JP2017022365A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

積層セラミックコンデンサ Download PDF

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Abstract

【課題】耐湿性に優れ、かつ、熱機械強度の大きい、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】外部電極5を、内部電極と誘電体層1が積層された積層体10の主面に形成され、Niを含む第1の外部電極層15と、積層体の端面と、第1の外部電極層の端面側の先端を含む領域とを覆い、第1の外部電極層と接合するとともに、内部電極と導通するように形成された、ガラス成分とCuとを含む第2の外部電極層25とを備えた構成とし、積層体の主面と端面によって形成される稜線付近の領域において、第1の外部電極層と第2の外部電極層とが接合し、第1の外部電極層の、積層体の前記端面側の先端とは逆側の先端は、第2の外部電極層に覆われることなく露出しているとともに、第1の外部電極層に含まれるNiが、稜線付近において、第2の外部電極層に拡散し、第2の外部電極層に含まれるCuと固溶している構成とする。【選択図】図4

Description

本発明は、セラミックコンデンサに関し、詳しくは、内部電極と誘電体層を積層してなる積層体の表面に、内部電極と接続するように外部電極が形成された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。
近年、内部電極と誘電体層が積層された積層体と、内部電極と接続するように積層体の表面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサが、種々の用途に広く用いられている。このような積層セラミックコンデンサの1つに、特許文献1に記載されているような積層セラミックコンデンサ(積層セラミック電子部品)がある。
この積層セラミックコンデンサ101は、図5に示すように、誘電体層(セラミック層)102を介して複数の内部電極103,104が積層された積層体(セラミック積層体)105の一対の端面108,109に、内部電極103,104と導通するように一対の外部電極112,113が配設された構造を有している。
この積層セラミックコンデンサ101において、外部電極112,113は、積層体110の主面106,107を含む、外部電極104が形成されるべき面の少なくとも一部にTiを含むろう材を付与し、これを焼き付けることにより、Tiを含む金属層119を形成し、この金属層119を覆うように、めっき膜114,115,116を形成するとともに、金属層119とめっき膜(Cuめっき膜)114との間に、図5の領域Bを拡大した図6に示すように、相互拡散層120を生じさせることにより形成されている。
そして、特許文献1によれば、上述のような構成を備えることにより、積層体105への固着力に優れた外部電極112,113を備え、耐湿付加特性の良好な積層セラミックコンデンサ(積層セラミック電子部品)101が得られるとされている。
しかしながら、上述のように構成された特許文献1の積層セラミックコンデンサ(積層セラミック電子部品)101においては、金属層119とめっき膜114との間に相互拡散層120が形成されているものの、Ag−Cu−Ti合金(金属層)と、Cu(めっき膜114)との相互拡散によっては、必ずしも十分な耐湿信頼性を得ることができないという問題点がある。
また、めっき膜114が金属層119を完全に覆っているため、内部電極103,104の引き出し方向に沿う方向について見た場合における金属層119の、積層体110の端面103に近い方の先端とは逆側(長手方向中央部側)の先端側で金属の相互拡散が起こると、熱機械強度(たわみ強度)が劣化するという問題点がある。
特開2010−129621号公報
本発明は、上記課題を解決するものであり、耐湿性に優れ、かつ、熱機械強度の大きい、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
内部電極と誘電体層が積層された積層体と、前記内部電極と接続するように前記積層体の表面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、前記積層体の主面に形成され、Niを含む第1の外部電極層と、
前記積層体の前記内部電極が引き出された前記端面と、前記第1の外部電極層の前記端面側の先端を含む領域とを覆い、前記第1の外部電極層と接合するとともに、前記内部電極と導通するように形成された、ガラス成分とCuとを含む第2の外部電極層と
を備え、
前記第1の外部電極層の、前記積層体の前記主面上に位置する領域であって、前記主面と前記端面によって形成される稜線付近の領域において、前記第1の外部電極層と前記第2の外部電極層とが接合しており、
前記内部電極の引き出し方向について見た場合における前記第1の外部電極層の、前記積層体の前記端面側の先端とは逆側の先端は、前記第2の外部電極層に覆われることなく露出しているとともに、
前記第1の外部電極層に含まれるNiが、前記稜線付近において、前記第2の外部電極層に拡散し、前記第2の外部電極層に含まれるCuと固溶していること
を特徴としている。
また、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記第2の外部電極層が、前記第1の外部電極層を覆う部分の、前記内部電極の引き出し方向の寸法は、前記第1の外部電極層の前記内部電極の引き出し方向の寸法の3%以上50%以下であることが好ましい。
第2の外部電極層が、第1の外部電極層を覆う部分の、内部電極の引き出し方向の寸法を、第1の外部電極層の内部電極の引き出し方向の寸法の3%以上50%以下とすることにより、耐湿性を確保するために必要な、NiがCuに固溶した固溶層を十分に形成することが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
また、前記Niの、前記第2の外部電極層への拡散距離は、前記第2の金属電極層が前記第1の金属電極層を覆う部分における前記第2の金属電極層の厚みの10%以上100%以下であることが好ましい。
Niの、第2の外部電極層への拡散距離が、第2の金属電極層が第1の金属電極層を覆う部分における第2の金属電極層の厚みの10%以上100%以下の範囲となるようにした場合、耐湿性を向上させるのに十分なNiの拡散距離を確保できる。
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、上述のように、
(a)外部電極が、積層体の主面に形成された、Niを含む第1の外部電極層と、積層体の内部電極が引き出された端面と、第1の外部電極層の端面側の先端を含む領域とを覆い、第1の外部電極層と接合するとともに、内部電極と導通するように形成された、ガラス成分とCuとを含む第2の外部電極層とを備えるとともに、
(b)第1の外部電極層の、積層体の前記主面上に位置する領域であって、主面と端面によって形成される稜線付近の領域において、第1の外部電極層と第2の外部電極層とが接合し、
(d)内部電極の引き出し方向について見た場合における第1の外部電極層の、積層体の端面側の先端とは逆側の先端が、第2の外部電極層に覆われることなく露出し、
(e)第1の外部電極層に含まれるNiが、上記稜線付近において、第2の外部電極層に拡散し、第2の外部電極層に含まれるCuと固溶した構成
を備えているので、耐湿性に優れ、かつ、熱機械強度の大きい、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
すなわち、第1の外部電極層に含まれるNiが、上記稜線付近において、第2の外部電極層に拡散し、第2の外部電極層に含まれるCuと固溶しているので、積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性が向上する。
また、第1の外部電極層の、積層体の端面側の先端とは逆側の先端が、第2の外部電極層に覆われることなく露出しているので、第1の外部電極層を構成するNiが第2の外部電極層に拡散、固溶することにより生じる応力の影響を抑えて、熱機械強度を向上させることが可能になる。
また、第2の外部電極層がガラス成分を含むので、積層体との密着性が向上するため、この点からも耐湿信頼性が向上する。
本発明の一実施形態(実施形態1)にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。 本発明の実施形態1にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態(実施形態2)にかかる積層セラミックコンデンサにおける第1の外部電極層および第2の外部電極層の形状および要部の寸法を説明するための、要部断面を模式的に示す図である。 (a)は本発明のさらに他の実施形態(実施形態3)にかかる積層セラミックコンデンサにおける第1の外部電極層および第2の外部電極層の構成を示す模式断面図であり、(b)は、(a)の領域Aを拡大して示す図であって、第1の外部電極層を構成するNiの、Cuを含む第2の外部電極層への拡散距離D2と、第2の外部電極の厚みVを示す図である。 従来の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。 図5の積層セラミックコンデンサの領域Bを拡大して示す図である。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
