JP2012099610A - 配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012099610A JP2012099610A JP2010245359A JP2010245359A JP2012099610A JP 2012099610 A JP2012099610 A JP 2012099610A JP 2010245359 A JP2010245359 A JP 2010245359A JP 2010245359 A JP2010245359 A JP 2010245359A JP 2012099610 A JP2012099610 A JP 2012099610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- wiring board
- wiring
- hole
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16265—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19103—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device interposed between the semiconductor or solid-state device and the die mounting substrate, i.e. chip-on-passive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19104—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device on the semiconductor or solid-state device, i.e. passive-on-chip
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【解決手段】配線層23と樹脂層24とが積層され、電子部品搭載用の穴部30が設けられた配線基板20の製造方法であって、配線層23に形成された開口部25を有する開口パターン26をマスクとして、開口部25に対応する樹脂層24を除去し、樹脂層24に開口部28を形成する。これにより、開口部25および開口部28を有する穴部を形成する。
【選択図】図9
Description
まず、本発明の実施形態における穴部30を有する配線基板20およびこれを備えた半導体パッケージ10の構造について説明する。図3に本実施形態における配線基板20およびこれを備えた半導体パッケージ10の断面を模式的に示す。この半導体パッケージ10は、配線基板20と、配線基板20の穴部30に埋め込まれて収納及び搭載された電子部品40と、配線基板20に実装される半導体チップ50とを備えている。
前記実施形態1では、厚さ方向に貫通する穴部30を有する配線基板20およびそれを備えた半導体パッケージ10に関する技術について説明した。本実施形態では、底部のある凹状の穴部30Aを有する配線基板20Aおよびそれを備えた半導体パッケージ10Aに関する技術について説明する。なお、前記実施形態と重複する内容の説明は省略する場合がある。
前記実施形態1では、絶縁層31の開口部31bから露出する開口パターン26(図8参照)を画像認識させて配線基板を位置決めした後、開口パターン26をマスクとしたレーザ加工によって穴部30を形成する場合について説明した。本実施形態では、アライメントマークのみを画像認識させて、穴部30を形成する場合について説明する。なお、前記実施形態と重複する内容の説明は省略する場合がある。
前記実施形態1で説明した半導体パッケージ10は、半導体チップ50と接続される一面側に接続端子41を有する電子部品40を備えたものである(図3参照)。これに対して、本実施形態における半導体パッケージ10Bは、図24に示すように、半導体チップ50と接続される一面側およびその反対の他面側のそれぞれに接続端子41a、41bを有する電子部品40Aを備えたものである。以下では、前記実施形態と相違する点を説明する。
前記実施形態1で説明した半導体パッケージ10は、配線基板20に1つの半導体チップ50を実装したものである(図3参照)。これに対して、本実施形態における半導体パッケージ10Cは、図25に示すように、電子部品40を中継基板(半導体基板)とし、2つの半導体チップ50a、50b間を電気的に接続させて実装したものである。以下では、前記実施形態と相違する点を説明する。
前記実施形態5で説明した半導体パッケージ10Cは、半導体チップ50a、50bと接続される一面側に接続端子41を有する電子部品40を備えたものである(図25参照)。これに対して、本実施形態における半導体パッケージ10Dは、図26に示すように、半導体チップ50a、50bと接続される一面側およびその反対の他面側のそれぞれに接続端子41a、41bを有する電子部品40Aを備えたものである。以下では、前記実施形態5と相違する点を説明する。
前記実施形態1で説明した開口パターン26は、その開口部25の平面形状を矩形状としたものである(図12参照)。これに対して、本実施形態における開口パターン26Aは、図27に示すように、開口部25の角部に、平面視において外側に凹むような凹部29が形成されたものである。以下では、前記実施形態と相違する点を説明する。
2 穴部
3a、3b バンプ
4 半導体チップ
5、6 接続端子
7 電子部品
8 接続端子
10、10A、10B、10C、10D 半導体パッケージ
20、20A 配線基板
21 コア基板
22 配線パターン
23 配線層
24 樹脂層
25 開口部
26、26A、26B、26C 開口パターン
27、28 開口部
29 凹部
30、30A 穴部
31、31A 絶縁層
32 スルーホール
33 平面パターン
40、40A 電子部品
41、41a、41b 接続端子
50、50a、50b、50c 半導体チップ
51 接続端子
52 接続部
53 アンダーフィル樹脂
54a、54b、54c、54d、54e バンプ
Claims (12)
- 配線層と樹脂層とが積層され、電子部品搭載用の穴部が設けられた配線基板の製造方法であって、
前記配線層に形成された第1開口部を有する開口パターンをマスクとして、前記第1開口部に対応する前記樹脂層を除去し、前記樹脂層に第2開口部を形成し、前記第1および第2開口部を有する前記穴部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1記載の配線基板の製造方法において、
前記第1開口部を有する開口パターンをマスクとして、前記配線基板を貫通する前記穴部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項2記載の配線基板の製造方法において、
前記第1開口部を有する開口パターンが形成されている配線層を第1配線層とし、前記第1配線層よりも下層の配線層を第2配線層とし、
前記第1開口部に対応する前記樹脂層を除去した後、前記第2配線層に形成された第3開口部を有する開口パターンをマスクとして、前記第3開口部に対応する前記樹脂層を除去し、前記樹脂層に第4開口部を形成し、前記第1、第2、第3および第4開口部を有する前記穴部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項3記載の配線基板の製造方法において、
前記第1開口部を有する開口パターンおよび前記第3開口部を有する開口パターンを、同一の平面形状に形成し、
前記第1開口部を有する開口パターンおよび前記第3開口部を有する開口パターンをマスクとして、同一の平面形状の前記第1、第2、第3および第4開口部を厚さ方向に重複させた前記穴部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1記載の配線基板の製造方法において、
前記第1開口部を有する開口パターンが形成されている配線層を第1配線層とし、前記第1配線層よりも下層の配線層を第3配線層とし、
前記第1開口部に対応する前記樹脂層を除去した後、前記第3配線層に形成され、前記第1開口部の開口面積よりも大きい面積の平面パターンをストッパとして、前記穴部の形成を停止することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂層をレーザ加工によって除去することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板を備えた半導体パッケージの製造方法であって、
接続端子形成面を前記配線基板側に向けて前記穴部上に搭載される半導体チップと電気的に接続される電子部品を、前記配線基板の前記穴部に搭載することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 請求項7記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記穴部が前記配線基板を貫通して形成されており、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載した後、前記半導体チップが接続された面とは反対面側から、前記穴部に前記電子部品を埋め込んで、前記電子部品を前記半導体チップに電気的に接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 請求項7記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記穴部が前記配線基板に凹状に形成されており、
前記穴部に前記電子部品を搭載した後、前記半導体チップを前記配線基板および前記電子部品に電気的に接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 配線層と樹脂層とが積層され、電子部品搭載用の穴部が設けられた配線基板であって、
前記配線層に第1開口部を有する開口パターンが形成されており、
前記樹脂層には、前記第1開口部と連通する第2開口部が形成されており、
前記穴部が、前記第1および第2開口部を有することを特徴とする配線基板。 - 請求項10記載の配線基板において、
前記穴部が前記配線基板を貫通していることを特徴とする配線基板。 - 請求項10記載の配線基板において、
前記第1開口部を有する開口パターンが形成されている配線層よりも下層の配線層が含まれており、
前記下層の配線層に前記第1開口部の開口面積よりも大きい面積の平面パターンが形成されており、
前記穴部の底部に、前記平面パターンが設けられていることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010245359A JP5655244B2 (ja) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010245359A JP5655244B2 (ja) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012099610A true JP2012099610A (ja) | 2012-05-24 |
JP2012099610A5 JP2012099610A5 (ja) | 2013-09-05 |
JP5655244B2 JP5655244B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=46391204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010245359A Active JP5655244B2 (ja) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5655244B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5462404B1 (ja) * | 2013-09-12 | 2014-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 部品内蔵基板及び部品内蔵基板用コア基材 |
WO2014091644A1 (ja) | 2012-12-12 | 2014-06-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法 |
KR101666757B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2016-10-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
KR20160125719A (ko) * | 2015-04-22 | 2016-11-01 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판, 그 제조방법, 및 전자부품 모듈 |
JP2017123459A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
US11257742B2 (en) | 2020-07-02 | 2022-02-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wiring structure and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111556653A (zh) | 2019-02-11 | 2020-08-18 | 三星电机株式会社 | 印刷电路板 |
US11355426B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-06-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wiring structure and method for manufacturing the same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186452A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 配線基板の製造方法およびそれを使用した半導体装置 |
JP2001326461A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Hitachi Aic Inc | 立体形配線板の製造方法 |
JP2004235222A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Airex Inc | プリント配線板の製造方法 |
JP2005197763A (ja) * | 1999-03-30 | 2005-07-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ |
JP2006261311A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010050475A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
-
2010
- 2010-11-01 JP JP2010245359A patent/JP5655244B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186452A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 配線基板の製造方法およびそれを使用した半導体装置 |
JP2005197763A (ja) * | 1999-03-30 | 2005-07-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ付属配線基板、配線基板、及びコンデンサ |
JP2001326461A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Hitachi Aic Inc | 立体形配線板の製造方法 |
JP2004235222A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Airex Inc | プリント配線板の製造方法 |
JP2006261311A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010050475A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-03-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014091644A1 (ja) | 2012-12-12 | 2014-06-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法 |
JP5462404B1 (ja) * | 2013-09-12 | 2014-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 部品内蔵基板及び部品内蔵基板用コア基材 |
KR20160125719A (ko) * | 2015-04-22 | 2016-11-01 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판, 그 제조방법, 및 전자부품 모듈 |
JP2016208000A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 印刷回路基板、その製造方法、及び電子部品モジュール |
KR102306719B1 (ko) * | 2015-04-22 | 2021-09-30 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판, 그 제조방법, 및 전자부품 모듈 |
KR101666757B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2016-10-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
JP2017123459A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
US11257742B2 (en) | 2020-07-02 | 2022-02-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wiring structure and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5655244B2 (ja) | 2015-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5655244B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法 | |
TWI508244B (zh) | 具有內嵌半導體以及內建定位件之連線基板及其製造方法 | |
US10014246B2 (en) | Circuit substrate, semiconductor package and process for fabricating the same | |
US9723729B2 (en) | Printed wiring board | |
US9418968B2 (en) | Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate | |
JP5635247B2 (ja) | マルチチップモジュール | |
JP5851211B2 (ja) | 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法及び半導体装置 | |
JP2012099610A5 (ja) | ||
TW201714275A (zh) | 半導體封裝結構及其形成方法 | |
JP5795196B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2013162128A (ja) | パッケージ−オン−パッケージタイプの半導体パッケージ及びその製造方法 | |
WO2014129351A1 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2015106615A (ja) | プリント配線板、プリント配線板の製造方法 | |
CN110797321B (zh) | 半导体封装件 | |
TWI517319B (zh) | 於中介層及無芯基板之間具有雙重連接通道之半導體組體 | |
WO2014175133A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6352644B2 (ja) | 配線基板及び半導体パッケージの製造方法 | |
US20170194299A1 (en) | Package-on-package type semiconductor package and method of fabricating the same | |
JP2015050384A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012054395A (ja) | 半導体パッケージ | |
KR101697684B1 (ko) | 임베딩된 다이를 갖는 집적 회로 패키지 내의 열 비아들 | |
JP6601055B2 (ja) | プリント配線板、電子機器及び実装方法 | |
JP2008109138A (ja) | 積層チップパッケージ及び該パッケージの製造方法 | |
TWI418007B (zh) | 覆晶封裝基板 | |
JP4133782B2 (ja) | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130723 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5655244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |