JP5180753B2 - セラミック積層電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明によるセラミック積層電子部品の第1実施形態の概略構造を示す断面図である。
セラミック積層電子部品1は、セラミックスからなる素体2と、素体2内に形成された複数の内部電極3とを含む積層体4を有する。より具体的には、素体2の一方の側面(端面)から突出した端部を有する内部電極3と、素体2の他方の側面から突出した端部を有する内部電極3とが、素体2を介在させて交互に積層されている。素体2の表面には、素体2を被覆するガラス層6が形成されており、素体2の両側面に相当する部位におけるガラス層6上には、下地電極7が形成されている。
素体2はセラミックスからなり、具体的には、半導体セラミックス又は誘電体セラミックスからなる必要がある。このようなセラミック材料に限定はなく、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、窒化ホウ素、フェライト、チタン酸ジルコン酸鉛、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ステアタイト、酸化亜鉛、ジルコニア等が挙げられる。
セラミック粉末、有機溶剤、有機バインダおよび可塑剤等を混合して、セラミックスラリーとした後、ドクターブレード法により成形して、シート状の素体、いわゆるセラミックグリーンシートを得る。
続いて、セラミックグリーンシート上に、Pd及び/又はAgを含む金属粉と、バインダ樹脂と、溶剤とを含有する導電性ペーストを印刷することにより、内部電極3のパターンを形成する。
さらに、続いて、内部電極3が形成された複数の素体2と内部電極3が形成されていない複数の素体2とを交互に積層し、それを更に加圧して積層構造体を得る。
それから、積層構造体を切断することにより個々の積層体4に分割する。これにより、切断後の積層体4の側面からは、内部電極3の端部3aが露出した状態となる。
次に、積層体4を、大気中で脱バインダ処理した後、焼成を行うことにより、焼結された積層体4が得られる。
以上により、セラミック積層電子部品1が製造される。
図7は、第2実施形態に係るセラミック積層電子部品1の断面図である。
図7に示すように、本実施形態では、下地電極7の形成部位以外のガラス層10が、下地電極7の形成部位におけるガラス層10に比べて厚い点を除いて、第1実施形態と同様である。
素体2の主組成がチタン酸ストロンチウムであり、内部電極3がAgPd(Pd30wt%)で、外形が1.6×0.8×0.8mmの積層体4からなるコンデンサチップにガラスコーティングを行った。軟化点645℃の鉛含有量が100ppm以下の非鉛ガラスペーストをシンナーに稀釈した後に、このペースト中にチップを浸漬し、670℃で焼成した。これを5回繰り返し、平均膜厚3μmのガラス層6を形成した。次に内部電極3が露出している素体面を軟化点580℃のフリットを含む銀ペーストに浸漬して670℃で焼成して下地電極7を形成した。この状態で端子間の導通を検査すると導通不良は0/100、絶縁不良は0/100であった。次に下地電極7上にワット浴でNi層8aを3μm、中性Sn浴でSn層8bを5μm形成した。この状態で端子間の導通をチェックすると導通不良は0/100、絶縁不良は0/100であった。
実施例1で下地電極7の形成後に、下地電極7の表面にレジスト層を形成したチップを鉛含有量が100ppm以下の非鉛ガラスペーストに浸漬させ、焼成した。これにより、下地電極7以外の素体2上のガラス層10の膜厚を5μmにした。このときの導通不良の発生は0/100であった。
実施例1でガラス層6をスパッタリング法により形成した。このとき下地電極形成後端子間の導通をチェックすると導通不良は8/100、絶縁不良は0/100であった。次に下地電極7上にワット浴でNi層8aを3μm、中性Sn浴でSn層8bを5μm形成した。この状態で端子間の導通をチェックすると導通不良は13/100、絶縁不良は17/100であった。この結果から、スパッタリング法により形成したガラス層6では、内部電極3と下地電極7との導通不良が発生すること、まためっき後に絶縁不良が発生することがわかる。めっき後のIR不良チップの断面解析を行うと、内部電極間にクラックが入っている。スパッタリング法により形成されたガラス層6中のピンホールを通じてめっき中にめっき液が素体2に侵入して素体2を溶解し、内部電極3と素体2との内部応力が解放されてクラックが生じたと考えられる。
Claims (5)
- 主としてセラミックスからなる素体と、
前記素体の内部に設けられ、かつ前記素体の端面から突出した内部電極と、
前記素体の表面を被覆するガラス層と、
前記素体の端面における前記ガラス層上に形成された下地電極と、
を有し、
前記内部電極が、前記ガラス層を貫通して前記下地電極の内部に達しており、前記下地電極に貫入した前記内部電極の端部は、前記素体の内部の内部電極に比べて太く、かつ、前記下地電極に向かって太く、
前記内部電極における前記端部と前記素体の内部の部位が、一体に形成され、かつ、主として同じ金属からなるものである、
セラミック積層電子部品。 - 前記下地電極の形成部位以外の前記ガラス層が、前記下地電極の形成部位における前記ガラス層に比べて厚い、
請求項1に記載のセラミック積層電子部品。 - 前記内部電極及び前記下地電極は、Ag及び/又はPdを含み、
前記内部電極中のPdの含有量が、前記下地電極に比べて大きい、
請求項1又は2に記載のセラミック積層電子部品。 - 前記下地電極は、Ag及びPdを含み、
前記内部電極は、Agを含む、
請求項1〜3のいずれかに記載のセラミック積層電子部品。 - 主としてセラミックスからなる素体と、前記素体に内蔵されかつ前記素体の端面において露出した内部電極を備える積層構造体を形成する工程と、
前記素体の表面へのガラスペーストの塗布および焼成により、前記素体の表面にガラス層を形成し、該ガラス層に開口部位を形成する工程と、
前記素体の端面における前記ガラス層上に導電性ペーストを塗布する工程と、
前記導電性ペーストを焼成して、下地電極を形成する工程と、
を有し、
前記下地電極を形成する工程においては、前記内部電極が、前記ガラス層を貫通して前記下地電極の内部に達し、前記下地電極に貫入した前記内部電極の端部が、前記素体の内部の内部電極に比べて太く、かつ、前記下地電極に向かって太くなり、前記内部電極における端部と前記素体の内部の部位を、該端部と該素体の内部の部位が主として同じ金属からなるように一体に形成する、
セラミック積層電子部品の製造方法。
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