JPH0855756A - セラミック体の導体層形成方法 - Google Patents
セラミック体の導体層形成方法Info
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- JPH0855756A JPH0855756A JP18816494A JP18816494A JPH0855756A JP H0855756 A JPH0855756 A JP H0855756A JP 18816494 A JP18816494 A JP 18816494A JP 18816494 A JP18816494 A JP 18816494A JP H0855756 A JPH0855756 A JP H0855756A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック体と導体層の相互に高い結合力を
確保できる導体層形成方法を提供すること。 【構成】 金属酸化物２を分散した未焼成のセラミック
板１を還元雰囲気下で熱処理することにより、内部に分
散されている金属酸化物２を還元しその金属分Ｍをセラ
ミック板１の表面に偏析させその層（導体層）を形成す
ることができる。上記の金属層３が偏析により形成され
ているので、該金属層３とセラミック板１とに高い結合
力を得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処
理が加わった場合でも金属層３に剥離を生じることがな
い。
確保できる導体層形成方法を提供すること。 【構成】 金属酸化物２を分散した未焼成のセラミック
板１を還元雰囲気下で熱処理することにより、内部に分
散されている金属酸化物２を還元しその金属分Ｍをセラ
ミック板１の表面に偏析させその層（導体層）を形成す
ることができる。上記の金属層３が偏析により形成され
ているので、該金属層３とセラミック板１とに高い結合
力を得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処
理が加わった場合でも金属層３に剥離を生じることがな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック体の表面に
導体層を形成する方法に関する。
導体層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックを主体とするコンデンサ，イ
ンダクタ，トランス，抵抗器，回路基板等の各種電子，
電気部品は、単一或いは多層構造のセラミックチップの
内外に部品回路を構成する導体層を有している。
ンダクタ，トランス，抵抗器，回路基板等の各種電子，
電気部品は、単一或いは多層構造のセラミックチップの
内外に部品回路を構成する導体層を有している。
【０００３】従来、上記の導体層の形成には大別して下
記２種類の方法が採用されている。１つは、金属粉末と
ガラスフリットと溶剤とを混合して調製した導電組成物
をディップ，スクリーン印刷等の手法によって焼成後の
セラミック体に付着させ、これを焼き付けてセラミック
体に結合させる方法であり、もう１つは、金属粉末とセ
ラミック粉末とバインダーと溶剤とを混合して調製した
導電組成物をディップ，スクリーン印刷等の手法によっ
て焼成前のセラミック体に付着させ、これをセラミック
体と共に焼成して該セラミック体に結合させる方法であ
る。
記２種類の方法が採用されている。１つは、金属粉末と
ガラスフリットと溶剤とを混合して調製した導電組成物
をディップ，スクリーン印刷等の手法によって焼成後の
セラミック体に付着させ、これを焼き付けてセラミック
体に結合させる方法であり、もう１つは、金属粉末とセ
ラミック粉末とバインダーと溶剤とを混合して調製した
導電組成物をディップ，スクリーン印刷等の手法によっ
て焼成前のセラミック体に付着させ、これをセラミック
体と共に焼成して該セラミック体に結合させる方法であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
方法では、導体層とセラミック体との結合がガラス成分
の共有によって行われるため、後工程で加熱等の物理処
理やメッキ等の化学処理が加わるとガラス成分が変性を
受けて結合力が低下し導体層の剥離を招く問題点があ
る。また、後者の方法でも導電組成物とセラミック体と
の馴染みが悪いと上記と同様に形成後の導体層に剥離を
生じる問題点がある。
方法では、導体層とセラミック体との結合がガラス成分
の共有によって行われるため、後工程で加熱等の物理処
理やメッキ等の化学処理が加わるとガラス成分が変性を
受けて結合力が低下し導体層の剥離を招く問題点があ
る。また、後者の方法でも導電組成物とセラミック体と
の馴染みが悪いと上記と同様に形成後の導体層に剥離を
生じる問題点がある。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、セラミック体と導体層の
相互に高い結合力を確保できる導体層形成方法を提供す
ることにある。
で、その目的とするところは、セラミック体と導体層の
相互に高い結合力を確保できる導体層形成方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、金属酸化物を分散した未焼成の
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理することを特徴と
している。
め、請求項１の発明は、金属酸化物を分散した未焼成の
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理することを特徴と
している。
【０００７】請求項２の発明は、金属酸化物末を分散し
た未焼成のセラミック体の表面に偏析促進剤を所定形状
で付着した後、該セラミック体を還元雰囲気下で熱処理
することを特徴としている。
た未焼成のセラミック体の表面に偏析促進剤を所定形状
で付着した後、該セラミック体を還元雰囲気下で熱処理
することを特徴としている。
【０００８】請求項３の発明は、金属酸化物を分散した
未焼成のセラミック体の表面に導電組成物を所定形状で
付着した後、該セラミック体を還元雰囲気下で熱処理す
ることを特徴としている。
未焼成のセラミック体の表面に導電組成物を所定形状で
付着した後、該セラミック体を還元雰囲気下で熱処理す
ることを特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１の発明では、セラミック体を還元雰囲
気下で熱処理すると、内部に分散されている金属酸化物
が還元されてその金属分がセラミック体表面に偏析しそ
の層（導体層）が形成される。
気下で熱処理すると、内部に分散されている金属酸化物
が還元されてその金属分がセラミック体表面に偏析しそ
の層（導体層）が形成される。
【００１０】請求項２の発明では、偏析促進剤付着後の
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すると、内部に分
散されている金属酸化物が偏析促進剤付着箇所で還元さ
れてその金属分が同箇所のみに偏析し、偏析促進剤の付
着形状に合致した導体層が形成される。
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すると、内部に分
散されている金属酸化物が偏析促進剤付着箇所で還元さ
れてその金属分が同箇所のみに偏析し、偏析促進剤の付
着形状に合致した導体層が形成される。
【００１１】請求項３の発明では、導電組成物付着後の
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すると、内部に分
散されている金属酸化物が導電組成物付着箇所で還元さ
れてその金属分が同箇所のみに偏析し、導電組成物とセ
ラミック体との界面に導体層が形成される。
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すると、内部に分
散されている金属酸化物が導電組成物付着箇所で還元さ
れてその金属分が同箇所のみに偏析し、導電組成物とセ
ラミック体との界面に導体層が形成される。
【００１２】
【実施例】図１乃至図３は本発明の第１実施例に係るも
のであり、以下同図を参照してセラミック板の表面全体
に導体層を形成する方法を説明する。
のであり、以下同図を参照してセラミック板の表面全体
に導体層を形成する方法を説明する。
【００１３】まず、セラミック粉末と金属酸化物の粉末
とバインダーとを混合して調製したスラリーを材料と
し、図１に示すような未焼成のセラミック板１、即ち金
属酸化物２がほぼ均一に分散されたセラミック板１を用
意する。セラミック粉末にはアルミナ，チタン酸バリウ
ム又はフェライト等の種々のものが利用でき、また金属
酸化物にはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｗ，
Ｎｂ，Ｔａ又はＭｏの酸化物のうち少なくとも１種が利
用できる。
とバインダーとを混合して調製したスラリーを材料と
し、図１に示すような未焼成のセラミック板１、即ち金
属酸化物２がほぼ均一に分散されたセラミック板１を用
意する。セラミック粉末にはアルミナ，チタン酸バリウ
ム又はフェライト等の種々のものが利用でき、また金属
酸化物にはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｗ，
Ｎｂ，Ｔａ又はＭｏの酸化物のうち少なくとも１種が利
用できる。
【００１４】次に、上記のセラミック板１を酸素分圧が
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
【００１５】この熱処理ではセラミック板１自体が焼成
されると同時に、図２に示すように、セラミック板１の
表面付近の金属酸化物２（Ｍは金属原子，Ｏは酸素）が
還元されてその分布が薄くなると共に内部の金属酸化物
２が表面に移動し、この繰り返しによって金属酸化物２
の金属分Ｍがセラミック板１の表面に層状に偏析して金
属層３（図３参照）が形成される。
されると同時に、図２に示すように、セラミック板１の
表面付近の金属酸化物２（Ｍは金属原子，Ｏは酸素）が
還元されてその分布が薄くなると共に内部の金属酸化物
２が表面に移動し、この繰り返しによって金属酸化物２
の金属分Ｍがセラミック板１の表面に層状に偏析して金
属層３（図３参照）が形成される。
【００１６】このように本実施例によれば、セラミック
板１を還元雰囲気下で熱処理することにより、内部に分
散されている金属酸化物２を還元してその金属分Ｍをセ
ラミック板１の表面全体に層状に偏析させ、所期の金属
層（導体層）３を形成することができる。
板１を還元雰囲気下で熱処理することにより、内部に分
散されている金属酸化物２を還元してその金属分Ｍをセ
ラミック板１の表面全体に層状に偏析させ、所期の金属
層（導体層）３を形成することができる。
【００１７】また、上記の金属層３が金属偏析により形
成されているので、金属層部分を別途形成する従来のも
のに比べて該金属層３とセラミック板１とに高い結合力
を得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処理
が加わった場合でも金属層３に剥離を生じることがな
い。
成されているので、金属層部分を別途形成する従来のも
のに比べて該金属層３とセラミック板１とに高い結合力
を得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処理
が加わった場合でも金属層３に剥離を生じることがな
い。
【００１８】更に、金属酸化物２を還元しその金属分Ｍ
を偏析させているだけなので、従来のような温度上の制
限がなく、金属酸化酸化物２を選択するだけで所望種の
金属層３を形成できる。
を偏析させているだけなので、従来のような温度上の制
限がなく、金属酸化酸化物２を選択するだけで所望種の
金属層３を形成できる。
【００１９】尚、上記の金属層３のみでは所期の導電性
を確保し難い場合には、該金属層３の表面に、金属粉末
とバインダーと溶剤とを混合して調製した導電組成物を
金属層３の表面に付着しこれを焼き付ける方法、或いは
電解メッキ，無電解メッキ，蒸着又はイオンプレーティ
ング等の方法によって第２の金属層４を形成するように
してもよい。
を確保し難い場合には、該金属層３の表面に、金属粉末
とバインダーと溶剤とを混合して調製した導電組成物を
金属層３の表面に付着しこれを焼き付ける方法、或いは
電解メッキ，無電解メッキ，蒸着又はイオンプレーティ
ング等の方法によって第２の金属層４を形成するように
してもよい。
【００２０】図５乃至図７は本発明の第２実施例に係る
ものであり、以下同図を参照してセラミック板の表面に
所定形状の導体層を形成する方法を説明する。
ものであり、以下同図を参照してセラミック板の表面に
所定形状の導体層を形成する方法を説明する。
【００２１】まず、第１実施例と同様に、金属酸化物２
がほぼ均一に分散された未焼成のセラミック板１を用意
する。
がほぼ均一に分散された未焼成のセラミック板１を用意
する。
【００２２】次に、セラミック板１の表面に偏析促進剤
５を所定形状（図示例は矩形状）で付着する。偏析促進
剤５にはカーボン粉末とバインダーと溶剤とを混合して
調製したものやバインダーのような有機物を利用するこ
とができ、その付着には塗布，スクリーン印刷等の手法
が利用できる。
５を所定形状（図示例は矩形状）で付着する。偏析促進
剤５にはカーボン粉末とバインダーと溶剤とを混合して
調製したものやバインダーのような有機物を利用するこ
とができ、その付着には塗布，スクリーン印刷等の手法
