JPH08274471A - 多層回路基板 - Google Patents

多層回路基板

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JPH08274471A
JPH08274471A JP7075758A JP7575895A JPH08274471A JP H08274471 A JPH08274471 A JP H08274471A JP 7075758 A JP7075758 A JP 7075758A JP 7575895 A JP7575895 A JP 7575895A JP H08274471 A JPH08274471 A JP H08274471A
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Japan
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terminals
signal
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board
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JP7075758A
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Inventor
Shinobu Seki
忍 関
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Nippon Steel Corp
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Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 絶縁性基板11の内部に電源に対応する電源
層15a〜15c、16a〜16cが形成され、電源層
15a〜15c、16a〜16cと電源用端子12a〜
12c、13a〜13cとがブラインドビアホール17
a〜17c、19a〜19cを介して接続されると共
に、電源層15a、16a、電源層15b、16b、電
源層15c、16cどうしがベリィドビアホール18a
〜18cを介して接続されている多層回路基板10。 【効果】 LSIチップ側の基板表面11aに電源用端
子12a〜12cや信号用端子が高密度に配置されてい
ても、この信号用端子とプリント配線基板側の信号用端
子とを短い信号配線14a〜14eで確実に接続するこ
とができ、信号処理の高速化と結線率の向上とを図ると
共に、LSIチップの小形化、高集積化に対応したもの
にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多層回路基板に関し、よ
り詳細には通信、画像処理等の技術分野で使用され、搭
載された半導体素子をプリント配線基板等に実装する際
に用いられる多層回路基板(半導体素子を搭載するパッ
ケージを含む)に関する。
【0002】なお図5に示したように、多層回路基板5
0内を貫通している接続線をスルービアホール(Throug
h-via-hole) 51、多層回路基板50の一表面のみに表
われている接続線をブラインドビアホール(Blind-via-
hole) 52、多層回路基板50の内部に埋設されている
接続線をベリィドビアホール(Buried-via-hole)53と
定義する。
【0003】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化、大容量
化、高速化に伴ない、この半導体素子としてのLSIチ
ップを搭載する多層回路基板についても電源用端子及び
信号用端子の高密度化や、信号配線の長さの短縮が求め
られている。
【0004】図6は従来の多層回路基板の一部を模式的
に示した斜視図であり、図中61は絶縁性基板を示して
いる。基板上面61aにはLSIチップ(図示せず)側
に接続される複数個の電源用端子62が接近して略一列
状に形成される一方、基板下面61bにおける電源用端
子62と対向する箇所(同一のx、y座標上)には、プ
リント配線基板(図示せず)側に接続される複数個の電
源用端子63が形成されており、各電源用端子62、6
3はスルービアホール64を介してそれぞれ接続されて
いる。また基板上面61aにおける電源用端子62の右
側にはLSIチップ側に接続される複数個の信号用端子
65が形成される一方、基板下面61bにおける電源用
端子63の左側にはプリント配線基板側に接続される複
数個の信号用端子66が形成されている。各信号用端子
65、66はブラインドビアホール67、69の一端部
にそれぞれ接続されており、ブラインドビアホール6
7、69の他端部67a、69a間は湾曲した信号配線
68a、68bを介してそれぞれ接続されている。これ
ら絶縁性基板61、電源用端子62、63、スルービア
ホール64、信号用端子65、66、ブラインドビアホ
ール67、69、信号配線68a、68b等を含んで多
層回路基板60が構成されている。
【0005】このように構成された多層回路基板60で
は、プリント配線基板側から電源用端子63に導入され
た電力がスルービアホール64、及び電源用端子63と
同一x、y座標を有する電源用端子62を介してLSI
チップ側に供給されると共に、LSIチップ側から信号
用端子65に入力されたマイクロ波信号等がブラインド
ビアホール67、信号配線68a、68b、ブラインド
ビアホール69、信号用端子66を介してプリント配線
基板側に出力され、あるいは逆にプリント配線基板側か
らLSIチップ側へ出力される。
【0006】図7は従来の別の多層回路基板の一部を模
式的に示した斜視図であり、図中71は絶縁性基板を示
している。基板上面71aにはLSIチップ(図示せ
ず)側に接続される複数個の電源用端子72が信号用端
子75を取り囲む態様で形成される一方、基板下面71
bにおける電源用端子72と対向する箇所(同一のx、
y座標を有する)には、プリント配線基板(図示せず)
側に接続される複数個の電源用端子73が形成されてお
り、電源用端子72、73はスルービアホール74を介
して接続されている。他方、基板上面71aにはLSI
チップ側に接続される複数個の信号用端子75が形成さ
れる一方、基板下面71bにおける電源用端子73の外
側には、プリント配線基板側に接続される複数個の信号
用端子76が形成されている。各信号用端子75、76
はブラインドビアホール77、79の一端部に接続さ
れ、ブラインドビアホール77、79の他端部77a、
79a間は信号配線(図示せず)を介して接続されてい
る。これら絶縁性基板71、電源用端子72、73、ス
ルービアホール74、信号用端子75、76、ブライン
ドビアホール77、79、信号配線等を含んで多層回路
基板70が構成されている。
【0007】このように構成された多層回路基板70で
は、プリント配線基板側から電源用端子73に導入され
た電力がスルービアホール74、及び電源用端子73と
同一のx、y座標を有する電源用端子72を介してLS
Iチップ側に供給されると共に、LSIチップ側から信
号用端子75に入力されたマイクロ波信号等がブライン
ドビアホール77、信号配線、ブラインドビアホール7
9、信号用端子76を介してプリント配線基板側に出力
され、あるいは逆にプリント配線基板側からLSIチッ
プ側へ出力される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記した多層回路基板
60においては、ブラインドビアホール67、69の他
端部67a、69aの間に複数個のスルービアホール6
4が介在しており、これら他端部67a、69aを直線
的に接続するのが困難であり、信号配線68a、68b
が湾曲し、この距離が長くなり易い。この結果、インピ
ーダンスが大きくなり、マイクロ波信号の伝送特性に劣
り、信号処理の高速化に対応することが難しいという課
題があった。
【0009】また上記した多層回路基板70において
は、各スルービアホール74間の間隔が狭いと、ブライ
ンドビアホール77、79の他端部77a、79a間を
信号配線により接続することが困難となり、結線率
((接続端子数×/全端子数)×100)が低下すると
いう課題があった。またこの問題に対処するため、各ス
ルービアホール74間の距離を広げると、電源用端子7
2間の間隔が広がり、LSIチップの高集積化に対応す
ることが難しいという課題があった。
【0010】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、LSIチップ側及びプリント配線基板側の電
源用端子が同一のx、y座標を有してそれぞれ形成さ
れ、LSIチップ側の電源用端子及び信号用端子が高密
度に配置されていても、LSIチップ側及びプリント配
線基板側の信号用端子間を短い距離で確実に接続するこ
とができ、信号処理の高速化と結線率の向上とを図ると
共に、LSIチップの高集積化に対応することができる
多層回路基板を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る多層回路基板は、基板の両面に複数個の
信号用端子と電源用端子とを備えると共に、前記基板の
内部に電源層を備えた多層回路基板において、前記基板
の内部に電源に対応する電源層が少なくとも2層形成さ
れ、これら電源層と前記電源用端子とがブラインドビア
ホールを介して接続されると共に、前記電源層どうしが
ベリィドビアホールを介して接続されていることを特徴
としている。
【0012】
【作用】上記構成の多層回路基板によれば、基板の内部
に電源に対応する電源層が少なくとも2層形成され、こ
れら電源層と電源用端子とがブラインドビアホールを介
して接続されると共に、前記電源層どうしがベリィドビ
アホールを介して接続されているので、前記基板の両面
に形成された前記電源用端子がそれぞれ同一のx、y座
標を有して高密度に配置されていても、前記電源層を介
して前記ベリィドビアホール間の距離を一旦広げ得るた
め、該ベリィドビアホール間を通る短い信号配線により
前記基板の両面側の信号用端子にそれぞれ接続されたブ
ラインドビアホールの他端部どうしが確実、かつ直線的
に接続されることとなる。この結果、前記信号配線にお
けるマイクロ波信号の伝送特性が向上し、信号処理の高
速化を図り得ることとなる。また結線率を向上させ得る
こととなり、LSIの小形化、高密度化及び多ピン化に
容易に対応し得、ピンのピッチが狭くなっても配線が実
現できる。
【0013】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る多層回路基板
の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明に係
る多層回路基板の実施例を模式的に示した断面図であ
り、図中11は絶縁性基板を示している。基板上面11
aにはLSIチップ(図示せず)側に接続される複数個
