JP4863561B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
また、パッケージ基板として用いられる多層ビルドアップ配線板は、各層間樹脂絶縁層を以下の工程を経てビルドアップしていく。まず、ロールーコーターや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。即ち、１層を形成する毎に上述した工程を繰り返すこと必要があり、層数が増大すると、工程数が増すと共に歩留まりが低下する。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明は、ループインダクタンスを低減でき、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減したプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を解決するため、請求項１のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程；
（ｂ）接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
（ｃ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｄ）前記コア基板に、凹部を形成する工程；
（ｅ）前記凹部にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００１１】
請求項２のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｂ）通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｃ）前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介して積層する工程；
（ｄ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｅ）前記通孔にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００１２】
請求項１および請求項２では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１３】
コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１４】
空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
【００１５】
また、コンデンサのメタライズからなる電極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１６】
また、コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。
【００３４】
本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３５】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００３６】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００３７】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００３８】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００３９】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４０】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４１】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４２】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４３】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００４４】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００４５】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００４６】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００４７】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００４８】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００４９】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５０】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５１】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラミン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００５２】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状態を示している。
【００５４】
図７に示すように、プリント配線板１０は、チップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、スルーホール５６を介して接続されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層４０、１４０からなる。上側のビルドアップ配線層８０Ａ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８及びチップコンデンサ２０の第１電極２１と第２電極２２に接続されたバイアホール６０が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成されている。
【００５５】
チップコンデンサ２０は、図１４（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、導電性ペースト２６を被覆させてある。
【００５６】
ここで、第１電極２１及び第２電極２２は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無くすことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚みが最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能である。
【００５７】
チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、層間樹脂絶縁層４０にレーザでバイアホール用開口４２を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール６０との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆されたバイアホール用開口４２を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール６０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【００５８】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と層間樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。
【００５９】
図８に示すように、上側のビルドアップ配線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００６０】
図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓは、バンプ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール１６０−バンプ７６Ｄを介して、ドータボード９５の信号用のパッド９４Ｓに接続されている。
【００６１】
ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４Ｅは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００６２】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４Ｐは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００６３】
図７に示すように、本実施形態のコア基板３０は、第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３３ａを介して接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層（接着板）３３ｂを介して接続された第３樹脂基板３０ｃとからなる。第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹脂基板３０ｃの両面には、導体回路３２が形成されている。また、コア基板３０にはザグリ加工によってチップコンデンサ２０を収容可能な凹部３４が形成され、凹部３４にはチップコンデンサ２０が収容されている。
【００６４】
これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリント配線板１０のループインダクタンスを低減させれる。また、両面に導体回路３２が配設された第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを積層してコア基板３０を形成しているため、コア基板３０内での配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【００６５】
更に、第１実施形態では、図２（Ａ）に示すようにコア基板３０の通孔３４の下面とチップコンデンサ２０との間に接着剤３６を介在させ、通孔３７の側面とチップコンデンサ２０との間に樹脂充填剤３８を充填してある。ここで、接着剤３６及び樹脂充填剤３８の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板３０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００６６】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００６７】
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂを、パターン状にエッチングすることにより、両面に導体回路３２を備える第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを形成する（図１（Ｂ）参照）。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと第１樹脂基板３０ａとをプリプレグ３３ａを介して積層する（図１（Ｃ）参照）。
【００６８】
なお、コア基板として、ＡｌＮなどのセラミックの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００６９】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、コア基板３０を形成する（図１（Ｄ）参照）。ここでは先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００７０】
（３）次に、コア基板３０に、ザグリ加工でチップコンデンサ２０収容用の凹部３４を形成する（図１（Ｅ）参照）。ここでは、ザグリ加工によりコンデンサ収容用の凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成することも可能である。
【００７１】
（４）その後、凹部３４の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図２（Ａ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、チップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図２（Ｂ）参照）。
チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００７２】
（５）その後、凹部３４内に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図２（Ｃ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３４内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３４の壁面との隙間を充填する。
【００７３】
（６）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層４０を設ける（図２（Ｄ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００７４】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図２（Ｅ）参照）。この際に、導電性ペースト２６によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。
【００７５】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図３（Ａ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００７６】
（９）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面４６を形成する（図３（Ｂ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００７７】
（１０）その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を層間樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３（Ｃ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正にＮｉ／Ｃｕ金属層４８を形成することができる。
【００７８】
（１１）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５０を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を介して電流を流し、レジスト５０非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｄ）参照）。
【００７９】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ2
時間 １２０分
温度 ２２±２℃
【００８０】
（１２）レジスト５０を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのレジスト５０下のＮｉ−Ｃｕ合金層４８を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層４８と電解めっき膜５２からなる厚さ１６μｍのスルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面をエッチングすることにより、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の全表面に粗化面６２を形成する（図４（Ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００８１】
（１３）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤６４を、スルーホール５６内に充填し、加熱乾燥を行う。（図４（Ｂ）参照）。
【００８２】
（１４）その後、（６）の工程で用いた熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層１４０を設ける（図４（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。ここでは、エポキシ系樹脂を用いるが、シクロオレフィン系樹脂フィルムを用いることも可能である。
【００８３】
（１５）次いで、層間樹脂絶縁層１４０にレーザによりバイアホール用開口１４２を形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００８４】
（１６）（９）の工程と同様に日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層１４０の全表面に粗化面１４６を形成する（図５（Ａ）参照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００８５】
（１７）その後、（１０）〜（１２）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層１４０上に、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１４８と電解めっき膜１５２からなる厚さ１６μｍの導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）及び粗化面１６２を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００８６】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００８７】
（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。
【００８８】
（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００８９】
（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【００９０】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボード９５への取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ、９２Ｐ、９２Ｓが対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。
【００９１】
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１１０について、図１１を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡ（ボールグリッドアレー）を配設した。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、図１１に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００９２】
図１４（Ｂ）に第２実施形態に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、第２実施形態では、この代わりに、ポリイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【００９３】
また、第２実施形態では、導電性ペースト２６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の金属膜を形成することも可能である。
【００９４】
第２実施形態では、コンデンサ２０の電極２１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けてあるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。メタライズからなる電極２１、２２は、表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすことができ、バイアホール６０との密着性を高め、接続抵抗を下げることができる。
【００９５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリ加工によりチップコンデンサ２０を収容する凹部３４を設け、チップコンデンサ２０を収容した。第２実施形態では、通孔３０Ａを設けた第１樹脂基板３０ａおよび通孔を設けない第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃとをプリプレグ（接着板）３３ａ、３３ｂを介して貼り合わせることで、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成し、凹部３５内に複数個のチップコンデンサ２０を収容する。
【００９６】
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程について、図９及び図１０を参照して説明する。
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図９（Ａ）参照）。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂをパターン状にエッチングすることにより両面に導体回路３２を備える第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃを形成する。また、パターン状にエッチングすると共に、通孔３０Ａを形成することで導体回路３２を備える第１樹脂基板３０ａを形成する（図９（Ｂ）参照）。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着板）３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと通孔３０Ａが形成された第１樹脂基板３０ａとを通孔３３Ａの形成されたプリプレグ（接着板）３３ａを介して積層する（図９（Ｃ）参照）。
【００９７】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成する（図９（Ｄ）参照）。ここでは、先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００９８】
（３）その後、凹部３５の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図９（Ｅ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
【００９９】
（４）次に、複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図１０（Ａ）参照）。コア基板に複数個のチップコンデンサ２０を収容することにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【０１００】
（５）その後、凹部３５内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図１０（Ｂ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３５内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３５の壁面との隙間を充填する。
【０１０１】
（６）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０を設ける（図１０（Ｃ）参照）。
【０１０２】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図１０（Ｄ）参照）。
【０１０３】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図１０（Ｅ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
