JP2020077784A - セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020077784A JP2020077784A JP2018210719A JP2018210719A JP2020077784A JP 2020077784 A JP2020077784 A JP 2020077784A JP 2018210719 A JP2018210719 A JP 2018210719A JP 2018210719 A JP2018210719 A JP 2018210719A JP 2020077784 A JP2020077784 A JP 2020077784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base electrode
- main surface
- plating layer
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 144
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910003322 NiCu Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 281
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
長さ方向において相対する第1の端面および第2の端面と、前記長さ方向と直交する幅方向において相対する第1の側面および第2の側面と、前記長さ方向および前記幅方向と直交する厚み方向において相対する第1の主面および第2の主面とを有するセラミック素体と、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に設けられている外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に設けられた下地電極層と、
前記下地電極層上、および、前記下地電極層とは異なる領域上に設けられためっき層と、
を備えることを特徴とする。
前記めっき層は、少なくとも前記下地電極層上、および、前記金属含有層上に設けられていてもよい。
前記めっき層は、前記下地電極層と前記半導体領域とを覆っていてもよい。
前記めっき層は、少なくとも前記下地電極層を覆っており、
前記セラミック素体の前記第1の端面または前記第2の端面を基準としたときの、前記めっき層の前記長さ方向における回り込み量に対する前記下地電極層の前記長さ方向における回り込み量の割合は、0.5以下であってもよい。
長さ方向において相対する第1の端面および第2の端面と、前記長さ方向と直交する幅方向において相対する第1の側面および第2の側面と、前記長さ方向および前記幅方向と直交する厚み方向において相対する第1の主面および第2の主面とを有するセラミック素体を用意する工程と、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層上、および、前記下地電極層とは異なる領域上にめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
図1は、第1の実施形態における積層セラミックコンデンサ10を模式的に示す斜視図である。図2は、図1に示す積層セラミックコンデンサ10のII−II線に沿った模式的断面図である。図3は、図1に示す積層セラミックコンデンサ10のIII−III線に沿った模式的断面図である。
上述した積層セラミックコンデンサ10では、下地電極層141aは、セラミック素体11の第1の端面15aにのみ設けられているが、第1の端面15aから、第1の主面16a、第2の主面16b、第1の側面17a、および、第2の側面17bに回り込むように設けられていてもよい。同様に、下地電極層141bは、第2の端面15bから、第1の主面16a、第2の主面16b、第1の側面17a、および、第2の側面17bに回り込むように設けられていてもよい。
以下では、積層セラミックコンデンサ10の製造方法について説明する。
図7は、第2の実施形態における積層セラミックコンデンサ10Bの模式的断面図である。第2の実施形態における積層セラミックコンデンサ10Bは、金属含有層142a、142bの代わりに、セラミック素体11の表面に半導体領域70a、70bを有する点で、第1の実施形態における積層セラミックコンデンサ10と異なる。半導体領域70a、70bは、セラミック素体11の第1の主面16a、第2の主面16b、第1の側面17a、および、第2の側面17bのうちの少なくとも1つの面の一部に設けられる。
上述した積層セラミックコンデンサ10Bでは、下地電極層141aは、セラミック素体11の第1の端面15aにのみ設けられているが、第1の端面15aから、第1の主面16a、第2の主面16b、第1の側面17a、および、第2の側面17bに回り込むように設けられていてもよい。同様に、下地電極層141bは、第2の端面15bから、第1の主面16a、第2の主面16b、第1の側面17a、および、第2の側面17bに回り込むように設けられていてもよい。
第1のめっき層143a、143bを構成するめっき膜の成膜を助長するために、第1のめっき層143a、143bの下に、補助めっき層を設けるようにしてもよい。
11 セラミック素体
12 誘電体層
13a 第1の内部電極
13b 第2の内部電極
14a 第1の外部電極
14b 第2の外部電極
15a 第1の端面
15b 第2の端面
16a 第1の主面
16b 第2の主面
17a 第1の側面
17b 第2の側面
70a、70b 半導体領域
141a、141b 下地電極層
142a、142b 金属含有層
143a、143b 第1のめっき層
144a、144b 第2のめっき層
145a、145b 補助めっき層
Claims (11)
- 長さ方向において相対する第1の端面および第2の端面と、前記長さ方向と直交する幅方向において相対する第1の側面および第2の側面と、前記長さ方向および前記幅方向と直交する厚み方向において相対する第1の主面および第2の主面とを有するセラミック素体と、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に設けられている外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に設けられた下地電極層と、
前記下地電極層上、および、前記下地電極層とは異なる領域上に設けられためっき層と、
を備えることを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記外部電極は、前記セラミック素体の前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面の一部に設けられた金属含有層をさらに備え、
前記めっき層は、少なくとも前記下地電極層上、および、前記金属含有層上に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。 - 前記金属含有層は、Pd、Ti、Cu、Ni、NiCr、および、NiCuからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項2に記載のセラミック電子部品。
- 前記めっき層は、前記下地電極層と、前記セラミック素体の前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面の一部とを覆っていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック素体の前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面の一部は半導体領域であり、
前記めっき層は、前記下地電極層と前記半導体領域とを覆っていることを特徴とする請求項4に記載のセラミック電子部品。 - 前記下地電極層は、前記セラミック素体の前記第1の端面および前記第2の端面から、前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面に回り込んで設けられ、
前記めっき層は、少なくとも前記下地電極層を覆っており、
前記セラミック素体の前記第1の端面または前記第2の端面を基準としたときの、前記めっき層の前記長さ方向における回り込み量に対する前記下地電極層の前記長さ方向における回り込み量の割合は、0.5以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記めっき層は、Niめっき層と、前記Niめっき層の上に設けられたSnめっき層と、前記Niめっき層の下に設けられた補助めっき層とを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 長さ方向において相対する第1の端面および第2の端面と、前記長さ方向と直交する幅方向において相対する第1の側面および第2の側面と、前記長さ方向および前記幅方向と直交する厚み方向において相対する第1の主面および第2の主面とを有するセラミック素体を用意する工程と、
少なくとも前記セラミック素体の前記第1の端面の一部および前記第2の端面の一部に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層上、および、前記下地電極層とは異なる領域上にめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記めっき層を形成する工程では、前記セラミック素体の前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面の一部に、Pd、Ti、Cu、Ni、NiCr、および、NiCuからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む金属含有層を形成し、少なくとも前記下地電極層上、および、前記金属含有層上に前記めっき層を形成することを特徴とする請求項9に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記めっき層を形成する工程では、前記セラミック素体の前記第1の主面、前記第2の主面、前記第1の側面、および、前記第2の側面のうちの少なくとも1つの面の一部を半導体化し、前記下地電極層および前記半導体化した領域の上に前記めっき層を形成することを特徴とする請求項9に記載のセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018210719A JP6965865B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 |
US16/678,074 US11158459B2 (en) | 2018-11-08 | 2019-11-08 | Ceramic electronic component and method for manufacturing ceramic electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018210719A JP6965865B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020077784A true JP2020077784A (ja) | 2020-05-21 |
JP6965865B2 JP6965865B2 (ja) | 2021-11-10 |
Family