の電源用端子12a、12b、…が形成される一方、基
板下面11bにはプリント配線基板(図示せず)側に接
続される複数個の電源用端子13a、13b、…が形成
されている。また絶縁性基板11内部には複数個の信号
配線14a、14b、…と、複数個の電源層15a、1
5b、…、16a、16b、…とが形成されており、電
源層15a、16a、電源層15b、16b、電源層…
はそれぞれ電源に対応している。また電源用端子12
a、12bはブラインドビアホール17a、17b、…
を介して電源層15a、15b、…にそれぞれ接続さ
れ、電源層15a、15b、…はベリィドビアホール1
8a、18b、…を介して電源層16a、16b、…に
それぞれ接続されており、さらに電源層16a、16
b、…はブラインドビアホール19a、19b、…を介
して電源用端子13a、13b、…にそれぞれ接続され
ている。これら絶縁性基板11、電源用端子12a、1
2b、…、13a、13b、…、電源層15a、15
b、…、16a、16b、…、ブラインドビアホール1
7a、17b、…、19a、19b、…、ベリィドビア
ホール18a、18b、…、信号配線14a、14b、
…等を含んで多層回路基板10が構成されている。
【0014】図2は実施例に係る多層回路基板の図1と
は異なる一部分を詳細に示した模式的斜視図であり、図
中11は絶縁性基板を示している。基板上面11aには
複数個の例えば電源用端子12aが近接して略一列状に
形成される一方、基板下面11bにおける電源用端子1
2aと対向する箇所(同一のx、y座標を有する)に
は、複数個の例えば電源用端子13aが形成されてい
る。また絶縁性基板11内部には電源に対応する例えば
2個の電源層15a、16aが形成されており、電源層
15a、16a間は所定距離を有して分散させられた複
数個のベリィドビアホール18aを介して接続されると
共に、電源層15a、16aはブラインドビアホール1
7a、19aを介して電源用端子12a、13aにそれ
ぞれ接続されている。一方、基板上面11aにおける電
源用端子12aの右側にはLSIチップ側に接続される
複数個の信号用端子21が形成されており、信号用端子
21には電源層15aの孔23を貫通するブラインドビ
アホール24の一端部が接続されている。また基板下面
11bにおける電源用端子13aの左側にはプリント配
線基板側に接続される複数個の信号用端子22が形成さ
れており、信号用端子22には電源層16aの孔23を
貫通するブラインドビアホール25の一端部が接続され
ている。さらにブラインドビアホール24、25の他端
部24a、25a間は信号配線14aにより直線的に接
続されている。そしてプリント配線基板側から電源用端
子13aに導入された電力がブラインドビアホール19
a、電源層16a、ベリィドビアホール18a、電源層
15a、ブラインドビアホール17a、電源用端子12
aを介してLSIチップ側に供給される。またLSIチ
ップ側から信号用端子21に入力されたマイクロ波信号
等がブラインドビアホール24、信号配線14a、ブラ
インドビアホール25、信号用端子22を介してプリン
ト配線基板側に出力され、あるいは逆にプリント配線基
板側からLSIチップ側へ出力されるようになってい
る。
【0015】図3は実施例に係る多層回路基板のさらに
図2とは異なる別の一部分を詳細に示した模式的斜視図
であり、図中11は絶縁性基板を示している。基板上面
11aには複数個の例えば電源用端子12bが信号用端
子31を取り囲む態様で形成される一方、基板下面11
bにおける電源用端子12bと対向する箇所(同一の
x、y座標を有する)には複数個の例えば電源用端子1
3bが形成されている。また絶縁性基板11内部には電
源に対応する例えば2個の電源層15b、16bが形成
されており、電源層15b、16b間は所定距離を有し
て分散させられた複数個のベリィドビアホール18bを
介して接続されると共に、電源層15b、16bはブラ
インドビアホール17b、19bを介して電源用端子1
2b、13bにそれぞれ接続されている。他方、基板上
面11aに形成された複数個の信号用端子31には電源
層15bの孔33を貫通するブラインドビアホール34
の一端部が接続されている。また基板下面11bにおけ
る電源用端子13bの外側には複数個の信号用端子32
が形成されており、信号用端子32には電源層16bの
孔33を貫通するブラインドビアホール35の一端部が
接続されている。さらにブラインドビアホール34、3
5の他端部34a、35a間は信号配線14bにより直
線的に接続されている。そしてプリント配線基板側から
電源用端子13bに導入された電力がブラインドビアホ
ール19b、電源層16b、ベリィドビアホール18
b、電源層15b、ブラインドビアホール17b、電源
用端子12bを介してLSIチップ側に供給される。ま
たLSIチップ側から信号用端子31に入力されたマイ
クロ波信号等がブラインドビアホール34、信号配線1
4b、ブラインドビアホール35、信号用端子32を介
してプリント配線基板側に出力され、あるいは逆にプリ
ント配線基板側からLSIチップ側へ出力されるように
なっている。
【0016】以下に実施例に係る多層回路基板10を用
い、信号配線の長さ及び信号用端子の結線率を調査した
結果について説明する。なお比較例として、従来の多層
回路基板を採用した。図4は信号配線の長さ及び信号用
端子の結線率を調査する際に用いた多層回路基板の信号
配線を概略的に示した水平断面図であり、(a)は実施
例のものの場合、(b)は比較例のものの場合を示して
いる。図中黒丸は電源のベリィドビアホール18a、白
丸は信号のブラインドビアホール24を示し、図中14
a、14bは信号配線を示している(a)。また図中黒
丸は電源のスルービアホール74、白丸は信号のブライ
ンドビアホール77を示し、図中78a、78bは信号
配線を示している(b)。調査結果を下記の表1、表2
に示した。
【0017】
【表1】
【0018】
【表2】
【0019】表1、2から明らかなように、比較例に係
る従来の多層回路基板では、信号配線78a、78bの
長さが10.68mm、10.33mmであり、結線率
が89.3%であった。一方、実施例に係る多層回路基
板10では、信号配線14a、14bの長さが8.00
mm、8.34mmであり、結線率が100%であっ
た。
【0020】上記結果から明らかなように、実施例に係
る多層回路基板10では、絶縁性基板11の内部に電源
に対応する電源層15a、15b、…、電源層16a、
16b、…が2層形成され、電源層15a、15b、…
と電源用端子12a、12b、…とがブラインドビアホ
ール17a、17b、…を介して接続され、電源層16
a、16b、…と電源用端子13a、13b、…とがブ
ラインドビアホール19a、19b、…を介して接続さ
れると共に、電源層15a〜16a、15b〜16b、
…どうしがベリィドビアホール18a、18b、…を介
して接続されているので、絶縁性基板11の両面11
a、11bに形成された電源用端子12a、12b、
…、電源用端子13a、13b、…がそれぞれ同一の
x、y座標を有して高密度に配置されていても、電源層
15a、15b、…、電源層16a、16b、…を介し
てベリィドビアホール18a、18b、…間の距離を一
旦広げることができる。このためベリィドビアホール1
8a、18b、…間を通る短い信号配線14a、14
b、…により、ブラインドビアホール24、25の他端
部24a、25aどうしを確実、かつ直線的に接続する
ことができる(共に図2)。あるいブラインドビアホー
ル34、35の他端部34a、35aどうしを確実、か
つ直線的に接続することができる(共に図3)。これら
の結果、信号配線14a、14b、…におけるマイクロ
波信号の伝送特性が向上し、信号処理の高速化を図るこ
とができる。また結線率を向上させることができ、LS
Iの小形化、高密度化及び多ピン化に容易に対応し得、
ピンのピッチが狭くなっても配線が実現できる。
【0021】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る多層回
路基板にあっては、基板の内部に電源に対応する電源層
が少なくとも2層形成され、これら電源層と電源用端子
とがブラインドビアホールを介して接続されると共に、
前記電源層どうしがベリィドビアホールを介して接続さ
れているので、前記基板の両面に形成された前記電源用
端子がそれぞれ同一のx、y座標を有して高密度に配置
されていても、前記電源層を介して前記ベリィドビアホ
ール間の距離を一旦広げることができるため、該ベリィ
ドビアホール間を通る短い信号配線により前記基板の両
面側の信号用端子にそれぞれ接続されたブラインドビア
ホールの他端部どうしを確実、かつ直線的に接続するこ
とができる。この結果、前記信号配線におけるマイクロ
波信号の伝送特性が向上し、信号処理の高速化を図るこ
とができる。また結線率を向上させると共に、LSIの
小形化、高密度化及び多ピン化に容易に対応し得、ピン
のピッチが狭くなっても配線が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る多層回路基板の実施例を模式的に
示した断面図である。
【図2】実施例に係る多層回路基板の一部を詳細に示し
た模式的斜視図である。
【図3】実施例に係る多層回路基板の別の一部を詳細に
示した模式的斜視図である。
【図4】信号配線の長さ及び信号用端子の結線率を調査
する際に用いた多層回路基板の信号配線を概略的に示し
た水平断面図であり、(a)は実施例のものの場合、
(b)は比較例のものの場合を示している。
【図5】ビアホールの種類を説明するために示した断面
図であり、(a)はスルービアホール、(b)はブライ
ンドビアホール、(c)はベリィドビアホールである。
【図6】従来の多層回路基板の一部を模式的に示した斜
視図である。
【図7】従来の別の多層回路基板の一部を模式的に示し
た斜視図である。
【符号の説明】
10 多層回路基板 11 絶縁性基板 11a 基板上面 11b 基板下面 12a、12b、…、13a、13b、… 電源用端子 15a、15b、…、16a、16b、… 電源層 17a、17b、…、19a、19b、… ブラインド
ビアホール 18a、18b、… ベリィドビアホール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の両面に複数個の信号用端子と電源
    用端子とを備えると共に、前記基板の内部に電源層を備
    えた多層回路基板において、前記基板の内部に電源に対
    応する電源層が少なくとも2層形成され、これら電源層
    と前記電源用端子とがブラインドビアホールを介して接
    続されると共に、前記電源層どうしがベリィドビアホー
    ルを介して接続されていることを特徴とする多層回路基
    板。
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