以降の工程は、上述した第１実施形態の（９）〜（２１）と同様であるため、説明を省略する。
【０１０４】
引き続き、本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図１２を参照して説明する。改変例のプリント配線板は、上述した第２実施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【０１０６】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１３を参照して説明する。
【０１０７】
図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図１１を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図１２を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【０１０８】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について図１５を参照して説明する。
この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１５は、チップコンデンサの平面図を示している。図１５（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１５（Ｃ）は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第３実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０９】
この第３実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【０１１０】
引き続き、第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１６を参照して説明する。
図１６は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【０１１１】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１１２】
図１７を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１７（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１７（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１７（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。
【０１１３】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１１４】
上述した第３実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数個積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続性を高めることができる。
更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。
そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１３】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。
【図１４】本発明の第２実施形態の改変例のチップコンデンサを示す断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１６】第３実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】第３実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体
２３ａ 粗化面
２３ｂ ポイリミド膜
２６ 導電性ペースト
２８ａ 無電解銅めっき膜
２８ｂ 電解銅めっき膜
２８ 複合金属膜
３０ コア基板
３０ａ 第１樹脂基板
３０ｂ 第２樹脂基板
３０ｃ 第３樹脂基板
３０Ａ 通孔
３２ 導体回路
３３ａ、３３ｂ 接着用樹脂層（接着板）
３３Ａ 開口部
３４ 凹部
３５ 凹部
３６ 接着材料
３８ 樹脂充填剤
４０ 層間樹脂絶縁層
５６ スルーホール
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ 開口部
７２ ニッケルめっき層
７４ 金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
９０ ＩＣチップ
９２Ｅ 接地用半田パッド
９２Ｓ 信号用半田パッド
９２Ｐ 電源用半田パッド
９４Ｅ 接地用半田パッド
９４Ｓ 信号用半田パッド
９４Ｐ 電源用半田パッド
９５ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
１４０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
また、パッケージ基板として用いられる多層ビルドアップ配線板は、各層間樹脂絶縁層を以下の工程を経てビルドアップしていく。まず、ロールーコーターや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。即ち、１層を形成する毎に上述した工程を繰り返すこと必要があり、層数が増大すると、工程数が増すと共に歩留まりが低下する。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明は、ループインダクタンスを低減でき、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減したプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を解決するため、請求項１のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程；
（ｂ）接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
（ｃ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｄ）前記コア基板に、凹部を形成する工程；
（ｅ）前記凹部にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００１１】
請求項２のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｂ）通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｃ）前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介して積層する工程；
（ｄ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｅ）前記通孔にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
【００１２】
請求項１および請求項２では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１３】
コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１４】
空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
【００１５】
また、コンデンサのメタライズからなる電極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続信頼性を高めることができる。
【００１６】
また、コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。
【００３４】
本発明のにおいて層間樹脂絶縁層、接続層として使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３５】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００３６】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００３７】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００３８】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００３９】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４０】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４１】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４２】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４３】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００４４】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００４５】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００４６】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００４７】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００４８】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００４９】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５０】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５１】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラミン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００５２】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状態を示している。
【００５４】
図７に示すように、プリント配線板１０は、チップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、スルーホール５６を介して接続されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層４０、１４０からなる。上側のビルドアップ配線層８０Ａ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８及びチップコンデンサ２０の第１電極２１と第２電極２２に接続されたバイアホール６０が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成されている。
【００５５】
チップコンデンサ２０は、図１４（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、導電性ペースト２６を被覆させてある。
【００５６】
ここで、第１電極２１及び第２電極２２は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無くすことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚みが最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能である。
【００５７】
チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、層間樹脂絶縁層４０にレーザでバイアホール用開口４２を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール６０との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆されたバイアホール用開口４２を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール６０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【００５８】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と層間樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。
【００５９】
図８に示すように、上側のビルドアップ配線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００６０】
図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓは、バンプ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール１６０−バンプ７６Ｄを介して、ドータボード９５の信号用のパッド９４Ｓに接続されている。
【００６１】
ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４Ｅは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００６２】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４Ｐは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００６３】
図７に示すように、本実施形態のコア基板３０は、第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３３ａを介して接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層（接着板）３３ｂを介して接続された第３樹脂基板３０ｃとからなる。第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹脂基板３０ｃの両面には、導体回路３２が形成されている。また、コア基板３０にはザグリ加工によってチップコンデンサ２０を収容可能な凹部３４が形成され、凹部３４にはチップコンデンサ２０が収容されている。
【００６４】
これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリント配線板１０のループインダクタンスを低減させれる。また、両面に導体回路３２が配設された第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを積層してコア基板３０を形成しているため、コア基板３０内での配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【００６５】
更に、第１実施形態では、図２（Ａ）に示すようにコア基板３０の通孔３４の下面とチップコンデンサ２０との間に接着剤３６を介在させ、通孔３７の側面とチップコンデンサ２０との間に樹脂充填剤３８を充填してある。ここで、接着剤３６及び樹脂充填剤３８の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板３０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００６６】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００６７】
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂを、パターン状にエッチングすることにより、両面に導体回路３２を備える第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを形成する（図１（Ｂ）参照）。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと第１樹脂基板３０ａとをプリプレグ３３ａを介して積層する（図１（Ｃ）参照）。
【００６８】
なお、コア基板として、ＡｌＮなどのセラミックの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００６９】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、コア基板３０を形成する（図１（Ｄ）参照）。ここでは先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００７０】
（３）次に、コア基板３０に、ザグリ加工でチップコンデンサ２０収容用の凹部３４を形成する（図１（Ｅ）参照）。ここでは、ザグリ加工によりコンデンサ収容用の凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成することも可能である。
【００７１】
（４）その後、凹部３４の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図２（Ａ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、チップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図２（Ｂ）参照）。
チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００７２】
（５）その後、凹部３４内に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図２（Ｃ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３４内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３４の壁面との隙間を充填する。
【００７３】
（６）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層４０を設ける（図２（Ｄ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００７４】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図２（Ｅ）参照）。この際に、導電性ペースト２６によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。
【００７５】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図３（Ａ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００７６】
（９）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面４６を形成する（図３（Ｂ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００７７】
（１０）その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を層間樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３（Ｃ）参照）。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正にＮｉ／Ｃｕ金属層４８を形成することができる。
【００７８】
（１１）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５０を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を介して電流を流し、レジスト５０非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｄ）参照）。
【００７９】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ2
時間 １２０分
温度 ２２±２℃
【００８０】
（１２）レジスト５０を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのレジスト５０下のＮｉ−Ｃｕ合金層４８を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層４８と電解めっき膜５２からなる厚さ１６μｍのスルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面をエッチングすることにより、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の全表面に粗化面６２を形成する（図４（Ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００８１】
（１３）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤６４を、スルーホール５６内に充填し、加熱乾燥を行う。（図４（Ｂ）参照）。
【００８２】
（１４）その後、（６）の工程で用いた熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層１４０を設ける（図４（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。ここでは、エポキシ系樹脂を用いるが、シクロオレフィン系樹脂フィルムを用いることも可能である。
【００８３】
（１５）次いで、層間樹脂絶縁層１４０にレーザによりバイアホール用開口１４２を形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００８４】
（１６）（９）の工程と同様に日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層１４０の全表面に粗化面１４６を形成する（図５（Ａ）参照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００８５】
（１７）その後、（１０）〜（１２）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層１４０上に、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１４８と電解めっき膜１５２からなる厚さ１６μｍの導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）及び粗化面１６２を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００８６】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００８７】
（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。
【００８８】
（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００８９】
（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【００９０】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボード９５への取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ、９２Ｐ、９２Ｓが対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。
【００９１】
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１１０について、図１１を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡ（ボールグリッドアレー）を配設した。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、図１１に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００９２】
図１４（Ｂ）に第２実施形態に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、第２実施形態では、この代わりに、ポリイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【００９３】
また、第２実施形態では、導電性ペースト２６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の金属膜を形成することも可能である。
【００９４】
第２実施形態では、コンデンサ２０の電極２１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けてあるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。メタライズからなる電極２１、２２は、表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすことができ、バイアホール６０との密着性を高め、接続抵抗を下げることができる。
【００９５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリ加工によりチップコンデンサ２０を収容する凹部３４を設け、チップコンデンサ２０を収容した。第２実施形態では、通孔３０Ａを設けた第１樹脂基板３０ａおよび通孔を設けない第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃとをプリプレグ（接着板）３３ａ、３３ｂを介して貼り合わせることで、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成し、凹部３５内に複数個のチップコンデンサ２０を収容する。
【００９６】
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程について、図９及び図１０を参照して説明する。
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図９（Ａ）参照）。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂをパターン状にエッチングすることにより両面に導体回路３２を備える第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃを形成する。また、パターン状にエッチングすると共に、通孔３０Ａを形成することで導体回路３２を備える第１樹脂基板３０ａを形成する（図９（Ｂ）参照）。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着板）３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと通孔３０Ａが形成された第１樹脂基板３０ａとを通孔３３Ａの形成されたプリプレグ（接着板）３３ａを介して積層する（図９（Ｃ）参照）。
【００９７】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成する（図９（Ｄ）参照）。ここでは、先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００９８】
（３）その後、凹部３５の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図９（Ｅ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
【００９９】
（４）次に、複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図１０（Ａ）参照）。コア基板に複数個のチップコンデンサ２０を収容することにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【０１００】
（５）その後、凹部３５内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図１０（Ｂ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３５内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３５の壁面との隙間を充填する。
【０１０１】
（６）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０を設ける（図１０（Ｃ）参照）。
【０１０２】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図１０（Ｄ）参照）。
【０１０３】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図１０（Ｅ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
以降の工程は、上述した第１実施形態の（９）〜（２１）と同様であるため、説明を省略する。
【０１０４】
引き続き、本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図１２を参照して説明する。改変例のプリント配線板は、上述した第２実施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０５】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【０１０６】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１３を参照して説明する。
【０１０７】
図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図１１を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図１２を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【０１０８】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について図１５を参照して説明する。
この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１５は、チップコンデンサの平面図を示している。図１５（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１５（Ｃ）は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第３実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１０９】
この第３実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【０１１０】
引き続き、第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１６を参照して説明する。
図１６は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【０１１１】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１１２】
図１７を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１７（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１７（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１７（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。
【０１１３】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第2実施形態と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１１４】
上述した第３実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数個積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるバイアホールとの接続性を高めることができる。
更に、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。
そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１３】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。
【図１４】本発明の第２実施形態の改変例のチップコンデンサを示す断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１６】第３実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】第３実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０ チップコンデンサ
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体
２３ａ 粗化面
２３ｂ ポイリミド膜
２６ 導電性ペースト
２８ａ 無電解銅めっき膜
２８ｂ 電解銅めっき膜
２８ 複合金属膜
３０ コア基板
３０ａ 第１樹脂基板
３０ｂ 第２樹脂基板
３０ｃ 第３樹脂基板
３０Ａ 通孔
３２ 導体回路
３３ａ、３３ｂ 接着用樹脂層（接着板）
３３Ａ 開口部
３４ 凹部
３５ 凹部
３６ 接着材料
３８ 樹脂充填剤
４０ 層間樹脂絶縁層
５６ スルーホール
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ 開口部
７２ ニッケルめっき層
７４ 金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
９０ ＩＣチップ
９２Ｅ 接地用半田パッド
９２Ｓ 信号用半田パッド
９２Ｐ 電源用半田パッド
９４Ｅ 接地用半田パッド
９４Ｓ 信号用半田パッド
９４Ｐ 電源用半田パッド
９５ ドータボード
９６ 導電性接続ピン
１４０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
Claims (2)
- 少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程；
（ｂ）接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
（ｃ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｄ）前記コア基板に、凹部を形成する工程；
（ｅ）前記凹部にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。 - 少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｂ）通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｃ）前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介して積層する工程；
（ｄ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｅ）前記通孔にメタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを収容する工程；
（ｆ）前記導電性ペースト上に銅めっき膜で構成された金属層を設ける工程；
（ｇ）前記コア基板に樹脂絶縁層を積層する工程；
（ｈ）該樹脂絶縁層に、銅で構成され、前記コンデンサの電極に接続するバイアホールを形成する工程。
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