JP2018098336A - 電子部品の製造方法及び電子部品 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 87
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- -1 spinel ferrite Chemical compound 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
- C04B41/4564—Electrolytic or electrophoretic processes, e.g. electrochemical re-alkalisation of reinforced concrete
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
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- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
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Abstract
【課題】セラミック素体の内部電極が引き出された界面におけるめっき液やフラックス成分の浸入を防止でき、かつ任意形状の外部電極を形成可能な、電子部品の製造方法を提案すること。【解決手段】金属酸化物を含有するセラミック材料からなるセラミック素体10であって、内部電極20の一部が引き出し面10a,10bに引き出されたセラミック素体を準備する。次に、セラミック素体の引き出し面に、内部電極と接続されるように下地電極301を、導電ペーストを用いた電極形成法で形成する。次に、セラミック素体の引き出し面に隣接する他の面の一部を局所的に加熱し、金属酸化物の一部を還元させることにより改質部303を形成する。次に、下地電極301及び改質部303にかけて連続的にめっき電極302をめっき法で形成することで、外部電極30、31を形成する。【選択図】 図3
Description
本発明は、電子部品の製造方法及び電子部品、特にセラミック素体に外部電極を形成する方法に関する。
従来から、電子部品の外部電極の形成方法は、セラミック素体の両端面に電極ペーストを塗布し、次に電極ペーストを焼付け又は硬化することで下地電極を形成した後、その下地電極の上にめっき処理によってめっき電極を形成するのが一般的である。
電極ペーストの塗布は、所定の厚みで形成したペースト膜に電子部品の端部を浸漬する方法や、ローラ等による転写を利用した方法が用いられる。これらの技術では、L字形電極をはじめとする異形状の外部電極は形成できないか、又は困難である、という点が課題として挙げられる。
また、このような電極ペーストを用いた電極形成方法に代えて、内部電極の複数の端部をセラミック素体の端面に互いに近接して露出させると共に、アンカータブと呼ばれるダミー端子を内部電極の端部と同じ端面に近接して露出させ、セラミック素体に対して無電解めっきを行うことにより、これら内部電極の端部とアンカータブとを核としてめっき金属を成長させ、外部電極を形成する方法が提案されている(特許文献1)。この方法であれば、比較的容易に異形状の外部電極が形成可能となる。
しかし、この工法では、内部電極の端部とアンカータブとに直接的にめっきを析出させる事で外部電極を形成する為、めっき液がセラミック素体と内部電極の端部との境界、又はセラミック素体とアンカータブとの境界に浸入し、残留する可能性がある。また、実装の際にはんだに含まれているフラックスがセラミック素体と内部電極との界面部分に浸入し、残留する可能性もある。これら、セラミック素体内に残留しためっき液やフラックスが、使用環境下において腐食等の不具合の要因となる可能性がある。
図13は、特許文献1のようにめっき法だけで外部電極を形成する場合のチップ部品の一例の断面を示している。100はセラミック素体、101は内部電極、102は内部電極の引き出し部である。セラミック素体100の焼成時に、セラミック素体100と内部電極101との収縮差により、(a)のように内部電極101が引き出された界面部分において、引き出し部102とセラミック素体100との間に隙間103が発生することがある。この状態でめっきを行うと、(b)のように隙間103にめっき液が浸入し、そのめっき液がめっき電極104によって封止されてしまう。
本発明の目的は、セラミック素体の内部電極が引き出された界面におけるめっき液やフラックス成分の浸入を防止でき、かつ任意形状の外部電極を形成可能な、電子部品の製造方法及び電子部品を提案するものである。
前記目的を達成するため、本発明は、次のような工程をへてセラミック素体に外部電極を形成した電子部品を製造する。まず、図12の工程Aのように、金属酸化物を含有する焼結済みセラミック材料からなるセラミック素体を準備する。ここで、セラミック素体は内部電極を有し、この内部電極の一部が引き出し面に引き出されている。次に、工程Bとして、セラミック素体の前記引き出し面に、前記内部電極と接続されるように下地電極を形成する。この下地電極は、導電ペーストを用いた電極形成法又は乾式めっき法で形成される。次に、工程Cとして、セラミック素体の前記引き出し面に隣接する他の面の一部を局所的に加熱し、前記金属酸化物の一部を還元させることにより改質部を形成する。次に、工程Dとして、前記下地電極及び前記改質部上にめっき電極を湿式めっき法で形成し、その結果、外部電極が形成される。
本発明は、複数種類の手法を組み合わせることにより、外部電極を形成する方法を提案している。すなわち、まず湿式めっき法以外の方法を用いてセラミック素体の内部電極の引き出し面に下地電極を形成する。具体的には、導電ペーストを用いた電極形成法又は乾式めっき法で下地電極を形成する。これにより、下地電極と内部電極の引き出し部とが電気的に接続される。下地電極の形成の際、めっき液を使用しないので、セラミック素体の内部電極が引き出された界面に隙間があっても、その隙間は下地電極で閉じられる。なお、下地電極は引き出し面だけに形成される必要はなく、引き出し面に隣接する他の面の一部にまで拡張されてもよい。下地電極は引き出し面の全面に形成される必要はなく、少なくとも内部電極が引き出されている部分に形成すればよい。
次に、セラミック素体の引き出し面に隣接する他の面の一部を局所的に加熱し、セラミック素体に含まれる金属酸化物の一部を還元させることにより改質部を形成する。この改質部は、セラミック素体の他の部分に比べて抵抗値が低い部分のことである。なお、下地電極と改質部との形成順序は、いずれが先であってもよい。
下地電極及び改質部を形成した後、下地電極及び改質部上に湿式めっき法によりめっき電極を形成する。改質部は抵抗値がセラミック素体の非改質部に比べて低い部分であるから、めっき金属の析出起点とすることができる。下地電極は当然ながら導電性を有するので、めっき金属を容易に析出させることができる。セラミック素体の内部電極が引き出された界面に隙間が発生しても、その隙間は下地電極によって既に閉じられているので、めっき処理においてめっき液が隙間に浸入するのを防止できる。めっき処理により、下地電極及び改質部上にめっき電極が形成され、その結果として外部電極が形成される。なお、下地電極と改質部とが多少離間していても、双方に析出しためっき金属を核としてめっき金属が急速に成長するので、連続しためっき電極を形成することが可能である。なお、下地電極及び改質部が離れて形成されている場合には、それぞれの上にめっき電極を独立して形成してもよい。めっき電極の形成は複数回実施してもよい。つまり、めっき電極は多層構造でもよい。湿式めっき法は、周知の通り、低コストで量産性に優れかつ均質な電極を形成できる利点がある。
導電ペーストを用いた下地電極の形成法には、セラミック素体の引き出し面にガラスと金属粉を含有した導電ペーストを塗布し、熱処理により金属粉を焼結させて下地電極を形成する方法や、セラミック素体の引き出し面に熱硬化性樹脂及び金属粉を含有する導電ペーストを塗布し、熱硬化性樹脂を熱処理により硬化させて下地電極を形成する方法などがある。後者の方法は、前者に比べて比較的低温で下地電極を形成することができる。本明細書において、導電ペーストと電極ペーストは同じ意味で使用される。乾式めっき法としては、例えば蒸着法、スパッタリング法などがある。いずれの方法もめっき液を使用しない電極形成方法であり、セラミック素体と内部電極の引き出し部との界面に発生する隙間へのめっき液の浸入を防止できる。
改質部を形成するための局所的な加熱方法としては、例えばレーザ照射、電子ビーム照射、又はイメージ炉を使用した局所加熱など、種々の方法がある。このうち、レーザ照射は、装置を比較的小型に構成できる点、レーザのセラミック素体に対する照射位置を素早く変えられる点で有利である。局所加熱はセラミック素体の表層部だけを改質させるので、電子部品(例えばインダクタ)としての電気的特性に実質的に影響を及ぼすことはない。
レーザを照射して改質できる代表的なセラミック材料としては、フェライトがある。フェライトは酸化鉄を主成分とするセラミックスであり、例えばスピネルフェライト、六方晶フェライト、ガーネットフェライトなどがある。フェライトにレーザを照射すると、照射部分が溶融・凝固し、フェライトの表層部分が変質して導電性を持つ。インダクタに用いられるフェライトには、例えばNi−Zn系フェライト、Mn−Zn系フェライト、Ni−Cu−Zn系フェライトなどがあり、いずれのフェライトでもレーザ照射により改質部を形成できる。レーザにはYAGレーザ、YVO4レーザなど公知のレーザを使用できる。
改質部を、セラミック素体の引き出し面に隣接する他の面であって、かつ引き出し面と近接した位置に形成するのが望ましい。下地電極と改質部とが離れている場合であっても、湿式めっき時において、下地電極と改質部とに析出しためっき金属が両者間に成長するので、連続しためっき電極を形成できる。下地電極と改質部が近接または接触している場合には、より短時間で連続しためっき電極を形成することができる。
下地電極を形成する工程Bの後に、改質部を形成する工程Cを実行するのが好ましい。改質部を下地電極より先に形成した場合には、下地電極の形成時の熱処理により改質部が酸化し、不導体化する可能性がある。そのため、改質部を下地電極より後で形成することにより、改質部の酸化を抑制でき、その上に良好なめっき電極を形成できる。なお、下地電極での熱処理が改質部の酸化に影響を及ぼさない場合には、改質部を下地電極より先に形成してもよい。
湿式めっき法としては、電解めっきでも無電解めっきでも可能であるが、電解めっき法の場合には、膜厚のコントロールが容易であるため好適である。本発明方法によって形成された下地電極及び改質部は共に導電性を持つので、下地電極及び改質部に速やかにめっき金属が析出する。従来のめっき法では、セラミック素体の一部にめっきを施したくない場合に、その部分に予めめっき防止材をコーティングしたり、切削等により除去する必要があった。本発明では、下地電極を形成しにくい箇所に改質部を局所的に形成できるので、めっき防止材などのコーティング工程を省略できる。改質部をレーザ照射により形成した場合には、改質部の表面が凹凸状になるので、アンカー効果によりめっき電極の固着強度が高くなるという利点がある。
本発明のさらなる実施形態は、金属酸化物を含有するセラミック材料からなるセラミック素体であって、内部電極を有し、前記内部電極の一部が引き出された引き出し面を有する、セラミック素体と、前記セラミック素体の前記引き出し面に、前記内部電極と接続されるように形成された下地電極であって、導電ペーストから形成された電極である、下地電極と、前記セラミック素体の前記引き出し面に隣接する他の面に形成され、前記金属酸化物の還元された金属元素を含む改質部と、前記下地電極及び前記改質部上に形成されためっき電極と、を有する電子部品を提供することである。導電ペーストから形成された電極とは、金属とガラス、又は金属と樹脂とを含む、メタルコンポジット電極と呼ぶこともできる。また、めっき電極は金属薄膜電極と呼ぶこともできる。この場合には、内部電極の引き出し界面へのめっき液やフラックスの浸入を防止できるので、耐久性が向上した電子部品を得ることができる。
本発明方法の特徴の1つは、異形状の外部電極を容易に形成できる点である。例えば、直方体形状のセラミック素体の長手方向両端面に下地電極を形成し、これら両端面に隣接する1つの面(例えば底面)にだけ(例えば2箇所の)改質部を形成した場合には、一対のL字形外部電極を形成することが可能になる。つまり、両端面と底面とにだけ外部電極を形成し、上面や幅方向両側面には電極を形成しないようにすることもできる。L字形の外部電極を形成する利点は、実装のために必要な箇所にだけ外部電極が形成されるので、内部電極と外部電極との間の寄生容量を低減でき、電子部品の電気的特性を向上させ得る点である。さらに、回路基板などにこの電子部品を高密度で実装した場合、隣接する電子部品との絶縁距離を確保しやすいこと、さらには複数の回路基板を厚み方向に平行に配置した場合に、電子部品とその上側に配置される回路基板の導電部との絶縁距離を確保しやすいこと、等の利点がある。さらに、両端面に導電ペーストによる下地電極を形成し、底面に改質部を形成し、下地電極と改質部とを覆うめっき電極を形成した場合には、両端面に形成される外部電極の厚みに比べて底面に形成される外部電極の厚みを薄くできるので、電子部品の低背化を達成できる。
以上のように、本発明によれば、セラミック素体の引き出し面に下地電極を形成した上で湿式めっきを行うので、めっき液が内部電極とセラミック素体との界面に浸透するのを抑制できる。また、セラミック素体の引き出し面と隣接する面に改質部を形成し、下地電極及び改質部上にめっき電極を形成するので、必要な部分だけに外部電極を形成できる。したがって、任意の形状の外部電極を容易に形成できる。
図1は本発明に係る電子部品の一例であるチップ型インダクタ1を示す。図1は、インダクタ1の底面が上向きとなるように表されている。インダクタ1はセラミック素体10を備えており、セラミック素体10の長さ方向両端部には外部電極30,31がそれぞれ形成されている。この実施例のインダクタ1の形状は、図1に示すようにY軸及びZ軸方向の寸法に比べてX軸方向の寸法が長い直方体である。なお、この明細書で「直方体」とは、コーナ部がエッジ状であるものに限らず、面取りやR面が形成されたものでもよい。
セラミック素体10は、図2に示すように、例えばNi−Zn系フェライト、Mn−Zn系フェライト又はNi−Cu−Zn系フェライトを主体とする絶縁体層12a〜12eを積層し、焼結することによって得られる。絶縁体層12a〜12eは、上下方向(Z軸方向)に順に積層されている。上下両端の絶縁体層12a、12eを除く中間の絶縁体層12b〜12d上には、内部電極20を構成するコイル導体21〜23がそれぞれ形成されている。これら3つのコイル導体21〜23はビア導体24、25によって相互に接続され、全体としてらせん状に形成されている。コイル導体21〜23及びビア導体24、25は、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等の導電性材料で形成されている。コイル導体21の一端部(引出部)21aがセラミック素体10のX軸方向の一端面10bに露出しており、コイル導体23の一端部(引出部)23aがセラミック素体10のX軸方向の他端面10aに露出している。内部電極20の両端部21a,23aが露出しているセラミック素体10の端面10a,10bが引き出し面である。なお、この実施例ではコイル導体21〜23が2ターン分のコイルを形成している例を示したが、ターン数は任意であり、コイル導体の形状及び絶縁体層の層数も任意に選択できる。また、コイル導体を有しない絶縁体層12a、12eの層数も任意である。
外部電極30、31は、図3に示すように、セラミック素体10をY方向から見たとき、外部電極30、31はそれぞれL字形に形成されている。すなわち、外部電極30はセラミック素体10のX軸方向の一端面10aと底面(実装面)10cの一部とを覆うようにL字形に形成され、外部電極31はセラミック素体10のX軸方向の他端面10bと底面10cの一部とを覆うようにL字形に形成されている。図3に示すように、外部電極30はコイル導体23の引出部23aと接続されており、外部電極31はコイル導体21の引出部21aと接続されている。外部電極30,31は、2種類の電極で構成されている。すなわち、セラミック素体10の両端面10a,10bには、まず下地電極301が形成され、その上にめっき電極302が形成されて、2層構造となっている。また、セラミック素体10の底面(実装面)10cの両端部には、セラミック素体10が変質した改質部(又は低抵抗部)303が形成されており、その改質部上にもめっき電極302が形成されている。なお、図3では、セラミック素体10の一端部についての下地電極301、めっき電極302、改質部303のみ図示されており、他端部の下地電極301、めっき電極302、改質部303は省略されている。図3では、改質部303が凹凸状に形成されているため、その上のめっき電極302の表面も凹凸状となっている。下地電極301上のめっき電極302と、改質部303上のめっき電極302とは、湿式めっき法により同時に形成されたものである。下地電極301及びめっき電極302の材料は、例えばCu,Au,Ag,Pd,Ni,Sn等が使用され、両者が同じ金属材料でも、また異なる金属材料でもよい。なお、めっき電極302は、1層に限らず、多層のめっき層で構成されていてもよい。最外層のめっき電極は、はんだ濡れ性のよい材料が望ましい。
下地電極301の形成方法は、公知の導電ペーストを用いた方法と同様である。すなわち、所定の厚みで形成した導電ペースト膜にセラミック素体10の端部を浸漬する方法や、ローラ等による転写を利用した方法などがある。なお、導電ペーストの膜厚及びセラミック素体10の浸漬深さを設定することにより、導電ペーストをセラミック素体10の端面のみに塗布するか、それとも端面に隣接する面にまで回り込むように塗布するかを調節できる。さらに、導電ペーストの塗布領域はセラミック素体10の端面10a,10bの全面である必要はなく、少なくとも内部電極20の引出部23a,21aが露出した部分に塗布されておればよい。導電ペーストを塗布した後、セラミック素体を所定の温度で熱処理することにより、下地電極301を形成する。熱処理には2つの方法があり、焼付けタイプの導電ペーストを使用した場合には、導電ペーストに含まれたガラス及び金属粉が焼結するまで熱処理する。熱硬化タイプの導電ペーストを使用した場合には、熱処理により導電ペーストに含まれる熱硬化性樹脂を硬化させる。焼付けタイプの導電ペーストは、熱硬化タイプの導電ペーストに比べて熱処理温度が高い。
このように導電ペーストを用いて下地電極301を形成した場合には、下地電極301は内部電極20の引出部23a,21aが露出したセラミック素体10の端面10a,10bに形成され、引出部23a,21aと電気的に接続される。図4の(a)に示すように、セラミック素体10の焼成時に、セラミック素体10と内部電極20との収縮差により、内部電極20が引き出されたセラミック素体10の端面に隙間δが発生することがある。しかし、(b)に示すように、導電ペーストの塗布時に、導電ペースト301aがその隙間δを閉じることができる。したがって、(c)のように、その後で実施する湿式めっきにおいて、めっき液が隙間δに浸入するのを防止できる。下地電極301上にはめっき電極302が形成される。
図5はセラミック素体10の底面10cの長さ方向両端部(電極形成領域S1)に、レーザLを使用して改質部303を形成する方法を示す。ここでは、下地電極301を形成した後のセラミック素体10に対してレーザLを照射する例を示すが、下地電極301を形成する前のセラミック素体10に対してレーザLを照射してもよい。レーザLの照射方法には複数の方法があり、ここではレーザLを連続照射しながらY軸方向に沿って走査した例(又はセラミック素体10をY軸方向に移動させた例)を示している。レーザの走査方向は任意であり、X軸方向であってもよいし、ジグザグ状や周回状であってもよい。レーザLの照射によって、セラミック素体10の表面には多数の線状のレーザ照射痕304が形成され、その照射痕304の底部に改質部303が形成される。なお、図5では、線状のレーザ照射痕304をX軸方向に間隔を開けて形成した例を示したが、レーザ照射痕304同士が互いに重なるように密に形成してもよい。また、レーザLを連続照射する方法以外に、断続的に照射してもよい。いずれの場合でも、電極形成領域S1,S2の全域にわたって均等にレーザLを照射するのが望ましい。
図6は、改質部303及びめっき電極302の形成過程の一例を示す。図6の(A)は、下地電極301と近接したセラミック素体10の底面10aにレーザLを照射し、それによりセラミック素体10の表面に断面V字状又はU字状のレーザ照射痕304を形成した状態を示す。なお、図6の(A)ではレーザLが1点に集光した例を示したが、実際にはレーザLを照射するスポットがある程度の面積を持っていてもよい。このレーザ照射痕304は、レーザ照射によってセラミック素体10の表層部が溶融・凝固した痕である。スポットの中心部が最もエネルギーが高いので、その部分のセラミック素材が変質しやすく、レーザ照射痕304の断面は略V字状又は略U字状となる。レーザ照射痕304の内壁面を含む周囲には、セラミック素体を構成する金属酸化物(ここではフェライト)が変質/還元し、その金属酸化物よりも抵抗値の低い改質部303が形成される。フェライト材料の抵抗値が低下する要因の1つとして、フェライトに含まれるFe2O3が、より抵抗値の低いFe3O4に変化するという還元反応がある。また、Ni−Zn系フェライトの場合には、Feの一部が還元すると共に、Ni及び/又はZnも還元している可能性がある。Ni−Cu−Zn系フェライトの場合には、Fe及び/又はCuが還元すると共に、Ni及び/又はZnも還元している可能性がある。改質部303の深さや広さは、レーザの照射エネルギーや照射範囲などによって可変できる。
図6の(B)は、レーザLをx方向に間隔Dをあけて照射し、電極形成領域S1に複数のレーザ照射痕304を密に照射した場合を示す。「密に照射する」とは、レーザ照射のスポット中心の間隔Dが改質部303の広がり幅(例えば直径の平均値)Wと同等またはそれより狭いことを指し、隣接するレーザ照射痕304の下側に形成される改質部303同士が相互につながっている状態を指す。ただし、全ての改質部303がつながっている必要はない。そのため、セラミック素体10の電極形成領域S1のほぼ全域が改質部303で覆われている。
図6の(C)は、上記のように下地電極301と改質部とを形成したセラミック素体10に対し、めっき処理を行った状態を示す。導電性を有する下地電極301及び改質部303における電流密度が他の部分より高くなるので、下地電極301及び改質部303の表面にめっき金属が速やかに析出し、やがて両者間に連続しためっき電極302が形成される。すなわち、下地電極301と改質部303上に析出しためっき金属が核となって周囲へと成長し、下地電極301と改質部303との間に絶縁領域が存在しても、短時間で連続しためっき電極302が形成される。このようにして、L字形の外部電極30が形成される。
めっき処理時間、電圧または電流を制御することによって、めっき電極の形成時間や厚さをコントロールすることが可能である。さらに、1回目のめっき処理により形成しためっき電極302の上に追加のめっき処理を行うことにより、多層構造のめっき電極を形成することもできる。この場合には、すでに下地となるめっき電極が形成されているので、追加のめっき処理時間は短くて済む。
図6では、レーザを密に照射(D≦W)した例を示したが、改質部303の広がり幅Wより広い間隔D(D>W)で照射することもできる。この場合には、各レーザ照射痕304の間には改質部以外の絶縁領域、つまりセラミック素体を構成する元の金属酸化物が変質していない領域が露出することになるが、後に実施するめっき処理工程において、めっき電極が改質部303間に成長するので、絶縁領域上にも連続的なめっき電極を簡単に形成できる。
図7は、このように形成される改質部303の断面構造の一例を示す。下層には還元層303aが形成され、その表層が半導体及び/又は絶縁体の成分からなる再酸化層303bで覆われている。これら還元層と再酸化層とによって改質部303が構成されている。なお、レーザ照射は大気雰囲気に限らず、真空中やN2雰囲気でレーザ照射を行ってもよいが、真空中やN2雰囲気でレーザ照射を行った場合には、再酸化層が形成されない可能性がある。
上述の再酸化層が形成された場合には、以下のような効果が考えられる。すなわち、再酸化層として形成されているFe3O4は常温での再酸化が進みにくい性質があり、下層にある還元層の酸化を抑制すると共に、再酸化層自体の経時変化を抑制できる効果もある。また、再酸化層は一種の半導体であり、絶縁体であるフェライトよりも抵抗値は低く、しかも厚みが薄い。そのため、再酸化層が形成されても、めっき金属の析出性に影響を及ぼさない。
上述の説明では、下地電極を形成した後に改質部を形成したが、その形成順序を逆にすることも可能である。すなわち、改質部を形成した後に下地電極を形成することもできる。ただし、下地電極として焼付けタイプの導電ペーストを使用した場合には、下地電極を形成した後に改質部を形成するのが望ましい。その理由は、下地電極より先に改質部を形成した場合、下地電極の形成時の熱処理により改質部が酸化し、不導体化する可能性があるからである。不導体化により、後で実施されるめっき処理時にめっき電極の析出が阻害される可能性がある。したがって、焼付けタイプの導電ペーストを使用した場合には、下地電極より後で改質部を形成することにより、改質部の酸化を抑制できる。
図8は、改質部の導電性と、熱処理温度との関係を示している。すなわち、フェライト材料を対象として、レーザ照射前と照射後のフェライトの抵抗値の変化と、改質部の形成後に再昇温させた場合の抵抗値を測定した結果を示す。図8における表面抵抗は、材料の表面にプローブを一定間隔で接触させ、その間の抵抗値を測定したものである。図8から明らかなように、3種類のレーザのいずれを照射した場合も、フェライト材料の抵抗値が約10-8分低下しており、改質部が正に形成されたことがわかる。一方、300℃までの再昇温では、改質部の抵抗値は殆ど上昇しないが、600℃以上に再昇温させることで、改質部が再酸化の挙動を生じ、抵抗値が有意に上昇する傾向を確認できる。一般に、下地電極として熱硬化タイプの導電ペーストを使用した場合には、熱硬化温度は200℃程度であるから、改質部の抵抗値は殆ど上昇しないと考えられるが、焼付けタイプの熱処理温度は600℃以上になる場合があるので、改質部の再酸化を抑制できなくなる。以上のことから、改質部を形成した後に下地電極を形成するフローとした場合、下地電極の焼付温度や硬化温度が一定水準(例えば600℃)以上である場合、改質部の抵抗値が上昇し、後のめっき工程においてめっきの析出に至らない可能性がある。よって、下地電極を形成した後に、改質部を形成するというフローが望ましい。なお、この再昇温の過程をN2雰囲気中で行った場合には、大気中で行った場合に比べて再酸化の反応が抑制されるために、抵抗値の上昇量は抑制される。
−実験例−
以下に、改質部及びめっき電極の形成を行った実験例について説明する。
(1)Ni−Cu−Zn系フェライトからなる焼結済みセラミック素体に、レーザを往復走査しながら照射した。加工条件は以下の通りであるが、波長は例えば532nm〜10620nmのいずれの範囲でもよい。照射間隔とは、レーザを往復走査する場合の往路と復路のスポット中心の距離を意味する。
以下に、改質部及びめっき電極の形成を行った実験例について説明する。
(1)Ni−Cu−Zn系フェライトからなる焼結済みセラミック素体に、レーザを往復走査しながら照射した。加工条件は以下の通りであるが、波長は例えば532nm〜10620nmのいずれの範囲でもよい。照射間隔とは、レーザを往復走査する場合の往路と復路のスポット中心の距離を意味する。
(2)レーザ照射後のセラミック素体に対し、電解めっきを以下の条件で行った。具体的には、バレルめっきを使用した。
−評価−
Ni−Cu−Zn系フェライトにレーザを照射した試料と、レーザ未照射の試料とに対して、XPS(X線光電子分光法)および転換電子収量法を用いたFe,Cu,Znの、K端XAFS(X線吸収微細構造)により、試料表面におけるFe,Cu,Znの価数を評価した。XPSの結果、レーザを照射した試料の表層部分では金属成分が検出できず、下層になると金属成分が検出できた。また、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Cuの金属成分を検出できた。一方、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Feの金属成分を検出することはできなかったが、Feの半導体の成分及び絶縁体の成分を検出することができた。下層は、Fe3+に対するFe2+の割合がセラミックス素体全体での割合に対して大きいこともわかった。以上より、レーザ加工による熱でフェライトに含まれる金属酸化物が分解され、セラミックス素体の下層はフェライトの金属元素に還元し、セラミックス素体の表層部分は残熱により再酸化に至ったと推測される。
Ni−Cu−Zn系フェライトにレーザを照射した試料と、レーザ未照射の試料とに対して、XPS(X線光電子分光法)および転換電子収量法を用いたFe,Cu,Znの、K端XAFS(X線吸収微細構造)により、試料表面におけるFe,Cu,Znの価数を評価した。XPSの結果、レーザを照射した試料の表層部分では金属成分が検出できず、下層になると金属成分が検出できた。また、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Cuの金属成分を検出できた。一方、XAFSの結果、レーザを照射した試料の表層部分について、Feの金属成分を検出することはできなかったが、Feの半導体の成分及び絶縁体の成分を検出することができた。下層は、Fe3+に対するFe2+の割合がセラミックス素体全体での割合に対して大きいこともわかった。以上より、レーザ加工による熱でフェライトに含まれる金属酸化物が分解され、セラミックス素体の下層はフェライトの金属元素に還元し、セラミックス素体の表層部分は残熱により再酸化に至ったと推測される。
図1に示すようにL字形の外部電極30、31を形成した電子部品1の場合、上述のような電気的特性の違いの他に、以下のような違いも発生する。すなわち、外部電極が電子部品1の上面に形成されていないので、実装状態において電子部品1の上方に近接して別の電子部品又は導体が存在する場合でも、ショートの発生リスクを低減できる。さらに、外部電極がY方向の両側面にも形成されていないので、電子部品1のY方向に隣接して別の電子部品3が実装されている場合でも、隣接する電子部品との絶縁距離を確保できると共に、外部電極に塗布されるはんだ同士の距離も確保できる。そのため、隣接する電子部品とのショートのリスクを低減できる。その結果、L字形外部電極を有する電子部品1の場合には、さらなる高密度実装が可能になる。
図9は、本発明を用いて形成されるL字形外部電極の構造の例を示す。(a)は、セラミック素体10のコーナ部にR面R1、R2が形成されている場合に、下地電極301の縁部をR面R1まで広がるように形成し、下地電極301と接触するようにセラミック素体10の底面10cの両端部に改質部303を形成したものである。下地電極301と改質部303上にめっき電極302が連続的に形成され、L字形の外部電極30、31が形成されている。このように、両端面10a,10bと隣接する他の面(底面10cを含む)との境界部にR面が形成されている場合には、両端面10a、10bに下地電極301を形成した際に下地電極301の一部を他の面にまで所定の膜厚を維持しながら回り込ませることができるので、改質部303を下地電極301と接触/近接状態で簡単に形成できる。
図9の(b)は、下地電極301の上面側縁部をセラミック素体10のR面R1まで広がらないように形成し、底面側縁部をセラミック素体10のR面R2まで広がるように形成したものである。この場合も、下地電極301と接触するように、改質部303をセラミック素体10の底面10cに形成できる。
図9の(c)は、下地電極301をセラミック素体10の端面10a、10bにのみ形成している。つまり、下地電極301の縁部をセラミック素体10のR面R1、R2まで広がらないように形成している。改質部303をセラミック素体10の底面側のR面R2まで広がるように、つまり下地電極301と接触するように形成してある。その結果、下地電極301と改質部303上にめっき電極302が連続的に形成される。
図10は、本発明を用いて外部電極を形成した電子部品の他の例を示す。図10の(a)は、セラミック素体10の底面10c(図10では上下逆転して示してある)のx方向両端部とx方向両端面10a、10bとに外部電極30、31が形成された電子部品を示している。他の面には外部電極が形成されていない。この場合は、内部電極の端部21a,23aがセラミック素体10の両端面10a、10bには露出しておらず、底面10cにのみ露出している。セラミック素体10の底面10cには、下地電極301が内部電極の端部23a,21aと接続されるように形成されている。セラミック素体10の両端面10a、10bには、改質部303が形成され、下地電極301と改質部303上には連続的にめっき電極(図示せず)が形成され、外部電極30、31が形成されている。この実施形態では、改質部303が端面10a、10bの底面側にのみ形成されているが、改質部303を端面10a、10bの全面に形成してもよい。
図10の(b)は、多端子型の電子部品を示している。この例では、内部電極の引き出し部21a,23aがセラミック素体10の両端面10a、10bには露出しておらず、y方向両側面10d,10eに露出している。両側面10d,10eには下地電極301が形成され、下地電極301と内部電極の引き出し部21a,23aとが接続されている。セラミック素体10の底面10c(図10では上側の面)の4箇所には、それぞれ改質部303が形成されている。下地電極301と改質部303上には連続的にめっき電極(図示せず)が形成され、それにより4個の外部電極30〜33が形成されている。x方向両端面10a,10bと上面(図10では下側の面)には外部電極が形成されていない。
図11は、2端子型のチップ部品に本発明を適用した他の例を示す。(a)はセラミック素体10の両端面に下地電極301を形成し、底面10cの両端部にそれぞれ2箇所の改質部303を形成したものである。なお、下地電極301と改質部303上に形成されるめっき電極は省略されている。この場合には、回路基板へのはんだ付け時に、底面側の電極がそれぞれ2箇所に別れているので、実装安定性が増すという利点がある。
図11の(b)は底面に形成された改質部303がそれぞれ2箇所に別れている点である(a)と同様であるが、両端面に形成された下地電極301が底部側の一部だけに形成されている点で相違する。
図11の(c)は、下地電極301が両端面10a,10bの全面ではなく、中央部だけに縦方向に伸びる幅狭な帯状に形成されている。底面10c側の改質部303は幅方向に連続した帯状に形成されている。
図11の(d)は、下地電極301が両端面10a、10bに形成され、改質部303が底面10cの両端側に形成されている点で図1と同様であるが、改質部303の一部が前後の両側面10d,10eにも伸びている点で相違する。
上記実施形態では、本発明をチップ型インダクタの外部電極の形成に適用した例を示したが、これに限るものではない。本発明が対象とする電子部品としては、インダクタに限らず、レーザ照射によって変質し、めっき電極の析出起点となる改質部が形成されるセラミック素体を使用した電子部品であれば、適用可能である。すなわち、セラミック素体の材質はフェライトに限定されない。湿式めっきの方法として、電解めっきを用いた例を示したが、無電解めっきを用いてもよい。
前記実施例では、局所的な加熱方法としてレーザ照射を使用したが、電子ビームの照射、イメージ炉を使用した加熱なども適用可能である。いずれの場合も、熱源のエネルギーを集光して、セラミック素体を局所加熱することができるため、他の領域の電気的特性を損なうことがない。
本発明において、局所加熱のためにレーザを使用した場合、1本のレーザを分光して、複数箇所に同時にレーザを照射してもよい。さらに、レーザの焦点をずらして、レーザの焦点が合っている場合に比べて、レーザの照射範囲を広げてもよい。
本発明は、めっき金属が複数層で形成される場合に、めっき金属の最下層を下地電極及び改質部の全域に広がるように成長させる場合に限らない。めっき金属の最下層を下地電極及び改質部の一部に広がるように成長させ、めっき金属の上層を下地電極及び改質部の全域に広がるように成長させてもよい。
1 電子部品
10 セラミック素体
10a、10b 両端面
10c 底面
20 内部電極
21a、23a 一端部(引出部)
30、31 外部電極
301 下地電極
302 めっき電極
303 改質部
L レーザ
10 セラミック素体
10a、10b 両端面
10c 底面
20 内部電極
21a、23a 一端部(引出部)
30、31 外部電極
301 下地電極
302 めっき電極
303 改質部
L レーザ
Claims (12)
- セラミック素体に外部電極を形成する電子部品の製造方法であって、
金属酸化物を含有する焼結済みセラミック材料からなるセラミック素体であって、内部電極を有し、前記内部電極の一部が引き出し面に引き出された、セラミック素体を準備する工程A、
前記セラミック素体の前記引き出し面に、前記内部電極と接続されるように下地電極を、導電ペーストを用いた電極形成法又は乾式めっき法で形成する工程B、
前記セラミック素体の前記引き出し面に隣接する他の面の一部を局所的に加熱し、前記金属酸化物の一部を還元させることにより改質部を形成する工程C、
前記下地電極及び前記改質部上にめっき電極を湿式めっき法で形成する工程D、
を含む電子部品の製造方法。 - 前記工程Dにおいて、前記下地電極及び前記改質部にかけて連続的に前記めっき電極を形成する、請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記セラミック材料はフェライトである、請求項1又は2に記載の電子部品の製造方法。
- 前記導電ペーストを用いた電極形成法は、前記セラミック素体の引き出し面に金属粉及びガラスを含有した導電ペーストを塗布し、熱処理により前記金属粉及びガラスを焼結させて、下地電極を形成する方法である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記導電ペーストを用いた電極形成法は、前記セラミック素体の引き出し面に熱硬化性樹脂及び金属粉を含有する導電ペーストを塗布し、前記熱硬化性樹脂を熱処理により硬化させて、下地電極を形成する方法である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記改質部を、記セラミック素体の前記引き出し面に隣接する他の面であって、かつ前記引き出し面と近接した位置に形成する、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記下地電極を形成する工程Bの後に、前記改質部を形成する工程Cを実行する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記局所的に加熱する方法は、レーザ照射、電子ビーム照射、又はイメージ炉による局所加熱のいずれかである、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記湿式めっき法は電解めっき法である、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記湿式めっき法は無電解めっき法である、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 金属酸化物を含有するセラミック材料からなるセラミック素体であって、内部電極を有し、前記内部電極の一部が引き出された引き出し面を有する、セラミック素体と、
前記セラミック素体の前記引き出し面に、前記内部電極と接続されるように形成された下地電極であって、導電ペーストから形成された電極である、下地電極と、
前記セラミック素体の前記引き出し面に隣接する他の面に形成され、前記金属酸化物の還元された金属元素を含む改質部と、
前記下地電極及び前記改質部上に形成されためっき電極と、
を有する電子部品。 - 前記セラミック素体は直方体形状であり、前記引き出し面は前記セラミック素体の長手方向両端面であり、前記改質部を形成する面は前記セラミック素体の底面であり、前記改質部は前記底面の長手方向両端部に形成される、請求項11に記載の電子部品。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241005A JP6747273B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
PCT/JP2017/043633 WO2018110368A1 (ja) | 2016-12-13 | 2017-12-05 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
CN201780062718.5A CN109844878B (zh) | 2016-12-13 | 2017-12-05 | 电子部件的制造方法和电子部件 |
US16/374,649 US11605493B2 (en) | 2016-12-13 | 2019-04-03 | Method of manufacturing electronic component and electronic component |
US18/170,419 US20230197331A1 (en) | 2016-12-13 | 2023-02-16 | Method of manufacturing electronic component and electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241005A JP6747273B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098336A true JP2018098336A (ja) | 2018-06-21 |
JP6747273B2 JP6747273B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=62559690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016241005A Active JP6747273B2 (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11605493B2 (ja) |
JP (1) | JP6747273B2 (ja) |
CN (1) | CN109844878B (ja) |
WO (1) | WO2018110368A1 (ja) |
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JP7286936B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2023-06-06 | Tdk株式会社 | コイル装置、パルストランスおよび電子部品 |
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- 2017-12-05 CN CN201780062718.5A patent/CN109844878B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
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CN109844878B (zh) | 2021-07-20 |
US20190228899A1 (en) | 2019-07-25 |
CN109844878A (zh) | 2019-06-04 |
US20230197331A1 (en) | 2023-06-22 |
JP6747273B2 (ja) | 2020-08-26 |
WO2018110368A1 (ja) | 2018-06-21 |
US11605493B2 (en) | 2023-03-14 |
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