JP2002271034A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンデンサを高密度で内蔵し、不良品発生率
が低いプリント配線板およびプリント配線板の製造方法
を提供することにある。 【解決手段】 コア基板３０に、広く凹部３２を形成
し、複数個のコンデンサ２０を収容することにより、コ
ンデンサ２０を高密度で内蔵できる。更に、凹部３２内
にあるコンデンサ２０の高さが揃うため、樹脂層を均一
の厚みにでき、不良品発生率を下げることが可能とな
る。また、メタライズからなる電極２１、２２の表面に
導電性ペースト２６が塗布されているため、電極２１、
２２の表面をフラットにでき、バイアホール６０との接
続性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵す
るプリント配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ＩＣチップへの電源供給を容易ならしめるた
め、チップコンデンサを表面実装することがある。

【０００３】チップコンデンサとＩＣチップとの間のリ
アクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆
動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装さ
せても、十分な動作を行い得なくなった。本出願人は上
述した課題を解決するために、特願平１１−２４８３１
１号にて、プリント配線板にコンデンサを内蔵させる技
術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術
としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６
３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１
−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平
１１−３１２８６８号等がある。

【０００４】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９
号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とバイアホールとの間に断
線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、
層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信
頼性を達成することができなかった。

【０００６】また、特願平１１−２４８３１１号の発明
では、一個のコンデンサごとに凹部を形成しているた
め、ザグリ加工の精度が低い場合では、正確に凹部の形
成ができず、コンデンサが正確な位置で凹部に入らない
ことがあった。また、凹部の深さがコンデンサの高さよ
りも小さくなって、コンデンサが凹部からはみ出してし
まうことがあった。そのため、コア基板を平滑にするこ
とができず、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および配線
を形成してプリント配線板を製造しても、断線が生じ易
く不良品発生率が高くなることが判明した。更に、コン
デンサの実装密度を高めることが困難であった。

【０００７】本発明は上述した課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、コンデン
サを高い密度で内蔵し、不良品発生率が低いプリント配
線板およびプリント配線板の製造方法を提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した問題を達成する
ため、請求項１の発明では、コア基板に樹脂絶縁層と導
体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記
コア基板内に、凹部を形成し、前記凹部の中に複数個の
コンデンサを収容させており、前記コンデンサのメタラ
イズからなる電極の表面には、導電性ペーストが塗布さ
れていることを技術的特徴とする。

【０００９】請求項１では、コア基板に広く凹部を形成
し、複数個のコンデンサを凹部に収容する。そのため、
確実に複数個のコンデンサを、コア基板内へ配設するこ
とが可能となる。凹部内に密集させてコンデンサを配置
できるため、コンデンサの実装密度を高めることができ
る。また、凹部内に複数個のコンデンサを載置するた
め、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コア基板上
に形成する樹脂層を均一の厚みにでき、バイアホールの
形成が安定する。また、凹部が広く形成されているた
め、コンデンサの位置決めが正確にできる。よって、コ
ア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形
成することができるので、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。

【００１０】凹部内には、樹脂を充填させることが望ま
しい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによ
って、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さく
なるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。

【００１１】また、コンデンサのメタライズからなる電
極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面
が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで
開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無
くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信
頼性を高めることができる。

【００１２】請求項２では、コンデンサの電極の導電性
ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグ
レーションの発生を防止することができ、また、接続抵
抗を更に低減することができる。

【００１３】請求項３では、コンデンサの表面に、粗化
処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコ
ンデンサと樹脂からなる接続層、層間樹脂絶縁層との密
着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接続層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【００１４】請求項４では、コンデンサの表面に、シラ
ンカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を
施す。これにより、セラミックからなるチップコンデン
サと接続層、層間樹脂絶縁層との密着性が高くなり、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接続層、層間樹
脂絶縁層の剥離が発生することがない。

【００１５】請求項５の発明では、凹部内のコンデンサ
間に、樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位置
決めして固定することが可能となる。樹脂の熱膨張率
を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなる
コンデンサに近いように設定してある。このため、ヒー
トサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラ
ック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。ま
た、マイグレーションを発生しなくなるため、コンデン
サとの接続が安定する。

【００１６】請求項６の発明では、コンデンサ間の樹脂
層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号線
が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連
続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生し
ない。

【００１７】また、スルーホールによって表裏の電気的
接続を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルド
アップ層を介して配線を配設することができ、コンデン
サのピンやＢＧＡを配設させることができる。

【００１８】請求項７では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００１９】請求項８では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。

