JP2012253292A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】ウィスカの成長を抑制し、かつはんだぬれ性に優れる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、第１のめっき層２６ａ、２６ｂおよび第２のめっき層２８ａ、２８ｂにより積層構造に形成される。第２のめっき層２８ａ、２８ｂは、第１のめっき層２６ａ、２６ｂよりも緻密性の低いめっき層として形成される。
【選択図】図１

Description

この発明は、電子部品に関し、特に、緻密性の異なるめっき層を有するたとえば積層セラミックコンデンサなどの電子部品に関する。

この発明の背景となる技術として、過酷な冷熱サイクル試験条件下でウィスカの発生がなく、下地の金属の影響を受けないＳｎめっき皮膜の形成が可能な技術が、開示されている（特許文献１参照）。
Ｓｎめっき層は、時間の経過とともに針状のウィスカが発生するため、Ｓｎ−Ｐｂ合金めっきを用いることで解決を図ってきたが、近年の環境保護の観点から、Ｐｂの使用の規制強化によるＰｂフリーはんだに対する要求が顕著になっている。そこで、Ｓｎ−Ｐｂ合金めっきは忌避され、はんだの代替えとして、はんだぬれ性にも優れたＳｎ材が見直されており、Ｓｎめっき層を電子部品端子等の導通接続部の形成に用いている。ところが、上述したように、このようなＳｎめっき層の皮膜を形成すると、皮膜に針状のＳｎのウィスカが発生しやすくなる。ウィスカが発生して成長すると、隣接する電極間で電気的な短絡障害を起こすことがある。また、ウィスカが、皮膜から脱離して飛散すると、飛散したウィスカは、装置内外で短絡障害を引き起こす原因になる。

特許文献１に開示されている技術では、このようなウィスカの発生を抑制することができる皮膜を有する部材を提供することを目的として、Ｓｎめっき皮膜が、Ｓｎめっき液を電解することにより得られるＳｎめっき皮膜であり、該Ｓｎめっき皮膜が、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が１ＭＰａ以上であることを特徴としたＳｎめっき皮膜としたものである。

特開２００７−２３９０７６号公報

一般的に、Ｓｎウィスカは、Ｓｎ皮膜に圧縮応力が加わった際に成長することが知られているところ、特許文献１に開示されているＳｎめっき皮膜では、Ｓｎめっき皮膜において既に圧縮応力が内包されていることから、応力を緩和する余地がないため、ウィスカが伸びやすい環境を有している。また、実際に、特許文献１に開示されているめっき浴を評価したところ、他のめっき浴と比較して、ウィスカが伸びにくいという事実は認められなかった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、ウィスカの成長を抑制し、かつ、はんだぬれ性に優れる電子部品を提供することである。

この発明は、最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であることを特徴とする、電子部品である。
この発明にかかる電子部品では、最表層のめっき層の表面において、積層構造の積層方向に平行な方向に伸びる複数の隙間が存在することが好ましい。
また、この発明にかかる電子部品では、最表層のめっき層の厚みが、０．３μｍ以上であることが好ましい。
また、この発明にかかる電子部品では、最表層より下層のめっき層の厚みが、１μｍ以上であることが好ましい。

この発明にかかる電子部品では、最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、該Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、該めっき層のうち、最表層に緻密性の低いめっき層が形成されているので、ウィスカの成長を抑制し、かつはんだぬれ性を高めることができる。これは、最表層に緻密性の低いめっき層が、圧縮応力が加わった際に成長するウィスカの成長を抑制し、かつ、最表層のめっき層が、たとえば、酸化することによってはんだぬれ性の効果が低下したとしても、その下層に形成される緻密性の高いめっき層によってはんだぬれ性の効果を維持することができるからである。
また、この発明にかかる電子部品では、最表層のめっき層の表面において、積層構造の積層方向に平行な方向に伸びる複数の隙間が存在するので、圧縮応力が加わった際に成長するウィスカの成長をより抑制することができる。
この発明にかかる電子部品において、Ｓｎめっき皮膜における最表層のめっき層の厚みが０．３μｍ以上で形成することにより、より確実にウィスカの成長を抑制することができる。
また、この発明にかかる電子部品において、Ｓｎめっき皮膜の下層に形成される緻密性の高いめっき層の厚みを１μｍ以上で形成することにより、はんだぬれ性の効果をより高めることができる。

この発明によれば、ウィスカの成長を抑制し、かつはんだぬれ性に優れる電子部品を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図解図である。 実施例１の積層セラミックコンデンサにおいて第１のめっき皮膜および第２のめっき皮膜の厚さ方向に切断した断面の模式図である。 実施例１の積層セラミックコンデンサにおいて第２のめっき皮膜における第２のめっき層の表面に対して垂直上方から撮影した電子顕微鏡写真像である。

図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図解図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状のセラミック素子１２を含む。セラミック素子１２は、誘電体としてたとえばチタン酸バリウム系の誘電体セラミックからなる多数のセラミック層１４を含む。これらのセラミック層１４は積層され、セラミック層１４間には、たとえばＮｉからなる内部電極１６ａおよび１６ｂが交互に形成される。この場合、内部電極１６ａは、一端部がセラミック素子１２の一端部に延びて形成される。また、内部電極１６ｂは、一端部がセラミック素子１２の他端部に延びて形成される。さらに、内部電極１６ａおよび１６ｂは、中間部および他端部がセラミック層１４を介して重なり合うように形成される。したがって、このセラミック素子１２は、内部にセラミック層１４を介して複数の内部電極１６ａおよび１６ｂが設けられた積層構造を有する。

セラミック素子１２の一端面には、端子電極１８ａが内部電極１６ａに接続されるように形成される。同様に、セラミック素子１２の他端面には、端子電極１８ｂが内部電極１６ｂに接続されるように形成される。

端子電極１８ａは、たとえばＣｕからなる外部電極２０ａを含む。外部電極２０ａは、内部電極１６ａに接続されるように、セラミック素子１２の一端面に形成される。同様に、端子電極１８ｂは、たとえばＣｕからなる外部電極２０ｂを含む。外部電極２０ｂは、内部電極１６ｂに接続されるように、セラミック素子１２の他端面に形成される。

また、外部電極２０ａおよび２０ｂの表面には、はんだ食われを防止するためにＮｉを含む第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂがそれぞれ形成される。

さらに、図２に示すように、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、はんだ付け性をよくするためにＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂがそれぞれ形成される。第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、さらに、第１のめっき層２６ａ、２６ｂおよび第２のめっき層２８ａ、２８ｂにより形成される。第１のめっき層２６ａおよび２６ｂは、第２のめっき層２８ａおよび２８ｂの下層に形成される。したがって、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、積層構造からなる。なお、図２は、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂの厚さ方向に切断した断面の模式図である。

第１のめっき層２６ａおよび２６ｂは、緻密性の高いめっき層として形成されている。第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下の厚みで形成されるのが好ましい。第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの厚みが、１μｍ以上に形成されると、はんだぬれ性の効果をより高めることができ、さらに、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂをより確実にカバーすることができる。また、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの厚みが、４μｍ以下に形成されると、積層セラミックコンデンサ１０の小型化を維持することができるのでより好ましい。

また、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの表面には、さらに、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの最表層として、第２のめっき層２８ａおよび２８ｂが形成される。これら第２のめっき層２８ａおよび２８ｂは、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂと比較して緻密性の低いめっき層として形成されている。したがって、第２のめっき層２８ａおよび２８ｂは緻密性の低いめっきにより形成されているので、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの積層構造における積層方向に対して平行な方向に伸びる複数の隙間部３０が形成される。第２のめっき層２８ａおよび２８ｂの厚みは、０．３μｍ以上３μｍ以下の厚みで形成されるのが好ましい。第２のめっき層２８ａおよび２８ｂが、０．３μｍ以上に形成されると、より確実にウィスカの成長を抑制することができる。また、第２のめっき層２８ａおよび２８ｂが、１μｍ以下に形成されると、積層セラミックコンデンサ１０の小型化を維持することができるのでより好ましい。

したがって、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂと第２のめっき層２８ａおよび２８ｂとは、緻密性が異なるため、それぞれの層における緻密性の相違によって第１のめっき層２６ａおよび２６ｂと第２のめっき層２８ａおよび２８ｂとの間には境界面３２が形成される。

次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するための積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。

まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

次に、セラミックグリーンシート上に、たとえば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。

そして、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層することによって、マザー積層体を作製する。

それから、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。

そして、プレスしたマザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。なお、このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。

それから、生のセラミック積層体を焼成する。この場合、焼成温度は、セラミック層１４や内部電極１６ａ、１６ｂの材料にもよるが、９００℃〜１３００℃であることが好ましい。焼成後のセラミック積層体は、積層セラミックコンデンサ１０のセラミック層１４および内部電極１６ａ、１６ｂからなるセラミック素子１２となる。

そして、焼成後のセラミック積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、端子電極１８ａおよび１８ｂの外部電極２０ａおよび２０ｂを形成する。

それから、第１の外部電極２０ａの表面および第２の外部電極２０ｂの表面には、それぞれ、たとえばＮｉめっきを施すことによって、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂを形成する。

そして、第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂの表面には、それぞれ、Ｓｎめっきを施すことによって緻密性の高い第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの第１のめっき層２６ａおよび２６ｂを形成する。

それから、さらに、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの表面には、それぞれ、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂの最表層として、Ｓｎめっきを施すことによって緻密性の低い第２のめっき層２８ａおよび２８ｂを形成する。したがって、第１のめっき層２６ａおよび２６ｂは、第２のめっき層２８ａおよび２８ｂの下層に形成される。したがって、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂは、積層構造からなる。

以上のように、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂを形成した後、乾燥する。

上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂにおける最表層において第２のめっき層２８ａおよび２８ｂが、たとえば、Ｓｎを材料として用いて緻密性の低いめっき層が形成されているので、ウィスカの成長を抑制することができる。そのため、この積層セラミックコンデンサ１０では、ウィスカが原因となる短絡障害を防止することができる。

また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第２のめっき皮膜２４ａおよび２４ｂにおける第１のめっき層２６ａおよび２６ｂがＳｎを含むので、はんだ付け性がよい。

さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１のめっき皮膜２２ａおよび２０ｂがそれぞれＮｉを含むので、はんだ食われを防止することができる。

さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂなどにＰｂを用いていないので、環境保護の観点においても優れている。

（実験例）
実験例では、以下に示す実施例１、比較例１および比較例２の積層セラミックコンデンサを製造し、それらの積層セラミックコンデンサについて皮膜中のウィスカを評価した。

（実施例１）
実施例１では、上述の方法で図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造した。この場合、積層セラミックコンデンサ１０の外形寸法を長さ２．０ｍｍ、幅１．２５ｍｍ、高さ１．２５ｍｍとした。また、セラミック層１４（誘電体セラミック）として、チタン酸バリウム系誘電体セラミックを用いた。さらに、内部電極１６ａ、１６ｂの材料としてＮｉを用いた。さらに、外部電極２０ａ、２０ｂの材料としてＣｕを用いた。

また、実施例１では、第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂおよび第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂを次の条件で形成した。
（１）めっき浴について
・第１のめっき皮膜を形成するためのめっき浴の組成：硫酸ニッケル３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／Ｌ、ホウ酸４０ｍｇ／Ｌ、ｐＨ：４．０、浴温：５５℃を用いた。
・第２のめっき皮膜における第１のめっき層を形成するためのめっき浴：石原薬品社製ＮＢ−ＲＺＳを用い、浴温３０℃、ｐＨ：４．５である。この第１のめっき層は、緻密性の高いめっき層として形成する。
・第２のめっき皮膜における第２のめっき層を形成するためのめっき浴の組成：硫酸Ｓｎ浴（硫酸第一錫５０ｇ／Ｌ、クエン酸水素２アンモニウム１００ｇ／Ｌ、硫酸アンモニウム１５０ｇ／Ｌ）、浴温は３０℃、ｐＨ：４．５である。この第２のめっき層は、緻密性の低いめっき層として形成する。
（２）通電条件について
・第１のめっき皮膜：電流１０Ａで７５分間とし、第１のめっき皮膜の膜厚を３μｍとした。
・第２のめっき皮膜における第１のめっき層：電流６Ａで３０分間とし、第１のめっき層の膜厚を３μｍとした。
・第２のめっき皮膜における第２のめっき層：電流２Ａで３０分間とし、第２のめっき層の膜厚を１μｍとした。
（３）めっき装置について
・第１のめっき皮膜、ならびに第２のめっき皮膜における第１のめっき層および第２のめっき層を形成するためのめっき装置：めっき方式は、容積３００ｍｌ、径７０ｍｍの回転バレルを用いて行った。メディアは、材質がＳｎの径０．７ｍｍのボールを４０ｍｌ用いた。攪拌玉は、径８．０ｍｍで、５０ｃｃでナイロン被覆鉄球を用いた。チップチャージ量は、２０ｍｌとした。また、バレル回転速度は、２０ｒｐｍとした。

以上のように、第１のめっき皮膜、ならびに第２のめっき皮膜における第１のめっき層および第２のめっき層を形成した後、空気中において８０℃で１５分間、乾燥した。なお、第１のめっき皮膜、ならびに第２のめっき皮膜における第１のめっき層および第２のめっき層を形成した後には、それぞれ形成するごとに純水洗を実施した。

（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様にＮｉめっき皮膜（第１のめっき皮膜）およびＳｎめっき皮膜（第２のめっき皮膜）を形成したが、第２のめっき皮膜として緻密性の高い第１のめっき層のみを形成し、緻密性の低い第２のめっき層は形成していない。なお、比較例１における第２のめっき皮膜を形成するためのめっき浴は、実施例１の第２のめっき皮膜における第１のめっき層に用いためっき浴と同様である。また、第２のめっき皮膜を形成するための通電条件は、電流６Ａで４０分間とし、第２のめっき皮膜の膜厚は４μｍとした。

（比較例２）
比較例２では、実施例１と同様にＮｉめっき皮膜（第１のめっき皮膜）およびＳｎめっき皮膜（第２のめっき皮膜）を形成したが、第２のめっき皮膜として緻密性の低い第２のめっき層のみを形成し、緻密性の高い第１のめっき層は形成していない。なお、比較例２における第２のめっき皮膜を形成するためのめっき浴は、実施例１の第２のめっき皮膜における第２のめっき層に用いためっき浴と同様である。また、第２のめっき皮膜を形成するための通電条件は、電流６Ａで４０分間とし、第２のめっき皮膜の膜厚は４μｍとした。

次に、実施例１、比較例１および比較例２の各積層セラミックコンデンサについて、以下に示すＪＥＤＥＣ規格に準拠してめっき皮膜に発生するウィスカの成長を評価した。ウィスカの成長の評価は、以下に記載の熱衝撃試験および湿中放置試験により行った。熱衝撃試験は、主に、熱膨張係数の差により発生するウィスカの成長の評価をするために行い、湿中放置試験は、主に、電解腐食により発生するウィスカの成長を評価するために行った。

（熱衝撃試験）
・試料数（電極数）：６
・試験条件：最低温度として−５５℃（＋０／−１０）、最高温度として８５℃（＋１０／−０）、各温度で１０分保持し、気相式で、１５００回の熱衝撃を与える。
・観察方法：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１０００倍の電子顕微鏡写真像で行う。
・判定基準：Ｃｌａｓｓ２（通信用インフラ機器、自動車用機器）を適用し、実施例１、比較例１および比較例２の各試料において、それぞれのうちのウィスカ最大長さ（直線長さ）が４５μｍ未満の場合を良好であると判定し、４５μｍ以上の場合を良好でないと判定した。

（湿中放置試験）
・試験数（電極数）：６
・試験条件：周囲温度を５５℃（＋０／−１０）、湿度８５％ＲＨとして、４０００時間放置した。
・観察方法：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１０００倍の電子顕微鏡写真像で行う。
・判定基準：Ｃｌａｓｓ２（通信用インフラ機器、自動車用機器）を適用し、実施例１、比較例１および比較例２の試料において、それぞれうちのウィスカ最大長さ（直線長さ）が４５μｍ未満の場合を良好であると判定し、４５μｍ以上の場合を良好でないと判定した。

また、実施例１、比較例１および比較例２の各積層セラミックコンデンサについて、はんだぬれ性を評価した。評価は、以下に記載のぬれ性評価試験により行った。

（ぬれ性評価試験）
ぬれ性評価試験は、実施例１、比較例１および比較例２において得られた積層セラミックコンデンサにフラックスＣ（ロジン−エタノール）を使用し、鉛フリーはんだであるＭ７０５（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ）のはんだ槽（２４５℃）に浸漬した。はんだぬれ性試験機（ＲＨＥＳＣＡ製ＳＡＴ−５０００）を用いてはんだ小球平衡法によるゼロクロスタイムに基づき、実施例１、比較例１および比較例２におけるはんだぬれ性を評価した。このとき、判定基準として、ゼロクロスタイムの平均値が２秒以下を良好であると判定した（対応規格：国際規格ＩＥＣ６００６８−２−６９、日本工業規格ＪＩＳＣ６００６８−２−６９）。

図３には、実施例１の積層セラミックコンデンサにおいて最表層である第２のめっき皮膜における第２のめっき層の表面に対して垂直上方から撮影した電子顕微鏡写真像を示した。また、表１には、実施例１、比較例１および比較例２におけるそれぞれの試験結果と判定結果を示した。表１において、評価結果が判定基準を満たす場合は「Ｇ」により示し、判定基準を満たさない場合は「ＮＧ」により示した。

まず、熱衝撃試験の結果をみると、実施例１では、ウィスカ最大長さが３０μｍと判定基準を満たした。
一方、比較例１では、ウィスカ最大長さが６０μｍと判定基準を満たさなかったが、比較例２では、ウィスカ最大長さが２０μｍであった。

熱衝撃試験において、実施例１および比較例２において良好な結果を得た理由は、ウィスカが発生する原因として、Ｓｎめっき皮膜の表層部の一点に応力集中することで押し出されることが考えられるが、Ｓｎめっき皮膜を互いに緻密性の異なるめっき層とし、最表層におけるＳｎめっき層は、緻密性の低いめっき層とすることで、図３に示すように、めっき層の表面が粗くかつ一面として形成されない。したがって、めっき層における表層部を縦に分断し、隙間部を作っておくことで局部的に応力集中することが回避されたため、ウィスカが成長しなかったためであると考えられる。また、Ｓｎめっき皮膜が互いに緻密性の異なるめっき層の積層構造からなることにより境界面が形成されるため、その境界面が応力集中の緩和に寄与したためであると考えられる。

次に、湿中放置試験の結果をみると、実施例１では、ウィスカ最大長さが０μｍと判定基準を満たした。
一方、比較例１では、ウィスカ最大長さが０μｍと判定基準を満たしたが、比較例２では、ウィスカ最大長さが６０μｍであり、判定基準を満たさなかった。

湿中放置試験において、実施例１は、ウィスカの成長が抑制されているが、これは、緻密性の高いめっき層と緻密性の低いめっき層との間に存在する境界面が、ウィスカの成長を抑制しているためであると考えられる。

また、ぬれ性評価試験の結果をみると、実施例１では、はんだぬれ性の試験結果は判定基準を満たした。
一方、比較例１では、はんだぬれ性の試験結果は判定基準を満たしたが、比較例２では、はんだぬれ性の試験結果は、判定基準を満たさなかった。

ぬれ性評価試験において、実施例１および比較例１において良好な結果を得た理由は、Ｓｎのめっき皮膜全体において、緻密性を低くすると、その下地となるＮｉのめっき皮膜がカバーできなくなることに起因しているためである。また、Ｓｎのめっき皮膜自身の酸化が進むことにより、はんだぬれ性が著しく低下するためである。

なお、上述の実施形態および実施例１では、互い緻密性の異なるめっき層の積層構造からなる第２のめっき皮膜は、最表層は、緻密性の低いＳｎのめっき層とし、その下層に緻密性の高いＳｎのめっき層に形成することにより２層としたが、これに限られるものではなく、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層とし、その下層に形成されるめっき層は、緻密性の高いめっき層として形成されていれば、多層であってもよい。

上述の実施形態および実施例１では、誘電体としてチタン酸バリウム系の誘電体セラミックが用いられているが、その代わりにたとえばチタン酸カルシウム系、チタン酸ストロンチウム系、ジルコン酸カルシウム系の誘電体セラミックが用いられてもよい。また、セラミック層１４のセラミック材料としては、たとえばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が添加されたものが用いられてもよい。

上述の実施形態および実施例１では、内部電極としてＮｉが用いられているが、その代わりにたとえばＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどが用いられてもよい。

上述の実施形態および実施例１では、外部電極としてＣｕが用いられているが、その代わりにたとえばＡｇ、ＡｕおよびＳｎからなる群から選ばれる１種の金属、または、当該金属を含む合金が用いられてもよい。

この発明にかかる電子部品は、特に、たとえば高密度実装される積層セラミックコンデンサなどの電子部品に好適に用いられる。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ セラミック素子
１４ セラミック層
１６ａ、１６ｂ 内部電極
１８ａ、１８ｂ 端子電極
２０ａ、２０ｂ 外部電極
２２ａ、２２ｂ 第１のめっき皮膜
２４ａ、２４ｂ 第２のめっき皮膜
２６ａ、２６ｂ 第１のめっき層
２８ａ、２８ｂ 第２のめっき層
３０ 隙間部
３２ 境界面

Claims (4)

1. 最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、
   前記Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、
   前記めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であることを特徴とする、電子部品。
2. 前記最表層のめっき層の表面において、前記積層構造の積層方向に平行な方向に伸びる複数の隙間が存在することを特徴とする、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記最表層のめっき層の厚みは、０．３μｍ以上である、請求項１または請求項２に記載の電子部品。
4. 前記最表層より下層のめっき層の厚みは、１μｍ以上である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。