JP5287211B2 - セラミック電子部品の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
なお、この発明に従ったセラミック電子部品の製造方法では、めっき層からなる外部導体層をセラミック素体の一部の表面上に形成するために、セラミック素体をめっき液に浸漬する必要がないので、めっき液がセラミック素体に浸入することによる信頼性の低下を防止することができる。
この発明に従ったセラミック電子部品の製造方法では、上記の作用効果に加えて、以下の作用効果を得ることができる。
Claims (12)
- セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステップと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステップと、
を備えたセラミック電子部品の製造方法。 - 前記型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップは、電解めっきによって行われ、前記型部材において、めっき層が形成される部分は導体からなり、めっき層が形成されない部分は絶縁体からなる、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップは、無電解めっきによって行われ、前記型部材において、めっき層が形成される部分は、無電解めっき浴に含まれる還元剤に対して触媒活性を有する材料からなり、めっき層が形成されない部分は、無電解めっき浴に含まれる還元剤に対して触媒活性を有しない材料からなる、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体の熱処理は、前記めっき層に含まれる金属と、前記セラミック素体に含まれる酸素とが反応して生成物を生じさせる温度以上で行われる、請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体は、積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部導体層とを含み、
前記内部導体層の一部の表面が前記セラミック素体の外表面に露出しており、
前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップにおいて、前記外部導体層が前記内部導体層に電気的に接続されるように形成される、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一部の表面を接触させるステップと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステップと、
が連続して行われる、セラミック電子部品の製造方法。 - 型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップでは、第1の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成し、第2の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成し、
前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステップでは、前記第1の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側の部分を嵌め入れることにより、前記第1の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一方側の部分の表面を接触させ、前記第2の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側と反対側の他方側の部分を嵌め入れることにより、前記第2の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の他方側の部分の表面を接触させる、請求項6に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記めっき層の主成分が、ニッケルまたは銅である、請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造装置であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一部の表面を接触させるステーションと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステーションと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステーションと、
が連続して配置されている、セラミック電子部品の製造装置。 - 型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションは、
第1の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションと、
第2の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションとを含み、
前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステーションは、
前記第1の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側の部分を嵌め入れることにより、前記第1の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一方側の部分の表面を接触させるステーションと、
前記第2の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側と反対側の他方側の部分を嵌め入れることにより、前記第2の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の他方側の部分の表面を接触させるステーションとを含む、請求項9に記載のセラミック電子部品の製造装置。 - 複数のセラミック素体の各々の一部の表面にめっき層が形成された複数のセラミック電子部品であって、
上下面と、この上下面を接続する左右側面とを有する複数のセラミック素体と、
前記複数のセラミック素体の各々の上面の一方端部から、左側面または右側面の少なくともいずれか一方を経て、下面の一方端部まで延びるように各々のめっき層が形成された複数のめっき層とを備え、
前記複数のセラミック素体の各々の上面または下面のいずれかの一方端部に形成された前記複数のめっき層の長さの平均値に対する標準偏差の割合が3%以下であることを特徴とする、請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法によって製造された複数のセラミック電子部品。 - 前記複数のめっき層の厚みの平均値に対する標準偏差の割合が5%以下であることを特徴とする、請求項11に記載の複数のセラミック電子部品。
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