露出させる。このようにすると、コア基板５４０に凹部５４１を形成し、その中にコンデンサ５３０を配置したことによる段差の発生は吸収され、以降に形成するＩＣ接続基板パッド５４３ＰやＩＣ接続コンデンサパッド５３４への段差の影響を無くして、これらを良好なコプラナリティを持つものとすることができる。
さらに、図１９（ａ）に示すように、凹部５４１の周縁に、充填樹脂層５２３Ｃとコア基板下面５４０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔５４２をドリルによって形成する。
次いで、公知の手法によって、このコアスルーホール孔５４２内及びその周縁にＣｕからなるスルーホール導体５４５を形成する。また、充填樹脂層上面５２３ＣＵ及びコア基板下面５４０Ｂには、コアスルーホール導体５３３から延在する配線層５４３，５４４を形成する。また、充填樹脂層５２３Ｂと面一にしたＩＣ接続コンデンサパッド５３４も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層５２３Ｂより上方に突出した状態とする。
次いで、公知の手法によって、このコアスルーホール孔５４２内及びその周縁にＣｕからなるスルーホール導体５４５を形成する。また、充填樹脂層上面５２３ＣＵ及びコア基板下面５４０Ｂには、コアスルーホール導体５３３から延在する配線層５４３，５４４を形成する。また、充填樹脂層５２３Ｂと面一にしたＩＣ接続コンデンサパッド５３４も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層５２３Ｂより上方に突出した状態とする。
さらに、図１９（ｂ）に示すように、スルーホール導体５４５内に充填樹脂５４６を充填する。また、公知の樹脂絶縁層形成手法により、エポキシ樹脂からなり、所定位置にＩＣ接続基板パッド５４３Ｐが露出した開口５５１、及びＩＣ接続コンデンサパッド５３４が露出した開口５５３を有する樹脂絶縁層５５０を、充填樹脂層５２３Ｂ，５２３Ｃ、配線層５４３及びＩＣ接続コンデンサパッド５３４上に形成する。同様に、所定位置に接続パッド５４４Ｐが露出した開口５６１、及び接続パッド５７５Ｐが露出した開口５６３を備える樹脂絶縁層５６０を、コア基板下面５４０Ｂ及び配線層５４４，５７５上に形成する。
本実施形態では、コアスルーホール導体５４５をコアスルーホール孔５４２の内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホール導体５７２と同様に、内部に電解メッキ可能な充填樹脂を充填し、その上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、コアスルーホール孔５４２の直上あるいは直下にＩＣ接続基板パッド５４３Ｐや接続パッド５４４Ｐを形成することができる。
その後、開口５５１、５５３，５６１及び５６３内に、それぞれハンダペーストを塗布し溶融させて、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１、ＩＣ接続基板バンプ５５２及びハンダバンプ５６２、５６４を形成すると、図１５に示すコンデンサ付属配線基板５１０が完成する。なお、上記実施形態１と同様に、治具ＪＧを用いて、ＩＣ接続コンデンサバンプ５３１及びＩＣ接続基板バンプ５５２の頂部を平坦にすると良い。
このようにして形成したコンデンサ付属配線基板５１０では、樹脂絶縁層５５０，５６０は、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４等を形成したり、これらとＩＣチップ５０１とを接続する際にソルダーレジスト層の役割を果たす。
このようにして形成したコンデンサ付属配線基板５１０では、樹脂絶縁層５５０，５６０は、ＩＣ接続コンデンサパッド５３４等を形成したり、これらとＩＣチップ５０１とを接続する際にソルダーレジスト層の役割を果たす。
さらに、図１８（ｃ）に示したように、コア基板上面５４０Ａ及びコンデンサ上面５３０Ａ上の充填樹脂５２３を研磨して平坦にしたので、コンデンサ５３０の寸法や凹部５４１の寸法の誤差、コア基板５４０の反り等の変形などの影響を無くすことができる。したがって、配線層５４３の断線やショートの防止、あるいは、ＩＣ接続基板パッド５４３ＰやＩＣ接続コンデンサパッド５３４のコプラナリティの向上を図ることができる。
（変形形態７）
上記実施形態２では、コア基板５４０の上下にそれぞれ１層の樹脂絶縁層５５０，５６０を形成した配線基板５２０を示したが、前記変形形態２と同様に、樹脂絶縁層を多数層形成することもできる。例えば、図２０に示すように、コア基板６４０の上下に、公知のビルドアップ配線基板形成手法によって、それぞれ３層の樹脂絶縁層６５１，６５２，６５３，６６１，６６２，６６３を形成し、有底凹状のコンデンサ配置空所６２１を有する配線基板６２０を挙げることができる。
この配線基板６２０では、その上面（第一基板主面）６２０ＡにＩＣ接続基板バンプ６５４を、その下面（第二基板主面）６２０Ｂに接続パッド６４７Ｐを備える。配線基板６２０内には、コア基板６４０を貫通するスルーホール導体６４８の他、各樹脂絶縁層を貫通しあるいは層間に位置する配線層６４２，６４３，６４４，６４５，６４６，６４７が形成されて、ＩＣ接続基板バンプ６５４と接続パッド６４７Ｐとが接続されている。
上記実施形態２では、コア基板５４０の上下にそれぞれ１層の樹脂絶縁層５５０，５６０を形成した配線基板５２０を示したが、前記変形形態２と同様に、樹脂絶縁層を多数層形成することもできる。例えば、図２０に示すように、コア基板６４０の上下に、公知のビルドアップ配線基板形成手法によって、それぞれ３層の樹脂絶縁層６５１，６５２，６５３，６６１，６６２，６６３を形成し、有底凹状のコンデンサ配置空所６２１を有する配線基板６２０を挙げることができる。
この配線基板６２０では、その上面（第一基板主面）６２０ＡにＩＣ接続基板バンプ６５４を、その下面（第二基板主面）６２０Ｂに接続パッド６４７Ｐを備える。配線基板６２０内には、コア基板６４０を貫通するスルーホール導体６４８の他、各樹脂絶縁層を貫通しあるいは層間に位置する配線層６４２，６４３，６４４，６４５，６４６，６４７が形成されて、ＩＣ接続基板バンプ６５４と接続パッド６４７Ｐとが接続されている。
また、実施形態２と同様に、コア基板６４０のうち凹部６４１の底部に底部スルーホール導体６７２、コンデンサ接続パッド６７３、配線層６７５が形成されており、配線層６７５も、配線層６７６，６７７によって下面６２０Ｂ側に引き出されて、接続パッド６７７Ｐに接続している。つまり、接続パッド６７７Ｐからコンデンサ配置空所６２１の底面６２１Ｓまで延びる接続配線６７０が形成されている。
コンデンサ配置空所６２１内に配置されたコンデンサ６３０は、この空所６２１の深さに適合した寸法を備え、その上面６３０Ａには、ＩＣ接続コンデンサバンプ６３１が多数形成されるほか、上記実施形態２と同様に、その下面６３０Ｂにも第二面コンデンサパッド６３６が形成されている。
コンデンサ６３０のＩＣ接続コンデンサバンプ６３１、及び配線基板６２０のＩＣ接続基板バンプ６５４は、破線で示すＩＣチップ６０１の下面６０１Ｂに形成された接続端子６０２のうち、コンデンサ接続バンプ６０３及び基板接続バンプ６０４と、それぞれ接続可能となっている。
コンデンサ６３０のＩＣ接続コンデンサバンプ６３１、及び配線基板６２０のＩＣ接続基板バンプ６５４は、破線で示すＩＣチップ６０１の下面６０１Ｂに形成された接続端子６０２のうち、コンデンサ接続バンプ６０３及び基板接続バンプ６０４と、それぞれ接続可能となっている。
さらに、配線基板６２０の接続配線６７０、具体的には、コンデンサ接続パッド６７３とコンデンサ６３０の第二面コンデンサパッド６３６とは、それぞれＡｇ−Ｓｎからなるハンダ６２４で接続され、これにより接続配線６７０、ハンダ６２４を介して、接続パッド６７７Ｐとコンデンサ６３０とが接続される。
また、配線基板６２０とコンデンサ６３０とは、充填樹脂６２３で固着されている。
このように、樹脂絶縁層を多数層（図２０では上下３層ずつ）形成した場合でも、接続パッド６７７Ｐから、接続配線６７０、ハンダ６２４を介して、及びコンデンサ６３０を通じて、ＩＣチップ６０１に電源電位や接地電位を供給することができる。またコンデンサ６３０により、これらに侵入するノイズを確実に除去することができるなど、実施形態２と同様の効果を得ることができる。
また、配線基板６２０とコンデンサ６３０とは、充填樹脂６２３で固着されている。
このように、樹脂絶縁層を多数層（図２０では上下３層ずつ）形成した場合でも、接続パッド６７７Ｐから、接続配線６７０、ハンダ６２４を介して、及びコンデンサ６３０を通じて、ＩＣチップ６０１に電源電位や接地電位を供給することができる。またコンデンサ６３０により、これらに侵入するノイズを確実に除去することができるなど、実施形態２と同様の効果を得ることができる。
（実施形態３）
次いで、本発明の第３の実施の形態について説明する。図２１に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板７１０では、配線基板７２０のコンデンサ配置空所７２１が貫通孔状であり、コンデンサ７３０が上面７３０Ａ側でＩＣチップ７０１と直接接続できるほか、下面７３０Ｂ側で直接他の配線基板等と接続できる点で、上記実施形態１，２等と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
コンデンサ付属配線基板７１０は、破線で示すＩＣチップ７０１を搭載可能であり、配線基板７２０とコンデンサ７３０とからなる。ＩＣチップ７０１は、実施形態１，２と同様に、下面７０１Ｂに半球状の接続端子７０２を多数備える。この接続端子７０２には、コンデンサ接続バンプ７０３と基板接続バンプ７０４とがある。
次いで、本発明の第３の実施の形態について説明する。図２１に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板７１０では、配線基板７２０のコンデンサ配置空所７２１が貫通孔状であり、コンデンサ７３０が上面７３０Ａ側でＩＣチップ７０１と直接接続できるほか、下面７３０Ｂ側で直接他の配線基板等と接続できる点で、上記実施形態１，２等と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
コンデンサ付属配線基板７１０は、破線で示すＩＣチップ７０１を搭載可能であり、配線基板７２０とコンデンサ７３０とからなる。ＩＣチップ７０１は、実施形態１，２と同様に、下面７０１Ｂに半球状の接続端子７０２を多数備える。この接続端子７０２には、コンデンサ接続バンプ７０３と基板接続バンプ７０４とがある。
配線基板７２０は、略正方形板状で、その略中央に平面視正方形状で貫通孔状のコンデンサ配置空所（以下単に貫通空所ともいう）７２１を備える。配線基板７２０とコンデンサ７３０とは、充填樹脂７２３Ａによって互いに固着され、一体とされている。なお、コンデンサ７３０の内部構造は、後述（図２２参照）するので、図２１等においては略記する。
また、この配線基板７２０の上面（第一基板主面）７２０Ａには、ＩＣチップ７０１の基板接続バンプ７０４にそれぞれ対応した位置に、これとフリップチップ接続可能なＩＣ接続基板パッド７４３Ｐが多数形成されている。
また、この配線基板７２０の上面（第一基板主面）７２０Ａには、ＩＣチップ７０１の基板接続バンプ７０４にそれぞれ対応した位置に、これとフリップチップ接続可能なＩＣ接続基板パッド７４３Ｐが多数形成されている。
配線基板７２０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板本体７４０の上面７４０Ａに形成した充填樹脂層７２３Ｃ上、及び下面７４０Ｂに形成した充填樹脂層７２３Ｅ上（図中下方）に、それぞれ銅からなる配線層７４３，７４４を備える他、それぞれエポキシ樹脂を主成分とし、充填樹脂層７２３Ｃと配線層７４３を覆う樹脂絶縁層７５０、及び、充填樹脂層７２３Ｅと配線層７４４を覆う樹脂絶縁層７６０を備える。配線層７４３，７４４の間は、コアスルーホール孔７４２内に形成されたスルーホール導体７４５によって互いに導通している。スルーホール導体７４５内には、エポキシ樹脂からなる充填樹脂７４６が充填されている。
また、コア基板７４０の中央には、平面視正方形状の貫通孔７４１が形成されている。但し、この貫通孔７４１のうち、コア基板上面７４０Ａに端部には、貫通孔７４１の径方向（平面方向、図中左右方向）内側に向けて突出するコンデンサ受け部（以下、単に受け部ともいう）７４７Ｔが貫通孔７４１の周囲にわたって略ロ字状に形成されている。
また、コア基板７４０の中央には、平面視正方形状の貫通孔７４１が形成されている。但し、この貫通孔７４１のうち、コア基板上面７４０Ａに端部には、貫通孔７４１の径方向（平面方向、図中左右方向）内側に向けて突出するコンデンサ受け部（以下、単に受け部ともいう）７４７Ｔが貫通孔７４１の周囲にわたって略ロ字状に形成されている。
樹脂絶縁層７５０のうち、貫通孔７４１、即ち、貫通空所７２１の空所周縁領域７１１には、実施形態１，２と同様に、上記基板接続バンプ７０４にそれぞれ対応した位置に、開口７５１を有しており、開口７５１内に露出した配線層７４３はＩＣ接続基板パッド７４３Ｐとなっている。
なお、この樹脂絶縁層７５０は、上述した実施形態２と同様に後述するコンデンサ７３０の上面７３０Ａ上方にも形成されている。
なお、この樹脂絶縁層７５０は、上述した実施形態２と同様に後述するコンデンサ７３０の上面７３０Ａ上方にも形成されている。
また、樹脂絶縁層７６０にも、配線基板７２０の周縁部分に格子状に開口７６１を有しており、配線層７４４のうち開口７６１内に露出した部分はマザーボードなど他の配線基板と接続するための接続パッド７４４Ｐとなっている。
樹脂絶縁層７５０，７６０はそれぞれ、配線基板７２０とＩＣチップ７０１とを接続する際のソルダーレジスト層の役割をも有している。
樹脂絶縁層７５０，７６０はそれぞれ、配線基板７２０とＩＣチップ７０１とを接続する際のソルダーレジスト層の役割をも有している。
一方、コンデンサ７３０は、上記実施形態２で説明したのと同様に、誘電体層と電極層とを交互に積層し、１層おきにビアで接続した構造を有しているが、その外形状が、図２２（ａ）に示すように、やや異なる。即ち、コンデンサ上面７３０Ａの周囲は、中央の正方形状の領域を残して、切り欠き部７３０Ｐにより階段状に１段低位とされて、後述するようにコア基板７４０のコンデンサ受け部７４７Ｔとの当接面７３０Ｃが形成されている。つまり、コンデンサ７３０は、その上面７３０Ａにおいて、略凸字状の形状とされている。
なお、このコンデンサ７３０の上面（第一コンデンサ主面）７３０Ａには、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４が、また下面（第二コンデンサ主面）７３０Ｂには、第二面コンデンサパッド７３６が多数形成されている。
なお、このコンデンサ７３０の上面（第一コンデンサ主面）７３０Ａには、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４が、また下面（第二コンデンサ主面）７３０Ｂには、第二面コンデンサパッド７３６が多数形成されている。
配線基板７２０の貫通空所７２１内において、上記コンデンサ７３０は、切り欠き部７３０Ｐが受け部７４７Ｔの径方向内側面７４７Ｈ内に挿入され、当接面７３０Ｃが受け部７４７Ｔの当接面７４７Ｓ（図２１中下面）に当接して配置される。このため、コンデンサ７３０の貫通空所７２１の深さ方向（図中上下方向）の位置が規制される。また、径方向内側面７４７Ｈにコンデンサ７３０の切り欠き部７３０Ｐが嵌合するため、径方向（平面方向、図中左右方向）の位置も規制される。
なお、このコンデンサ７３０の上面７３０Ａ及び下面７３０Ｂにも、樹脂絶縁層７５０，７６０がそれぞれ形成され、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４及び第二面コンデンサパッド７３６がそれぞれ露出するように、開口７５２，７６２が形成されている。
なお、このコンデンサ７３０の上面７３０Ａ及び下面７３０Ｂにも、樹脂絶縁層７５０，７６０がそれぞれ形成され、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４及び第二面コンデンサパッド７３６がそれぞれ露出するように、開口７５２，７６２が形成されている。
このため、コンデンサ７３０は、図２２（ｂ）の回路図に示すように、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４と第二面コンデンサパッド７３６とが、一方の電極群７３３Ｅ、あるいは他方の電極群７３３Ｆで結ばれ、しかも、この間にコンデンサ７３０が挿入された状態となる。従って、この第二面コンデンサパッド７３６に接続する他の配線基板と、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４に接続するＩＣチップ７０１とを、低抵抗、低インダクタンスで結び、ＩＣチップ７０１に電源電位や接地電位を供給することができる。しかも、この間のノイズをコンデンサ７３０で確実に除去できる。一方、配線基板７２０を経由して、即ち、接続パッド７４４Ｐから配線層７４４、コアスルーホール導体７４５，配線層７４３，ＩＣ接続基板パッド７４３Ｐを通じて、ＩＣチップ５０１との間で信号を入出力させることができる。
次いで、コンデンサ付属配線基板７１０の製造方法について説明する。
コンデンサ７３０の製造方法は、実施形態１，２と概略同様であるので省略する。なお、切り欠き部７３０Ｐは、未焼成誘電体層の一辺の寸法を他より小さくしたものを用い、これをコンデンサ上面７３０Ａとなる側に積層する。
コンデンサ７３０の製造方法は、実施形態１，２と概略同様であるので省略する。なお、切り欠き部７３０Ｐは、未焼成誘電体層の一辺の寸法を他より小さくしたものを用い、これをコンデンサ上面７３０Ａとなる側に積層する。
まず、コア基板７４０を形成する（図２３参照）。このコア基板７４０は、図２３（ａ）に示すように、平面視略正方形状で、その中央に正方形状の貫通孔７４１を有する。ただし、この貫通孔７４１のうち上面７４０Ａ側は、受け部７４１Ｔが径方向内側に向けて略ロ字状に突出した形状とされている。この突出部７４７Ｔの図中下面はコンデンサ７３０との当接面７４７Ｃとされ、突出部７４７Ｔの内周面は、正方形状の径方向内側面７４７Ｈとなっている。このコア基板７４０は、実施形態１，２から容易に理解できるように、略正方形状の貫通孔７４７Ｈが形成された第一コア基板本体７４７と、貫通孔７４７よりも大きな略正方形状の貫通孔７４８Ｈを持つ第二コア基板本体７４８とを接着層７４９で貼り合わせて形成する。
次いで、この凹部７４１内にコンデンサ７３０を配置する。具体的には、図２４（ａ）に示すように、コンデンサ上面７３０Ａ周縁の切り欠き部７３０Ｐを径方向内側面７４７Ｈの内側に嵌合、挿入し、コンデンサ７３０の当接面７３０Ｃを、受け部７４７Ｔの当接面７４７Ｃに当接させる。この挿入と当接によって、コンデンサ７３０の位置が規制される。
なお、コア基板７４０及びコンデンサ７３０の寸法は、この際に、ＩＣ接続コンデンサ端子７３４がコア基板上面７４０Ａよりも図中上方に位置するように、また、第二面コンデンサパッド７３６がコア基板下面７４０Ｂよりも下方に位置するような寸法関係となるように形成しておく。
なお、コア基板７４０及びコンデンサ７３０の寸法は、この際に、ＩＣ接続コンデンサ端子７３４がコア基板上面７４０Ａよりも図中上方に位置するように、また、第二面コンデンサパッド７３６がコア基板下面７４０Ｂよりも下方に位置するような寸法関係となるように形成しておく。
その後、図２４（ｂ）に示すように、コンデンサ７３０と貫通孔７４１との隙間の他、コンデンサ上面７３０Ａ、及びコア基板上面７４０Ａ上、さらに、コンデンサ下面７３０Ｂ、及びコア基板７４０Ｂ上（図中下方）に充填樹脂７２３を充填塗布し、硬化させる。これにより、コンデンサ７３０はコア基板７４０（配線基板７２０）と互いに固着される。
さらに、図２４（ｃ）に示すように、コア基板上面７４０Ａ上及びコンデンサ上面７３０Ａ上の充填樹脂７２３を平坦に研磨して、コンデンサ上面７３０Ａ上及びコア基板上面７４０Ａ上に充填樹脂層７２３Ｂ，７２３Ｃを形成すると共に、これらと略面一にＩＣ接続コンデンサパッド７３４を露出させる。また、コア基板下面７４０Ｂ及びコンデンサ下面７３０Ｂ上（図中下方）の充填樹脂７２３を平坦に研磨して、コンデンサ下面７３０Ｂ上及びコア基板下面７４０Ｂ上に充填樹脂層７２３Ｄ，７２３Ｅを形成すると共に、これらと略面一にＩＣ第二面コンデンサパッド７３６を露出させる。
このようにすると、コア基板７４０に貫通孔７４１を形成し、その中にコンデンサ７３０を配置したことによる段差の発生は吸収され、以降に形成するＩＣ接続基板パッド７４３ＰやＩＣ接続コンデンサパッド７３４への段差の影響を無くして、これらを良好なコプラナリティを持つものとすることができる。同様に、以降に形成する接続パッド７４４Ｐや第二面コンデンサパッド７３６への段差の影響を無くして、これらを良好なコプラナリティを持つものとすることもできる。
このようにすると、コア基板７４０に貫通孔７４１を形成し、その中にコンデンサ７３０を配置したことによる段差の発生は吸収され、以降に形成するＩＣ接続基板パッド７４３ＰやＩＣ接続コンデンサパッド７３４への段差の影響を無くして、これらを良好なコプラナリティを持つものとすることができる。同様に、以降に形成する接続パッド７４４Ｐや第二面コンデンサパッド７３６への段差の影響を無くして、これらを良好なコプラナリティを持つものとすることもできる。
さらに、図２５（ａ）に示すように、貫通孔７４１の周縁に、充填樹脂層７２３Ｃと充填樹脂層７２３Ｅとの間を貫通するコアスルーホール孔７４２を形成する。
次いで、公知の手法によって、このコアスルーホール孔７４２内及びその周縁にＣｕからなるスルーホール導体７４５を形成する。また、充填樹脂層７２３Ｃの上面７２３ＣＵ及び充填樹脂層７２３Ｅの下面７２３ＥＤには、コアスルーホール導体７３３から延在する配線層７４３，７４４を形成する。このうち、配線層７４３は、突出部７４７Ｔの図中上方にまで延在させることができる。また、充填樹脂層７２３Ｂと面一にしたＩＣ接続コンデンサパッド７３４も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層７２３Ｂより上方に突出した状態とする。同様に、充填樹脂層７２３Ｄと面一にした第二面コンデンサパッド７３６も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層７２３Ｄより下方に突出した状態とする。
次いで、公知の手法によって、このコアスルーホール孔７４２内及びその周縁にＣｕからなるスルーホール導体７４５を形成する。また、充填樹脂層７２３Ｃの上面７２３ＣＵ及び充填樹脂層７２３Ｅの下面７２３ＥＤには、コアスルーホール導体７３３から延在する配線層７４３，７４４を形成する。このうち、配線層７４３は、突出部７４７Ｔの図中上方にまで延在させることができる。また、充填樹脂層７２３Ｂと面一にしたＩＣ接続コンデンサパッド７３４も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層７２３Ｂより上方に突出した状態とする。同様に、充填樹脂層７２３Ｄと面一にした第二面コンデンサパッド７３６も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層７２３Ｄより下方に突出した状態とする。
さらに、図２５（ｂ）に示すように、スルーホール導体７４５内に充填樹脂７４６を充填する。また、公知の樹脂絶縁層形成手法により、エポキシ樹脂からなり、空所周縁領域７１１の所定位置にＩＣ接続基板パッド７４３Ｐが露出した開口７５１と、ＩＣ接続コンデンサパッド７３４が露出した開口７５２とを有する樹脂絶縁層７５０を、充填樹脂層７２３Ｂ，７２３Ｃ、配線層７４３及びＩＣ接続コンデンサパッド７３４上に形成する。同様に、所定位置に接続パッド７４４Ｐが露出した開口７６１と、第二面コンデンサパッド７３６が露出した開口７６２とを備える樹脂絶縁層７６０を、充填樹脂層７２３Ｄ，７２３Ｅ、配線層７４４、及び第二面コンデンサパッド７３６上に形成する。これにより、図２１に示すコンデンサ付属配線基板７１０が完成する。
（実施形態４）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図２６に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板は、直接ＩＣチップやＩＣ搭載ＣＳＰを搭載するのではなく、ＩＣチップ９８０を搭載した通常のＩＣ搭載基板９９０を搭載するコンデンサ付属インターポーザ９１０である。一般に、インターポーザは、例えば、マザーボードとＩＣ搭載基板との間に介在させて、両者間の熱膨張率の違いによる熱応力を緩和したり、ＬＧＡやＢＧＡの形態の端子をマザーボードやソケットなどに挿入接続可能なＰＧＡの形態に変換したい場合などに、好適に用いられる。
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図２６に示す本実施形態のコンデンサ付属配線基板は、直接ＩＣチップやＩＣ搭載ＣＳＰを搭載するのではなく、ＩＣチップ９８０を搭載した通常のＩＣ搭載基板９９０を搭載するコンデンサ付属インターポーザ９１０である。一般に、インターポーザは、例えば、マザーボードとＩＣ搭載基板との間に介在させて、両者間の熱膨張率の違いによる熱応力を緩和したり、ＬＧＡやＢＧＡの形態の端子をマザーボードやソケットなどに挿入接続可能なＰＧＡの形態に変換したい場合などに、好適に用いられる。
このコンデンサ付属インターポーザ９１０に、ＩＣ搭載基板９９０を搭載することで、ＩＣ搭載基板を搭載したコンデンサ付属インターポーザ９００が構成されている。
このうち、ＩＣ搭載基板９９０は、配線基板９７０とＩＣチップ９８０とからなり、上面９７０Ａに形成したフリップチップ端子９７１をＩＣチップ下面９８０Ｂのフリップチップバンプ９８１に溶着させることで、ＩＣチップ９８０をフリップチップ接続により搭載している。また、配線基板９７０は、下面９７０Ｂに格子状に配置された半球状の接続端子９７２を多数備え、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板となっている。接続端子９７２は、９０Ｐｂ−１０Ｓｎハンダからなるハンダバンプであり、このうち、図中略中央付近の接続端子９７２が、後述するコンデンサ９３０と接続するコンデンサ接続バンプ９７３であり、その周縁（図中左右方向）の接続端子９７２が、後述する配線基板９２０と接続する基板接続バンプ９７４である。フリップチップ端子９７１と接続端子９７２とは、配線基板９７０の内部配線によってそれぞれ接続されている。なお、接続端子９７２はハンダで固定した銅ボールなどを用いることもできる。
このうち、ＩＣ搭載基板９９０は、配線基板９７０とＩＣチップ９８０とからなり、上面９７０Ａに形成したフリップチップ端子９７１をＩＣチップ下面９８０Ｂのフリップチップバンプ９８１に溶着させることで、ＩＣチップ９８０をフリップチップ接続により搭載している。また、配線基板９７０は、下面９７０Ｂに格子状に配置された半球状の接続端子９７２を多数備え、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板となっている。接続端子９７２は、９０Ｐｂ−１０Ｓｎハンダからなるハンダバンプであり、このうち、図中略中央付近の接続端子９７２が、後述するコンデンサ９３０と接続するコンデンサ接続バンプ９７３であり、その周縁（図中左右方向）の接続端子９７２が、後述する配線基板９２０と接続する基板接続バンプ９７４である。フリップチップ端子９７１と接続端子９７２とは、配線基板９７０の内部配線によってそれぞれ接続されている。なお、接続端子９７２はハンダで固定した銅ボールなどを用いることもできる。
一方、コンデンサ付属インターポーザ９１０は、略正方形板状で、その略中央に平面視正方形状で底部９２２を有する有底凹状のコンデンサ配置空所９２１を備えた配線基板であるインターポーザ本体９２０と、この凹部９２１内に配置されたコンデンサ９３０とからなる。なお、インターポーザ本体９２０とコンデンサ９３０とは、両者間の隙間に充填されたエポキシ樹脂からなる絶縁性の充填樹脂９２３によって互いに固着され、一体とされている。なお、コンデンサ９３０の内部構造は、実施形態１で説明したもの（図２参照）とほぼ同様であるので略記している。
また、配線基板９７０の下面９７０Ｂに対向するインターポーザ本体９２０の上面（第一基板主面）９２０Ａには、上述した配線基板９７０の基板接続バンプ９７４にそれぞれ対応した位置に、ＩＣ搭載基板接続基板パッド（以下、単に基板パッドともいう）９４３Ｐが多数形成され、両者はハンダ９５２によって互いに接続している。また同じく配線基板９７０の下面９７０Ａに対向するコンデンサ９３０の上面９３０Ａには、上述したコンデンサ接続バンプ９７３にそれぞれ対応した位置に、ＩＣ搭載基板接続コンデンサパッド（以下単にコンデンサパッドとも言う）９３１が多数形成され、この両者もハンダ９５２によって互いに接続している。
また、配線基板９７０の下面９７０Ｂに対向するインターポーザ本体９２０の上面（第一基板主面）９２０Ａには、上述した配線基板９７０の基板接続バンプ９７４にそれぞれ対応した位置に、ＩＣ搭載基板接続基板パッド（以下、単に基板パッドともいう）９４３Ｐが多数形成され、両者はハンダ９５２によって互いに接続している。また同じく配線基板９７０の下面９７０Ａに対向するコンデンサ９３０の上面９３０Ａには、上述したコンデンサ接続バンプ９７３にそれぞれ対応した位置に、ＩＣ搭載基板接続コンデンサパッド（以下単にコンデンサパッドとも言う）９３１が多数形成され、この両者もハンダ９５２によって互いに接続している。
インターポーザ本体９２０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板９４０のコア基板上面９４０Ａ及びコア基板下面９４０Ｂに、それぞれ銅からなる配線層９４３，９４４を備える他、それぞれエポキシ樹脂を主成分とし、コア基板上面９４０Ａ、コア基板下面９４０Ｂ、及び配線層９４３，９４４を覆う樹脂絶縁層９５０，９６０を備える。配線層９４３，９４４の間は、コア基板９４０を貫通するコアスルーホール孔９４２内に形成されたスルーホール導体９４５によって互いに導通している。スルーホール導体９４５内は、樹脂は充填されておらず、中空となっている。また、コア基板９４０の中央には、平面視正方形状の有底の凹部９４１が形成され、この凹部９４１では、コア基板９４０の厚さが薄くされている。
樹脂絶縁層９５０は、上記基板接続バンプ９７４にそれぞれ対応した位置に、その上面９２０Ａから配線層９４３まで貫通する開口９５１を有しており、開口９５１内に露出した配線層９４３は、基板接続バンプ９７４と接続するための基板パッド９４３Ｐとなっている。この開口９５１内の基板パッド９４３Ｐ上には、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなるハンダ９５２が略半球状に盛り上げられてハンダバンプ形状とされ（図２７（ｅ）参照）、ＩＣ搭載基板９９０を搭載する際に、基板接続バンプ９７４と溶着する。
一方、樹脂絶縁層９６０には、配線基板９２０のうち凹部よりも外側（図中左右側）に、格子状の配置で、その下面（第二基板主面）９２０Ｂから、配線層９４４まで貫通する開口９６１を有しており、開口９６１内に露出した配線層９４４は、接続パッド９４４Ｐとなっている。この接続パッド９４４Ｐには、マザーボードなど他の配線基板やソケット等と接続するためのネイルヘッド状のピン９６２が、ハンダ９６３によって、それぞれ当接固着されている。このため、このインターポーザ本体９２０は、その下面９２０Ｂにおいて、ＰＧＡタイプの配線基板となっている。
一方、樹脂絶縁層９６０には、配線基板９２０のうち凹部よりも外側（図中左右側）に、格子状の配置で、その下面（第二基板主面）９２０Ｂから、配線層９４４まで貫通する開口９６１を有しており、開口９６１内に露出した配線層９４４は、接続パッド９４４Ｐとなっている。この接続パッド９４４Ｐには、マザーボードなど他の配線基板やソケット等と接続するためのネイルヘッド状のピン９６２が、ハンダ９６３によって、それぞれ当接固着されている。このため、このインターポーザ本体９２０は、その下面９２０Ｂにおいて、ＰＧＡタイプの配線基板となっている。
従って、マザーボード等の他の配線基板やソケットなどに、このピン９６２を挿入したり当接させたりして接続することにより、インターポーザ本体９２０を介してマザーボード等とＩＣ搭載基板９９０、さらにはＩＣチップ９８０とを接続させることができる。
なお、樹脂絶縁層９５０，９６０は、それぞれ、バンプ状のハンダ９５２やピン９６２のハンダ９６３よるハンダ付けの際、あるいはハンダ９５２とＩＣ搭載基板９９０（配線基板９７０）との接続時のソルダーレジスト層の役割をも有している。
また、本実施形態のインターポーザ本体９２０では、接続パッド９４４Ｐ及びピン９６２が、平面視して、基板パッド９４３Ｐと同じ位置に配置している。このため、インターポーザ本体９２０は、ＢＧＡタイプの基板接続バンプ９７４を、その平面方向の位置を変えないで、ＰＧＡタイプのピン９６２に変換したものとなっている。
なお、樹脂絶縁層９５０，９６０は、それぞれ、バンプ状のハンダ９５２やピン９６２のハンダ９６３よるハンダ付けの際、あるいはハンダ９５２とＩＣ搭載基板９９０（配線基板９７０）との接続時のソルダーレジスト層の役割をも有している。
また、本実施形態のインターポーザ本体９２０では、接続パッド９４４Ｐ及びピン９６２が、平面視して、基板パッド９４３Ｐと同じ位置に配置している。このため、インターポーザ本体９２０は、ＢＧＡタイプの基板接続バンプ９７４を、その平面方向の位置を変えないで、ＰＧＡタイプのピン９６２に変換したものとなっている。
コンデンサ９３０は、上記したように、実施形態１に示したコンデンサ１３０とほぼ同様のコンデンサであり、その上面９３０Ａにはコンデンサパッド９３１が形成されている。従って、このコンデンサ９３０においても、コンデンサパッド９３１を通じて、コンデンサ９３０内部の一対の電極群それぞれと接続することができるようにされている。
但し、コンデンサパッド９３１は、配線基板９７０のコンデンサ接続バンプ９７３の位置に対応して形成されているので、ＩＣチップ１０１のコンデンサ接続バンプ１０３に対応した位置に形成されるＩＣ接続コンデンサバンプ１３１に比べ、その間隔が広くなっている。
さらに、コンデンサ９３０は、図２６に示すように、コンデンサ下面（第二コンデンサ主面）９３０Ｂにおいて、凹部９２１の底面９２１Ｓと当接して、深さ方向（図中上下方向）のコンデンサ９３０の位置が決められ、コンデンサパッド９３１の深さ方向の位置が規制される。
但し、コンデンサパッド９３１は、配線基板９７０のコンデンサ接続バンプ９７３の位置に対応して形成されているので、ＩＣチップ１０１のコンデンサ接続バンプ１０３に対応した位置に形成されるＩＣ接続コンデンサバンプ１３１に比べ、その間隔が広くなっている。
さらに、コンデンサ９３０は、図２６に示すように、コンデンサ下面（第二コンデンサ主面）９３０Ｂにおいて、凹部９２１の底面９２１Ｓと当接して、深さ方向（図中上下方向）のコンデンサ９３０の位置が決められ、コンデンサパッド９３１の深さ方向の位置が規制される。
このＩＣ搭載基板９９０を搭載したコンデンサ内蔵インターポーザ９００では、ピン９６２で接続させたマザーボード等の他の配線基板あるいはソケットからは、インターポーザ本体１２０内の配線層９４４、スルーホール導体９４５、配線層９４３、ハンダ９５２、基板接続バンプ９７４を通じて、ＩＣ搭載基板９９０と、さらには配線基板９７０を通じてＩＣチップ９８０と、各種の信号を入出力できる他、電源電位や接地電位を供給することができる。また、配線基板９７０内の電源配線や接地配線などにコンデンサ９３０を接続することにより、これらに侵入したノイズが除去することができる。
しかも、コンデンサ９３０は、ごく簡単な構造のインターポーザ本体９２０の凹部９２１に内蔵されている。このため、ＩＣ搭載基板９９０をコンデンサ付属インターポーザ９１０に搭載した後に、コンデンサ９３０自身あるいは搭載の際の不具合により、ショートや静電容量不足が判明した場合にも、高価なＩＣチップ９８０や、これを搭載し一般に複雑な配線を持つ高価な配線基板９７０を廃棄する必要はない。つまり、ＩＣ搭載基板９９０をコンデンサ付属インターポーザ９９０から分離して、コンデンサ付属インターポーザ９１０のみ廃棄すればよい。つまり、コンデンサの不具合による損失を低減させることができる。
しかも、コンデンサ９３０は、ごく簡単な構造のインターポーザ本体９２０の凹部９２１に内蔵されている。このため、ＩＣ搭載基板９９０をコンデンサ付属インターポーザ９１０に搭載した後に、コンデンサ９３０自身あるいは搭載の際の不具合により、ショートや静電容量不足が判明した場合にも、高価なＩＣチップ９８０や、これを搭載し一般に複雑な配線を持つ高価な配線基板９７０を廃棄する必要はない。つまり、ＩＣ搭載基板９９０をコンデンサ付属インターポーザ９９０から分離して、コンデンサ付属インターポーザ９１０のみ廃棄すればよい。つまり、コンデンサの不具合による損失を低減させることができる。
次いで、上記コンデンサ付属インターポーザ９１０等の製造方法について、個別の部材であるインターポーザ本体９２０の製造方法を含めて説明する。なお、コンデンサ９３０は、実施形態１と同様にして形成すれば良いので、説明を省略する。
まず、図２７（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体９４６を用意する。
また、図２７（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体９４６より厚さの厚い壁部用コア基板本体９４７も用意する。この壁部用コア基板本体９４７には、予め上記凹部９２１（９４１）に対応した位置に、凹部用貫通孔９４７Ｈをパンチングにより形成しておく。
次いで、図２７（ｃ）に示すように、これらをエポキシ樹脂からなる接着層９４９を介して接着し、コア基板９４０を形成する。このコア基板９４０には、凹部９４１（９４７Ｈ）が形成され、底部用コア基板本体９４６の上面９４６Ａのうち凹部９４１内の露出した部分は、コンデンサ配置空所９２１の底面９２１Ｓとなる。
まず、図２７（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体９４６を用意する。
また、図２７（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体９４６より厚さの厚い壁部用コア基板本体９４７も用意する。この壁部用コア基板本体９４７には、予め上記凹部９２１（９４１）に対応した位置に、凹部用貫通孔９４７Ｈをパンチングにより形成しておく。
次いで、図２７（ｃ）に示すように、これらをエポキシ樹脂からなる接着層９４９を介して接着し、コア基板９４０を形成する。このコア基板９４０には、凹部９４１（９４７Ｈ）が形成され、底部用コア基板本体９４６の上面９４６Ａのうち凹部９４１内の露出した部分は、コンデンサ配置空所９２１の底面９２１Ｓとなる。
次いで、凹部９４１よりも外側に、コア基板本体上面９４０Ａとコア基板本体下面９４０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔９４２をドリルによって形成する。さらに、公知の配線層及びスルーホール導体形成手法によって、図２７（ｄ）に示すように、コア基板上面９４０Ａ及びコア基板下面９４０Ｂには、それぞれＣｕからなる配線層９４３，９４４を、また、コアスルーホール孔９４２内及びその周縁にも、配線層９４３，９４４に接続し、Ｃｕからなるスルーホール導体９４５を形成する。
その後、コア基板上面９４０Ａ及び配線層９４３上、また、コア基板下面９４０Ｂ及び配線層９４４上に、それぞれ公知の手法によりエポキシ樹脂からなり、所定位置に配線層９４３の基板パッド９４３Ｐ、配線層９４４の接続パッド９４４Ｐがそれぞれ露出した開口９５１，９６１を備える樹脂絶縁層９５０，９６０を形成する。
次いで、予め形成しておいたコンデンサ９３０を凹部９２１内に配置し、凹部９２１とコンデンサ９３０との間隙にエポキシ樹脂からなる充填樹脂９２３を注入硬化させて、コンデンサ９３０を凹部９２１内に固着する。
さらに、開口９５１内及びコンデンサパッド９３１上にハンダペーストを塗布するとともに、開口９６１内にハンダペーストを塗布し、さらにピン９６２の頭部９６２Ａを接続パッド９４４Ｐに突き当てるようにしてセットし、ハンダペーストを溶融させて、バンプ状のハンダ９５２を形成するとともに、ピン９６２を接続パッド９４４Ｐに固着して、インターポーザ本体９２０及びコンデンサ付属インターポーザ９１０を完成させる。コンデンサ９３０は凹部９２１の底面９２１Ｓでその深さ方向の位置を規制されるため、コンデンサ９３０及びインターポーザ本体９２０に形成されたハンダ９５２は、略同一の共平面を有する。なお、実施形態１で説明したように、その頂部を平坦化治具ＪＧによって平坦化すると共平面性が向上し好ましい。
次いで、予め形成しておいたコンデンサ９３０を凹部９２１内に配置し、凹部９２１とコンデンサ９３０との間隙にエポキシ樹脂からなる充填樹脂９２３を注入硬化させて、コンデンサ９３０を凹部９２１内に固着する。
さらに、開口９５１内及びコンデンサパッド９３１上にハンダペーストを塗布するとともに、開口９６１内にハンダペーストを塗布し、さらにピン９６２の頭部９６２Ａを接続パッド９４４Ｐに突き当てるようにしてセットし、ハンダペーストを溶融させて、バンプ状のハンダ９５２を形成するとともに、ピン９６２を接続パッド９４４Ｐに固着して、インターポーザ本体９２０及びコンデンサ付属インターポーザ９１０を完成させる。コンデンサ９３０は凹部９２１の底面９２１Ｓでその深さ方向の位置を規制されるため、コンデンサ９３０及びインターポーザ本体９２０に形成されたハンダ９５２は、略同一の共平面を有する。なお、実施形態１で説明したように、その頂部を平坦化治具ＪＧによって平坦化すると共平面性が向上し好ましい。
