JP4049554B2 - 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関し、特にＩＣチップなどの電子部品を内蔵する多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。
ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
また、それぞれの実装方法は、ＩＣチップを保護するためにエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂によって封止を行っているが、その樹脂を充填する際に気泡が含有すると、気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまう。熱可塑性樹脂による封止は、それぞれの部品に合わせて樹脂装填用プランジャー、金型を作成する必要が有り、また、熱硬化性樹脂であってもリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮した樹脂を選定しなくては成らないために、それぞれにおいてコスト的にも高くなる原因にもなった。
【０００４】
係る課題に対応するため、本発明者は鋭意研究した結果、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザグリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵させて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上に、フォトエッチングあるいはレーザにより、ビアを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して設け、多層プリント配線板を形成することによって、封止樹脂を用いず、リードレス、バンプレスによってＩＣチップとの電気的接続を取ることができる構造を案出した。
【０００５】
しかし、ＩＣチップのパッドは、製造工程において酸化し酸化膜が形成され、又は、最終工程に置いて表面に酸化被膜が形成されている。このため、表面に形成された酸化膜、酸化被膜により、パッドの接続抵抗が上昇してしまい、ＩＣチップへ適切な電気的接続を得ることができないことが判明した。また、ダイパッドの上に酸化膜が残存すると、パッドとトランジション層（仲介層）の密着性が不十分となり信頼性を満足させることができないことが分かった。
【０００６】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ＩＣチップにリードレスで適切に電気的接続を取りることができる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提案することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。
【０００８】
請求項２の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に少なくとも２層から成る導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。
【０００９】
請求項１及び請求項２では、基板内にＩＣチップを収容するため、リードレスでＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらに、ＩＣチップなどの電子部品の銅製パッドの接続面に、酸化膜又は酸化被膜等の被膜除去処理を施すため、パッドの電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層（仲介層）を設けることにより、ＩＣチップ部分が平坦化されるので、上層の層間絶縁層も平坦化されて、膜厚みも均一になる。そのうえ、上層のバイアホールを形成する際も、形状の安定性を保つことができる。皮膜は完全に除去することが望ましい。
【００１０】
銅製のパッドを用いることで、従来のアルミニウムなどのパッドと比べて電気特性が向上する。しかしながら、表面が酸化や窒化などされ易く、酸化銅、窒化銅が形成されている。そのために、銅単体では電気特性が向上したのであるが、表面に形成された金属がその特性を劣化させていた。また、銅であるパッド上に直接金属を形成させても、金属の種類や形成方法によっては拡散してしまうために、形成不良や未形成を引き起こしてしまうこともある。パッド上に形成されるには酸化被膜の影響もある。そのために、パッド上にトランジション層（仲介層）を設けることにより、電気特性と密着性が確保される。
【００１１】
請求項３では、酸化被膜を逆スパッタ、プラズマ処理のいずれかで完全に除去することによりＩＣチップのパッドの導電性を高めることが可能となる。
逆スパッタを行う場合は、スパッタリングガスとしてアルゴンなどの不活性ガスを用い、パッド表面の酸化被膜に逆スパッタリングを行い、酸化被膜を完全に除去させる。プラズマ処理で行う場合は、基板を真空状態にした装置内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素中でプラズマを放出させて、パッド表面の酸化被膜を除去させる。
【００１２】
酸化被膜除去と、トランジション層（仲介層）の最下層の形成とを、連続的に非酸素雰囲気中で行うことが望ましい。パッド表面に酸化皮膜が再び形成されることがなく、ＩＣチップのパッドとトランジション層との間の導電性と密着性を高めることが可能となる。
【００１３】
請求項４では、前記トランジション層（仲介層）を第１薄膜層、第２薄膜層、厚付け層で形成するため、トランジション層（仲介層）を高い信頼性を備えるように形成することができる。
【００１４】
請求項６の多層プリント配線板は、基板上に層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、該層間絶縁層には、バイアホールが形成され、該バイアホールを介して電気的接続される多層プリント配線板において、
前記基板には、銅のパッドを備える電子部品が内蔵され、
前記電子部品のパッド上には、層間絶縁層のバイアホールと接続させるためのトランジション層（仲介層）が形成され、
前記パッドの表面の酸化被膜が除去されていることを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項６では、基板内にＩＣチップを収容するため、リードレスでＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらに、ＩＣチップなどの電子部品の銅製パッドの接続面に酸化被膜除去処理を施すため、パッドの電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層（仲介層）を設けることにより、ＩＣチップ部分が平坦化されるので、上層の層間絶縁層も平坦化されて、膜厚みも均一である。そのうえ、上層のバイアホールを形成する際も、形状の安定性を保つことができる。皮膜は完全に除去した方がよい。
【００１６】
ＩＣチップのパッドにトランジション層（仲介層）を設ける理由は、次の通りである。第１にパッドがファインかつ小サイズになると、ビアを形成する際のアライメントが困難になるので、トランジション層（仲介層）を設けてアライメントをし易くする。トランジション層（仲介層）を設ければ、パッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下でもビルドアップ層が安定して形成できる。トランジション層（仲介層）を形成させていないパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のビアを形成させると、ビア径がパッド径よりも大きいと、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時に、パッド表面の保護層であるポリイミド層を溶解、損傷する。一方、レーザの場合、ビア径がパッド径より大きいときには、パッド及びパシベーション、ポリミド層（ＩＣの保護膜）がレーザによって破壊される。更に、ＩＣチップのパッドが非常に小さく、ビア径がパッドサイズより大きくなると、フォトエッチング法でも、レーザ法でも位置合わせが非常に困難であり、パッドとビアとの接続不良が多発する。
【００１７】
これに対して、パッド上にトランジション層（仲介層）を設けることで、パッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下になってもパッド上にビアを確実に接続させることができ、パッドとビアとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層（仲介層）を介在させることで、デスミヤ、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、パッド及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）を溶解、損傷する危険がなくなる。
【００１８】
更に、小径のパッド上に大径のトランジション層（仲介層）を介在させることで、大径のバイアホールを確実に接続させることができる。また、コア基板に対して位置合わせしてトランジション層（仲介層）を形成し、更に、該コア基板に対して位置合わせをしてバイアホールを形成するため、トランジション層（仲介層）を介してパッドをバイアホールへ確実に接続させることができる。
【００１９】
本発明で定義されるトランジション層（仲介層）について説明する。
トランジション層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、パッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層（仲介層）上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００２０】
それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００２１】
本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。
【００２２】
コア基板等の予め樹脂製絶縁基板にＩＣチップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通孔、開口を形成したものに該ＩＣチップを接着剤などで接合させる。
【００２３】
ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸着、スパッタリング、無電解めっきなどを行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。０．００１μｍ未満では、全面に均一に積層できない。２．０μｍを越えるものを形成させることは困難であり、効果が高まるのもでもなかった。クロムの場合には０．１μｍの厚みが望ましい。
【００２４】
第１薄膜層により、パッドの被覆を行い、トランジション層（仲介層）とＩＣチップにパッドとの界面の密着性を高めることができる。また、これら金属でパッドを被覆することで、界面への湿分の侵入を防ぎ、パッドの溶解、腐食を防止し、信頼性を高めることができる。また、この第１薄膜層によって、リードのない実装方法によりＩＣチップとの接続を取ることができる。ここで、銅、クロム、ニッケル、チタンを用いることが、金属との密着性やよく、また、界面への湿分の侵入を防ぐために望ましい。パッドが銅から成るため、銅が最適である。
【００２５】
第１薄膜層上に、スパッタ、蒸着、又は、無電解めっきにより第２薄膜層を形成させる。その金属としてはニッケル、銅、金、銀などがある。電気特性、経済性、また、パッドが銅からなり、後程で形成される厚付け層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。
【００２６】
ここで第２薄膜層を設ける理由は、第１薄膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっき用のリードを取ることができ難いためである。第２薄膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、５．０μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入し易くなり、信頼性が低下するからである。電気特性、経済性、また、パッドが銅からなり、後程で形成される厚付け層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。
【００２７】
第２薄膜層上に、無電解あるいは電解めっきにより厚付けさせる。形成される金属の種類としてはニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、トランジション層（仲介層）としての強度や構造上の耐性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用い電解めっきで形成するのが望ましい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。１μｍより薄いと、上層のバイアホールとの接続信頼性が低下し、２０μｍよりも厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層（仲介層）とバイアホールと界面に隙間が発生するからである。また、場合によっては、第１薄膜層上に直接厚付けめっきしても、さらに、多層に積層してもよい。
【００２８】
その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層（仲介層）以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に第１薄膜層、第２薄膜層、厚付け層からなるトランジション層（仲介層）を形成させる。
【００２９】
また、上記トランジション層（仲介層）の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成してトランジション層（仲介層）に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層（仲介層）を形成させることもできる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板１０の断面を示す図６を参照して説明する。
【００３１】
図６に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、ビア６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、ビア１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００３２】
ＩＣチップ２０には、ＩＣ保護膜（パッシベーション＋ポリイミド）２２が被覆され、該ＩＣ保護膜２２の開口内に入出力端子を構成する銅製のダイパッド２４が配設されている。ダイパッド２４には、酸化被膜が除去されてからトランジション層３８が形成されている。
【００３３】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６、又は、図示しない導電性接続ピンが設けられている。
【００３４】
本実施例の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、ＩＣチップ２０のダイパッド２４にはトランジション層３８を配設させている。このため、ビアを形成する際のアライメントが行い易く、ダイパッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下でもビルドアップ層が安定して形成できる。即ち、コア基板上の位置決めマーク３１に対して位置合わせしてトランジション層３８を形成し、更に、該位置決めマーク３１に対して位置合わせをしてバイアホール６０を形成するため、トランジション層３８を介してダイパッド２４をバイアホール６０へ確実に接続させることができる。
【００３５】
また、トランジション層を形成させていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のビアを形成させると、ビア径がダイパッド径よりも大きいと、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時にダイパッド表面の保護層であるポリイミド層を溶解、損傷する。一方、レーザの場合、ビア径がダイパッド径より大きいときには、ダイパッド及びパシベーション、ポリミド層（ＩＣの保護膜）がレーザによって破壊される。更に、ＩＣチップのパッドが非常に小さく、ビア径がダイパッドサイズより大きくなると、フォトエッチング法でも、レーザ法でも位置合わせが非常に困難であり、ダイパッドとビアとの接続不良が多発する。
【００３６】
これに対して、ダイパッド２４上にトランジション層３８を設けることで、ダイパッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下になってもダイパッド２４上にビア６０を確実に接続させることができ、パッド２４とビア６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層を介在させることで、デスミヤ、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、ダイパッド及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）を溶解、損傷する危険がなくなる。
【００３７】
また、銅製のダイパッド２４の表面に形成された酸化被膜２６が、ダイパッド２４とトランジション層３８との接触面において、後述する酸化被膜除去処理により除去されているため、ダイパッド２４の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。
【００３８】
引き続き、図６を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００３９】
（１）先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図１（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。
【００４０】
（２）その後、凹部３２に、印刷機を用いて接着材料３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０を接着材料３４上に載置する。ＩＣチップ２０には、ＩＣ保護膜（パッシベーション＋ポリイミド）２２が被覆され、ＩＣ保護膜２２の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２４が配設されている。また、ダイパッド２４の表面は酸化被膜２６に覆われている（図１（Ｃ）参照）。ここで、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ａ）に示す。
【００４１】
（３）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図１（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。
【００４２】
（４）次に、ＩＣチップ２０を収容させたコア基板３０を真空状態にしたスパッタリング装置内に入れ、スパッタリングガスとして不活性ガスであるアルゴンを用い、ダイパッド２４表面の露出している酸化被膜２６をターゲットにして逆スパッタリングを行い、露出した酸化被膜２６を除去させる（図１（Ｅ）参照）。ここで、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ｂ）に示す。これにより、ダイパッド２４の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となり、かつトランジション層との密着性が向上する。ここでは、酸化被膜除去処理として逆スパッタを用いたが、逆スパッタ以外にもプラズマ処理を用いることもできる。プラズマ処理で行う場合は、基板を真空状態にした装置内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素中でプラズマを放出させて、ダイパッド表面の酸化被膜を除去させる。更に、逆スパッタ、プラズマ処理以外にも、ダイパッド表面を酸により処理し、酸化被膜を除去することも可能である。酸化被膜除去処理には、燐酸を用いることが好適である。ここでは、酸化皮膜を除去しているが、ダイパッドに防錆用の窒化膜等の皮膜が形成されている際にも、電気導電性を高めるため除去処理を行うことが好適である。
【００４３】
（５）その後、連続的に同じ装置を用い、ＩＣチップを酸素雰囲気に晒すことなく、コア基板３０の全面にＣｒ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ）参照）。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などがよい。特に、銅、ニッケル、クロム、チタンを用いることが、金属との密着性がよく、また、界面への湿分の侵入を防ぐために望ましい。ダイパッドが銅からなるため、銅を用いるのが最適である。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．１〜１．０μｍが望ましい。クロムの場合には０．１μｍの厚みが望ましい。厚みは、スパッタ層にクラックが入らず、かつ銅スパッタ層との密着が十分とれる厚みにする。本実施例では、被膜除去と、トランジション層の最下層（金属膜）３３の形成とを、同一の装置で連続して非酸素雰囲気中で行うため、パッド表面に酸化皮膜が再び形成されることがなく、ＩＣチップのダイパッド２４とトランジション層３８との間の導電性を高めることが可能となる。
【００４４】
金属膜３３上に、無電解めっきにより、無電解めっき膜（第２薄膜層）３６を形成させてもよい（図２（Ｂ）参照）。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。なお、第１薄膜層３３上に、第２薄膜層３６を設けることなく厚付け層を直接形成することもできる。
【００４５】
第２薄膜層を設ける理由は、第１薄膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっき用のリードを取ることができ難いためである。第２薄膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、５．０μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入し易くなり、信頼性が低下するからである。なお、望ましい第１薄膜層と第２薄膜層との組み合わせは、銅−銅、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。
【００４６】
（６）その後、レジストを塗布、あるいは、感光性フィルムをラミネートし、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として図示しないマスクを位置合わせし露光、現像してＩＣチップ２０のパッドの上部に開口３５ａを設けるようにメッキレジスト３５を設ける（図２（Ｃ））。
【００４７】
（７）以下の条件で電解めっき膜（厚付け層）３７を設ける（図２（Ｄ）参照）。電解めっき膜３７の厚みは１〜２０μｍ程度がよい。電解めっき膜は、ニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄で形成できる。
【００４８】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 ６５分
温度 ２２±２℃
【００４９】
（８）メッキレジスト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解めっき膜３６、金属膜３３をエッチングで除去することで、ＩＣチップのパッド２４上にトランジション層３８を形成する（図３（Ａ）参照）。また、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ｃ）に示す。
【００５０】
ここでは、メッキレジストによりトランジション層３８を形成したが、無電解めっき膜３６の上に電解めっき膜３７を均一に形成した後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップ２０のダイパッド２４上にトランジション層３８を形成させることも可能である。この場合、電解めっき膜３７の厚みは１〜２０μｍの範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とビアとの界面に隙間が発生することがあるからである。
【００５１】
（９）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ｂ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００５２】
（１０）上記工程を経た基板に、厚さ３０〜５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５kg／cm２で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。または、液状絶縁樹脂をスピンコートなどによって塗布し、絶縁層を形成してもよい。
【００５３】
（１１）次に、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として位置合わせを行い、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０にビア用開口４８を設ける（図３（Ｄ）参照）。その後、クロム酸を用いて開口４８内の樹脂残りを除去する。ダイパッド２４上に銅製のトランジション層３８を設けることで、ビアを形成する際のアライメントをし易くし、ダイパッド２４上にビアを確実に接続させ、パッドとビアとの接続性や信頼性を向上させる。これにより、ビルドアップ層が安定して形成できる。ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層を介在させることで、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、ダイパッド２４及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）２２を溶解、損傷する危険がなくなる。なお、ここでは、過マンガン酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００５４】
（１２）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ａ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００５５】
（１３）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図４（Ｂ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００５６】
（１４）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、クロムガラスマスクを載置して、４０ｍＪ／cm２で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１８μｍの電解めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００５７】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ６５分
温度 ２２±２℃
【００５８】
（１５）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びビア６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００５９】
（１６）次いで、上記（１０）〜（１５）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（ビア１６０を含む）を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００６０】
（１７）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００６１】
（１８）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、ランド径６２０μｍ、開口径４６０μｍの開口７１を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００６２】
（１９）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図５（Ｃ）参照）。
【００６３】
（２０）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図６参照）。なお、半田ペーストを印刷して導電性接続ピンを配置することもできる。
【００６４】
上述した実施例では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。熱硬化型樹脂シートとしては、、シクロオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂等を用いることができる。この熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６５】
