JP2010147167A - セラミック電子部品の製造方法および製造装置 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010147167A JP2010147167A JP2008321145A JP2008321145A JP2010147167A JP 2010147167 A JP2010147167 A JP 2010147167A JP 2008321145 A JP2008321145 A JP 2008321145A JP 2008321145 A JP2008321145 A JP 2008321145A JP 2010147167 A JP2010147167 A JP 2010147167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- ceramic body
- plating layer
- mold member
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 300
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 96
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 191
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003385 sodium Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
- C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1657—Electroless forming, i.e. substrate removed or destroyed at the end of the process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
- H01G13/006—Apparatus or processes for applying terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【解決手段】積層セラミックコンデンサの製造方法は、型部材100に予め形成されためっき層120にセラミック素体チップ1の少なくとも一部の表面を接触させ、その接触した状態でセラミック素体チップ1を熱処理することにより、めっき層からなる外部導体層12をセラミック素体チップ1の一部の表面上に形成する。
【選択図】図5
Description
Claims (13)
- セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素体とは別の部材に予め形成されためっき層にセラミック素体の少なくとも一部の表面を接触させるステップと、
前記セラミック素体の少なくとも一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップと、
を備えたセラミック電子部品の製造方法。 - セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステップと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステップと、
を備えたセラミック電子部品の製造方法。 - 前記型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップは、電解めっきによって行われ、前記型部材において、めっき層が形成される部分は導体からなり、めっき層が形成されない部分は絶縁体からなる、請求項2に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップは、無電解めっきによって行われ、前記型部材において、めっき層が形成される部分は、無電解めっき浴に含まれる還元剤に対して触媒活性を有する材料からなり、めっき層が形成されない部分は、無電解めっき浴に含まれる還元剤に対して触媒活性を有しない材料からなる、請求項2に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体の熱処理は、前記めっき層に含まれる金属と、前記セラミック素体に含まれる酸素とが反応して生成物を生じさせる温度以上で行われる、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体は、積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部導体層とを含み、
前記内部導体層の一部の表面が前記セラミック素体の外表面に露出しており、
前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップにおいて、前記外部導体層が前記内部導体層に電気的に接続されるように形成される、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一部の表面を接触させるステップと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステップと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステップと、
が連続して行われる、セラミック電子部品の製造方法。 - 型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステップでは、第1の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成し、第2の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成し、
前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステップでは、前記第1の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側の部分を嵌め入れることにより、前記第1の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一方側の部分の表面を接触させ、前記第2の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側と反対側の他方側の部分を嵌め入れることにより、前記第2の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の他方側の部分の表面を接触させる、請求項7に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記めっき層の主成分が、ニッケルまたは銅である、請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- セラミック素体を有するセラミック電子部品の製造装置であって、
セラミック素体の一部を嵌め入れることが可能な型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションと、
前記型部材の凹部に前記セラミック素体の一部を嵌め入れることにより、前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一部の表面を接触させるステーションと、
前記セラミック素体の一部の表面が前記めっき層に接触した状態で前記セラミック素体を熱処理することにより、前記めっき層からなる外部導体層を前記セラミック素体の一部の表面上に形成するステーションと、
前記外部導体層が形成された前記セラミック素体を前記型部材から分離するステーションと、
が連続して配置されている、セラミック電子部品の製造装置。 - 型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションは、
第1の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションと、
第2の型部材の凹部の内側表面にめっき層を形成するステーションとを含み、
前記型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層にセラミック素体の一部の表面を接触させるステーションは、
前記第1の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側の部分を嵌め入れることにより、前記第1の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の一方側の部分の表面を接触させるステーションと、
前記第2の型部材の凹部に前記セラミック素体の一方側と反対側の他方側の部分を嵌め入れることにより、前記第2の型部材の凹部の内側表面に形成された前記めっき層に前記セラミック素体の他方側の部分の表面を接触させるステーションとを含む、請求項10に記載のセラミック電子部品の製造装置。 - 複数のセラミック素体の各々の一部の表面にめっき層が形成された複数のセラミック電子部品であって、
上下面と、この上下面を接続する左右側面とを有する複数のセラミック素体と、
前記複数のセラミック素体の各々の上面の一方端部から、左側面または右側面の少なくともいずれか一方を経て、下面の一方端部まで延びるように各々のめっき層が形成された複数のめっき層とを備え、
前記複数のセラミック素体の各々の上面または下面のいずれかの一方端部に形成された前記複数のめっき層の長さの平均値に対する標準偏差の割合が3%以下であることを特徴とする、複数のセラミック電子部品。 - 前記複数のめっき層の厚みの平均値に対する標準偏差の割合が5%以下であることを特徴とする、請求項12に記載の複数のセラミック電子部品。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008321145A JP5287211B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 |
US12/631,924 US8400754B2 (en) | 2008-12-17 | 2009-12-07 | Method and apparatus for producing a ceramic electronic component |
CN200910260602XA CN101752085B (zh) | 2008-12-17 | 2009-12-17 | 陶瓷电子部件的制造方法及制造装置 |
US13/767,954 US20130152351A1 (en) | 2008-12-17 | 2013-02-15 | Method and apparatus for producing a ceramic electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008321145A JP5287211B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010147167A true JP2010147167A (ja) | 2010-07-01 |
JP5287211B2 JP5287211B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=42240246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008321145A Active JP5287211B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8400754B2 (ja) |
JP (1) | JP5287211B2 (ja) |
CN (1) | CN101752085B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102832046A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件 |
JP2013182982A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 小型電子部品の取扱装置及び取扱方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6747273B2 (ja) | 2016-12-13 | 2020-08-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP7092053B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-06-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63169014A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
JPH04299114A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 型内メッキ成形用金型 |
JPH11302894A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電気めっき方法 |
JP2000235936A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合部品およびその製造方法 |
JP2004183048A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜形成方法、及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005206933A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2007100139A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tdk Corp | 無電解めっき膜形成方法、及び、触媒パターン形成装置 |
JP2007266485A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | チップ型電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3522092B2 (ja) | 1997-10-13 | 2004-04-26 | Tdk株式会社 | ポリマーptc素子の製造方法 |
US6960366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2005-11-01 | Avx Corporation | Plated terminations |
US6982863B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-03 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
US7177137B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-02-13 | Avx Corporation | Plated terminations |
TWI260657B (en) * | 2002-04-15 | 2006-08-21 | Avx Corp | Plated terminations |
US7152291B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
US7463474B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
US7576968B2 (en) * | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
US7345868B2 (en) * | 2002-10-07 | 2008-03-18 | Presidio Components, Inc. | Multilayer ceramic capacitor with terminal formed by electroless plating |
JP2005085495A (ja) | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 |
JP2005340664A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | コンデンサ |
JP5104313B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2012-12-19 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
KR100953276B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2010-04-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자부품 및 그 제조방법 |
JP5289794B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-09-11 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-17 JP JP2008321145A patent/JP5287211B2/ja active Active
-
2009
- 2009-12-07 US US12/631,924 patent/US8400754B2/en active Active
- 2009-12-17 CN CN200910260602XA patent/CN101752085B/zh active Active
-
2013
- 2013-02-15 US US13/767,954 patent/US20130152351A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63169014A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 松下電器産業株式会社 | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 |
JPH04299114A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 型内メッキ成形用金型 |
JPH11302894A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電気めっき方法 |
JP2000235936A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合部品およびその製造方法 |
JP2004183048A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜形成方法、及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005206933A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2007100139A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tdk Corp | 無電解めっき膜形成方法、及び、触媒パターン形成装置 |
JP2007266485A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | チップ型電子部品の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102832046A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件 |
JP2013182982A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 小型電子部品の取扱装置及び取扱方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5287211B2 (ja) | 2013-09-11 |
CN101752085A (zh) | 2010-06-23 |
US20130152351A1 (en) | 2013-06-20 |
CN101752085B (zh) | 2012-07-04 |
US8400754B2 (en) | 2013-03-19 |
US20100149724A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8631549B2 (en) | Method for manufacturing multilayer electronic component | |
JP5180753B2 (ja) | セラミック積層電子部品およびその製造方法 | |
JP6252393B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP5605053B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
US8982533B2 (en) | Monolithic electronic component and method for manufacturing monolithic electronic component | |
JP5287211B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法および製造装置 | |
CN102592826B (zh) | 层叠型电子部件及其制造方法 | |
KR20170106901A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법 | |
JP2008034417A (ja) | キャパシタの製造方法 | |
US10669209B2 (en) | Ceramic device and manufacturing method thereof | |
JP4059063B2 (ja) | セラミック多層基板およびその製造方法 | |
JPS63104314A (ja) | チツプコンデンサの電極端子の形成方法 | |
US20050229388A1 (en) | Multi-layer ceramic chip varistor device surface insulation method | |
JP2019050411A (ja) | 磁性体コアおよびコイル装置 | |
JPH0329307A (ja) | 積層セラミックチップコンデンサーの製造方法 | |
JP2008038240A (ja) | チップ状電子部品のめっき方法 | |
JP2007204822A (ja) | めっき方法 | |
JP2009059789A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3196524B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP4048427B2 (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
JP2007266219A (ja) | 積層チップ部品およびその製造方法 | |
JP5195253B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP4568965B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
TWI295207B (en) | A re-plating process for a passive component | |
JPS62242323A (ja) | チツプコンデンサ− |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5287211 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |