JP2000182832A - フェライトインダクタ及びその製造方法 - Google Patents
フェライトインダクタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000182832A JP2000182832A JP10356811A JP35681198A JP2000182832A JP 2000182832 A JP2000182832 A JP 2000182832A JP 10356811 A JP10356811 A JP 10356811A JP 35681198 A JP35681198 A JP 35681198A JP 2000182832 A JP2000182832 A JP 2000182832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- ppm
- inductor
- sheet
- migration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２０１０形状以下の微小なチップインダクタ
アレイに内蔵させた場合においても、内部導体のマイグ
レーションによるショート不良を生じることがなく、し
かも品質、特性の優れたフェライトインダクタを提供す
る。 【解決手段】 Ｕ字形状の銀導体パターンを印刷したフ
ェライトシートの複数層を、隣接シート上の銀導体パタ
ーンのＵ字形状が互いに対向するように重ね合わせ、か
つ銀導体印刷パターンをフェライトシートに穿設したス
ルーホールを介して電気的に連通させて焼結したコイル
状構造積層体からなり、かつ前記フェライトシート中の
塩素含有量を１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量を１０
〜５０ｐｐｍの範囲に調整する。
アレイに内蔵させた場合においても、内部導体のマイグ
レーションによるショート不良を生じることがなく、し
かも品質、特性の優れたフェライトインダクタを提供す
る。 【解決手段】 Ｕ字形状の銀導体パターンを印刷したフ
ェライトシートの複数層を、隣接シート上の銀導体パタ
ーンのＵ字形状が互いに対向するように重ね合わせ、か
つ銀導体印刷パターンをフェライトシートに穿設したス
ルーホールを介して電気的に連通させて焼結したコイル
状構造積層体からなり、かつ前記フェライトシート中の
塩素含有量を１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量を１０
〜５０ｐｐｍの範囲に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の近接したフ
ェライトインダクタを含む微小アレイにおいて必然的に
発生する銀導体のマイグレーション現象を抑制してショ
ート不良などを起すことのない、改良されたフェライト
インダクタ及びその製造方法に関するものである。
ェライトインダクタを含む微小アレイにおいて必然的に
発生する銀導体のマイグレーション現象を抑制してショ
ート不良などを起すことのない、改良されたフェライト
インダクタ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｕ字形状の銀導体パターンを印刷したフ
ェライトシートの複数層を、隣接シート上の銀導体パタ
ーンのＵ字形状すなわちパターン１，…の組のＵ字形状
と、パターン２，…の組のＵ字形状とが互いに対向する
ように重ね合わせ、かつこの銀導体パターンをフェライ
トシートに穿設したスルーホール３，…を介して電気的
に連通させて焼結したコイル状構造積層体からなるイン
ダクタを、図１に示すように、フェライト４内部に並列
的に配列した面実装型部品例えばフェライトインダクタ
アレイは既に知られている（特公昭６２−２４９２３号
公報）。
ェライトシートの複数層を、隣接シート上の銀導体パタ
ーンのＵ字形状すなわちパターン１，…の組のＵ字形状
と、パターン２，…の組のＵ字形状とが互いに対向する
ように重ね合わせ、かつこの銀導体パターンをフェライ
トシートに穿設したスルーホール３，…を介して電気的
に連通させて焼結したコイル状構造積層体からなるイン
ダクタを、図１に示すように、フェライト４内部に並列
的に配列した面実装型部品例えばフェライトインダクタ
アレイは既に知られている（特公昭６２−２４９２３号
公報）。
【０００３】ところで、最近電子機器においては、小型
化の傾向が著しく、それに伴って使用される部品につい
ても微小化への要求が高まってきている。例えば、チッ
プコンデンサ、チップ抵抗などにおいては、１００５
（縦１ｍｍ、横０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ）形状の仕
様が一般的になりつつあり、また、これらの素子を複数
搭載したアレイに対する需要も増加してきている。しか
しながら、チップインダクタにおいては、前記したよう
なコイル状内部導体構造という複雑な形状をフェライト
磁器内部に形成しなければならないため、小型化には種
々の困難を伴い、コンデンサ、抵抗の分野に比べ、その
対応が著しく遅れており、現在では１６０８形状（縦
１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、高さ０．８ｍｍ）のもの
が、アレイにおいても３２１６形状（縦３．２ｍｍ、横
１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍ）の４回路内蔵型のものが
漸く実用化されつつあるのが実情である。
化の傾向が著しく、それに伴って使用される部品につい
ても微小化への要求が高まってきている。例えば、チッ
プコンデンサ、チップ抵抗などにおいては、１００５
（縦１ｍｍ、横０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ）形状の仕
様が一般的になりつつあり、また、これらの素子を複数
搭載したアレイに対する需要も増加してきている。しか
しながら、チップインダクタにおいては、前記したよう
なコイル状内部導体構造という複雑な形状をフェライト
磁器内部に形成しなければならないため、小型化には種
々の困難を伴い、コンデンサ、抵抗の分野に比べ、その
対応が著しく遅れており、現在では１６０８形状（縦
１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、高さ０．８ｍｍ）のもの
が、アレイにおいても３２１６形状（縦３．２ｍｍ、横
１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍ）の４回路内蔵型のものが
漸く実用化されつつあるのが実情である。
【０００４】これまで、フェライトチップインダクタア
レイについては、内部導体の配列に工夫を加え、より小
型のチップサイズで、より高いインダクタンスを得るよ
うにしたものが提案されている（特開平５−３２６２７
０号公報、特開平５−３２６２７１号公報、５−３２６
２７２号公報）。そのほか、回路間の相互作用すなわち
クロストークを改善する方法もいくつか提案されている
（特開平６−３３８４１４号公報、特開平７−２２２４
３号公報、特開平８−２５０３３３号公報、特開平８−
２６４３２０号公報）。
レイについては、内部導体の配列に工夫を加え、より小
型のチップサイズで、より高いインダクタンスを得るよ
うにしたものが提案されている（特開平５−３２６２７
０号公報、特開平５−３２６２７１号公報、５−３２６
２７２号公報）。そのほか、回路間の相互作用すなわち
クロストークを改善する方法もいくつか提案されている
（特開平６−３３８４１４号公報、特開平７−２２２４
３号公報、特開平８−２５０３３３号公報、特開平８−
２６４３２０号公報）。
【０００５】しかしながら、さらに小型化して、２０１
０形状（縦２．０ｍｍ、横１．０ｍｍ、高さ１．０ｍ
ｍ）以下の４回路内蔵型のアレイになると内部導体のマ
イグレーション現象という特有な問題が発生し、従来の
技術によっては解決することができなくなる。このマイ
グレーション現象とは、セラミックス多層素子において
しばしば発生する現象で、内部導体間に直流電界が印加
されると、その電界強度に応じて、あるいは高温高湿環
境によって、導体金属が移動し、最終的にショート不良
に至るものである。この現象は、内部導体に銀を用いる
場合に顕著であるが、単回路のインダクタにおいては、
導体のいずれの部分においてもほとんど電位が同一であ
るためマイグレーション現象は起らないので特に問題と
されることはない。
０形状（縦２．０ｍｍ、横１．０ｍｍ、高さ１．０ｍ
ｍ）以下の４回路内蔵型のアレイになると内部導体のマ
イグレーション現象という特有な問題が発生し、従来の
技術によっては解決することができなくなる。このマイ
グレーション現象とは、セラミックス多層素子において
しばしば発生する現象で、内部導体間に直流電界が印加
されると、その電界強度に応じて、あるいは高温高湿環
境によって、導体金属が移動し、最終的にショート不良
に至るものである。この現象は、内部導体に銀を用いる
場合に顕著であるが、単回路のインダクタにおいては、
導体のいずれの部分においてもほとんど電位が同一であ
るためマイグレーション現象は起らないので特に問題と
されることはない。
【０００６】これに対し、アレイの場合は、回路間に電
位差を生じた場合でもショートを起さないことが要求さ
