JP2002185141A

JP2002185141A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JP2002185141A
Application number: JP2000382804A
Authority: JP
Inventors: Yoichiro Kawamura; 洋一郎川村
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2000-12-15
Publication date: 2002-06-28

Abstract

(57)【要約】【課題】電力供給を適正に行い得る多層プリント配線
板を提供する。【解決手段】多層プリント配線板において、プレーン
層５８に複数のバイアホール１６０が配設されている。
プレーン層５８に複数設けられた電力供給を行うための
バイアホール１６０は、外部基板からＩＣチップまでの
電気抵抗を小さくして、ＩＣチップへ適正に電力供給を
行うことができるため、ＩＣチップの誤作動を防ぐこと
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線層に
関し、特に、導体層として形成されるプレーン層を備え
る多層プリント配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層プリント配線板では、ノイズを低減
するため、電磁波干渉をシールドするプレーン層を設け
る構成が採用されている。現在、多層プリント配線板に
搭載されるＩＣチップは、能力の向上に伴い、消費する
瞬間電力も飛躍的に増大しているため、このプレーン層
を電源層として流用することによって、ＩＣチップへ瞬
間的に大電力を供給できるようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図１９（Ａ）は、ＩＣ
チップ搭載前の多層プリント配線板の断面図を示す。図
１９（Ａ）に示すように、プリント配線板３１０では、
コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア
基板３０の両面には下層導体回路３４が形成されてい
る。また、この下層導体回路３４の上には、バイアホー
ル６０、バイアホール６２、導体回路５７及びプレーン
層５８の形成された層間樹脂絶縁層４０が配設されてい
る。該層間樹脂絶縁層４０の上には、バイアホール１６
０、バイアホール１６２及び導体回路１５８が形成され
た層間樹脂絶縁層１４０が配設されている。層間樹脂絶
縁層１４０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設さ
れている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１
Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側の該開口７１Ｕには、半
田バンプ７６が配設されている。また、底面側の該開口
７１Ｄには、外部基板との接続を得るための導電性接続
ピン９６が、導電性接着剤９７によって接続固定されて
いる。

【０００４】図１９（Ａ）のＪ−Ｊ断面、即ち、プレー
ン層５８の配置を図１９（Ｂ）に示す。図１９（Ｂ）の
Ｋ−Ｋ断面が図１９（Ａ）に相当する。図１９（Ｂ）に
示すように、プレーン層５８には、上面に電力を供給す
るためのバイアホール１６０が１つ配設されており、こ
のプレーン層５８の下面にも、電力を供給するためのバ
イアホール６０が１つ配設されている。上側にＩＣチッ
プを配設する領域であるチップ搭載領域Ｄ内には、電気
信号を送信するためのバイアホール１６２およびバイア
ホール６２が配設されている。

【０００５】半田バンプ７６に接続されるＩＣチップに
は、図１９（Ｂ）に示すように、プレーン層５８を介し
て電力が供給されており、このプレーン層５８には、プ
レーン層５８の上面にあるバイアホール１６０と、プレ
ーン層５８の下面にあるバイアホール６０とがそれぞれ
１個ずつ接続されている。つまり、プレーン層５８に設
けられているバイアホールは、１つのみであるため、外
部基板からＩＣチップまでの電気抵抗は大きくなり、Ｉ
Ｃチップに供給される電力は小さくなる。この電力供給
が小さくなっているため、ＩＣチップへの正確な電気伝
達を妨げることとなり、ＩＣチップの誤動作の原因とな
っている。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、電力供給を適正に行
い得る多層プリント配線板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積
層してなる多層プリント配線板において、前記導体層の
内の少なくとも１層は、プレーン層であり、前記プレー
ン層には、複数のバイアホールが配設されていることを
技術的特徴とする。

【０００８】請求項１の発明では、プレーン層が配設さ
れた多層プリント配線板について、このプレーン層に
は、バイアホールが少なくとも２つ以上設けられてい
る。つまり、このプレーン層に複数設けられた電力供給
を行うためのバイアホールは、外部基板からＩＣチップ
までの電気抵抗を小さくして、ＩＣチップへ適正に電力
供給を行うことができるため、ＩＣチップの誤作動を防
ぐことができる。

【０００９】請求項２は、請求項１に記載の多層プリン
ト配線板において、前記プレーン層には、前記プレーン
層の上層および下層に配設された樹脂絶縁層を接続する
ためのメッシュ孔が配設されていることを技術的特徴と
する。

【００１０】請求項２の発明では、プレーン層には、メ
ッシュ孔が設けられているため、このプレーン層の上層
に配設された樹脂絶縁層と下層に配設された樹脂絶縁層
とが直接接触されている。この直接接触している２つの
樹脂絶縁層の間には、プレーン層が挟まれているため、
このプレーン層の剥離を防ぎ、このプレーン層と上層お
よび下層の樹脂絶縁層との接続性を改善することができ
る。また、このメッシュ孔を通して、この樹脂絶縁層に
吸収された水分等からなるガスを発散しやすくするた
め、樹脂絶縁層の絶縁性を高めることができる。さら
に、このプレーン層に設けられた複数ある電力供給を行
うためのバイアホールは、外部基板からＩＣチップまで
の電気抵抗を小さくするため、ＩＣチップへ適正に電力
供給を行うことができる。したがって、ＩＣチップの誤
作動を防ぐことができる。

【００１１】また、請求項３は、請求項１に記載の多層
プリント配線板において、前記プレーン層には、バイア
ホールを配設するための開口が配設されていることを技
術的特徴とする。

【００１２】請求項３の発明では、電気信号を伝送する
ためのバイアホールを有するプレーン層が配設された多
層プリント配線板において、プレーン層に、電力供給を
行うためのバイアホールが２つ以上設けられているた
め、外部基板からＩＣチップまでの電気抵抗を小さくし
て、ＩＣチップへ適正に電力供給を行うことができる。
したがって、ＩＣチップの誤作動を防ぐことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施例に係る
プリント配線板の構成について、図６および図７を参照
して説明する。図６は、ＩＣチップ搭載前の多層プリン
ト配線板の断面図を示す。図６に示すように、プリント
配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が
形成され、該コア基板３０の両面には下層導体回路３４
が形成されている。また、この下層導体回路３４の上に
は、バイアホール６０、バイアホール６２、導体回路５
７及びプレーン層５８の形成された層間樹脂絶縁層４０
が配設されている。該層間樹脂絶縁層４０の上には、バ
イアホール１６０、バイアホール１６２及び導体回路１
５８が形成された層間樹脂絶縁層１４０が配設されてい
る。層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダーレジスト
層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０に
は、開口７１Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側の該開口７
１Ｕには、半田バンプ７６が配設されている。また、底
面側の該開口７１Ｄには、外部基板との接続を得るため
の導電性接続ピン９６が、導電性接着剤９７によって接
続固定されている。

【００１４】図６のＣ−Ｃ断面、即ち、プレーン層５８
の平面図を図７に示す。図７のＥ−Ｅ断面が図６に相当
する。図７に示すように、プレーン層５８には、上面に
電力を供給するためのバイアホール１６０が４つ配設さ
れており、このプレーン層５８の下面にも、電力を供給
するためのバイアホール６０が４つ配設されている。上
側にＩＣチップを配設する領域であるチップ搭載領域Ｄ
内には、電気信号を送信するためのバイアホール１６２
およびバイアホール６２が配設されている。

【００１５】第１実施例の多層プリント配線板１０で
は、電力を供給するためのバイアホール１６０およびバ
イアホール６０が、プレーン層５８にそれぞれ２つ以上
設けられているため、外部基板からＩＣチップまでの電
気抵抗を小さくして、ＩＣチップへ瞬間的に大電力を供
給することが可能となり、ＩＣチップへ適正に電力供給
を行うことができる。

【００１６】次に、本発明の第１実施例のプリント配線
板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。

【００１７】Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

【００１８】Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いる。

【００１９】引き続き、図６を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説
明する。

【００２０】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４
とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ）参照）

【００２１】（２）スルーホール３６および下層導体回
路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、Ｎ
ａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、
Ｎａ₃ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化
浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、下層導体回路３４およびスルーホ
ール３６の表面に粗化面３４ａを形成する（図１（Ｃ）
参照）。

【００２２】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回
路３４非形成部に樹脂充填剤３８の層を形成する。すな
わち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹
脂充填剤３８を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件
で乾燥させる。次に、下層導体回路３４非形成部に相当
する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキ
ージを用いて凹部となっている下層導体回路３４非形成
部に樹脂充填剤３８の層を形成し、１００℃、２０分の
条件で乾燥させる（図１（Ｄ）参照）。

【００２３】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の
表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填
剤３８が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。
このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても
同様に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１
時間の加熱処理を行って樹脂充填剤３８を硬化させる。

【００２４】このようにして、スルーホール３６や導体
回路３４非形成部に形成された樹脂充填材３８の表層部
および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材
３８と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが粗化
面３４ａを介して強固に密着した絶縁性基板を得る（図
２（Ａ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂充填
剤３８の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面と
なる。

【００２５】（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した
後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板
３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４
の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッ
チングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗
化面３４ｂを形成する（図２（Ｂ）参照）。エッチング
液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、
グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなる
エッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使
用する。

【００２６】（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製し
た基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成
する（図２（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用
樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、
圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の
条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化さ
せる。

【００２７】（７）次に、層間樹脂絶縁層４０上に、厚
さ１．２ｍｍの貫通孔４４ａが形成されたマスクを４２
介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビ
ーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．
０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの
条件で層間樹脂絶縁層４０に、直径８０μｍのバイアホ
ール用開口４４を形成する（図２（Ｄ）参照）。

【００２８】（８）バイアホール用開口４４を形成した
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口４４の内壁を含む層間樹脂絶縁層４０
の表面に粗化面４０ａを形成する（図３（Ａ）参照）。

【００２９】（９）次に、上記処理を終えた基板３０
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口４
４の内壁面に触媒核を付着させる。

【００３０】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４０ａ全体に
厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４８を形成
する（図３（Ｂ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【００３１】（１１）市販の感光性ドライフィルム５０
を無電解銅めっき膜４８に貼り付ける。その後、感光性
ドライフィルム５０上にパタン５２ａを載置する（図３
（Ｃ）参照）。次いで、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、
０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することによ
り、厚さ３０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３
（Ｄ）参照）。

【００３２】（１２）ついで、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ）参
照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００３３】（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電
解めっき膜４８を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４８と電解銅
めっき膜５６からなる厚さ１８μｍのプレーン層５８、
バイアホール６０、バイアホール６２、導体回路５７を
形成する（図４（Ｂ）参照）。

【００３４】（１４）上記（５）と同様の処理を行い、
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て、粗化面５８ａを形成する（図４（Ｃ）参照）。

【００３５】（１５）上記（６）〜（１４）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１４
０及び導体回路１５８（バイアホール１６０、バイアホ
ール１６２を含む）を形成し、多層配線板を得る（図４
（Ｄ）参照）。

【００３６】（１６）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３
によった。

【００３７】（１７）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジスト開口部７１Ｕ、７１Ｄの
パターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスク（開示
せず）をソルダーレジスト層７０に密着させて１０００
ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処
理し、２００μｍの直径の開口部７１Ｕ、７１Ｄを形成
する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１
時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、開口部７１Ｕ、７１Ｄを有し、その厚さが２０μｍ
のソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ａ）参
照）。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用することもできる。

【００３８】（１８）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成する（図５（Ｂ）参照）。

【００３９】（１９）この後、基板３０のソルダーレジ
スト層７０の開口７１Ｕにスズ−鉛を含有する半田ペー
ストを印刷する。さらに、他方の面の開口部７１Ｄ内に
導電性接着剤９７として半田ペーストを印刷する。次
に、導電性接続ピン９６を適当なピン保持装置に取り付
けて支持し、導電性接続ピン９６の固定部９８を開口部
７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接させる。そして、２
００℃でリフローを行い、開口部７１Ｕに半田バンプ７
６を形成し、開口部７１Ｄの導電性接続ピン９６を導電
性接着剤９７に固定する。（図６参照）。

【００４０】続いて、本発明の第１実施例のプリント配
線板及びプリント配線板の製造方法において層間樹脂絶
縁層を形成するために使用する樹脂フィルムについて説
明する。該樹脂フィルムは、難溶性樹脂、可溶性粒子、
硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれにつ
いて以下に説明する。

【００４１】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。

【００４２】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００４３】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００４４】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００４５】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００４６】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化
されたりすることがない。

【００４７】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００４８】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００４９】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００５０】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００５１】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００５２】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００５３】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００５４】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００５５】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００５６】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００５７】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００５８】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００５９】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００６０】次に、本発明の第２実施例に係るプリント
配線板２０について、図１２を参照して説明する。上述
した第１実施例では、図６に示すように導電性接続ピン
９６を介して接続を取るＰＧＡ方式で説明した。第２実
施例では、第１実施例とほぼ同様であるが、図１２に示
すように下面も半田バンプ７６を介して接続を取るＢＧ
Ａ方式で構成されている。

【００６１】第２実施例の多層プリント配線板２０で
は、第１実施例と同様に電力を供給するためのバイアホ
ール１６０およびバイアホール６０が、プレーン層５８
にそれぞれ２つ以上設けられているため、外部基板から
ＩＣチップまでの電気抵抗を小さくして、ＩＣチップへ
瞬間的に大電力を供給することが可能となり、ＩＣチッ
プへ適正に電力供給を行うことができる。

【００６２】引き続き、図１２を参照して上述した第２
実施例のプリント配線板の製造方法について、図８〜図
１２を参照して説明する。

【００６３】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂から
なる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネート
されている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図８
（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削
孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板３
０に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形
成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４
を形成する（図８（Ｂ）参照）。

【００６４】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面
とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチング
することにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３
４ａを形成する（図８（Ｃ）参照）。エッチング液とし
て、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール
酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水
７８重量部を混合したものを使用した。

【００６５】（３）シクロオレフィン系樹脂を主成分と
する樹脂充填剤３８を、基板３０の両面に印刷機を用い
て塗布することにより、下層導体回路３４間またはスル
ーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この
工程により、樹脂充填剤３８が下層導体回路３４の間あ
るいはスルーホール３６内に充填される（図８（Ｄ）参
照）。

【００６６】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やス
ルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤３８が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤３８を加熱硬化させる
（図９（Ａ）参照）。

【００６７】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤３８の表層部および下層導体回路３
４上面の粗化層３４ａを除去して基板３０両面を平滑化
し、樹脂充填剤３８と下層導体回路３４とが粗化面３４
ａを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁
面と樹脂充填剤３８とが粗化面３６ａを介して強固に密
着した配線基板を得る。

【００６８】（５）次に、上記（４）の処理を終えた基
板３０の両面に、上記（２）で用いたエッチング液と同
じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化され
たプレーン層３４の表面とスルーホール３６のランド表
面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回路
３４の全表面に粗化面３４ｂを形成する（図９（Ｂ）参
照）。

【００６９】（６）次に、上記工程を経た基板の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シ
ートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ
／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系
樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０を設ける（図９（Ｃ）
参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００７０】（７）次に、開口４４ａの形成されたマス
ク４２を載置し、炭酸ガスレーザにより層間樹脂絶縁層
４０にバイアホール用開口４４を形成する（図９（Ｄ）
参照）。ここでは、レーザを用いるが、露光・現像処理
によりバイアホール用開口４４を形成することもでき
る。

【００７１】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層４０の表面に粗化面４０ａを形成する（図１０
（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガ
スを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７
０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。

【００７２】（９）その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲット
にしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を
層間樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図１０（Ｂ）参
照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっ
きにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。
また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解
めっき膜を形成させてもよい。

【００７３】（１０）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８の表
面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５４を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬
し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を介して電流を流し、レジス
ト５４非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解
めっき５６を析出させる（図１０（Ｃ）参照）。

【００７４】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１２０分温度２２±２℃

【００７５】（１１）ついで、めっきレジスト５４を５
％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４
下のＮｉ／Ｃｕ金属層４８を硫酸と過酸化水素の混合液
でエッチング処理して溶解除去し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４
８と電解銅めっき５６とからなるプレーン層５８、バイ
アホール６０およびバイアホール６２を形成する（図１
０（Ｄ））。そして、基板３０の両面にエッチング液を
スプレイで吹きつけ、プレーン層５８、バイアホール６
０、バイアホール６２の表面をエッチングすることによ
り、表面に粗化層５８ａを形成する（図１１（Ａ）参
照）。

【００７６】（１２）上記（６）〜（１０）工程を繰り
返し、層間樹脂絶縁層１４０、導体回路１５８、バイア
ホール１６０およびバイアホール１６２を形成する。そ
して、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけ
て、導体回路１５８、バイアホール１６０、バイアホー
ル１６２の表面をエッチングすることにより、全表面に
粗化層１５８ａを形成する（図１１（Ｂ）参照）。エッ
チング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量
部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およ
びイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。

【００７７】（１３）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ.３によった。

【００７８】（１４）次に、基板３０の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部７１のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口部７１を形成する。そして、さらに、８０℃で１時
間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で
３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジ
スト層７０を硬化させ、開口部７１を有する、その厚さ
が２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図１
１（Ｃ）参照）。

【００７９】（１５）次に、次に、ソルダーレジスト層
（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケ
ル（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウ
ム（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０ ^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μ
ｍの金めっき層７４を形成する（図１１（Ｄ））。

【００８０】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６
を形成する。これにより、半田バンプ７６を有するプリ
ント配線板１０を得ることができる（図１２参照）。

【００８１】引き続き、第３実施例に係る多層プリント
配線板の構成について説明する。第３実施例では、図１
３に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取る
ＰＧＡ方式で構成される。上述した第１実施例とほぼ同
じであるが、チップ搭載領域Ｄの外側にプレーン層５８
を形成し、このプレーン層５８にメッシュ孔５９ａを配
設してプリント配線板１１０の成形を行った。

【００８２】図１３のＦ−Ｆ断面、即ち、層間樹脂絶縁
層４０の表面に形成されたプレーン層５８の平面を図１
４に示す。図１４のＧ−Ｇ断面が図１３に相当する。図
１４に示すようにチップ搭載領域Ｄの外側には、プレー
ン層５８が形成されており、このプレーン層５８には、
電力を供給するためのバイアホール１６０およびバイア
ホール６０がそれぞれ２つ以上設けられている。また、
このプレーン層５８には、直径２００μｍのメッシュ孔
５９ａが形成されている。一方、チップ搭載領域Ｄの内
側には、電気信号を伝送するための層間樹脂絶縁層４０
に形成されたバイアホール６３及び層間樹脂絶縁層１４
０に形成されたバイアホールが接続するパッド（バイア
ホール１６３の底部）１６３ａが配設されている。即
ち、バイアホール６３のランド及びバイアホール１６３
の接続するパッド１６３ａが一体に形成されている。

【００８３】第３実施例の多層プリント配線板１１０で
は、プレーン層５８に形成されたメッシュ孔５９ａにて
プレーン層５８の上層に配設される層間樹脂絶縁層１４
０と下層に配設される層間樹脂絶縁層４０とを、直接接
触させるので、接着性を高めることができる。また、こ
のメッシュ孔５９ａを通して、層間樹脂絶縁層１４０、
４０に吸収された水分等からなるガスを発散できるた
め、層間樹脂絶縁層１４０、４０の絶縁性を高め、また
層間樹脂絶縁層の剥離を防止することが可能になる。さ
らに、プレーン層５８と導通しているバイアホール１６
０およびバイアホール６０が、それぞれ２つ以上設けら
れているため、外部基板からＩＣチップまでの電気抵抗
を小さくして、ＩＣチップへ適正に電力供給を行うこと
ができる。

【００８４】引き続き、第４実施例に係る多層プリント
配線板の構成について説明する。第４実施例では、図１
５に示すように半田バンプ７６を介して接続を取るＢＧ
Ａ方式で構成される。上述した第２実施例とほぼ同じで
あるが、チップ搭載領域Ｄの外側にプレーン層５８を形
成し、このプレーン層５８にメッシュ孔５９ａを配設し
てプリント配線板１２０の成形を行った。

【００８５】引き続き、第５実施例にかかる多層プリン
ト配線板について説明する。第５実施例では、図１６に
示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧ
Ａ方式で構成される。上述した第１実施例とほぼ同じで
あるが、プレーン層５８と、電気信号を伝送するための
バイアホール（バイアホール１６４およびバイアホール
６４）との間に間隔をあけて、このバイアホールを配設
してプリント配線板２１０の成形を行った。バイアホー
ル１６４は、プレーン層５８と半田バンプ７６とを導通
するように配設され、バイアホール６４は、プレーン層
５８と下層導体回路３４とを導通するように配設されて
いる。

【００８６】図１６のＨ−Ｈ断面、即ち、層間樹脂絶縁
層４０の表面に形成されたプレーン層５８の平面を図１
７（Ａ）に示す。図１７（Ａ）のＩ−Ｉ断面が図１６に
相当する。図１７に示すようにプレーン層５８には、チ
ップ搭載領域Ｄの内側に瓢箪型の開口５９ｂが形成され
ている。図１７（Ｂ）に該開口５９ｂを拡大して示す。
該開口５９ｂ内には、数十μｍの間隙Ｋを設けて層間樹
脂絶縁層４０に形成されたバイアホール６４及び層間樹
脂絶縁層１４０に形成されたバイアホール１６４が接続
するパッド（バイアホール１６４の底部）１６４ａが配
設されている。即ち、バイアホール６４のランド及びバ
イアホール１６４の接続するパッド１６４ａが一体に形
成されている。

【００８７】第５実施例の多層プリント配線板２１０で
は、プレーン層５８には、電気信号を伝送するためのバ
イアホール６４およびバイアホール１６４が、間隔Ｋを
あけてプレーン層５８に配設されているため、プレーン
層での短絡を防ぐことができる。また、プレーン層５８
と導通しているバイアホール１６０およびバイアホール
６０が、それぞれ２つ以上設けられているため、外部基
板からＩＣチップまでの電気抵抗を小さくして、ＩＣチ
ップへ適正に電力供給を行うことができる。

【００８８】第６実施例に係る多層プリント配線板の構
成について説明する。第６実施例では、図１８に示すよ
うに半田バンプ７６を介して接続を取るＢＧＡ方式で構
成される。上述した第２実施例とほぼ同じであるが、プ
レーン層５８と、電気信号を伝送するためのバイアホー
ル（バイアホール１６４およびバイアホール６４）との
間に間隔をあけてこのバイアホールを配設してプリント
配線板２２０の成形を行った。

【００８９】なお、上述した第１〜第６実施例では、層
間樹脂絶縁層４０の表面にプレーン層５８を設けたが、
コア基板３０の表面にプレーン層を設ける際にも、バイ
アホール、スルーホールを複数設けることで、外部基板
からＩＣチップまでの電気抵抗を小さくすることができ
る。

【００９０】

【発明の効果】本発明は、上述したように、プレーン層
には、電力供給を行うためのバイアホールが２つ以上配
設されており、この２つ以上あるバイアホールを介して
ＩＣチップに電力を供給するため、電力供給を行うため
のバイアホールを１つのみ配設している従来のプレーン
層よりも、外部基板からＩＣチップまでの電気抵抗を小
さくして、適正な電力供給ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】図５は、（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施
例に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施例に係るプリント配線板の断
面図である。

【図７】図７は、本発明の第１実施例および第２実施例
に係る多層プリント配線板の平面図である。

【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図
である。

【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図
である。

【図１２】本発明の第２実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１３】本発明の第３実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１４】図１４は、本発明の第３実施例および第４実
施例に係る多層プリント配線板のプレーン層の平面図で
ある。

【図１５】本発明の第４実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１６】本発明の第５実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１７】図１７（Ａ）は、本発明の第３実施例および
第４実施例に係る多層プリント配線板のプレーン層の平
面図であり、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）に示す
開口の拡大図である。

【図１８】本発明の第６実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１９】図１９（Ａ）は、従来技術に係るプリント配
線板の断面図であり、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）に
示すプレーン層の平面図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４下層導体回路３４ａ、３４ｂ粗化面３６スルーホール３６ａランド３８樹脂充填剤４０層間樹脂絶縁層４２マスク４８無電解めっき膜５０感光性ドライフィルム５４めっきレジスト５６電解銅めっき５７導体回路５８プレーン層５８ａ粗化面５９ａメッシュ孔５９ｂ開口６０、６２、６３、６４バイアホール７０ソルダーレジスト層７１Ｕ、７１Ｄ開口部７２ニッケルめっき層７３半田パッド７４金めっき層７５スズ層７６半田バンプ９６導電性接続ピン９７導電性接着剤９８固定部１４０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０、１６２、１６３、１６４バイアホール１６０ａ、１６３ａ、１６４ａバイアホールの底部
（バイアホールが接続するパッド）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E338 AA03 CC01 CC04 CC06 CD23 CD25 EE11 EE13 5E346 AA02 AA03 AA04 AA42 AA43 BB02 BB03 BB06 BB16 CC04 CC09 CC37 CC38 CC40 CC52 DD03 EE08 EE13 EE14 EE18 EE19 EE20 FF01 FF02 FF07 FF13 FF18 FF27 FF33 FF45 GG01 GG15 GG27 HH07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
してなる多層プリント配線板において、前記導体層の内の少なくとも１層は、プレーン層であ
り、前記プレーン層には、複数のバイアホールが配設さ
れていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】前記プレーン層には、前記プレーン層の
上層および下層に配設された樹脂絶縁層を接続するため
のメッシュ孔が配設されていることを特徴とする請求項
１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】前記プレーン層には、バイアホールを配
設するための開口が配設されていることを特徴とする請
求項１に記載の多層プリント配線板。