JP6201474B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

特許文献１は、セラミック素体と、セラミック素体の表面に形成された端子電極とを備えるセラミック電子部品を開示している。端子電極は、セラミック素体の表面に配置された下地電極層と、下地電極層上に配置された第１のＣｕめっき層と、第１のＣｕめっき層上に配置された第２のＣｕめっき層とを有する。第２のＣｕめっき層は、第１のＣｕめっき層及び下地電極層の熱処理後に形成される。

特開２０１２−００９８１３号公報

本発明の目的は、素体へのクラック発生を抑制することが可能な積層コンデンサを提供することにある。

素体へのクラック発生を抑制することが可能な積層コンデンサを得るために、本発明者が鋭意研究したところ、端子電極を構成するめっき層の密度がクラック発生の一つの要因であるという新たな知見を見出だした。すなわち、めっき層の密度に応じてめっき層に含まれる空孔の多寡が左右されるので、めっき層に含まれる空孔が少ないほどめっき層に生じた応力が緩和され難くなる結果、当該応力が素体に伝達してクラックが生じうる、ということが判明した。

例えば、特許文献１に係るセラミック電子部品の端子電極においては、第１のＣｕめっき層は熱処理により緻密になるので、第１のＣｕめっき層の密度は第２のＣｕめっき層の密度よりも大きいと推定される。つまり、密度の高い第１のＣｕめっき層が下地電極層上に配置されている。従って、本発明者が見出だした新たな知見によれば、第１のＣｕめっき層の形成過程で第１のＣｕめっき層自身に内部応力が生じたり、セラミック電子部品に外部から力が加わるなどにより第１のＣｕめっき層に応力が作用した場合に、それらの応力は、第１のＣｕめっき層において緩和されず、セラミック素体にも作用する。その結果、セラミック素体にクラック（欠けや割れなど）が生ずる場合がある。

これに対して、本発明の一つの観点に係る積層コンデンサは、互いに対向する一対の端面と、一対の端面同士を連結するように延びると共に互いに対向する一対の主面と、一対の端面同士及び一対の主面同士を連結するように延びると共に互いに対向する一対の側面とを有し、一対の主面の間の寸法が、一対の端面の間の寸法及び一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、素体のうち一方の端面側に位置すると共に、主面と、端面及び側面の少なくとも一方とにわたって連続して延びるように素体の表面に配置された第１の端子電極と、素体のうち他方の端面側に位置すると共に、主面と、端面及び側面の少なくとも一方とにわたって連続して延びるように素体の表面に配置された第２の端子電極と、素体内に位置すると共に、第１の端子電極に接続された第１の内部電極と、素体内に位置すると共に、第２の端子電極に接続された第２の内部電極とを備え、第１及び第２の内部電極は、一対の主面の対向方向において隣り合って配置されていると共に、対向方向から見たときに互いに一部が重なり合っており、第１及び第２の端子電極はそれぞれ、その最外表面を構成する第１のめっき層と、第１のめっき層及び素体の間に位置する第２のめっき層とを有し、第１のめっき層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含み、第２のめっき層の密度は、第１のめっき層の密度よりも小さい。

本発明の一つの観点に係る積層コンデンサでは、第１及び第２の端子電極がそれぞれ第１及び第２のめっき層とを有し、第２のめっき層の密度が第１のめっき層の密度よりも小さい。第２のめっき層には第１のめっき層よりも多くの空孔が含まれているので、第２のめっき層に作用する応力は空孔の存在によって緩和される。そのため、第１のめっき層の形成過程で第１のめっき層自身に内部応力が生じたり、積層コンデンサに外部から力が加わるなどにより第１のめっき層に応力が作用すると、それらの応力は、第２のめっき層において緩和され、素体に作用し難くなる。その結果、素体にクラック（欠けや割れなど）が発生することを抑制できる。

本発明の一つの観点に係る積層コンデンサでは、第１のめっき層がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含んでいる。そのため、本発明の一つの観点に係る積層コンデンサを基板等に実装する際に、当該積層コンデンサの端子電極と、基板等のビア導体との接続が良好に行える。しかも、第１のめっき層は、第２のめっき層よりも密度が高く表面がより緻密であるので、当該積層コンデンサの基板等への実装時に、当該積層コンデンサの端子電極と基板等のビア導体とがより強固に固着しやすい。従って、当該積層コンデンサをより確実に基板等に実装することが可能となる。

本発明の一つの観点に係る積層コンデンサでは、一対の主面の間の寸法が、一対の端面の間の寸法及び一対の側面の間の寸法よりも小さい。そのため、本発明の一つの観点に係る積層コンデンサは、いわゆる低背型の積層コンデンサとして構成される。加えて、第１及び第２の端子電極が少なくとも主面に配置されているので、当該積層コンデンサを回路基板に内蔵したり、ＬＳＩ（Large Scale Integration）に埋め込んで実装することが可能となる。ところで、積層コンデンサを回路基板等に埋め込む実装構造においては、積層コンデンサの端子電極が露出するようにレーザビーム等を用いて回路基板等に貫通孔（ビアホール）を形成し、当該貫通孔内にビア導体を埋め込むことにより、ビア導体と積層コンデンサの端子電極とが接続される。このような実装構造では、端子電極の電流ループ距離が短くなるため、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くできる。

第１及び第２のめっき層は共にＣｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、第１及び第２のめっき層が共に同じ材料を主成分として含んでいるので、両者の界面における固着性を高めることができる。

第１及び第２の端子電極はそれぞれ、素体の表面に位置する焼付電極層と、焼付電極層を覆う第２のめっき層と、第２のめっき層を覆う第１のめっき層とを有し、焼付電極層はＣｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、素体の表面に位置する焼付電極層に内部電極が接続されるので、端子電極と内部電極とをより確実に接続することができる。またこの場合、焼付電極層、第１のめっき層及び第２のめっき層がいずれも同じ材料を主成分として含んでいるので、焼付電極層と第２のめっき層との界面、及び第２のめっき層と第１のめっき層との界面における固着性を高めることができる。

第１及び第２の端子電極はそれぞれ、素体の表面に位置する焼付電極層と、焼付電極層を覆う第２のめっき層と、第２のめっき層を覆う第１のめっき層とを有し、第２のめっき層はＮｉを主成分として含んでおり、第１のめっき層はＣｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、ＮｉはＣｕよりも熱伝導率が低いので、積層コンデンサに熱が加わった場合でも、第１のめっき層から素体への熱伝達が第２のめっき層によって妨げられる。そのため、積層コンデンサの回路基板等への実装に際して積層コンデンサに熱が加わった場合でも、当該熱によって素体の内部に生じうる損傷（ダメージ）を低減することができる。特に、積層コンデンサを回路基板等に埋め込む実装構造においては、回路基板等に貫通孔（ビアホール）を形成する際に、レーザビームが積層コンデンサの端子電極に照射される。そのため、積層コンデンサの端子電極に大きな熱が作用する傾向にある。しかしながら、第２のめっき層がＮｉを主成分として含んでおり、第１のめっき層がＣｕを主成分として含んでいる場合には、レーザビームによって素体の内部に生じうる損傷（ダメージ）も低減することができる。

第１のめっき層の厚さは、第２のめっき層の厚さよりも大きくてもよい。積層コンデンサを回路基板等に埋め込む実装構造においては、回路基板等に貫通孔（ビアホール）を形成する際に、レーザビームが積層コンデンサの端子電極に照射される。そのため、端子電極のうちレーザビームが照射された部分が、レーザビームにより除去される場合がある。しかしながら、第１のめっき層の厚さが第２のめっき層の厚さよりも大きい場合には、第１のめっき層の厚さを十分に確保できる。そのため、レーザビームによって第１のめっき層が部分的に除去されるのに止まるので、素体の内部に損傷が生ずる虞を低減することができる。なお、第１のめっき層が厚いほど、第１のめっき層自身に生ずる内部応力が高くなる傾向にある。しかしながら、本発明の一つの観点に係る積層コンデンサでは、第１のめっき層よりも密度が小さい第２のめっき層が存在しているため、第１のめっき層自身に生ずる内部応力を第２のめっき層において緩和することが可能である。

第２のめっき層の厚さは、第１のめっき層の厚さよりも大きくてもよい。この場合、応力を緩和する機能を有する第２のめっき層の厚さを十分に確保できる。そのため、素体に応力がより作用し難くなるので、素体にクラック（欠けや割れなど）が発生することをいっそう抑制できる。

本発明によれば、素体へのクラック発生を抑制することが可能な積層コンデンサを提供できる。

図１は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 図４は、素体を示す分解斜視図である。 図５は、本実施形態に係る積層コンデンサが基板に実装された実装構造を示す断面図である。

本発明の実施形態について図面を参照して説明するが、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

積層コンデンサ１は、図１〜図３に示されるように、略直方体形状の素体１０と、素体１０内に配置された内部電極１２Ａ，１２Ｂと、素体１０の両端部側に配置された端子電極１４Ａ，１４Ｂとを備える。積層コンデンサ１の長さＬは例えば０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度に設定でき、積層コンデンサ１の幅Ｗは例えば０．２ｍｍ〜０．８ｍｍ程度に設定でき、積層コンデンサ１の高さＨは例えば０．１０ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度に設定できる。

素体１０は、互いに対向して略平行に延びると共に素体１０の長手方向に対して略直交する一対の端面１０ａ，１０ｂと、互いに対向して略平行に延びると共に素体１０の高さ方向に対して略直交する一対の主面１０ｃ，１０ｄと、互いに対向して略平行に延びると共に素体１０の幅方向に対して略直交する一対の側面１０ｅ，１０ｆとを有する。

一対の主面１０ｃ，１０ｄの短辺はそれぞれ、一対の端面１０ａ，１０ｂの長辺と接続されている。そのため、一対の主面１０ｃ，１０ｄは、一対の端面１０ａ，１０ｂ同士を連結している。一対の側面１０ｅ，１０ｆの長辺はそれぞれ、一対の主面１０ｃ，１０ｄの長辺と接続されている。そのため、一対の側面１０ｅ，１０ｆは、一対の主面１０ｃ，１０ｄ同士を連結している。一対の側面１０ｅ，１０ｆの短辺はそれぞれ、一対の端面１０ａ，１０ｂの短辺と接続されている。そのため、一対の側面１０ｅ，１０ｆは、一対の端面１０ａ，１０ｂ同士を連結している。

積層コンデンサ１は、いわゆる低背型コンデンサとして構成されている。すなわち、素体１０において、主面１０ｃ，１０ｄの間の寸法（素体１０の高さ）ｈ（図２参照）は、端面１０ａ，１０ｂの間の寸法（素体１０の長さ）ｌ（図２参照）、及び側面１０ｅ，１０ｆの間の寸法（素体１０の幅）ｗ（図３参照）よりも小さい。

素体１０は、図４に示されるように、複数の長方形板状の誘電体層１６と、複数の（本実施形態では３つの）内部電極１２Ａと、複数の（本実施形態では３つの）内部電極１２Ｂとが所定の順序に従って積層された積層体である。内部電極１２Ａと内部電極１２Ｂとは、誘電体層１６の積層方向（主面１０ｃ，１０ｄの対向方向）（以下、「積層方向」という。）において、交互に並ぶように素体１０内に配置されている。内部電極１２Ａと内部電極１２Ｂとは、少なくとも一層の誘電体層１６を挟むように対向配置されている。実際の積層コンデンサ１では、複数の誘電体層１６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

内部電極１２Ａは、矩形状を呈しており、主電極部１２Ａ_１と、引き出し部１２Ａ_２とを有している。内部電極１２Ｂは、矩形状を呈しており、主電極部１２Ｂ_１と、引き出し部１２Ｂ_２とを有している。主電極部１２Ａ_１，１２Ａ_１同士は、積層方向から見て重なり合っている。

引き出し部１２Ａ_２は、主電極部１２Ａ_１のうち端面１０ａ側の端部から端面１０ａにかけて延びている。引出部１２Ａ_２の端面１０ａ側の端部は、端面１０ａに露出しており、端子電極１４Ａ（後述する焼付電極層１４Ａ_１）と接続されている。そのため、内部電極１２Ａと端子電極１４Ａとは、電気的に接続されている。

引き出し部１２Ｂ_２は、主電極部１２Ｂ_１のうち端面１０ｂ側の端部から端面１０ｂにかけて延びている。引出部１２Ｂ_２の端面１０ｂ側の端部は、端面１０ｂに露出しており、端子電極１４Ｂ（後述する焼付電極層１４Ｂ_１）と接続されている。そのため、内部電極１２Ｂと端子電極１４Ｂとは、電気的に接続されている。

図２に示されるように、素体１０の最上部（主面１０ｃに最も近い位置）に配置された内部電極１２Ａと、素体１０の最下部（主面１０ｄに最も近い位置）に配置された内部電極１２Ｂとの間の内層寸法を「Ｄ１」とする。素体１０の主面１０ｃを構成する誘電体層１６の最上層（保護層）と、素体１０の最上部に配置された内部電極１２Ａとの間の外層寸法を「Ｄ２」とする。素体１０における外層寸法Ｄ２の部分は、複数の誘電体層１６が積層されて構成されている。素体１０の主面１０ｄを構成する誘電体層１６の最下層と、素体１０の最下部に配置された内部電極１２Ｂとの間の外層寸法を「Ｄ３」とする。素体１０における外層寸法Ｄ３の部分は、複数の誘電体層１６が積層されて構成されている。

素体１０においては、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ２とが略等しく、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ３とが略等しい。すなわち、内層の厚みと、それを挟む一対の外層の厚みとは略等しい。ここでいう「略等しい」とは、例えば５μｍ程度の誤差を含む。

端子電極１４Ａは、図１〜図３に示されるように、端面１０ａの全体と、主面１０ｃ，１０ｄ及び側面１０ｅ，１０ｆのうち端面１０ａ側の領域とを覆っている。端子電極１４Ａは、素体１０の表面上に配置されており、端面１０ａから主面１０ｃ，１０ｄ及び側面１０ｅ，１０ｆにわたって素体１０の稜部を回り込むように連続して延びている。端子電極１４Ａは、焼付電極層１４Ａ_１と、内側めっき層１４Ａ_２と、外側めっき層１４Ａ_３とを有する。

端子電極１４Ｂは、図１〜図３に示されるように、端面１０ｂの全体と、主面１０ｃ，１０ｄ及び側面１０ｅ，１０ｆのうち端面１０ｂ側の領域とを覆っている。端子電極１４Ｂは、素体１０の表面上に配置されており、端面１０ｂから主面１０ｃ，１０ｄ及び側面１０ｅ，１０ｆにわたって素体１０の稜部を回り込むように連続して延びている。端子電極１４Ｂは、焼付電極層１４Ｂ_１と、内側めっき層１４Ｂ_２と、外側めっき層１４Ｂ_３とを有する。

本実施形態において、図２に示されるように、端面１０ａ，１０ｂの対向方向における端子電極１４Ａの長さＸ１は、端面１０ａ，１０ｂの対向方向における端子電極１４Ａ，１４Ｂの離間距離Ｙよりも大きくてもよい。本実施形態において、図２に示されるように、端面１０ａ，１０ｂの対向方向における端子電極１４Ｂの長さＸ２は、端面１０ａ，１０ｂの対向方向における端子電極１４Ａ，１４Ｂの離間距離Ｙよりも大きくてもよい。

焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１は、素体１０の表面に直接接するように素体１０の表面上に配置されている。焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１は、金属（例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔなど）と、ガラス成分（例えば、ホウケイ酸ガラスなど）とを含有する導電性ペーストを、例えばディップ工法により素体１０に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けることで形成される。焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１のガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。すなわち、焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ又はＰｔを主成分として含んでいる。焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１の厚さは、例えば１μｍ以上である。

内側めっき層１４Ａ_２は、焼付電極層１４Ａ_１の表面全体を覆うように焼付電極層１４Ａ_１の表面上に配置されている。内側めっき層１４Ｂ_２は、焼付電極層１４Ｂ_１の表面全体を覆うように焼付電極層１４Ｂ_１の表面上に配置されている。内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含んでいる。内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の厚さは、例えば１μｍ以上である。

外側めっき層１４Ａ_３は、内側めっき層１４Ａ_２の表面全体を覆うように内側めっき層１４Ａ_２の表面上に配置されている。外側めっき層１４Ｂ_３は、内側めっき層１４Ｂ_２の表面全体を覆うように内側めっき層１４Ｂ_２の表面上に配置されている。外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３はそれぞれ、本実施形態において端子電極１４Ａ，１４Ｂの最外表面を構成している。外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含んでいる。外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の厚さは、例えば５μｍ以上である。

内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の密度は、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の密度よりも小さい。内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２及び外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の密度は、めっき層を構成する金属粒子の粒径を製造条件によって変化させることで制御可能である。具体的には、めっき層を構成する金属粒子の粒径が小さいほど、めっき層内に空孔ができやすく、めっき層の密度が低くなる傾向にあり、めっき層を構成する金属材料の粒径が大きいほど、めっき層内に空孔ができにくく、めっき層の密度が高くなる傾向にある。例えば、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３を構成する金属粒子の粒径が、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２を構成する金属粒子の粒径の５倍以上の大きさとなるように、各めっき層の製造条件を設定してもよい。その結果、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の空孔率が１０％以上となると共に、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の空孔率が１０％未満となっていてもよい。ここで、「空孔率」とは、各めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２，１４Ａ_３，１４Ｂ_３の任意断面において、各めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２，１４Ａ_３，１４Ｂ_３の断面積に対する空孔の面積の割合を意味する。

続いて、図５を参照して、積層コンデンサ１の実装構造について説明する。図５に示されるように、積層コンデンサ１は、基板（回路基板）１００に埋め込まれて実装される。基板１００は、絶縁性の複数の樹脂シート１０２が積層されて構成されている。基板１００は、基板１００の表面に形成された電極１０４Ａ，１０４Ｂと、ビア導体１０６Ａ，１０６Ｂとを備える。ビア導体１０６Ａ，１０６Ｂはそれぞれ、基板１００に形成された各貫通孔（ビアホール）１０８Ａ，１０８Ｂ内に充填されている。

ビア導体１０６Ａのうち基板１００の内部側の端部は、端子電極１４Ａのうち主面１０ｃ，１０ｄ上に配置されている部分と接続されている。ビア導体１０６Ａのうち基板１００の外部側の端部は、電極１０４Ａと接続されている。ビア導体１０６Ｂのうち基板１００の内部側の端部は、端子電極１４Ｂのうち主面１０ｃ，１０ｄ上に配置されている部分と接続されている。ビア導体１０６Ｂのうち基板１００の外部側の端部は、電極１０４Ｂと接続されている。

続いて、積層コンデンサ１を基板１００に埋め込む方法について説明する。まず、積層コンデンサ１を内部に配置した状態で複数の樹脂シート１０２を積層して、積層コンデンサ１を基板１００の内部に埋め込む。次に、レーザビームを用いて基板１００に貫通孔１０８Ａ，１０８Ｂを形成する。このとき、レーザビームは、端子電極１４Ａ，１４Ｂのうち主面１０ｃ，１０ｄ上に配置されている部分に向けて照射される。その結果、貫通孔１０８Ａ，１０８Ｂを介して、端子電極１４Ａ，１４Ｂが外部に露出する。

次に、無電解めっきにより、貫通孔１０８Ａ，１０８Ｂ内にそれぞれビア導体１０６Ａ，１０６Ｂを形成する。次に、ビア導体１０６Ａと接続されるように、基板１００上に電極１０４Ａを形成すると共に、ビア導体１０６Ｂと接続されるように、基板１００上に電極１０４Ｂを形成する。こうして、積層コンデンサ１の内部電極１２Ａ，１２Ｂがそれぞれ、端子電極１４Ａ，１４Ｂ及びビア導体１０６Ａ，１０６Ｂを介して、電極１０４Ａ，１０４Ｂと電気的に接続される。

以上のような本実施形態では、端子電極１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３と内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２とを有し、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の密度が外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の密度よりも小さい。内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２には外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３よりも多くの空孔が含まれているので、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２に作用する応力は空孔の存在によって緩和される。そのため、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の形成過程で外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３自身に内部応力が生じたり、積層コンデンサ１に外部から力が加わるなどにより外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３に応力が作用すると、それらの応力は、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２において緩和され、素体１０に作用し難くなる。その結果、素体１０にクラック（欠けや割れなど）が発生することを抑制できる。

本実施形態では、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含んでいる。そのため、積層コンデンサ１を基板１００に実装する際に、積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂと、基板１００のビア導体１０６Ａ，１０６Ｂとの接続が良好に行える。しかも、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３は、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２よりも密度が高く表面がより緻密であるので、積層コンデンサ１の基板１００への実装時に、積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂと基板１００のビア導体１０６Ａ，１０６Ｂとがより強固に固着しやすい。従って、積層コンデンサ１をより確実に基板１００に実装することが可能となる。

本実施形態では、主面１０ｃ，１０ｄの間の寸法（素体１０の高さ）ｈが、端面１０ａ，１０ｂの間の寸法（素体１０の長さ）ｌ、及び側面１０ｅ，１０ｆの間の寸法（素体１０の幅）ｗよりも小さい。そのため、積層コンデンサ１は、いわゆる低背型の積層コンデンサとして構成される。加えて、端子電極１４Ａ，１４Ｂが主面１０ｃ，１０ｄに配置されているので、積層コンデンサ１を基板１００に内蔵した状態で実装することが可能となる。ところで、積層コンデンサ１を基板１００に埋め込む実装構造においては、積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂが露出するようにレーザビームを用いて基板１００に貫通孔（ビアホール）１０８Ａ，１０８Ｂを形成し、貫通孔１０８Ａ，１０８Ｂ内にそれぞれビア導体１０６Ａ，１０６Ｂを埋め込むことにより、ビア導体１０６Ａ，１０６Ｂと積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂとが接続される。このような実装構造では、端子電極１４Ａ，１４Ｂの電流ループ距離が短くなるため、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くできる。

本実施形態では、長さＸ１，Ｘ２が離間距離Ｙよりも大きい。この場合、主面１０ｃ，１０ｄ上において端子電極１４Ａ，１４Ｂの面積が十分に確保される。そのため、積層コンデンサ１を基板１００に実装する際に、端子電極１４Ａ，１４Ｂとビア導体１０６Ａ，１０６Ｂとの接触領域を大きくできる。その結果、端子電極１４Ａ，１４Ｂとビア導体１０６Ａ，１０６Ｂとの接続をより確実に行うことができる。

本実施形態では、素体１０において、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ２とが略等しく、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ３とが略等しい。この場合、外層寸法Ｄ２，Ｄ３が比較的大きくなるので、外層部分が保護層として機能する。従って、積層コンデンサ１において構造欠陥の発生を抑制できる。加えて、このような積層コンデンサ１では、静電容量を確保できる。

本実施形態では、端子電極１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ、素体１０の表面に配置された焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１を有している。そのため、素体１０の表面に位置する焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１に内部電極１２Ａ，１２Ｂが接続されるので、端子電極１４Ａ，１４Ｂと内部電極１２Ａ，１２Ｂとをより確実に接続することができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３及び内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２は共にＣｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３及び内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２が共に同じ材料を主成分として含んでいるので、両者の界面における固着性を高めることができる。

焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２、及び外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３がいずれも、Ｃｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３及び内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２がいずれも同じ材料を主成分として含んでいるので、焼付電極層１４Ａ_１，１４Ｂ_１と内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２との界面、及び内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２と外側めっき層１４Ａ_１，１４Ｂ_１との界面における固着性を高めることができる。

内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２はＮｉを主成分として含んでおり、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３はＣｕを主成分として含んでいてもよい。この場合、３００Ｋ雰囲気におけるＣｕの熱伝導率は４０１Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、３００Ｋ雰囲気におけるＮｉの熱伝導率は９０．９Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。つまりＮｉはＣｕよりも熱伝導率が低いので、積層コンデンサ１に熱が加わった場合でも、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３から素体への熱伝達が内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２によって妨げられる。そのため、積層コンデンサ１の基板１００への実装に際して積層コンデンサ１に熱が加わった場合でも、当該熱によって素体１０の内部に生じうる損傷（ダメージ）を低減することができる。特に、積層コンデンサ１を基板１００に埋め込む実装構造においては、基板１００に貫通孔（ビアホール）１０８Ａ，１０８Ｂを形成する際に、レーザビームが積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂに照射される。そのため、積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂに大きな熱が作用する傾向にある。しかしながら、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２がＮｉを主成分として含んでおり、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３がＣｕを主成分として含んでいる場合には、レーザビームによって素体１０の内部に生じうる損傷（ダメージ）も低減することができる。なお、Ｎｉの他にＣｕよりも熱伝導率が低い金属としては、ＰｄやＳｎが挙げられる。３００Ｋ雰囲気におけるＰｄの熱伝導率は７１．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、３００Ｋ雰囲気におけるＳｎの熱伝導率は６６．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。

外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の厚さは、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の厚さよりも大きくてもよい。積層コンデンサ１を基板１００に埋め込む実装構造においては、基板１００に貫通孔（ビアホール）１０８Ａ，１０８Ｂを形成する際に、レーザビームが積層コンデンサ１の端子電極１４Ａ，１４Ｂに照射される。そのため、端子電極１４Ａ，１４Ｂのうちレーザビームが照射された部分が、レーザビームにより除去される場合がある。しかしながら、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の厚さが内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の厚さよりも大きい場合には、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の厚さを十分に確保できる。そのため、レーザビームによって外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３が部分的に除去されるのに止まるので、素体１０の内部に損傷が生ずる虞を低減することができる。なお、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３が厚いほど、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３自身に生ずる内部応力が高くなる傾向にある。しかしながら、本実施形態に係る積層コンデンサ１では、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３よりも密度が小さい内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２が存在しているため、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３自身に生ずる内部応力を内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２において緩和することが可能である。

内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の厚さは、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３の厚さよりも大きくてもよい。この場合、応力を緩和する機能を有する内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２の厚さを十分に確保できる。そのため、素体１０に応力がより作用し難くなるので、素体１０にクラック（欠けや割れなど）が発生することをいっそう抑制できる。

端子電極１４Ａは、主面１０ｃ，１０ｄの一方と、端面１０ａ及び側面１０ｅ，１０ｆのうち内部電極１２Ａの引き出し部１２Ａ_２が引き出されたいずれか一つの面とに、少なくとも配置されていればよい。端子電極１４Ｂは、主面１０ｃ，１０ｄの一方と、端面１０ｂ及び側面１０ｅ，１０ｆのうち内部電極１２Ｂの引き出し部１２Ｂ_２が引き出されたいずれか一つの面とに、少なくとも配置されていればよい。この場合、端子電極１４Ａ，１４Ｂは、断面Ｌ字形状を呈する。

本実施形態では、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３がそれぞれ端子電極１４Ａ，１４Ｂの最外表面を構成していた。しかしながら、内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２において応力緩和の効果を得る目的の場合には、外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３が端子電極１４Ａ，１４Ｂの最外表面を構成しておらず、端子電極１４Ａ，１４Ｂにおいて内側めっき層１４Ａ_２，１４Ｂ_２と外側めっき層１４Ａ_３，１４Ｂ_３とが素体１０から近い側からこの順で並んでいればよい。

１…積層コンデンサ、１０…素体、１０ａ，１０ｂ…端面、１０ｃ，１０ｄ…主面、１０ｅ，１０ｆ…側面、１２Ａ，１２Ｂ…内部電極、１４Ａ，１４Ｂ…端子電極、１４Ａ_１，１４Ｂ_１…焼付電極層、１４Ａ_２，１４Ｂ_２…内側めっき層、１４Ａ_３，１４Ｂ_３…外側めっき層。

Claims (9)

1. 互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面同士を連結するように延びると共に互いに対向する一対の主面と、前記一対の端面同士及び前記一対の主面同士を連結するように延びると共に互いに対向する一対の側面とを有し、前記一対の主面の間の寸法が、前記一対の端面の間の寸法及び前記一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、
   前記素体のうち一方の前記端面側に位置すると共に、前記主面と、前記端面及び前記側面の少なくとも一方とにわたって連続して延びるように前記素体の表面に配置された第１の端子電極と、
   前記素体のうち他方の前記端面側に位置すると共に、前記主面と、前記端面及び前記側面の少なくとも一方とにわたって連続して延びるように前記素体の表面に配置された第２の端子電極と、
   前記素体内に位置すると共に、前記第１の端子電極に接続された第１の内部電極と、
   前記素体内に位置すると共に、前記第２の端子電極に接続された第２の内部電極とを備え、
   前記第１及び第２の内部電極は、前記一対の主面の対向方向において隣り合って配置されていると共に、前記対向方向から見たときに互いに一部が重なり合っており、
   前記第１及び第２の端子電極はそれぞれ、その最外表面を構成する第１のめっき層と、前記第１のめっき層及び前記素体の間に位置する第２のめっき層とを有し、
   前記第１のめっき層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＳｎを主成分として含み、
   前記第２のめっき層の空孔率は、前記第１のめっき層の空孔率よりも大きい、積層コンデンサ。
2. 前記第２のめっき層の空孔率は１０％以上であり、前記第１のめっき層の空孔率は１０％未満である、請求項１に記載の積層コンデンサ。
3. 前記第１のめっき層を構成する金属粒子の粒径は、前記第２のめっき層を構成する金属粒子の粒径よりも大きい、請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
4. 前記第１のめっき層を構成する金属粒子の粒径は、前記第２のめっき層を構成する金属粒子の粒径の５倍以上の大きさである、請求項３に記載の積層コンデンサ。
5. 前記第１及び第２のめっき層は共にＣｕを主成分として含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
6. 前記第１及び第２の端子電極はそれぞれ、前記素体の表面に位置する焼付電極層と、前記焼付電極層を覆う前記第２のめっき層と、前記第２のめっき層を覆う前記第１のめっき層とを有し、
   前記焼付電極層はＣｕを主成分として含む、請求項５に記載の積層コンデンサ。
7. 前記第１及び第２の端子電極はそれぞれ、前記素体の表面に位置する焼付電極層と、前記焼付電極層を覆う前記第２のめっき層と、前記第２のめっき層を覆う前記第１のめっき層とを有し、
   前記第２のめっき層はＮｉを主成分として含んでおり、前記第１のめっき層はＣｕを主成分として含んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
8. 前記第１のめっき層の厚さは、前記第２のめっき層の厚さよりも大きい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
9. 前記第２のめっき層の厚さは、前記第１のめっき層の厚さよりも大きい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。

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