JP2002118367A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

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JP2002118367A JP2000266281A JP2000266281A JP2002118367A JP 2002118367 A JP2002118367 A JP 2002118367A JP 2000266281 A JP2000266281 A JP 2000266281A JP 2000266281 A JP2000266281 A JP 2000266281A JP 2002118367 A JP2002118367 A JP 2002118367A
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capacitor
resin
substrate
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Motoo Asai
Yasushi Inagaki
Touto O
Seiji Shirai
Hideo Yahashi
元雄 浅井
東冬 王
誠二 白井
英郎 矢橋
靖 稲垣
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Ibiden Co Ltd
イビデン株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ループインダクタンスを低減したプリント配
線板及びプリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】 第1、第2、第3樹脂基板30a、30
b、30cを積層することによりコア基板30を形成
し、該コア基板30内に、チップコンデンサ20を配設
する。これにより、ループインダクタンスを低減するこ
とが可能となる。コア基板30の銅箔32の開口32a
をコンフォーマルマスクとして、レーザで開口38を穿
設するため、バイアホール50をチップコンデンサ20
と適切に接続することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は、ICチップなど
の電子部品を載置するプリント基板及びその製造方法に
関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びそ
の製造方法に関するものである。

【0002】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ICチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。

【0003】チップコンデンサからICチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ICチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平11−248311号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平6−326472号、
特開平7−263619号、特開平10−256429
号、特開平11−45955号、特開平11−1269
78号、特開平11−312868号等がある。

【0004】特開平6−326472号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平7−
263619号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【0005】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平6−326472号、特開平7−263619
号は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ICチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。

【0006】一方、特願平11−248311号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からICチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。

【0007】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵
し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提供することにある。

【0008】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項1のプリント配線板は、コンデンサを収容
するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に
積層してなるプリント配線板であって、前記コンデンサ
を収容するコア基板が、第1の樹脂基板と、コンデンサ
を収容する開口を有する第2の樹脂基板と、第3の樹脂
基板とを、接着板を介在させて積層してなり、前記コア
基板の両面に、前記コンデンサの端子と接続するバイア
ホールを配設したことを技術的特徴とする。

【0009】請求項1のプリント配線板では、コア基板
内にコンデンサを収容することが可能となり、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線
板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基
板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ること
ができる。更に、コア基板の両面に第1樹脂基板、第3
樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するた
め、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適
切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。更に、コア基板の両面に
バイアホールを設けてあるため、ICチップとコンデン
サとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距
離で接続することができ、外部接続基板からICチップ
への瞬時的な大電力供給が可能になる。

【0010】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。

【0011】また、接続用配線を配設することにより、
コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。
そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化を
することができる。

【0012】コンデンサと基板との間には樹脂が充填さ
れることが望ましい。コンデンサと基板間の空隙をなく
すことによって、内蔵されたコンデンサが挙動すること
が小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生し
ても、該充填された樹脂により緩和することができる。
また、該樹脂にはコンデンサとコア基板とを接着させ、
マイグレーションを低下させるという効果も有する。

【0013】請求項2では、接着板が心材に熱硬化性樹
脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせ
ることができる。

【0014】請求項3では、第1、第2、第3樹脂基板
は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い
強度を持たせることができる。具体例としてガラスエポ
キシ、ガラスフェノルなどの補強材が含浸されているも
のを用いることができる。

【0015】請求項4では、コア基板内に複数個のコン
デンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。そのために、より多くの静電容量を確保すること
ができる。

【0016】請求項5では、第2の樹脂基板に導体回路
が形成されているため、基板の配線密度を高め、層間樹
脂絶縁層の層数を減らすことができる。

【0017】請求項6では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ICチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【0018】請求項7では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のICチ
ップの動作が確保される。

【0019】請求項8では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のICチップの動作が確保される。

【0020】請求項9、10では、金属膜を形成したチ
ップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホール
で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサ
の電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金
属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成する
ため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、
樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性
を高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。

【0021】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することも出来る。

【0022】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施してもよい。これにより、セラミックから成るチッ
プコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層と
の密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【0023】請求項11では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に
熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラッ
ク、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

【0024】請求項12では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がCuであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。

【0025】請求項13では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【0026】請求項14では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【0027】請求項15では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にI
Cチップを動作させることができる。

【0028】請求項16のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下(a)〜(d)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)第1の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを
取り付ける工程; (b)第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板と
を、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹脂
基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層
してコア基板とする工程; (c)レーザを照射して、前記コア基板に前記コンデン
サへ至るバイアホール用開口を形成する工程; (d)前記バイアホール用開口にバイアホールを形成す
る工程。

【0029】請求項16では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ICチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。

【0030】請求項17のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下(a)〜(f)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)第1の樹脂基板の片面の金属膜にバイアホール形
成用開口を形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板と
を、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹脂
基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接
着板を介在させて積層する工程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程; (e)前記第1の樹脂基板の前記金属膜に形成された前
記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コ
ンデンサへ至るバイアホール用開口を形成する工程; (f)前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
する工程。

【0031】請求項17では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ICチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第1の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより
開口を設け、開口の位置にレーザを照射することによ
り、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホ
ール用の開口を設けている。これにより、バイアホール
の開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。

【0032】請求項18のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下(a)〜(f)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)片面に金属膜を貼り付けた第1の樹脂基板および
第3の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を
形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)前記第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
る開口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板
とを、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2
の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹
脂基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程; (e)前記第1の樹脂基板および前記第3の樹脂基板に
形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射
して、前記コンデンサへ至るバイアホール用開口を形成
する工程; (f)前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
する工程。

【0033】請求項18では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ICチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第1、第3の樹脂基板の金属膜に、エッチングなど
により開口を設け、開口の位置にレーザを照射すること
により、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイ
アホール用の開口を設けている。これにより、バイアホ
ールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになる
ため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可
能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度
も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レー
ザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置
に形成することが可能となる。

【0034】その上、樹脂基板を積層してなるためコア
基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板
の両面に第1樹脂基板、第3樹脂基板を配設することで
コア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹
脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてある
ため、ICチップとコンデンサとを、また、外部接続基
板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、
外部接続基板からICチップへの瞬時的な大電力供給が
可能になる。

【0035】請求項19のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下(a)〜(g)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)片面に金属膜を貼り付けた第1の樹脂基板および
第3の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)前記第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
る開口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板
とを、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2
の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹
脂基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程; (e)前記第1の樹脂基板および前記第3の樹脂基板に
形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板
の両面にコンデンサへ至るバイアホール用開口を形成す
る工程; (f)前記金属膜を除去、又は、薄くする工程; (g)前記コア基板に、導体回路およびバイアホールを
形成する工程。

【0036】請求項19では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ICチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第1、第3の樹脂基板の金属膜に、エッチングなど
により開口を設け、開口の位置にレーザを照射すること
により、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイ
アホール用の開口を設けている。その後、金属膜をエッ
チングなどにより除去する。これにより、バイアホール
の開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。また、金属膜をエッチングな
どにより除去することにより、配線の厚さを薄く形成す
ることができるので、ファインピッチな配線を形成する
ことが可能となる。

【0037】その上、樹脂基板を積層してなるためコア
基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板
の両面に第1樹脂基板、第3樹脂基板を配設することで
コア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹
脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。

【0038】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図7及び図8を参
照して説明する。図7は、プリント配線板10の断面を
示し、図8は、図7に示すプリント配線板10にICチ
ップ90を搭載し、ドータボード95側へ取り付けた状
態を示している。

【0039】図7に示すように、プリント配線板10
は、複数個のチップコンデンサ20を収容するコア基板
30と、ビルドアップ配線層80A、80Bとからな
る。ビルドアップ配線層80A、80Bは、層間樹脂絶
縁層60、160からなる。ビルドアップ配線層80
A、80Bの層間樹脂絶縁層60には、導体回路148
及びバイアホール150が形成され、層間樹脂絶縁層1
60には、導体回路248及びバイアホール250が形
成されている。層間樹脂絶縁層160の上には、ソルダ
ーレジスト層70が形成されている。コア基板30に
は、チップコンデンサ20と接続するバイアホール50
及び導体回路48が配設されている。ビルドアップ配線
層80Aとビルドアップ配線層80Bとは、コア基板3
0に形成されたスルーホール52を介して接続されてい
る。

【0040】チップコンデンサ20は、図7に示すよう
に第1電極21と第2電極22と、第1、第2電極に挟
まれた誘電体23とから成り、誘電体23には、第1電
極21側に接続された第1導電膜24と、第2電極22
側に接続された第2導電膜25とが複数枚対向配置され
ている。

【0041】図8に示すように、上側のビルドアップ配
線層80Aには、ICチップ90のパッド92E,92
P、92Sへ接続するための半田バンプ76Uが配設さ
れている。一方、下側のビルドアップ配線層80Bに
は、ドータボード95のパッド94E1,94E2,9
4P1、94P2、94Sへ接続するための半田バンプ
76Dが配設されている。

【0042】ICチップ90の信号用パッド92Sは、
バンプ76U−導体回路248−バイアホール250−
導体回路148−バイアホール150−スルーホール5
2−バイアホール150−導体回路148−バイアホー
ル250−導体回路248−バンプ76Dを介して、ド
ータボード95の信号用パッド94Sへ接続されてい
る。

【0043】ICチップ90の接地用パッド92Eは、
バンプ76U−バイアホール250−導体回路148−
バイアホール150−導体回路48−バイアホール50
を介してチップコンデンサ20の第1電極21へ接続さ
れている。一方、ドータボード95の接地用パッド94
E1は、バンプ76D−バイアホール250−導体回路
148−バイアホール150−スルーホール52−導体
回路48−バイアホール50を介してチップコンデンサ
20の第1電極21へ接続されている。また、接地用パ
ッド94E2は、バンプ76D−バイアホール250−
導体回路148−バイアホール150−導体回路48−
バイアホール50を介してチップコンデンサ20の第1
電極21へ接続されている。

【0044】ICチップ90の電源用パッド92Pは、
バンプ76U−バイアホール250−導体回路148−
バイアホール150−導体回路48−バイアホール50
を介してチップコンデンサ20の第2電極22へ接続さ
れている。一方、ドータボード95の電源用パッド94
P1は、バンプ76D−バイアホール250−導体回路
148−バイアホール150−スルーホール52−導体
回路48−バイアホール50を介してチップコンデンサ
20の第2電極22へ接続されている。また、電源用パ
ッド94P2は、バンプ76D−バイアホール250−
導体回路148−バイアホール150−導体回路48−
バイアホール50を介してチップコンデンサ20の第1
電極22へ接続されている。この実施形態では、スルー
ホール52を介してチップコンデンサ20の第1、第2
電極21、22へドータボード95側から接続したが、
スルーホールを介しての接続を省略することも可能であ
る。

【0045】図7に示すように、本実施形態のコア基板
30は、チップコンデンサ20が接着材料を介して接続
された第1樹脂基板30aと、第1樹脂基板30aに接
着用樹脂層(接着板)36aを介して接続された第2樹
脂基板30bと、第2樹脂基板30bに接着用樹脂層
(接着板)36bを介して接続された第3樹脂基板30
cとからなる。第2樹脂基板30bには、チップコンデ
ンサ20を収容可能な開口30Bが形成されている。

【0046】これにより、コア基板30内にチップコン
デンサ20を収容することができるため、ICチップ9
0とチップコンデンサ20との距離が短くなり、プリン
ト配線板10のループインダクタンスを低減できる。ま
た、第1樹脂基板30a、第2樹脂基板30b、第3樹
脂基板30cを積層してなるので、コア基板30に十分
な強度を得ることができる。更に、コア基板30の両面
に第1樹脂基板30a、第3樹脂基板30cを配設する
ことでコア基板30を平滑に構成するため、コア基板3
0の上に層間樹脂絶縁層60、160および導体回路1
48、248、バイアホール150、250を適切に形
成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低
下させることができる。

【0047】また、この実施形態では、コア基板30の
両面にバイアホール50を設けてあるため、ICチップ
90とチップコンデンサ20とを、また、ドータボード
95とチップコンデンサ20とを最短の距離で接続する
ことができ、ドータボードからICチップへの瞬時的な
大電力供給が可能になる。

【0048】更に、本実施形態では、図1(D)に示す
ように第1樹脂基板30aとチップコンデンサ20との
間に絶縁性接着剤34を介在させてある。ここで、接着
剤34の熱膨張率を、コア基板30よりも小さく、即
ち、セラミックからなるチップコンデンサ20に近いよ
うに設定してある。このため、ヒートサイクル試験にお
いて、コア基板及び接着層40とチップコンデンサ20
との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板
にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成でき
る。また、マイグレーションの発生を防止することも出
来る。

【0049】引き続き、図7を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図1〜図7を参照して説
明する。

【0050】(1)厚さ0.1mmのガラスクロス等の
心材にBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を含浸さ
せて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔32がラミネート
されている片面銅張積層板30M(第1樹脂基板30a
および第3樹脂基板30c)を出発材料とする(図1
(A)参照)。次に、この銅貼積層板30Mの銅箔32
をパターン状にエッチングすることにより、銅箔32に
バイアホール形成用開口32aを形成する(図1(B)
参照)。

【0051】(2)その後、第1樹脂基板30aの銅箔
32がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱
硬化系またはUV硬化系の接着材料34を塗布する(図
1(C)参照)。このとき、塗布以外にも、ポッティン
グなどをしてもよい。次に、接着材料34上に複数個の
セラミックから成るチップコンデンサ20を載置し、接
着材料34を介して、第1樹脂基板30aにチップコン
デンサ20を接着する(図1(D)参照)。チップコン
デンサ20は、1個でも複数個でもよいが、複数個のチ
ップコンデンサ20を用いることにより、コンデンサの
高集積化が可能となる。

【0052】(3)次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ(接着用樹脂層)36
a、36b及びガラスクロス等の心材にBT樹脂を含浸
させて硬化させた第2樹脂基板30b(厚さ0.4m
m)を用意する。プリプレグ36a及び第2樹脂基板3
0bには、チップコンデンサ20を収容可能な開口36
A、30Bを形成しておく。まず、銅箔32がラミネー
トされた面を下にした第3樹脂基板30cの上に、プリ
プレグ36bを介して第2樹脂基板30bを載置する。
次に、第2樹脂基板30bの上にプリプレグ36aを介
して、第1樹脂基板30aを反転して載置する。即ち、
第1樹脂基板30aに接続されたチップコンデンサ20
がプリプレグ36a側を向き、第2樹脂基板30bに形
成された開口30Bにチップコンデンサ20を収容でき
るように重ね合わせる(図2(A)参照)。これによ
り、コア基板30内にチップコンデンサ20を収容する
ことが可能となり、ループインダクタンスを低減させた
プリント配線板を提供することができる。

【0053】なお、コア基板をセラミックやAINなど
の基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工
性が悪く、コンデンサを収容することができないことが
あり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためであ
る。

【0054】(4)そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第1、第2、第
3樹脂基板30a、30b、30cを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ20を有するコア基板3
0を形成する(図2(B)参照)。ここでは、先ず、加
圧されることでプリプレグ36a、36bからエポキシ
樹脂(絶縁性樹脂)を周囲に押し出し、開口30Bとチ
ップコンデンサ20との間の隙間を充填させる。更に、
加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化
し、プリプレグ36a、36bを接着用樹脂(接着板)
として介在させることで、第1樹脂基板30aと第2樹
脂基板30bと第3樹脂基板30cとを強固に接着させ
る。なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキ
シ樹脂により、開口30B内の隙間を充填したが、この
代わりに、開口30B内に充填材を配置しておくことも
可能である。ここで、コア基板30の両面に平滑な第1
樹脂基板30a、第3樹脂基板30cが配置されるの
で、コア基板30の平滑性が損なわれず、後述する工程
で、コア基板30の上に層間樹脂絶縁層60、160お
よび導体回路148、248、バイアホール150、2
50を適切に形成することができ、プリント配線板の不
良品発生率を低下させることができる。また、コア基板
30に十分な強度を得ることができる。

【0055】(5)次いで、レーザを照射して銅箔32
のバイアホール形成用開口32aから露出する部位を除
去し、チップコンデンサ20の第1電極21及び第2電
極22へ至るバイアホール用開口38を形成する。即
ち、銅箔32をコンフォマルマスクとして用い、レーザ
によりコア基板30にバイアホール用開口38を形成す
る。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う(図
2(C)参照)。これにより、バイアホールの開口径
は、銅箔32のバイアホール形成用開口32aの開口径
に依存することになるため、バイアホールを適切な開口
径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホ
ールの開口位置精度も、銅箔32のバイアホール形成用
開口32aの開口位置に依存することになるため、レー
ザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置
に形成することが可能となる。

【0056】(6)そして、コア基板30にドリル又は
レーザにより、スルーホール用貫通孔40を形成する
(図2(D)参照)。この後、酸素プラズマを用いてデ
スミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液
によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【0057】(7)次に、日本真空技術株式会社製のS
V−4540を用いてプラズマ処理を行い、コア基板3
0の全表面に粗化面を形成する。この際、不活性ガスと
してはアルゴンガスを使用し、電力200W、ガス圧
0.6Pa、温度70℃の条件で、2分間プラズマ処理
を実施する。その後、Ni及びCuをターゲットにした
スパッタリングを行い、Ni/Cu金属層42をコア基
板30の表面に形成する(図3(A)参照)。ここで
は、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、
銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合
によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を
形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理
を施してもよい。また、粗化層は、0.1〜5μmが望
ましい。

【0058】(8)次に、Ni/Cu金属層42の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト44を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板30を浸漬
し、Ni/Cu金属層42を介して電流を流し、レジス
ト44非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解
めっき膜46を形成する(図3(B)参照)。

【0059】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 120分 温度 22±2℃

【0060】(9)レジスト44を5%NaOHで剥離
除去した後、そのレジスト44下のNi/Cu合金層4
2及び銅箔32を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液
を用いるエッチングにて溶解除去し、銅箔32及びNi
/Cu合金層42、電解めっき膜46からなる導体回路
48(バイアホール50を含む)及びスルーホール52
を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エ
ッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体
回路48(バイアホール50を含む)及びスルーホール
52の表面をエッチングすることにより、導体回路48
(バイアホール50を含む)及びスルーホール52の全
表面に粗化面54を形成する(図3(C)参照)。エッ
チング液として、イミダゾール銅(II)錯体10重量
部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量部およ
びイオン交換水78重量部を混合したものを使用する。

【0061】(10)エポキシ系樹脂を主成分とする樹
脂充填剤56を、基板30の両面に印刷機を用いて塗布
することにより、導体回路48間またはスルーホール5
2内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程によ
り、樹脂充填剤56が導体回路48の間、バイアホール
50、スルーホール52内に充填される(図3(D)参
照)。

【0062】(11)上記(10)の処理を終えた基板
30の片面を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路48の表面やス
ルーホール52のランド表面52aに樹脂充填剤56が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板30の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤56を加熱硬化させ
る。このようにして、スルーホール52等に充填された
樹脂充填剤56の表層部および導体回路48上面の粗化
面54を除去して基板30両面を平滑化し、樹脂充填剤
56と導体回路48とが粗化面54を介して強固に密着
し、またスルーホール52の内壁面と樹脂充填剤56と
が粗化面54を介して強固に密着した配線基板を得る。
次に、基板30の両面に、上記(9)で用いたエッチン
グ液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平
坦化された導体回路48の表面とスルーホール52のラ
ンド表面52aとをエッチングすることにより、導体回
路48の全表面に粗化面58を形成する(図4(A)参
照)。

【0063】(12)上記工程を経た基板30に、後述
する熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度50〜150
℃まで昇温しながら圧力5kg/cm2で真空圧着ラミ
ネートし、層間樹脂絶縁層60を設ける(図4(B)参
照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgである。

【0064】(13)次いで、層間樹脂絶縁層60にレ
ーザによりバイアホール用開口138を形成する(図4
(C)参照)。

【0065】(14)次に、(7)の工程で用いた、日
本真空技術株式会社製のSV−4540を用いてプラズ
マ処理を行い、層間樹脂絶縁層60の表面に粗化面60
αを形成する(図4(D)参照)。酸あるいは酸化剤に
よって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、0.
1〜5μmが望ましい。

【0066】(15)その後、(7)の工程と同様に、
Ni及びCuをターゲットにしたスパッタリングを行
い、Ni/Cu金属層142を層間樹脂絶縁層60の表
面に形成する(図5(A)参照)。ここでは、スパッタ
を用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等
の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパ
ッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよ
い。

