JP4143539B2 - 複数のコンタクト面を有するエレクトロセラミックス構成素子 - Google Patents

Description

多くのエレクトロセラミックス構成素子は、一般に表面実装でプリント基板にはんだ付けされる。表面実装の可能性（ＳＭＤ能力）は、コンタクト面がセラミック構成素子に付与されることによって得られる。同じことが、配線された構成素子の製作に関して云える。この場合も、まず最初にコンタクト面をセラミック構成素子に付与しなければならない。次いで、前記コンタクト面にワイヤが例えばはんだ付け法で付与される。

例えば自動車電話における過電圧防止部材としてのバリスタ等の、電気的な構成部材の小型化は、表面上に複数の導電性のコンタクト面を有するより一層小型のマルチ構成素子の生産を必要とする。これらの構成素子は、一般に例えば縁部長さが約１ｍｍの極めて小さなディメンションを有しているので、コンタクト面は非常に緊密に相並んで電気的な構成素子の表面に配置されており、その結果、コンタクト面を互いに電気的に絶縁することはますます困難になる。更に、この問題は、しばしば多層コンタクト面が一般に電気めっきプロセスにより付与されるということによって深刻化する。

この場合、セラミック構成素子に電着されるコンタクト面の付着性が重要な役割を果たす。この付着性は、一般に未処理のセラミック表面上では実地の要求に満たない程小さい。従って、一般に導電性接着剤又は導電性ペーストによってベース接触接続部が付与されてから、焼き固められる。次いで、このベース接触接続部に電気めっきプロセスで別の金属化層を析出させることができる。

例えば酸化亜鉛ベースのバリスタセラミックス等の、いくつかのエレクトロセラミックスは小さなオーム抵抗しか有していないので、電気めっきプロセス中に金属層が完全に又は部分的にセラミック体に析出する可能性があり、これにより、隣接したコンタクト面の間で表面漏れ電流が発生する恐れがある。しばしば、セラミック体は一般に酸性の電気めっき液によっても腐食されてエッチングされる。このことは、例えばバリスタセラミックスの場合は粒界の変化延いては構成素子の電気的な特性の変化をもたらす。

電気めっき液は、セラミック基体への侵入時にその電気的な特性をも変化させる恐れがあるので、隣接したコンタクト面の間のめっきされなかった構成素子も、増大された表面漏れ電流を有することになる。

米国特許第６１５９７６８号明細書に基づき公知のマルチ構成素子の製作法では、隣接したコンタクト面の間の焼結されたセラミック体にガラスペーストを塗布して焼き固める。この方法の欠点は、ガラスペーストとコンタクト面のベース接触接続部とが、一般に約８００℃の近似した温度範囲内で焼き固められるので、ガラスペーストとベース接触接続部の導電性ペーストとが反応する恐れがあるという点にある。この反応は、別のコンタクト面を引き続き電気めっき式で析出させるということを悪化させる恐れがある。更に、ガラスペーストとベース接触接続部との間の反応は、隣接するコンタクト面の間の表面漏れ電流を増大させる恐れがある。更に、当該の米国特許明細書に開示された方法では、コンタクト面の間の領域にしかガラスペーストが設けられないので、不動態化層の設けられていないセラミック基体の他の領域は、依然として酸性の電気めっき液によりエッチングされる恐れがある。

更に、ドイツ連邦共和国特許第１９６３４４９８号明細書に基づき公知のセラミック構成素子には、チタン酸バリウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム又はガラスから成る保護層が配置されている。これらの保護層は、例えばバリスタ用に使用されるセラミックと一緒には焼結不能であり、従って、このような構成素子の製作には手間がかかるという欠点を有している。

従って、本発明の課題は、上で述べた欠点を回避する、改良された保護層又は不動態化層を備えたセラミック構成素子を提供することである。

この課題は、請求項１記載の構成素子によって解決される。本発明による構成素子の有利な構成及び当該構成素子の製作法は、別の請求項に記載されている。

本発明には、構成素子の機能を規定するセラミック基体を備えた電気的な構成素子が記載されている。基体の対向位置する２つの面に少なくとも４つのコンタクト面が配置されており、これらのコンタクト面の間には、コンタクト面よりも高い温度で焼結可能という性質を有する第１のセラミック保護層が位置している。セラミック基体の少なくとも２つの別の対向位置する面には、それぞれ第２のセラミック保護層が付与されている。即ち、第１のセラミック保護層の設けられていない２つの面だけに、又は４つ全ての面に、第２のセラミック保護層が付与されているということが可能である。本発明による構成素子の製作を簡単にするためには、セラミック基体と、第１及び第２のセラミック保護層とが一緒に焼結可能である。このようにして、基体全体を、該基体上に配置された保護層と一緒に１焼結ステップで焼結させることが可能である。

従来技術と比較した本発明による構成素子の利点は、第１のセラミック保護層がコンタクト面よりも高い温度で焼結されるので、コンタクト面の焼結時にコンタクト面と第１のセラミック保護層との間の反応が回避され得るという点にある。この理由から、約１ｍｍの長さ及び約１．２ｍｍの幅を有する本発明による構成素子は、３６Ｖにおいて約３μＡよりも小さな、著しく少ない表面漏れ電流を示す。セラミック保護層とコンタクト面との間で反応が生じる従来の構成素子の場合は、３６Ｖの電圧において約３０〜３００μＡの範囲内の漏れ電流が測定されていた。

従来技術と比較した本発明による構成素子の別の利点は、セラミック基体の別の少なくとも２つの対向位置する面に、第２のセラミック保護層が付与されているという点にある。この第２のセラミック保護層は、有利には例えば既存のコンタクト面に別の金属化層を電着する場合に、セラミック基体がめっきされることを防止する。

第２のセラミック保護層により、このセラミック保護層によって被覆されるセラミック基体の表面部分への、一般には酸性の電気めっき液成分の流入も確実に防止され得る。これにより、セラミック保護層によって被覆されたセラミック基体の領域が電気めっき液によってエッチングされるということを、確実に防止することができる。

構成素子のコンタクト面又は別の機能領域から遠く離れたセラミック基体の表面領域は、必ずしも酸性の電気めっき液から保護されなくてよい。この理由から、例えば対向位置する側面にコンタクト面が配置された構成素子において、カバー面だけを第２のセラミック保護層によって被覆することが可能である。この構成素子の両端面は、保護層を設けないままでよい（図３Ｄも参照）。

別の有利な構成では、セラミック基体内に導電性の電極層が配置されていてよく、これらの電極層は、セラミック基体の構成部材によって互いに分離されている。各コンタクト面は、それぞれ複数の電極層と導電接続されていてよく、これにより電極束を形成することができる。この構成は、導電性の電極層の適当な構成に基づいて、セラミック構成素子のオーム抵抗が、その都度規定される構成素子の使用領域にフレキシブルに適合され得るという利点を有している。

本発明による構成素子の製作を簡単にするためには、有利には第１及び第２のセラミック保護層が同じセラミック材料からも形成されている。有利には、第１及び／又は第２のセラミック保護層は高抵抗である。これにより、コンタクト面間の有効な絶縁に役立つので、保護層における短絡を防止することができる。更に、保護層の高い電気抵抗は、コンタクト面のために設けられた面とは別の基体の面に、金属層が電気めっき式で析出されるということを防止することができるという利点を有している。

第１及び／又は第２のセラミック保護層は、例えば化学式（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３の鉛・ランタン・ジルコン・チタン酸塩セラミック（ＰＬＺＴセラミック）を含んでいてよい。この場合は、一般式ＡＢＯ_３で表される、ペロブスカイト型構造を有する多結晶セラミックである。Ａサイトは、部分的にＬａによって代替されてよいＰｂによって占められていてよく、ＢサイトはＺｒ及び／又はＴｉによって占められていてよい。有利には、これらのセラミックは、約５０〜８０重量％のＰｂＯと、約２０〜５０重量％のＺｒＯ_２と、約１０〜４０重量％のＴｉ_２Ｏ_３と、約０〜２０重量％のＬａＯ_３とから構成されている。

これらのセラミックは、多数のセラミック基体と一緒に焼結することが可能であるという利点を有している。一般的な組成ＡＢ_２Ｏ_４（この場合、Ａは２価の金属であり、Ｂは３価又は４価の金属である）の、例えばＺｎＭｎ_２Ｏ_４等のスピネルセラミックスを使用することも可能である。

次の一般式、即ち：

の別のペロブスカイト型化合物を使用することも可能であり、この式における２価の金属ＭＩＩはストロンチウム又はバリウムであり、３価の金属ＭＩＩＩは、

の該当する希土類元素である。

これらの材料は、やはりセラミック基体と一緒に焼結することができるという利点を有している。更に、前記材料は全て、高いオーム抵抗を有しており、焼結中にセラミック構成素子の電気的な特性を変化させない。

セラミック基体は、例えば酸化亜鉛ベースのバリスタセラミックス、コンデンサセラミックス又は磁性セラミックス等の、多数のエレクトロセラミックスを含んでいてよい。

以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。

図１には、コンタクト面５が付与される前の本発明による構成素子が示されている。コンタクト面５によっては被覆されないのが望ましい２つの面１０Ａ及び１０Ｂの領域を被覆する第１のセラミック保護層１５が見られる。更に、当該構成素子のカバー面には第２のセラミック保護層２０が位置している。セラミック基体には複数の電極層３０が配置されており、これらの電極層３０の内の２つが図示されている。

図２Ａでは、コンタクト面５を付与した後の本発明による構成素子の平面図が見られる。各２つのコンタクト面５が対向位置しているが、但しこの場合、より多くのコンタクト面若しくはコンタクト面対が構成素子に配置されていてもよい。コンタクト面５の間の、セラミック基体の向かい合った面１０Ａ，１０Ｂには第１のセラミック保護層１５が位置している。当該構成素子のカバー面は、それぞれ第２のセラミック保護層２０によって被覆されている。符号Ａ及びＢを以て２つの切断面が示されており、この切断面は、Ａの場合は対向位置する２つのコンタクト面５を通って延びており、Ｂの場合はコンタクト面５の間の２つの対向位置する第１のセラミック保護層を通って延びている。

図２Ｂでは、図２Ａにおいて符号Ａで示した平面を通る横断面が見られる。各コンタクト面５はそれぞれ電極層３０と導電接続されており、その結果、各１つの電極束が形成される。縁部がコンタクト面と接続状態にあるカバー面は、構成素子のこの領域を第２のセラミック保護層２０によって被覆されている。

図２Ｃには、図２Ａにおいて符号Ｂの付された平面を通る横断面が示されている。この領域では、セラミック基体１が第１のセラミック保護層１５と第２のセラミック保護層２０とによって完全に被覆されているということが判る。

本発明による構成素子は、例えば２段階の方法によって製作され得る。第１の方法ステップＡ）では、後でコンタクト面５を配置しようとするセラミック基体１の対向位置する面１０Ａ，１０Ｂにおいて、第１のセラミック保護層１５がコンタクト面によって被覆されるべきでない領域に付与され且つセラミック基体の少なくとも２つの別の対向位置する面２５Ａ，２５Ｂに第２のセラミック保護層が付与され、次いでセラミック基体が焼結される。第２の方法ステップＢ）では、コンタクト面５がセラミック基体の第１のセラミック保護層間に形成され、第１の方法ステップＡ）における第１の保護層よりも低い温度で焼結される。

図３Ａには、例えば方法ステップＡ）において未加工のセラミックシートを積層させることによりセラミック基体１を製作することが示されており、この場合、シート間には導電性の電極層３０を配置することができる。これらの電極層は、例えば印刷法を用いて未加工のセラミックシートに付与されてもよい。未加工のセラミックシートを積層する場合は、図３Ａに示したように、最上位及び最下位の未加工シートとして有利には第２のセラミック保護層２０が使用される。

次いで、なお方法ステップＡ）において、図３Ｂに示した様に、セラミック基体の側面において第１のセラミック保護層１５を、後でコンタクト面５によって被覆しようとする領域の間に付与することができる。第１のセラミック保護層は、例えばスクリーン印刷法等の印刷法を用いて付与され得る。この場合、セラミック基体１の２つの対向位置する面が、構成素子の例えばコンタクト面５又は電極層３０等の機能領域から十分遠くに離れていると、当該面をセラミック保護層によっては被覆しない若しくは露出させることが可能である。図３Ｃでは、方法ステップＡ）で焼結された後のセラミック基体と、このセラミック基体上に位置するセラミック保護層とが見られる。焼結は、例えば約２４時間の間、セラミック体を１０００℃よりも高い温度に加熱することによって実施され得る。

図３Ｄでは、コンタクト面５形成後の本発明による構成素子が見られる。コンタクト面は、例えば銀、パラジウム又は白金ベースの導電性ペースト或いは導電性接着剤の形でセラミック基体に付与され得る。次いで、コンタクト面を、方法ステップＡ）で行われた焼結よりも低い温度で焼き固める。例えば、付与された導電性ペーストは、約２００℃で乾燥されてから、１〜２時間の間、およそ８００℃で焼き固められる。

次に、従来の電気めっきステップにより別の金属化層をコンタクト面に析出させることができる。即ち、例えばニッケルバリア層及び最終的には構成素子のろう接特性を決定するすず層を、コンタクト面５に付与することができる。

コンタクト面５を設けようとするセラミック基体の領域を適当に機械的且つ化学的に前処理することにより、コンタクト面５を電気めっき式でセラミック基体上に直接に析出させることもできる。処理されていないセラミック表面の場合、電着されるコンタクト面の付着性は、一般に運転中の構成素子に課される要求を満たすためには極端に低い。

図４Ａ：上で説明した方法に類似して、この方法でも方法ステップＡ１）で、コンタクト面を配置しようとするセラミック基体の対向位置する面において、第１のセラミック保護層が、コンタクト面によって被覆されるべきでない領域に形成される。コンタクト面を設けようとするセラミック基体の領域だけが化学的且つ機械的に活性化されるということを保証するためには、やはり方法ステップＡ１）において、コンタクト面を配置したくない他の４つの対向位置する面全てに、それぞれ第２のセラミック保護層２０が付与される。つまりこの方法では、電気めっきされるべきでない全ての領域を保護層によって被覆することが有利である。次いで、この方法ステップＡ１）でもセラミック基体をセラミック保護層と一緒に焼結する。図４Ｂは、この段階の構成素子を示している。

図４Ｃ：次に、方法ステップＢ１）で、コンタクト面を設けようとするセラミック基体の領域が、機械的且つ化学的な処理によって活性化される。次いで最後の方法ステップＣ１）において、コンタクト面は電気めっきプロセスによって、セラミック基体の化学的／機械的に活性化された領域に直接に付与される。

有利には、セラミック基体の電気めっきしようとする領域は、方法ステップＢ１）において、機械的な粗面化及び酸性又はアルカリ性の水溶液内での化学的なエッチングにより処理される。粗面化は、例えば構成素子の電気めっきしようとする領域に研削体が作用することによって実施され得る。研削体としては、例えば炭化ケイ素、コランダム又は鋼から成る小さな球又は立方体も使用され得る。方法ステップＢ１）は、有利には回転ドラム内の酸性の水媒体中での、セラミック構成素子と研削体とから成る混合物の転動運動によって実現され得る。機械的な粗面化と化学的なエッチングを同時に行うことにより、セラミック構成素子の表面は確実に、方法ステップＣ１）での電気めっきプロセス中にセラミック構成素子におけるコンタクト面の良好な付着性を保証できるように変化され得る。

図４Ｄ：方法ステップＢ１）における電気めっきは、有利にはばら荷で行われるので、多数のセラミック構成素子を１ステップで簡単且つ廉価に、化学的且つ機械的に前処理することが可能である。

次に方法ステップＣ１）において、方法ステップＢ１）で粗面化され且つエッチングされた構成素子の領域に、電気めっき式でコンタクト面を析出させる。この場合、電気めっきは有利には方法ステップＢ１）と同様にばら荷で行われ、しかも、構成素子は酸性の金属塩溶液中で接触体と混ぜ合わされる。これらの接触体は、有利には構成素子を接触接続させて構成素子間のより良好な電流を保証する導電性の金属球、例えば鋼球なので、構成素子における金属（コンタクト面）の、比較的高い析出率が得られる。一般に、この場合も構成素子・接触体混合物は回転ドラム内の電解液中に位置しており、ドラムは電気めっき槽内に位置している。適当な電流を印加することにより（電気めっき槽を例えば陽極として接続し、陰極は回転ドラムに浸漬させる）、方法ステップＢ１）に従って前処理された構成素子の領域に、コンタクト面が電気めっき式で析出され得る。

図４Ａでは、上で説明した第１の方法と同様に行われるセラミック基体１の製作が見られる。この基体は、例えば未加工シートの積層によって製作され得、この場合、未加工シート間には電極層が配置されてよく、第２のセラミック保護層の最上位のシートと最下位のシートとが、それぞれ存在している。但し、前記の第１の方法とは異なり、この方法では方法ステップＡ１）において、セラミック基体の電気めっきされるべきでない全ての領域を、方法ステップＢ１）における化学液及び研削体の影響から守るために、当該領域を全てセラミック保護層によって被覆しようとする。第１のセラミック保護層並びに構成素子の電気めっきされるべきでない全ての領域を被覆する残りのセラミック保護層は、例えばやはりスクリーン印刷等の印刷法によって付与され得る。図４Ｂには、焼結前の第１及び第２のセラミック保護層を備えたセラミック基体が示されている。

例えば２４時間の間、１０００℃よりも高いピーク温度で行われるセラミック基体の焼結の後で、方法ステップＢ１）において電気めっきしようとする領域が、図４Ｃに示すようにばら荷で機械的且つ化学的に前処理され得る。このためには、セラミック構成素子が研削体４０と酸性水溶液中で接触させられる。研削体とセラミック構成素子とから成る混合物は、槽６５内の酸性液４５に浸漬された回転ドラム６０内に位置している。このドラムの回転運動は、図４Ｃに矢印によって図示されている。この場合、セラミック構成素子と研削体とから成る混合物の転動運動を保証するためには、ドラム回転軸線が傾斜されている。研削体４０による機械的な粗面化と、酸性液４５内での化学的なエッチングとを同時に行うことによって、電気めっきしようとする構成素子の領域は、方法ステップＣ１）で電着しようとするコンタクト面の確実な付着が可能になるように変化される。酸性液としては、例えば約１．０〜１．５のｐＨ値を有するリン酸水溶液が使用される。研削体直径に対する構成素子長さの有利な比率が保持されることによって、接触接続面の大きさ及び研削体と構成素子との間の接触接続の確率が増大される。研削体直径に対する構成素子長さの有利な比率は、有利には約１：０．０５〜１：０．８である。

次に、方法ステップＣ１）において、方法ステップＢ１）に従って前処理されたセラミック構成素子を、図４Ｄに示したようにやはりばら荷で電気めっきする。このためには、構成素子と接触体５０とから成る混合物が回転ドラム６０にもたらされる。このドラムは、電気めっき槽７０内の電解液５５に浸漬されている。この電解液は、例えばおよそ１０〜２０ｇ／ｌのすず（ＩＩ）化合物濃度を有し、しかもｐＨ値が約３〜４．５のすず塩溶液から成っている。接触体としては、有利には例えば鋼球等の導電性の球が使用される。電気めっきしようとする構成素子の領域に金属のコンタクト面を電気めっき式で析出可能にするためには、電気めっき槽７０を陽極として接続すると同時に、陰極として接続された電極７５を回転ドラム６０に浸漬させる。このドラム６０の転動運動は、構成素子と接触体との間の良好な接触を可能にし、しかも、この方法では有利には接触体直径に対する構成素子長さの比率が、およそ１：０．０５〜１：０．０８の範囲内で保持される。これにより、接触体と構成素子との間の接触確率が高まるので、良好に流れる電流に基づいて、電気めっきしようとする領域における金属の良好な析出が可能である。この場合、電流密度は有利には約０．０５〜０．１５Ａ／ｄｍ^２の範囲内に位置している。

