JPH11186452A - 配線基板の製造方法およびそれを使用した半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性
も高い配線基板の製造方法、および配線基板を使用した
半導体装置の提供。 【解決手段】 少なくとも表面側の配線層間接続部が層
間絶縁体層２を加圧によって貫挿した層間接続導体４で
構成され、かつ接続端子が少なくとも一主面に露出して
いるベース配線基材１の少なくとも一主面に絶縁樹脂層
５を設ける工程と、前記ベース配線基材１の接続端子に
対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去し
て開口5aさせる工程と、前記開口5aさせた領域を含む絶
縁体層５面に無電解メッキ処理を施し、開口5a内壁面に
ベース配線基材１の接続端子と電気的に接続する導電性
メッキ層６′を形成する工程と、前記導電性メッキ層
６′を配線パターニングする工程とを有することを特徴
とする配線基板10の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板の製造方法
および半導体装置に係り、さらに詳しくは高密度実装が
可能な配線基板の製造方法、およびこの配線基板を使用
した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子（もしくは半導体装
置）などを実装する配線基板においては、実装回路のコ
ンパクト化や高機能化などが要求されており、この要求
に対応して、高密度配線化ないし微細な配線化が進めら
れている。すなわち、半導体素子などの電子部品を高密
度に実装するに当たっては、電子部品間の接続配線長を
短く、かつ高密度な配線網が要求される一方、たとえば
半導体素子自体の高密度化や多ピン化に対し、接続パッ
ドの微細化ないし微小ピッチ化が必然的に望まれる。

【０００３】ところで、この種の高密度実装用配線基板
は、一般的に、セラミックスを絶縁体とした厚膜多層配
線基板をベース配線基材とし、このベース配線基材の表
面に、いわゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ
技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作
を繰り返し、薄膜配線層を形成した配線基板が使用され
ている。

【０００４】しかしながら、前記ベース配線基材がセラ
ミックス系の場合は、表面平滑性（平坦性）の確保が困
難であるため、結果的に、薄膜配線層の高密度配線ない
し微細ピッチの配線に限界がある。また、前記配線基板
表面が平坦性に欠けることは、たとえばフリップチップ
の実装・位置精度や確実な接合などを困難にし易くする
ので、実装の高密度化、あるいは半導体装置の高機能化
を十分に果たし得ないという不都合がある。

【０００５】一方、汎用性などを考慮した場合、比較的
低コストに、また、量産的には、歩留まりよく製造でき
ることが望まれる。こうした観点から、たとえばガラス
・エポキシ樹脂を層間絶縁体とした一般的な多層配線基
板をベース配線基材とし、このベース配線基材面に、い
わゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ技術およ
び絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返
して、薄膜配線層を形成した配線基板の使用が試みられ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ガ
ラス・エポキシ樹脂などを層間絶縁体とするベース基材
の場合、製造上の制約から次のような問題がある。すな
わち、一般的な多層配線基板（ベース配線基材）は、配
線パターン層間を電気的に接続するため、層間絶縁体層
に接続用の孔（スルーホール）を穿設し、この孔の内壁
面に、繁雑な工程を伴う無電解銅メッキ処理などを施し
て、孔の内壁面を導電体層化する構成を採っている。し
たがって、配線基板の製造に当たっては、少なくともス
ルーホール穿設領域面に配線、実装することを回避した
構成とすることになる。

【０００７】換言すると、ベース配線基材面に、フォト
リソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼
き付け操作を繰り返し、薄膜配線層を形成するに当たっ
ては、スルーホール穿設領域を除いた面に、配線を施す
必要がある。

【０００８】また、このときの接続スルーホールの形設
は、できるだけ小径に設定されるが、電気的な接続の信
頼性の確保などの点から、その微細化程度は配線ピッチ
150〜 200μm 、スルーホール径 300μm が限界（この
場合でも穿設孔のピッチは、600〜 700μm 程度とな
る）で、高密度実装化や高密度配線化の点で十分といえ
ない。なお、ベース基材に、薄膜配線層を形成する際
は、絶縁樹脂あるいは導電性樹脂で、ベース基材のスル
ーホールを予め埋める操作も必要である。