【0067】(16)次に、(8)の工程と同様に、N
i/Cu金属層142の表面に感光性ドライフィルムを
貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定
パターンのレジスト144を形成する。そして、電解め
っき液に基板を浸漬し、Ni/Cu金属層142を介し
て電流を流し、レジスト144非形成部に電解めっきを
施し、電解めっき膜146を形成する(図5(B)参
照)。

【0068】(17)その後(9)の工程と同様の処理
をして、Ni/Cu合金層142及び電解めっき膜14
6からなる導体回路148(バイアホール150を含
む)を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した
後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて
エッチングすることにより、導体回路148(バイアホ
ール150を含む)の全表面に粗化面154を形成する
(図5(C)参照)。

【0069】(18)さらに(12)〜(17)の工程
を繰り返すことにより、上層に層間樹脂絶縁層260及
び導体回路248(バイアホール250を含む)、粗化
面254を形成する(図5(D)参照)。

【0070】(19)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。

【0071】(20)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層70
に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で露光し、
DMTG溶液で現像処理し、開口71U、71Dを形成
する(図6(A)参照)。

【0072】(21)次に、ソルダーレジスト層(有機
樹脂絶縁層)70を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亞リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部71
U、71Dに厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム(7.
6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×
10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×1
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×1
-1mol/l)を含む無電解めっき液に80℃の条件
で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ
0.03μmの金めっき層74を形成する(図6(B)
参照)。

【0073】(22)この後、ソルダーレジスト層70
の開口部71に、はんだペーストを印刷して、200℃
でリフローすることにより、はんだバンプ(半田体)7
6U、76Dを形成する。これにより、半田バンプ76
U、76Dを有するプリント配線板10を得ることがで
きる(図7参照)。

【0074】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板10へのICチップ90の載置および、ドータボー
ド95への取り付けについて、図8を参照して説明す
る。完成したプリント配線板10の半田バンプ76Uに
ICチップ90の半田パッド92E,92P、92Sが
対応するように、ICチップ90を載置し、リフローを
行うことでICチップ90の取り付けを行う。同様に、
プリント配線板10の半田バンプ76Dにドータボード
95のパッド94E1,94E2,94P1、94P
2、94Sが対応するように、リフローすることで、ド
ータボード95へプリント配線板10を取り付ける。

【0075】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。

【0076】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。

【0077】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。

【0078】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【0079】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【0080】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【0081】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【0082】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【0083】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。

【0084】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【0085】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【0086】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。

【0087】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。さらに
は、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【0088】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【0089】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。

【0090】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【0091】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【0092】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【0093】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【0094】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。

【0095】引き続き、本発明の第1実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図9を参照して説明す
る。改変例のプリント配線板は、上述した第1実施形態
とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板
では、導電性ピン96が配設され、該導電性ピン96を
介してドータボードとの接続を取るように形成されてい
る。

【0096】また、上述した第1実施形態では、コア基
板30に収容されるチップコンデンサ20のみを備えて
いたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコ
ンデンサ86が実装されている。

【0097】ICチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ICチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ20及びチップコンデンサ86を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図14を参照して説明する。

【0098】図14は、縦軸にICチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線C
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Aは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Cと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Bは、図8を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板30に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Eは、図9を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ20を、また表面に大容量のチップコンデン
サ86を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を
示している。ICチップの近傍にチップコンデンサ20
を、また、大容量(及び相対的に大きなインダクタン
ス)のチップコンデンサ86を備えることで、電圧変動
を最小に押さえている。

【0099】引き続き、本発明の第2実施形態に係るプ
リント配線板210について、図13を参照して説明す
る。この第2実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第1実施形態とほぼ同様である。図7を参照して上
述した第1実施形態では、導体回路48が銅箔32及び
Ni/Cu合金層42、電解めっき膜46の3層で構成
されていた。これに対して、第2実施形態のプリント配
線板110では、導体回路48が無電解めっき膜43と
電解めっき膜46との2層で構成されている。即ち、銅
箔32を除去し、厚さを薄くすることで、導体回路48
をファインピッチに形成してある。

【0100】また、第2実施形態のプリント配線板21
0では、チップコンデンサ20を収容する開口30Bを
設けた第2樹脂基板30bの両面に、導体回路33が形
成されている。この第2実施形態では、第2樹脂基板3
0bの両面に導体回路33が形成されているため、コア
基板30内の配線密度を高めることができ、ビルドアッ
プする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能とな
る。

【0101】また、第2実施形態のプリント配線板で
は、チップコンデンサ20が、図15(A)に示すよう
に第1、第2電極21,22の被覆層(図示せず)を完
全に剥離した後、銅めっき膜29により被覆してある。
そして、銅めっき膜29で被覆した第1、第2電極2
1,22に銅めっきよりなるバイアホール50で電気的
接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極2
1,22は、メタライズからなり表面に凹凸がある。こ
のため、金属層を剥き出した状態で用いると、接続層4
0に非貫通孔43を穿設する工程において、該凹凸に樹
脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより
第1、第2電極21,22とバイアホール50との接続
不良が発生することがある。これに対して、第2実施形
態では、銅めっき膜29によって第1、第2電極21,
22の表面が平滑になり、電極上に被覆された第1樹脂
基板30aに開口38を穿設した際に、樹脂残さが残ら
ず、バイアホール50を形成した際の電極21,22と
の接続信頼性を高めることができる。

【0102】更に、銅めっき膜29の形成された電極2
1、22に、めっきによりバイアホール50を形成する
ため、電極21、22とバイアホール50との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極21、2
2とバイアホール50との間で断線が生じることがな
い。マイグレーションの発生もなく、コンデンサのバイ
アホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。

【0103】なお、上記銅めっき膜29は、チップコン
デンサの製造段階で金属層26の表面に被覆されたニッ
ケル/スズ層(被覆層)を、プリント配線板への搭載の
段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコン
デンサ20の製造段階で、金属層26の上に直接銅めっ
き膜29を被覆することも可能である。即ち、第2実施
形態では、第1実施形態と同様に、レーザにて電極の銅
めっき膜29へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を
行い、バイアホールを銅めっきにより形成する。従っ
て、銅めっき膜29の表面に酸化膜が形成されていて
も、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できる
ため、適正に接続を取ることができる。

【0104】また、図15(B)に示すようにチップコ
ンデンサ20の第1電極21、第2電極22の被覆層2
8から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層28から露出した第1電極21、第2電極22に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層28か
ら露出した金属は、主成分がCuであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。

【0105】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ20と樹脂からなる接着層40との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での第1樹脂基板3
0aの剥離が発生することがない。この粗化層23a
は、焼成後に、チップコンデンサ20の表面を研磨する
ことにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことによ
り形成できる。なお、第2実施形態では、コンデンサの
表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、こ
の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処
理を施すことも可能である。

【0106】本発明の第2実施形態に係るプリント配線
板の製造工程について、図10〜図12を参照して説明
する。

【0107】(1)厚さ0.1mmのガラスクロス等の
心材にBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を含浸さ
せて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔32がラミネート
されている片面銅張積層板30M(第1樹脂基板30a
および第3樹脂基板30c)を用意する。また、厚さ
0.4mmのガラスクロス等の心材にBT(ビスマレイ
ミドトリアジン)樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板
の両面に銅箔32がラミネートされている両面銅張積層
板30N(第2樹脂基板30b)を用意する(図10
(A)参照)。

【0108】(2)次に、この銅貼積層板30Mの銅箔
32をパターン状にエッチングすることにより、銅箔3
2にバイアホール形成用開口32aを形成する。同様
に、両面銅張積層板30Nの銅箔32をパターン状にエ
ッチングし、導体回路33を形成する(図10(B)参
照)。第2実施形態では、第2樹脂基板30bの両面に
導体回路33が形成されているため、コア基板の配線密
度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁
層の層数を減らすことができる利点がある。

【0109】(3)その後、第1樹脂基板30aの銅箔
32がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱
硬化系またはUV硬化系の接着材料34を塗布する(図
10(C)参照)。このとき、塗布以外にも、ポッティ
ングなどをしてもよい。次に、接着材料34上に複数個
のセラミックから成るチップコンデンサ20を載置し、
接着材料34を介して、第1樹脂基板30aにチップコ
ンデンサ20を接着する(図10(D)参照)。チップ
コンデンサ20は、1個でも複数個でもよいが、複数個
のチップコンデンサ20を用いることにより、コンデン
サの高集積化が可能となる。

【0110】(4)次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ(接着用樹脂層)36
a、36bおよび第2樹脂基板30bを用意する。プリ
プレグ36a及び第2樹脂基板30bには、チップコン
デンサ20を収容可能な開口36A、30Bを形成して
おく。まず、銅箔32がラミネートされた面を下にした
第3樹脂基板30cの上に、プリプレグ36bを介して
第2樹脂基板30bを載置する。次に、第2樹脂基板3
0bの上にプリプレグ36aを介して、第1樹脂基板3
0aを反転して載置する。即ち、第2樹脂基板30bに
形成された開口30Bにチップコンデンサ20が収容で
きるように重ね合わせる(図11(A)参照)。これに
より、コア基板30内にチップコンデンサ20を収容す
ることが可能となり、ループインダクタンスを低減させ
たプリント配線板を提供することができる。

【0111】(5)そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第1、第2、第
3樹脂基板30a、30b、30cを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ20を有するコア基板3
0を形成する(図11(B)参照)。なお、本実施形態
では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口3
0B内の隙間を充填したが、この代わりに、開口30B
内に充填材を配置しておくことも可能である。ここで、
コア基板30の両面が平滑な第1樹脂基板30a、第3
樹脂基板30cなので、コア基板30の平滑性が損なわ
れず、後述する工程で、コア基板30の上に層間樹脂絶
縁層60、160および導体回路148、248、バイ
アホール150、250を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。また、コア基板30に十分な強度を得ることができ
る。

【0112】(6)次いで、基板上からレーザを照射し
て銅箔32のバイアホール形成用開口32aから露出す
る部位を除去し、チップコンデンサ20の第1電極21
及び第2電極22へ至るバイアホール用開口38を形成
する。即ち、銅箔32をコンフォマルマスクとして用
い、レーザによりコア基板30にバイアホール用開口3
8を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面に
も行う(図11(C)参照)。これにより、バイアホー
ルの開口径は、銅箔32のバイアホール形成用開口32
aの開口径に依存することになるため、バイアホールを
適切な開口径で形成することが可能となる。また同様
に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔32のバイア
ホール形成用開口32aの開口位置に依存することにな
るため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホール
を適切な位置に形成することが可能となる。

【0113】(7)その後、コア基板30の両面の銅箔
32を、エッチング液を用いてエッチングすることによ
り除去する。これにより、後述する工程で導体回路48
の厚さを薄く形成することができ、ファインピッチに形
成することが可能となる。次に、コア基板30にドリル
又はレーザにより、スルーホール用貫通孔40を形成す
る(図11(D)参照)。この後、酸素プラズマを用い
てデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの
薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【0114】(8)次に、日本真空技術株式会社製のS
V−4540を用いてプラズマ処理を行い、コア基板3
0の全表面に粗化面41を形成する(図12(A)参
照)。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用
し、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度70℃の条
件で、2分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸化
剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、
0.1〜5μmが望ましい。

【0115】(9)次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板30を浸漬して、粗化面41全体に厚さ
0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜43を形成する
(図12(B)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 35℃の液温度で40分 ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタによ
り、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、
場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき
膜を形成させてもよい。

【0116】(10)市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜43に貼り付け、マスクを載置して、1
00mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ30μmのめっき
レジスト44を設ける。次に、基板30を50℃の水で
洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ2
0μmの電解銅めっき膜46を形成する(図12(C)
参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃

【0117】(11)めっきレジスト44を5%NaO
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト44下の無電
解めっき膜43を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜43と電解銅
めっき膜46からなる厚さ18μmの導体回路48(バ
イアホール50を含む)及びスルーホール52を形成す
る(図12(D)参照)。第2実施形態では、上述した
ように予め銅箔32を除去することで、導体回路48の
厚さを薄くすることができ、ファインピッチに形成する
ことが可能となる。なお、ここでは、銅箔32を完全に
除去を剥離したが、ライトエッチングにより銅箔32を
薄くすることでも、導体回路48の厚さを薄くでき、フ
ァインピッチに形成することが可能となる。

【0118】以降の工程は、上述した第1実施形態の
(10)〜(19)と同様であるため説明を省略する。

【0119】上述した実施形態では、コア基板の両面に
バイアホールを設けたが、片面のみにバイアホールを形
成することも可能である。また、コア基板30の表面の
銅箔32の開口32aをコンフォマルマスクとして用い
たが、コア基板30のコンフォマルマスクを用いること
なくレーザを照射してコンデンサへ至る開口を設けるこ
ともできる。

【0120】引き続き、本発明の第3実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図16を参照して説明す
る。この第3実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板3
0への収容されるチップコンデンサ20が異なる。図1
6は、チップコンデンサの平面図を示している。図16
(A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第1実施形態のプリント配線板では、図16(B)に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第1電極
21及び第2電極22を配設してある。図16(C)
は、第3実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第3実施形態のプリント配線板では、図16(D)
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。

【0121】この第3実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ20を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。引き続き、第3実施形態の第1改変例に係
るプリント配線板図17を参照して説明する。図17
は、第1改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容
されるチップコンデンサ20の平面図を示している。上
述した第1実施形態では、複数個の小容量のチップコン
デンサをコア基板に収容したが、第1改変例では、大容
量の大判のチップコンデンサ20をコア基板に収容して
ある。ここで、チップコンデンサ20は、第1電極21
と第2電極22と、誘電体23と、第1電極21へ接続
された第1導電膜24と、第2電極22側に接続された
第2導電膜25と、第1導電膜24及び第2導電膜25
へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用
の電極27とから成る。この電極27を介してICチッ
プ側とドータボード側とが接続されている。

【0122】この第1改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ20を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ20を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【0123】図18を参照して第2改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図18(A)は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図18(B)は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図18(B)に示すよ
うに、この第2改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個(図中の例では3枚)連結させて大判で
用いている。

【0124】この第2改変例では、大判のチップコンデ
ンサ20を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
20を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【0125】上述した第3実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【0126】

【発明の効果】本発明の構造により、コア基板内にコン
デンサを収容することが可能となり、ICチップとコン
デンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のルー
プインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層
してなるためコア基板に十分な強度を得ることができ
る。更に、コア基板の両面に第1樹脂基板、第3樹脂基
板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コ
ア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形
成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低
下させることができる。

【0127】また本発明の製造方法により、バイアホー
ルの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。

【0128】コンデンサの下部からも接続することが可
能となるので、ループインダクタンスの距離を短くし、
配設する自由度を増す構造であるといえる。また、コア
基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コ
ンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和される
し、マイグレーションの発生がない。そのために、コン
デンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解な
どの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても
所望の性能を保つことができるのである。また、コンデ
ンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレー
ションの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図2】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図5】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図6】(A)、(B)は、本発明の第1実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。

【図7】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図8】図7中のプリント配線板にICチップを搭載
し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図であ
る。

【図9】本発明の第1実施形態の改変例に係るプリント
配線板にICチップを搭載した状態を示す断面図であ
る。

【図10】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図11】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図12】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図13】本発明の第2実施形態に係るプリント配線板
の断面図である。

【図14】ICチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。

【図15】第2実施形態のチップコンデンサの断面図で
ある。

【図16】(A)、(B)、(C)、(D)は、第3実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図17】第3実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。

【図18】第3実施形態の改変例に係るプリント配線板
のチップコンデンサの平面図である。

【符号の説明】

20 チップコンデンサ 30 コア基板 30a 第1樹脂基板 30b 第2樹脂基板 30c 第3樹脂基板 30B 開口 32 銅箔 32a バイアホール形成用開口 33 導体回路 34 接着材料 36a、36b 接着用樹脂層(接着板) 42 Ni/Cu合金層 43 無電解めっき膜 46 電解めっき膜 48 導体回路 50 バイアホール 52 スルーホール 60 層間樹脂絶縁層 70 ソルダーレジスト層 71 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76U、76D 半田バンプ 80A、80B ビルドアップ配線層 90 ICチップ 95 ドータボード 96 導電性接続ピン 148 導体回路 150 バイアホール 160 層間樹脂絶縁層 248 導体回路 250 バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 N (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E317 AA21 AA24 CC25 CC31 CD27 GG11 GG17 5E346 AA38 AA60 CC04 CC08 CC09 CC32 CC37 CC41 DD22 DD47 EE06 EE08 FF03 FF15 FF17 FF45 GG15 HH06 HH33

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コンデンサを収容するコア基板に、層間
    樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント
    配線板であって、 前記コンデンサを収容するコア基板が、第1の樹脂基板
    と、コンデンサを収容する開口を有する第2の樹脂基板
    と、第3の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層して
    なり、 前記コア基板の両面に、前記コンデンサの端子と接続す
    るバイアホールを配設したことを特徴とするプリント配
    線板。
  2. 【請求項2】 前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含
    浸させてなることを特徴とする請求項1のプリント配線
    板。
  3. 【請求項3】 前記第1、第2、第3樹脂基板は、心材
    に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項1又は
    請求項2のプリント配線板。
  4. 【請求項4】 前記コンデンサは、複数個であることを
    特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1に記載のプ
    リント配線板。
  5. 【請求項5】 前記第2の樹脂基板に導体回路が形成さ
    れていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に
    記載のプリント配線板の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
    を実装したことを特徴とする請求項1〜5の内1に記載
    のプリント配線板。
  7. 【請求項7】 前記表面のチップコンデンサの静電容量
    は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
    を特徴とする請求項6に記載のプリント配線板。
  8. 【請求項8】 前記表面のチップコンデンサのインダク
    タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
    上であることを特徴とする請求項6に記載のプリント配
    線板。
  9. 【請求項9】 前記コンデンサの電極に金属膜を形成
    し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
    接続を取ったことを特徴とする請求項1〜8のいずれか
    1のプリント配線板。
  10. 【請求項10】 前記コンデンサの電極に形成した金属
    膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とする請
    求項9に記載のプリント配線板。
  11. 【請求項11】 前記第1の樹脂基板と、前記コンデン
    サとは、絶縁性接着剤で接合され、絶縁性接着剤は、前
    記第1の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴と
    する請求項1に記載のプリント配線板。
  12. 【請求項12】 前記コンデンサの電極の被覆層を少な
    くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
    にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請
    求項1〜請求項8の内1に記載のプリント配線板。
  13. 【請求項13】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
    電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
    とする請求項1〜請求項12の内1に記載のプリント配
    線板。
  14. 【請求項14】 前記コンデンサとして、マトリクス状
    に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
    徴とする請求項1〜請求項13の内1に記載のプリント
    配線板
  15. 【請求項15】 前記コンデンサとして、多数個取り用
    のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
    徴とする請求項1〜請求項14の内1に記載のプリント
    配線板。
  16. 【請求項16】 少なくとも以下(a)〜(d)の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)第1の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを
    取り付ける工程; (b)第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
    口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板と
    を、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2の
    樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹脂
    基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層
    してコア基板とする工程; (c)レーザを照射して、前記コア基板に前記コンデン
    サへ至るバイアホール用開口を形成する工程; (d)前記バイアホール用開口にバイアホールを形成す
    る工程。
  17. 【請求項17】 少なくとも以下(a)〜(f)の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)第1の樹脂基板の片面の金属膜にバイアホール形
    成用開口を形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
    口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板と
    を、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2の
    樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹脂
    基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接
    着板を介在させて積層する工程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
    び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程; (e)前記第1の樹脂基板の前記金属膜に形成された前
    記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コ
    ンデンサへ至るバイアホール用開口を形成する工程; (f)前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
    する工程。
  18. 【請求項18】 少なくとも以下(a)〜(f)の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)片面に金属膜を貼り付けた第1の樹脂基板および
    第3の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を
    形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)前記第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
    る開口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板
    とを、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2
    の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹
    脂基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
    前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
    程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
    び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程; (e)前記第1の樹脂基板および前記第3の樹脂基板に
    形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射
    して、前記コンデンサへ至るバイアホール用開口を形成
    する工程; (f)前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
    する工程。
  19. 【請求項19】 少なくとも以下(a)〜(g)の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)片面に金属膜を貼り付けた第1の樹脂基板および
    第3の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程; (b)前記第1の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程; (c)前記第3の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
    る開口を有する第2の樹脂基板と、前記第1の樹脂基板
    とを、前記第1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第2
    の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第3の樹
    脂基板を前記第2の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
    前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
    程; (d)前記第1の樹脂基板、前記第2の樹脂基板、及
    び、前記第3の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程; (e)前記第1の樹脂基板および前記第3の樹脂基板に
    形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板
    の両面にコンデンサへ至るバイアホール用開口を形成す
    る工程; (f)前記金属膜を除去、又は、薄くする工程; (g)前記コア基板に、導体回路およびバイアホールを
    形成する工程。
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