【００２０】請求項９では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２１】請求項１０では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００２２】請求項１１では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００２３】請求項１２では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００２４】請求項１３の発明では、少なくとも以下
（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする
プリント配線板の製造方法にある： （ａ）コア基板に、凹部を形成する工程； （ｂ）前記凹部の中に複数個のメタライズ電極の上に導
電性ペーストを塗布したコンデンサを載置する工程； （ｃ）前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。

【００２５】請求項１３では、コア基板に広く凹部を形
成するため、複数個のコンデンサを確実に、コア基板内
へ配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個
のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高
さが揃うので、コア基板を平滑にすることができる。ま
た、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置
決めが正確にできる。よって、コア基板の平滑性が損な
われず、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路
を適切に形成することができるので、プリント配線板の
不良品発生率を低下させることができる。また、コンデ
ンサ間に樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位
置決めして固定することが可能となる。

【００２６】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるバイアホールとの接続信頼性を高めることがで
きる。

【００２７】請求項１４の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面に圧力を加える、もしくは叩くことに
よりコンデンサの上面の高さを揃えている。それによ
り、凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコン
デンサの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えるこ
とができ、コア基板を平滑にすることができる。よっ
て、コア基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶
縁層および導体回路を適切に形成することができるの
で、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが
できる。

【００２８】請求項１５の発明では、コンデンサ間の樹
脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号
線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生
しない。また、スルーホールによって表裏の電気的接続
を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアッ
プ層を介して配線を配設することができ、コンデンサの
ピンやＢＧＡを配設させることができる。

【００２９】請求項１６の発明では、少なくとも以下
（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とする
プリント配線板の製造方法にある： （ａ）心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔
を形成する工程； （ｂ）前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り
付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程； （ｃ）前記コア基板の凹部に複数個のメタライズ電極の
上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを載置する工
程； （ｄ）前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。

【００３０】請求項１６では、コア基板に広く凹部を形
成するため、複数個のコンデンサを確実にコア基板内へ
配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個の
コンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さ
が揃うので、コア基板を平滑にすることができる。ま
た、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置
決めが正確にできる。よって、コア基板の上に層間樹脂
絶縁層および導体回路を適切に形成することができるの
で、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが
できる。また、コンデンサ間に樹脂を充填するため、コ
ンデンサを凹部内で位置決めして固定することが可能と
なる。

【００３１】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるバイアホールとの接続信頼性を高めることがで
きる。

【００３２】請求項１７の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面を上から押す、もしくは叩くことによ
りコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、
凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデン
サの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることが
できる。よって、平滑性が損なわれず、コア基板の上に
層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することが
できるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させ
ることができる。

【００３３】請求項１８の発明では、コンデンサ間の樹
脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号
線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生
しない。また、スルーホールによって表裏の電気的接続
を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアッ
プ層を介して配線を配設することができ、コンデンサの
ピンやＢＧＡを配役させることができる。

【００３４】本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層
として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶
性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤
に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散し
たものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可
溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００３５】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００３６】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００３７】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００３８】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００３９】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００４０】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００４１】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００４２】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００４３】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００４４】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００４５】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。

【００４６】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００４７】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００４８】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００４９】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００５０】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００５１】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００５２】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図７、図８を参照
して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示
し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。

【００５４】図７に示すように、プリント配線板１０
は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板
３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからな
る。ビルドアップ配線層８０Ａ、ビルドアップ配線層８
０Ｂは、層間樹脂絶縁層５０、１５０からなる。層間樹
脂絶縁層５０には、バイアホール１６０及び導体回路１
５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホ
ール２６０及び導体回路２５８が形成されている。層間
樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が
配設されている。

【００５５】チップコンデンサ２０は、図９（Ａ）に示
すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電
極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、
第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電
極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配
置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面に
は、導電性ペースト２６を被覆させてある。

【００５６】ここで、第１電極２１及び第２電極２２
は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。
導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒
子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径
は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが
最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エ
ポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフ
ィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望
ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μ
ｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無く
すことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果
が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚み
が最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を
配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以
上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能であ
る。

【００５７】チップコンデンサの電極２１，２２は、メ
タライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層
を剥き出した状態で用いると、樹脂絶縁層４０にレーザ
でバイアホール用開口４８を穿設する工程において、該
凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残
さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール６０
との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電
性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表
面が平滑になり、電極上に被覆されたバイアホール用開
口４８を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホー
ル６０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を
高めることができる。

【００５８】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０
との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界
面での樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０の
剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成
後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。

【００５９】図８に示すように上側のビルドアップ配線
層８０Ａのバイアホール２６０には、ＩＣチップ９０の
パッド９２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成さ
れている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂのバ
イアホール２６０には、ドータボード９４のパッド９５
へ接続するための半田バンプ７６Ｄが形成されている。
また、コア基板３０には、スルーホール４６が形成され
ている。

【００６０】本実施形態のプリント配線板１０では、広
く凹部３２を形成してあるため、ザグリ加工の精度が低
くても確実に、複数個のチップコンデンサ２０を、基板
に配設することが可能となる。凹部３２内に密集させて
チップコンデンサ２０を配置できるため、コンデンサの
実装密度を高めることができる。また、凹部３２内の複
数個のチップコンデンサ２０の高さが揃っているので、
後述するようにコア基板上に形成する樹脂層を均一の厚
みにでき、バイアホールの形成が安定する。よって、コ
ア基板３０上に層間樹脂絶縁層５０、１５０および導体
回路１５８、２５８を適切に形成することができるの
で、プリント配線板１０の不良品発生率を低下させるこ
とができる。

【００６１】コア基板としては、樹脂からなるものを用
いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フェノー
ル樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いら
れる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板
をセラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできな
かった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容
することができないことがあり、樹脂で充填させても空
隙が生じてしまうためである。

【００６２】更に、チップコンデンサ２０間に樹脂充填
剤３６を充填するため、凹部３２内の正確な位置に配置
されたチップコンデンサ２０を位置決め固定することが
できる。また、コンデンサとバイアホールとの接続部に
おけるマイグレーションを防止できる。ここで、樹脂充
填剤３６及びチップコンデンサ２０下部の接着材料３４
の熱膨張率を、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０よりも
小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２
０に近いように設定してある。このため、ヒートサイク
ル試験において、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０とチ
ップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発
生しても、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０にクラッ
ク、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

【００６３】また、チップコンデンサ２０間の樹脂層３
６に、スルーホール４６を形成してあるため、セラミッ
クから成るチップコンデンサ２０を信号線が通過しない
ので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射
及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。コンデ
ンサの下部にも配線を施せるので、配線、ピンなどの外
部端子の自由度も増し、高密度化、小型化される。

【００６４】引き続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。

【００６５】（１）先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基
板３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。次に、コ
ア基板３０の片面に、ザグリ加工でコンデンサ配設用の
凹部３２を形成する（図１（Ｂ）参照）。このとき、凹
部３２は複数個のコンデンサを配設できるエリアより
も、広く大きく形成する。これにより、複数個のコンデ
ンサをコア基板３０に、確実に配設することができる。

【００６６】（２）その後、凹部３２に、印刷機を用い
て接着材料３４を塗布する（図１（Ｃ）参照）。このと
き、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。接
着材料３４は、熱膨張率がコア基板３０及び樹脂絶縁層
４０よりも小さなものを用いる。次に、凹部３２に複数
個のセラミックから成るチップコンデンサ２０（図９参
照）を接着材料３４上に載置する（図１（Ｄ）参照）。
ここで、後述するように底部が平滑な凹部３２に複数個
のチップコンデンサ２０を配設することにより、複数個
のチップコンデンサ２０の高さが揃うため、コア基板３
０を平滑にすることができる。また、凹部３２は広く形
成されているため、チップコンデンサ２０の位置決めが
正確にでき、また、高密度で配置することができる。

【００６７】（３）そして、複数個のチップコンデンサ
２０の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
２０の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（図２
（Ａ）参照）。この工程により、凹部３２内に複数個の
チップコンデンサ２０を配設した際に、複数個のチップ
コンデンサ２０の大きさにばらつきがあっても、高さを
完全に揃えることができ、コア基板３０を平滑にするこ
とができる。

【００６８】（４）その後、凹部３２内のチップコンデ
ンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層３６を形成する（図２（Ｂ）参照）。このとき、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミ
ド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３２内の
チップコンデンサ２０を固定することができる。樹脂層
３６は、熱膨張率がコア基板３０及び樹脂絶縁層４０よ
りも小さなものを用いる。

【００６９】それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用
いてもよい。また、樹脂中に熱膨脹率を整合させるため
に、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例と
しては、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィ
ラーなどがある。

【００７０】（５）さらに、その上から後述するエポキ
シ系樹脂からなる樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁
層４０を形成する（図２（Ｃ）参照）。なお、樹脂を塗
布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。

【００７１】それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、
感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を１種以
上用いることができる。それらを２層構成にしてもよ
い。

【００７２】（６）次に、レーザにより樹脂絶縁層４０
にバイアホール用開口４８を形成する（図２（Ｄ）参
照）。この際に、導電性ペースト２６によりチップコン
デンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、
樹脂が電極上に残ることがない。その後、デスミヤ処理
を行う。レーザの代わりに露光・現像処理を用いること
もできる。そして、樹脂層３６にドリルまたはレーザに
より、スルーホール用の通孔４６ａを形成し、加熱硬化
する（図３（Ａ）参照）。過マンガン酸などの薬液やプ
ラズマ処理によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【００７３】（７）その後、無電解銅めっきにより、銅
めっき膜５２を樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３
（Ｂ）参照）。無電解めっきの代わりに、Ｎｉ−Ｃｕ合
金をターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金層を設けることもでき、場合によってはスパッタ
で形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。
この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表
面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正に
銅めっき膜５２を形成することができる。

【００７４】（８）次に、銅めっき膜５２の表面に感光
性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光
・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト５４を形
成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬
し、銅めっき膜５２を介して電流を流し電解めっき膜５
６を析出させる（図３（Ｃ）参照）。

【００７５】（９）ついで、めっきレジスト５４を５％
ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下
の銅めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、銅めっき膜５２と電解銅めっ
き膜５６からなる導体回路５８（バイアホール６０を含
む）及びスルーホール４６を形成する。ここで、スルー
ホール４６を形成することにより、チップコンデンサ２
０を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅
延が発生しなくなる。次に、基板の両面にエッチング液
をスプレイで吹きつけ、導体回路５８の表面とスルーホ
ール４６のランド表面とをエッチングすることにより、
導体回路５８の全表面に粗化面５８αを形成する（図３
（Ｄ）参照）。

【００７６】（１０）その後、スルーホール４６内にエ
ポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤６２を充填し
て、乾燥する（図４（Ａ）参照）。熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂、紫外硬化性樹脂などを用いることができる。
その中でも熱硬化性樹脂を用いることが望ましい。スル
ーホール内の充填する際、取り扱い易いからである。

【００７７】（１１）上記工程を経た基板の両面に、厚
さ５０μｍの熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０
℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミ
ネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。層
間樹脂絶縁層５０には、エポキシ系樹脂、オレフィン系
樹脂を用いることもできる。

【００７８】（１２）次に、波長１０．４μｍのＣＯ₂
ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモー
ド、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３
ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍ
のバイアホール用開口１４８を設ける（図４（Ｃ）参
照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
う。

【００７９】（１３）次に、日本真空技術株式会社製の
ＳＶ―４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂
絶縁層５０の表面を粗化し、粗化面５０αを形成する
（図４（Ｄ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、
温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。ま
た、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。

【００８０】（１４）次に、同じ装置を用い、内部のア
ルゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲット
にしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０
℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金１５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成する。
このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層１５２の厚さは
０．２μｍである（図５（Ａ）参照）。

【００８１】（１５）上記処理を終えた基板３０の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光し
た後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５
μｍのめっきレジスト１５４を設ける。次に、以下の条
件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜
１５６を形成する（図５（Ｂ）参照）。なお、この電解
めっき膜１５６により、後述する工程で導体回路１５８
となる部分の厚付けおよびバイアホール１６０となる部
分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電解め
っき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカ
パラシドＨＬである。

【００８２】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 ６５分 温度 ２２±２℃

【００８３】（１６）めっきレジスト１５４を５％Ｎａ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のＮｉ−
Ｃｕ合金層１５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金
層１５２と電解めっき膜１５６からなる厚さ１６μｍの
導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成する（図
５（Ｃ）参照）。

【００８４】（１７）次いで、上記（１１）〜（１６）
の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂
絶縁層１５０及び導体回路２５８（バイアホール２６０
を含む）を形成する（図５（Ｄ）参照）。

【００８５】（１８）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ.３によった。

【００８６】（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７
１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。また、Ｌ
ＰＳＲなどの市販のソルダーレジストを用いてもよい。

【００８７】（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．
６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件
で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ
０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、バイ
アホール２６０及び導体回路２５８に半田パッド７５を
形成する（図６（Ｂ）参照）。

【００８８】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷し
て、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ
（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半
田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を
得ることができる（図７参照）。

【００８９】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板１０へのＩＣチップの載置および、ドータボードへ
の取り付けについて、図８を参照して説明する。完成し
たプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ
９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９
０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取
り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バン
プ７６Ｄにドータボード９４のパッド９５が対応するよ
うに、リフローすることで、ドータボード９４へプリン
ト配線板１０を取り付ける。

【００９０】引き続き、本発明の第１実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図１０を参照して説明
する。上述した第１実施形態では、コア基板に収容され
るチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例で
は、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ９８が実
装されている。

【００９１】図９（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例に
係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態
では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密
着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポリ
イミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改
善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表
面にシランカップリング処理を施すことも可能である。

【００９２】また、第１改変例では、導電性ペースト２
６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜
２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合
金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１
〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の
金属膜を形成することも可能である。

【００９３】第１改変例では、コンデンサ２０の電極２
１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けて
あるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生
を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減する
ことができる。メタライズからなる電極２１、２２は、
表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更
に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすこと
ができ、バイアホール６０との密着性を高め、接続抵抗
を下げることができる。

【００９４】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ９８を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１１を参照して説明する。

【００９５】図１１は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図８を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図１０を参照して上述したコア基板内のチッ
プコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデ
ンサ９８を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動
を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２
０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相
対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ９８
を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。

【００９６】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板１１０について、図１８を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合
で説明した。第２実施形態では、第１実施形態とほぼ同
様であるが、図１８に示すように導電性ピン９６を介し
て接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。なお、電極
には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるい
は、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト
及び複合金属層が形成されている。

【００９７】引き続き、図１８を参照して上述したプリ
ント配線板の製造方法について、図１２〜図１８を参照
して説明する。

【００９８】（１）先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレク３３を４枚積層してなる積層板３１αに、チッ
プコンデンサ収容用の通孔３７ａを形成する。また、そ
の一方で、プリプレク３３を２枚積層してなる積層板３
１βを用意する（図１２（Ａ）参照）。ここで、プリプ
レク３３としては、エポキシ以外にも、ＢＴ、フェノー
ル樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有した
ものを用い得る。チップコンデンサ収容用の通孔３７ａ
を広く形成することにより、後述する工程で、複数個の
チップコンデンサ２０を確実に凹部３７に収容すること
が可能となる。

【００９９】（２）次に、積層板３１αと積層板３１β
とを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチッ
プコンデンサ２０を収容可能な凹部３７を備えた、コア
基板３１を形成する（図１２（Ｂ）参照）。

【０１００】（３）そして、凹部３７のコンデンサ配設
位置に印刷機を用いて接着材料３４を塗布する。その
後、凹部３７内に複数個のセラミックから成るチップコ
ンデンサ２０を接着材料３４を介して収容する（図１２
（Ｃ）参照）。ここで、複数個のチップコンデンサ２０
を凹部３７内に配設することにより、複数個のチップコ
ンデンサ２０の高さが揃うので、コア基板３１を平滑に
することが可能となる。また、凹部３７は広く形成され
ているため、チップコンデンサ２０の位置決めが正確に
でき、また高密度で配置できる。よって、コア基板上に
樹脂層を均一の厚みに形成でき、後述するようにコア基
板３１の上にバイアホールを適切に形成することができ
るので、プリント配線板の不良品発生率を低下させるこ
とが可能となる。

【０１０１】（４）そして、複数個のチップコンデンサ
２０の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
２０の上面を押すもしくは叩いて高さを揃える。（図１
２（Ｄ）参照）。この工程により、複数個のチップコン
デンサ２０を凹部３７内に配設した際に、複数個のチッ
プコンデンサ２０の大きさにばらつきがあっても、高さ
を揃えることができ、コア３１基板を平滑にすることが
できる。

【０１０２】（５）その後、凹部３７内のチップコンデ
ンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層３６を形成する（図１３（Ａ）参照）。このとき、
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイ
ミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３７内
のチップコンデンサ２０を固定することができる。

【０１０３】（６）さらに、その上から前述したエポキ
シ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹脂を印刷機を用い
て塗布し樹脂絶縁層４０を形成する（図１３（Ｂ）参
照）。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを
貼り付けてもよい。

【０１０４】（７）次に、露光・現像処理又はレーザに
より樹脂絶縁層４０にバイアホール用開口４８を形成す
る（図１３（Ｃ）参照）。そして、樹脂層３６にドリル
またはレーザにより、スルーホール用の通孔４６ａを形
成し、加熱硬化する（図１３（Ｄ）参照）。

【０１０５】（８）そして、基板３１にパラジウム触媒
を付与してから、無電解めっき液にコア基板を浸漬し、
均一に無電解めっき膜５３を析出させる（図１４（Ａ）
参照）。ここでは、無電解めっきを用いているが、スパ
ッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよ
い。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。

【０１０６】（９）その後、無電解めっき膜５３の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５４を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板３１を浸漬
し、無電解めっき膜５３を介して電流を流し電解めっき
膜５６を析出させる（図１４（Ｂ）参照）。

【０１０７】（１０）上記工程の後、レジスト５４を５
％のＮａＯＨで剥離した後、レジスト５４下の無電解め
っき膜５３を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングをし
て除去し、無電解めっき膜５３と電解銅めっき膜５６か
らなる導体回路５８（バイアホール６０を含む）及びス
ルーホール４６を形成する。ここで、スルーホール４６
を形成することにより、チップコンデンサ２０を信号線
が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連
続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生し
なくなる。

【０１０８】（１１）そして、基板３１を水洗、酸性脱
脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液
を基板３１の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路５
８の表面とスルーホール４６のランド表面と内壁とをエ
ッチングして、導体回路５８の全表面に粗化面５８αを
形成する（図１４（Ｃ）参照）。エッチング液として
は、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコー
ル酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチン
グ液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。

【０１０９】（１２）次に、ビスフェノールＦ型エポキ
シモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９
８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤が
コーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子
の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ ₂ 球状粒子（アドテック
社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレ
ベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５
重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘
度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤６２
を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤
（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用
いた。その後、スルーホール４６内に樹脂充填剤６２を
充填して、乾燥する（図１４（Ｄ）参照）。

【０１１０】（１３）次に、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量４６９，油化シェルエポキシ社製
エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５，大日本インキ
化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、ト
リアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノー
ル性水酸基当量１２０，大日本インキ化学工業社製 フ
ェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリ
コールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重
量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ
化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレッ
クスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、
５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．
５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤
０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフ
ィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロール
コーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分
間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ムを作製する。

【０１１１】（１４）基板の両面に、（１３）で作製し
た基板３１より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３１上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成
する（図１５（Ａ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板３１上に、真空度０．５Ｔｏｒ
ｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０
秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬
化させる。

【０１１２】（１５）次に、層間樹脂絶縁層５０上に、
厚さ１．２ｍｍの貫通孔４７ａが形成されたマスク４７
を介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、
ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅
８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショッ
トの条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径８０μｍのバイ
アホール用開口１４８を形成する（図１５（Ｂ）参
照）。

【０１１３】（１６）バイアホール用開口１４８を形成
した基板３１を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０
℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することによ
り、バイアホール用開口１４８の内壁を含む層間樹脂絶
縁層５０の表面を粗化面５０αとする（図１５（Ｃ）参
照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよ
い。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。

【０１１４】（１７）次に、上記処理を終えた基板３１
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３１の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口１
４８の内壁面に触媒核を付着させる。

【０１１５】（１８）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗化面５０α全体に厚さ
０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜１５３を形成す
る（図１５（Ｄ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分

【０１１６】（１９）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜１５３に貼り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっ
きレジスト１５４を設ける。（図１６（Ａ）参照）。

【０１１７】（２０）次いで、基板３１を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜１５６を形成する（図１６
（Ｂ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０１１８】（２１）めっきレジスト１５４を５％Ｎａ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト１５４下の
無電解めっき膜１５３を硫酸と過酸化水素の混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１５３
と電解銅めっき膜１５６からなる厚さ１８μｍの導体回
路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する。そ
の後、（１１）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機
酸とを含有するエッチング液によって、粗化面１５８α
を形成する（図１６（Ｃ）参照）。

【０１１９】（２２）続いて、上記（１４）〜（２１）
の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層１５０及び導体回路２５８（バイアホール２６０を
含む）を形成する（図１６（Ｄ）参照）。

【０１２０】（２３）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量
部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品
名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノ
プコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器に
とり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組
成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東
化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２
５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成
物（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ
型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍ
の場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローター
Ｎｏ.３によった。

【０１２１】（２４）次に、基板３０の両面に、（２
３）で調製したソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚
さで塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃で３
０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト
開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマス
クをソルダーレジスト組成物に密着させて１０００ｍＪ
／ｃｍ²の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理
し、２００μｍの直径の開口７１Ｕ、７１Ｄを形成す
る。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬化さ
せ、開口７１Ｕ、７１Ｄを有する、厚さ２０μｍのソル
ダーレジスト層７０を形成する（図１７（Ａ）参照）。
上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダー
レジスト組成物を使用することもできる。

【０１２２】（２５）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層
７４を形成する（図１７（Ｂ）参照）。