【０００９】一方、平坦な導体回路（配線パターン）面
化のために、層間接続部を導電体の充填で形成する構成
が知られている（特開平6-314883号公報）。すなわち、
層間絶縁層の所要位置に、層間接続形成用の孔を穿設
し、この穿孔内に無電解メッキ層を成長させ、穿孔内を
全体的に充填することによって、主面を全体的に平坦面
化する手段が知られている。

【００１０】しかし、前記無電解メッキ処理による接続
スルーホールの形成は、層間絶縁体層に対する孔開け作
業、繁雑なメッキ処理を前提とするため、ベース配線基
材の生産性や接続の信頼性が劣るだけでなく、配線など
の微細化にも限界があるため、実用的に十分満足できる
手段とはいえない。

【００１１】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性も高
い配線基板の製造方法、および配線基板を使用した半導
体装置の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、少な
くとも表面側の配線層間接続部が層間絶縁体層を加圧に
よって貫挿した層間接続導体で構成され、かつ接続端子
が少なくとも一主面に露出しているベース配線基材の少
なくとも一主面に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記ベー
ス配線基材の接続端子に対応する領域を選択的なレーザ
光照射により焼却除去して開口させる工程と、前記開口
させた領域を含む絶縁樹脂層面に無電解メッキ処理を施
し、開口内壁面にベース配線基材の接続端子と電気的に
接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電性
メッキ層を配線パターニングする工程と、を有すること
を特徴とする配線基板の製造方法である。

【００１３】なお、この配線基板の製造方法において、
無電解メッキ処理の前処理として、絶縁樹脂層表面を粗
面化しておくことが望ましい。

【００１４】請求項２の発明は、少なくとも表面側の配
線層間接続部が層間絶縁体層を加圧によって貫挿した層
間接続導体で構成され、かつ接続端子が少なくとも一主
面に露出しているベース配線基材の少なくとも一主面
に、絶縁樹脂層を介して導電体層を接合一体化する工程
と、前記ベース配線基材の接続端子に対応する領域を露
出させて導電体層にレジストパターニングする工程と、
前記レジストパターニングした導電体層の露出領域を選
択的にエッチング除去する工程と、前記導電体層のエッ
チング除去で露出した絶縁樹脂層をレーザ光照射で焼却
除去して開口させる工程と、少なくとも前記開口させた
領域を含む面に無電解メッキ処理を施し、開口内壁面に
ベース配線基材の接続端子と電気的に接続する導電性メ
ッキ層を形成する工程と、前記導電性メッキ層および導
電体層を配線パターニングする工程と、を有することを
特徴とする配線基板の製造方法である。

【００１５】請求項３の発明は、請求項２記載の配線基
板の製造方法において、導電体層が銅もしくは銅合金で
あることを特徴とする。

【００１６】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３いずれか一記載の配線基板の製造方法において、無電
解メッキ処理前に、真空乾燥処理によって不要残査を取
り除くことを特徴とする。

【００１７】なお、この請求項４の発明に係る配線基板
の製造方法において、真空乾燥処理は、ケミカルドライ
エッチング、反応性イオンエッチングもしくは逆スパッ
タリングが好ましい。

【００１８】さらに、上記請求項１ないし請求項５いず
れか一記載の配線基板の製造方法において、層簡絶縁体
層を加圧によって貫挿した層間接続導体は、銀粉末を含
む導電性組成物、銅粉末を含む導電性組成物、金属銅あ
るいは半田で形成することが好ましい。また、絶縁樹脂
層は、エポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂組成物で形成
するのが望ましい。

【００１９】請求項５の発明は、配線基板と、前記配線
基板面に搭載・実装された半導体素子とを有する半導体
装置であって、前記配線基板は、層間絶縁体として樹脂
を含有するベース配線基材の少なくとも一主面上に、レ
ーザー光によって層間接続穴を開口した積み上げ層を有
し、かつ前記ベース基材の配線パターン層間の電気的な
接続が、層間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続
導体で成された構成を採っていることを特徴とする半導
体装置である。