その後は、ＩＣチップ９８０を搭載した配線基板９７０（ＩＣ搭載基板９９０）下面９７０Ｂと、インターポーザ上面９２０Ａ及びコンデンサ上面９３０Ａとを対向させて、接続端子９７２とバンプ状のハンダ９５２との位置合わせをする。はんだ９５２を溶融させて、接続端子９７２に溶着させることで、ＩＣ搭載基板９９０が、コンデンサ付属インターポーザ９１０に搭載され、ＩＣ搭載基板を搭載したコンデンサ付属インターポーザ９００が完成する。
（変形形態８）
上記実施形態４では、ピン９６２としてネイルヘッド形のピンを用い、頭部９６２Ａを接続パッド９４４Ｐに突き当てるようにしてハンダ９６３で固着したが、他の手法により、ピンをインターポーザ本体（配線基板）に固着することもできる。
例えば、図２８に示すインターポーザ本体１０２０のようにしても良い。即ち、径大部１０６２Ａをはさんで軸方向両側（図中上下方向）に延びる径小の本体部１０６２Ｂと固着部１０６２Ｃとをそれぞれ有するピン１０６２を用い、コア基板９４０のスルーホール導体９４５内周面の貫通孔９４５Ｈ内に、固着部１０６２Ｃを挿入するとともにハンダ付けして、ピン１０６２をインターポーザ本体１０２０に固着しても良い。
あるいは、ネイルヘッド状のピンをインターポーザ本体１０２０の上面１０２０Ａ側から挿入し、その先端を下面１０２０Ｂよりも突き出させるようにした状態でハンダ付けにより固定しても良い。
上記実施形態４では、ピン９６２としてネイルヘッド形のピンを用い、頭部９６２Ａを接続パッド９４４Ｐに突き当てるようにしてハンダ９６３で固着したが、他の手法により、ピンをインターポーザ本体（配線基板）に固着することもできる。
例えば、図２８に示すインターポーザ本体１０２０のようにしても良い。即ち、径大部１０６２Ａをはさんで軸方向両側（図中上下方向）に延びる径小の本体部１０６２Ｂと固着部１０６２Ｃとをそれぞれ有するピン１０６２を用い、コア基板９４０のスルーホール導体９４５内周面の貫通孔９４５Ｈ内に、固着部１０６２Ｃを挿入するとともにハンダ付けして、ピン１０６２をインターポーザ本体１０２０に固着しても良い。
あるいは、ネイルヘッド状のピンをインターポーザ本体１０２０の上面１０２０Ａ側から挿入し、その先端を下面１０２０Ｂよりも突き出させるようにした状態でハンダ付けにより固定しても良い。
（変形形態９）
さらに、上記実施形態４では、コンデンサ上面９３０Ａにのみコンデンサパッド９３１が形成されたコンデンサ９３０を用い、凹部９２１の底部９２２にはビア等の接続配線を形成しなかった。しかし、図２９に示す本変形形態９のコンデンサ付属インターポーザ１１１０では、前記した実施形態２に似せて、コンデンサ１１３０が上面１１３０Ａ側でＩＣ搭載基板９９０と接続できるほか、下面１１３０Ｂ側でインターポーザ本体１１２０の有底凹状のコンデンサ配置空所１１２１の底部１１２２に形成した接続配線と接続し、下方からもコンデンサ１１３０と接続できる点で、上記実施形態４と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
本変形形態９のコンデンサ付属インターポーザ１１１０のうち、コンデンサ１１３０は、コンデンサ上面１１３０Ａにコンデンサパッド１１３１を有するほか、下面１１３０Ｂに第二面コンデンサパッド１１３２を有する。このコンデンサ１１３０は、実施形態２におけるコンデンサ５３０と同様に、コンデンサパッド１１３１のうちのあるものはコンデンサ内部の一対の電極群の一方と接続し、またあるものは電極群の他方と接続している。また、第二面コンデンサパッド１１３２も、そのうちあるものはコンデンサ内部の一対の電極群の一方と接続し、あるものは他方と接続している。
さらに、上記実施形態４では、コンデンサ上面９３０Ａにのみコンデンサパッド９３１が形成されたコンデンサ９３０を用い、凹部９２１の底部９２２にはビア等の接続配線を形成しなかった。しかし、図２９に示す本変形形態９のコンデンサ付属インターポーザ１１１０では、前記した実施形態２に似せて、コンデンサ１１３０が上面１１３０Ａ側でＩＣ搭載基板９９０と接続できるほか、下面１１３０Ｂ側でインターポーザ本体１１２０の有底凹状のコンデンサ配置空所１１２１の底部１１２２に形成した接続配線と接続し、下方からもコンデンサ１１３０と接続できる点で、上記実施形態４と異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部分は説明を省略あるいは簡略化する。
本変形形態９のコンデンサ付属インターポーザ１１１０のうち、コンデンサ１１３０は、コンデンサ上面１１３０Ａにコンデンサパッド１１３１を有するほか、下面１１３０Ｂに第二面コンデンサパッド１１３２を有する。このコンデンサ１１３０は、実施形態２におけるコンデンサ５３０と同様に、コンデンサパッド１１３１のうちのあるものはコンデンサ内部の一対の電極群の一方と接続し、またあるものは電極群の他方と接続している。また、第二面コンデンサパッド１１３２も、そのうちあるものはコンデンサ内部の一対の電極群の一方と接続し、あるものは他方と接続している。
一方、インターポーザ本体１１２０は、実施形態４と同様の基板パッド１１４３Ｐ、配線層１１４３、スルーホール導体１１４５、配線層１１４４、接続パッド１１４４Ｐ、ピン１１６２を有する。
さらに、底部１１２２のコア基板下面１１４０Ｂ側には、実施形態２におけるコンデンサ付属配線基板５１０と同様に、配線層１１７５、樹脂絶縁層１１６０の開口１１６４、これから露出する接続パッド１１７５Ｐ、及びハンダ１１６５で固着されたピン１１６６が形成されている。また、凹部１１２１の底面１１２１Ｓとコア基板下面１１４０Ｂとの間を貫通する貫通孔１１７１内には底部スルーホール導体１１７２が、底面１１２１Ｓにはコンデンサ接続パッド１１７３が形成されている。即ち、ピン１１６６及び接続パッド１１７５Ｐから延びて底面１１２１Ｓまで延出する接続配線１１７０が形成されている。
この接続配線１１７０は、さらに具体的に言えば、コンデンサ接続パッド１１７３は、次述するコンデンサ１１３０の第二面コンデンサパッド１１３２とＡｇ−Ｓｎハンダ１１２４を介して接続する。
さらに、底部１１２２のコア基板下面１１４０Ｂ側には、実施形態２におけるコンデンサ付属配線基板５１０と同様に、配線層１１７５、樹脂絶縁層１１６０の開口１１６４、これから露出する接続パッド１１７５Ｐ、及びハンダ１１６５で固着されたピン１１６６が形成されている。また、凹部１１２１の底面１１２１Ｓとコア基板下面１１４０Ｂとの間を貫通する貫通孔１１７１内には底部スルーホール導体１１７２が、底面１１２１Ｓにはコンデンサ接続パッド１１７３が形成されている。即ち、ピン１１６６及び接続パッド１１７５Ｐから延びて底面１１２１Ｓまで延出する接続配線１１７０が形成されている。
この接続配線１１７０は、さらに具体的に言えば、コンデンサ接続パッド１１７３は、次述するコンデンサ１１３０の第二面コンデンサパッド１１３２とＡｇ−Ｓｎハンダ１１２４を介して接続する。
このコンデンサ付属インターポーザ１１１０では、ピン１１６２からインターポーザ本体１１２０を介してＩＣ搭載基板９９０と、信号を入出力できる他、必要に応じて電源電位や接地電位などを供給できる。また、凹部１１２１の直下のピン１１６６から接続配線１１７０及びコンデンサ１１３０を介して、電源電位や接地電位などをＩＣ搭載基板９９０、さらにはＩＣチップ９８０に供給することができる。しかも、コンデンサ１１３０により、電源電位などに重畳したノイズを効果的に除去してＩＣ搭載基板９９０に供給することができる。
さらに、実施形態４と同様に、コンデンサ１１３０に不具合があった場合にも、構造が簡単で安価なコンデンサ付属インターポーザ１１１０を廃棄すれば足り、高価なＩＣ搭載基板９９０を廃棄しなくて済む。
なお、コンデンサ１１３０及びインターポーザ本体１１２０の製造方法は、実施形態２とほぼ同様であるので、説明を省略する。
さらに、実施形態４と同様に、コンデンサ１１３０に不具合があった場合にも、構造が簡単で安価なコンデンサ付属インターポーザ１１１０を廃棄すれば足り、高価なＩＣ搭載基板９９０を廃棄しなくて済む。
なお、コンデンサ１１３０及びインターポーザ本体１１２０の製造方法は、実施形態２とほぼ同様であるので、説明を省略する。
以上において、本発明を実施形態及び変形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態や変形形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態３では、樹脂絶縁層７５０，７６０をコア基板７４０の上下にそれぞれ１層ずつ形成したが、実施形態１の変形形態２や実施形態２の変形形態４と同様に、多数層の樹脂絶縁層を形成したものに適用することもできる。
例えば、上記実施形態３では、樹脂絶縁層７５０，７６０をコア基板７４０の上下にそれぞれ１層ずつ形成したが、実施形態１の変形形態２や実施形態２の変形形態４と同様に、多数層の樹脂絶縁層を形成したものに適用することもできる。
また、上記実施形態や変形形態では、コア基板１４０等、さらにいえば、底部用コア基板本体１４７や壁部用コア基板本体１４８等の材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。また、銅板等の金属板、セラミック板、ホーロー板等を用いることもできる。さらには、コア基板を用いない配線基板を用いることもできる。
また、樹脂絶縁層１５０等として、エポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
同様に、配線層１４３等の材質として、銅を用いたが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。また、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の手法によって配線層１４３等を形成しても良い。
同様に、配線層１４３等の材質として、銅を用いたが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。また、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の手法によって配線層１４３等を形成しても良い。