【０１２３】（２６）この後、基板のＩＣチップを載置
する面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕにスズ−
鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の
面の開口部７１Ｄ内に導電性接着剤９７として半田ペー
ストを印刷する。次に、導電性接続ピン９６を適当なピ
ン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン９６の
固定部９８を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接
させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン９６を
導電性接着剤９７に固定する。また、導電性接続ピン９
６の取り付け方法としては、導電性接着剤９７をボール
状等に形成したものを開口部７１Ｄ内に入れる、あるい
は、固定部９８に導電性接着剤９７を接合させて導電性
接続ピン９６を取り付け、その後にリフローさせてもよ
い。

【０１２４】その後、プリント配線板１１０の開口７１
Ｕ側の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９
２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフロ
ーを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う（図１
８参照）。

【０１２５】引き続き、第２実施形態のプリント配線板
の改変例に係る製造方法について、図１９を参照して説
明する。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性
ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様
に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。 （１）先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレク３３
を４枚積層して硬化させた積層板３１αに、チップコン
デンサ収容用の通孔３７ａを形成する。一方で、未硬化
のプリプレグ３３からなるシート３１γと、プリプレク
３３を硬化してなる板３１βとを用意する（図１９
（Ａ）参照）。

【０１２６】（２）次に、積層板３１αと板３１βとを
シート３１γにより圧着し、凹部３７を備えた基板３１
を形成する（図１９（Ｂ）参照）。

【０１２７】（３）そして、複数個のセラミックから成
るチップコンデンサ２０を未硬化のプリプレグ３３から
なるシート３１γ上に収容する（図１９（Ｃ）参照）。

【０１２８】（４）そして、複数個のチップコンデンサ
２０の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
２０の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（図２
（Ａ）参照）。その後、加熱して未硬化のプリプレグ３
３を硬化させるコア基板３１を形成する。以下の工程
は、図１２〜図１８を参照して上述した第２実施形態と
同様であるため、説明を省略する。

【０１２９】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図２０を参照して説明す
る。この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図２
０は、チップコンデンサの平面図を示している。図２０
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図２０（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図２０（Ｃ）
は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第３実施形態のプリント配線板では、図２０（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、
電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、ある
いは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペース
ト及び複合金属層が形成されている。

【０１３０】この第３実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。

【０１３１】引き続き、第３実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板について図２１を参照して説明する。
図２１は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示してい
る。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１
電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２
１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接
続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導
電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介して
ＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。な
お、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、
あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペ
ースト及び複合金属層が形成されている。

【０１３２】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【０１３３】図２２を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図２２（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図２２（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図２２（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導
電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と
同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されてい
る。

【０１３４】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【０１３５】上述した第３実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【０１３６】ここで、第１実施形態のプリント配線板に
ついて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０
のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボ
ード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタ
ンスとを測定した値を以下に示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 １３７pH 裏面実装形 ２８７pH コンデンサを８個並列に接続した場合 埋め込み形 ６０pH 裏面実装形 ７２pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。

【０１３７】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板にお
いて、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測
定した。 静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz） Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: −0.9% −0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%

【０１３８】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に
保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、
印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置し
た。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０
分放置する試験を１０００回線り返した。

【０１３９】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板３０及び樹脂絶縁層４０の熱膨張率の違いから、内部
応力が発生しても、チップコンデンサ２０の第１端子２
１、第２端子２２とバイアホール６０との間に断線、チ
ップコンデンサ２０と樹脂絶縁層４０との間で剥離、樹
脂絶縁層４０にクラックが発生せず、長期に渡り高い信
頼性を達成できることが判明した。

【０１４０】

【発明の効果】本発明では上述したように、広く凹部を
形成し、複数個のコンデンサを凹部に収容するため、ザ
グリ加工の精度が低くても確実に複数個のコンデンサ
を、正確に位置決めしてコア基板内に高密度で配設する
ことが可能となる。また、凹部内に複数個のコンデンサ
を載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うの
で、コンデンサ上の絶縁層を均一の厚みにすることがで
きる。よって、バイアホールおよび導体回路を適切に形
成することができるので、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。

【０１４１】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるバイアホールとの接続性を高めることができ
る。更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填され
ているので、コンデンサなどが起因する応力が発生して
も緩和されるし、マイグレーションの発生がない。その
ために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への
剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験
を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合に
も、マイグレーションの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板に
ＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図９】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサの
断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例の
チップコンデンサの断面図である。

【図１０】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリン
ト配線板の断面図である。

【図１１】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示
すグラフである。

【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。

【図１８】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板
にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板の製造工
程図である。

【図２０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図２１】第３実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。