[実施形態1]
図1は、本発明の一実施形態(実施形態1)にかかる積層セラミックコンデンサ50の構成を示す正面断面図、図2は積層セラミックコンデンサ50の外観構成を示す斜視図である。
この積層セラミックコンデンサ50は、図1および2に示すように、誘電体セラミックからなる複数の誘電体層1と、複数の内部電極2(2a,2b)とが積層された構造を有する積層体(セラミック素体)10と、積層体10の外表面に、内部電極2(2a,2b)と導通するように配設された一対の外部電極5(5a,5b)とを備えている。また、外部電極5(5a,5b)は、その表面に、めっき膜18を備えており、めっき膜18は、それぞれ、Niめっき膜16およびSnめっき膜17からなる2層構造を有している。
以下に、積層セラミックコンデンサを構成する各部につて、さらに詳しく説明する。
(1)積層体
積層体10は、第1の主面11aおよび第1の主面11aと対向する第2の主面11bと、第1の主面11aに直交する第1の端面21aおよび第1の端面21aと対向する第2の端面21bと、第1の端面11aに直交する第1の側面31aおよび第1の側面31aと対向する第2の側面31bとを備える直方体形状を有している。
なお、積層体10は、コーナー部および稜部に丸みがつけられていることが好ましい。
積層体10の寸法は、特に限定されないが、積層体10の厚み寸法をT、長さ寸法をL、幅寸法をWとした場合に、T<W<L、(1/5)W≦T≦(1/2)W、または、T<0.3mmの要件が満たされるような薄型のものであってもよい。具体的には、0.05mm≦T<0.3mm、0.4mm≦L≦1mm、0.3mm≦W≦0.5mmであってもよい。
ただし、本発明において、積層体10の形状や寸法は特に限定されるものではなく、他の形状、寸法とすることも可能である。
また、積層体10を構成する誘電体層1はセラミック材料から構成されている。セラミック材料としては、例えば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3 、CaZrO3などを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にMn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。なお、誘電体層1の厚みは、通常0.5μm以上10μm以下であることが好ましい。
なお、この実施形態1にかかる積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極2が誘電体層1を介して対向する領域である有効部で容量が形成されるように構成されている。
(2)内部電極
積層体10の内部には、略矩形状の複数の第1および第2の内部電極2a,2bが厚み方向Tに沿って等間隔に交互に配置されている。
第1および第2の内部電極2a,2bの端部は、積層体10の端面に露出している。具体的には、第1の内部電極2aの一方側の端部は、積層体10の第1の端面21aに引き出され、露出している。第2の内部電極2bの一方側の端部は、積層体10の第2の端面21bに引き出され、露出している。
第1および第2の内部電極2a,2bのそれぞれは、第1および第2の主面11a,11bと平行に配設されている。第1および第2の内部電極2a,2bは、厚み方向Tにおいて、誘電体層1を介して、主要部が互いに対向している。
第1および第2の内部電極2a,2bの厚さに特別の制約はないが、通常は、0.2μm以上2μm以下とすることが好ましい。
第1および第2の内部電極2a,2bは、種々の導電材料により構成することができる。具体的には、第1および第2の内部電極2a,2bは、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Auなどの金属や、これらの金属の一種を含む、例えばAg−Pd合金などの合金により構成することができる。
(3)外部電極
積層体10の表面上に設けられる外部電極5(5a,5b)は、積層体10の、第1および第2の内部電極2a,2bが露出した領域を覆うように配設されている。具体的に説明すると、外部電極5(5a,5b)は、
(a)積層体10の第1および第2の端面21a,21bを覆うとともに、
(b)積層体10の第1および第2の主面11a,11bの、積層体10の長さ方向(L方向)(内部電極2a,2bの引き出し方向に沿う方向)における両端側の領域を覆い、かつ、
(c)積層体10の第1および第2の側面31a,31bの、積層体10の長さ方向(L方向)における両端側の領域を覆うように配設されている。
この外部電極5(5a,5b)は、第1の外部電極層15(15a,15b)と、第2の外部電極層25(25a,25b)とを備えている。
第1の外部電極層15(15a,15b)はNiを含む電極層であり、積層体10の主面11a,11bに形成されている。なお、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサでは、第1の外部電極層15(15a,15b)は、積層体10の主面11a,11bに形成されているが、積層体10の側面31a,31bにも形成することができる。
また、外部電極5を構成する第2の外部電極層25(25a,25b)は、ガラス成分とCuを含む電極層であり、積層体10の端面21a,21bと、第1の外部電極層15(15a,15b)の、積層体10の長さ方向(L方向)両端側の領域を覆い、第1の外部電極層15(15a,15b)と接合するとともに、積層体10の側面31a,31bの、積層体10の長さ方向(L方向)両端側の領域を覆うように形成されている。ガラス成分とCuを含む第2の外部電極層25(25a,25b)を備えている。
そして、第1の外部電極層と前記第2の外部電極層とは、第1の外部電極層15(15a,15b)の、積層体10の主面11a,11b上に位置する領域であって、主面11a,11bと端面21a,21bによって形成される稜線付近の領域において互いに接合している。
第1の外部電極層15(15a,15b)における積層体10の長手方向(L方向)の中央部側の先端、すなわち、積層体10の端面21a,21b側の先端とは逆側の先端は、第2の外部電極層25(25a,25b)に覆われることなく、第2の外部電極層25(25a,25b)から露出している。
そして、第1の外部電極層15(15a,15b)に含まれるNiが、稜線付近において、第2の外部電極層25(25a,25b)に拡散し、第2の外部電極層25(25a,25b)に含まれるCuと全固溶している。
次に、第1の外部電極層15(15a,15b)と、第2の外部電極層25(25a,25b)について説明する。
(3−1)第1の外部電極層
第1の外部電極層15(15a,15b)を構成する導電成分としては、例えば、Niや、Niを含む合金を用いることができる。
また、第1の外部電極層15(15a,15b)は、無機結合材を含んでいることが望ましい。無機結合材は、積層体10に対する密着強度を高めるための成分である。
第1の外部電極層15(15a,15b)が積層体10と同時焼成されることにより形成される場合は、無機結合材として、積層体10を構成する誘電体層に含まれるセラミック材料と同種のセラミック材料または主成分が同じセラミック材料を用いることが好ましい。第1の外部電極層における無機結合材の含有量は、40体積%以上60体積%以下の範囲にあることが好ましい。
また、第1の外部電極層15(15a,15b)の厚み(最も厚い部分)は、1μm以上20μm以下であることが好ましい。
また、この第1の外部電極層15(15a,15b)は、内部電極と同時焼成する方法(コファイア)により形成することができる。
(3−2)第2の外部電極層
第2の外部電極層25(25a,25b)を構成する導電成分としては、例えば、Cuや、Cuを含む合金を用いることができる。
第2の外部電極層25(25a,25b)は、無機結合材を含んでいることが望ましい。無機結合材は、積層体10に対する密着強度を高めるための成分である。無機結合材としては、例えば、ガラス成分を用いることができる。
第2の外部電極層25(25a,25b)における無機結合材の含有量は、15体積%以上35体積%以下の範囲にあることが好ましい。
また、第2の外部電極層25(25a,25b)の厚み(最も厚い部分)は1〜20μmであることが好ましい。
この第2の外部電極層25(25a,25b)は導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成することができる。
第2の外部電極層は、例えば、焼成後の積層体(セラミック素体)10に、導電性ペーストを塗布して、約700℃〜900℃で焼き付けることにより形成することができる。
(3−3)めっき膜
外部電極5(5a,5b)は、第1の外部電極層15(15a,15b)および第2の外部電極層25(25a,25b)の表面に形成されるめっき膜を備えていることが好ましい。
この実施形態1にかかる積層セラミックコンデンサの外部電極5(5a,5b)は、上述のように、Niめっき膜16およびSnめっき膜17からなる2層構造のめっき膜18を備えている。
なお、めっき膜を構成する材料(めっき金属)は、上述の例に限られるものではなく、Ni、Sn以外にも、例えば、Sn、Ag、Pd、Ag−Pd合金、Auなどを用いることができる。