れるため、マイグレーションが重要な問題として顕在化
される。このようなマイグレーション現象については、
これまでのようにチップサイズが３２１６形状以上の場
合は、電極間に十分な間隔を確保することが可能なた
め、電界強度は弱く、またショートを生じる距離には達
しなかったが、２０１０形状以下のチップサイズのもの
については、隣接する導体同士の間隔が１００μｍ程度
になるためショート不良が発生するのを免れない。
位差を生じた場合でもショートを起さないことが要求さ
れるため、マイグレーションが重要な問題として顕在化
される。このようなマイグレーション現象については、
これまでのようにチップサイズが３２１６形状以上の場
合は、電極間に十分な間隔を確保することが可能なた
め、電界強度は弱く、またショートを生じる距離には達
しなかったが、２０１０形状以下のチップサイズのもの
については、隣接する導体同士の間隔が１００μｍ程度
になるためショート不良が発生するのを免れない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、２０１０形
状以下の微小なチップインダクタアレイに内蔵させた場
合においても、内部導体のマイグレーションによるショ
ート不良を生じることがなく、しかも品質、特性の優れ
たフェライトインダクタを提供することを目的としてな
されたものである。
状以下の微小なチップインダクタアレイに内蔵させた場
合においても、内部導体のマイグレーションによるショ
ート不良を生じることがなく、しかも品質、特性の優れ
たフェライトインダクタを提供することを目的としてな
されたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フェライ
トインダクタの小型化に伴うショート不良を防止するた
めに鋭意研究を重ねた結果、フェライトシート中の塩素
含有量及び硫黄含有量を所定の範囲内に調整することに
より、マイグレーションによるショート不良を抑制しう
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至
った。
トインダクタの小型化に伴うショート不良を防止するた
めに鋭意研究を重ねた結果、フェライトシート中の塩素
含有量及び硫黄含有量を所定の範囲内に調整することに
より、マイグレーションによるショート不良を抑制しう
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至
った。
【０００９】すなわち、本発明は、Ｕ字形状の銀導体パ
ターンを印刷したフェライトシートの複数層を、隣接シ
ート上の銀導体パターンのＵ字形状が互いに対向するよ
うに重ね合わせ、かつ銀導体印刷パターンをフェライト
シートに穿設したスルーホールを介して電気的に連通さ
せて焼結したコイル状構造積層体からなり、かつ前記フ
ェライトシート中の塩素含有量が１００〜３００ｐｐ
ｍ、硫黄含有量が１０〜５０ｐｐｍの範囲に調整されて
いることを特徴とするフェライトインダクタを提供する
ものである。
ターンを印刷したフェライトシートの複数層を、隣接シ
ート上の銀導体パターンのＵ字形状が互いに対向するよ
うに重ね合わせ、かつ銀導体印刷パターンをフェライト
シートに穿設したスルーホールを介して電気的に連通さ
せて焼結したコイル状構造積層体からなり、かつ前記フ
ェライトシート中の塩素含有量が１００〜３００ｐｐ
ｍ、硫黄含有量が１０〜５０ｐｐｍの範囲に調整されて
いることを特徴とするフェライトインダクタを提供する
ものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】積層チップに用いるフェライト粉
体は、銀との同時焼成を行うために、銀の融点よりも低
い温度で焼結しうることが必要があり、通常ニッケル亜
鉛銅フェライトが用いられている。そして、このニッケ
ル亜鉛銅フェライトにおいては、酸化鉄の占める割合が
６０重量％以上と大きいため、不純物の多くは使用する
酸化鉄原料に由来するが、これまで汎用されていた酸化
鉄原料は、塩化鉄又は硫酸鉄の水溶液を噴霧焙焼して得
たものであるため、酸化鉄粉体中には不純物として塩素
分又は硫黄分が多く含まれている。
体は、銀との同時焼成を行うために、銀の融点よりも低
い温度で焼結しうることが必要があり、通常ニッケル亜
鉛銅フェライトが用いられている。そして、このニッケ
ル亜鉛銅フェライトにおいては、酸化鉄の占める割合が
６０重量％以上と大きいため、不純物の多くは使用する
酸化鉄原料に由来するが、これまで汎用されていた酸化
鉄原料は、塩化鉄又は硫酸鉄の水溶液を噴霧焙焼して得
たものであるため、酸化鉄粉体中には不純物として塩素
分又は硫黄分が多く含まれている。
【００１１】従来、この塩素及び硫黄については５００
ｐｐｍ程度まで減少させれば特に問題はないとされてい
たが、小型化されたフェライトチップインダクタアレイ
においては、マイグレーション現象に起因するショート
不良が顕在化し、より純度の高い水準で不純物すなわち
塩素と硫黄の量を制御する必要を生じた。
ｐｐｍ程度まで減少させれば特に問題はないとされてい
たが、小型化されたフェライトチップインダクタアレイ
においては、マイグレーション現象に起因するショート
不良が顕在化し、より純度の高い水準で不純物すなわち
塩素と硫黄の量を制御する必要を生じた。
【００１２】したがって、本発明においては、フェライ
トインダクタのフェライト中の塩素含有量を１００〜３
００ｐｐｍ、好ましくは１２０〜２００ｐｐｍ、硫黄含
有量を１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１５〜３０ｐｐｍ
の範囲に調整することが必要である。これまで、フェラ
イトインダクタにおいては、フェライト中の塩素含有量
及び硫黄含有量はいずれも５００ｐｐｍ程度にすれば十
分使用可能であるとされていたところ、さらに減少させ
て上記の範囲内に調整すれば銀導体パターンのマイグレ
ーションが効果的に抑制しうることが見出されたのは、
全く予想外であった。
トインダクタのフェライト中の塩素含有量を１００〜３
００ｐｐｍ、好ましくは１２０〜２００ｐｐｍ、硫黄含
有量を１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１５〜３０ｐｐｍ
の範囲に調整することが必要である。これまで、フェラ
イトインダクタにおいては、フェライト中の塩素含有量
及び硫黄含有量はいずれも５００ｐｐｍ程度にすれば十
分使用可能であるとされていたところ、さらに減少させ
て上記の範囲内に調整すれば銀導体パターンのマイグレ
ーションが効果的に抑制しうることが見出されたのは、
全く予想外であった。
【００１３】次に、本発明のフェライトインダクタの製
造方法を、図２の工程図に従って説明する。すなわち、
本発明方法に従えば、先ず、フェライト粉末又はフェラ
イト形成用原料混合粉末を、バインダー、有機溶剤と混
合してスラリーを調製し、これをポリエチレンテレフタ
レートフィルムのようなプラスチックフィルム上に、例
えばドクターブレード法によって塗布し、乾燥すること
によってフェライトグリーンシートを作製する。
造方法を、図２の工程図に従って説明する。すなわち、
本発明方法に従えば、先ず、フェライト粉末又はフェラ
イト形成用原料混合粉末を、バインダー、有機溶剤と混
合してスラリーを調製し、これをポリエチレンテレフタ
レートフィルムのようなプラスチックフィルム上に、例
えばドクターブレード法によって塗布し、乾燥すること
によってフェライトグリーンシートを作製する。
【００１４】次に、このフェライトグリーンシートに機
械的パンチ加工、レーザ加工などによりスルーホールを
穿設したのち、これに銀ペーストをスクリーン印刷して
内部導体の導体パターンを形成させると同時にフェライ
トグリーンシート間を電気的に接続させるためのスルー
ホールにペーストを充填させる。
械的パンチ加工、レーザ加工などによりスルーホールを
穿設したのち、これに銀ペーストをスクリーン印刷して
内部導体の導体パターンを形成させると同時にフェライ
トグリーンシート間を電気的に接続させるためのスルー
ホールにペーストを充填させる。
【００１５】次いで、このようにして得た印刷フェライ
トグリーンシートを隣接シート上の銀導体パターンのＵ
字形状が互いに対向するように、１枚おきに向きを変え
て順に積層し、加熱圧着したのち、所望の寸法に裁断し
チップ形状とする。次にこのようにして得たグリーンチ
ップに対し、脱バインダー、続いて焼成のための熱処理
を施し、焼結体を形成させる。
トグリーンシートを隣接シート上の銀導体パターンのＵ
字形状が互いに対向するように、１枚おきに向きを変え
て順に積層し、加熱圧着したのち、所望の寸法に裁断し
チップ形状とする。次にこのようにして得たグリーンチ
ップに対し、脱バインダー、続いて焼成のための熱処理
を施し、焼結体を形成させる。
【００１６】焼結処理後、得られたチップを研磨し、銀
のような金属のペーストを所定の部分に塗布し、焼き付
け処理することにより外部電極を形成する。次いで、こ
の外部電極に電解めっき、蒸着などにより被覆処理を施
こせば、フェライト内にコイルを内蔵したチップインダ
クタを製造することができる。
のような金属のペーストを所定の部分に塗布し、焼き付
け処理することにより外部電極を形成する。次いで、こ
の外部電極に電解めっき、蒸着などにより被覆処理を施
こせば、フェライト内にコイルを内蔵したチップインダ
クタを製造することができる。
【００１７】このようなチップインダクタを複数回路内
蔵させれば前記した図１に示すようなチップインダクタ
アレイが得られる。
蔵させれば前記した図１に示すようなチップインダクタ
アレイが得られる。
【００１８】この方法においてフェライトシートは、最
終的に塩素含有量１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量１
０〜５０ｐｐｍの範囲になるように、フェライト形成用
原料粉末を選択して製造されなければならない。すなわ
ち、フェライト形成用原料としては、通常、鉄、ニッケ
ル、銅、亜鉛などの金属の酸化物の粉末が用いられる
が、これらの酸化物粉末中に上記の範囲以上の塩素や硫
黄が含まれている場合は、純水で洗浄して、過剰分を除
く必要があるし、またこの範囲よりも塩素や硫黄の含有
量が少ない場合には、純水で希釈した塩酸及び硫酸で処
理して含有量を増加させる必要がある。塩素含有量が１
００ｐｐｍよりも少なくなるとフェライト焼結体の粒成
長が急速に進行する結果、素子の周波数特性が変化し、
本来の機能が消失するし、また３００ｐｐｍを超えると
フェライト磁器の焼結性が低下し、マイグレーションに
よるショート不良を誘発する。したがって、マイグレー
ションへの影響と特性とを勘案すると塩素含有量は１０
０〜３００ｐｐｍ、好ましくは１２０〜２００ｐｐｍが
適性範囲となる。
終的に塩素含有量１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量１
０〜５０ｐｐｍの範囲になるように、フェライト形成用
原料粉末を選択して製造されなければならない。すなわ
ち、フェライト形成用原料としては、通常、鉄、ニッケ
ル、銅、亜鉛などの金属の酸化物の粉末が用いられる
が、これらの酸化物粉末中に上記の範囲以上の塩素や硫
黄が含まれている場合は、純水で洗浄して、過剰分を除
く必要があるし、またこの範囲よりも塩素や硫黄の含有
量が少ない場合には、純水で希釈した塩酸及び硫酸で処
理して含有量を増加させる必要がある。塩素含有量が１
００ｐｐｍよりも少なくなるとフェライト焼結体の粒成
長が急速に進行する結果、素子の周波数特性が変化し、
本来の機能が消失するし、また３００ｐｐｍを超えると
フェライト磁器の焼結性が低下し、マイグレーションに
よるショート不良を誘発する。したがって、マイグレー
ションへの影響と特性とを勘案すると塩素含有量は１０
０〜３００ｐｐｍ、好ましくは１２０〜２００ｐｐｍが
適性範囲となる。
【００１９】一方、硫黄含有量が１０ｐｐｍよりも少な
い場合は、フェライト磁器の焼結性が低下して、むしろ
マイグレーションを助長する傾向があるし、また５０ｐ
ｐｍを越えると内部導体の銀の拡散が著しくなり、マイ
グレーション現象が発生しやすい。したがって、マイグ
レーションへの影響を考慮すれば硫黄含有量の適性範囲
は１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１５〜３０ｐｐｍであ
る。
い場合は、フェライト磁器の焼結性が低下して、むしろ
マイグレーションを助長する傾向があるし、また５０ｐ
ｐｍを越えると内部導体の銀の拡散が著しくなり、マイ
グレーション現象が発生しやすい。したがって、マイグ
レーションへの影響を考慮すれば硫黄含有量の適性範囲
は１０〜５０ｐｐｍ、好ましくは１５〜３０ｐｐｍであ
る。
【００２０】一般にマイグレーションは高温、高湿、電
界加速の条件下で顕著に現われる。そして、フェライト
積層素子においては、フェライト磁器素体中を電界によ
って銀が移動することを意味する。また、高湿条件でマ
イグレーションが加速されることから、水蒸気が関与す
ること、すなわちフェライト素体中の気孔のようなち密
化を妨げる要因が関係していると考えられる。そして、
塩素や硫黄の存在量がマイグレーションと関係している
原因の１つはこの焼結性にある。また、硫黄の存在量は
銀導体の拡散量に影響を及ぼし、銀の拡散現象がマイグ
レーションを助長する。これらのことから、マイグレー
ションによるショート不良に対しては、塩素、硫黄の含
有量を適宜制御することによって抑制効果を示すことが
分かる。
界加速の条件下で顕著に現われる。そして、フェライト
積層素子においては、フェライト磁器素体中を電界によ
って銀が移動することを意味する。また、高湿条件でマ
イグレーションが加速されることから、水蒸気が関与す
ること、すなわちフェライト素体中の気孔のようなち密
化を妨げる要因が関係していると考えられる。そして、
塩素や硫黄の存在量がマイグレーションと関係している
原因の１つはこの焼結性にある。また、硫黄の存在量は
銀導体の拡散量に影響を及ぼし、銀の拡散現象がマイグ
レーションを助長する。これらのことから、マイグレー
ションによるショート不良に対しては、塩素、硫黄の含
有量を適宜制御することによって抑制効果を示すことが
分かる。
【００２１】
【実施例】次に実施例によって本発明をさらに詳細に説
明する。なお、各例中のマイグレーション発生数は次の
ようにして測定した。
明する。なお、各例中のマイグレーション発生数は次の
ようにして測定した。
【００２２】（１）マイグレーション発生数 ；チップ
１００個を温度８５℃、湿度８５％の環境下におき、チ
ャンネル間に電圧２０Ｖを印加し、５００時間後の各チ
ャンネル間の絶縁抵抗を測定し、１０ｋΩ以下のチップ
の個数により示した。
１００個を温度８５℃、湿度８５％の環境下におき、チ
ャンネル間に電圧２０Ｖを印加し、５００時間後の各チ
ャンネル間の絶縁抵抗を測定し、１０ｋΩ以下のチップ
の個数により示した。
【００２３】参考例 酸化第一鉄粉末４９．５モル％、酸化第一ニッケル粉末
１４．５モル％、酸化第一銅粉末１５モル％及び酸化亜
鉛粉末２１モル％を純水とともにボールミルで混合した
のち、乾燥し、７２０℃で４時間熱処理することによ
り、スピネル型結晶構造をもつフェライトを製造した。
次いでこのフェライトを粉砕して比表面積約７ｃｍ2／
ｇの粉末とした。
１４．５モル％、酸化第一銅粉末１５モル％及び酸化亜
鉛粉末２１モル％を純水とともにボールミルで混合した
のち、乾燥し、７２０℃で４時間熱処理することによ
り、スピネル型結晶構造をもつフェライトを製造した。
次いでこのフェライトを粉砕して比表面積約７ｃｍ2／
ｇの粉末とした。
【００２４】この粉末は、シート工法のフェライト材料
としては十分に微細であり、特に粉砕を追加する必要の
ないものであった。この粉末に、純水で希釈した塩酸及
び硫酸を混合し、それぞれ含有量を５００ｐｐｍとし
た。十分に混合したのち、乾燥し、シート工法用のフェ
ライト粉末を得た。このフェライト粉末１００重量部に
エチルアルコールとトルエンとキシレンの混合物（１：
１：１）１００重量部及びブチラール樹脂５重量部を加
えてスラリーを調製し、これをドクターブレード法によ
りポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、乾
燥することにより、厚さ２０μｍのフェライトグリーン
シートを得た。
としては十分に微細であり、特に粉砕を追加する必要の
ないものであった。この粉末に、純水で希釈した塩酸及
び硫酸を混合し、それぞれ含有量を５００ｐｐｍとし
た。十分に混合したのち、乾燥し、シート工法用のフェ
ライト粉末を得た。このフェライト粉末１００重量部に
エチルアルコールとトルエンとキシレンの混合物（１：
１：１）１００重量部及びブチラール樹脂５重量部を加
えてスラリーを調製し、これをドクターブレード法によ
りポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、乾
燥することにより、厚さ２０μｍのフェライトグリーン
シートを得た。
【００２５】次いで、レーザ加工で直径８０μｍのスル
ーホールを形成し、このシートに内部導体に相当する銀
導体ペーストをスクリーン印刷した。設定したチップサ
イズは２０１０、３２１６で印刷乾燥時の導体の膜厚は
約１０μｍであった。導体を印刷したシートを所定の順
で積み重ね、５０℃、８００ｋｇ／ｃｍ2の圧力の下で
圧着したのち、裁断し、脱バインダー処理、２時間の焼
成工程を経て、端子電極を形成し、フェライトチップイ
ンダクタアレイを得た。このチップの焼成体において
は、フェライト層厚は１５μｍ、電極厚は８μｍであっ
た。これらのチップについて、マイグレーションの影響
を調べ、その結果を表１に示す。
ーホールを形成し、このシートに内部導体に相当する銀
導体ペーストをスクリーン印刷した。設定したチップサ
イズは２０１０、３２１６で印刷乾燥時の導体の膜厚は
約１０μｍであった。導体を印刷したシートを所定の順
で積み重ね、５０℃、８００ｋｇ／ｃｍ2の圧力の下で
圧着したのち、裁断し、脱バインダー処理、２時間の焼
成工程を経て、端子電極を形成し、フェライトチップイ
ンダクタアレイを得た。このチップの焼成体において
は、フェライト層厚は１５μｍ、電極厚は８μｍであっ
た。これらのチップについて、マイグレーションの影響
を調べ、その結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】この表から分かるように、３２１６サイズ
のチップにおいては、マイグレーションによる劣化が見
られなかったが、２０１０サイズのものではマイグレー
ション不良が頻発した。このときの形状は、図３に示す
ように相似形に内部導体構造を対応させ、形状以外の因
子をなるべく排除できるようにした。チャンネル間の間
隔が十分にとれる３２１６サイズ以上のものの場合に
は、従来技術で耐マイグレーションが十分であり、２０
１０サイズ以下のものでは改善が必要であることを示
す。
のチップにおいては、マイグレーションによる劣化が見
られなかったが、２０１０サイズのものではマイグレー
ション不良が頻発した。このときの形状は、図３に示す
ように相似形に内部導体構造を対応させ、形状以外の因
子をなるべく排除できるようにした。チャンネル間の間
隔が十分にとれる３２１６サイズ以上のものの場合に
は、従来技術で耐マイグレーションが十分であり、２０
１０サイズ以下のものでは改善が必要であることを示
す。
【００２８】実施例１〜８、比較例１〜６ 参考例における塩素及び硫黄含有量が各５００ｐｐｍの
フェライトに代えて、表２に示す塩素及び硫黄含有量の
フェライトを用い、参考例と同様にして２０１０サイズ
の４回路型フェライトインダクタアレイを製造した。こ
れらのマイグレーション発生数及び状態を表２に示す。
フェライトに代えて、表２に示す塩素及び硫黄含有量の
フェライトを用い、参考例と同様にして２０１０サイズ
の４回路型フェライトインダクタアレイを製造した。こ
れらのマイグレーション発生数及び状態を表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、マイグレーションによ
る不良品のない、品質、特性のよいフェライトインダク
タが得られる。
る不良品のない、品質、特性のよいフェライトインダク
タが得られる。
【図１】 フェライトインダクタアレイの斜視図。
【図２】 本発明方法の工程図。
【図３】 実施例で用いたフェライトインダクタアレイ
の平面図。
の平面図。
１，２ パターン ３ スルーホール ４ フェライト
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E041 AB01 AB19 BB04 BD01 CA01 CA10 HB15 NN02 5E070 AA01 AB02 AB10 BA12 CB02 CB13
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｕ字形状の銀導体パターンを印刷したフ
ェライトシートの複数層を、隣接シート上の銀導体パタ
ーンのＵ字形状が互いに対向するように重ね合わせ、か
つ銀導体印刷パターンをフェライトシートに穿設したス
ルーホールを介して電気的に連通させて焼結したコイル
状構造積層体からなり、かつ前記フェライトシート中の
塩素含有量が１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量が１０
〜５０ｐｐｍの範囲に調整されていることを特徴とする
フェライトインダクタ。 - 【請求項２】 フェライトグリーンシートにスルーホー
ルを穿設したのち、銀導体ペーストをスクリーン印刷し
て導体パターンを形成させると同時にスルーホールに導
体ペーストを充填し、次いでこの印刷されたフェライト
グリーンシートを複数層積層し、加熱圧着後、任意の寸
法に裁断してチップ形状とし、焼結処理を施してコイル
状内部導体を有するフェライト構造体を形成するに当た
り、前記フェライトグリーンシートの製造原料を、塩素
含有量が１００〜３００ｐｐｍ、硫黄含有量が１０〜５
０ｐｐｍの範囲のフェライトを生成するように調製する
ことを特徴とするフェライトインダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356811A JP2000182832A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | フェライトインダクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356811A JP2000182832A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | フェライトインダクタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182832A true JP2000182832A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18450899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10356811A Withdrawn JP2000182832A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | フェライトインダクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016013339A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品 |
| US10242764B2 (en) | 2013-07-29 | 2019-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Internal electrode paste |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP10356811A patent/JP2000182832A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10242764B2 (en) | 2013-07-29 | 2019-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Internal electrode paste |
| JPWO2016013339A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 積層コイル部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3610191B2 (ja) | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 | |
| US6489875B1 (en) | Multi-layer ferrite chip inductor array and manufacturing method thereof | |
| KR100465140B1 (ko) | 적층 콘덴서 | |
| JP3509058B2 (ja) | 積層フェライトチップインダクタアレイ | |
| JP3874041B2 (ja) | Ｃｒ複合電子部品とその製造方法 | |
| US5871840A (en) | Nickel powder containing a composite oxide of La and Ni and process for preparing the same | |
| EP1219577B1 (en) | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same | |
| JP4135443B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3838845B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001230148A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP2000182832A (ja) | フェライトインダクタ及びその製造方法 | |
| JP2004179349A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| WO2011148787A1 (ja) | 積層型インダクタおよびその製造方法 | |
| JP2000091152A (ja) | 積層電子部品とその製造方法 | |
| JP3934983B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP3645046B2 (ja) | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 | |
| JP2004022798A (ja) | 積層型インピーダンス素子、及びその製造方法 | |
| JP3822714B2 (ja) | Ｃｒ複合電子部品およびその製造方法 | |
| JP2000182833A (ja) | 積層フェライトチップインダクタ及びその製造方法 | |
| JP2000294423A (ja) | 積層フェライトインダクタデバイス及びその製造方法 | |
| JP2001284162A (ja) | 導電性ペーストおよび積層型電子部品並びにその製法 | |
| JPH02109202A (ja) | セラミックインダクタ部品およびセラミックｌｃ部品 | |
| JP3141669B2 (ja) | 銀・パラジウム粉末の製造方法 | |
| JPH08148363A (ja) | 積層インダクタの製造方法 | |
| JPS61144813A (ja) | 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060307 |