【図２２】（Ａ）、（Ｂ）は、第３実施形態の改変例に
係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図であ
る。

【符号の説明】 ２０ チップコンデンサ ２１ 第１電極 ２２ 第２電極 ２３ 誘電体 ２３ａ 粗化面 ２３ｂ ポイリミド膜 ２６ 導電性ペースト ２８ａ 無電解銅めっき膜 ２８ｂ 電解銅めっき膜 ２８ 複合金属膜 ３０ コア基板 ３１ コア基板 ３２ 凹部 ３６ 樹脂層 ３７ 凹部 ４０ 層間樹脂絶縁層 ４６ バイアホール ５０ 層間樹脂絶縁層 ６０ バイアホール ７０ ソルダーレジスト層 ７１Ｕ、７１Ｄ 開口部 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７６ 半田バンプ ９０ ＩＣチップ ９２ 半田パッド（ＩＣチップ側） ９４ ドータボード ９５ 半田パッド（ドータボード側） ９６ 導電性接続ピン ９７ 導電性接着剤 ９８ 固定部 １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路 １６０ バイアホール ２５８ 導体回路 ２６０ バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ Ｎ Ｆターム(参考） 5E082 AA01 CC01 DD15 EE23 5E336 AA04 AA08 BB03 BB15 BC26 CC32 CC36 CC43 CC53 CC55 EE07 EE17 GG09 GG11 GG16 5E346 AA02 AA06 AA12 AA32 AA43 AA51 BB16 BB20 CC04 CC09 CC32 CC42 DD02 DD03 DD25 DD33 DD34 EE06 EE18 EE31 EE34 EE35 EE38 FF04 FF07 FF15 FF18 FF45 GG15 GG17 GG19 GG25 GG27 GG28 HH02 HH11

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
   層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板内に、凹部を形成し、前記凹部の中に複数
   個のコンデンサを収容させており、 前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、
   導電性ペーストが塗布されていることを特徴とするプリ
   ント配線板。
2. 【請求項２】 前記コンデンサの電極の導電性ペースト
   上に金属層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
   プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記コンデンサの表面に、粗化処理を施
   したことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
   １に記載のプリント配線板。
4. 【請求項４】 前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性
   改善処理を施したことを特徴とする請求項１又は請求項
   ２のいずれか１に記載のプリント配線板。
5. 【請求項５】 前記凹部内の複数個のコンデンサ間に、
   コア基板よりも膨張率の小さい樹脂を充填したことを特
   徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリ
   ント配線板。
6. 【請求項６】 前記樹脂層に、通孔を穿設してスルーホ
   ールを形成したことを特徴とする請求項１〜請求項５の
   いずれか１に記載のプリント配線板。
7. 【請求項７】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
   を実装したことを特徴とする請求項１〜請求項６の内１
   に記載のプリント配線板。
8. 【請求項８】 前記表面のチップコンデンサの静電容量
   は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
   を特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
9. 【請求項９】 前記表面のチップコンデンサのインダク
   タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
   上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配
   線板。
10. 【請求項１０】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
    電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
    とする請求項１〜請求項９の内１に記載のプリント配線
    板。
11. 【請求項１１】 前記コンデンサとして、マトリクス状
    に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１０の内１に記載のプリント
    配線板。
12. 【請求項１２】 前記コンデンサとして、多数個取り用
    のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント
    配線板。
13. 【請求項１３】 少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）コア基板に、凹部を形成する工程； （ｂ）前記凹部の中に複数個のメタライズ電極の上に導
    電性ペーストを塗布したコンデンサを載置する工程； （ｃ）前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。
14. 【請求項１４】 前記（ｂ）工程の後に、前記凹部内の
    前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
    前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
    を特徴とする請求項１３に記載のプリント配線板の製造
    方法。
15. 【請求項１５】 前記（ｃ）工程の後に、前記樹脂層に
    通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えるこ
    とを特徴とする請求項１３に記載のプリント配線板の製
    造方法。
16. 【請求項１６】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔
    を形成する工程； （ｂ）前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り
    付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程； （ｃ）前記コア基板の凹部に複数個のメタライズ電極の
    上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを載置する工
    程； （ｄ）前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。
17. 【請求項１７】 前記（ｃ）工程の後に、前記凹部内の
    前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
    前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
    を特徴とする請求項１６に記載のプリント配線板の製造
    方法。
18. 【請求項１８】 前記（ｄ）工程の後に、前記樹脂層に
    通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えるこ
    とを特徴とする請求項１６に記載のプリント配線板の製
    造方法。