本発明の製造方法において使用し得る熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６６】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６７】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６８】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６９】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００７０】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００７１】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００７２】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７３】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７４】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７５】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７６】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、それらの複合体であってもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７７】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７８】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７９】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００８０】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００８１】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００８２】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８３】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００８４】
上記樹脂フィルムを張り付けた後、レーザで開口させて、層間樹脂絶縁層にビアを開口させる。その後、酸あるいは酸化剤に浸漬させて、層間樹脂絶縁層に粗化層を形成する。酸としては、硫酸、リン酸、塩酸、蟻酸などの強酸を用いることができ、酸化剤としてはクロム酸、クロム硫酸、過マンガン塩酸などを用いることができる。それにより、可溶性粒子を溶解あるいは脱落させることによって層間樹脂絶縁層の表面に粗化層を形成させる。その粗化層の形成された層間樹脂絶縁層に、Ｐｂなどの触媒を付与させた後、無電解めっきを施す。無電解めっき膜上にレジストを施して露光、現像を経てめっきレジストの非形成部を形成させる。該非形成部に電解めっきを施してレジストを剥離、エッチングによって層間樹脂絶縁層上の無電解めっき膜を除去してビアと導体回路を形成させた。
【００８５】
引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、多層プリント配線板１１０の断面を示し、図９は、ダイパッド２４部分を拡大して示す図であって、図９（Ａ）は、酸化被膜除去処理される前の状態を示す図、図９（Ｂ）は、酸化膜除去処理後の状態を示す図、図９（Ｃ）は、ダイパッド２４上にトランジション層３８を形成した後を示す図である。
上述した第１実施例では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第２実施例では、第１実施例とほぼ同様であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００８６】
第２実施例の製造方法では、図９（Ｂ）に示すようにダイパッド２４の酸化被膜２６の一部分を逆スパッタ、プラズマ処理、酸処理のいずれかの酸化膜除去処理を施して除去する。その後、図９（Ｃ）に示すようにダイパッド２４上に、金属膜３３及び無電解めっき膜３６、電解めっき膜３７からなるトランジション層３８を形成させる。これにより、第１実施例と同様にダイパッド２６の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。
【００８７】
（比較例）
酸化皮膜除去を行わない以外は、第１実施例と同じようにトランジション層を形成して多層プリント配線板を得た。
【００８８】
試験結果
第１実施例と比較例の多層プリント配線板を１）断面状態、２）抵抗測定値、３）信頼性試験後の断面状態、４）抵抗測定値の計４項目について評価を行った結果を図１０中の図表に示す。
１）断面状態
トランジション層を形成した後、断面を切断して、パッド上の酸化膜の有無について、顕微鏡（×１００）で観察した。
２）抵抗測定値
トランジション層形成後に、接続抵抗を測定した。測定した数値は、２０カ所を測定した平均である。
３）信頼性試験後の断面状態
多層プリント配線板形成後に、ヒートサイクル試験（（１３０℃／３分）＋（−６０℃／３分）を１サイクルとして１０００サイクル実施した）終了後に、断面を切断して、パッド上の酸化皮膜の有無、及び、トランジション層の剥離の有無について、顕微鏡（×１００）で観察した。
４）信頼性試験後の抵抗測定値
多層プリント配線板形成後に、ヒートサイクル試験（（１３０℃／３分）＋（−６０℃／３分）を１サイクルとして１０００サイクル実施した）終了後に、接続抵抗を測定した。測定した数値は、２０カ所を測定した平均である。
【００８９】
図１０中の図表に示すように、第１実施例の多層プリント配線板は、酸化膜もなく、接続抵抗値も小さいので、電気的な接続に問題を生じることがなかった。また、信頼性試験後も劣化が少なかった。ちなみに、ヒートサイクル試験を２０００サイクル繰り返した後も、それほど抵抗値の増加は見られなかった。
【００９０】
比較例は、酸化膜が残り、接続抵抗値も大きい。場合によって全く電気的接続が取れない箇所も見受けられた。信頼性試験後は更にその傾向が顕著に現れた。
【００９１】
【発明の効果】
本発明の構造により、封止樹脂を用いず、リードレスによってＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらにＩＣチップなどの電子部品のダイパッドの接続面に酸化被膜除去処理を施すため、ダイパッドの電気抵抗を下げ、導電性を高め、トランジション層との密着性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】 本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図７】 （Ａ）は、図１（Ｃ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図であり、（Ｂ）は、図１（Ｅ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図であり、（Ｃ）は、図３（Ａ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図である。
【図８】 本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】 図９は、本発明の第２実施例に係るダイパッド部分を拡大して示す図であって、（Ａ）は、酸化被膜除去処理される前の状態を示す図、（Ｂ）は、酸化膜除去処理後の状態を示す図、（Ｃ）は、ダイパッド上にトランジション層を形成した後を示す図である。
【図１０】 実施例と比較例の多層プリント配線板を１）断面状態、２）抵抗測定値、３）信頼性試験後の断面状態、４）抵抗測定値の計４項目について評価を行った結果を示す図表である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ（電子部品）
２２ ＩＣ保護膜
２４ ダイパッド
２６ 酸化被膜
３０ コア基板
３２ 凹部
３３ 金属膜（第１薄膜層）
３６ 第２薄膜層
３７ 電解めっき膜（厚付け層）
３８ トランジション層
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ ビア
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ（端子）
９６ 導電性接続ピン（端子）
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ ビア
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関し、特にＩＣチップなどの電子部品を内蔵する多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。
ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
また、それぞれの実装方法は、ＩＣチップを保護するためにエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂によって封止を行っているが、その樹脂を充填する際に気泡が含有すると、気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまう。熱可塑性樹脂による封止は、それぞれの部品に合わせて樹脂装填用プランジャー、金型を作成する必要が有り、また、熱硬化性樹脂であってもリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮した樹脂を選定しなくては成らないために、それぞれにおいてコスト的にも高くなる原因にもなった。
【０００４】
係る課題に対応するため、本発明者は鋭意研究した結果、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザグリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵させて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上に、フォトエッチングあるいはレーザにより、ビアを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して設け、多層プリント配線板を形成することによって、封止樹脂を用いず、リードレス、バンプレスによってＩＣチップとの電気的接続を取ることができる構造を案出した。
【０００５】
しかし、ＩＣチップのパッドは、製造工程において酸化し酸化膜が形成され、又は、最終工程に置いて表面に酸化被膜が形成されている。このため、表面に形成された酸化膜、酸化被膜により、パッドの接続抵抗が上昇してしまい、ＩＣチップへ適切な電気的接続を得ることができないことが判明した。また、ダイパッドの上に酸化膜が残存すると、パッドとトランジション層（仲介層）の密着性が不十分となり信頼性を満足させることができないことが分かった。
【０００６】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ＩＣチップにリードレスで適切に電気的接続を取りることができる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提案することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。
【０００８】
請求項２の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に少なくとも２層から成る導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。
【０００９】
請求項１及び請求項２では、基板内にＩＣチップを収容するため、リードレスでＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらに、ＩＣチップなどの電子部品の銅製パッドの接続面に、酸化膜又は酸化被膜等の被膜除去処理を施すため、パッドの電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層（仲介層）を設けることにより、ＩＣチップ部分が平坦化されるので、上層の層間絶縁層も平坦化されて、膜厚みも均一になる。そのうえ、上層のバイアホールを形成する際も、形状の安定性を保つことができる。皮膜は完全に除去することが望ましい。
【００１０】
銅製のパッドを用いることで、従来のアルミニウムなどのパッドと比べて電気特性が向上する。しかしながら、表面が酸化や窒化などされ易く、酸化銅、窒化銅が形成されている。そのために、銅単体では電気特性が向上したのであるが、表面に形成された金属がその特性を劣化させていた。また、銅であるパッド上に直接金属を形成させても、金属の種類や形成方法によっては拡散してしまうために、形成不良や未形成を引き起こしてしまうこともある。パッド上に形成されるには酸化被膜の影響もある。そのために、パッド上にトランジション層（仲介層）を設けることにより、電気特性と密着性が確保される。
【００１１】
請求項３では、酸化被膜を逆スパッタ、プラズマ処理のいずれかで完全に除去することによりＩＣチップのパッドの導電性を高めることが可能となる。
逆スパッタを行う場合は、スパッタリングガスとしてアルゴンなどの不活性ガスを用い、パッド表面の酸化被膜に逆スパッタリングを行い、酸化被膜を完全に除去させる。プラズマ処理で行う場合は、基板を真空状態にした装置内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素中でプラズマを放出させて、パッド表面の酸化被膜を除去させる。
【００１２】
酸化被膜除去と、トランジション層（仲介層）の最下層の形成とを、連続的に非酸素雰囲気中で行うことが望ましい。パッド表面に酸化皮膜が再び形成されることがなく、ＩＣチップのパッドとトランジション層との間の導電性と密着性を高めることが可能となる。
【００１３】
請求項４では、前記トランジション層（仲介層）を第１薄膜層、第２薄膜層、厚付け層で形成するため、トランジション層（仲介層）を高い信頼性を備えるように形成することができる。
【００１４】
請求項６の多層プリント配線板は、基板上に層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、該層間絶縁層には、バイアホールが形成され、該バイアホールを介して電気的接続される多層プリント配線板において、
前記基板には、銅のパッドを備える電子部品が内蔵され、
前記電子部品のパッド上には、層間絶縁層のバイアホールと接続させるためのトランジション層（仲介層）が形成され、
前記パッドの表面の酸化被膜が除去されていることを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項６では、基板内にＩＣチップを収容するため、リードレスでＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらに、ＩＣチップなどの電子部品の銅製パッドの接続面に酸化被膜除去処理を施すため、パッドの電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層（仲介層）を設けることにより、ＩＣチップ部分が平坦化されるので、上層の層間絶縁層も平坦化されて、膜厚みも均一である。そのうえ、上層のバイアホールを形成する際も、形状の安定性を保つことができる。皮膜は完全に除去した方がよい。
【００１６】
ＩＣチップのパッドにトランジション層（仲介層）を設ける理由は、次の通りである。第１にパッドがファインかつ小サイズになると、ビアを形成する際のアライメントが困難になるので、トランジション層（仲介層）を設けてアライメントをし易くする。トランジション層（仲介層）を設ければ、パッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下でもビルドアップ層が安定して形成できる。トランジション層（仲介層）を形成させていないパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のビアを形成させると、ビア径がパッド径よりも大きいと、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時に、パッド表面の保護層であるポリイミド層を溶解、損傷する。一方、レーザの場合、ビア径がパッド径より大きいときには、パッド及びパシベーション、ポリミド層（ＩＣの保護膜）がレーザによって破壊される。更に、ＩＣチップのパッドが非常に小さく、ビア径がパッドサイズより大きくなると、フォトエッチング法でも、レーザ法でも位置合わせが非常に困難であり、パッドとビアとの接続不良が多発する。
【００１７】
これに対して、パッド上にトランジション層（仲介層）を設けることで、パッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下になってもパッド上にビアを確実に接続させることができ、パッドとビアとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層（仲介層）を介在させることで、デスミヤ、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、パッド及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）を溶解、損傷する危険がなくなる。
【００１８】
更に、小径のパッド上に大径のトランジション層（仲介層）を介在させることで、大径のバイアホールを確実に接続させることができる。また、コア基板に対して位置合わせしてトランジション層（仲介層）を形成し、更に、該コア基板に対して位置合わせをしてバイアホールを形成するため、トランジション層（仲介層）を介してパッドをバイアホールへ確実に接続させることができる。
【００１９】
本発明で定義されるトランジション層（仲介層）について説明する。
トランジション層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、パッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層（仲介層）上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００２０】
それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００２１】
本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。
【００２２】
コア基板等の予め樹脂製絶縁基板にＩＣチップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通孔、開口を形成したものに該ＩＣチップを接着剤などで接合させる。
【００２３】
ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸着、スパッタリング、無電解めっきなどを行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。０．００１μｍ未満では、全面に均一に積層できない。２．０μｍを越えるものを形成させることは困難であり、効果が高まるのもでもなかった。クロムの場合には０．１μｍの厚みが望ましい。
【００２４】
第１薄膜層により、パッドの被覆を行い、トランジション層（仲介層）とＩＣチップにパッドとの界面の密着性を高めることができる。また、これら金属でパッドを被覆することで、界面への湿分の侵入を防ぎ、パッドの溶解、腐食を防止し、信頼性を高めることができる。また、この第１薄膜層によって、リードのない実装方法によりＩＣチップとの接続を取ることができる。ここで、銅、クロム、ニッケル、チタンを用いることが、金属との密着性やよく、また、界面への湿分の侵入を防ぐために望ましい。パッドが銅から成るため、銅が最適である。
【００２５】
第１薄膜層上に、スパッタ、蒸着、又は、無電解めっきにより第２薄膜層を形成させる。その金属としてはニッケル、銅、金、銀などがある。電気特性、経済性、また、パッドが銅からなり、後程で形成される厚付け層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。
【００２６】
ここで第２薄膜層を設ける理由は、第１薄膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっき用のリードを取ることができ難いためである。第２薄膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、５．０μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入し易くなり、信頼性が低下するからである。電気特性、経済性、また、パッドが銅からなり、後程で形成される厚付け層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。
【００２７】
第２薄膜層上に、無電解あるいは電解めっきにより厚付けさせる。形成される金属の種類としてはニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、トランジション層（仲介層）としての強度や構造上の耐性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用い電解めっきで形成するのが望ましい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。１μｍより薄いと、上層のバイアホールとの接続信頼性が低下し、２０μｍよりも厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層（仲介層）とバイアホールと界面に隙間が発生するからである。また、場合によっては、第１薄膜層上に直接厚付けめっきしても、さらに、多層に積層してもよい。
【００２８】
その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層（仲介層）以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に第１薄膜層、第２薄膜層、厚付け層からなるトランジション層（仲介層）を形成させる。
【００２９】
また、上記トランジション層（仲介層）の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成してトランジション層（仲介層）に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層（仲介層）を形成させることもできる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板１０の断面を示す図６を参照して説明する。
【００３１】
図６に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、ビア６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、ビア１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００３２】
ＩＣチップ２０には、ＩＣ保護膜（パッシベーション＋ポリイミド）２２が被覆され、該ＩＣ保護膜２２の開口内に入出力端子を構成する銅製のダイパッド２４が配設されている。ダイパッド２４には、酸化被膜が除去されてからトランジション層３８が形成されている。
【００３３】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６、又は、図示しない導電性接続ピンが設けられている。
【００３４】
本実施例の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、ＩＣチップ２０のダイパッド２４にはトランジション層３８を配設させている。このため、ビアを形成する際のアライメントが行い易く、ダイパッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下でもビルドアップ層が安定して形成できる。即ち、コア基板上の位置決めマーク３１に対して位置合わせしてトランジション層３８を形成し、更に、該位置決めマーク３１に対して位置合わせをしてバイアホール６０を形成するため、トランジション層３８を介してダイパッド２４をバイアホール６０へ確実に接続させることができる。
【００３５】
また、トランジション層を形成させていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のビアを形成させると、ビア径がダイパッド径よりも大きいと、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時にダイパッド表面の保護層であるポリイミド層を溶解、損傷する。一方、レーザの場合、ビア径がダイパッド径より大きいときには、ダイパッド及びパシベーション、ポリミド層（ＩＣの保護膜）がレーザによって破壊される。更に、ＩＣチップのパッドが非常に小さく、ビア径がダイパッドサイズより大きくなると、フォトエッチング法でも、レーザ法でも位置合わせが非常に困難であり、ダイパッドとビアとの接続不良が多発する。
【００３６】
これに対して、ダイパッド２４上にトランジション層３８を設けることで、ダイパッドピッチ１５０μｍ以下、パッドサイズ２０μｍ以下になってもダイパッド２４上にビア６０を確実に接続させることができ、パッド２４とビア６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層を介在させることで、デスミヤ、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、ダイパッド及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）を溶解、損傷する危険がなくなる。
【００３７】
また、銅製のダイパッド２４の表面に形成された酸化被膜２６が、ダイパッド２４とトランジション層３８との接触面において、後述する酸化被膜除去処理により除去されているため、ダイパッド２４の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。
【００３８】
引き続き、図６を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００３９】
（１）先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図１（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。
【００４０】
（２）その後、凹部３２に、印刷機を用いて接着材料３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０を接着材料３４上に載置する。ＩＣチップ２０には、ＩＣ保護膜（パッシベーション＋ポリイミド）２２が被覆され、ＩＣ保護膜２２の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２４が配設されている。また、ダイパッド２４の表面は酸化被膜２６に覆われている（図１（Ｃ）参照）。ここで、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ａ）に示す。
【００４１】
（３）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図１（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。
【００４２】
（４）次に、ＩＣチップ２０を収容させたコア基板３０を真空状態にしたスパッタリング装置内に入れ、スパッタリングガスとして不活性ガスであるアルゴンを用い、ダイパッド２４表面の露出している酸化被膜２６をターゲットにして逆スパッタリングを行い、露出した酸化被膜２６を除去させる（図１（Ｅ）参照）。ここで、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ｂ）に示す。これにより、ダイパッド２４の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となり、かつトランジション層との密着性が向上する。ここでは、酸化被膜除去処理として逆スパッタを用いたが、逆スパッタ以外にもプラズマ処理を用いることもできる。プラズマ処理で行う場合は、基板を真空状態にした装置内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッ化炭素中でプラズマを放出させて、ダイパッド表面の酸化被膜を除去させる。更に、逆スパッタ、プラズマ処理以外にも、ダイパッド表面を酸により処理し、酸化被膜を除去することも可能である。酸化被膜除去処理には、燐酸を用いることが好適である。ここでは、酸化皮膜を除去しているが、ダイパッドに防錆用の窒化膜等の皮膜が形成されている際にも、電気導電性を高めるため除去処理を行うことが好適である。
【００４３】
（５）その後、連続的に同じ装置を用い、ＩＣチップを酸素雰囲気に晒すことなく、コア基板３０の全面にＣｒ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ）参照）。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などがよい。特に、銅、ニッケル、クロム、チタンを用いることが、金属との密着性がよく、また、界面への湿分の侵入を防ぐために望ましい。ダイパッドが銅からなるため、銅を用いるのが最適である。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．１〜１．０μｍが望ましい。クロムの場合には０．１μｍの厚みが望ましい。厚みは、スパッタ層にクラックが入らず、かつ銅スパッタ層との密着が十分とれる厚みにする。本実施例では、被膜除去と、トランジション層の最下層（金属膜）３３の形成とを、同一の装置で連続して非酸素雰囲気中で行うため、パッド表面に酸化皮膜が再び形成されることがなく、ＩＣチップのダイパッド２４とトランジション層３８との間の導電性を高めることが可能となる。
【００４４】
金属膜３３上に、無電解めっきにより、無電解めっき膜（第２薄膜層）３６を形成させてもよい（図２（Ｂ）参照）。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。なお、第１薄膜層３３上に、第２薄膜層３６を設けることなく厚付け層を直接形成することもできる。
【００４５】
第２薄膜層を設ける理由は、第１薄膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっき用のリードを取ることができ難いためである。第２薄膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、５．０μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入し易くなり、信頼性が低下するからである。なお、望ましい第１薄膜層と第２薄膜層との組み合わせは、銅−銅、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。
【００４６】
（６）その後、レジストを塗布、あるいは、感光性フィルムをラミネートし、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として図示しないマスクを位置合わせし露光、現像してＩＣチップ２０のパッドの上部に開口３５ａを設けるようにメッキレジスト３５を設ける（図２（Ｃ））。