が利用できる。
【００２３】次に、上記のセラミック板１を酸素分圧が
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
【００２４】この熱処理ではセラミック板１自体が焼成
されると同時に、図６に示すように、セラミック板１の
偏析促進剤付着箇所付近の金属酸化物２（Ｍは金属原
子，Ｏは酸素）の還元が下記式 Ｃ＋ＭＯ（金属酸化物）→ＣＯ↑＋Ｍ（金属原子） に示すような反応で促進されてその分布が薄くなると共
に内部の金属酸化物２が同箇所に移動し、この繰り返し
によって金属酸化物２の金属分Ｍがセラミック板１の偏
析促進剤付着箇所のみに層状に偏析して金属層３（図７
参照）が形成される。
されると同時に、図６に示すように、セラミック板１の
偏析促進剤付着箇所付近の金属酸化物２（Ｍは金属原
子，Ｏは酸素）の還元が下記式 Ｃ＋ＭＯ（金属酸化物）→ＣＯ↑＋Ｍ（金属原子） に示すような反応で促進されてその分布が薄くなると共
に内部の金属酸化物２が同箇所に移動し、この繰り返し
によって金属酸化物２の金属分Ｍがセラミック板１の偏
析促進剤付着箇所のみに層状に偏析して金属層３（図７
参照）が形成される。
【００２５】このように本実施例によれば、偏析促進剤
５の付着形状によって金属偏析をコントロールして所望
形状の金属層３をセラミック板１に形成できる。他の効
果は第１実施例と同様である。
５の付着形状によって金属偏析をコントロールして所望
形状の金属層３をセラミック板１に形成できる。他の効
果は第１実施例と同様である。
【００２６】図８乃至図１０は本発明の第３実施例に係
るものであり、以下同図を参照してセラミック基板の表
面に所定形状の導体層を形成する方法を説明する。
るものであり、以下同図を参照してセラミック基板の表
面に所定形状の導体層を形成する方法を説明する。
【００２７】まず、第１実施例と同様に、金属酸化物２
がほぼ均一に分散された未焼成のセラミック板１を用意
する。
がほぼ均一に分散された未焼成のセラミック板１を用意
する。
【００２８】次に、セラミック板１の表面に導電組成物
６を所定形状（図示例は矩形状）で付着する。導電組成
物６には金属粉末とバインダーと溶剤とを混合して調製
したものを利用することができ、その付着には塗布，ス
クリーン印刷等の手法が利用できる。
６を所定形状（図示例は矩形状）で付着する。導電組成
物６には金属粉末とバインダーと溶剤とを混合して調製
したものを利用することができ、その付着には塗布，ス
クリーン印刷等の手法が利用できる。
【００２９】次に、上記のセラミック板１を酸素分圧が
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
１０-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０
００℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
【００３０】この熱処理ではセラミック板１と導電組成
物６が焼成されると同時に、図９に示すように、セラミ
ック板１の導電組成物付着箇所付近の金属酸化物２（Ｍ
は金属原子，Ｏは酸素）の還元が同箇所の酸素濃度が低
くなること、言い換えれば同箇所の金属酸化物２の濃度
が高くなることに起因して促進されその分布が薄くなる
と共に内部の金属酸化物２が同箇所に移動し、この繰り
返しによって金属酸化物２の金属分Ｍがセラミック板１
の導電組成物付着箇所のみに層状に偏析して金属層３
（図１０参照）が形成される。
物６が焼成されると同時に、図９に示すように、セラミ
ック板１の導電組成物付着箇所付近の金属酸化物２（Ｍ
は金属原子，Ｏは酸素）の還元が同箇所の酸素濃度が低
くなること、言い換えれば同箇所の金属酸化物２の濃度
が高くなることに起因して促進されその分布が薄くなる
と共に内部の金属酸化物２が同箇所に移動し、この繰り
返しによって金属酸化物２の金属分Ｍがセラミック板１
の導電組成物付着箇所のみに層状に偏析して金属層３
（図１０参照）が形成される。
【００３１】このように本実施例によれば、導電組成物
６とセラミック板１との界面に金属層３を形成し、該金
属層３を媒体として導電組成物６とセラミック板１とを
結合できるので、従来のようなガラスフリットを用いな
くとも導電組成物６とセラミック板１とに高い結合力を
得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処理が
加わった場合でも導電組成物６及び金属層３に剥離を生
じることがない。
６とセラミック板１との界面に金属層３を形成し、該金
属層３を媒体として導電組成物６とセラミック板１とを
結合できるので、従来のようなガラスフリットを用いな
くとも導電組成物６とセラミック板１とに高い結合力を
得ることができ、依って後工程で物理処理や化学処理が
加わった場合でも導電組成物６及び金属層３に剥離を生
じることがない。
【００３２】図１１及び図１２には第２実施例で説明し
た導体層形成方法を積層コンデンサの製造に適用した例
を示してある。以下同図を参照して積層コンデンサの製
造方法を説明する。
た導体層形成方法を積層コンデンサの製造に適用した例
を示してある。以下同図を参照して積層コンデンサの製
造方法を説明する。
【００３３】まず、セラミック粉末（チタン酸バリウ
ム）とバインダーと金属酸化物（酸化ニッケル）の粉末
とを混合して調製したスラリーを材料とし、ドクターブ
レード等の手段によって図１１に示すような未焼成のセ
ラミックシート１１、即ち金属酸化物１２がほぼ均一に
分散されたセラミックシート１１を用意し、該シート１
１表面に偏析促進剤１３を内部電極の２倍長さに相当す
る形状で多数個，所定配列で付着形成する。
ム）とバインダーと金属酸化物（酸化ニッケル）の粉末
とを混合して調製したスラリーを材料とし、ドクターブ
レード等の手段によって図１１に示すような未焼成のセ
ラミックシート１１、即ち金属酸化物１２がほぼ均一に
分散されたセラミックシート１１を用意し、該シート１
１表面に偏析促進剤１３を内部電極の２倍長さに相当す
る形状で多数個，所定配列で付着形成する。
【００３４】次に、上記のシート１１を、金属酸化物を
有しない通常のシートと共に所定の順序で複数枚積み重
ねて圧着し、該積層物を部品寸法に基づいて決定された
２方向の切断線に沿って格子状に切断して積層チップを
作成する。各偏析促進剤１３はこの切断によって２分さ
れ内部電極に相当する形状となる。
有しない通常のシートと共に所定の順序で複数枚積み重
ねて圧着し、該積層物を部品寸法に基づいて決定された
２方向の切断線に沿って格子状に切断して積層チップを
作成する。各偏析促進剤１３はこの切断によって２分さ
れ内部電極に相当する形状となる。
【００３５】次に、上記の積層チップを酸素分圧が１０
-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０００
℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０００
℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
【００３６】この熱処理では積層チップ自体が焼成され
ると同時に、積層チップを構成するシート間の偏析促進
剤介在箇所のみに金属酸化物１２の金属分（Ｎｉ）が偏
析して内部電極となる金属層１４（図１２参照）が形成
される。
ると同時に、積層チップを構成するシート間の偏析促進
剤介在箇所のみに金属酸化物１２の金属分（Ｎｉ）が偏
析して内部電極となる金属層１４（図１２参照）が形成
される。
【００３７】この後は内部電極の端縁が露出する積層チ
ップの端面に外部電極を形成し、必要に応じて該外部電
極の表面にメッキ処理を施す。以上で積層コンデンサの
製造を完了する。
ップの端面に外部電極を形成し、必要に応じて該外部電
極の表面にメッキ処理を施す。以上で積層コンデンサの
製造を完了する。
【００３８】このように本実施例によれば、内部電極と
なる所定形状の金属層１４を第２実施例と同様の偏析コ
ントロールによって簡単に形成することができる。
なる所定形状の金属層１４を第２実施例と同様の偏析コ
ントロールによって簡単に形成することができる。
【００３９】また、上記の金属層（内部電極）１４が金
属偏析により形成されているので、金属層部分を別途形
成する従来のものに比べて該金属層（内部電極）１４と
セラミックシート１１１とに高い結合力を得ることがで
き、依って後工程で物理処理や化学処理が加わった場合
でも金属層１４に剥離を生じることがない。
属偏析により形成されているので、金属層部分を別途形
成する従来のものに比べて該金属層（内部電極）１４と
セラミックシート１１１とに高い結合力を得ることがで
き、依って後工程で物理処理や化学処理が加わった場合
でも金属層１４に剥離を生じることがない。
【００４０】更に、金属酸化物２を還元しその金属分Ｍ
を偏析させているだけなので、従来のような温度上の制
限がなく、金属酸化酸化物１２を選択するだけで所望種
の金属層（内部電極）１４を形成できる。
を偏析させているだけなので、従来のような温度上の制
限がなく、金属酸化酸化物１２を選択するだけで所望種
の金属層（内部電極）１４を形成できる。
【００４１】図１３及び図１４には第３実施例で説明し
た導体層形成方法を積層コンデンサの製造に適用した例
を示してある。以下同図を参照して積層コンデンサの製
造方法を説明する。
た導体層形成方法を積層コンデンサの製造に適用した例
を示してある。以下同図を参照して積層コンデンサの製
造方法を説明する。
【００４２】まず、セラミック粉末（チタン酸バリウ
ム）とバインダーと金属酸化物（酸化ニッケル）の粉末
とを混合して調製したスラリーを材料とし、ドクターブ
レード等の手段によって図１３に示すような未焼成のセ
ラミックシート１１、即ち金属酸化物１２がほぼ均一に
分散されたセラミックシート１１を用意し、該シート１
１表面に導電組成物１５を内部電極の２倍長さに相当す
る形状で多数個，所定配列で付着形成する。
ム）とバインダーと金属酸化物（酸化ニッケル）の粉末
とを混合して調製したスラリーを材料とし、ドクターブ
レード等の手段によって図１３に示すような未焼成のセ
ラミックシート１１、即ち金属酸化物１２がほぼ均一に
分散されたセラミックシート１１を用意し、該シート１
１表面に導電組成物１５を内部電極の２倍長さに相当す
る形状で多数個，所定配列で付着形成する。
【００４３】次に、上記のシート１１を、金属酸化物を
有しない通常のシートと共に所定の順序で複数枚積み重
ねて圧着し、該積層物を部品寸法に基づいて決定された
２方向の切断線に沿って格子状に切断して積層チップを
作成する。各導電組成物１５はこの切断によって２分さ
れ内部電極に相当する形状となる。
有しない通常のシートと共に所定の順序で複数枚積み重
ねて圧着し、該積層物を部品寸法に基づいて決定された
２方向の切断線に沿って格子状に切断して積層チップを
作成する。各導電組成物１５はこの切断によって２分さ
れ内部電極に相当する形状となる。
【００４４】次に、上記の積層チップを酸素分圧が１０
-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０００
℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
-11 〜１０-13 の還元雰囲気に投入し、これを１０００
℃前後の温度下で約１時間熱処理する。
【００４５】この熱処理では積層チップと導電組成物１
５が焼成されると同時に、積層チップを構成するシート
間の導電組成物介在箇所のみに金属酸化物１２の金属分
（Ｎｉ）が偏析して、内部電極となる導電組成物１５の
周囲に金属層１４（図１４参照）が形成される。
５が焼成されると同時に、積層チップを構成するシート
間の導電組成物介在箇所のみに金属酸化物１２の金属分
（Ｎｉ）が偏析して、内部電極となる導電組成物１５の
周囲に金属層１４（図１４参照）が形成される。
【００４６】この後は内部電極の端縁が露出する積層チ
ップの端面に外部電極を形成し、必要に応じて該外部電
極の表面にメッキ処理を施す。以上で積層コンデンサの
製造を完了する。
ップの端面に外部電極を形成し、必要に応じて該外部電
極の表面にメッキ処理を施す。以上で積層コンデンサの
製造を完了する。
【００４７】このように本実施例によれば、内部電極と
なる導電組成物１５とセラミックシート１１との界面に
金属層１４を形成し、該金属層１４を媒体として導電組
成物（内部電極）１５とセラミックシート１１とを結合
できるので、従来のようなガラスフリットを用いなくと
も導電組成物（内部電極）１５とセラミックシート１１
とに高い結合力を得ることができ、依って後工程で物理
処理や化学処理が加わった場合でも導電組成物１５及び
金属層１４に剥離を生じることがない。
なる導電組成物１５とセラミックシート１１との界面に
金属層１４を形成し、該金属層１４を媒体として導電組
成物（内部電極）１５とセラミックシート１１とを結合
できるので、従来のようなガラスフリットを用いなくと
も導電組成物（内部電極）１５とセラミックシート１１
とに高い結合力を得ることができ、依って後工程で物理
処理や化学処理が加わった場合でも導電組成物１５及び
金属層１４に剥離を生じることがない。
【００４８】尚、第２実施例と第３実施例で説明した導
体層形成方法は上記の積層コンデンサに限らず、単一或
いは多層構造のセラミックチップの内外に導体層を形成
する各種電子，電気部品、例えばインダクタ，トラン
ス，抵抗器，回路基板等に広く適用でき同様の効果を発
揮することができる。
体層形成方法は上記の積層コンデンサに限らず、単一或
いは多層構造のセラミックチップの内外に導体層を形成
する各種電子，電気部品、例えばインダクタ，トラン
ス，抵抗器，回路基板等に広く適用でき同様の効果を発
揮することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すること
により、内部に分散されている金属酸化物を還元してそ
の金属分をセラミック体の表面に層状に偏析させ、所期
の導体層を形成することができる。また、上記の導体層
が金属偏析により形成されているので、導体層部分を別
途形成する従来のものに比べて該導体層とセラミック体
とに高い結合力を得ることができ、依って後工程で物理
処理や化学処理が加わった場合でも導体層に剥離を生じ
ることがない。更に、金属酸化物を還元しその金属分を
偏析させているだけなので、従来のような温度上の制限
がなく、金属酸化酸化物を選択するだけで所望種の金属
から成る導体層を形成できる。
よれば、セラミック体を還元雰囲気下で熱処理すること
により、内部に分散されている金属酸化物を還元してそ
の金属分をセラミック体の表面に層状に偏析させ、所期
の導体層を形成することができる。また、上記の導体層
が金属偏析により形成されているので、導体層部分を別
途形成する従来のものに比べて該導体層とセラミック体
とに高い結合力を得ることができ、依って後工程で物理
処理や化学処理が加わった場合でも導体層に剥離を生じ
ることがない。更に、金属酸化物を還元しその金属分を
偏析させているだけなので、従来のような温度上の制限
がなく、金属酸化酸化物を選択するだけで所望種の金属
から成る導体層を形成できる。
【００５０】請求項２の発明によれば、偏析促進剤の付
着形状によって金属偏析をコントロールして所望形状の
導体層をセラミック体に形成できる。他の効果は請求項
１の発明と同様である。
着形状によって金属偏析をコントロールして所望形状の
導体層をセラミック体に形成できる。他の効果は請求項
１の発明と同様である。
【００５１】請求項３の発明によれば、導体層となる導
電組成物とセラミック体との界面に金属層を形成し、該
金属層を媒体として導電組成物とセラミック体とを結合
できるので、従来のようなガラスフリットを用いなくと
も導電組成物とセラミック体とに高い結合力を得ること
ができ、依って後工程で物理処理や化学処理が加わった
場合でも導電組成物及び金属層に剥離を生じることがな
い。
電組成物とセラミック体との界面に金属層を形成し、該
金属層を媒体として導電組成物とセラミック体とを結合
できるので、従来のようなガラスフリットを用いなくと
も導電組成物とセラミック体とに高い結合力を得ること
ができ、依って後工程で物理処理や化学処理が加わった
場合でも導電組成物及び金属層に剥離を生じることがな
い。
【図１】本発明の第１実施例に係る熱処理前のセラミッ
ク板の斜視図
ク板の斜視図
【図２】同実施例に係る金属偏析作用を示す図
【図３】同実施例に係る熱処理後のセラミック板の斜視
図
図
【図４】第２の金属層を形成した例を示す断面図
【図５】本発明の第２実施例に係る熱処理前のセラミッ
ク板の斜視図
ク板の斜視図
【図６】同実施例に係る金属偏析作用を示す図
【図７】同実施例に係る熱処理後のセラミック板の斜視
図
図
【図８】本発明の第３実施例に係る熱処理前のセラミッ
ク板の斜視図
ク板の斜視図
【図９】同実施例に係る金属偏析作用を示す図
【図１０】同実施例に係る熱処理後のセラミック板の断
面図
面図
【図１１】第２実施例の導体層形成方法を積層コンデン
サの製造に適用した例を示す熱処理前のセラミックシー
トの斜視図
サの製造に適用した例を示す熱処理前のセラミックシー
トの斜視図
【図１２】同例に係る熱処理後の積層チップの断面図
【図１３】第３実施例の導体層形成方法を積層コンデン
サの製造に適用した例を示す熱処理前のセラミックシー
トの斜視図
サの製造に適用した例を示す熱処理前のセラミックシー
トの斜視図
【図１４】同例に係る熱処理後の積層チップの断面図
１…セラミック板、２…金属酸化物、３…金属層、４…
第２の金属層、５…偏析促進剤、６…導電組成物、１１
…セラミックシート、１２…金属酸化物、１３…偏析促
進剤、１４…金属層、１５…導電組成物。
第２の金属層、５…偏析促進剤、６…導電組成物、１１
…セラミックシート、１２…金属酸化物、１３…偏析促
進剤、１４…金属層、１５…導電組成物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 金属酸化物を分散した未焼成のセラミッ
ク体を還元雰囲気下で熱処理する、 ことを特徴とするセラミック体の導体層形成方法。 - 【請求項２】 金属酸化物末を分散した未焼成のセラミ
ック体の表面に偏析促進剤を所定形状で付着した後、該
セラミック体を還元雰囲気下で熱処理する、 ことを特徴とするセラミック体の導体層形成方法。 - 【請求項３】 金属酸化物を分散した未焼成のセラミッ
ク体の表面に導電組成物を所定形状で付着した後、該セ
ラミック体を還元雰囲気下で熱処理する、 ことを特徴とするセラミック体の導電層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18816494A JPH0855756A (ja) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | セラミック体の導体層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18816494A JPH0855756A (ja) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | セラミック体の導体層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855756A true JPH0855756A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16218877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18816494A Pending JPH0855756A (ja) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | セラミック体の導体層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855756A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503725A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ナノインク インコーポレーティッド | パターニングツールとしてナノリソグラフィを使用する、導体パターンを製造する方法 |
| JP2010267687A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| KR101426322B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2014-08-06 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 전자 부품 |
-
1994
- 1994-08-10 JP JP18816494A patent/JPH0855756A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503725A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ナノインク インコーポレーティッド | パターニングツールとしてナノリソグラフィを使用する、導体パターンを製造する方法 |
| JP4740850B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2011-08-03 | ナノインク インコーポレーティッド | 基板上へ所望のパターンの導電被膜を付着させる方法 |
| JP2010267687A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| KR101426322B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2014-08-06 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 전자 부품 |
| US9076599B2 (en) | 2011-10-14 | 2015-07-07 | Tdk Corporation | Laminated ceramic electronic parts |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020129 |