また、めっき膜は、上記の例のように、2層構造(複数層構造)としてもよく、また、単一層構造としてもよい。さらに3層以上の複数層構造とすることも可能である。
また、めっき膜が単層構造である場合には、その単層厚みが、1μm以上10μm以下の範囲にあることが好ましい。複数層構造である場合には、複数層構造を構成する各めっき膜1層あたりの厚みが1μm以上10μm以下の範囲にあることが好ましい。
また、めっき膜18を設ける場合、第1の外部電極層15a,15bおよび第2の外部電極層25a,25bと、めっき膜18の間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。
次に、本発明の実施形態1にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
(1)誘電体層用のセラミックグリーンシート、内部電極用の導電性ペースト、第1の外部電極層用の導電性ペースト(Niを含む)、および第2の外部電極層用の導電性ペースト(Cuを含む)を準備する。
セラミックグリーンシートおよび各導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、これらのバインダおよび溶剤については特に制約はなく、公知の種々の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
(2)セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により、内部電極用の導電性ペーストを所定のパターンとなるように印刷し、内部電極パターンを形成する。
(3)内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層した後、さらにその上に内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。
(4)マザー積層体の上下の両主面に、スクリーン印刷などにより、第1の外部電極層用の導電性ペースト(Niを含む)を印刷して、外部電極を構成する第1の外部電極層となる外部電極パターンを形成する。
(5)マザー積層体を所定の位置でカットし、所定のサイズの、生の(未焼成の)積層体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層体のコーナー部や稜部に丸みをつけてもよい。
(6)それから、未焼成の積層体を焼成する。焼成温度は、用いられるセラミック材料や導電材料にもよるが、通常は、900℃以上1300℃以下であることが好ましい。これによって、セラミックグリーンシート、内部電極用の導電性ペーストおよび第1の外部電極層用の導電性ペーストが同時焼成され、焼結済みで、第1の外部電極層を備えた積層体(セラミック素体)が得られる。
(7)焼成された積層体の両端面に、例えば、ディップ法などにより、第2外部電極層用の導電性ペースト(Cuを含む)を塗布して焼き付ける。これにより、積層体の両端面に第2の外部電極層が形成される。
(8)その後、めっき処理を施し、第1の外部電極層および第2の外部電極層の表面に、下地めっき膜(例えばNiめっき膜)を形成する。めっき方法としては、電解めっき、無電解めっきのいずれのめっき方法を用いてもよい。ただし、無電解めっきを行う場合、めっき析出速度を向上させるためには、触媒などによる前処理が必要で、工程が複雑化する傾向があるため、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。また、めっき工法としては、バレルめっき工法を用いることが好ましい。
(9)それから、必要に応じて、下地めっき膜上に1層以上の上層めっき膜(例えばSnめっき膜)を形成する。
上述の方法により、本発明の積層セラミックコンデンサを確実に製造することができる。ただし、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法に特別の制約はなく、積層セラミック電子部品を製造方法として、公知の種々の工法を適用することが可能である。
<評価>
上述の方法で作製した、本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサ(実施例1の試料)について、耐湿負荷試験を行い、IR不良率を測定した。
なお、評価に供した積層セラミックコンデンサの構成(条件)、および、評価方法は以下の通りである。また、積層セラミックコンデンサの各部の寸法などは、いずれも焼成済みの積層体および外部電極を備えた積層セラミックコンデンサについてのものである。
(評価に供した積層セラミックコンデンサ(試料)の条件)
・素子厚(一対の内部電極の対向領域の誘電体層の厚み):1.2μm
・誘電体層を構成するセラミック材料:BaTiO3
・誘電体層の積層枚数:23枚
・最外層の内部電極の外側のセラミック層(外層)の厚み:30μm
(25層×1.2μm)
・容量:0.1μF
・定格電圧:6.3V
・寸法:L×W×T(1.0mm×0.5mm×0.15mm)
・第1の外部電極層の厚み:5μm(主面における厚み)
・第2の外部電極層の厚み:15μm(端面における厚み)
・下地めっき膜(Niめっき膜)の厚み:3μm
・上層めっき膜(Snめっき膜)の厚み:3μm
・積層体の焼成温度:1200℃ 2時間キープ
(比較用の試料)
上述の本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサ(実施例1の試料)における第1の外部電極層および第2の外部電極層に含まれる金属の種類を異ならせて、本発明の要件を備えていない比較例1〜3の積層セラミックコンデンサ(試料)を作製した。そして、この比較例1〜3の試料についても、上述の本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサと同様に耐湿負荷試験を行い、IR不良率を測定した。
耐湿負荷試験は、125℃、95%RH、3.2V、72hの条件で行った。そして、試験後に、室温における絶縁抵抗を測定し、1MΩ以下となったものを不良と判定した。
なお、耐湿負荷試験は、試料数を20個(n=20)とし、試験に供した試料の数と、不良と判定された試料数からIR不良率を求めた。
また、実施例1および比較例1〜3の各試料の、第1および第2の外部電極層を構成する金属材料(Ni、Cu)の同定、合金状態(全率固溶など)の解析は、FE−WDXを用いて、以下の条件で行った。
FE−WDX(装置名:日本電子JXA−8500F)
加速電圧:15.0kV
照射電流:5×10−8A
(定性分析の条件)
ビーム径:φ0μm
DwellTime(取り込み時間):200ms
FE−WDXにて、選定した金属の定性分析を行う。
なお、金属間の合金状態については、「金属便覧」(日本金属学会より出版)の金属間の合金状態図を参照して評価した。
上述のようにして行った実施例1の試料と、比較例1〜3の試料についての、合金状態の解析結果、IR不良率、および総合評価の結果を表1に示す。
Figure 2017022365
表1に示すように、第1の外部電極層がNi、第2の外部電極層がCuである本発明の実施例1の試料の場合、合金状態が全率固溶型であり、IR不良の発生が認められないことが確認された。
これに対し、第1の外部電極層がAg、第2の外部電極層がCuである比較例1の試料の場合、合金状態が共晶型であり、IR不良率が30%と高いことが確認された。
また、第1の外部電極層がTi、第2の外部電極層がCuである比較例2の試料の場合、第1と第2の外部電極層の接合部に金属間化合物が生成しており、IR不良率が25%と高いことが確認された。
さらに、第1の外部電極層および第2の外部電極層がいずれもCuである比較例3の試料の場合、第1と第2の外部電極層の接合部は同種金属どうしの接合であることから、接合部に合金は生成せず、IR不良率が10%と高いことが確認された。
これらの結果から、本発明のように、第1の外部電極層にNiを用い、第2の外部電極層にCuを用いた場合には、第1の外部電極層のNiが第2の外部電極層に拡散してCuと固溶し、第1と第2の外部電極層の接合部に全率固溶型の拡散層(合金層)が形成され、これが耐湿性の向上に寄与することが確認された。
また、本発明の実施例1にかかる積層セラミックコンデンサでは、図1に示すように、第1の外部電極層15(15a,15b)における、積層体10の長さ方向(L方向)の中央部側の先端、すなわち、積層体10の端面21a,21b側の先端とは逆側の先端が、第2の外部電極層25(25a,25b)から露出しているため、第1の外部電極層の露出している部分では、金属の相互拡散による応力が発生せず、熱機械強度(たわみ強度)が劣化することが抑制される。
したがって、本発明の要件を備えることにより、耐湿性に優れ、かつ、熱機械強度の大きい、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
[実施形態2]
この実施形態2では、第2の外部電極層25(25a,25b)の、積層体10の長さ方向(L方向)の寸法がE(図3参照)である第1の外部電極層15(15a,15b)を覆う部分の、積層体10の長さ方向(L方向)の寸法D1(図3参照)を、表2に示す値となるようにした実施例2−1,2−2,2−3,2−4および2−5の試料と、比較例4および5の試料を作製した。
そして、これらの試料について、耐湿負荷試験を行い、IR不良率を測定した。なお、耐湿負荷試験は実施形態1の場合と同様の方法および条件で実施した。
また、以下に説明する方法で熱衝撃サイクル試験を行って、各実施例および各比較例のクラック発生率を測定した。
熱衝撃サイクル試験を行うにあたっては、まず、以下の条件で、各試料を基板にはんだ実装する。
評価基板:FR44層基板0.8mm厚
はんだ厚み:100μm
リフロー温度:255℃
それから、上述の各試料について、−55℃/80℃のそれぞれの温度条件で 30分間保持するサイクルを200回繰り返して行う。
その後、各試料について、長さL方向と厚みT方向で規定される面(LT面)を、幅W方向の中央部まで研磨し、露出した研磨面を観察して、クラックの発生の認められた試料の数を調べ、クラック発生率を求めた。試料数は10個(n=10)とした。
なお、各試料(積層セラミックコンデンサ)についての、
(a)第2の外部電極層の、積層体の長さ方向の寸法Eおよび
(b)第2の外部電極層の、第1の外部電極層を覆う部分の、積層体の長さ方向の寸法D1
の測定方法は、以下のとおりである。
まず、各試料(積層セラミックコンデンサ)(n=5)の長さL方向と厚みT方向で規定される面(LT面)を、幅W方向の中央部まで研磨する。
研磨面における第1の外部電極層15を、SEMにより3000倍で観察し、積層体10の端面側に位置する一端から、積層体10の長さL方向の中央部側に位置する他端まで距離を測定し、この測定結果の平均値(n=5)を、第1の外部電極層15の長さEとした。
また、同様に、研磨面における第2の外部電極層25を、SEMにより3000倍で観察し、積層体10の端面21a,21b側に位置し、積層体10の厚みT方向において第1の外部電極層15と重なる部分から、積層体10の長さL方向の中央部側に位置する他端まで距離を測定し、この測定結果の平均値(n=5)をD1とした。
上述のようにして測定した、EおよびD1の値、D1/Eの値、耐湿負荷試験におけるIR不良率、および熱衝撃サイクル試験におけるクラック発生率を表2に示す。
Figure 2017022365
表2に示すように、第1の外部電極層を覆う部分の、内部電極の引き出し方向に沿う方向の寸法D1が、第1の外部電極層の内部電極の引き出し方向に沿う方向の寸法Eの3%以上50%以下(すなわち、D1/E:3%以上50%以下)である、実施例2−1,2−2および2−3の試料の場合、IR不良率およびクラック発生率が0%であることが確認された。
また、D1/E:15%である実施例2−4およびD1/E:45%である実施例2−5の試料の場合も、IR不良率およびクラック発生率が0%であることが確認された。
これに対し、D1/E:0%の比較例4の試料(第1の外部電極層の、積層体の端面側の先端を含む領域が第2の外部電極層により覆われているという本発明の基本的な要件を備えていない試料)では、熱衝撃サイクル試験におけるクラック発生率は0%であったが、耐湿負荷試験におけるIR不良率が10%で好ましくないことが確認された。
また、D1/E:100%の比較例5の試料(第1の外部電極層の、積層体の端面側の先端とは逆側の先端は、第2の外部電極層に覆われることなく露出しているという本発明の基本的な要件を備えていない試料)では、耐湿負荷試験におけるIR不良率は0%であったが、熱衝撃サイクル試験におけるクラック発生率30%で好ましくないことが確認された。
この実施形態2の結果から、D1/Eが3%以上50%以下の範囲で、IR不良率およびクラック発生率に関し、好ましい結果が得られることが好ましいことが確認された。
すなわち、第2の外部電極層が第1の外部電極層をまったく覆っていない比較例4の場合には、耐湿負荷試験におけるIR不良が発生し、また、第2の外部電極層が第1の外部電極層の全体を覆っている(第1の外部電極層の一部を露出させていない)比較例5の場合には、熱衝撃サイクル試験においてクラックが発生し、好ましくないことが確認された。
[実施形態3]
第1の外部電極層と第2の外部電極層の接合部における、第1の外部電極層を構成するNiの、Cuを含む第2の外部電極層への拡散距離D2を異ならせた、実施例3−1,3−2,3−3および3−4の試料と、比較例6の試料とを作製した。なお、各試料は、上記実施形態1の方法に準じる方法で作製した(図4参照)。
ただし、拡散距離D2を異ならせるにあたっては、第2の外部電極層を焼き付ける際の温度を300℃〜700℃の範囲で変化させることにより、第1の外部電極層を構成するNiの、Cuを含む第2の外部電極層への拡散距離D2を変化させた。
なお、図4(a)は、実施形態3にかかる積層セラミックコンデンサにおける第1の外部電極層15および第2の外部電極層25の構成を示す模式断面図であり、図4(b)は、図4(a)の領域Aを拡大して示す図であって、第1の外部電極層を構成するNiの、Cuを含む第2の外部電極層への拡散距離D2と、第2の外部電極25の厚みVを示す図である。
そして、用意した各試料について耐湿負荷試験を行い、各実施例の試料および比較例の試料のIR不良率を測定した。耐湿負荷試験は実施形態1の場合と同様に試料数を20個として、同じ方法および条件で実施した。
なお、第2の外部電極層の第1の外部電極層への回り込み部、すなわち、積層体の端面から、積層体の主面に位置する第1の外部電極層を覆うように形成されている領域(接合部)の第2の外部電極層の厚み、および、第1および第2の外部電極層の接合部における、第1の外部電極層を構成するNiの、Cuを含む第2の外部電極層への拡散距離D2は、以下の装置を用いてマッピング分析を行うことにより求めた。
FE−WDX(装置名:日本電子JXA−8500F)
加速電圧:15.0kV
照射電流:5×10-8
分析深さ:1〜2μm
測定可能元素:B〜U <マッピング分析>
ピクセル数(画素数):256×256
ピクセルサイズ:0.1303(3000倍)
Dwell Time(1つの画素での取り込み時間):40ms
スキャン方法 :ビーム
接合部における第2の外部電極層の厚みV、NiとCuの拡散距離D2、およびD2/Vと、耐湿負荷試験におけるIR不良率を表3に示す。
Figure 2017022365
表3に示すように、第1および第2の外部電極層の接合部における第2の外部電極層の厚みVに対する、Niの拡散距離D2の割合(D2/V)の値が、10%以上100%以下の実施例3−1,3−2,3−3および3−4の試料の場合、IR不良率は0%であることが確認された。
これに対し、D2/V:0%の比較例6の試料(Niが第2の外部電極層に拡散しているという本発明の基本的な要件を備えていない試料)では、耐湿負荷試験におけるIR不良率が10%で好ましくないことが確認された。
なお、本発明は上記の各実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
1 誘電体層
2(2a,2b) 内部電極
5(5a,5b) 外部電極層
10 積層体
11a 積層体の第1の主面
11b 積層体の第2の主面
15(15a,15b) 第1の外部電極層
16 Niめっき膜
17 Snめっき膜
18 めっき膜
21a 積層体の第1の端面
21b 積層体の第2の端面
25(25a,25b) 第2の外部電極層
31a 積層体の第1の側面
31b 積層体の第2の側面
50 積層セラミックコンデンサ
L 積層セラミックコンデンサの長さ
T 積層セラミックコンデンサの高さ
W 積層セラミックコンデンサの幅
D1 第2の外部電極層の、第1の外部電極層を覆う部分の積層体の長さ方向(L方向)の寸法
D2 Niの拡散距離
V 第2の外部電極の厚み

Claims (3)

  1. 内部電極と誘電体層が積層された積層体と、前記内部電極と接続するように前記積層体の表面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
    前記外部電極は、前記積層体の主面に形成され、Niを含む第1の外部電極層と、
    前記積層体の前記内部電極が引き出された前記端面と、前記第1の外部電極層の前記端面側の先端を含む領域とを覆い、前記第1の外部電極層と接合するとともに、前記内部電極と導通するように形成された、ガラス成分とCuとを含む第2の外部電極層と
    を備え、
    前記第1の外部電極層の、前記積層体の前記主面上に位置する領域であって、前記主面と前記端面によって形成される稜線付近の領域において、前記第1の外部電極層と前記第2の外部電極層とが接合しており、
    前記内部電極の引き出し方向について見た場合における前記第1の外部電極層の、前記積層体の前記端面側の先端とは逆側の先端は、前記第2の外部電極層に覆われることなく露出しているとともに、
    前記第1の外部電極層に含まれるNiが、前記稜線付近において、前記第2の外部電極層に拡散し、前記第2の外部電極層に含まれるCuと固溶していること
    を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記第2の外部電極層が、前記第1の外部電極層を覆う部分の、前記内部電極の引き出し方向の寸法は、前記第1の外部電極層の前記内部電極の引き出し方向の寸法の3%以上50%以下であることを特徴とする請求項1記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記Niの、前記第2の外部電極層への拡散距離は、前記第2の金属電極層が前記第1の金属電極層を覆う部分における前記第2の金属電極層の厚みの10%以上100%以下であることを特徴とする請求項1または2記載の積層セラミックコンデンサ。
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