【００４７】
（７）以下の条件で電解めっき膜（厚付け層）３７を設ける（図２（Ｄ）参照）。電解めっき膜３７の厚みは１〜２０μｍ程度がよい。電解めっき膜は、ニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄で形成できる。
【００４８】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 ６５分
温度 ２２±２℃
【００４９】
（８）メッキレジスト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解めっき膜３６、金属膜３３をエッチングで除去することで、ＩＣチップのパッド２４上にトランジション層３８を形成する（図３（Ａ）参照）。また、ＩＣチップ２０のダイパッド２４部分を拡大した説明図を図７（Ｃ）に示す。
【００５０】
ここでは、メッキレジストによりトランジション層３８を形成したが、無電解めっき膜３６の上に電解めっき膜３７を均一に形成した後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップ２０のダイパッド２４上にトランジション層３８を形成させることも可能である。この場合、電解めっき膜３７の厚みは１〜２０μｍの範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とビアとの界面に隙間が発生することがあるからである。
【００５１】
（９）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ｂ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００５２】
（１０）上記工程を経た基板に、厚さ３０〜５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５kg／cm２で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。または、液状絶縁樹脂をスピンコートなどによって塗布し、絶縁層を形成してもよい。
【００５３】
（１１）次に、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として位置合わせを行い、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０にビア用開口４８を設ける（図３（Ｄ）参照）。その後、クロム酸を用いて開口４８内の樹脂残りを除去する。ダイパッド２４上に銅製のトランジション層３８を設けることで、ビアを形成する際のアライメントをし易くし、ダイパッド２４上にビアを確実に接続させ、パッドとビアとの接続性や信頼性を向上させる。これにより、ビルドアップ層が安定して形成できる。ＩＣチップのパッド上により大きな径のトランジション層を介在させることで、ビア底残査除去、層間樹脂絶縁層表面粗化処理として行うデスミア処理時、めっき工程などの後工程の際に、酸やエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ても、ダイパッド２４及びＩＣの保護膜（パシベーション、ポリミド層）２２を溶解、損傷する危険がなくなる。なお、ここでは、過マンガン酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００５４】
（１２）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ａ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００５５】
（１３）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図４（Ｂ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００５６】
（１４）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、クロムガラスマスクを載置して、４０ｍＪ／cm２で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１８μｍの電解めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００５７】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ６５分
温度 ２２±２℃
【００５８】
（１５）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びビア６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００５９】
（１６）次いで、上記（１０）〜（１５）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（ビア１６０を含む）を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００６０】
（１７）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００６１】
（１８）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、ランド径６２０μｍ、開口径４６０μｍの開口７１を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００６２】
（１９）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図５（Ｃ）参照）。
【００６３】
（２０）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図６参照）。なお、半田ペーストを印刷して導電性接続ピンを配置することもできる。
【００６４】
上述した実施例では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。熱硬化型樹脂シートとしては、、シクロオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂等を用いることができる。この熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６５】
本発明の製造方法において使用し得る熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６６】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６７】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６８】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６９】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００７０】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００７１】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００７２】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７３】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７４】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７５】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７６】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、それらの複合体であってもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７７】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７８】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７９】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００８０】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００８１】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００８２】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８３】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００８４】
上記樹脂フィルムを張り付けた後、レーザで開口させて、層間樹脂絶縁層にビアを開口させる。その後、酸あるいは酸化剤に浸漬させて、層間樹脂絶縁層に粗化層を形成する。酸としては、硫酸、リン酸、塩酸、蟻酸などの強酸を用いることができ、酸化剤としてはクロム酸、クロム硫酸、過マンガン塩酸などを用いることができる。それにより、可溶性粒子を溶解あるいは脱落させることによって層間樹脂絶縁層の表面に粗化層を形成させる。その粗化層の形成された層間樹脂絶縁層に、Ｐｂなどの触媒を付与させた後、無電解めっきを施す。無電解めっき膜上にレジストを施して露光、現像を経てめっきレジストの非形成部を形成させる。該非形成部に電解めっきを施してレジストを剥離、エッチングによって層間樹脂絶縁層上の無電解めっき膜を除去してビアと導体回路を形成させた。
【００８５】
引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、多層プリント配線板１１０の断面を示し、図９は、ダイパッド２４部分を拡大して示す図であって、図９（Ａ）は、酸化被膜除去処理される前の状態を示す図、図９（Ｂ）は、酸化膜除去処理後の状態を示す図、図９（Ｃ）は、ダイパッド２４上にトランジション層３８を形成した後を示す図である。
上述した第１実施例では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第２実施例では、第１実施例とほぼ同様であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００８６】
第２実施例の製造方法では、図９（Ｂ）に示すようにダイパッド２４の酸化被膜２６の一部分を逆スパッタ、プラズマ処理、酸処理のいずれかの酸化膜除去処理を施して除去する。その後、図９（Ｃ）に示すようにダイパッド２４上に、金属膜３３及び無電解めっき膜３６、電解めっき膜３７からなるトランジション層３８を形成させる。これにより、第１実施例と同様にダイパッド２６の電気抵抗を下げ、導電性を高めることが可能となる。
【００８７】
（比較例）
酸化皮膜除去を行わない以外は、第１実施例と同じようにトランジション層を形成して多層プリント配線板を得た。
【００８８】
試験結果
第１実施例と比較例の多層プリント配線板を１）断面状態、２）抵抗測定値、３）信頼性試験後の断面状態、４）抵抗測定値の計４項目について評価を行った結果を図１０中の図表に示す。
１）断面状態
トランジション層を形成した後、断面を切断して、パッド上の酸化膜の有無について、顕微鏡（×１００）で観察した。
２）抵抗測定値
トランジション層形成後に、接続抵抗を測定した。測定した数値は、２０カ所を測定した平均である。
３）信頼性試験後の断面状態
多層プリント配線板形成後に、ヒートサイクル試験（（１３０℃／３分）＋（−６０℃／３分）を１サイクルとして１０００サイクル実施した）終了後に、断面を切断して、パッド上の酸化皮膜の有無、及び、トランジション層の剥離の有無について、顕微鏡（×１００）で観察した。
４）信頼性試験後の抵抗測定値
多層プリント配線板形成後に、ヒートサイクル試験（（１３０℃／３分）＋（−６０℃／３分）を１サイクルとして１０００サイクル実施した）終了後に、接続抵抗を測定した。測定した数値は、２０カ所を測定した平均である。
【００８９】
図１０中の図表に示すように、第１実施例の多層プリント配線板は、酸化膜もなく、接続抵抗値も小さいので、電気的な接続に問題を生じることがなかった。また、信頼性試験後も劣化が少なかった。ちなみに、ヒートサイクル試験を２０００サイクル繰り返した後も、それほど抵抗値の増加は見られなかった。
【００９０】
比較例は、酸化膜が残り、接続抵抗値も大きい。場合によって全く電気的接続が取れない箇所も見受けられた。信頼性試験後は更にその傾向が顕著に現れた。
【００９１】
【発明の効果】
本発明の構造により、封止樹脂を用いず、リードレスによってＩＣチップとの電気的接続を取ることができる。さらにＩＣチップなどの電子部品のダイパッドの接続面に酸化被膜除去処理を施すため、ダイパッドの電気抵抗を下げ、導電性を高め、トランジション層との密着性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】 本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図７】 （Ａ）は、図１（Ｃ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図であり、（Ｂ）は、図１（Ｅ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図であり、（Ｃ）は、図３（Ａ）に示すダイパッド部分を拡大して示す説明図である。
【図８】 本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】 図９は、本発明の第２実施例に係るダイパッド部分を拡大して示す図であって、（Ａ）は、酸化被膜除去処理される前の状態を示す図、（Ｂ）は、酸化膜除去処理後の状態を示す図、（Ｃ）は、ダイパッド上にトランジション層を形成した後を示す図である。
【図１０】 実施例と比較例の多層プリント配線板を１）断面状態、２）抵抗測定値、３）信頼性試験後の断面状態、４）抵抗測定値の計４項目について評価を行った結果を示す図表である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ（電子部品）
２２ ＩＣ保護膜
２４ ダイパッド
２６ 酸化被膜
３０ コア基板
３２ 凹部
３３ 金属膜（第１薄膜層）
３６ 第２薄膜層
３７ 電解めっき膜（厚付け層）
３８ トランジション層
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ ビア
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ（端子）
９６ 導電性接続ピン（端子）
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ ビア
Claims (6)
- 基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。 - 基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的接続させる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（ａ）前記基板に銅のパッドを備える電子部品を収容する工程；
（ｂ）前記電子部品のパッドの表面の酸化被膜を除去する工程；
（ｃ）前記電子部品を収容した基板の全面に少なくとも２層から成る導電性の金属膜を形成する工程：
（ｄ）前記金属膜上に、メッキレジストを形成する工程；
（ｅ）前記メッキレジストが形成されていない領域に、メッキで前記金属膜上に導体層を形成する工程；
（ｆ）前記メッキレジストを除去した後に、メッキレジスト下の前記金属膜をエッチングによって除去することで、前記パッド上に前記金属膜及び前記導体層からなる仲介層を形成する工程：
（ｇ）上記工程を経た基板上に、層間絶縁層を形成する工程；
（ｈ）前記層間絶縁層に、仲介層に接続するバイアホールを形成する工程。 - 前記酸化被膜除去を、逆スパッタ、プラズマ処理のいずれかで行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記仲介層を構成する２層の導電性の金属膜が、第１薄膜層、第２薄膜層から成り、前記仲介層を構成する導体層が該第１薄膜層及び該第２薄膜層よりも相対的に厚い厚付け層から成り、前記仲介層を３層で形成することを特徴とする請求項２の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記第１薄膜層の厚みは０．００１μｍから２．０μｍであり、
前記第２薄膜層の厚みは０．０１μｍから５．０μｍであり、
前記厚付け層の厚みは１μｍから２０μｍであることを特徴とする請求項４の多層プリント配線板の製造方法。 - 基板上に層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、該層間絶縁層には、バイアホールが形成され、該バイアホールを介して電気的接続される多層プリント配線板において、
前記基板には、銅のパッドを備える電子部品が内蔵され、
前記電子部品のパッド上には、層間絶縁層のバイアホールと接続させるための仲介層が形成され、
前記パッドの表面の酸化被膜が除去されていることを特徴とする多層プリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192926A JP4049554B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001192926A JP4049554B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007903A JP2003007903A (ja) | 2003-01-10 |
| JP4049554B2 true JP4049554B2 (ja) | 2008-02-20 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001192926A Expired - Lifetime JP4049554B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4049554B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722624B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2007-05-28 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP4760447B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-08-31 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜電子部品の製造方法 |
| JP2008192938A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Kyocera Corp | 配線基板、実装構造体および配線基板の製造方法 |
| JP5734624B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2015-06-17 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP5540276B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP6401136B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2018-10-03 | ウシオ電機株式会社 | 配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001192926A patent/JP4049554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003007903A (ja) | 2003-01-10 |
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