【００２０】上記各発明において、ベース配線基材の配
線パターン層間の絶縁体層としては、たとえば熱可塑性
樹脂シート、硬化前の状態に保持される熱硬化性樹脂
（プリプレグ）シートなどが挙げられ、その厚さは40〜
800μm 程度が好ましい。ここで、熱可塑性樹脂シート
としては、たとえばポリカーボネート樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、４フッ化ポリエチレ
ン樹脂、６フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルケ
トン樹脂などのシート類が挙げられる。また、硬化前の
状態に保持される熱硬化性樹脂（プリプレグ）シートと
しては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリエステル樹
脂、メラミン樹脂、あるいはブタジエンゴム、プチルゴ
ム、天然ゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴムなどの
生ゴムのシート類が挙げられる。

【００２１】なお、これらの樹脂は、単独でもよいが絶
縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよく、さら
にガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あ
るいは紙などの補強材と組み合わせて成るシートであっ
てもよい。

【００２２】上記各発明のベース配線基材において、層
間絶縁体層を加圧によって貫挿し、対向する配線パター
ン同士を電気的に接続する層間接続導体は、導電性組成
物や導電性金属であり、次のような手段で形成配置する
ことができる。たとえば、銅箔もしくは配線パターンの
所定位置に、比較的厚いメタルマスクを用いた印刷法に
より、アスペクト比の高い突起（柱状体）を形成する。
そして、その突起ないし柱状体の高さ、径、および分布
は、形成する貫通型の導体配線部の構成に応じて適宜設
定される。

【００２３】具体的には、最終的に構成する貫通型の層
間接続部の配置・構造などを考慮して決められる。たと
えば合成樹脂系シートが、ガラスクロス入りの Bステー
ジエポキシ樹脂層の場合、両面側から圧入する形態のと
きは Bステージエポキシ樹脂層厚の80〜 200％程度、片
面側から圧入する形態のときは Bステージエポキシ樹脂
層厚の 180〜 400％程度の高さが好ましい。

【００２４】なお、前記突起（柱状体）の配置は、たと
えば厚さ 5mm程度のステンレス板の所定位置に、 0.3mm
の孔が明けられたマスクを筐体の前面に配置し、この筐
体内に収容した導電性組成物（ペースト）を加圧して、
マスクの孔から押し出す構成のスタンプ方式などで形成
される。

【００２５】ここで、導電性組成物（ペースト）として
は、たとえば銀、金、銅、半田粉などの導電性粉末、こ
れらの合金粉末もしくは複合（混合）金属粉末と、樹脂
バインダー成分とを混合して調製されたペースト類が挙
げられる。なお、樹脂バインダー成分としては、たとえ
ばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエス
テル樹脂、フェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂、フェノ
一ル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化
性樹脂などが一般的に挙げられる。

【００２６】その他、メチルメタアクリレート、ジエチ
ルメチルメタアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ジエチレングリコールジエチルアクリ
レート、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリ
ル酸ジエチレングリコールエトキシレート、ε−カプロ
ラクトン変性ジペンタエリスリトールのアクリレートな
どのアクリル酸エステル、メタアクリル酸エステルなど
の紫外線硬化型樹脂もしくは電子線照射硬化型樹脂など
が挙げられる。

【００２７】上記各発明に係るベース配線基材は、その
製造工程において、導電性の突起（柱状体）を形設した
支持基体面に、絶縁体層および導電体層（導電体箔）を
順次積層・配置して成る積層体を加熱・加圧・一体化す
る。このとき、両側に当て板として、寸法や変形の少な
い金属板もしくは耐熱性樹脂板、たとえばステンレス
板、真鍮板、ポリイミド樹脂板（シート）、ポリテトラ
フロロエチレン樹脂板（シート）などを使用すること
が、より平滑な面を呈するベース配線基材化する上で望
ましい。

【００２８】また、加熱によって絶縁体層の樹脂分が柔
らかくなった状態で、積層体の加圧を行うと、導電性の
突起（柱状体）が絶縁体層を貫挿し易くなる。

【００２９】上記各発明に係る積み上げ層の形成は、通
常のプリント配線板の製造工程と一般的な薄膜プロセ
ス、およびレーザー加工技術を合わせた方法によって行
われる。たとえば、プリント配線基板の製造工程からは
積層プレス技術、メッキ技術などを用いており、薄膜プ
ロセスからはフォトリソグラフ技術、真空ドライ（真空
乾燥）処理技術などを用いており、積み上げ層への層間
接続穴の形成には、レーザー加工技術などを用いてい
る。

【００３０】また、上記各発明に係るベース配線基材の
表面導体パターンは、積み上げ層への接続端子（もしく
は接続パッド）部を除き、表面ほぼ全体に導体パターン
（好ましくはメッシュ状）を有することが望ましい。つ
まり、ベース配線基材面が接続端子の他に、メッシュ状
パターンなどが配置されることにより積み上げ層形成面
の平滑化が図られる。加えて、半導体素子を搭載・実装
した場合、メッシュ状パターンをリファレンスプレーン
（安定電位）として扱うことにより、半導体素子の高速
化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制御が可能と
なり、半導体装置の高性能化が図られる。

【００３１】さらに、上記メッシュ状パターンなどをベ
ース配線基材面に配置した場合は、積み上げ層における
信号配線の接地容量を低減できるので、前記積み上げ層
の薄膜化が可能となって、材料費の低減化などコストダ
ウンも図られる。

【００３２】請求項１〜４の発明では、配線基板の高密
度配線、微小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容
易であるとともに、ベース配線基材が主面の平坦性も良
好で、かつスルホール接続部など形成する切り欠き
（孔）など露出していないため、主面が全体的に配線領
域や実装領域として使用できる。つまり、ベース配線基
材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み
上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとと
もに、実装・接続の信頼性など確保し易くなるので、高
密度実装用の配線基板として機能する。

【００３３】請求項５の発明では、配線基板における実
装・接続の信頼性などを確保し易さと相俟って、歩留ま
りよく、コンパクトで高性能な実装回路的な半導体装置
の提供が可能となる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下図１、図２ (a)〜 (g)および
図３ (a)〜 (e)を参照して実施例を説明する 。 実施例１ 図１は、この実施例に係る配線基板の製造で使用するベ
ース基材の要部構成を示す断面図である。図１におい
て、１はベース配線基材で、層間絶縁体層２を介して配
置された配線パターン層３、前記層間絶縁体層２を貫挿
して配線パターン３同士を電気的に接続する層間接続部
４を有する構造と成っている。ここで、層間絶縁体層２
は、たとえばガラス・エポキシ樹脂系であり、また、配
線パターン３は、たとえば銅箔をパタ−ニングしたもの
である。さらに、層間接続部４は、たとえばエポキシ樹
脂をバインダとして銀粉末を分散含有する導電性組成物
であり、前記層間絶縁体層２を加圧・貫挿して配線パタ
ーン３同士を電気的に接続している。

【００３５】次に、図２ (a)〜 (g)を参照し、この実施
例の実施態様を説明する。

【００３６】先ず、前記図１に図示した構造のベース配
線基材１の一主面に、厚さ30μm 程度の絶縁体層５を介
して厚さ12μm 程度の導体層（銅箔）６を積層し、一般
的な配線基板の製造工程に準じて、図２ (a)に断面的に
示すように加圧一体化する。ここで、絶縁体層５は、た
とえばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などであり、
前記銅箔６の一主面に、ほぼ一様な厚さに塗布されてい
る。なお、銅箔６は、できるだけ薄いものが好ましく、
また、印刷配線板用として市販されている樹脂膜（層）
付きの銅箔を使用することができる。

【００３７】上記ベース配線基板１に対して銅箔６を積
層・一体化した後、ベース配線基材１面の接続端子ない
しパターン（図示せず）と、銅箔５との電気的接続部を
形成する開口部を設けるため、図２ (b)に断面的に示す
ごとく、一体化した導体層を成す銅箔６面上に、感光性
のレジストによってパターニング７を行う。ここで、パ
ターニング７する感光性のレジストは、たとえばノボラ
ック樹脂系の液体レジスト、ドライフィルム、電着レジ
ストなどが挙げられるが、ほとんどのレジストを使用で
きる。また、このレジストパターニング７による開口7a
径は、たとえば50μm など、絶縁体層５の厚さ、銅箔６
の厚み、または必要な電流密度などによって適宜選択す
る。

