JP2002246722A - プリント配線板 - Google Patents
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- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リード部品を介さないで、ＩＣチップと直接
電気的に接続し得ると共に、高い信頼性を備える多層プ
リント配線板を提案する。 【解決手段】 ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成
された凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されてい
る。充填樹脂３４の弾性率を下げることで、充填樹脂３
４によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間の熱膨張
差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の
剥離、クラックの発生を防ぐ。
電気的に接続し得ると共に、高い信頼性を備える多層プ
リント配線板を提案する。 【解決手段】 ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成
された凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されてい
る。充填樹脂３４の弾性率を下げることで、充填樹脂３
４によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間の熱膨張
差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の
剥離、クラックの発生を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップなどの
電子部品を内蔵するプリント配線板に関するのもであ
る。
電子部品を内蔵するプリント配線板に関するのもであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、
ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリ
ント配線板との電気的接続を取っていた。ワイヤーボン
ディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によ
りダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッド
とＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続さ
せた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化
性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施してい
た。ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板の
パッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括
して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。フリ
ップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部
とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂
を充填させることによって行っていた。
ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリ
ント配線板との電気的接続を取っていた。ワイヤーボン
ディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によ
りダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッド
とＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続さ
せた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化
性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施してい
た。ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板の
パッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括
して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。フリ
ップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部
とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂
を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、それぞ
れの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接
続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介し
て電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、
切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が
途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
れの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接
続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介し
て電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、
切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が
途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
【０００４】本発明者は、ＩＣチップを多層プリント配
線板に内蔵することで、リード部品を用いることなくＩ
Ｃチップと多層プリント配線板との電気接続を取ること
を案出した。即ち、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザ
グリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵さ
せて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上
に、フォトエッチングあるいはレーザにより、バイアホ
ールを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、
更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して、多層プリント
配線板を設ける構造を案出した。
線板に内蔵することで、リード部品を用いることなくＩ
Ｃチップと多層プリント配線板との電気接続を取ること
を案出した。即ち、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザ
グリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵さ
せて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上
に、フォトエッチングあるいはレーザにより、バイアホ
ールを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、
更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して、多層プリント
配線板を設ける構造を案出した。
【０００５】しかし、このＩＣチップを内蔵する構造に
おいて、ＩＣチップの上層に配設される層間絶縁層に剥
離、クラックが発生し、信頼性が低下することが明らか
になった。
おいて、ＩＣチップの上層に配設される層間絶縁層に剥
離、クラックが発生し、信頼性が低下することが明らか
になった。
【０００６】本発明は上述した課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、リード部
品を介さないで、ＩＣチップと直接電気的に接続し得る
と共に、高い信頼性を備える多層プリント配線板を提案
することを目的とする。
されたものであり、その目的とするところは、リード部
品を介さないで、ＩＣチップと直接電気的に接続し得る
と共に、高い信頼性を備える多層プリント配線板を提案
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した層間絶縁層の剥
離、クラックは、シリコンから成る熱膨張率の小さなＩ
Ｃチップと、樹脂から成る熱膨張率の大きな他の各部材
との熱膨張差から生じていることは明かであるが、具体
的な対応は不明であった。本発明者は、コア基板の凹部
にＩＣチップを収容する際の充填樹脂の弾性率を調整す
ることで、ＩＣチップの熱膨張差により生じる応力を緩
和し得るとの着想を持ち、耐久試験を行ったところ、層
間絶縁層での剥離、クラックが発生しないことが判明し
た。
離、クラックは、シリコンから成る熱膨張率の小さなＩ
Ｃチップと、樹脂から成る熱膨張率の大きな他の各部材
との熱膨張差から生じていることは明かであるが、具体
的な対応は不明であった。本発明者は、コア基板の凹部
にＩＣチップを収容する際の充填樹脂の弾性率を調整す
ることで、ＩＣチップの熱膨張差により生じる応力を緩
和し得るとの着想を持ち、耐久試験を行ったところ、層
間絶縁層での剥離、クラックが発生しないことが判明し
た。
【０００８】該充填樹脂は、弾性率を２５０Kgf/mm2以
下、更に好適には０．１〜１００Kgf/mm2まで下げるこ
とで、ＩＣチップとコア基板との間の熱膨張差を吸収さ
せ、層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぎ得る。充
填樹脂は、オレフィン系樹脂を含むことことが望まし
い。オレフィン系樹脂であれば、弾性率が低く、熱膨張
差を吸収できるからである。
下、更に好適には０．１〜１００Kgf/mm2まで下げるこ
とで、ＩＣチップとコア基板との間の熱膨張差を吸収さ
せ、層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぎ得る。充
填樹脂は、オレフィン系樹脂を含むことことが望まし
い。オレフィン系樹脂であれば、弾性率が低く、熱膨張
差を吸収できるからである。
【０００９】なお、ＩＣチップのパッドには、トランジ
ション層を設けるこのが好適である。この理由は、次の
通りである。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウ
ムなどで製造されている。トランジション層を形成させ
ていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより
層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、ダイパッド
のままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残
りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変
色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを
形成させた場合にもダイパッドを焼損しない条件で行う
と、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、
酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々
のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、
溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μ
ｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大
きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
ション層を設けるこのが好適である。この理由は、次の
通りである。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウ
ムなどで製造されている。トランジション層を形成させ
ていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより
層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、ダイパッド
のままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残
りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変
色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを
形成させた場合にもダイパッドを焼損しない条件で行う
と、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、
酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々
のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、
溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μ
ｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大
きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１０】これに対して、ダイパッド上に銅等からな
るトランジション層を設けることで、溶剤の使用が可能
となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、
後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬さ
せたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶
解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールと
の接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパ
ッド上に４０μｍよりも大きな径のトランジション層を
介在させることで、バイアホールを確実に接続させるこ
とができる。望ましいのは、トランジション層をバイア
ホール径と同等以上にするとよい。
るトランジション層を設けることで、溶剤の使用が可能
となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、
後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬さ
せたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶
解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールと
の接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパ
ッド上に４０μｍよりも大きな径のトランジション層を
介在させることで、バイアホールを確実に接続させるこ
とができる。望ましいのは、トランジション層をバイア
ホール径と同等以上にするとよい。
【００１１】それぞれに多層プリント配線板だけで機能
を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置として
のパッケージ基板としての機能させるために外部基板で
あるマザーボードやドーターボードとの接続のため、Ｂ
ＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設さ
せてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続
した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタ
ンスも低減できる。
を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置として
のパッケージ基板としての機能させるために外部基板で
あるマザーボードやドーターボードとの接続のため、Ｂ
ＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設さ
せてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続
した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタ
ンスも低減できる。
【００１２】本願発明に用いられるＩＣチップなどの電
子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹
脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹
脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂
を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いら
れるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用
いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面
板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いること
ができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂
は、溶解、炭化をしてしまう。
子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹
脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹
脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂
を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いら
れるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用
いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面
板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いること
ができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂
は、溶解、炭化をしてしまう。
【００１３】コア基板等の予め樹脂製絶縁基板にＩＣチ
ップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通
孔、開口を形成したものに該電子部品を接着剤などで接
合させる。ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸
着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に
導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、ス
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みと
しては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのが
よい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。特
に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界
面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからであ
る。
ップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通
孔、開口を形成したものに該電子部品を接着剤などで接
合させる。ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸
着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に
導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、ス
ズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、
銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みと
しては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのが
よい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。特
に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界
面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからであ
る。
【００１４】その金属膜上に、無電解あるいは電解めっ
きにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類とし
ては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気
特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップで
ある導体層は主に銅であることから、銅を用いることが
よい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカット
が起こってしまい、形成されるトランジション層とバイ
アホールと界面に隙間が発生することがある。その後、
エッチングレジストを形成して、露光、現像してトラン
ジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを
行い、ＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成
させる。
きにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類とし
ては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気
特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップで
ある導体層は主に銅であることから、銅を用いることが
よい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカット
が起こってしまい、形成されるトランジション層とバイ
アホールと界面に隙間が発生することがある。その後、
エッチングレジストを形成して、露光、現像してトラン
ジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを
行い、ＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成
させる。
【００１５】本発明で定義されるトランジション層につ
いて説明する。トランジション層は、従来のＩＣチップ
実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチッ
プとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた
中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金
属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパ
ッドよりも大きくさせることにある。それによって、電
気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、か
つ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフ
ォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするも
のである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの
埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができ
る。また、トランジション層上には、直接、プリント配
線板の導体層である金属を形成することを可能にする。
その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホ
ールや基板上のスルーホールなどがある。
いて説明する。トランジション層は、従来のＩＣチップ
実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチッ
プとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた
中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金
属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパ
ッドよりも大きくさせることにある。それによって、電
気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、か
つ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフ
ォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするも
のである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの
埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができ
る。また、トランジション層上には、直接、プリント配
線板の導体層である金属を形成することを可能にする。
その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホ
ールや基板上のスルーホールなどがある。
【００１６】また、上記トランジション層の製造方法以
外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜
上にドライフィルムレジストを形成してトランジション
層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚
付けした後、レジストを剥離してエッチング液によっ
て、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層を
形成させることもできる。
外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜
上にドライフィルムレジストを形成してトランジション
層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚
付けした後、レジストを剥離してエッチング液によっ
て、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層を
形成させることもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係る多層プリント配線板の構成について、当該多層プリ
ント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係る多層プリント配線板の構成について、当該多層プリ
ント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。
【００１８】図７に示すように多層プリント配線板１０
は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹
脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間
樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路
５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホ
ール１６０および導体回路１５８が形成されている。
は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹
脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間
樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路
５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホ
ール１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００１９】ＩＣチップ２０には、パッシベーション膜
２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に
入出力端子を構成するダイパッド２２が配設されてい
る。パッド２２の上には、主として銅からなるトランジ
ション層３８が形成されている。
２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に
入出力端子を構成するダイパッド２２が配設されてい
る。パッド２２の上には、主として銅からなるトランジ
ション層３８が形成されている。
【００２０】層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダー
レジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層
７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しない
ドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するた
めの半田バンプ７６が設けられている。
レジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層
７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しない
ドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するた
めの半田バンプ７６が設けられている。
【００２１】第１実施形態の多層プリント配線板１０で
は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、
該ＩＣチップ２０のパッド２２にはトランジション層３
８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂
を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケー
ジ基板）との電気的接続を取ることができる。
は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、
該ＩＣチップ２０のパッド２２にはトランジション層３
８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂
を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケー
ジ基板）との電気的接続を取ることができる。
【００２２】ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成さ
れた凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されている。
充填樹脂３４は、弾性率を１００Kgf/mm2以下に設定さ
れている。第１実施形態では、充填樹脂３４の弾性率を
下げることで、ＩＣチップ２０とコア基板３０との間の
熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層
５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。
れた凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されている。
充填樹脂３４は、弾性率を１００Kgf/mm2以下に設定さ
れている。第１実施形態では、充填樹脂３４の弾性率を
下げることで、ＩＣチップ２０とコア基板３０との間の
熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層
５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。
【００２３】また、第１実施形態の多層プリント配線板
では、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５pp
m、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係
数（ＣＴＥ）１５ppmである。第１実施形態では、充填
樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を、コア基板３０の熱
膨張係数（ＣＴＥ）との差が４０以下である５５ppm以
下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の
熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係
数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、
熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で
発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有
さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与
え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
では、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５pp
m、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係
数（ＣＴＥ）１５ppmである。第１実施形態では、充填
樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を、コア基板３０の熱
膨張係数（ＣＴＥ）との差が４０以下である５５ppm以
下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の
熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係
数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、
熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で
発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有
さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与
え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
【００２４】第１実施形態に係る多層プリント配線板１
０では、内蔵されるＩＣチップ２０の厚みＨを５０〜２
５０μｍに設定してある。即ち、既存のＩＣチップが厚
み７００μｍ程度であるのに対して、第１実施形態で
は、半分以下の２５０μｍ未満とすることで、ＩＣチッ
プ２０と層間樹脂絶縁層５０、コア基板３０との厚み方
向への熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０
の剥離、クラックの発生を防ぐ。
０では、内蔵されるＩＣチップ２０の厚みＨを５０〜２
５０μｍに設定してある。即ち、既存のＩＣチップが厚
み７００μｍ程度であるのに対して、第１実施形態で
は、半分以下の２５０μｍ未満とすることで、ＩＣチッ
プ２０と層間樹脂絶縁層５０、コア基板３０との厚み方
向への熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０
の剥離、クラックの発生を防ぐ。
【００２５】上述したようにＩＣチップ２０は熱膨張係
数（ＣＴＥ）３．５ppm、後述する構成の層間樹脂絶縁
層５０は熱膨張係数（ＣＴＥ）８０ppm、ガラスクロス
を心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５
ppmである。層間樹脂絶縁層５０の熱膨張係数が、ＩＣ
チップ２０の熱膨張係数を大幅に上回るため、ヒートサ
イクルにおいて吸収しきれない応力が、層間樹脂絶縁層
５０の剥離、クラックの発生を招いていた。このため、
第１実施形態では、上述したようにＩＣチップ２０の厚
みを薄くすることで、ＩＣチップの厚み方向でのＩＣチ
ップ、層間樹脂絶縁層、コア基板の熱膨張量の違いを小
さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を
防止する。
数（ＣＴＥ）３．５ppm、後述する構成の層間樹脂絶縁
層５０は熱膨張係数（ＣＴＥ）８０ppm、ガラスクロス
を心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５
ppmである。層間樹脂絶縁層５０の熱膨張係数が、ＩＣ
チップ２０の熱膨張係数を大幅に上回るため、ヒートサ
イクルにおいて吸収しきれない応力が、層間樹脂絶縁層
５０の剥離、クラックの発生を招いていた。このため、
第１実施形態では、上述したようにＩＣチップ２０の厚
みを薄くすることで、ＩＣチップの厚み方向でのＩＣチ
ップ、層間樹脂絶縁層、コア基板の熱膨張量の違いを小
さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を
防止する。
【００２６】ＩＣチップ２０の厚みは、２５０μｍを越
えると、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックが発生
し、一方、５０μｍ未満では、ＩＣチップの製造が困難
であると共に、取り扱い中にＩＣチップそのものを破断
することがある。ここで、ＩＣチップは、厚さ１００〜
２００μｍであることが特に望ましい。２００μｍ以下
にすることで、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラック
を完全に防ぎ、また、１００μｍ以上にすることで、製
造を容易にすると共に、ＩＣチップが破断しなくなるか
らである。
えると、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックが発生
し、一方、５０μｍ未満では、ＩＣチップの製造が困難
であると共に、取り扱い中にＩＣチップそのものを破断
することがある。ここで、ＩＣチップは、厚さ１００〜
２００μｍであることが特に望ましい。２００μｍ以下
にすることで、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラック
を完全に防ぎ、また、１００μｍ以上にすることで、製
造を容易にすると共に、ＩＣチップが破断しなくなるか
らである。
【００２７】多層プリント配線板１０に内蔵されたＩＣ
チップ２０の平面図を図１（Ｂ）に、その側面図を図１
（Ｃ）に示す。該ＩＣチップ２０の４辺の角部２０ａ
は、面取りされ半円状に形成されていてもよい。角部を
切り落とすことで、薄いＩＣチップにクラックが入り難
くしてある。また、面取りすることで、多層プリント配
線板１０がヒートサイクルが加えられた際にも、ＩＣチ
ップ２０の角部２０ａにおいて応力が集中することがな
い。このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層
間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０と
の剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生
を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させる
ことができる。
チップ２０の平面図を図１（Ｂ）に、その側面図を図１
（Ｃ）に示す。該ＩＣチップ２０の４辺の角部２０ａ
は、面取りされ半円状に形成されていてもよい。角部を
切り落とすことで、薄いＩＣチップにクラックが入り難
くしてある。また、面取りすることで、多層プリント配
線板１０がヒートサイクルが加えられた際にも、ＩＣチ
ップ２０の角部２０ａにおいて応力が集中することがな
い。このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層
間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０と
の剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生
を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させる
ことができる。
【００２８】第１実施形態の多層プリント配線板は、Ｉ
Ｃチップ部分にトランジション層３８が形成されている
ことから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層
の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一にな
る。更に、トランジション層によって、上層のバイアホ
ール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができ
る。
Ｃチップ部分にトランジション層３８が形成されている
ことから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層
の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一にな
る。更に、トランジション層によって、上層のバイアホ
ール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができ
る。
【００２９】更に、ダイパッド２２上に銅製のトランジ
ション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残り
を防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤ある
いはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程
を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これに
より、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や
信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に
６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させるこ
とで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させるこ
とができる。
ション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残り
を防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤ある
いはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程
を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これに
より、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や
信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に
６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させるこ
とで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させるこ
とができる。
【００３０】引き続き、図７を参照して上述した多層プ
リント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照し
て説明する。
リント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照し
て説明する。
【００３１】（１）先ず、図１（Ａ）に示す多数個取り
用ＩＣチップを、ダイシングにより図１（Ｂ）に示すよ
うに個片に切断すると共に、角部２０ａを研磨により半
円状に面取りする。 （２）一方、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂
を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア
基板）３０を出発材料として用意する（図２（Ａ）参
照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣ
チップ収容用の凹部３２を形成する（図２（Ｂ）参
照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けている
が、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶
縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基
板を形成できる。
用ＩＣチップを、ダイシングにより図１（Ｂ）に示すよ
うに個片に切断すると共に、角部２０ａを研磨により半
円状に面取りする。 （２）一方、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂
を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア
基板）３０を出発材料として用意する（図２（Ａ）参
照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣ
チップ収容用の凹部３２を形成する（図２（Ｂ）参
照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けている
が、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶
縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基
板を形成できる。
【００３２】（３）その後、凹部３２に、印刷機を用い
て充填樹脂３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、
ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０
を充填樹脂３４上に載置する（図２（Ｃ）参照）。
て充填樹脂３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、
ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０
を充填樹脂３４上に載置する（図２（Ｃ）参照）。
【００３３】充填樹脂３４は、上述したように弾性率を
１００Kgf/mm2以下に設定されている。弾性率を下げる
ことで、該充填樹脂３４でＩＣチップ２０とコア基板３
０との間の熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間
樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。充填樹
脂３４は、オレフィン系樹脂を含むことことが望まし
い。オレフィン系樹脂であれば、弾性率が低く、熱膨張
差を吸収できるからである。ここでは、オレフィン系樹
脂を用いているが、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を組
み合わせ、弾性率を２５０Kgf/mm2以下に設定すること
で、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ
ことができる。充填樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
１００Kgf/mm2以下に設定されている。弾性率を下げる
ことで、該充填樹脂３４でＩＣチップ２０とコア基板３
０との間の熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間
樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。充填樹
脂３４は、オレフィン系樹脂を含むことことが望まし
い。オレフィン系樹脂であれば、弾性率が低く、熱膨張
差を吸収できるからである。ここでは、オレフィン系樹
脂を用いているが、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を組
み合わせ、弾性率を２５０Kgf/mm2以下に設定すること
で、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ
ことができる。充填樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
【００３４】また、充填樹脂３４は、コア基板３０の熱
膨張係数（１５ppm）との差が４０ppm以下となるよう、
熱膨張係数５５ppm以下に調整してある。このため、上
記樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１
つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を
調整してある。なお、粒子の量が多くなると、接着強度
が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共
に、脆さが増して当該充填樹脂３４にクラックが入り易
くなるため、８０ｗｔ％以下に抑えてある。
膨張係数（１５ppm）との差が４０ppm以下となるよう、
熱膨張係数５５ppm以下に調整してある。このため、上
記樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１
つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を
調整してある。なお、粒子の量が多くなると、接着強度
が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共
に、脆さが増して当該充填樹脂３４にクラックが入り易
くなるため、８０ｗｔ％以下に抑えてある。
【００３５】（４）そして、ＩＣチップ２０の上面を押
す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図
２（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にす
ることができる。
す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図
２（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にす
ることができる。
【００３６】（５）その後、ＩＣチップ２０を収容させ
たコア基板３０の全面に蒸着、スパッタリングなどの物
理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３３を形成さ
せる（図３（Ａ））。その金属としては、スズ、クロ
ム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの
金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、
０．００１〜２μｍの間で形成させるのがよい。特に、
０．０１〜１．０μｍが望ましい。
たコア基板３０の全面に蒸着、スパッタリングなどの物
理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３３を形成さ
せる（図３（Ａ））。その金属としては、スズ、クロ
ム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの
金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、
０．００１〜２μｍの間で形成させるのがよい。特に、
０．０１〜１．０μｍが望ましい。
【００３７】金属膜３３上に、無電解めっきにより、め
っき膜３６を形成させてもよい（図３（Ｂ））。形成さ
れるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜
鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形
成されるビルドアップである導体層は主に銅であること
から、銅を用いるとよい。その厚みは１〜２０μｍの範
囲で行うのがよい。
っき膜３６を形成させてもよい（図３（Ｂ））。形成さ
れるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜
鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形
成されるビルドアップである導体層は主に銅であること
から、銅を用いるとよい。その厚みは１〜２０μｍの範
囲で行うのがよい。
【００３８】なお、本実施形態の構成では、トランジシ
ョン層３８が、金属層（第１薄膜層）３３と電解めっき
膜３６とからなる２層構造であるが、トランジション層
を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜
層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造と
して構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜
層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解
めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μ
ｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場
合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選
ばれるものがよい。
ョン層３８が、金属層（第１薄膜層）３３と電解めっき
膜３６とからなる２層構造であるが、トランジション層
を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜
層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造と
して構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜
層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解
めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μ
ｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場
合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選
ばれるものがよい。
【００３９】（６）その後、レジストを塗布し、露光、
現像してＩＣチップのパッドの上部に開口を設けるよう
にメッキレジスト３５を設け、無電解メッキを施して無
電解めっき膜３７を設ける（図３（Ｃ））。メッキレジ
スト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解
めっき膜３６、金属膜３３を除去することで、ＩＣチッ
プのパッド２２上にトランジション層３８を形成する
（図３（Ｄ））。ここでは、メッキレジストによりトラ
ンジション層を形成したが、無電解めっき膜３６の上に
電解めっき膜を均一に形成した後、エッチングレジスト
を形成して、露光、現像してトランジション層以外の部
分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップの
パッド上にトランジション層を形成させることも可能で
ある。この場合、電解めっき膜の厚みは１〜２０μｍの
範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にア
ンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジシ
ョン層とバイアホールと界面に隙間が発生することがあ
るからである。なお、望ましい組み合わせは、クロム−
銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケル
である。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組
み合わせよりも優れる。
現像してＩＣチップのパッドの上部に開口を設けるよう
にメッキレジスト３５を設け、無電解メッキを施して無
電解めっき膜３７を設ける（図３（Ｃ））。メッキレジ
スト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解
めっき膜３６、金属膜３３を除去することで、ＩＣチッ
プのパッド２２上にトランジション層３８を形成する
（図３（Ｄ））。ここでは、メッキレジストによりトラ
ンジション層を形成したが、無電解めっき膜３６の上に
電解めっき膜を均一に形成した後、エッチングレジスト
を形成して、露光、現像してトランジション層以外の部
分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップの
パッド上にトランジション層を形成させることも可能で
ある。この場合、電解めっき膜の厚みは１〜２０μｍの
範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にア
ンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジシ
ョン層とバイアホールと界面に隙間が発生することがあ
るからである。なお、望ましい組み合わせは、クロム−
銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケル
である。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組
み合わせよりも優れる。
【００４０】（７）次に、基板にエッチング液をスプレ
イで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチン
グすることにより粗化面３８αを形成する（図４（Ａ）
参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を
形成することもできる。
イで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチン
グすることにより粗化面３８αを形成する（図４（Ａ）
参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を
形成することもできる。
【００４１】（８）上記工程を経た基板に、厚さ５０μ
ｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温
しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、
層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空
圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
ｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温
しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、
層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空
圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００４２】（９）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショ
ットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバ
イアホール用開口４８を設ける（図４（Ｃ）参照）。ク
ロム酸を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。ダ
イパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設ける
ことで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、こ
れにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との
接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド
２２上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介
在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８
を確実に接続させることができる。なお、ここでは、ク
ロム酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを
用いてデスミア処理を行うことも可能である。
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショ
ットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバ
イアホール用開口４８を設ける（図４（Ｃ）参照）。ク
ロム酸を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。ダ
イパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設ける
ことで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、こ
れにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との
接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド
２２上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介
在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８
を確実に接続させることができる。なお、ここでは、ク
ロム酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを
用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００４３】（１０）次に、クロム酸、過マンガン酸塩
などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶
縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ｄ）参照）。
該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成される
ことがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム
溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させ
ることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。
上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４
０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の
表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、
不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００
Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プ
ラズマ処理を実施する。
などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶
縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ｄ）参照）。
該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成される
ことがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム
溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させ
ることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。
上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４
０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の
表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、
不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００
Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プ
ラズマ処理を実施する。
【００４４】（９）粗化面５０αが形成された層間樹脂
絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図５（Ａ）参
照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させ
る。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの
触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬
させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜で
ある金属層５２を設ける。その一例として、 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ
／ｌ ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上
述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴン
ガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたス
パッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２
００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５
２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもでき
る。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さ
は０．２μｍである。
絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図５（Ａ）参
照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させ
る。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの
触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬
させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜で
ある金属層５２を設ける。その一例として、 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ
／ｌ ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上
述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴン
ガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたス
パッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２
００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５
２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもでき
る。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さ
は０．２μｍである。
【００４５】（１２）上記処理を終えた基板３０に、市
販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフ
ィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解
めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形
成する（図５（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中
の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬ
である。
販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフ
ィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解
めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形
成する（図５（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中
の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬ
である。
【００４６】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm２ 時間 ６５分 温度 ２２±２℃
【００４７】（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５
２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッ
チングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６
からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチ
ング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図
５（Ｃ）参照）。
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５
２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッ
チングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６
からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチ
ング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図
５（Ｃ）参照）。
【００４８】（１４）次いで、上記（８）〜（１３）の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を
含む）を形成する（図６（Ａ）参照）。
工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を
含む）を形成する（図６（Ａ）参照）。
【００４９】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３
によった。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダ
ーレジストを用いることもできる。
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３
によった。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダ
ーレジストを用いることもできる。
【００５０】（１６）次に、基板３０に、上記ソルダー
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２
０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口７１を形成する（図６（Ｂ）参照）。
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２
０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口７１を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００５１】（１７）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μ
ｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８
に半田パッド７５を形成する（図６（Ｃ）参照）。
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μ
ｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８
に半田パッド７５を形成する（図６（Ｃ）参照）。
【００５２】（１８）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃で
リフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。
これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６
を有する多層プリント配線板１０を得ることができる
（図７参照）。
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃で
リフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。
これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６
を有する多層プリント配線板１０を得ることができる
（図７参照）。
【００５３】上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５
０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化
型樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化
剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて
以下に説明する。
０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化
型樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化
剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて
以下に説明する。
【００５４】第１実施形態の製造方法において使用する
熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子
（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性
の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したもので
ある。なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶
性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に
同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いもの
を便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いも
のを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子
（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性
の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したもので
ある。なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶
性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に
同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いもの
を便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いも
のを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５５】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。
【００５６】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
【００５７】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。
【００５８】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
【００５９】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
【００６０】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
【００６１】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６２】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６３】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保す
ることができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の
調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層
にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との
間で剥離が発生しないからである。
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保す
ることができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の
調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層
にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との
間で剥離が発生しないからである。
【００６４】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
【００６５】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００６６】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
【００６７】第１実施形態で用いる樹脂シートにおい
て、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に
分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有
する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイア
ホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する
導体回路の金属層の密着性を確保することができるから
である。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒
子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによっ
て、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらさ
れることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路
間の絶縁性が確実に保たれる。
て、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に
分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有
する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイア
ホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する
導体回路の金属層の密着性を確保することができるから
である。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒
子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによっ
て、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらさ
れることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路
間の絶縁性が確実に保たれる。
【００６８】上記樹脂シートにおいて、難溶性樹脂中に
分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対し
て、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が
３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成す
ることができない場合があり、４０重量％を超えると、
酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹
脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからな
る層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持で
きず、短絡の原因となる場合がある。
分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対し
て、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が
３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成す
ることができない場合があり、４０重量％を超えると、
酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹
脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからな
る層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持で
きず、短絡の原因となる場合がある。
【００６９】上記樹脂シートは、上記可溶性粒子、上記
難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有して
いることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イ
ミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬
化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬
化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホス
フィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニ
ルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有して
いることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イ
ミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬
化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬
化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホス
フィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニ
ルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
【００７０】上記硬化剤の含有量は、樹脂シートに対し
て０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０
５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるた
め、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きく
なり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一
方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の
組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたり
してしまうことがある。
て０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０
５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるた
め、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きく
なり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一
方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の
組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたり
してしまうことがある。
【００７１】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線
板の性能を向上させることができる。
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線
板の性能を向上させることができる。
【００７２】また、上記樹脂シートは、溶剤を含有して
いてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上
の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
いてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上
の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００７３】引き続き、第１実施形態の第１改変例に係
る多層プリント配線板について、図８を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合
で説明した。第１改変例では、第１実施形態とほぼ同様
であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介し
て接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
る多層プリント配線板について、図８を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合
で説明した。第１改変例では、第１実施形態とほぼ同様
であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介し
て接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００７４】次に、第１実施形態の第２改変例に係る多
層プリント配線板について、図９を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリで設
けた凹部３２にＩＣチップを収容した。これに対して、
第２改変例では、コア基板３０に形成した通孔３２にＩ
Ｃチップ２０を収容してある。この第２改変例では、Ｉ
Ｃチップ２０の裏面側にヒートシンクを直接取り付ける
ことができるため、ＩＣチップ２０を効率的に冷却でき
る利点がある。
層プリント配線板について、図９を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリで設
けた凹部３２にＩＣチップを収容した。これに対して、
第２改変例では、コア基板３０に形成した通孔３２にＩ
Ｃチップ２０を収容してある。この第２改変例では、Ｉ
Ｃチップ２０の裏面側にヒートシンクを直接取り付ける
ことができるため、ＩＣチップ２０を効率的に冷却でき
る利点がある。
【００７５】第２改変例では、ＩＣチップ２０は、コア
基板３０に形成された通孔３２に充填樹脂３４を介して
収容されている。ここで、充填樹脂３４は、第１実施形
態と同様に弾性率を１００Kgf/mm2以下に設定されてい
る。弾性率を下げることで、該充填樹脂３４でＩＣチッ
プ２０とコア基板３０との間の熱膨張差により生じる応
力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの
発生を防ぐ。
基板３０に形成された通孔３２に充填樹脂３４を介して
収容されている。ここで、充填樹脂３４は、第１実施形
態と同様に弾性率を１００Kgf/mm2以下に設定されてい
る。弾性率を下げることで、該充填樹脂３４でＩＣチッ
プ２０とコア基板３０との間の熱膨張差により生じる応
力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの
発生を防ぐ。
【００７６】引き続き、第１実施形態の第３改変例に係
る多層プリント配線板について、図１０を参照して説明
する。上述した第１実施形態では、ＩＣチップ２０のパ
ッド２２上にトランジション層３８を形成し、該トラン
ジション層３８に層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６
０を接続した。これに対して、第３改変例では、トラン
ジション層を設けることなくバイアホール６０をパッド
２２へ直接接続してある。この第３改変例は、第１実施
形態と比較して工程を削減できるため、廉価に構成でき
る利点がある。
る多層プリント配線板について、図１０を参照して説明
する。上述した第１実施形態では、ＩＣチップ２０のパ
ッド２２上にトランジション層３８を形成し、該トラン
ジション層３８に層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６
０を接続した。これに対して、第３改変例では、トラン
ジション層を設けることなくバイアホール６０をパッド
２２へ直接接続してある。この第３改変例は、第１実施
形態と比較して工程を削減できるため、廉価に構成でき
る利点がある。
【００７７】次に、第１実施形態の第４改変例に係る多
層プリント配線板について、図１１を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内
にＩＣチップを収容した。これに対して、第４改変例で
は、多層プリント配線板内にＩＣチップ２０を収容する
と共に、表面にＩＣチップ１２０を載置してある。内蔵
のＩＣチップ２０としては、発熱量の比較的小さいキャ
シュメモリが用いられ、表面のＩＣチップ１２０として
は、演算用のＣＰＵが載置されている。
層プリント配線板について、図１１を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内
にＩＣチップを収容した。これに対して、第４改変例で
は、多層プリント配線板内にＩＣチップ２０を収容する
と共に、表面にＩＣチップ１２０を載置してある。内蔵
のＩＣチップ２０としては、発熱量の比較的小さいキャ
シュメモリが用いられ、表面のＩＣチップ１２０として
は、演算用のＣＰＵが載置されている。
【００７８】ＩＣチップ２０のパッド２２と、ＩＣチッ
プ１２０のパッド１２４とは、トランジション層３８−
バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０
−導体回路１５８−半田バンプ７６Ｕを介して接続され
ている。一方、ＩＣチップ１２０のパッド１２４と、ド
ータボード９０のパッド９２とは、半田バンプ７６Ｕ−
導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５８−
バイアホール６０−スルーホール１３６−バイアホール
６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１
５８−半田バンプ７６Ｕを介して接続されている。
プ１２０のパッド１２４とは、トランジション層３８−
バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０
−導体回路１５８−半田バンプ７６Ｕを介して接続され
ている。一方、ＩＣチップ１２０のパッド１２４と、ド
ータボード９０のパッド９２とは、半田バンプ７６Ｕ−
導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５８−
バイアホール６０−スルーホール１３６−バイアホール
６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１
５８−半田バンプ７６Ｕを介して接続されている。
【００７９】第４改変例では、歩留まりの低いキャシュ
メモリ２０をＣＰＵ用のＩＣチップ１２０と別に製造し
ながら、ＩＣチップ１２０とキャシュメモリ２０とを近
接して配置することが可能になり、ＩＣチップの高速動
作が可能となる。この第４改変例では、ＩＣチップを内
蔵すると共に表面に載置することで、それぞれの機能が
異なるＩＣチップなどの電子部品を実装させることがで
き、より高機能な多層プリント配線板を得ることができ
る。
メモリ２０をＣＰＵ用のＩＣチップ１２０と別に製造し
ながら、ＩＣチップ１２０とキャシュメモリ２０とを近
接して配置することが可能になり、ＩＣチップの高速動
作が可能となる。この第４改変例では、ＩＣチップを内
蔵すると共に表面に載置することで、それぞれの機能が
異なるＩＣチップなどの電子部品を実装させることがで
き、より高機能な多層プリント配線板を得ることができ
る。
【００８０】[第１比較例]第１比較例として、第１実施
形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但
し、充填樹脂３４の弾性率を３００Kgf/mm2に設定し
た。
形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但
し、充填樹脂３４の弾性率を３００Kgf/mm2に設定し
た。
【００８１】[第２比較例]第２比較例として、第２改変
例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、
充填樹脂３４の弾性率を３００Kgf/mm2に設定した。
例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、
充填樹脂３４の弾性率を３００Kgf/mm2に設定した。
【００８２】第１実施形態、第２改変例の多層プリント
配線板と、第１、第２比較例の多層プリント配線板とを
ヒートサイクルを行った後の、層間樹脂絶縁層の剥離、
クラックの発生の有無を評価した結果を図１２の図表に
示す。第１実施形態、第２改変例では、層間樹脂絶縁層
に剥離、クラックが、充填樹脂にクラックが発生しなか
ったが、第１、第２比較例では、層間樹脂絶縁層に剥
離、クラックが発生した。
配線板と、第１、第２比較例の多層プリント配線板とを
ヒートサイクルを行った後の、層間樹脂絶縁層の剥離、
クラックの発生の有無を評価した結果を図１２の図表に
示す。第１実施形態、第２改変例では、層間樹脂絶縁層
に剥離、クラックが、充填樹脂にクラックが発生しなか
ったが、第１、第２比較例では、層間樹脂絶縁層に剥
離、クラックが発生した。
【００８３】
【発明の効果】以上記述したように本発明では、コア基
板に形成された通孔又は凹部にＩＣチップを収容してな
るプリント配線板において、通孔又は凹部とＩＣチップ
との間に介在させる充填樹脂の弾性率を２５０Kgf/mm2
以下まで下げることで、ＩＣチップとコア基板との間の
熱膨張差を吸収させ、層間絶縁層の剥離、クラックの発
生を防ぐことができる。
板に形成された通孔又は凹部にＩＣチップを収容してな
るプリント配線板において、通孔又は凹部とＩＣチップ
との間に介在させる充填樹脂の弾性率を２５０Kgf/mm2
以下まで下げることで、ＩＣチップとコア基板との間の
熱膨張差を吸収させ、層間絶縁層の剥離、クラックの発
生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、裁断前の多数個取り用のＩＣチップ
の平面図であり、（Ｂ）は、面取りされ個片化されたＩ
Ｃチップの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図であ
る。
の平面図であり、（Ｂ）は、面取りされ個片化されたＩ
Ｃチップの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図であ
る。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面
図である。
図である。
【図８】第１実施形態の第１実施形態の第１改変例に係
る多層プリント配線板の断面図である。
る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント
配線板の断面図である。
配線板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第３改変例に係る多層プリン
ト配線板の断面図である。
ト配線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第４改変例に係る多層プリン
ト配線板の断面図である。
ト配線板の断面図である。
【図１２】第１実施形態、第２改変例、比較例の評価結
果を示す図表である。
果を示す図表である。
２０ ＩＣチップ ２０ａ 角部 ２２ パッド ２４ パッシベーション膜 ３０ コア基板 ３０Ｄ ヒートシンク ３２ 凹部 ３４ 充填樹脂 ３６ 樹脂層 ３８ トランジション層 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ７０ ソルダーレジスト層 ７６ 半田バンプ ９０ ドータボード ９６ 導電性接続ピン ９７ 導電性接着剤 １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路 １６０ バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E336 AA08 BB03 BB15 BC26 CC32 CC37 CC38 CC58 EE20 GG14 5E346 AA02 AA16 AA32 AA43 CC04 CC08 CC09 CC32 DD02 DD25 DD32 DD44 EE33 EE35 FF04 FF07 FF15 GG02 GG15 GG17 GG18 GG22 HH11 5F047 AA17 AB03 BA21
Claims (5)
- 【請求項１】 コア基板に形成された通孔又は凹部にＩ
Ｃチップを収容してなるプリント配線板において、 前記通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填
樹脂の弾性率を２５０Kgf/mm2以下にしたことを特徴と
するプリント配線板。 - 【請求項２】 通孔又は凹部にＩＣチップを収容した基
板上に、層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、該
層間絶縁層には、バイアホールが形成され、該バイアホ
ールを介して電気的接続されるプリント配線板におい
て、 前記通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填
樹脂の弾性率を２５０Kgf/mm2以下にしたことを特徴と
するプリント配線板。 - 【請求項３】 充填樹脂の弾性率を０．１〜１００Kgf/
mm2にしたことを特徴とする請求項１又は請求項２のプ
リント配線板。 - 【請求項４】 前記充填樹脂は、オレフィン系樹脂を含
むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１のプリン
ト配線板。 - 【請求項５】 前記ＩＣチップのダイパッド上には、ト
ランジションが形成されていることを特徴とする請求項
１〜請求項４のいずれか１のプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094723A JP4248157B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-29 | 多層プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000382812 | 2000-12-15 | ||
| JP2000-382812 | 2000-12-15 | ||
| JP2001094723A JP4248157B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-29 | 多層プリント配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246722A true JP2002246722A (ja) | 2002-08-30 |
| JP4248157B2 JP4248157B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=26605974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001094723A Expired - Lifetime JP4248157B2 (ja) | 2000-12-15 | 2001-03-29 | 多層プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4248157B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004252435A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光学シート |
| EP1806958A1 (en) * | 2004-10-29 | 2007-07-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic multilayer substrate and its producing method |
| JP2007220792A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Sony Corp | ハイブリットモジュールの製造方法 |
| JP2007318047A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Ibiden Co Ltd | 多層配線板及びその製造方法 |
| JP2009231752A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
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| WO2010010911A1 (ja) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2012133839A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 日本電気株式会社 | 機能素子内蔵基板、これを備えた電子機器及び機能素子内蔵基板の製造方法 |
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