有利には、方法ステップＣ１）で用いられる接触体は、同時に研削体として方法ステップＢ１）でも使用される。このことは、方法ステップＢ１）の後に回転ドラムを酸性液４５から取り出し、方法ステップＣ１）において構成素子又は接触体若しくは研削体に酸性液の汚れが運ばれないように数回水で洗浄する、簡単且つ連続的な方法プロセスを可能にする。洗浄後は構成素子・接触体混合物を、電解液５５を有する電気めっき槽に直接に浸漬させて、方法ステップＣ１）を実施することができる。これにより、例えば方法ステップＢ１）からＣ１）に移行する際の研削体除去等の手間のかかる付加的な作業ステップを回避することができる。

この方法の利点は、方法ステップＢ１）での電気めっきしようとする領域の前処理と、方法ステップＣ１）の両方を、電気めっき用に設けられた同じ技術装置によって行えるという点にもある。

本発明による構成素子は、ここで紹介した実施例に限定されるものではない。コンタクト面の数に関しても、第１及び第２のセラミック保護層の性質に関しても、並びに本発明による構成素子の製作法に関しても、別の変化態様が可能である。

コンタクト面を付与する前の、第１及び第２のセラミック保護層を備えた本発明による構成素子の斜視図である。 図２Ａは、コンタクト面を付与した後の本発明による構成素子の平面図であり、図２Ｂは、図２Ａに符号Ａで示した２つのコンタクト面の間の平面の横断面図であり、図２Ｃは、図２Ａにおいて符号Ｂで示した、第１の保護層の設けられた基体の２つの領域間の範囲の横断面図である。 図３Ａ〜図３Ｄは、本発明による構成素子の製作を示すものであり、この場合、コンタクト面は導電性接着剤又は導電性ペーストによって付与される。 図４Ａ〜図４Ｄは、本発明による構成素子の製作を示すものであり、この場合、コンタクト面はセラミック基体に直接に電着される。

符号の説明

１ 基体、 ５ コンタクト面、 １５ 第１の保護層、 ２０ 第２の保護層、 ３０ 電極層、 ４０ 研削体、 ４５ 酸性液、 ５０ 接触体、 ５５ 電解液、 ６０ ドラム、 ６５ 槽、 ７０ 電気めっき槽、 ７５ 電極

Claims (20)

1. 電気的な構成素子であって、
   イ）該構成素子の機能を規定するセラミック基体（１）を有しており、
   ロ）少なくとも４つの焼結されたコンタクト面（５）が設けられており、各２つのコンタクト面が、それぞれセラミック基体（１）の対向位置する面（１０Ａ，１０Ｂ）に配置されており、
   ハ）対向位置するこれらの面（１０Ａ，１０Ｂ）の、コンタクト面（５）の設けられていない領域に第１のセラミック保護層（１５）が設けられており、この第１の保護層（１５）が、コンタクト面（５）よりも高い温度で焼結可能な性質を有しており、
   ニ）セラミック基体の少なくとも２つの別の対向位置する面（２５Ａ，２５Ｂ）に、それぞれ第２のセラミック保護層（２０）が設けられており、セラミック基体（１）、第１のセラミック保護層（１５）及び第２のセラミック保護層（２０）が一緒に焼結可能であることを特徴とする、複数のコンタクト面を有するエレクトロセラミックス構成素子。
2. 第２のセラミック保護層（２０）が、コンタクト面（５）及び第１のセラミック保護層（１５）の設けられていないセラミック基体（１）の４つの面（２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂ）全てに配置されている、請求項１記載の構成素子。
3. セラミック基体（１）に導電性の電極層（３０）が配置されており、これらの電極層が、セラミック基体の領域（３５）によって互いに分離されており、各コンタクト面（５）が、それぞれ複数の電極層（３０）と導電接続されており且つ電極束を形成している、請求項１又は２記載の構成素子。
4. 第１のセラミック保護層（１５）及び第２のセラミック保護層（２０）が同じセラミック材料から形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の構成素子。
5. セラミック基体（１）が、バリスタセラミックス、コンデンサセラミックス又は磁性セラミックスを含んでいる、請求項１から４までのいずれか１項記載の構成素子。
6. 第１のセラミック保護層（１５）及び／又は第２のセラミック保護層（２０）が高抵抗である、請求項１から５までのいずれか１項記載の構成素子。
7. 第１のセラミック保護層（１５）及び／又は第２のセラミック保護層（２０）が、組成ＡＢ_２Ｏ_４のスピネルセラミックスを含んでおり、この場合、Ａが２価の金属であり且つＢが３価又は４価の金属であるか、又は次の一般式、即ち：
   

   

   のペロブスカイトであり、この式における２価の金属ＭＩＩはストロンチウム又はバリウムであり、３価の金属ＭＩＩＩは、
   

   

   の該当する希土類元素である、請求項１から６までのいずれか１項記載の構成素子。
8. 第１のセラミック保護層（１５）及び／又は第２のセラミック保護層（２０）が、鉛・ランタン・ジルコン・チタン酸塩セラミック（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３を含んでいる、請求項１から６までのいずれか１項記載の構成素子。
9. Ａ）コンタクト面（５）を配置しようとするセラミック基体（１）の対向位置する面（１０Ａ，１０Ｂ）において、第１のセラミック保護層（１５）をコンタクト面によって被覆されるべきでない領域に形成し且つセラミック基体の少なくとも２つの別の対向位置する面（２５Ａ，２５Ｂ）に第２のセラミック保護層を付与してからセラミック基体を焼結し、
   Ｂ）次いで、コンタクト面（５）をセラミック基体に生ぜしめ、方法ステップＡ）よりも低い温度で焼結することを特徴とする、複数のコンタクト面を有する構成素子の製作法。
10. 前記方法ステップＡ）において、セラミック基体（１）を未加工のセラミックシートの積層によって構成し、この場合、最上位及び最下位の未加工シートに第２のセラミック保護層（２０）を設け、次いで、第１のセラミック保護層（１５）をセラミック基体に付与する、請求項９記載の方法。
11. 前記方法ステップＡ）において、第１のセラミック保護層を印刷法によって付与する、請求項９又は１０記載の方法。
12. 前記方法ステップＡ）において、導電性の電極層を未加工のセラミックシート間に配置する、請求項１０又は１１記載の方法。
13. 導電性の電極層を、印刷法によって未加工のセラミックシートに付与する、請求項９から１２までのいずれか１項記載の方法。
14. 前記方法ステップＢ）において、コンタクト面を導電性ペースト又は導電性接着剤の形でセラミック基体に付与する、請求項９から１３までのいずれか１項記載の方法。
15. Ａ１）コンタクト面を配置しようとするセラミック基体（１）の対向位置する面（１０Ａ，１０Ｂ）において、第１のセラミック保護層（１５）を、コンタクト面によって被覆されるべきでない領域に生ぜしめ且つセラミック基体の別の４つの対向位置する面（２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂ）全てに第２のセラミック保護層（２０）を付与してからセラミック基体（１）を焼結し、
    Ｂ１）次いで、コンタクト面（５）によって被覆しようとするセラミック基体の領域を、機械的及び化学的処理によって活性化させ、
    Ｃ１）その後、コンタクト面（５）を電気めっきプロセスによりセラミック基体（１）に付与することを特徴とする、複数のコンタクト面を有する構成素子の製作法。
16. 前記方法ステップＢ１）において、セラミック基体の電気めっきされるべき領域の機械的処理を粗面化により行い且つ化学的処理をエッチングによって行う、請求項１５記載の方法。
17. 前記方法ステップＢ１）において、酸性又はアルカリ性の水溶液（４５）内で機械的にセラミック基体（１）に作用する研削体（４０）を使用する、請求項１５又は１６記載の方法。
18. 前記方法ステップＣ１）において、金属塩を含む電解液（５５）中でセラミック基体を導電性の接触体（５０）と接触させ且つセラミック基体の電気めっきされるべき領域に金属が電気めっき式で析出されるように、適当な電流密度を有する電流を印加する、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の方法。
19. セラミック基体と接触体とが互いに相対運動を実施するように、セラミック基体を接触体と接触させる、請求項１５から１８までのいずれか１項記載の方法。
20. 前記方法ステップＣ１）で使用した接触体（５０）を、前記方法ステップＢ１）でも研削体（４０）として使用する、請求項１８又は１９記載の方法。

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