ID=70551789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018210719A Active JP6965865B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11158459B2 (ja) |
JP (1) | JP6965865B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11948744B2 (en) | 2021-12-30 | 2024-04-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190116179A (ko) * | 2019-09-20 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR20210106689A (ko) | 2020-02-21 | 2021-08-31 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
JP7396191B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2023-12-12 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
JP2017022365A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2017188654A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2018018846A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2018093010A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社村田製作所 | 巻線型コイル部品及び巻線型コイル部品の製造方法 |
JP2018098336A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02277205A (ja) | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP2003243249A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Nec Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
US7054136B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-05-30 | Avx Corporation | Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor |
JP3904024B1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
JP4354475B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-10-28 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP5289794B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-09-11 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
JP2009137822A (ja) | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | コンポジットセラミック誘電体層、その製造方法およびそれを用いたセラミック電子部品 |
JP2010118499A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2011192968A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
JP2013165180A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Tdk Corp | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
KR101434108B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2014-08-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판과 제조 방법 |
KR101525676B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품, 그 제조방법 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
JP6020502B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2016-11-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP6852326B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP2018073900A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2018
- 2018-11-08 JP JP2018210719A patent/JP6965865B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-08 US US16/678,074 patent/US11158459B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
JP2017022365A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2017188654A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2018018846A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2018093010A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社村田製作所 | 巻線型コイル部品及び巻線型コイル部品の製造方法 |
JP2018098336A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11948744B2 (en) | 2021-12-30 | 2024-04-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200152387A1 (en) | 2020-05-14 |
JP6965865B2 (ja) | 2021-11-10 |
US11158459B2 (en) | 2021-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6965865B2 (ja) | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 | |
TWI450289B (zh) | 電容器及其製造方法 | |
US8484815B2 (en) | Method for manufacturing laminated electronic component | |
US11562860B2 (en) | Multi-layer ceramic electronic component, method of producing the same, and circuit board | |
JP6020503B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
KR101217820B1 (ko) | 플렉시블 적층형 박막 커패시터를 이용한 임베디드 인쇄회로기판 | |
CN109599266B (zh) | 多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 | |
JPS63169014A (ja) | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 | |
JP6809865B2 (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2016009860A (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品、その製造方法及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
JP6020502B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2001210545A (ja) | チップ型電子部品及びチップ型コンデンサ | |
JP2018060875A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
US20170287642A1 (en) | Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same | |
JP7103573B2 (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
JP6373247B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2021015950A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2013073952A (ja) | チップ型電子部品及びチップ型電子部品の実装構造 | |
JP7443636B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
JP2020174110A (ja) | 積層セラミック電子部品及び回路基板 | |
JP2014078674A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2020043272A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及び回路基板 | |
JP2019096862A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
JP4867759B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
CN110660586B (zh) | 多层陶瓷电容器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210921 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6965865 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |