JP3531794B2 - セラミック電子部品の端子電極形成方法 - Google Patents
セラミック電子部品の端子電極形成方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Description
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品のための端子電極形成方法に関する。
品のための端子電極形成方法に関する。
【従来の技術】内部電極を有するセラミック電子部品、
例えば、積層セラミックチップコンデンサの製造に当た
っては、グリーンシート基板に、内部電極層と、セラミ
ック誘電体層とを、必要数だけ交互に印刷塗布してグリ
ーンシート積層体を構成する。内部電極材料としては、
コストダウン等の要請から、貴金属に代えて、ニッケル
等の卑金属が用いられるようになっている。次に、グリ
ーンシート積層体を、個々の電子部品素子に切断した
後、焼成する。次に、焼成されたセラミック素体の両端
に、導電成分及び有機バイダを含む塗料を塗布し、焼き
付けることにより、内部電極の断層面と、電気的接続す
る銅端子電極を形成する。導電成分としては、例えば、
銅粉等が主に用いられる。この後、バレルメッキ装置等
で、この端子電極上にニッケル電解メッキ層、錫（Ｓ
ｎ）もしくはその合金電解メッキ層を形成する。電解メ
ッキ層としては、例えば、ニッケルまたは錫（Ｓｎ）も
しくはその合金が用いられる。端子電極の約付けに当た
っては、内部電極の断層面が酸化して端子電極と導通不
良が生じないように、窒素（Ｎ2）雰囲気中或いは中性
雰囲気中で、７００℃〜９００℃の温度範囲にて焼付し
ていた。上述のように、端子電極の焼付が、酸素
（Ｏ2）の不足した窒素（Ｎ2）雰囲気中、或いは中性雰
囲気中で行われるため、端子電極に含まれる有機バイン
ダが完全焼却されず、残留カーボン（Ｃ）として残る。
この残留カーボン（Ｃ）は、焼付の際の高温度で、セラ
ミック素体に還元作用を誘起し、セラミック素体の寿命
劣化を起こす要因となる。しかも、残留カーボン（Ｃ）
は、銅端子電極の焼結を阻害し、後で形成される電解メ
ッキ層の剥離を起こす要因となる。
例えば、積層セラミックチップコンデンサの製造に当た
っては、グリーンシート基板に、内部電極層と、セラミ
ック誘電体層とを、必要数だけ交互に印刷塗布してグリ
ーンシート積層体を構成する。内部電極材料としては、
コストダウン等の要請から、貴金属に代えて、ニッケル
等の卑金属が用いられるようになっている。次に、グリ
ーンシート積層体を、個々の電子部品素子に切断した
後、焼成する。次に、焼成されたセラミック素体の両端
に、導電成分及び有機バイダを含む塗料を塗布し、焼き
付けることにより、内部電極の断層面と、電気的接続す
る銅端子電極を形成する。導電成分としては、例えば、
銅粉等が主に用いられる。この後、バレルメッキ装置等
で、この端子電極上にニッケル電解メッキ層、錫（Ｓ
ｎ）もしくはその合金電解メッキ層を形成する。電解メ
ッキ層としては、例えば、ニッケルまたは錫（Ｓｎ）も
しくはその合金が用いられる。端子電極の約付けに当た
っては、内部電極の断層面が酸化して端子電極と導通不
良が生じないように、窒素（Ｎ2）雰囲気中或いは中性
雰囲気中で、７００℃〜９００℃の温度範囲にて焼付し
ていた。上述のように、端子電極の焼付が、酸素
（Ｏ2）の不足した窒素（Ｎ2）雰囲気中、或いは中性雰
囲気中で行われるため、端子電極に含まれる有機バイン
ダが完全焼却されず、残留カーボン（Ｃ）として残る。
この残留カーボン（Ｃ）は、焼付の際の高温度で、セラ
ミック素体に還元作用を誘起し、セラミック素体の寿命
劣化を起こす要因となる。しかも、残留カーボン（Ｃ）
は、銅端子電極の焼結を阻害し、後で形成される電解メ
ッキ層の剥離を起こす要因となる。
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、残留
カーボンによる焼成阻害及びセラミック素体の寿命劣化
を防止することの可能なセラミック電子部品のための端
子電極形成方法を提供することである。
カーボンによる焼成阻害及びセラミック素体の寿命劣化
を防止することの可能なセラミック電子部品のための端
子電極形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る端子電極形成方法の適用される セ
ラミック電子部品は、セラミック基体と、少なくとも１
つの端子電極とを含む。前記セラミック基体は内部に埋
設された少なくとも１の内部電極を含み、前記端子電極
は前記セラミック基体の端部に形成され、前記内部電極
と導通し、かつ、外部との接続部分として用いられる。
このセラミック電子部品のための端子電極を形成する本
発明に係る端子電極形成方法は、次の工程を含む。ま
ず、内部電極を有するセラミック基体の端部に、金属粉
を主成分とする導電成分と、有機バインダとを含む塗料
を塗布する（端子電極塗布工程と称する）。次に、塗布
された塗膜に含まれる前記有機バインダを除去するため
の熱処理を行う（脱バインダ工程と称する）。次に、還
元雰囲気中で前記塗膜中の前記導電成分を還元処理する
（還元工程と称する）。その後、中性雰囲気中で熱処理
して焼き付ける（焼き付け工程を称する）。上述したよ
うに、本発明に係る端子電極形成方法では、内部電極を
有するセラミック基体の端部に、導電成分と、有機バイ
ンダとを含む塗料を塗布した後、塗布された塗膜に含ま
れる前記有機バインダを除去するための熱処理を行う工
程を含むので、有機成分のバインダを充分に燃焼させる
ことができる。このため、残留カーボンによる焼成阻害
及び積層セラミック素体の寿命劣化を防止することがで
きる。この後、還元雰囲気中で還元処理する。この工程
によれば、脱バインダ工程で酸化した導電成分を還元す
ることができる。この後、中性雰囲気中で熱処理して焼
き付けるので、電気的特性に優れた緻密な構造の端子電
極を得ることができる。本発明の適用されるセラミック
電子部品の代表例は、積層セラミックコンデンサである
が、内部電極に接続する端子電極を有するセラミック電
子部品であれば、広く適用できる。例として、他のタイ
プのチップコンデンサ、インダクタ、抵抗、受動回路素
子のネットワークである混成集積回路等を挙げることが
できる。 本発明は、更に、脱バインダ工程、還元工程
及び焼き付け工程における好ましい温度条件、並びに、
還元工程における好ましい還元雰囲気の具体例について
も開示する。本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例を挙げて、更に詳細に説明する。
ため、本発明に係る端子電極形成方法の適用される セ
ラミック電子部品は、セラミック基体と、少なくとも１
つの端子電極とを含む。前記セラミック基体は内部に埋
設された少なくとも１の内部電極を含み、前記端子電極
は前記セラミック基体の端部に形成され、前記内部電極
と導通し、かつ、外部との接続部分として用いられる。
このセラミック電子部品のための端子電極を形成する本
発明に係る端子電極形成方法は、次の工程を含む。ま
ず、内部電極を有するセラミック基体の端部に、金属粉
を主成分とする導電成分と、有機バインダとを含む塗料
を塗布する（端子電極塗布工程と称する）。次に、塗布
された塗膜に含まれる前記有機バインダを除去するため
の熱処理を行う（脱バインダ工程と称する）。次に、還
元雰囲気中で前記塗膜中の前記導電成分を還元処理する
（還元工程と称する）。その後、中性雰囲気中で熱処理
して焼き付ける（焼き付け工程を称する）。上述したよ
うに、本発明に係る端子電極形成方法では、内部電極を
有するセラミック基体の端部に、導電成分と、有機バイ
ンダとを含む塗料を塗布した後、塗布された塗膜に含ま
れる前記有機バインダを除去するための熱処理を行う工
程を含むので、有機成分のバインダを充分に燃焼させる
ことができる。このため、残留カーボンによる焼成阻害
及び積層セラミック素体の寿命劣化を防止することがで
きる。この後、還元雰囲気中で還元処理する。この工程
によれば、脱バインダ工程で酸化した導電成分を還元す
ることができる。この後、中性雰囲気中で熱処理して焼
き付けるので、電気的特性に優れた緻密な構造の端子電
極を得ることができる。本発明の適用されるセラミック
電子部品の代表例は、積層セラミックコンデンサである
が、内部電極に接続する端子電極を有するセラミック電
子部品であれば、広く適用できる。例として、他のタイ
プのチップコンデンサ、インダクタ、抵抗、受動回路素
子のネットワークである混成集積回路等を挙げることが
できる。 本発明は、更に、脱バインダ工程、還元工程
及び焼き付け工程における好ましい温度条件、並びに、
還元工程における好ましい還元雰囲気の具体例について
も開示する。本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例を挙げて、更に詳細に説明する。
【発明の実施の形態】図１は本発明の適用されるセラミ
ック電子部品の一例を示す平面図、図２は図１の２ー２
線に沿った断面図である。図示実施例は、積層セラミッ
クコンデンサを示している。図示するように、本発明に
係る端子電極形成方法の適用されるセラミック電子部品
は、セラミック基体１と、少なくとも１つの端子電極２
とを含む。セラミック基体１は内部に埋設された少なく
とも１の内部電極３を含む。セラミック基体１は、得よ
うとするセラミック電子部品の特性に応じて選択され
る。セラミック基体１は、例えば、セラミックコンデン
サの場合は誘電体セラミックスであり、インダクタの場
合はフェライト磁性体や絶縁性複合磁性体であり、混成
集積回路部品等では上述したセラミックス材料を積層し
た構造となる。実施例は、積層セラミックコンデンサを
示しているので、セラミック基体１は誘電体セラミック
スでなる。また、内部電極３は誘電体セラミック層を介
して対向する複数の電極として構成されている。端子電
極２はセラミック基体１の端部に形成され、内部電極３
と導通し、かつ、外部との接続部分として用いられる。
図３は本発明に係る端子電極形成方法に含まれる工程
のフローチャートである。本発明に係る端子電極形成方
法は、端子電極塗布工程、脱バインダ工程、還元工程及
び焼き付け工程を含んでいる。実施例では、端子電極塗
布工程と、脱バインダ工程との間に、乾燥工程が備えら
れている。まず、端子電極塗布工程では、内部電極３を
有するセラミック基体１の端部に、金属粉を主成分とす
る導電成分と、有機バインダとを含む塗料を塗布する。
図４は端子電極塗布工程前の電子部品素子を示し、図５
は端子電極塗布工程後の断面図を示す。図４の状態で
は、内部電極３を埋設したセラミック基体１は、既に焼
成されている。内部電極３は、コストダウンの観点か
ら、ニッケルを用いることができる。塗料は、導電成分
及び有機バインダの他に、有機溶剤等も含む。導電成分
は、好ましくは、コストが比較的安価で、電気抵抗の低
い銅粉を用いる。塗布手段としては、ロールコータ法等
を用いることができる。次に、脱バインダ工程におい
て、塗布された塗膜２に含まれる有機バインダを除去す
るための熱処理を行う。この脱バインダ工程により、有
機成分であるバインダを充分に燃焼させることができ
る。このため、残留カーボンによる焼成阻害及び積層セ
ラミック素体の寿命劣化を防止することができる。空気
中での脱バインダ温度の最適温度は、３００℃〜６００
℃である。３００℃未満の温度では、有機バインダが充
分に燃焼せず、カーボンとして残り、端子電極２の焼結
性に悪影響を与える。６００℃を超える温度では、銅成
分が過酸化状態となり、生成する酸化銅（ＣｕＯ）を次
工程で還元しきれず、容量特性にバラツキを生じる。脱
バイ処理時間は、例えば、６０分である。次に、還元工
程において、図５に示されたセラミック電子部品素子
を、還元雰囲気中におき、還元処理する。この還元工程
によれば、脱バインダ工程で酸化した銅を還元すること
ができる。還元処理の好ましい温度条件は、３００℃〜
６００℃の範囲である。３００℃未満の温度では、脱バ
インダ工程において生じた酸化銅を還元しきれず、容量
特性にバラツキが見られる。６００℃を超える温度で
は、誘電体セラミックスでなるセラミック基体１を部分
的に還元してしまうため、加速寿命が短縮される。還元
雰囲気は、好ましくは、窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）の混
合ガスを含む。特に、水素（Ｈ2）の濃度が１〜１０％
である混合ガスで、よい結果が得られる。次に、焼き付
け工程において、図５に示されたセラミック電子品素子
を、中性雰囲気中で熱処理して焼き付ける。この焼き付
け工程により、電気的特性に優れた緻密な構造の端子電
極２を得ることができる。焼付工程は、６００℃〜９０
０℃の温度範囲において、窒素（Ｎ2）ガス等の中性雰
囲気で処理される。焼き付け時間は、上述の温度条件で
は、例えば８０分程度である。図６は焼き付け工程を経
て得られたセラミック電子部品の断面図を示している。
この後、バレルメッキ装置等で、この端子電極２上にニ
ッケル電解メッキ層、Ｓｎもしくはその合金電解メッキ
層を形成する。次に、脱バインダ温度、還元温度、焼き
付け温度、還元水素濃度を変えて端子電極２を形成した
試料として、実施例１〜７及び比較例（従来例）１〜３
を準備し、各試料毎１０個について、残留カーボン量(P
Pm)及び加速寿命（２００℃、ＷＶ×４）を測定した。
結果を表１に示す。各試料は、長さ２．０mm、幅１．２
mm、高さ１．２mmの寸法を持ち、温度特性がＢ特性（Ｊ
ＩＳ規格）で、容量１μＦの積層セラミックコンデンサ
である。 表１から判るように、本発明の実施例１〜７は、従来例
である比較例１〜３に比べて、加速寿命のレベルが５〜
６倍のレベルにあり、良好な結果を得ることができた。
また、脱バインダ温度が３００℃〜６００℃の範囲の実
施例１〜７において、残留カーボン量が２０〜３５(pp
m)の低レベルにある。このことは、空気中での脱バイン
ダ温度の最適温度が、３００℃〜６００℃であることを
示している。３００℃未満の温度では、有機バインダが
充分に燃焼せず、カーボンとして残り、端子電極２の焼
結性に悪影響を与える。また、脱バインダ温度が６００
℃を超えると、銅成分が過酸化となり、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）を次工程の還元工程で、還元しきれず、容量特性に
バラツキが見られた。次に、還元雰囲気（Ｎ2とＨ2）の
還元温度の適正温度は、３００℃〜６００℃である。３
００℃未満の温度になると、酸化銅を還元しきれず、容
量特性にバラツキが見られる。６００℃を超える温度で
は、誘電体セラミックスでなるセラミック基体１を還元
してしまうため、加速寿命のダウンがみられる。還元雰
囲気（Ｎ2とＨ2）の水素（Ｈ2）濃度は、表１より、１
％〜１０％範囲が良好な結果が得られることが解った。
図７は実施例１によって得られたセラミック電子部品の
端子電極の表面顕微鏡写真、図８は同じくその断面顕微
鏡写真である。図９は比較例１によって得られたセラミ
ック電子部品の端子電極の表面顕微鏡写真、図１０は同
じくその断面顕微鏡写真である。比較例１は、図９、１
０に現れているように、端子電極が多孔（黒い部分）性
となり、綴密性を欠いている。これは、有機バインダが
充分に燃焼せず、カーボンが残留しているためと推測さ
れる。これに対して、本発明の実施例１の場合は、図
７、８に現れているように、極めて綴密性に富んでいる
ことが判る。本発明の適用されるセラミック電子部品の
代表例は、積層セラミックコンデンサであるが、内部電
極３に接続する端子電極２を有するセラミック電子部品
であれば、広く適用できることは、前述した通りであ
る。
ック電子部品の一例を示す平面図、図２は図１の２ー２
線に沿った断面図である。図示実施例は、積層セラミッ
クコンデンサを示している。図示するように、本発明に
係る端子電極形成方法の適用されるセラミック電子部品
は、セラミック基体１と、少なくとも１つの端子電極２
とを含む。セラミック基体１は内部に埋設された少なく
とも１の内部電極３を含む。セラミック基体１は、得よ
うとするセラミック電子部品の特性に応じて選択され
る。セラミック基体１は、例えば、セラミックコンデン
サの場合は誘電体セラミックスであり、インダクタの場
合はフェライト磁性体や絶縁性複合磁性体であり、混成
集積回路部品等では上述したセラミックス材料を積層し
た構造となる。実施例は、積層セラミックコンデンサを
示しているので、セラミック基体１は誘電体セラミック
スでなる。また、内部電極３は誘電体セラミック層を介
して対向する複数の電極として構成されている。端子電
極２はセラミック基体１の端部に形成され、内部電極３
と導通し、かつ、外部との接続部分として用いられる。
図３は本発明に係る端子電極形成方法に含まれる工程
のフローチャートである。本発明に係る端子電極形成方
法は、端子電極塗布工程、脱バインダ工程、還元工程及
び焼き付け工程を含んでいる。実施例では、端子電極塗
布工程と、脱バインダ工程との間に、乾燥工程が備えら
れている。まず、端子電極塗布工程では、内部電極３を
有するセラミック基体１の端部に、金属粉を主成分とす
る導電成分と、有機バインダとを含む塗料を塗布する。
図４は端子電極塗布工程前の電子部品素子を示し、図５
は端子電極塗布工程後の断面図を示す。図４の状態で
は、内部電極３を埋設したセラミック基体１は、既に焼
成されている。内部電極３は、コストダウンの観点か
ら、ニッケルを用いることができる。塗料は、導電成分
及び有機バインダの他に、有機溶剤等も含む。導電成分
は、好ましくは、コストが比較的安価で、電気抵抗の低
い銅粉を用いる。塗布手段としては、ロールコータ法等
を用いることができる。次に、脱バインダ工程におい
て、塗布された塗膜２に含まれる有機バインダを除去す
るための熱処理を行う。この脱バインダ工程により、有
機成分であるバインダを充分に燃焼させることができ
る。このため、残留カーボンによる焼成阻害及び積層セ
ラミック素体の寿命劣化を防止することができる。空気
中での脱バインダ温度の最適温度は、３００℃〜６００
℃である。３００℃未満の温度では、有機バインダが充
分に燃焼せず、カーボンとして残り、端子電極２の焼結
性に悪影響を与える。６００℃を超える温度では、銅成
分が過酸化状態となり、生成する酸化銅（ＣｕＯ）を次
工程で還元しきれず、容量特性にバラツキを生じる。脱
バイ処理時間は、例えば、６０分である。次に、還元工
程において、図５に示されたセラミック電子部品素子
を、還元雰囲気中におき、還元処理する。この還元工程
によれば、脱バインダ工程で酸化した銅を還元すること
ができる。還元処理の好ましい温度条件は、３００℃〜
６００℃の範囲である。３００℃未満の温度では、脱バ
インダ工程において生じた酸化銅を還元しきれず、容量
特性にバラツキが見られる。６００℃を超える温度で
は、誘電体セラミックスでなるセラミック基体１を部分
的に還元してしまうため、加速寿命が短縮される。還元
雰囲気は、好ましくは、窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）の混
合ガスを含む。特に、水素（Ｈ2）の濃度が１〜１０％
である混合ガスで、よい結果が得られる。次に、焼き付
け工程において、図５に示されたセラミック電子品素子
を、中性雰囲気中で熱処理して焼き付ける。この焼き付
け工程により、電気的特性に優れた緻密な構造の端子電
極２を得ることができる。焼付工程は、６００℃〜９０
０℃の温度範囲において、窒素（Ｎ2）ガス等の中性雰
囲気で処理される。焼き付け時間は、上述の温度条件で
は、例えば８０分程度である。図６は焼き付け工程を経
て得られたセラミック電子部品の断面図を示している。
この後、バレルメッキ装置等で、この端子電極２上にニ
ッケル電解メッキ層、Ｓｎもしくはその合金電解メッキ
層を形成する。次に、脱バインダ温度、還元温度、焼き
付け温度、還元水素濃度を変えて端子電極２を形成した
試料として、実施例１〜７及び比較例（従来例）１〜３
を準備し、各試料毎１０個について、残留カーボン量(P
Pm)及び加速寿命（２００℃、ＷＶ×４）を測定した。
結果を表１に示す。各試料は、長さ２．０mm、幅１．２
mm、高さ１．２mmの寸法を持ち、温度特性がＢ特性（Ｊ
ＩＳ規格）で、容量１μＦの積層セラミックコンデンサ
である。 表１から判るように、本発明の実施例１〜７は、従来例
である比較例１〜３に比べて、加速寿命のレベルが５〜
６倍のレベルにあり、良好な結果を得ることができた。
また、脱バインダ温度が３００℃〜６００℃の範囲の実
施例１〜７において、残留カーボン量が２０〜３５(pp
m)の低レベルにある。このことは、空気中での脱バイン
ダ温度の最適温度が、３００℃〜６００℃であることを
示している。３００℃未満の温度では、有機バインダが
充分に燃焼せず、カーボンとして残り、端子電極２の焼
結性に悪影響を与える。また、脱バインダ温度が６００
℃を超えると、銅成分が過酸化となり、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）を次工程の還元工程で、還元しきれず、容量特性に
バラツキが見られた。次に、還元雰囲気（Ｎ2とＨ2）の
還元温度の適正温度は、３００℃〜６００℃である。３
００℃未満の温度になると、酸化銅を還元しきれず、容
量特性にバラツキが見られる。６００℃を超える温度で
は、誘電体セラミックスでなるセラミック基体１を還元
してしまうため、加速寿命のダウンがみられる。還元雰
囲気（Ｎ2とＨ2）の水素（Ｈ2）濃度は、表１より、１
％〜１０％範囲が良好な結果が得られることが解った。
図７は実施例１によって得られたセラミック電子部品の
端子電極の表面顕微鏡写真、図８は同じくその断面顕微
鏡写真である。図９は比較例１によって得られたセラミ
ック電子部品の端子電極の表面顕微鏡写真、図１０は同
じくその断面顕微鏡写真である。比較例１は、図９、１
０に現れているように、端子電極が多孔（黒い部分）性
となり、綴密性を欠いている。これは、有機バインダが
充分に燃焼せず、カーボンが残留しているためと推測さ
れる。これに対して、本発明の実施例１の場合は、図
７、８に現れているように、極めて綴密性に富んでいる
ことが判る。本発明の適用されるセラミック電子部品の
代表例は、積層セラミックコンデンサであるが、内部電
極３に接続する端子電極２を有するセラミック電子部品
であれば、広く適用できることは、前述した通りであ
る。
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、残
留カーボンによる焼成阻害及びセラミック素体の寿命劣
化を防止することの可能な、セラミック電子部品のため
の端子電極形成方法を提供することができる。
留カーボンによる焼成阻害及びセラミック素体の寿命劣
化を防止することの可能な、セラミック電子部品のため
の端子電極形成方法を提供することができる。
【図１】本発明の適用されるセラミック電子部品の一例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１の２ー２線に沿った断面図である。
【図３】本発明に係る端子電極形成方法に含まれる工程
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図４】本発明に係る電極形成方法の適用されるセラミ
ック電子部品の断面図である。
ック電子部品の断面図である。
【図５】本発明に係る端子電極形成方法の一工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】図５に示した工程の後の工程を示す断面図であ
る。
る。
【図７】実施例１によって得られたセラミック電子部品
の端子電極の表面顕微鏡写真である。
の端子電極の表面顕微鏡写真である。
【図８】実施例１によって得られたセラミック電子部品
の端子電極の断面顕微鏡写真である。
の端子電極の断面顕微鏡写真である。
【図９】比較例１によって得られたセラミック電子部品
の端子電極の表面顕微鏡写真である。
の端子電極の表面顕微鏡写真である。
【図１０】比較例１によって得られたセラミック電子部
品の端子電極の断面顕微鏡写真である。
品の端子電極の断面顕微鏡写真である。
１ セラミック基体
２ 端子電極
３ 内部電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐々木 伸一
秋田県由利郡仁賀保町平沢字前田151
ティーディーケイエムシーシー株式会社
内
(56)参考文献 特開 平７−335477（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−299289（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−134842（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−163066（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−189385（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−3131（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/42
H01G 13/00
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック電子部品の端子電極形成方法
であって、前記セラミック電子部品は、セラミック基体
と、少なくとも１つの端子電極とを含み、前記セラミッ
ク基体は内部に埋設された少なくとも１の内部電極を含
み、前記端子電極は前記セラミック基体の端部に形成さ
れ、前記内部電極と導通し、かつ、外部との接続部分と
して用いられるものであり、 前記セラミック電子部品に前記端子電極を形成するに当
たり、焼結後の前記セラミック基体の端部に、銅粉を主
成分とする導電成分と、有機バインダとを含む塗料を塗
布し、 塗布された塗膜に含まれる前記有機バインダを除去する
ための熱処理を行い、 その後、還元雰囲気中で前記塗
膜中の前記導電成分を還元処理し、 その後、中性雰囲気中で熱処理して焼き付け、この後、バレルメッキ装置等で、前記端子電極上にニッ
ケル電解メッキ層、Ｓｎもしくはその合金電解メッキ層
を形成する工程を含み、 前記有機バインダを除去するための前記熱処理は、３０
０℃〜６００℃の温度条件で、空気中で行い、 前記還元処理は、３００℃〜６００℃の温度条件で行
い、 前記焼き付けは、６００℃〜７５０℃の温度条件で行う
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された方法であって、 前記セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサ
である方法。 - 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
方法であって、 前記内部電極は、ニッケルを主成分とする方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された方
法であって、 前記還元雰囲気は、窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）の混合ガ
スを含み、 水素（Ｈ2）濃度が１〜１０％である方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31142798A JP3531794B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | セラミック電子部品の端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31142798A JP3531794B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | セラミック電子部品の端子電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138128A JP2000138128A (ja) | 2000-05-16 |
| JP3531794B2 true JP3531794B2 (ja) | 2004-05-31 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP31142798A Expired - Fee Related JP3531794B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | セラミック電子部品の端子電極形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4568965B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2010-10-27 | パナソニック株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP4544387B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2010-09-15 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP31142798A patent/JP3531794B2/ja not_active Expired - Fee Related
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