【００３８】次いで、前記レジストパターニング７した
銅箔６をエッチング処理し、露出面（開口7a部）を選択
的にエッチング除去する。ここで、エッチャントとして
は、たとえば塩化銅や塩化鉄などの水溶液が使用できる
が、銅をエッチングできるものであれば特に限定されな
い。その後、図２ (c)に断面的に示すごとく、レジスト
パターン７を除去する。

【００３９】次に、一部を選択的にエッチング除去して
残った銅箔６をマスクにし、レーザー光を使用（レーザ
ー光照射）して、図２ (d)に断面的に示すごとく、絶縁
体層５の露出した領域を選択的に焼却・除去する。この
絶縁体層５の選択的な焼却・除去によって、絶縁体層５
の一部が開口5aし、ベース配線基材１面の接続端子ない
しパターンが露出する。ここで、照射するレーザー光
は、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAGレーザーなど挙げ
られるが、絶縁体層５の成分および下地（ベース基材の
接続端子ないし接続パッド）の材料によって決められ
る。

【００４０】なお、このレーザー光による絶縁体層５の
選択的に焼却・除去後、要すれば、たとえば酸素プラズ
マによるアッシング方法、ケミカルドライエッチング方
法、反応性イオンエッチング方法、逆スパッタリング方
法などのドライエッチングによって、前記絶縁体層５の
焼却・除去で形成した穴（開口部）5aの底に残存する樹
脂を除去することが望ましい。

【００４１】上記絶縁体層５にベース配線基板と連通す
る開口部（穴）5aを形設した後、前記開口部（穴）5aを
含めて銅箔６上に無電解銅メッキ層８を形成する。ここ
で、無電解銅メッキ層８の厚みは、たとえば10μm 程度
に設定するが、信頼性、絶縁体層５や銅箔６の厚さ、銅
メッキ層厚の制御性、メッキ層８のパタ−ニングの容易
性などによって任意に変更・設定できる。

【００４２】なお、この実施例では、全面を銅メッキし
ているが、場合によっては、周囲を含む開口部（開口
穴）5a領域のみを無電解メッキしてもよい。たとえば前
記レジストパターン７によるマスキングなどを利用し、
必要な部分のみに銅メッキ層８を形成してもよい。この
とき、開口部（開口穴）5a領域の被メッキ面を粗面がし
ておくと、メッキ被膜の付着強度を上げることができ
る。このように銅メッキ層８を選択的に形成すると、銅
箔６の開口部以外の厚みが肉盛りされないため、微細パ
ターンを形成する上で有利となる。

【００４３】次に、図２ (f)に断面的に示すごとく、前
記銅箔６に肉盛りした銅メッキ層８を含む銅メッキ層８
面に、所望の導体パターンを形成するためのレジストパ
ターニングン９を行う。ここで、レジストパターニング
９は、前記銅箔６の選択エッチングにおけるレジストパ
ターン７形成の場合と同様に行われる。

【００４４】上記、レジストパターニング９後、このレ
ジストパターン９をマスクとし、銅メッキ層８および銅
箔６を選択エッチングすることによって、図２ (g)に断
面的に示すような配線基板10を得る。ここでの選択エッ
チングは、前記銅箔６の選択エッチングにおける場合と
同様に行われる。

【００４５】上記製造した配線基板は、平坦性の良好な
ベース配線基材１面に、薄い絶縁体層５およびベース配
線基材１面と電気的に接続する薄い配線パターンで形成
する表面配線層が一体的に設けられている。ここで、薄
い表面配線層が形成されることは、この表面配線層とベ
ース配線基材１面側との層間接続部を微細化できること
になり、表面の平坦性と相俟って、配線の高密度化、接
続パッドの微細・高密度化による高密度実装が可能とな
る。

【００４６】すなわち、前記表面配線層を成す絶縁体層
が薄いことは、レーザ光による微細な穿孔などを可能と
して、層間接続部の微細化を容易にするとともに、表面
配線層の配線パターンを形成する導体層が薄いことは、
その導体層のファインパターン化を容易にする。そし
て、これら相互の作用によって、高密度な配線パター網
の形成、あるいは半導体素子（ベアチップなどを含む）
との微細な電気的接続の達成となって、信頼性の高い高
密度実装に適する配線基板として機能する。

【００４７】なお、上記実施例において、ベース配線基
材として、図３に示すように、その表面の接続端子（も
しくは接続パッド）部領域1aを除き、表面ほぼ全体に導
体パターン（好ましくはメッシュ状）1bを有する構成と
した場合は、ベース配線基材１面が接続端子の他に、メ
ッシュ状パターン1bなどが配置されることにより積み上
げ層形成面の平滑化が図られる。また、半導体素子を搭
載・実装した場合、メッシュ状パターン1bをリファレン
スプレーン（安定電位）として扱うことにより、半導体
素子の高速化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制
御が可能となって、半導体装置の高性能化が図られる。

【００４８】実施例２ 図４ (a)〜 (e)は、第２の実施例に係る配線基板の製造
方法の実施態様を模式的に示す断面図である。この実施
例では、先ず、図４ (a)に示すごとく、ベース配線基材
１の一主面に絶縁性樹脂から成る絶縁体層５を形成す
る。ここで、絶縁体層５を成す絶縁性樹脂の成分は、前
記実施例１の場合と同様であり、また、その絶縁体層５
の厚さも同様に選択される。

【００４９】なお、絶縁体層５の形成は、たとえば塗布
・乾燥による方法、印刷・乾燥による方法、転写方法な
どがあり、一般的に、前記形成方法順に、形成する絶縁
体層５の厚さが厚くなるので、適宜選択することができ
る。

【００５０】次に、ベース配線基材１面の接続端子ない
しパターン（図示せず）との接続予定位置に対応した絶
縁体層５領域をレーザー光で選択的に照射し、前記レー
ザー光の照射領域の絶縁体層５を選択的に焼却・除去し
て、図４ (b)に示すごとく、絶縁体層５に接続用の穴明
け（開口化）を行う。ここで、レーザー光は、前記実施
例１の場合と同様で、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAG
レーザーなどが用いられ、また、開口（穴明け）は、た
とえばレーザー光用マスクを使用する方法、プリズムな
どを使用して直接描画する方法などが使用される。

【００５１】その後、前記開口（穴明け）した絶縁体層
５面に、開口部5aを含めて銅の無電解メッキ処理を行
い、図４ (c)に示すように、所望の厚みまで銅を成長さ
せて導電体層６′を形成する。なお、この無電解メッキ
処理は、前記実施例１の場合と同様であるが、この実施
例では、開口部およびその周辺のみを無電解メッキする
と表面導体パターンを形成できないため、全面的に無電
解銅メッキ層６′を形成する。また、この無電解銅メッ
キ処理に当たっては、無電解銅メッキ処理に先立って、
絶縁体層５の表面処理（たとえば表面を荒らすなど）を
施すことが好ましい。

【００５２】次いで、前記形成した銅メッキ層６′を所
望の導体パターン化するために、図４ (d)に示すごと
く、レジストパターニング９を行なって、このレジスト
パター９をマスクとした無電解銅メッキ層６′のエッチ
ング処理を、前記実施例１の場合に準じて行って、図４
(e)に示すような配線基板10を製造する。

【００５３】また、表面層の導体パターンは、次のよう
な手段で形成することもできる。すなわち、絶縁体層５
の選択的な焼却・除去による接続用の穴明け（開口化）
までは同様であるが、その後、所要の導体パターン形成
部以外の領域をレジストパターニングする。次いで、無
電解銅メッキ処理を行ってから、前記レジストパターン
を膨潤・溶解させて剥離すると、所要の導体パターンが
残り、不要な銅メッキ層はレジストパターンとともに除
去される。

【００５４】この実施例の場合は、上記実施例１の場合
に比べて、製造工程の短縮化ないし簡略化を図ることが
できる。また、この配線基板の場合も、実施例１の場合
と同様に、平坦性が良好なベース配線基材面に、薄い絶
縁体層およびベース基材面と電気的に接続する薄い配線
パターンで形成する表面配線層が一体的に設けられてい
る。

【００５５】そして、薄い表面配線層が形成されること
に伴って、表面配線層とベース配線基材面側との層間接
続部を微細化できるので、表面の平坦性と相俟って、配
線の高密度化、接続パッドの微細・高密度化による高密
度実装が可能となる。たとえば、前記配線基板の表面配
線層に、常套的な手段で、半導体素子（ベアチップを含
む）を搭載・実装して構成した半導体装置（もしくは実
装回路装置）は、コンパクトで信頼性の高いものであっ
た。

【００５６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変
形を採ることができる、たとえばベース基材の構成、す
なわち配線パターン層の数や層間絶縁体層の材質など
は、配線基板の用途に応じて適宜選択することができ
る。

【００５７】

【発明の効果】請求項１〜４の発明によれば、ベース基
材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み
上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとと
もに、実装・接続の信頼性など確保し易い配線基板を容
易に製造することができる。すなわち、高密度配線、微
小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容易であると
ともに、ベース基材が主面の平坦性も良好で、かつスル
ホール接続部など形成する切り欠き（孔）など露出して
いないため、主面が全体的に配線領域や実装領域として
使用できる配線基板を提供できる。

【００５８】請求項５の発明によれば、高密度実装に適
する配線基板を使用するので、コンパクトで、高性能・
高信頼性の半導体装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例で使用したベース配線基材の要部構成を
示す断面図。

【図２】(a) ，(b) ，(c) ，(d) ，(e) ，(f) ，(g)
は、第１の実施例の実施態様を工程順に模式的にそれぞ
れ示す断面図。

【図３】他のベース配線基材の要部構成を示す上面図。

【図４】(a) ，(b) ，(c) ，(d) ，(e) は、第２の実施
例の実施態様を工程順に模式的にそれぞれ示す断面図。

【符号の説明】

１……ベース配線基材 1a……ベース配線基材の接続端子部領域 1b……ベース配線基材面のメッシュ状パターン ２……層間絶縁体層 ３……配線パターン層 ４……層間接続部 ５……絶縁体層 ６，６′……銅箔（導体層） ７，９……レジストパターン（レジストパターニング） 7a……開口 ８……銅メッキ層 10……配線基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも表面側の配線層間接続部が層
   間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体で構成
   され、かつ接続端子が少なくとも一主面に露出している
   ベース配線基材の少なくとも一主面に絶縁樹脂層を設け
   る工程と、 前記ベース配線基材の接続端子に対応する領域を選択的
   なレーザ光照射により焼却除去して開口させる工程と、 前記開口させた領域を含む絶縁樹脂層面に無電解メッキ
   処理を施し、開口内壁面にベース配線基材の接続端子と
   電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、 前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、を
   有することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 少なくとも表面側の配線層間接続部が層
   間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体で構成
   され、かつ接続端子が少なくとも一主面に露出している
   ベース配線基材の少なくとも一主面に、絶縁樹脂層を介
   して導電体層を接合一体化する工程と、 前記ベース配線基材の接続端子に対応する領域を露出さ
   せて導電体層にレジストパターニングする工程と、 前記レジストパターニングした導電体層の露出領域を選
   択的にエッチング除去する工程と、 前記導電体層のエッチング除去で露出した絶縁樹脂層を
   レーザ光照射で焼却除去して開口させる工程と、 少なくとも前記開口させた領域を含む面に無電解メッキ
   処理を施し、開口内壁面にベース配線基材の接続端子と
   電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、 前記導電性メッキ層および導電体層を配線パターニング
   する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造
   方法。
3. 【請求項３】 導電体層が銅もしくは銅合金であること
   を特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 無電解メッキ処理前に、真空乾燥処理に
   よって不要残査を取り除くことを特徴とする請求項１な
   いし請求項３いずれか一記載の配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 配線基板と、前記配線基板面に搭載・実
   装された半導体素子とを有する半導体装置であって、 前記配線基板は、層間絶縁体として樹脂を含有するベー
   ス配線基材の少なくとも一主面上に、レーザー光によっ
   て層間接続穴を開口した積み上げ層を有し、かつ前記ベ
   ース基材の少なくとも表面側の配線パターン層間接続部
   が、層間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体
   で成された構成を採っていることを特徴とする半導体装
   置。