JP2016149484A - 積層コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】低背化を図りつつ、レーザーの照射による第一及び第二端子電極のダメージの影響を抑制することが可能な積層コンデンサを提供する。
【解決手段】素体２の第一方向Ｄ１の長さが、素体２の第二方向Ｄ２の長さ及び素体２の第三方向Ｄ３の長さよりも小さい。第一端子電極５は、素体２の主面２ａに配置されている電極部分５ａと、素体２の第一側面２ｃに配置されていると共に複数の第一内部電極１１に接続されている電極部分５ｃと、を有している。第一端子電極５は、素体２に形成されている第一電極層２１と、第一電極層２１に形成されている第二電極層２３と、第二電極層２３に形成されている第三電極層２５と、を有している。電極部分５ａにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１は、第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１より大きく、かつ、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２以下である。
【選択図】図１０

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

電子部品内蔵基板に内蔵される積層コンデンサとして、特許文献１に記載された積層コンデンサが知られている。この積層コンデンサは、直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、第一方向で互いに対向するように素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、素体に配置され、複数の第一内部電極と接続される第一端子電極と、素体に配置され、複数の第二内部電極と接続される第二端子電極と、を備えている。

特開２０１０−１２９７３７号公報

電子部品内蔵基板の製造過程において、積層コンデンサが基板に内蔵された後に、レーザー加工により、第一端子電極及び第二端子電極に到達するビアホールが基板に形成される。このとき、第一端子電極及び第二端子電極にレーザーが照射され、第一端子電極及び第二端子電極がダメージを受けるおそれがある。

本発明は、低背化を図りつつ、レーザーの照射による第一及び第二端子電極のダメージの影響を抑制することが可能な積層コンデンサを提供することを目的とする。

本発明に係る積層コンデンサは、直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、第一方向で互いに対向するように素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、主面に配置されている第一電極部分と、一方の第一側面に配置されていると共に複数の第一内部電極に接続されている第二電極部分と、を有している第一端子電極と、主面に配置されていると共に該主面上において第一電極部分と第二方向で離間している第三電極部分と、他方の第一側面に配置されていると共に複数の第二内部電極に接続されている第四電極部分と、を有している第二端子電極と、を備え、素体は、複数の第一内部電極と複数の第二内部電極とが位置している内層部と、内層部を第一方向で挟むように位置している一対の外層部と、を有し、素体の第一方向の長さは、素体の第二方向の長さ及び素体の第三方向の長さよりも小さく、第一端子電極と第二端子電極とは、素体に形成されている焼付導体層と、焼付導体層に形成されている第一めっき層と、第一めっき層に形成されている第二めっき層と、をそれぞれ有し、第一電極部分と第三電極部分とにおいて、焼付導体層の最大厚みは、第一めっき層の厚みより大きく、かつ、第二めっき層の厚み以下である。

本発明に係る積層コンデンサでは、素体の第一方向の長さが、素体の第二方向の長さ及び素体の第三方向の長さよりも小さい。これにより、積層コンデンサの低背化が図られ、基板への内蔵に適した積層コンデンサを実現することができる。第一端子電極は、素体の主面に配置された第一電極部分を有し、第二端子電極は、素体の主面に配置された第三電極部分を有している。したがって、本発明に係る積層コンデンサは、素体の上記主面側において、基板に形成された配線と電気的に接続可能となり、基板への内蔵が容易である。

本発明では、第一電極部分と第三電極部分とにおいて、焼付導体層の最大厚みは、第一めっき層の厚みより大きい。このため、たとえば、第一電極部分と第三電極部分とにおいて、第一めっき層の厚みが焼付導体層の最大厚み以上である積層コンデンサに比して、本発明では、第一めっき層が薄く、焼付導体層に第一めっき層を形成した際に生じる応力を低減することできる。また、たとえば、第一電極部分と第三電極部分とにおいて、第二めっき層の厚みが焼付導体層の最大厚みよりも小さい積層コンデンサに比して、本発明では、第二めっき層が厚く、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。

焼付導体層は、Ｃｕ又はＮｉを含んでいてもよい。この場合、第一内部電極は、第一端子電極の焼付導体層と接続されるので、第一内部電極と第一端子電極とが確実に接触する。第二内部電極は、第二端子電極の焼付導体層と接続されるので、第二内部電極と第二端子電極とが確実に接触する。

第一めっき層は、Ｎｉ又はＳｎを含んでいてもよい。この場合、第一めっき層が、第二めっき層が形成される過程において、焼付導体層がダメージを受けるのを抑制する。これにより、積層コンデンサの絶縁抵抗が劣化するのを抑制することができる。

第二めっき層は、Ｃｕ又はＡｕを含んでいてもよい。この場合、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極との接続性を確保することができる。

第一電極部分の最大厚みと最小厚みとの差は、第二電極部分の最大厚みと最小厚みとの差よりも小さく、第三電極部分の最大厚みと最小厚みとの差は、第四電極部分の最大厚みと最小厚みとの差よりも小さくてもよい。この場合、第一電極部分は、第二電極部分に比べて、平坦度が高い。第三電極部分は、第四電極部分に比べて、平坦度が高い。これらにより、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極との接続信頼性が向上する。

各外層部の厚みは、第一電極部分の最大厚み及び第三電極部分の最大厚みよりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現しつつ、レーザーの照射によるダメージの影響を更に低く抑えることができる。

素体の第一方向の長さは、第一電極部分の第二方向の長さ及び第三電極部分の第二方向の長さよりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現することができる。また、たとえば、第一電極部分の第二方向の長さ及び第三電極部分の第二方向の長さが素体の第一方向の長さよりも小さい積層コンデンサに比べて、第一及び第三電極部分の面積が大きく、基板に形成される配線と接続される電極面積が大きい。これにより、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極との接続を容易に行うことができる。

素体の第一方向の長さは、第二方向での第一電極部分と第三電極部分との間隔よりも小さくてもよい。この場合でも、積層コンデンサの更なる低背化を実現することができる。

第二方向での第一電極部分と第三電極部分との間隔は、第一電極部分の第二方向の長さ以下であり、かつ、及び第三電極部分の第二方向の長さ以下であってもよい。この場合、たとえば、第二方向での第一電極部分と第三電極部分との間隔が、第一及び第三電極部分の第二方向の長さより大きい積層コンデンサに比べて、第一及び第三電極部分の面積が大きく、基板に形成される配線と接続される電極面積が大きい。これによっても、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極との接続を容易に行うことができる。

各外層部の厚みは、第二めっき層の厚みよりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現しつつ、レーザーの照射によるダメージの影響を更に低く抑えることができる。

第二めっき層は、Ｃｕめっき層であって、Ｃｕめっき層の表面には、Ｃｕからなる突起が形成されていてもよい。積層コンデンサは、基板の収容部に配置された後に、収容部に樹脂が充填されることにより、基板に内蔵される。第二めっき層に突起が形成されていると、当該突起により、第二めっき層の表面には凹凸が形成される。第二めっき層に突起が形成されている構成では、突起が形成されていない構成に比して、第二めっき層の表面積が大きく、かつ、上記凹凸により樹脂との噛み合わせがよい。したがって、積層コンデンサが基板に内蔵される際に、第二めっき層と樹脂との密着性を向上することができる。

本発明によれば、低背化を図りつつ、レーザーの照射による第一及び第二端子電極のダメージの影響を抑制することが可能な積層コンデンサを提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 本実施形態に係る積層コンデンサを示す平面図である。 本実施形態に係る積層コンデンサを示す側面図である。 図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。 図２におけるV−V線に沿った断面構成を説明するための図である。 図２におけるVI−VI線に沿った断面構成を説明するための図である。 第一及び第二内部電極を示す平面図である。 本実施形態の変形例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 第三電極層を示す斜視図である。 第一端子電極の断面構成を説明するための図である。 第二端子電極の断面構成を説明するための図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。 本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。 本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図５を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す平面図である。図３は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す側面図である。図４は、図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。図５は、図２におけるV−V線に沿った断面構成を説明するための図である。図６は、図２におけるVI−VI線に沿った断面構成を説明するための図である。

積層コンデンサＣ１は、図１〜図６に示されるように、直方体形状を呈している素体２と、素体２の外表面に配置される第一端子電極５及び第二端子電極７と、を備えている。第一端子電極５と第二端子電極７とは、離間している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。

素体２は、その外表面として、互いに対向している略長方形状の一対の主面２ａ，２ｂと、互いに対向している一対の第一側面２ｃ，２ｄと、互いに対向している一対の第二側面２ｅ，２ｆと、を有している。一対の主面２ａ，２ｂが対向している方向が第一方向Ｄ１であり、一対の第一側面２ｃ，２ｄが対向している方向が第二方向Ｄ２であり、一対の第二側面２ｅ，２ｆが対向している方向が第三方向Ｄ３である。本実施形態では、第一方向Ｄ１は、素体２の高さ方向である。第二方向Ｄ２は、素体２の幅方向であり、第一方向Ｄ１と直交している。第三方向Ｄ３は、素体２の長手方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。

素体２の第一方向Ｄ１の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さ及び素体２の第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。素体２の第二方向Ｄ２の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さよりも大きい。素体２の第三方向Ｄ３の長さは、たとえば、０．２〜０．８ｍｍに設定される。素体２の第二方向Ｄ２の長さは、たとえば、０．４〜１．６ｍｍに設定される。素体２の第一方向Ｄ１の長さは、たとえば、０．１〜０．３５ｍｍに設定される。積層コンデンサＣ１は、超低背型の積層コンデンサである。素体２の第二方向Ｄ２の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さと同等であってもよく、また、素体２の第三方向Ｄ３の長さが、素体２の第二方向Ｄ２の長さよりも大きくてもよい。

同等とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差又は製造誤差などを含んだ値を同等としてもよい。たとえば、複数の値が、当該複数の値の平均値の±５％の範囲内に含まれているのであれば、当該複数の値は同等であると規定する。

一対の第一側面２ｃ，２ｄは、一対の主面２ａ，２ｂの間を連結するように第一方向Ｄ１に延びている。一対の第一側面２ｃ，２ｄは、第三方向Ｄ３（一対の主面２ａ，２ｂの長辺方向）にも延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、一対の主面２ａ，２ｂの間を連結するように第一方向Ｄ１に延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、第二方向Ｄ２（一対の主面２ａ，２ｂの短辺方向）にも延びている。

素体２は、一対の主面２ａ，２ｂが対向している方向（第一方向Ｄ１）に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体２では、複数の誘電体層の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、例えば誘電体材料（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体２では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

積層コンデンサＣ１は、図４〜図６に示されるように、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３と、を備えている。第一及び第二内部電極１１，１３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、Ｎｉ又はＣｕなど）からなる。第一及び第二内部電極１１，１３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。すなわち、第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、素体２内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、互いに極性が異なる。

各第一内部電極１１は、図７の（ａ）に示されるように、主電極部１１ａと、接続部１１ｂと、を含んでいる。接続部１１ｂは、主電極部１１ａの一辺（一方の短辺）から延び、第一側面２ｃに露出している。第一内部電極１１は、第一側面２ｃに露出し、一対の主面２ａ，２ｂ、第一側面２ｄ、及び一対の第二側面２ｅ，２ｆには露出していない。主電極部１１ａと、接続部１１ｂとは、一体的に形成されている。

主電極部１１ａは、第二方向Ｄ２を長辺方向とし、第三方向Ｄ３を短辺方向とする矩形形状を呈している。すなわち、各第一内部電極１１の主電極部１１ａは、第二方向Ｄ２の長さが第三方向Ｄ３の長さよりも大きい。接続部１１ｂは、主電極部１１ａの第一側面２ｃ側の端部から第一側面２ｃまで延びている。接続部１１ｂの第二方向Ｄ２の長さは、主電極部１１ａの第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。接続部１１ｂの第三方向Ｄ３の長さは、主電極部１１ａの第三方向Ｄ３の長さと同等である。接続部１１ｂは、第一側面２ｃに露出した端部で、第一端子電極５に接続されている。接続部１１ｂの第三方向Ｄ３の長さは、主電極部１１ａの第三方向Ｄ３の長さよりも小さくてもよい。

各第二内部電極１３は、図７の（ｂ）に示されるように、主電極部１３ａと、接続部１３ｂと、を含んでいる。主電極部１３ａは、第一方向Ｄ１で素体２の一部（誘電体層）を介して主電極部１１ａと対向している。接続部１３ｂは、主電極部１３ａの一辺（一方の短辺）から延び、第一側面２ｄに露出している。第二内部電極１３は、第一側面２ｄに露出し、一対の主面２ａ，２ｂ、第一側面２ｃ、及び一対の第二側面２ｅ，２ｆには露出していない。主電極部１３ａと、接続部１３ｂとは、一体的に形成されている。

主電極部１３ａは、第二方向Ｄ２を長辺方向とし、第三方向Ｄ３を短辺方向とする矩形形状を呈している。すなわち、各第二内部電極１３の主電極部１３ａは、第二方向Ｄ２の長さが第三方向Ｄ３の長さよりも大きい。接続部１３ｂは、主電極部１３ａの第一側面２ｄ側の端部から第一側面２ｄまで延びている。接続部１３ｂの第二方向Ｄ２の長さは、主電極部１３ａの第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。接続部１３ｂの第三方向Ｄ３の長さは、主電極部１３ａの第三方向Ｄ３の長さと同等である。接続部１３ｂは、第一側面２ｄに露出した端部で、第二端子電極７に接続されている。接続部１３ｂの第三方向Ｄ３の長さは、主電極部１３ａの第三方向Ｄ３の長さよりも小さくてもよい。

素体２は、図４〜図６に示されるように、内層部３Ａと、一対の外層部３Ｂ，３Ｃとを有している。内層部３Ａには、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３とが位置している。一対の外層部３Ｂ，３Ｃは、内層部３Ａを第一方向Ｄ１で挟むように位置している。一対の外層部３Ｂ，３Ｃには、第一内部電極１１と第二内部電極１３とは位置していない。

外層部３Ｂの第一方向Ｄ１の厚みＴ_３Ｂは、主面２ａと、当該主面２ａに最も近い内部電極（本実施形態では、第一内部電極１１）と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。外層部３Ｃの第一方向Ｄ１の厚みＴ_３Ｃは、主面２ｂと、当該主面２ｂに最も近い内部電極（本実施形態では、第二内部電極１３）と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。内層部３Ａの第一方向Ｄ１の厚みＴ_３Ａは、主面２ａに最も近い内部電極と、主面２ｂに最も近い内部電極と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。内層部３Ａの厚みＴ_３Ａと外層部３Ｂの厚みＴ_３Ｂと外層部３Ｃの厚みＴ_３Ｃとの合計値は、素体２の第一方向Ｄ１の長さに相当する。各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃは、内層部３Ａの厚みＴ_３Ａよりも小さい。

第一端子電極５は、第二方向Ｄ２に見て、素体２における第一側面２ｃ側の端部に位置している。第一端子電極５は、主面２ａに配置されている電極部分５ａ、主面２ｂに配置されている電極部分５ｂ、第一側面２ｃに配置されている電極部分５ｃ、及び、一対の第二側面２ｅ，２ｆに配置されている電極部分５ｄを有している。すなわち、第一端子電極５は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｅ，２ｆに形成されている。互いに隣り合う電極部分５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ同士は、素体２の稜線部において接続されており、電気的に接続されている。

電極部分５ａと電極部分５ｃとは、主面２ａと第一側面２ｃとの間の稜線部において、接続されている。電極部分５ａと電極部分５ｄとは、主面２ａと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。電極部分５ｂと電極部分５ｃとは、主面２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部において、接続されている。電極部分５ｂと電極部分５ｄとは、主面２ｂと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。電極部分５ｃと電極部分５ｄとは、第一側面２ｃと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。

電極部分５ｃは、各接続部１１ｂの第一側面２ｃに露出した部分をすべて覆うように配置されており、接続部１１ｂは、第一端子電極５に直接的に接続される。すなわち、接続部１１ｂは、主電極部１１ａと電極部分５ｃとを接続している。これにより、各第一内部電極１１は、第一端子電極５に電気的に接続される。

第二端子電極７は、第二方向Ｄ２に見て、素体２における第一側面２ｄ側の端部に位置している。第二端子電極７は、主面２ａに配置されている電極部分７ａ、主面２ｂに配置されている電極部分７ｂ、第一側面２ｄに配置されている電極部分７ｃ、及び、一対の第二側面２ｅ，２ｆに配置されている電極部分７ｄを有している。すなわち、第二端子電極７は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｄ，２ｅ，２ｆに形成されている。互いに隣り合う電極部分７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ同士は、素体２の稜線部において接続されており、電気的に接続されている。

電極部分７ａと電極部分７ｃとは、主面２ａと第一側面２ｄとの間の稜線部において、接続されている。電極部分７ａと電極部分７ｄとは、主面２ａと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。電極部分７ｂと電極部分７ｃとは、主面２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部において、接続されている。電極部分７ｂと電極部分７ｄとは、主面２ｂと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。電極部分７ｃと電極部分７ｄとは、第一側面２ｄと各第二側面２ｅ，２ｆとの間の稜線部において、接続されている。

電極部分７ｃは、各接続部１３ｂの第一側面２ｄに露出した部分をすべて覆うように配置されており、接続部１３ｂは、第二端子電極７に直接的に接続される。すなわち、接続部１３ｂは、主電極部１３ａと電極部分７ｃとを接続している。これにより、各第二内部電極１３は、第二端子電極７に電気的に接続される。

第一端子電極５と第二端子電極７とは、第二方向Ｄ２で離間している。すなわち、主面２ａに配置されている電極部分５ａと電極部分７ａとは、主面２ａ上において、第二方向Ｄ２で離間している。主面２ｂに配置されている電極部分５ｂと電極部分７ｂとは、主面２ｂ上において、第二方向Ｄ２で離間している。第二側面２ｅに配置されている電極部分５ｄと電極部分７ｄとは、第二側面２ｅ上において、第二方向Ｄ２で離間している。第二側面２ｆに配置されている電極部分５ｄと電極部分７ｄとは、第二側面２ｆ上において、第二方向Ｄ２で離間している。

電極部分５ａ，５ｂの第二方向Ｄ２の長さＬ_５１と、電極部分７ａ，７ｂの第二方向Ｄ２の長さＬ_７１と、は同等である。電極部分５ａ，５ｂと電極部分７ａ，７ｂとの第二方向Ｄ２での間隔Ｇ_１は、第一端子電極５の長さＬ_５１以下であり、かつ、第二端子電極７の長さＬ_７１以下である。本実施形態では、間隔Ｇ_１は、長さＬ_５１，Ｌ_７１よりも小さい。

第一及び第二端子電極５，７は、第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５をそれぞれ有している。すなわち、電極部分５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと電極部分７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとが、第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５をそれぞれ含んでいる。第三電極層２５は、第一及び第二端子電極５，７の最外層を構成している。

第一電極層２１は、導電性ペーストを素体２の表面に付与して焼き付けることにより形成されている。すなわち、第一電極層２１は、焼付導体層である。本実施形態では、第一電極層２１は、Ｃｕからなる焼付導体層である。第一電極層２１は、Ｎｉからなる焼付導体層であってもよい。このように、第一電極層２１は、Ｃｕ又はＮｉを含んでいる。導電性ペーストには、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。第一電極層２１の厚みは、たとえば、最大で２０μｍであり、最小で５μｍである。

第二電極層２３は、第一電極層２１上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第二電極層２３は、第一電極層２１上にＮｉめっきにより形成されたＮｉめっき層である。第二電極層２３は、Ｓｎめっき層であってもよい。このように、第二電極層２３は、Ｎｉ又はＳｎを含んでいる。第二電極層２３の厚みは、たとえば、１〜５μｍである。

第三電極層２５は、第二電極層２３上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層２５は、第二電極層２３上にＣｕめっきにより形成されたＣｕめっき層である。第二電極層２３は、Ａｕめっき層であってもよい。このように、第三電極層２５は、Ｃｕ又はＡｕを含んでいる。第三電極層２５の厚みは、たとえば、１〜１５μｍである。

Ｃｕめっき層である第三電極層２５の表面には、図８及び図９にも示されるように、複数の突起２５ａが形成されていてもよい。この場合、各突起２５ａは、Ｃｕからなる。各突起２５ａの直径は１０〜３０μｍであり、各突起２５ａの高さは１〜１０μｍである。

次に、図１０及び図１１を参照して、第一及び第二端子電極５，７の電極部分５ａ，５ｂ，５ｃ，７ａ，７ｂ，７ｃの厚みについて説明する。

図１０に示されるように、各電極部分５ａ，５ｂの第一電極層２１の厚みについては、第一方向Ｄ１から見て中央部分の厚みが最大であり、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部に位置する部分の厚みが最小である。電極部分５ｃの第一電極層２１の厚みについては、第二方向Ｄ２から見て中央部分の厚みが最大であり、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部に位置する部分の厚みが最小である。電極部分５ａ，５ｂと電極部分５ｃとは、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部において接続されている。このため、電極部分５ａ，５ｂの第一電極層２１における上記稜線部に位置する部分の厚みと、電極部分５ｃの第一電極層２１における上記稜線部に位置する部分の厚みとは、同等である。

各電極部分５ａ，５ｂの第一電極層２１は、最大厚みＴ_５Ｓ１と最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}とを有している。電極部分５ｃの第一電極層２１は、最大厚みＴ_５Ｓ２と最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}とを有している。第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１は、電極部分５ａ，５ｂ，５ｃの全体にわたって同等である。第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２も、電極部分５ａ，５ｂ，５ｃの全体にわたって同等である。

各電極部分５ａ，５ｂ，５ｃの厚みは、当該電極部分５ａ，５ｂ，５ｃを構成する第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５の各厚みの合計値により規定される。したがって、各電極部分５ａ，５ｂは、第一方向Ｄ１から見て中央部分において最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）を有し、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部に位置する部分において最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）を有する。電極部分５ｃは、第二方向Ｄ２から見て中央部分において最大厚み（Ｔ_５Ｓ２＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）を有し、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｃとの間の稜線部に位置する部分において最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）を有する。

図１１に示されるように、各電極部分７ａ，７ｂの第一電極層２１の厚みについては、第一方向Ｄ１から見て中央部分の厚みが最大であり、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部に位置する部分の厚みが最小である。電極部分７ｃの第一電極層２１の厚みについては、第二方向Ｄ２から見て中央部分の厚みが最大であり、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部に位置する部分の厚みが最小である。電極部分７ａ，７ｂと電極部分７ｃとは、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部において接続されている。このため、電極部分７ａ，７ｂの第一電極層２１における上記稜線部に位置する部分の厚みと、電極部分７ｃの第一電極層２１における上記稜線部に位置する部分の厚みとは、同等である。

各電極部分７ａ，７ｂの第一電極層２１は、最大厚みＴ_７Ｓ１と最小厚みＴ_{７Ｓｍｉｎ}とを有している。電極部分７ｃの第一電極層２１は、最大厚みＴ_７Ｓ２と最小厚みＴ_{７Ｓｍｉｎ}とを有している。第二電極層２３の厚みＴ_７Ｐ１は、電極部分７ａ，７ｂ，７ｃの全体にわたって同等である。第三電極層２５の厚みＴ_７Ｐ２も、電極部分７ａ，７ｂ，７ｃの全体にわたって同等である。

各電極部分７ａ，７ｂ，７ｃの厚みは、当該電極部分７ａ，７ｂ，７ｃを構成する第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５の各厚みの合計値により規定される。したがって、各電極部分７ａ，７ｂは、第一方向Ｄ１から見て中央部分において最大厚み（Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）を有し、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部に位置する部分において最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）を有する。電極部分７ｃは、第二方向Ｄ２から見て中央部分において最大厚み（Ｔ_７Ｓ２＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）を有し、主面２ａ，２ｂと第一側面２ｄとの間の稜線部に位置する部分において最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）を有する。

電極部分５ａ，５ｂの第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１と最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}との差は、電極部分５ｃの第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ２と最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}との差よりも小さい。したがって、電極部分５ａ，５ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）との差は、電極部分５ｃの最大厚み（Ｔ_５Ｓ２＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）との差よりも小さい。

電極部分７ａ，７ｂの第一電極層２１の最大厚みＴ_７Ｓ１と最小厚みＴ_{７Ｓｍｉｎ}との差は、電極部分７ｃの第一電極層２１の最大厚みＴ_７Ｓ２と最小厚みＴ_{７Ｓｍｉｎ}との差よりも小さい。したがって、電極部分７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）との差は、電極部分５ｃの最大厚み（Ｔ_７Ｓ２＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）との差よりも小さい。

電極部分５ａ，５ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１は、第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１よりも大きく、かつ、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２以下である。電極部分７ａ，７ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_７Ｓ１は、第二電極層２３の厚みＴ_７Ｐ１よりも大きく、かつ、第三電極層２５の厚みＴ_７Ｐ２以下である。

本実施形態では、最大厚みＴ_５Ｓ１と最大厚みＴ_７Ｓ１とは、同等である。最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１は、たとえば８μｍである。最大厚みＴ_５Ｓ２と最大厚みＴ_７Ｓ２とは、同等である。最大厚みＴ_５Ｓ２，Ｔ_７Ｓ２は、たとえば１２μｍである。最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}と最小厚みＴ_{７Ｓｍｉｎ}とは、同等である。最小厚みＴ_{５Ｓｍｉｎ}，Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}は、たとえば１μｍである。厚みＴ_５Ｐ１と厚みＴ_７Ｐ１とは、同等である。厚みＴ_５Ｐ１，Ｔ_７Ｐ１は、たとえば３μｍである。厚みＴ_５Ｐ２と厚みＴ_７Ｐ２とは、同等である。厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２は、たとえば１０μｍである。

電極部分５ａ，５ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）及び電極部分７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）は、各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃよりも大きい。厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃは、たとえば１５μｍである。

以上のように、本実施形態では、素体２の第一方向Ｄ１の長さが、素体２の第二方向Ｄ２の長さ及び素体２の第三方向Ｄ３の長さよりも小さい。これにより、積層コンデンサＣ１の低背化が図られ、基板への内蔵に適した積層コンデンサを実現することができる。第一端子電極５は、主面２ａ，２ｂに配置された電極部分５ａ，５ｂを有し、第二端子電極７は、主面２ａ，２ｂに配置された電極部分７ａ，７ｂを有している。したがって、積層コンデンサＣ１は、素体２の主面２ａ側、素体２の主面２ｂ側、又は、素体２の両主面２ａ，２ｂ側において、基板に形成された配線と電気的に接続可能となり、基板への内蔵が容易である。

電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１は、第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１，Ｔ_７Ｐ１よりも大きい。これにより、たとえば、第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１，Ｔ_７Ｐ１が第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１以上である積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、第二電極層２３が薄く、第一電極層２１に第二電極層２３を形成した際に生じる応力を低減することできる。

積層コンデンサＣ１が基板に内蔵された後に、レーザー加工により、第一及び第二端子電極５，７（電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂ）に到達するビアホールが基板に形成される。このとき、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにレーザーが照射され、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂがダメージを受けるおそれがある。

これに対し、本実施形態では、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１は、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２以下である。これにより、たとえば、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２が第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１よりも小さい積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、第三電極層２５が厚く、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。

第一電極層２１は、Ｃｕからなる焼付導体層である。これにより、第一内部電極１１は、第一端子電極５の第一電極層２１と接続されるので、第一内部電極１１と第一端子電極５（第一電極層２１）とが確実に接触する。第二内部電極１３は、第二端子電極７の第一電極層２１と接続されるので、第二内部電極１３と第二端子電極７（第一電極層２１）とが確実に接触する。第一電極層２１は、Ｎｉからなる焼付導体層であってもよい。

第二電極層２３は、Ｎｉめっき層である。これにより、第二電極層２３が、第三電極層２５が形成される過程において、第一電極層２１がダメージを受けるのを抑制する。これにより、積層コンデンサＣ１の絶縁抵抗が劣化するのを抑制することができる。第二電極層２３は、Ｓｎめっき層であってもよい。

第三電極層２５は、Ｃｕめっき層である。これにより、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極５，７との接続性を確保することができる。第三電極層２５は、Ａｕめっき層である。

電極部分５ａ，５ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）との差は、電極部分５ｃの最大厚み（Ｔ_５Ｓ２＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）との差よりも小さい。すなわち、電極部分５ａ，５ｂは、電極部分５ｃに比べて、平坦度が高い。電極部分７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）との差は、電極部分７ｃの最大厚み（Ｔ_７Ｓ２＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）と最小厚み（Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）との差よりも小さい。すなわち、電極部分７ａ，７ｂは、電極部分７ｃに比べて、平坦度が高い。これらにより、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極５，７との接続信頼性が向上する。

レーザー加工によるビアホールは、基板の表面側から第一及び第二端子電極５，７（電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂ）側に向けて縮径されたテーパ状に形成される。したがって、基板の表面からの距離が遠いほど、ビアホールの内径は小さくなる。すなわち、基板の表面からの距離が遠いほど、ビアホール内に配置されるビア導体の面積が小さくなる。ビア導体の面積が小さいと、第一及び第二端子電極５，７とビア導体との接続面積も小さい。

電極部分５ａ，５ｂは、電極部分５ｃに比べて、平坦度が高いと、基板の表面から第一端子電極５の電極部分５ａ，５ｂまでの距離が、概ね一定である。したがって、たとえば、第一端子電極５に複数のビア導体が接続される場合、各ビア導体と第一端子電極５との接続面積は、同等となる。電極部分７ａ，７ｂが、電極部分７ｃに比べて、平坦度が高いと、基板の表面から第二端子電極７の電極部分７ａ，７ｂまでの距離が、概ね一定である。したがって、たとえば、第二端子電極７に複数のビア導体が接続される場合、各ビア導体と第二端子電極７との接続面積は、同等となる。これらのことから、ビア導体と第一及び第二端子電極５，７との接続信頼性が向上する。

各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃは、電極部分５ａ，５ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２）及び電極部分７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）よりも小さい。このため、たとえば、厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃが電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）以上である積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、更なる低背化を実現することができる。

電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）は、厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃよりも大きい。このため、たとえば、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの最大厚み（Ｔ_５Ｓ１＋Ｔ_５Ｐ１＋Ｔ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｓ１＋Ｔ_７Ｐ１＋Ｔ_７Ｐ２）が厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃ以下である積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂが厚い。したがって、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにレーザーが照射された場合でも、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。

素体２の第一方向Ｄ１の長さは、長さＬ_５１，Ｌ_７１よりも小さい。これにより、積層コンデンサＣ１の更なる低背化を実現することができる。また、たとえば、長さＬ_５１，Ｌ_７１が素体２の第一方向Ｄ１の長さよりも小さい積層コンデンサに比べて、積層コンデンサＣ１では、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの面積が大きく、基板に形成される配線と接続される電極面積が大きい。これにより、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極５，７との接続を容易に行うことができる。

素体２の第一方向Ｄ１の長さは、間隔Ｇ_１よりも小さい。これによっても、積層コンデンサＣ１の更なる低背化を実現することができる。

間隔Ｇ_１は、長さＬ_５１，Ｌ_７１以下である。このため、たとえば、間隔Ｇ_１が長さＬ_５１，Ｌ_７１より大きい積層コンデンサに比べて、積層コンデンサＣ１では、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの面積が大きく、基板に形成される配線と接続される電極面積が大きい。これによっても、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極５，７との接続を容易に行うことができる。

積層コンデンサＣ１は、後述するように、基板の収容部に配置された後に、収容部に樹脂が充填されることにより、基板に内蔵される。Ｃｕめっき層である第三電極層２５の表面に突起２５ａが形成されている場合、突起２５ａにより、第三電極層２５の表面には凹凸が形成される。第三電極層２５に突起２５ａが形成されている構成では、突起２５ａが形成されていない構成に比して、第三電極層２５の表面積が大きく、かつ、上記凹凸により樹脂との噛み合わせがよい。したがって、積層コンデンサＣ１が基板に内蔵される際に、第三電極層２５と樹脂との密着性を向上することができる。

積層コンデンサＣ１は、図１２に示されるように、基板３１に埋め込まれて実装される。すなわち、積層コンデンサＣ１は、基板３１に内蔵される。図１２は、本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。

基板３１は、複数の絶縁層３３が積層されることにより構成されている。絶縁層３３は、セラミック又は樹脂などの絶縁性材料からなり、接着などにより互いに一体化されている。

積層コンデンサＣ１は、基板３１に形成された収容部３１ａに配置されており、収容部３１ａに充填された樹脂３４により、基板３１に固定されている。これにより、積層コンデンサＣ１が、基板３１内に埋め込まれる。積層コンデンサＣ１は、基板３１の表面に配置された電極３５，３７と、ビア導体４５，４７を通して、電気的に接続されている。すなわち、第一端子電極５（電極部分５ａ）は、ビア導体４５を通して電極３５と電気的に接続され、第二端子電極７（電極部分７ａ）は、ビア導体４７を通して電極３７と電気的に接続されている。

ビア導体４５，４７は、基板３１に形成されたビアホール内に導電性金属（たとえば、Ｃｕ又はＡｕなど）を無電解めっきなどにより成長させることにより、形成される。ビアホールは、レーザー加工により、基板３１の表面側から積層コンデンサＣ１の第一及び第二端子電極５，７の電極部分５ａ，７ａに達するように形成される。

第一及び第二端子電極５，７は、電極部分５ａ，７ａの平坦な領域において、ビア導体４５，４７との接続領域が確保されている。このため、第一及び第二端子電極５，７（電極部分５ａ，７ａ）とビア導体４５，４７とを確実に接続することができる。

積層コンデンサＣ１では、電極部分５ａ，７ａは、めっき層としての第三電極層２５と、を有している。したがって、ビアホールに形成されるビア導体４５，４７と電極部分５ａ，７ａとを確実に接続することができる。特に、ビア導体４５，４７がめっきにより形成される場合、ビア導体４５，４７と電極部分５ａ，７ａとが、より一層確実に接続される。

次に、図１３〜図１６を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサＣ２の構成を説明する。図１３は、本変形例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。図１４〜図１６は、本変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。

積層コンデンサＣ２も、素体２と、第一端子電極５及び第二端子電極７と、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３と、を備えている。

積層コンデンサＣ２は、素体２の第一方向Ｄ１の長さ、すなわち素体２の高さ方向の長さが、積層コンデンサＣ１よりも小さい。本変形例では、各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃは、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２よりも小さい。これにより、本変形例では、積層コンデンサＣ２の更なる低背化を実現することができる。

積層コンデンサＣ２でも、積層コンデンサＣ１と同じく、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１は、第二電極層２３の厚みＴ_５Ｐ１，Ｔ_７Ｐ１よりも大きい。これにより、第一電極層２１に第二電極層２３を形成した際に生じる応力を低減することできる。また、積層コンデンサＣ２でも、電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂにおいて、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１は、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２以下である。これにより、第三電極層２５の厚みＴ_５Ｐ２，Ｔ_７Ｐ２が、第一電極層２１の最大厚みＴ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１よりも大きくなり、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

第一及び第二端子電極５，７は、電極部分５ａ，７ａと電極部分５ｂ，７ｂとを有している必要はない。第一及び第二端子電極５，７は、基板に形成される配線と接続される電極部分として、電極部分５ａ，７ａと電極部分５ｂ，７ｂとの少なくとも一方の電極部分を有していればよい。

第一及び第二端子電極５，７は、電極部分５ｄ，７ｄを有している必要はない。すなわち、第一端子電極５は、三つの面２ａ，２ｂ，２ｃに形成されていてもよく、第二端子電極７は、三つの面２ａ，２ｂ，２ｄに形成されていてもよい。

図１２では、積層コンデンサＣ１が基板３１に埋め込まれて実装されているが、積層コンデンサＣ２が基板３１に埋め込まれて実装されていてもよい。

２…素体、２ａ，２ｂ…主面、２ｃ，２ｄ…第一側面、２ｅ，２ｆ…第二側面、３Ａ…内層部、３Ｂ，３Ｃ…外層部、５…第一端子電極、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ…電極部分、７…第二端子電極、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ…電極部分、１１…第一内部電極、１３…第二内部電極、２１…第一電極層、２３…第二電極層、２５…第三電極層、２５ａ…突起、Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、Ｇ_１…電極部分の第二方向での間隔、Ｌ_５１，Ｌ_７１…電極部分の第二方向の長さ、Ｔ_３Ａ…内層部の第一方向の厚み、Ｔ_３Ｂ，Ｔ_３Ｃ…外層部の第一方向の厚み、Ｔ_５Ｓ１，Ｔ_７Ｓ１，Ｔ_５Ｓ２，Ｔ_７Ｓ２…第一電極層の最大厚み、Ｔ_{５Ｓｍｉｎ}，Ｔ_{７Ｓｍｉｎ}…第一電極層の最小厚み、Ｔ_５Ｐ１…第二電極層の厚み、Ｔ_５Ｐ２…第三電極層の厚み。

Claims (11)

1. 直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、前記一対の主面を連結するように前記第一方向に延びていると共に前記第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、前記一対の主面を連結するように前記第一方向に延びていると共に前記第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、
   前記第一方向で互いに対向するように前記素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、
   前記主面に配置されている第一電極部分と、一方の前記第一側面に配置されていると共に前記複数の第一内部電極に接続されている第二電極部分と、を有している第一端子電極と、
   前記主面に配置されていると共に該主面上において前記第一電極部分と前記第二方向で離間している第三電極部分と、他方の前記第一側面に配置されていると共に前記複数の第二内部電極に接続されている第四電極部分と、を有している第二端子電極と、を備え、
   前記素体は、前記複数の第一内部電極と前記複数の第二内部電極とが位置している内層部と、前記内層部を前記第一方向で挟むように位置している一対の外層部と、を有し、
   前記素体の前記第一方向の長さは、前記素体の前記第二方向の長さ及び前記素体の前記第三方向の長さよりも小さく、
   前記第一端子電極と前記第二端子電極とは、前記素体に形成されている焼付導体層と、前記焼付導体層に形成されている第一めっき層と、前記第一めっき層に形成されている第二めっき層と、をそれぞれ有し、
   前記第一電極部分と前記第三電極部分とにおいて、前記焼付導体層の最大厚みは、前記第一めっき層の厚みより大きく、かつ、前記第二めっき層の厚み以下である、積層コンデンサ。
2. 前記焼付導体層は、Ｃｕ又はＮｉを含んでいる、請求項１に記載の積層コンデンサ。
3. 前記第一めっき層は、Ｎｉ又はＳｎを含んでいる、請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
4. 前記第二めっき層は、Ｃｕ又はＡｕを含んでいる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
5. 前記第一電極部分の最大厚みと最小厚みとの差は、前記第二電極部分の最大厚みと最小厚みとの差よりも小さく、
   前記第三電極部分の最大厚みと最小厚みとの差は、前記第四電極部分の最大厚みと最小厚みとの差よりも小さい、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
6. 各前記外層部の厚みは、前記第一電極部分の最大厚み及び前記第三電極部分の最大厚みよりも小さい、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
7. 前記素体の前記第一方向の長さは、前記第一電極部分の前記第二方向の長さ及び前記第三電極部分の前記第二方向の長さよりも小さい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
8. 前記素体の前記第一方向の長さは、前記第二方向での前記第一電極部分と前記第三電極部分との間隔よりも小さい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
9. 前記第二方向での前記第一電極部分と前記第三電極部分との間隔は、前記第一電極部分の前記第二方向の長さ以下であり、かつ、及び前記第三電極部分の前記第二方向の長さ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
10. 各前記外層部の厚みは、前記第二めっき層の厚みよりも小さい、請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
11. 前記第二めっき層は、Ｃｕめっき層であって、
    前記Ｃｕめっき層の表面には、Ｃｕからなる突起が形成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。

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