また例えば、上記実施形態１では、ＩＣチップ１０１との接続のために、配線基板上面１２０Ａにフリップチップパッド１４３Ｐ及びフリップチップバンプ１５２を多数設けた。しかし、ＩＣチップやＩＣ搭載基板と接続させる接続端子としては、接続するＩＣチップやＩＣ搭載基板に形成された端子に応じて、適切な形態のものを選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリップチップパッドのみのものなどが挙げられる。
上記実施形態及び変形形態では、いずれも配線基板の略中央にコンデンサ配置空所を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する必要はない。また、必要に応じてコンデンサ配置空所を複数設けてコンデンサを配置するようにしても良い。また逆に、複数の電源電位に対応するなどのため、１つの空所内に、複数のコンデンサを配置するようにしても良い。
また、コンデンサ１３０等として、コンデンサ上面１３０Ａやコンデンサ下面１３０Ｂに略平行に誘電体層１３２及び電極層１３３を積層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、空所に配置するコンデンサは、コンデンサ上面にＩＣ接続コンデンサパッドやＩＣ接続コンデンサバンプが形成されたもの、あるいは、さらにコンデンサ下面に第二面コンデンサパッドが形成されたものであればよい。例えば、誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変更することができる。
また、コンデンサ１３０等として、コンデンサ上面１３０Ａやコンデンサ下面１３０Ｂに略平行に誘電体層１３２及び電極層１３３を積層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、空所に配置するコンデンサは、コンデンサ上面にＩＣ接続コンデンサパッドやＩＣ接続コンデンサバンプが形成されたもの、あるいは、さらにコンデンサ下面に第二面コンデンサパッドが形成されたものであればよい。例えば、誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変更することができる。
さらに、上記実施形態では、誘電体層１３２等にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層１３３やビア導体１３５等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
また、電極層１３３等を相互に接続するのに、ビア導体１３５等を形成したが、ビア導体で接続するものに限定されることはなく、側面の共通電極を形成するなど他のもので接続しても良い。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＰｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとしたものを用いることもできる。
また、電極層１３３やビア導体１３５等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
また、電極層１３３等を相互に接続するのに、ビア導体１３５等を形成したが、ビア導体で接続するものに限定されることはなく、側面の共通電極を形成するなど他のもので接続しても良い。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＰｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとしたものを用いることもできる。
上記実施形態２では、第二面コンデンサパッド５３６とコンデンサ接続パッド５７３（接続配線５７０）とをＡｇ−Ｓｎハンダで接続したが、ハンダ付けの容易さやハンダ付け温度等を考慮し、適宜ハンダの材質を選択すれば良い。例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダや、Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなど各種のハンダが挙げられる。また、さらに、例えば、第二面コンデンサパッド５３６とコンデンサ接続パッド５７３とに挟まれた部分のみ上下方向に導通する異方性導電性樹脂シートを用い、これをコンデンサ５３０（第二面コンデンサパッド５３６）とコンデンサ接続パッド５７３との間に介在させて、両者を接続しても良い。
また、上記実施形態１では、コンデンサ配置空所１２１内にコンデンサ１３０等を配置した後、これら間の隙間に充填樹脂１２３を充填したほか、例えば、実施形態３においては、コンデンサ上面７３０Ａ上及びコア基板上面７４０Ａ上、また、コンデンサ下面７３０Ｂ上及びコア基板下面７４０Ｂ上にも、充填樹脂層７２３Ｂ，７２３Ｃ，７２３Ｄ，７２３Ｅを形成した（図２４（ｃ）参照）。しかし、少なくとも充填樹脂でコンデンサをコンデンサ配置空所内に固定できれば良く、したがって、例えば、コンデンサ配置空所内にのみ充填樹脂を注入しても良い。
さらに、上記実施形態３では、貫通孔７４１にコンデンサ受け部７３０を配置し、当接部７３０Ｃと切り欠き部７３０Ｐコンデンサ７３０が、この受け部７４７Ｔに当接し、かつ、嵌合するようにした。
しかし、受け部７４７Ｔ等に当接させるのみでも、コンデンサ７３０等の図中上下方向の位置を規制することができる。
しかし、受け部７４７Ｔ等に当接させるのみでも、コンデンサ７３０等の図中上下方向の位置を規制することができる。
さらに、実施形態３においてコア基板７４０の受け部７４７Ｔの形状は、図２３（ａ）に示したように、コア基板下面７４０Ｂから平面視すると、貫通孔７４１の全周にわたって、略一定の幅を持つ略ロ字形状とされているが、他の形状であっても良い。
さらに、上記実施形態３では、コンデンサ７３０の切り欠き部７３０Ｐをコンデンサ上面７３０Ａの周縁にロ字状に設けた（図２２参照）が、切り欠き部はコンデンサ受け部（例えば実施形態３における受け部７４７Ｔ）に嵌合する形状であれば、他の形状としても良い。
また、コンデンサには、切り欠き部ではなく、コンデンサ上面から突出する凸部を設けて、コンデンサ受け部と嵌合するようにしても良い。
また、コンデンサとコア基板本体の受け部の形状としては、上記各例に限定されるものではなく、切り欠き部と凸部のいずれも形成したものなど、互いに当接し嵌合する形状に形成すればよい。
さらに、上記実施形態３では、コンデンサ７３０の切り欠き部７３０Ｐをコンデンサ上面７３０Ａの周縁にロ字状に設けた（図２２参照）が、切り欠き部はコンデンサ受け部（例えば実施形態３における受け部７４７Ｔ）に嵌合する形状であれば、他の形状としても良い。
また、コンデンサには、切り欠き部ではなく、コンデンサ上面から突出する凸部を設けて、コンデンサ受け部と嵌合するようにしても良い。
また、コンデンサとコア基板本体の受け部の形状としては、上記各例に限定されるものではなく、切り欠き部と凸部のいずれも形成したものなど、互いに当接し嵌合する形状に形成すればよい。
上記から説明から容易に理解できるように、コンデンサ受け部とコンデンサとは、受け部の内向き面とコンデンサの当接面とが互いに当接する形状にされていれば、貫通孔内におけるコンデンサの上下方向の位置決めをすることができる。またさらに、コンデンサ受け部とコンデンサとは、受け部（受け部の内周縁）とコンデンサの切り欠きとが互いに嵌合する形状とされていれば、貫通孔内におけるコンデンサの平面方向の位置決めをすることができる。
また、変形形態４，５，６においては、ＣＳＰ８１０，８３０，８５０の下面８１０Ｂ等がＢＧＡタイプのものを示したが、これに限らず、ＬＧＡ，バットジョイントＰＧＡタイプのものとしても良い。
同様に、上記実施形態４、変形形態８，９においては、インターポーザ本体９２０，１０２０，１１２０の下面９２０Ｂ等にピン９６２等を設けたＰＧＡタイプのものを示したが、ピンに限らず、ＬＧＡ，ＢＧＡタイプのものとしても良い。
さらに、変形形態４，５，６では、実施形態１，変形形態１，２で説明したコンデンサ付属配線基板１１０等に、ＩＣ搭載ＣＳＰ８２０等を搭載したが、実施形態２，３で示すコンデンサ付属配線基板５１０，６１０にＩＣ搭載ＣＳＰを搭載することもできる。
同様に、上記実施形態４、変形形態８，９においては、インターポーザ本体９２０，１０２０，１１２０の下面９２０Ｂ等にピン９６２等を設けたＰＧＡタイプのものを示したが、ピンに限らず、ＬＧＡ，ＢＧＡタイプのものとしても良い。
さらに、変形形態４，５，６では、実施形態１，変形形態１，２で説明したコンデンサ付属配線基板１１０等に、ＩＣ搭載ＣＳＰ８２０等を搭載したが、実施形態２，３で示すコンデンサ付属配線基板５１０，６１０にＩＣ搭載ＣＳＰを搭載することもできる。
１００ ＩＣチップ搭載コンデンサ配置配線基板
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，９８０ ＩＣチップ
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２，６０２，７０２ 接続端子
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０３，７０３ コンデンサ接続バンプ（コンデンサ接続端子）
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４ 基板接続バンプ（基板接続端子）
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０ コンデンサ配置配線基板
１２０，２２０，３２０，４２０，５２０，６２０，７２０ 配線基板
１２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ，５２０Ａ，６２０Ａ，７２０Ａ 配線基板上面（第一基板主面）
１２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ，５２０Ｂ，６２０Ｂ，７２０Ｂ 配線基板下面（第二基板主面）
１５２，２５２，３５４，４５２，５５２，６５４ ＩＣ接続基板バンプ（ＩＣ接続基板端子）
１４３Ｐ，２４３Ｐ，３４４Ｐ，４４３Ｐ，５４３Ｐ，６４４Ｐ，７４３Ｐ ＩＣ接続基板パッド（ＩＣ接続基板端子）
１４４Ｐ、２４４Ｐ、３４７Ｐ、４４４Ｐ、５４４Ｐ、５７５Ｐ、６４７Ｐ、７４４ 接続パッド（第二面基板端子）
１６２，２６２，４６２，５６２ ハンダバンプ（第二面基板端子）
１２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，９２１，１０２１，１１２１ コンデンサ配置空所
１３０，２３０，３３０，４３０，５３０，６３０，７３０，９３０，１１３０ コンデンサ
１３０Ａ，２３０Ａ，３３０Ａ，４３０Ａ，５３０Ａ，６３０Ａ，７３０Ａ コンデンサ上面（第一コンデンサ主面）
１３０Ｂ，２３０Ｂ，３３０Ｂ，４３０Ｂ，５３０Ｂ，６３０Ｂ，７３０Ｂ コンデンサ下面（第二コンデンサ主面）
１３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１ ＩＣ接続コンデンサバンプ（ＩＣ接続コンデンサ端子）
１３４，２３４，５３４，７３４ ＩＣ接続コンデンサパッド（ＩＣ接続コンデンサ端子）
５３６，６３６，７３６ 第二面コンデンサパッド（第二面コンデンサ端子）
１４０、３４０，４４０，５４０，６４０，７４０ コア基板
１４０Ａ、３４０Ａ，４４０Ａ，５４０Ａ，６４０Ａ，７４０Ａ コア基板上面
１４０Ｂ、３４０Ｂ，４４０Ｂ，５４０Ｂ，６４０Ｂ，７４０Ｂ コア基板下面
１２２，５２２ 底部（コンデンサ位置規制部）
４２２，７４７Ｔ コンデンサ受け部（コンデンサ位置規制部）
１３２，５３２，７３２ 誘電体層
１３３，５３３，７３３ 電極層
１３３Ｅ，１３３Ｆ，５３３Ｅ，５３３Ｆ，７３３Ｅ，７３３Ｆ （一対の）電極群
８００ ＩＣ搭載ＣＳＰを搭載したコンデンサ付属配線基板
８１０，８３０，８５０ ＣＳＰ
８１０Ｂ 下面（接続面）
８２０，８４０，８６０ ＩＣ搭載ＣＳＰ（ＩＣチップ搭載配線基板）
９００，１０００ ＩＣ搭載基板を搭載したコンデンサ付属インターポーザ
９１０，１０１０，１１１０ コンデンサ付属インターポーザ
９２０，１０２０，１１２０ インターポーザ本体
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，９８０ ＩＣチップ
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２，６０２，７０２ 接続端子
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０３，７０３ コンデンサ接続バンプ（コンデンサ接続端子）
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４ 基板接続バンプ（基板接続端子）
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０ コンデンサ配置配線基板
１２０，２２０，３２０，４２０，５２０，６２０，７２０ 配線基板
１２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ，５２０Ａ，６２０Ａ，７２０Ａ 配線基板上面（第一基板主面）
１２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ，５２０Ｂ，６２０Ｂ，７２０Ｂ 配線基板下面（第二基板主面）
１５２，２５２，３５４，４５２，５５２，６５４ ＩＣ接続基板バンプ（ＩＣ接続基板端子）
１４３Ｐ，２４３Ｐ，３４４Ｐ，４４３Ｐ，５４３Ｐ，６４４Ｐ，７４３Ｐ ＩＣ接続基板パッド（ＩＣ接続基板端子）
１４４Ｐ、２４４Ｐ、３４７Ｐ、４４４Ｐ、５４４Ｐ、５７５Ｐ、６４７Ｐ、７４４ 接続パッド（第二面基板端子）
１６２，２６２，４６２，５６２ ハンダバンプ（第二面基板端子）
１２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，９２１，１０２１，１１２１ コンデンサ配置空所
１３０，２３０，３３０，４３０，５３０，６３０，７３０，９３０，１１３０ コンデンサ
１３０Ａ，２３０Ａ，３３０Ａ，４３０Ａ，５３０Ａ，６３０Ａ，７３０Ａ コンデンサ上面（第一コンデンサ主面）
１３０Ｂ，２３０Ｂ，３３０Ｂ，４３０Ｂ，５３０Ｂ，６３０Ｂ，７３０Ｂ コンデンサ下面（第二コンデンサ主面）
１３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１ ＩＣ接続コンデンサバンプ（ＩＣ接続コンデンサ端子）
１３４，２３４，５３４，７３４ ＩＣ接続コンデンサパッド（ＩＣ接続コンデンサ端子）
５３６，６３６，７３６ 第二面コンデンサパッド（第二面コンデンサ端子）
１４０、３４０，４４０，５４０，６４０，７４０ コア基板
１４０Ａ、３４０Ａ，４４０Ａ，５４０Ａ，６４０Ａ，７４０Ａ コア基板上面
１４０Ｂ、３４０Ｂ，４４０Ｂ，５４０Ｂ，６４０Ｂ，７４０Ｂ コア基板下面
１２２，５２２ 底部（コンデンサ位置規制部）
４２２，７４７Ｔ コンデンサ受け部（コンデンサ位置規制部）
１３２，５３２，７３２ 誘電体層
１３３，５３３，７３３ 電極層
１３３Ｅ，１３３Ｆ，５３３Ｅ，５３３Ｆ，７３３Ｅ，７３３Ｆ （一対の）電極群
８００ ＩＣ搭載ＣＳＰを搭載したコンデンサ付属配線基板
８１０，８３０，８５０ ＣＳＰ
８１０Ｂ 下面（接続面）
８２０，８４０，８６０ ＩＣ搭載ＣＳＰ（ＩＣチップ搭載配線基板）
９００，１０００ ＩＣ搭載基板を搭載したコンデンサ付属インターポーザ
９１０，１０１０，１１１０ コンデンサ付属インターポーザ
９２０，１０２０，１１２０ インターポーザ本体
Claims (14)
- ＩＣチップを搭載したコンデンサ付属配線基板であって、
コンデンサは、
一対の電極または電極群と、
複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、
を有し、
配線基板は、複数の基板端子を有し、
上記コンデンサの複数のコンデンサ端子は、上記ＩＣチップの複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続し、
上記配線基板の複数の基板端子は、上記ＩＣチップの複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続してなる
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - ＩＣチップ搭載配線基板を搭載したコンデンサ付属配線基板であって、
コンデンサは、
一対の電極または電極群と、
複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、
を有し、
配線基板は、複数の基板端子を有し、
上記コンデンサの複数のコンデンサ端子は、上記ＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれ接続面対向接続し、
上記配線基板の複数の基板端子は、上記ＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれ接続面対向接続してなる
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項２に記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記ＩＣチップ搭載配線基板は、ＩＣチップを搭載したＣＳＰである
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板を搭載可能なコンデンサ付属配線基板であって、
コンデンサは、
一対の電極または電極群と、
上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、
を有し、
上記配線基板は、上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数の基板端子を有する
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４に記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記コンデンサと配線基板とは、絶縁樹脂により互いに固着されている
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４または請求項５に記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記コンデンサは、第一コンデンサ主面を有し、
前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成され、
前記配線基板は、第一基板主面を有し、
前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、
上記複数のコンデンサ端子と複数の基板端子とは、略同一の共平面を有する
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４〜請求項６のいずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記配線基板は、
前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所と、
上記コンデンサ配置空所の周縁の空所周縁領域と、
を有し、
前記複数の基板端子は、上記空所周縁領域に形成されていることを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４〜請求項７のいずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記配線基板は、
前記コンデンサをその中に配置するためのコンデンサ配置空所を有し、
上記コンデンサ配置空所は、
この中に配置した上記コンデンサと当接して、コンデンサ配置空所の深さ方向についての上記コンデンサの位置を規制するコンデンサ位置規制部を有する
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４〜請求項８のいずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記配線基板は、
第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、
上記第一基板主面より上記第二基板主面側に低位とされ、前記コンデンサをその中に配置するための有底凹状コンデンサ配置空所と、
上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、
上記複数の第二面基板端子のうちのいずれか複数から延びて上記有底凹状コンデンサ配置空所の底面にそれぞれ延出する複数の接続配線と、
を備え、
前記コンデンサは、
上記有底凹状コンデンサ配置空所内に配置され、
第一コンデンサ主面と、
この第一コンデンサ主面と略平行な第二コンデンサ主面と、
上記第二コンデンサ主面に形成された複数の第二面コンデンサ端子であって、前記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の第二面コンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数の第二面コンデンサ端子と、
を備え、
前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、
前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成され、
上記複数の第二面コンデンサ端子は、上記有底凹状コンデンサ配置空所の底面に延出した接続配線とそれぞれ接続してなる
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４〜請求項８のいずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記配線基板は、
第一基板主面と第二基板主面とを有する略板形状をなし、
上記第一基板主面と第二基板主面の間を貫通し、前記コンデンサをその中に配置するための貫通コンデンサ配置空所と、
上記第二基板主面に形成された複数の第二面基板端子と、
を備え、
前記コンデンサは、
上記貫通コンデンサ配置空所内に配置され、
第一コンデンサ主面と、
この第一コンデンサ主面と略平行な第二コンデンサ主面と、
上記第二コンデンサ主面に形成された複数の第二面コンデンサ端子であって、前記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の第二面コンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数の第二面コンデンサ端子と、
を備え、
前記複数の基板端子は、上記第一基板主面に形成され、
前記複数のコンデンサ端子は、上記第一コンデンサ主面に形成されてなる
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項９または請求項１０に記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記コンデンサは、
前記複数のコンデンサ端子同士の間隔よりも、前記複数の第二面コンデンサ端子同士の間隔が大きい
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - 請求項４〜請求項１１のいずれかに記載のコンデンサ付属配線基板であって、
前記配線基板は、前記ＩＣチップ搭載配線基板と他の配線基板との間を中継するインタポーザである
ことを特徴とするコンデンサ付属配線基板。 - コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板と接続する配線基板であって、
上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数の基板接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数の基板端子を有する
ことを特徴とする配線基板。 - コンデンサと接続するための複数のコンデンサ接続端子と配線基板と接続するための複数の基板接続端子とを備えるＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板と接続するコンデンサであって、
一対の電極または電極群と、
上記ＩＣチップまたはＩＣチップ搭載配線基板の複数のコンデンサ接続端子とそれぞれフリップチップ接続可能または接続面対向接続可能な複数のコンデンサ端子であって、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通し、かつ、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数のコンデンサ端子のうちの少なくとも１つと導通する複数のコンデンサ端子と、
を有する
ことを特徴とするコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005077826A JP2005197763A (ja) | 1999-03-30 | 2005-03-17 | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8949099 | 1999-03-30 | ||
| JP2005077826A JP2005197763A (ja) | 1999-03-30 | 2005-03-17 | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21688799A Division JP3792445B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-07-30 | コンデンサ付属配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005197763A true JP2005197763A (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=34828720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005077826A Withdrawn JP2005197763A (ja) | 1999-03-30 | 2005-03-17 | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005197763A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099610A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージの製造方法 |
| WO2023238537A1 (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005077826A patent/JP2005197763A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099610A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージの製造方法 |
| WO2023238537A1 (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3792445B2 (ja) | コンデンサ付属配線基板 | |
| KR101095130B1 (ko) | 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JP3672169B2 (ja) | コンデンサ、コア基板本体の製造方法、及び、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 | |
| JP3640560B2 (ja) | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法 | |
| EP2259666A1 (en) | Circuit board having built-in electronic parts and its manufacturing method | |
| JP4064570B2 (ja) | 電子部品を搭載した配線基板及び電子部品を搭載した配線基板の製造方法 | |
| JP2001007531A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP4509550B2 (ja) | 中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体 | |
| KR101011339B1 (ko) | 배선기판 제조방법 | |
| US20100236822A1 (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
| JP2006344789A (ja) | 電子回路モジュール及び半導体パッケージ | |
| JP4685979B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP4851652B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP4339781B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2005197763A (ja) | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ | |
| JP2012074505A (ja) | 半導体搭載装置用基板、半導体搭載装置 | |
| JP4521017B2 (ja) | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 | |
| JP2004241583A (ja) | 配線基板 | |
| JP2008244029A (ja) | 部品内蔵配線基板、配線基板内蔵用部品 | |
| JP2002084071A (ja) | 配線基板 | |
| JP2004320043A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4405253B2 (ja) | 中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体 | |
| JP2001313474A (ja) | 配線基板 | |
| JP2002124749A (ja) | 配線基板 | |
| JP4751474B2 (ja) | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061003 |