JPH02189903A - 積層型バリスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧非直線性抵抗として機能する積層型バリ
スタに関し、特に積層体に形成された外部電極の表面に
メツキ層を形成する際のレジスト膜形成工程を省略して
生産性を向上できるようにした構造に関する。

〔従来の技術〕

一般に、バリスタは、印加電圧に応じて抵抗値が非直線
的に変化する抵抗体素子であり、例えば電子回路に過電
圧が加わるのを防止するためのサージ吸収素子として採
用されている。このようなバリスタとして、従来、第５
図に示すような直方体状の積層型バリスタがある。この
積層型バリスタ１０は、バリスタ層１１と内部電極１２
とを交互に積層して一体焼結するとともに、該焼結体１
３の左、右端面１３ａ、１３ｂに外部電極１４を形成し
て構成されている。また、この外部電極１４には、上記
焼結体１３の左、右端面１３ａ、１３ｂに交互に露出さ
れた内部電極１２の一端面１２ａが接続されている。さ
らに、上記積層型バリスタ１０においては、実装時にお
けるプリント基板上の配線パターンとの半田付は性を向
上させるために、上記外部電極１４の表面に電解メツキ
によるメツキ層１５を形成するようにしている。

ところで、上記焼結体１３は、例えばＺｎＯを主成分と
するセラミクス半導体であるから、そのまま電解メツキ
処理を行うと外部電極１４以外の焼結体１３の表面にも
メツキ層が形成されることとなる。従って、これを防止
するために、従来から、上記焼結体１３の外部電極１４
以外の表面にレジスト膜を形成し、しかる後電解メツキ
を行う方法が採用されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記従来のレジスト膜を形成した後電解
メツキ処理を行う方法は、このレジスト膜を形成するた
めの余分な工程が必要なことから、それだけ生産性が低
いという問題点がある。

本発明は−Ｊ−，記従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、レジスト膜の形成工程を省略しながら、外
部電極の表面にのみメツキ層を形成できる積層型バリス
タを提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明は、バリスタ層と内部電極とを交互に積層
して積層体を形成し、該積層体の両端面に上記内部電極
に接続された外部電極を形成してなる積層型バリスタに
おいて、上記積層体の外表面部分に酸化物を拡散させて
絶縁層を形成したことを特徴としている。

ここで、」−記積層体の外表面に絶縁層を形成する方法
として、上記積層体を焼成炉内にて加熱焼結する際に、
該炉内に例えば酸化アンチモン粉末を一緒に配設してお
き、上記積層体の焼成と同時に酸化アンチモンを拡散さ
せることにより実現できる。また、上記積層体を焼成し
て焼結体を成形した後、該焼結体と酸化アンチモンとを
９２０°ｃＤ）」二で再熱処理する方法でも実現できる
。

〔作用〕

本発明に係る積層型バリスタによれば、積層体の外表面
部分に酸化物の拡散による絶縁層を形成したので、外部
電極が形成された積層体にそのまま電解メツキ処理を施
しても、この外部電極の表面のみにメツキ層が形成され
、これ以外の部分にはメツキは付着するごとはない。し
かも、上記絶縁層は、積層体を焼成する際に同時に形成
できることから、従来のような別工程でレジスト膜を形
成するという作業を不要にでき、それだけ生産性を向」
二でき、ひいては製造コストを低減できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図ないし第４図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図である。

図において、■は本実施例の積層型バリスタであり、こ
れはＺｎＯ系セラミクスからなるバリスタ層２とｐｔか
らなる内部電極３とを交互に積層し、これを一体焼結し
てなる焼結体４の左、右端面４ａ、４ｂにＡｇ合金から
なる外部電極５を被覆形成して構成されている。また、
上記各内部電極３の端面３ａは焼結体４の左、右端面４
ａ、４ｂに交互に露出して上記外部電極５に接続されて
おり、上記内部電極３の他の端面ば焼結体４内に封入さ
れている。さらに、」１記外部電極５の外表面には、配
線パターンとの半田付は性を向」ニさせるメツキ層６が
被覆形成されている。そして、本実施例の焼結体３の外
表面部分には酸化アンチモンとＺｎＯとの焼成反応によ
るスピネル（Ｚｎ７ＳｂｚＯ＋ｚ）が形成されており、
これにより上記外表面部分には絶縁層７が形成されてい
る。

次に上記積層型バリスタＩの製造方法について説明する
。

■　まず、Ｚｎ○（９７，８ｍｏ　４７％）、Ｂｉ２０
３（０，５ｍｏ　１％）　、　Ｍ　ｎ　Ｏ（０，５ｍｏ
Ａ％）　、　　ＣＯｚ　Ｏ：＋（０，５ｍｏ　１％）　
、　　Ｓ　ｂｚ　Ｏ：＋　（０，７ｍｏｎ％）を混合し
てなるセラミクス原料に、有機バインダーを混合してグ
リーンシートを形成する。このグリーンシトを矩形状に
切断して多数のバリスタ層２を形成する。

■　上記バリスタ層２の上面に、ｐｔとビヒクルとを混
合してなるペーストを印刷して内部電極３を形成する。

この場合、内部電極３の一端面３ａのみがバリスタ層２
の外縁まで延び、他の端面ば内側に位置するようにする
。

■　次に、第３図に示すように、上記バリスタ層２と内
部電極３とが交互に重なり、かつ内部電極３の一端面３
ａがバリスタ層２の左１右端面に交互に露出するように
積層し、これをプレスにより加圧、圧着して積層体を形
成する。これにより内部電極３の一端面３ａだけが積層
体の左、右端面の外面に露出し、残りの部分はバリスタ
層２内に完全に埋設されることとなる。

■　上記積層体を、第４図に示すように、例えばジルコ
ニアからなる容器８ａ内に収容するとともに、該容器８
ａ内に酸化アンチモン（Ｓｂ２０、）粉末９を適量配置
する。そして、この容器８ａを焼成炉８ｂ内に収容し、
１１００℃×３時間で加熱焼成する。すると、上記酸化
アンチモンと積層体の外表面のＺｎＯとが反応して、積
層体の外表面部分にスピネル（Ｚｎ、Ｓｔ）＋　Ｏ＋ｇ
）が形成され、これにより絶縁層７が形成された焼結体
４が得られる。

■　次に、上記焼結体４の、内部電極３の一端面３ａが
露出された左、右端面４ａ、４ｂにＡｇを主体としたペ
ーストを塗布した後、焼き付けて外部電極５を形成する
。

■　しかる後、上記焼結体４に電解メツキ処理を施し、
上記外部電極５の外表面にメツキ層６を形成する。この
場合、上記焼結体４の外部電極５以外の部分は絶縁層７
で覆われていることから、メツキは付着することはない
。これにより本実施例の積層型バリスタ１が製造される
。

次に本実施例の作用効果について説明する。

本実施例の積層型バリスタ１によれば、積層体と酸化ア
ンチモン粉末９とを一緒に加熱焼成し、上記積層体を焼
成するとともに、上記酸化アンチモンを拡散させて焼結
体４の外表面部分に絶縁層７を形成したので、この焼結
体４に外部電極５を形成した後、電解メツキ処理を施す
ことにより、上記外部電極５の外表面にのみメツキ層６
が形成されることとなる。その結果、従来のレジスト膜
形成工程を省略でき、それだけ生産性を向上できる。

なお、上記実施例では、■工程で形成された積層体を酸
化アンチモンと一緒に容器８ａ内に収容し、同時に加熱
焼成した場合を例にとって説明したが、本発明では積層
体を加熱焼成して焼結体を成形した後、再熱処理により
酸化アンチモンを拡散させてもよい。

また、上記実施例では焼結体がＺｎＯからなり、酸化物
が酸化アンチモンである場合を説明したが、これらに限
定されるものではなく、要は焼結体の表面に酸化物の拡
散による絶縁層を形成すればよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に係る積層型バリスタによれば、積
層体の外表面部分に酸化物の拡散による絶縁層を形成し
たので、外部電極の表面にメツキ層を形成する際のレジ
スト膜形成工程を省略して生産性を向上できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図であり、第１゜図はその断面
図、第２図はその斜視図、第３図はその分解斜視図、第
４図はその積層体に絶縁層を形成する方法を示す概略構
成図、第５図は従来の積層型バリスタを示す断面図であ
る。 図において、１は積層型バリスタ、２はバリスタ層、３
は内部電極、４は焼結体（積層体）、４４ｂは焼結体の
左、右端面（両端面）、５は外部電極、７は絶縁層、９
は酸化アンチモン（酸化物）である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）バリスタ層と内部電極とを交互に積層して積層体
   を形成し、該積層体の両端面に上記内部電極に接続され
   た外部電極を形成してなり、電圧非直線性抵抗として機
   能する積層型バリスタにおいて、上記積層体の外表面部
   分に酸化物を拡散させて絶縁層を形成したことを特徴と
   する積層型バリスタ。