JP4883843B2 - プリント配線板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を内蔵するプリント配線板に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。
ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
【０００４】
本発明者は、ＩＣチップを多層プリント配線板に内蔵することで、リード部品を用いることなくＩＣチップと多層プリント配線板との電気接続を取ることを案出した。即ち、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザグリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵させて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上に、フォトエッチングあるいはレーザにより、バイアホールを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して、多層プリント配線板を設ける構造を案出した。
【０００５】
しかし、このＩＣチップを内蔵する構造において、ＩＣチップの上層に配設される層間絶縁層に剥離、クラックが発生し、信頼性が低下することが明らかになった。
【０００６】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、リード部品を介さないで、ＩＣチップと直接電気的に接続し得ると共に、高い信頼性を備える多層プリント配線板を提案することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した層間絶縁層の剥離、クラックは、シリコンから成り熱膨張率の小さなＩＣチップと、樹脂から成る熱膨張率の大きな他の各部材との熱膨張差から生じていることは明かであるが、具体的な対応は不明であった。
本発明者は、コア基板の凹部にＩＣチップを収容する際の充填樹脂の熱膨張係数を調整することで、ＩＣチップの熱膨張による影響を小さくし得るとの着想を持ち、耐久試験を行ったところ、層間絶縁層での剥離、クラックが発生しないことが分かった。即ち、該充填樹脂の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材として熱膨張係数の相対的小さなコア基板に近づけることにより、高い信頼性が得られることが判明した。
【０００８】
該充填樹脂の熱膨張係数は、コア基板の熱膨張係数との差を４０ppm以下にするか、或いは、該充填樹脂の熱膨張係数を４０ppm以下にすることで層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぎ得る。ここで、充填樹脂は、樹脂に、無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整することができる。しかし、８０ｗｔ％を越えると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂にクラックが入り易くなる。
【０００９】
無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００１０】
金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００１１】
樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００１２】
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。
【００１３】
充填樹脂は、ＩＣチップと層間絶縁層との耐クラック性や耐湿密着性を向上させることができるため、層間絶縁層及びプリント配線板としての電気的接続性を向上させることができる。その具体例として、松下電工（ＣＶ５４２０）、信越化学（Ｘ−４３−５０２６）を用いることができる。
【００１４】
なお、ＩＣチップのパッドには、仲介層を設けるこのが好適である。この理由は、次の通りである。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウムなどで製造されている。仲介層を形成させていないパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、パッドのままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを形成させた場合にもパッドを焼損しない条件で行うと、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１５】
これに対して、パッド上に銅等からなる仲介層を設けることで、溶剤の使用が可能となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上に４０μｍよりも大きな径の仲介層を介在させることで、バイアホールを確実に接続させることができる。望ましいのは、仲介層をバイアホール径と同等以上にするとよい。
【００１６】
それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００１７】
本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂は、溶解、炭化をしてしまう。
【００１８】
コア基板等の予め樹脂製絶縁基板にＩＣチップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通孔、開口を形成したものに該電子部品を接着剤などで接合させる。ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍが望ましい。特に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからである。
【００１９】
その金属膜上に、無電解あるいは電解めっきにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いることがよい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成される仲介層とバイアホールと界面に隙間が発生することがある。その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像して仲介層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させる。
【００２０】
また、上記仲介層の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成して仲介層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させることもできる。
【００２１】
本発明で定義される仲介層について説明する。仲介層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、パッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、仲介層上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、当該多層プリント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。
【００２３】
図７に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００２４】
ＩＣチップ２０には、パッシベーション膜２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に入出力端子を構成するパッド２２が配設されている。パッド２２の上には、主として銅からなる仲介層３８が形成されている。
【００２５】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するためのＢＧＡ７６が設けられている。
【００２６】
第１実施形態の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２２には仲介層３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。
【００２７】
ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成された凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されている。ここで、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。
第１実施形態では、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を、コア基板３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）との差が４０以下である５５ppm以下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
【００２８】
第１実施形態に係る多層プリント配線板１０では、内蔵されるＩＣチップ２０の厚みＨを５０〜２５０μｍに設定してある。即ち、既存のＩＣチップが厚み７００μｍ程度であるのに対して、第１実施形態では、半分以下の２５０μｍ未満とすることで、ＩＣチップ２０と層間樹脂絶縁層５０、コア基板３０との厚み方向への熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。
【００２９】
上述したようにＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、後述する構成の層間樹脂絶縁層５０は熱膨張係数（ＣＴＥ）８０ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。層間樹脂絶縁層５０の熱膨張係数が、ＩＣチップ２０の熱膨張係数を大幅に上回るため、ヒートサイクルにおいて吸収しきれない応力が、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を招いていた。このため、第１実施形態では、上述したようにＩＣチップ２０の厚みを薄くすることで、ＩＣチップの厚み方向でのＩＣチップ、層間樹脂絶縁層、コア基板の熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防止する。
【００３０】
ＩＣチップ２０の厚みは、２５０μｍを越えると、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックが発生し、一方、５０μｍ未満では、ＩＣチップの製造が困難であると共に、取り扱い中にＩＣチップそのものを破断することがある。ここで、ＩＣチップは、厚さ１００〜２００μｍであることが特に望ましい。２００μｍ以下にすることで、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックを完全に防ぎ、また、１００μｍ以上にすることで、製造を容易にすると共に、ＩＣチップが破断しなくなるからである。
【００３１】
多層プリント配線板１０に内蔵されたＩＣチップ２０の平面図を図１（Ｂ）に、その側面図を図１（Ｃ）に示す。該ＩＣチップ２０の４辺の角部２０ａは、面取りされ半円状に形成されていてもよい。角部を切り落とすことで、薄いＩＣチップにクラックが入り難くしてある。また、面取りすることで、多層プリント配線板１０がヒートサイクルが加えられた際にも、ＩＣチップ２０の角部２０ａにおいて応力が集中することがない。このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
第１実施形態の多層プリント配線板は、ＩＣチップ部分に仲介層３８が形成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一になる。更に、仲介層によって、上層のバイアホール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができる。
【００３３】
更に、パッド２２上に銅製の仲介層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ径以上の仲介層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。
【００３４】
引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。
【００３５】
（１）先ず、図１（Ａ）に示す多数個取り用ＩＣチップを、ダイシングにより図１（Ｂ）に示すように個片に切断すると共に、角部２０ａを研磨により半円状に面取りする。
（２）一方、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料として用意する（図２（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図２（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。
【００３６】
（３）その後、凹部３２に、印刷機を用いて充填樹脂３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０を充填樹脂３４上に載置する（図２（Ｃ）参照）。
【００３７】
該充填樹脂３４は、上述したようにコア基板３０の熱膨張係数（１５ppm）との差が４０ppm以下となるよう、熱膨張係数５５ppm以下に調整してある。このため、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整してある。なお、粒子の量が多くなると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂３４にクラックが入り易くなるため、８０ｗｔ％以下に抑えてある。充填樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
【００３８】
（４）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図２（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。
【００３９】
（５）その後、ＩＣチップ２０を収容させたコア基板３０の全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３３を形成させる（図３（Ａ））。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。
【００４０】
金属膜３３上に、無電解めっきにより、めっき膜３６を形成させてもよい（図３（Ｂ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。その厚みは０．１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００４１】
（６）その後、レジストを塗布し、露光、現像してＩＣチップのパッドの上部に開口を設けるようにメッキレジスト３５を設け、無電解メッキを施して無電解めっき膜３７を設ける（図３（Ｃ））。メッキレジスト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解めっき膜３６、金属膜３３を除去することで、ＩＣチップのパッド２２上に仲介層３８を形成する（図３（Ｄ））。ここでは、メッキレジストにより仲介層を形成したが、無電解めっき膜３６の上に電解めっき膜を均一に形成した後、エッチングレジストを形成して、露光、現像して仲介層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させることも可能である。この場合、電解めっき膜の厚みは１〜２０μｍの範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成される仲介層とバイアホールと界面に隙間が発生することがあるからである。
【００４２】
なお、本実施形態の構成では、仲介層３８が、金属層（第１薄膜層）３３と電解めっき膜３６とからなる２層構造であるが、仲介層を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造として構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。
【００４３】
（７）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、仲介層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図４（Ａ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００４４】
（８）上記工程を経た基板に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００４５】
（９）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図４（Ｃ）参照）。クロム酸を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。パッド２２上に銅製の仲介層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径の仲介層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、クロム酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００４６】
（１０）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ｄ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００４７】
（９）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図５（Ａ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００４８】
（１２）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図５（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００４９】
【００５０】
（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図５（Ｃ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００５１】
（１４）次いで、上記（８）〜（１３）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図６（Ａ）参照）。
【００５２】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダーレジストを用いることもできる。
【００５３】
（１６）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００５４】
（１７）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図６（Ｃ）参照）。
【００５５】
（１８）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、ＢＧＡ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、ＢＧＡ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。ＢＧＡの代わりに、ＰＧＡ（導電性接続ピン）を用いてもよい。
【００５６】
上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００５７】
第１実施形態の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５８】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５９】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６０】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６１】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００６２】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６３】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６４】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６５】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６６】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００６７】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００６８】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００６９】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７０】
第１実施形態で用いる樹脂シートにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによって、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７１】
上記樹脂シートにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００７２】
上記樹脂シートは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００７３】
上記硬化剤の含有量は、樹脂シートに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きくなり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００７４】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００７５】
また、上記樹脂シートは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００７６】
引き続き、第１実施形態の第１改変例に係る多層プリント配線板について、図８を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第１改変例では、第１実施形態とほぼ同様であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００７７】
次に、第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板について、図９を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリで設けた凹部３２にＩＣチップを収容した。これに対して、第２改変例では、コア基板３０に形成した通孔３２にＩＣチップ２０を収容してある。この第２改変例では、ＩＣチップ２０の裏面側にヒートシンクを直接取り付けることができるため、ＩＣチップ２０を効率的に冷却できる利点がある。
【００７８】
第２改変例では、ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成された通孔３２に充填樹脂３４を介して収容されている。ここで、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。第２改変例では、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を４０ppm以下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
【００７９】
引き続き、第１実施形態の第３改変例に係る多層プリント配線板について、図１０を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＩＣチップ２０のパッド２２上に仲介層３８を形成し、該仲介層３８に層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６０を接続した。これに対して、第３改変例では、仲介層を設けることなくバイアホール６０をパッド２２へ直接接続してある。この第３改変例は、第１実施形態と比較して工程を削減できるため、廉価に構成できる利点がある。
【００８０】
次に、第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内にＩＣチップを収容した。これに対して、第４改変例では、多層プリント配線板内にＩＣチップ２０を収容すると共に、表面にＩＣチップ１２０を載置してある。内蔵のＩＣチップ２０としては、発熱量の比較的小さいキャシュメモリが用いられ、表面のＩＣチップ１２０としては、演算用のＣＰＵが載置されている。
【００８１】
ＩＣチップ２０のパッド２２と、ＩＣチップ１２０のパッド１２４とは、仲介層３８−バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−ＢＧＡ７６Ｕを介して接続されている。一方、ＩＣチップ１２０のパッド１２４と、ドータボード９０のパッド９２とは、ＢＧＡ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０−スルーホール１３６−バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−ＢＧＡ７６Ｕを介して接続されている。
【００８２】
第４改変例では、歩留まりの低いキャシュメモリ２０をＣＰＵ用のＩＣチップ１２０と別に製造しながら、ＩＣチップ１２０とキャシュメモリ２０とを近接して配置することが可能になり、ＩＣチップの高速動作が可能となる。この第４改変例では、ＩＣチップを内蔵すると共に表面に載置することで、それぞれの機能が異なるＩＣチップなどの電子部品を実装させることができ、より高機能な多層プリント配線板を得ることができる。
【００８３】
[第１比較例]
第１比較例として、第１実施形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を６０ppmに設定した。
【００８４】
[第２比較例]
第２比較例として、第２改変例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を６０ppmに設定した。
【００８５】
[第３比較例]
第３比較例として、第１実施形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を５５ppm以下に設定したが、粒子含有量を８５ｗｔ％にした。
【００８６】
[第４比較例]
第２比較例として、第２改変例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を４０ppm以下に設定したが、粒子含有量を８５ｗｔ％にした。
【００８７】
第１実施形態、第２改変例の多層プリント配線板と、第１、第２、第３、第４比較例の多層プリント配線板とをヒートサイクルを行った後の、層間樹脂絶縁層の剥離、クラックの発生の有無を評価した結果を図１２の図表に示す。第１実施形態、第２改変例では、層間樹脂絶縁層に剥離、クラックが、充填樹脂にクラックが発生しなかったが、第１、第２比較例では、層間樹脂絶縁層に剥離、クラックが発生し、第３、第４比較例では、充填樹脂にクラックが発生した。
【００８８】
上記結果より、充填樹脂は、樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整することができクラックの発生を防止できる。しかし、８０ｗｔ％を越えると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂にクラックが入り易くなることが分かった。
【００８９】
【発明の効果】
以上記述したように、コア基板に形成された通孔又は凹部にＩＣチップを収容してなるプリント配線板において、通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填樹脂の熱膨張係数を、コア基板の熱膨張係数との差を４０ppm以下にするか、或いは、該充填樹脂の熱膨張係数を４０ppm以下にすることで層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、裁断前の多数個取り用のＩＣチップの平面図であり、（Ｂ）は、面取りされ個片化されたＩＣチップの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態の第１実施形態の第１改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第３改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１２】第１実施形態、第２改変例、比較例の評価結果を示す図表である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ
２０ａ 角部
２２ パッド
２４ パッシベーション膜
３０ コア基板
３０Ｄ ヒートシンク
３２ 凹部
３４ 充填樹脂
３６ 樹脂層
３８仲介層
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ
９０ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
９７ 導電性接着剤
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を内蔵するプリント配線板に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。
ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
【０００４】
本発明者は、ＩＣチップを多層プリント配線板に内蔵することで、リード部品を用いることなくＩＣチップと多層プリント配線板との電気接続を取ることを案出した。即ち、樹脂絶縁性基板に開口部、通孔やザグリ部を設けてＩＣチップなどの電子部品を予め内蔵させて、層間絶縁層を積層し、該ＩＣチップのパッド上に、フォトエッチングあるいはレーザにより、バイアホールを設けて、導電層である導体回路を形成させた後、更に、層間絶縁層と導電層を繰り返して、多層プリント配線板を設ける構造を案出した。
【０００５】
しかし、このＩＣチップを内蔵する構造において、ＩＣチップの上層に配設される層間絶縁層に剥離、クラックが発生し、信頼性が低下することが明らかになった。
【０００６】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、リード部品を介さないで、ＩＣチップと直接電気的に接続し得ると共に、高い信頼性を備える多層プリント配線板を提案することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した層間絶縁層の剥離、クラックは、シリコンから成り熱膨張率の小さなＩＣチップと、樹脂から成る熱膨張率の大きな他の各部材との熱膨張差から生じていることは明かであるが、具体的な対応は不明であった。
本発明者は、コア基板の凹部にＩＣチップを収容する際の充填樹脂の熱膨張係数を調整することで、ＩＣチップの熱膨張による影響を小さくし得るとの着想を持ち、耐久試験を行ったところ、層間絶縁層での剥離、クラックが発生しないことが分かった。即ち、該充填樹脂の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材として熱膨張係数の相対的小さなコア基板に近づけることにより、高い信頼性が得られることが判明した。
【０００８】
該充填樹脂の熱膨張係数は、コア基板の熱膨張係数との差を４０ppm以下にするか、或いは、該充填樹脂の熱膨張係数を４０ppm以下にすることで層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぎ得る。ここで、充填樹脂は、樹脂に、無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整することができる。しかし、８０ｗｔ％を越えると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂にクラックが入り易くなる。
【０００９】
無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００１０】
金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００１１】
樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００１２】
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。
【００１３】
充填樹脂は、ＩＣチップと層間絶縁層との耐クラック性や耐湿密着性を向上させることができるため、層間絶縁層及びプリント配線板としての電気的接続性を向上させることができる。その具体例として、松下電工（ＣＶ５４２０）、信越化学（Ｘ−４３−５０２６）を用いることができる。
【００１４】
なお、ＩＣチップのパッドには、仲介層を設けるこのが好適である。この理由は、次の通りである。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウムなどで製造されている。仲介層を形成させていないパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、パッドのままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを形成させた場合にもパッドを焼損しない条件で行うと、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１５】
これに対して、パッド上に銅等からなる仲介層を設けることで、溶剤の使用が可能となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上に４０μｍよりも大きな径の仲介層を介在させることで、バイアホールを確実に接続させることができる。望ましいのは、仲介層をバイアホール径と同等以上にするとよい。
【００１６】
それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００１７】
本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂は、溶解、炭化をしてしまう。
【００１８】
コア基板等の予め樹脂製絶縁基板にＩＣチップなどの電子部品を収容するキャビティをザグリ、通孔、開口を形成したものに該電子部品を接着剤などで接合させる。ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍが望ましい。特に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからである。
【００１９】
その金属膜上に、無電解あるいは電解めっきにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いることがよい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成される仲介層とバイアホールと界面に隙間が発生することがある。その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像して仲介層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させる。
【００２０】
また、上記仲介層の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成して仲介層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させることもできる。
【００２１】
本発明で定義される仲介層について説明する。仲介層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、パッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、仲介層上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、当該多層プリント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。
【００２３】
図７に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００２４】
ＩＣチップ２０には、パッシベーション膜２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に入出力端子を構成するパッド２２が配設されている。パッド２２の上には、主として銅からなる仲介層３８が形成されている。
【００２５】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するためのＢＧＡ７６が設けられている。
【００２６】
第１実施形態の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２２には仲介層３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。
【００２７】
ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成された凹部３２に充填樹脂３４を介して収容されている。ここで、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。
第１実施形態では、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を、コア基板３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）との差が４０以下である５５ppm以下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
【００２８】
第１実施形態に係る多層プリント配線板１０では、内蔵されるＩＣチップ２０の厚みＨを５０〜２５０μｍに設定してある。即ち、既存のＩＣチップが厚み７００μｍ程度であるのに対して、第１実施形態では、半分以下の２５０μｍ未満とすることで、ＩＣチップ２０と層間樹脂絶縁層５０、コア基板３０との厚み方向への熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。
【００２９】
上述したようにＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、後述する構成の層間樹脂絶縁層５０は熱膨張係数（ＣＴＥ）８０ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。層間樹脂絶縁層５０の熱膨張係数が、ＩＣチップ２０の熱膨張係数を大幅に上回るため、ヒートサイクルにおいて吸収しきれない応力が、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を招いていた。このため、第１実施形態では、上述したようにＩＣチップ２０の厚みを薄くすることで、ＩＣチップの厚み方向でのＩＣチップ、層間樹脂絶縁層、コア基板の熱膨張量の違いを小さくし、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防止する。
【００３０】
ＩＣチップ２０の厚みは、２５０μｍを越えると、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックが発生し、一方、５０μｍ未満では、ＩＣチップの製造が困難であると共に、取り扱い中にＩＣチップそのものを破断することがある。ここで、ＩＣチップは、厚さ１００〜２００μｍであることが特に望ましい。２００μｍ以下にすることで、層間樹脂絶縁層５０での剥離、クラックを完全に防ぎ、また、１００μｍ以上にすることで、製造を容易にすると共に、ＩＣチップが破断しなくなるからである。
【００３１】
多層プリント配線板１０に内蔵されたＩＣチップ２０の平面図を図１（Ｂ）に、その側面図を図１（Ｃ）に示す。該ＩＣチップ２０の４辺の角部２０ａは、面取りされ半円状に形成されていてもよい。角部を切り落とすことで、薄いＩＣチップにクラックが入り難くしてある。また、面取りすることで、多層プリント配線板１０がヒートサイクルが加えられた際にも、ＩＣチップ２０の角部２０ａにおいて応力が集中することがない。このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
第１実施形態の多層プリント配線板は、ＩＣチップ部分に仲介層３８が形成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一になる。更に、仲介層によって、上層のバイアホール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができる。
【００３３】
更に、パッド２２上に銅製の仲介層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ径以上の仲介層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。
【００３４】
引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。
【００３５】
（１）先ず、図１（Ａ）に示す多数個取り用ＩＣチップを、ダイシングにより図１（Ｂ）に示すように個片に切断すると共に、角部２０ａを研磨により半円状に面取りする。
（２）一方、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料として用意する（図２（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図２（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。
【００３６】
（３）その後、凹部３２に、印刷機を用いて充填樹脂３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。次に、ＩＣチップ２０を充填樹脂３４上に載置する（図２（Ｃ）参照）。
【００３７】
該充填樹脂３４は、上述したようにコア基板３０の熱膨張係数（１５ppm）との差が４０ppm以下となるよう、熱膨張係数５５ppm以下に調整してある。このため、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整してある。なお、粒子の量が多くなると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂３４にクラックが入り易くなるため、８０ｗｔ％以下に抑えてある。充填樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
【００３８】
（４）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図２（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。
【００３９】
（５）その後、ＩＣチップ２０を収容させたコア基板３０の全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３３を形成させる（図３（Ａ））。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。
【００４０】
金属膜３３上に、無電解めっきにより、めっき膜３６を形成させてもよい（図３（Ｂ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。その厚みは０．１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００４１】
（６）その後、レジストを塗布し、露光、現像してＩＣチップのパッドの上部に開口を設けるようにメッキレジスト３５を設け、無電解メッキを施して無電解めっき膜３７を設ける（図３（Ｃ））。メッキレジスト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解めっき膜３６、金属膜３３を除去することで、ＩＣチップのパッド２２上に仲介層３８を形成する（図３（Ｄ））。ここでは、メッキレジストにより仲介層を形成したが、無電解めっき膜３６の上に電解めっき膜を均一に形成した後、エッチングレジストを形成して、露光、現像して仲介層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させることも可能である。この場合、電解めっき膜の厚みは１〜２０μｍの範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成される仲介層とバイアホールと界面に隙間が発生することがあるからである。
【００４２】
なお、本実施形態の構成では、仲介層３８が、金属層（第１薄膜層）３３と電解めっき膜３６とからなる２層構造であるが、仲介層を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造として構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。
【００４３】
（７）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、仲介層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図４（Ａ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００４４】
（８）上記工程を経た基板に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００４５】
（９）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図４（Ｃ）参照）。クロム酸を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。パッド２２上に銅製の仲介層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径の仲介層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、クロム酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００４６】
（１０）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ｄ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００４７】
（９）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図５（Ａ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００４８】
（１２）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図５（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００４９】
（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図５（Ｃ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００５１】
（１４）次いで、上記（８）〜（１３）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図６（Ａ）参照）。
【００５２】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダーレジストを用いることもできる。
【００５３】
（１６）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００５４】
（１７）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図６（Ｃ）参照）。
【００５５】
（１８）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、ＢＧＡ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、ＢＧＡ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。ＢＧＡの代わりに、ＰＧＡ（導電性接続ピン）を用いてもよい。
【００５６】
上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００５７】
第１実施形態の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５８】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５９】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６０】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６１】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００６２】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６３】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６４】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６５】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６６】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００６７】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００６８】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００６９】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７０】
第１実施形態で用いる樹脂シートにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによって、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７１】
上記樹脂シートにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００７２】
上記樹脂シートは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００７３】
上記硬化剤の含有量は、樹脂シートに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きくなり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００７４】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００７５】
また、上記樹脂シートは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００７６】
引き続き、第１実施形態の第１改変例に係る多層プリント配線板について、図８を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第１改変例では、第１実施形態とほぼ同様であるが、図８に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００７７】
次に、第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板について、図９を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリで設けた凹部３２にＩＣチップを収容した。これに対して、第２改変例では、コア基板３０に形成した通孔３２にＩＣチップ２０を収容してある。この第２改変例では、ＩＣチップ２０の裏面側にヒートシンクを直接取り付けることができるため、ＩＣチップ２０を効率的に冷却できる利点がある。
【００７８】
第２改変例では、ＩＣチップ２０は、コア基板３０に形成された通孔３２に充填樹脂３４を介して収容されている。ここで、ＩＣチップ２０は熱膨張係数（ＣＴＥ）３．５ppm、ガラスクロスを心材とするコア基板３０は熱膨張係数（ＣＴＥ）１５ppmである。第２改変例では、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を４０ppm以下となるように調整してある。即ち、該充填樹脂３４の熱膨張係数を下げ、ガラスクロスを心材とする熱膨張係数の相対的小さなコア基板３０に近づけることにより、熱膨張差によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間で発生する応力を該充填樹脂３４にて吸収させ、心材を有さず厚みが薄く脆弱な層間樹脂絶縁層５０に影響を与え、剥離、クラックを発生させることを防いである。
【００７９】
引き続き、第１実施形態の第３改変例に係る多層プリント配線板について、図１０を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＩＣチップ２０のパッド２２上に仲介層３８を形成し、該仲介層３８に層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６０を接続した。これに対して、第３改変例では、仲介層を設けることなくバイアホール６０をパッド２２へ直接接続してある。この第３改変例は、第１実施形態と比較して工程を削減できるため、廉価に構成できる利点がある。
【００８０】
次に、第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内にＩＣチップを収容した。これに対して、第４改変例では、多層プリント配線板内にＩＣチップ２０を収容すると共に、表面にＩＣチップ１２０を載置してある。内蔵のＩＣチップ２０としては、発熱量の比較的小さいキャシュメモリが用いられ、表面のＩＣチップ１２０としては、演算用のＣＰＵが載置されている。
【００８１】
ＩＣチップ２０のパッド２２と、ＩＣチップ１２０のパッド１２４とは、仲介層３８−バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−ＢＧＡ７６Ｕを介して接続されている。一方、ＩＣチップ１２０のパッド１２４と、ドータボード９０のパッド９２とは、ＢＧＡ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０−スルーホール１３６−バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−ＢＧＡ７６Ｕを介して接続されている。
【００８２】
第４改変例では、歩留まりの低いキャシュメモリ２０をＣＰＵ用のＩＣチップ１２０と別に製造しながら、ＩＣチップ１２０とキャシュメモリ２０とを近接して配置することが可能になり、ＩＣチップの高速動作が可能となる。この第４改変例では、ＩＣチップを内蔵すると共に表面に載置することで、それぞれの機能が異なるＩＣチップなどの電子部品を実装させることができ、より高機能な多層プリント配線板を得ることができる。
【００８３】
[第１比較例]
第１比較例として、第１実施形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を６０ppmに設定した。
【００８４】
[第２比較例]
第２比較例として、第２改変例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を６０ppmに設定した。
【００８５】
[第３比較例]
第３比較例として、第１実施形態と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を５５ppm以下に設定したが、粒子含有量を８５ｗｔ％にした。
【００８６】
[第４比較例]
第２比較例として、第２改変例と同様にして多層プリント配線板を形成した。但し、充填樹脂３４の熱膨張係数（ＣＴＥ）を４０ppm以下に設定したが、粒子含有量を８５ｗｔ％にした。
【００８７】
第１実施形態、第２改変例の多層プリント配線板と、第１、第２、第３、第４比較例の多層プリント配線板とをヒートサイクルを行った後の、層間樹脂絶縁層の剥離、クラックの発生の有無を評価した結果を図１２の図表に示す。第１実施形態、第２改変例では、層間樹脂絶縁層に剥離、クラックが、充填樹脂にクラックが発生しなかったが、第１、第２比較例では、層間樹脂絶縁層に剥離、クラックが発生し、第３、第４比較例では、充填樹脂にクラックが発生した。
【００８８】
上記結果より、充填樹脂は、樹脂に無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０ｗｔ％以上含ませることにより、熱膨張係数を調整することができクラックの発生を防止できる。しかし、８０ｗｔ％を越えると、接着強度が低下し、充填剤としての役割を果たさなくなると共に、脆さが増して当該充填樹脂にクラックが入り易くなることが分かった。
【００８９】
【発明の効果】
以上記述したように、コア基板に形成された通孔又は凹部にＩＣチップを収容してなるプリント配線板において、通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填樹脂の熱膨張係数を、コア基板の熱膨張係数との差を４０ppm以下にするか、或いは、該充填樹脂の熱膨張係数を４０ppm以下にすることで層間絶縁層の剥離、クラックの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、裁断前の多数個取り用のＩＣチップの平面図であり、（Ｂ）は、面取りされ個片化されたＩＣチップの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の側面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態の第１実施形態の第１改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第２改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第３改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１２】第１実施形態、第２改変例、比較例の評価結果を示す図表である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ
２０ａ 角部
２２ パッド
２４ パッシベーション膜
３０ コア基板
３０Ｄ ヒートシンク
３２ 凹部
３４ 充填樹脂
３６ 樹脂層
３８仲介層
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ
９０ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
９７ 導電性接着剤
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
Claims (4)
- 通孔又は凹部にＩＣチップを収容した基板上に、層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、該層間絶縁層には、バイアホールが形成され、該バイアホールを介して電気的接続されるプリント配線板において、
前記ＩＣチップのパッドと前記導体層とが前記バイアホールを介して接続されており、
前記通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填樹脂の熱膨張係数を、前記コア基板の熱膨張係数との差を４０ppm以下にし、
前記ＩＣチップのパッドと前記バイアホールの間に、仲介層を形成し、
前記仲介層の径は、前記ＩＣチップのパッドの径よりも大きいことを特徴とするプリント配線板。 - 前記通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填樹脂の熱膨張係数を４０ppm以下にしたことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記充填樹脂は、無機粒子、金属粒子、樹脂粒子の少なくとも１つを１０〜８０ｗｔ％含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線板。
- 前記仲介層は銅で構成された層を有し、前記バイアホールは前記銅で構成された層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
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