JP5436177B2 - 配線基板内蔵用部品及びその製造方法、並びに配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板に内蔵して使用するための部品及びその製造方法、並びにそのような部品を内蔵した配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（例えば特許文献１参照）や、樹脂コア基板の表面や裏面に形成されたビルドアップ層内にコンデンサを埋め込んだ配線基板が従来提案されている。

上記の配線基板に内蔵されるコンデンサとしては、ビアアレイタイプのセラミックコンデンサが実用化されている。このセラミックコンデンサは、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層配置されたセラミック焼結体を備える。そして、このセラミック焼結体において、各セラミック誘電体層を貫通して各内部電極層と電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体がアレイ状に配置されている。さらに、セラミック焼結体の表面及び裏面には、コンデンサ内ビア導体の端部に接続される外部電極が設けられている。

このセラミックコンデンサにおける各外部電極は、例えば、ニッケルを主体とするメタライズ金属層の表面上に銅めっきからなる被覆層を形成した構造を有している。そして、このような構造を採用することで、外部電極の低抵抗化が達成しやすくなるとともに、外部電極表面を適切に粗化処理しやすくなると考えられている。

特開２００５−３９２４３号公報

しかしながら、上記従来技術では、ニッケルメタライズ金属層を銅めっき被覆層で被覆する際に、ニッケルメタライズ金属層の表面の凹凸に対して銅めっきが十分に追従しない。そのため、両層の界面に隙間が生じやすく銅めっき被覆層の密着性が低下するため、銅めっき被覆層が剥がれることがあり、信頼性に問題があった。従って、このような外部電極内部における２層間の密着性の問題を解決するためには、ニッケルメタライズ金属層の表面の凹凸に対して銅めっきを十分に追従させる必要がある。具体的には、銅めっき被覆層を構成する銅粒子の粒径を、ニッケルメタライズ金属層を構成するニッケル粒子の粒径よりも小さく設定して銅めっきを行うことで、銅めっき被覆層を形成することが考えられる。しかしながら、銅めっき被覆層を構成する銅粒子が小径化した結果、コンデンサを配線基板に内蔵する工程における表面粗化処理の際に、銅めっき被覆層表面から銅粒子が脱粒しやすくなる。そのため、粗化不良が起こり、銅めっき被覆層の周囲に存在する樹脂絶縁層との間にデラミネーションが発生する結果、外部電極と樹脂層間絶縁層との間の密着性が低下するという問題があった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部電極内部や外部電極と樹脂絶縁層間での剥離が起こりにくいため信頼性が高く、かつ低抵抗な外部電極を備えた配線基板内蔵用部品及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記部品を内蔵した好適な配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線基板に内蔵される部品であって、主面及び裏面を有するセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の主面及び裏面の少なくとも一方の上に配置され、ニッケルを含むメタライズ金属層の表面上に銅からなる被覆層を形成した構造を有する外部電極とを備え、前記被覆層の深部に存在する銅粒子の平均粒径は、前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さく、前記被覆層の浅部に存在する銅粒子の平均粒径は、前記深部に存在する銅粒子の平均粒径よりも大きくかつ前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とした配線基板内蔵用部品、がある。

従って、手段１に記載の発明によると、被覆層の深部に存在する銅粒子の平均粒径は、メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さいため、メタライズ金属層の表面の凹凸に対して銅粒子が入り込みやすくなり、メタライズ金属層に対する被覆層の追従性が増す。ゆえに、メタライズ金属層と被覆層との界面に隙間が生じにくくなりこれら２層間の密着性が向上する結果、外部電極内層での剥離が発生しにくくなる。しかも、メタライズ金属層の表面の凹凸が吸収されることで、外部電極の表面の平滑性が向上する。また、被覆層の浅部に存在する銅粒子の平均粒径は、深部に存在する銅粒子の平均粒径よりも大きくかつメタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さいため、例えば表面粗化処理等を経ても被覆層表面から銅粒子が脱粒しにくくなる。ゆえに、被覆層の周囲に存在する樹脂材料との間にデラミネーションが発生しにくく、外部電極と樹脂材料との間の密着性が向上する。しかも、被覆層の浅部に存在する銅粒子の粒界領域が減少することで、外部電極の低抵抗化にもつながる。以上の結果、信頼性に優れかつ低抵抗な配線基板内蔵用部品を実現することが可能となる。

前記被覆層は、前記メタライズ金属層上に形成された前記深部としての第１銅めっき層と、前記第１銅めっき層上に形成された前記浅部としての第２銅めっき層とからなる２層構造を有するものであってもよい。あるいは、前記被覆層は、前記深部から前記浅部に行くに従って銅粒子の平均粒径が大きくなっている銅めっき層であってもよい。つまり、被覆層は必ずしも明確に２層に分かれていなくてもよい。

被覆層の浅部に存在する銅粒子の平均粒径は、メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい必要があり、例えば後者の平均粒径が通常５μｍ超であることを考慮すると、前者の平均粒径を０．５μｍ以上５μｍ以下とすることがよく、さらには０．５μｍ以上３μｍ以下とすることがよく、特には０．５μｍ以上１．５μｍ以下とすることがよい。この下限値が０．５μｍ未満であると、被覆層表面からの銅粒子の脱粒を十分に防止できなくなるおそれがあるほか、外部電極の低抵抗化を十分に達成できなくなるおそれがある。また、この上限値が５μｍ超であると、メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径との差が小さくなるばかりでなく、外部電極表面の凹凸が大きくなることで表面の平滑性が低下するおそれがある。

被覆層の深部に存在する銅粒子の平均粒径は、浅部に存在する銅粒子の平均粒径よりもさらに小さい必要があることから、０．５μｍ未満とすることがよく、特には０．１μｍ以上０．３μｍ未満に設定することがよい。この上限値が０．５μｍ以上であると、浅部に存在する銅粒子の平均粒径との差が小さくなるばかりでなく、メタライズ金属層に対する被覆層の追従性が低下するおそれがあり、また、外部電極の表面を十分に平滑化できなくなるおそれがある。なお、この上限値が０．５μｍ未満であれば、外部電極をその厚さ方向に切った断面において、被覆層の深部に存在する銅粒子が、メタライズ電極層を構成する無機材料粒子に２つ以上接することとなり、好ましい。この場合にはメタライズ金属層に対する被覆層の追従性が高いものとなる。

前記被覆層が第１銅めっき層と第２銅めっき層とからなる２層構造を有するものである場合、各々のめっき層の厚さは特に限定されず任意に設定することが可能である。例えば、第１銅めっき層の厚さは、そこに存在している銅粒子の平均粒径よりも大きいことが好ましく、０．５μｍ以上５μｍ以下であることがよい。同様に、第２銅めっき層の厚さは、そこに存在している銅粒子の平均粒径よりも大きいことが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることがよい。いずれの場合も銅めっき層の厚さが薄すぎると均一な層にならないからである。また、被覆層の厚さは２０μｍ以下であることがよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることがよい。

前記被覆層には表面粗さＲａが０．３μｍ以上の粗面が形成されることが好ましい。このような粗面があると、外部電極とその周囲に位置する樹脂材料との間の密着性がより向上するからである。なお、粗面は配線基板に内蔵する前に形成されていてもよいほか、配線基板に内蔵された状態で形成されてもよい。

前記セラミック焼結体としては、ペロブスカイト型酸化物を主体として構成される焼結体を挙げることができる。また、前記メタライズ金属層は、金属粒子としてのニッケル粒子を主体として含むとともに、前記ペロブスカイト型酸化物を含むことが好ましい。このように、メタライズ金属層の形成材料としてニッケルを使用することにより、比較的に高価なパラジウムを用いる場合と比較して、セラミック焼結体の製造コストを抑えることができる。また、メタライズ金属層にペロブスカイト型酸化物を添加することにより、セラミック焼結体におけるメタライズ金属層の熱収縮差を抑えることができ、クラックやデラミネーションなどの問題を回避することができる。

前記配線基板内蔵用部品としては、例えばセラミックコンデンサ、セラミックインダクタなどを挙げることができる。また、好適なセラミックコンデンサとしては、主面及び裏面を有するセラミック焼結体を備え、前記セラミック焼結体には、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置され、前記複数の内部電極に接続された複数のコンデンサ内ビア導体が設けられ、前記外部電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における主面側端部及び裏面側端部のうちの少なくとも一方に接続されたセラミックコンデンサなどを挙げることができる。なお、セラミックコンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。

なお、前記ペロブスカイト型酸化物としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどを挙げることができる。この種の酸化物は高い誘電率を有しているのでコンデンサにおける誘電体として極めて好適であり、それを使用することにより高容量のコンデンサを実現しやすくなる。

前記配線基板内蔵用部品は、前記外部電極上に突設されるとともに、前記被覆層と同じく銅からなる複数の突起状導体を備えていてもよい。この場合、複数の突起状導体を構成する銅粒子の平均粒径は、前記被覆層の浅部に存在している銅粒子の平均粒径よりも大きいことが好ましく、５μｍ以上に設定されることがよい。被覆層と同じ金属材料である銅を用いて突起状導体を形成することにより、被覆層と突起状導体との密着性を十分に確保することができる。また、突起状導体を構成する銅粒子の平均粒径が被覆層を構成する銅粒子の最大粒径よりも大きいので、突起状導体の内部の残留応力を抑えることができる。この結果、突起状導体の強度を十分に確保することができ、突起状導体の折れ等の不具合を解消することができる。また、突起状導体を構成する金属粒子の粒径を大きくすることにより、突起状導体における粒界が減少してその低抵抗化を図ることができる。

上記課題を解決するための手段（手段２）としては、手段１に記載の部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板、がある。

従って、手段２に記載の発明によると、信頼性に優れかつ低抵抗な手段１にかかる配線基板内蔵用部品を用いていることから、これを内部に収容した配線基板について高信頼化、高性能化を達成することができる。

前記樹脂コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。

上記配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面上及び前記コア裏面上のいずれか一方にのみ形成されていてもよいし、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されていてもよいが、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されることが好ましい。このように構成すれば、コア主面上に形成された配線積層部とコア裏面上に形成された配線積層部との両方に電気回路を形成できるため、配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

前記樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

前記導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、樹脂層間絶縁層上にパターン形成される。前記導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。

上記課題を解決するための手段（手段３）としては、主面及び裏面を有するセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の主面及び裏面の少なくとも一方の上に配置され、ニッケルを含むメタライズ金属層の表面上に銅からなる被覆層を形成した構造を有する外部電極とを備えた配線基板内蔵用部品の製造方法であって、前記メタライズ金属層上に当該メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい銅粒子からなる第１銅めっき層を形成する第１銅めっき工程と、前記第１銅めっき層上に当該第１銅めっき層に存在する銅粒子の平均粒径よりも大きくかつ前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい第２銅めっき層を形成する第２銅めっき工程とを含むことを特徴とする配線基板内蔵用部品の製造方法、がある。

従って、手段３に記載の発明によると、被覆層の形成にあたって銅めっき工程を２段階に分けて行っており、これらの銅めっき工程において異なる条件を適宜設定することで、深部としての第１銅めっき層と、浅部としての第２銅めっき層とからなる２層構造の被覆層を比較的容易に形成することができる。また、この製造方法によると、第１銅めっき層及び第２銅めっき層を形成する手法としていずれも銅めっきを採用しているので、製造コストを低く抑えることができるとともに、両層間に好適な密着性を確保することができる。

上記の製造方法においては、例えば、無電解銅めっきによる前記第１銅めっき工程を行った後に、電解銅めっきによる前記第２銅めっき工程を行うこととしてもよい。通常、無電解銅めっきにより析出する銅めっき層中の銅粒子は平均粒径が小さくなり、電解銅めっきにより析出する銅めっき層中の銅粒子は平均粒径が大きくなるからである。

また、光沢銅めっきによる前記第１銅めっき工程を行った後に、前記光沢銅めっきよりも光沢剤の含有量が少ない光沢銅めっきによる前記第２銅めっき工程を行うこととしてもよい。光沢剤を多く含む光沢銅めっきでは銅粒子の粒成長が抑制されるため、銅粒子の平均粒径が小さくなるからである。

また、高電流密度の電解銅めっきによる前記第１めっき工程を行った後に、前記第１めっき工程よりも低電流密度の電解銅めっきによる前記第２めっき工程を行うこととしてもよい。通常、高電流密度の電解銅めっきにより析出する銅めっき層中の銅粒子は平均粒径が小さくなり、それよりも低電流密度の電解銅めっきにより析出する銅めっき層中の銅粒子は平均粒径が大きくなるからである。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 本実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 上記セラミックコンデンサを示す平面図。 上記セラミックコンデンサの外部端子を示す概略断面図。 上記外部端子を構成するメタライズ金属層、第１銅めっき層及び第２銅めっき層における各金属粒径を概念的に示した図。 上記セラミックコンデンサの製造工程において、第１銅めっき工程の開始時の様子を概念的に示した図。 上記製造工程において、第２銅めっき工程の開始時の様子を概念的に示した図。 上記製造工程において、第２銅めっき工程の完了後の様子を概念的に示した図。 上記実施形態において、外部端子の検査方法を説明するための概略図。 別の実施形態のセラミックコンデンサの外部端子を示す概略断面図。 別の実施形態の配線基板を示す概略断面図。

以下、本発明を配線基板に具体化した一実施形態を図１〜図９に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ２１を搭載するための配線基板１０である。配線基板１０は、平面視で略矩形板状の樹脂コア基板１１、第１ビルドアップ層３１（配線積層部）、第２ビルドアップ層３２（配線積層部）を備えている。

第１ビルドアップ層３１は、樹脂コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成されている。第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）を主体とする２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７における複数の箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５が形成されている領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３と呼ぶべきものである。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３５の表面上に形成された端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。また、第１層の樹脂層間絶縁層３３内における複数箇所には、導体層４２とセラミックコンデンサ１０１側の導体とを電気的に接続するビア導体５０が形成されている。

第２ビルドアップ層３２は、樹脂コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成されおり、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）を主体とする２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所には、ビア導体４７とセラミックコンデンサ１０１側の導体とを電気的に接続する別のビア導体５１が形成されている。

また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８における複数の箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

本実施形態の樹脂コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９０ｍｍの平面視略矩形板状である。樹脂コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、樹脂コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、樹脂コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、樹脂コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、樹脂コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。

そして、収容穴部９０内には、図２，図３に示すセラミックコンデンサ１０１（配線基板内蔵用部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、樹脂コア基板１１においてＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に位置している。ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において複数の面接続端子２２が形成されている部分の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１を平面方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３はコンデンサ主面１０２内に位置している。

図１に示されるように、収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）を主体とする樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１を樹脂コア基板１１に固定する機能を有している。セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。このような面取り部があることにより、配線基板１０へのセラミックコンデンサ１０１の内蔵時や、温度変化に伴う樹脂充填部９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部へ応力が集中しにくくなる。その結果、樹脂充填部９２におけるクラックの発生が防止される。

図１〜図３に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４は、１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。

図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極）とグランド用内部電極層１４２（内部電極）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図２に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、ニッケルを主材料として複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が形成されている。各コンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通させている。本実施形態ではビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。

そして図２，図３に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用外部電極１１１と複数の主面側グランド用外部電極１１２とが設けられている。各外部電極１１１は、平面視長方形状となっており、互いに並列に配置されている。一方、各外部電極１１２は、各外部電極１１１同士の間に介在しつつそれら全体を包囲するような形状となっている（図３参照）。主面側電源用外部電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。主面側グランド用外部電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、図２に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用外部電極１２１と複数の裏面側グランド用外部電極１２２とが設けられている。各外部電極１２２は、平面視長方形状となっており、互いに並列に配置されている。一方、各外部電極１２１は、各外部電極１２２同士の間に介在しつつそれら全体を包囲するような形状となっている。つまり、コンデンサ主面１０２側とコンデンサ裏面１０３側とでは、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の形状がちょうど逆になっている。裏面側電源用外部電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。裏面側グランド用外部電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用外部電極１１１，１２１は、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通している。グランド用外部電極１１２，１２２は、グランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。

図４及び図５に示されるように、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、メタライズ金属層１５１と、そのメタライズ金属層１５１よりも導電性が高く、２層構造を有する被覆層１５２（第１銅めっき層１５８及び第２銅めっき層１５９）とからなっている。メタライズ金属層１５１は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の上に配置されており、ニッケル粒子１５４を主体として構成されている。本実施形態のメタライズ金属層１５１には、主材料のニッケル粒子１５４に対して、例えば３０ｖｏｌ％のチタン酸バリウム粒子１５５（ペロブスカイト型酸化物）が含まれている。なお、メタライズ金属層１５１を構成するニッケル粒子１５４の平均粒径は８μｍ程度、最大粒径は１０μｍ程度であり、チタン酸バリウム粒子１５５の平均粒径は４μｍ程度、最大粒径は５μｍ程度である。

メタライズ金属層１５１上には、被覆層１５２を構成する第１銅めっき層１５８が、メタライズ金属層１５１を全体的に覆うようにして形成されている。即ち、被覆層１５２の深部には第１銅めっき層１５８が位置している。銅粒子１５６は、メタライズ金属層１５１の表面の凹凸（特に凹部１６０）に対して入り込んでいる。ゆえに、メタライズ金属層１５１と第１銅めっき層１５８との界面においては、例えばニッケル粒子１５４の１つに対して複数の銅粒子１５６が接して追従した状態となっている。第１銅めっき層１５８上には、被覆層１５２を構成する第２銅めっき層１５９が、第１銅めっき層１５８を全体的に覆うようにして形成されている。即ち、被覆層１５２の浅部には第２銅めっき層１５９が位置している。

被覆層１５２の浅部（第２銅めっき層１５９）に存在する銅粒子１５７の平均粒径は、本実施形態では０．８μｍ以上１．５μｍ以下となっている。従って、メタライズ金属層１５１を構成するニッケル粒子１５４及びチタン酸バリウム粒子１５５の平均粒径と比較して、銅粒子１５７の平均粒径は、かなり小さくなっている。

被覆層１５２の深部（第１銅めっき層１５８）に存在する銅粒子１５６の平均粒径は、本実施形態では０．２μｍ以上０．３μｍ以下となっている。従って、銅粒子１５７の平均粒径よりも、銅粒子１５６の平均粒径のほうがさらに小さくなっている。よって、銅粒子１５６の平均粒径は、ニッケル粒子１５４及びチタン酸バリウム粒子１５５の平均粒径よりも当然に小さくなっている。

第１銅めっき層１５８の厚さは、そこに存在している銅粒子１５６の平均粒径よりも大きい値（本実施形態では７μｍ〜１０μｍ程度）に設定されている。同様に、第２銅めっき層１５９の厚さは、銅粒子１５７の平均粒径よりも大きい値（本実施形態では１０μｍ〜１３μｍ程度）に設定されている。また、被覆層１５２のトータルの厚さは約２０μｍとなっている。

配線基板１０への内蔵時においては、被覆層１５２の表面は粗化された状態となっている。このときの被覆層１５２の表面の算術平均粗さＲａは、０．３μｍとなるように設定されている。なお、「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。

図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある外部電極１１１，１１２は、ビア導体５０、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続されている。一方、コンデンサ裏面１０３側にある外部電極１２１，１２２は、ビア導体５１、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続されている。

例えば、マザーボード側から外部電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

次に、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。

まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とを形成する。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように外部電極１１１，１１２のメタライズ金属層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように外部電極１２１，１２２のメタライズ金属層１５１を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ金属層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。焼結により形成されるメタライズ金属層１５１の表面粗さＲａは０．２μｍ〜０．４μｍである。

次に、得られたセラミック焼結体１０４の各メタライズ金属層１５１上に被覆層１５２を形成する。具体的には、まず、第１銅めっき工程でピロりん酸銅めっきを実施することにより、メタライズ金属層１５１上に厚さ約１０μｍの第１銅めっき層１５８を形成する（図６、７参照）。次に、第２銅めっき工程にて、第１銅めっき工程よりも光沢剤（粒成長抑制剤）の使用量を減らしてピロりん酸銅めっきを実施することにより、第１銅めっき層１５８上に厚さ約１０μｍの第２銅めっき層１５９を形成する（図８参照）。

本実施形態の第１銅めっき工程では、第１銅めっき層１５８を構成する銅粒子１５６の平均粒径が０．２μｍ〜０．３μｍとなるようめっき条件が設定されている。具体的には、ピロりん酸銅めっき浴を用い、５０℃〜６０℃程度の温度、１．０Ａ／ｄｍ^２〜３．０Ａ／ｄｍ^２程度の電流密度、２０分〜２５分程度の析出時間等の条件で電解銅めっきを行う。なお、銅めっき浴には、銅粒子１５６の粒成長を抑制するための添加剤（例えば、光沢剤等）が含有されている。

本実施形態の第２銅めっき工程では、第２銅めっき層１５９を構成する銅粒子１５７の平均粒径が０．８μｍ〜１．５μｍとなるようめっき条件が設定されている。具体的には、ピロりん酸銅めっき浴を用い、５０℃〜６０℃程度の温度、１．０Ａ／ｄｍ^２〜３．０Ａ／ｄｍ^２程度の電流密度、２０分〜２５分程度の析出時間等の条件で電解銅めっきを行う。ただし、この銅めっき浴は、第１銅めっき工程時で使用する銅めっき浴よりも使用する光沢剤量が少ない。以上の結果、２層構造を有するトータル厚さ約２０μｍの被覆層１５２が形成され、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の形成が完了する。

図６は、第１銅めっき工程の開始時の様子を概念的に示している。このとき、メタライズ金属層１５１中のニッケル粒子１５４及びチタン酸バリウム粒子１５５よりも小さい銅粒子１５６でめっきを開始する。銅粒子１５６は凹部１６０に入り込んで追従するようにしてメタライズ金属層１５１の表面に析出し、徐々に第１銅めっき層１５８が形成される。図７は、第２銅めっき工程の開始時の様子を概念的に示している。このとき、第１銅めっき層１５８中の銅粒子１５６よりも大きい銅粒子１５７が析出し、徐々に第２銅めっき層１５９が形成される。図８は、第２銅めっき工程の完了後の様子を概念的に示している。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
まず、コア基板準備工程では、樹脂コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

樹脂コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍの基材１６１の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する。

次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に導体層４１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、樹脂コア基板１１の中間製品を得る。

続く収容工程では、マウント装置を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２と同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する。なお、収容穴部９０のコア裏面１３側開口は剥離可能な粘着テープでシールされ、同テープの粘着面にはセラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定される。

そして、この状態において、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、ディスペンサ装置を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部９２を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される。粘着テープはこの時点で剥離する。

その後、外部電極１１１，１１２における被覆層１５２（即ち第２銅めっき層１５９）の表面を粗化し、表面粗さＲａが約０．３μｍの粗面とする。

さらに、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。そして、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成することにより、配線基板１０を完成させる。

本発明者は、上記の製造方法において、第１銅めっき層１５８形成時、第２銅めっき層１５９形成時のめっき条件を変更することにより、銅粒子１５６，１５７の平均粒径が異なる複数のサンプル品（表１の実施例Ａ、Ｂ、及び比較例Ｃ、Ｄ）を作製した。

具体的には、実施例Ａのセラミックコンデンサ１０１では、第１銅めっき層１５８の銅粒子１５６の平均粒径を０．３μｍとし、第２銅めっき層１５９の銅粒子１５７の平均粒径を０．８μｍとした。実施例Ｂのセラミックコンデンサ１０１では、第１銅めっき層１５８の銅粒子１５６の平均粒径を０．２μｍとし、第２銅めっき層１５９の銅粒子１５７の平均粒径を１．５μｍとした。比較例Ｃのセラミックコンデンサ１０１では、第１銅めっき層１５８の銅粒子１５６の平均粒径を０．３μｍとし、第２銅めっき層１５９については形成しないものとした。比較例Ｄのセラミックコンデンサ１０１では、第１銅めっき層１５８の銅粒子１５６の平均粒径を１０μｍとし、第２銅めっき層１５９の銅粒子１５６の平均粒径を１．０μｍとした。

なお、銅粒子１５６，１５７の平均粒径の測定については、内蔵工程後に行った。具体的には、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）加工装置を用いて外部電極１１１等を切断し、その切断面について走査イオン（ＳＩＭ：Scanning Ion Microscope）像観察を実施した。そして、得られたＳＩＭ像写真に基づき、線インターセプト法を用いて平均粒径を求めた。ここでは、１サンプルにつき３箇所でＳＩＭ像（倍率２００００倍）を撮影後、それぞれのＳＩＭ像上にランダムに１０本の直線を引き、観察される粒子がそれら直線を切り取る線分長さの平均値を平均粒径とした。なお、コンデンサ主面１０２に平行な面を観察することとした。

そして、外部電極１１１等の密着強度を評価するために、引張り試験を行った。即ち、外部電極１１１の表面に０．５ｍｍのニッケル線１６１をはんだ１６２で接合し、そのニッケル線１６１をクランプで挟んで２０ｍｍ／ｍｉｎで垂直方向に引っ張り上げ、剥がれたときの荷重を測定した。なお、試験部のサイズは３ｍｍ×１２ｍｍとした。その結果、実施例Ａ、Ｂ及び比較例Ｃでは、メタライズ金属層１５１と被覆層１５２との間に剥離は見られず、両層の密着性に問題がないことを確認した。一方、比較例Ｄでは、メタライズ金属層１５１と被覆層１５２との間に剥離が見られ、両層の密着性に関して問題があった。

そして、各サンプルのセラミックコンデンサ１０１を内蔵した配線基板１０に対して、低温−６５℃から高温＋１５０℃への昇温及び降温を１００サイクル分繰り返す熱衝撃試験（環境試験規格ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｄ）を実施しその信頼性を評価した。ここでは、熱衝撃試験後の配線基板１０について、セラミックコンデンサ１０１における外部電極１１１等の断面を観察した。その結果、実施例Ａ、Ｂ及び比較例Ｄでは、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３との界面でのデラミネーションといった不具合は発生していなかった。ゆえに、これらのものは十分な信頼性を有することが確認された。一方、比較例Ｃでは、上記のような箇所にデラミネーションが認められ、信頼性に問題があった。

また、実施例Ａ、Ｂ及び比較例Ｃでは、コンデンサ主面１０２の平滑性が向上したことで、ビア穴形成時におけるレーザの乱反射が解消されたため、ビア形状不良は特に認められなかった。しかし、比較例Ｄでは、レーザの乱反射が起こった結果、ビア形状不良が認められた。

従って、本実施形態によれば、内層での剥離や表面での脱粒が起こりにくいため高信頼性であり、かつ低抵抗な外部電極１１１，１１２，１２１，１２２を備えたセラミックコンデンサ１０１を提供することができる。また、このような信頼性に優れかつ低抵抗なセラミックコンデンサ１０１を用いていることから、これを内部に収容した配線基板１０について高信頼化、高性能化を達成することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上には特に何も設けていないが、例えば図１０に示す別の実施形態のセラミックコンデンサ１０１Ａのように突起状導体１７１を突設してもよい。各突起状導体１７１は、銅めっきによって形成された円柱状導体（銅ポスト）である。この突起状導体１７１を構成する銅粒子の平均粒径は限定されないが、第２銅めっき層１５９に存在している銅粒子１５７の平均粒径よりも大きいことが好ましく、５μｍ以上に設定されることがよい。

・上記実施形態の配線基板１０において、セラミックコンデンサ１０１は樹脂コア基板１１内に収容されていた。しかし、セラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ２０１（厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサ２０１を配線基板１０Ｂの第１ビルドアップ層２０２内（例えば図１１参照）に収容してもよい。セラミックコンデンサ２０１においても、上記のセラミックコンデンサ１０１と同様に、そのメタライズ金属層１５１と被覆層１５２とからなる外部電極（コンデンサ主面１０２上の外部電極１１１，１１２及びコンデンサ裏面１０３上の外部電極１２１，１２２）が形成されている。なお、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の第１銅めっき層１５８を構成する銅粒子１５６の平均粒径は０．５μｍ未満であり、第２銅めっき層１５９を構成する銅粒子１５７の平均粒径は０．５μｍ以上５μｍ以下である。そして、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２における被覆層１５２の表面が粗化された後、セラミックコンデンサ２０１が第１ビルドアップ層２０２内に内蔵されている。

・本発明のセラミックコンデンサ１０１等の製造方法は、上記実施形態に記載したもののみに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。その具体的な手法としては、例えば、第１銅めっき層１５８を無電解銅めっきにより形成し、第２銅めっき層１５９を電解銅めっきにより形成してもよい。また、低電流密度めっきに比べ、高電流密度めっきでは核生成が促されるため銅粒子の粒径が小さくなる。このため、第１銅めっき層１５８を高電流密度めっきにより形成し、第２銅めっき層１５９を低電流密度めっきにより形成してもよい。高電流密度めっきの電流密度は例えば８Ａ／ｄｍ^２とし、低電流密度めっきの電流密度は例えば２Ａ／ｄｍ^２とすればよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２が、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の両方に設けられていたが、いずれか一方のみに設けられていてもよい。

・上記実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であったが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。

次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）上記手段１において、前記セラミック焼結体は、ペロブスカイト型酸化物を主体として構成され、前記メタライズ金属層は、ニッケルを主体として含むとともに、前記ペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とする配線基板内蔵用部品。

（２）上記手段１において、前記セラミック焼結体には、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置され、前記複数の内部電極に接続された複数のコンデンサ内ビア導体が設けられ、前記外部電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における主面側端部及び裏面側端部のうちの少なくとも一方に接続され、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されていることを特徴とする配線基板内蔵用部品。

（３）上記手段１において、前記被覆層は、前記メタライズ金属層上に形成された前記深部としての第１銅めっき層と、前記第１銅めっき層上に形成された前記浅部としての第２銅めっき層とからなる２層構造を有し、前記第１銅めっき層の厚さが０．５μｍ以上５μｍ以下、前記第２銅めっき層の厚さが１μｍ以上１０μｍ以下、前記被覆層のトータル厚さが２０μｍ以下であることを特徴とする配線基板内蔵用部品。

１０，１０Ｂ…配線基板
１１…樹脂コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３０，３３〜３６…樹脂層間絶縁層
３１，２０２…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
４２，４４，４８…導体層
１０１，１０１Ａ，２０１…配線基板内蔵用部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…主面としてのコンデンサ主面
１０３…裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…セラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１１１，１１２，１２１，１２２…外部電極
１３１，１３２…ビア導体
１４１，１４２…内部電極層
１５１…メタライズ金属層
１５２…被覆層
１５４…無機材料粒子としてのニッケル粒子
１５５…無機材料粒子としてのチタン酸バリウム粒子
１５６，１５７…銅粒子
１５８…被覆層の深部としての第１銅めっき層
１５９…被覆層の浅部としての第２銅めっき層

Claims (10)

1. 配線基板に内蔵される部品であって、
   主面及び裏面を有するセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の主面及び裏面の少なくとも一方の上に配置され、ニッケルを含むメタライズ金属層の表面上に銅からなる被覆層を形成した構造を有する外部電極とを備え、
   前記被覆層の深部に存在する銅粒子の平均粒径は、前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さく、
   前記被覆層の浅部に存在する銅粒子の平均粒径は、前記深部に存在する銅粒子の平均粒径よりも大きくかつ前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい
   ことを特徴とした配線基板内蔵用部品。
2. 前記被覆層は、前記メタライズ金属層上に形成された前記深部としての第１銅めっき層と、前記第１銅めっき層上に形成された前記浅部としての第２銅めっき層とからなる２層構造を有することを特徴とした請求項１に記載の配線基板内蔵用部品。
3. 前記被覆層は、前記深部から前記浅部に行くに従って銅粒子の平均粒径が大きくなっている銅めっき層であることを特徴とした請求項１に記載の配線基板内蔵用部品。
4. 前記深部に存在する銅粒子の平均粒径が０．５μｍ未満、前記浅部に存在する銅粒子の平均粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
5. 前記セラミック焼結体は、セラミック誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなり、前記セラミック焼結体内に設けられた複数のビア導体は、前記内部電極層と前記外部電極とを電気的に接続するとともに、全体として格子状に配置されていることを特徴とした請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板。
7. 主面及び裏面を有するセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の主面及び裏面の少なくとも一方の上に配置され、ニッケルを含むメタライズ金属層の表面上に銅からなる被覆層を形成した構造を有する外部電極とを備えた配線基板内蔵用部品の製造方法であって、
   前記メタライズ金属層上に当該メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい銅粒子からなる第１銅めっき層を形成する第１銅めっき工程と、前記第１銅めっき層上に当該第１銅めっき層に存在する銅粒子の平均粒径よりも大きくかつ前記メタライズ金属層を構成する無機材料粒子の平均粒径よりも小さい第２銅めっき層を形成する第２銅めっき工程とを含むことを特徴とする配線基板内蔵用部品の製造方法。
8. 無電解銅めっきによる前記第１銅めっき工程を行った後に、電解銅めっきによる前記第２銅めっき工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の配線基板内蔵用部品の製造方法。
9. 光沢銅めっきによる前記第１銅めっき工程を行った後に、前記光沢銅めっきよりも光沢剤の含有量が少ない光沢銅めっきによる前記第２銅めっき工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の配線基板内蔵用部品の製造方法。
10. 高電流密度の電解銅めっきによる前記第１めっき工程を行った後に、前記第１めっき工程よりも低電流密度の電解銅めっきによる前記第２めっき工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の配線基板内蔵用部品の製造方法。

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