JPH06140278A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH06140278A JPH06140278A JP30966392A JP30966392A JPH06140278A JP H06140278 A JPH06140278 A JP H06140278A JP 30966392 A JP30966392 A JP 30966392A JP 30966392 A JP30966392 A JP 30966392A JP H06140278 A JPH06140278 A JP H06140278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- external electrode
- outer electrode
- ceramic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 コンデンサのセラミック部と外部電極下地層
の間に空洞もなく、ち密かつ強固な層を形成させること
により、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のある構造の外
部電極下地層より成る外部電極を持つ積層セラミックコ
ンデンサを供給する。 【構成】 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成
において、積層セラミックコンデンサ素子２と最外層の
外部電極との間に形成する外部電極下地層８として、積
層セラミックコンデンサ素子２のセラミック部７と同一
組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％混合し
たガラス粉入り導電材を焼結することで、ガラス質とセ
ラミック粉による高密度な層を内部電極取出し部分と外
部電極下地層８との間に形成するよう構成して、積層セ
ラミックコンデンサの絶縁性の劣化を防止した、耐久性
のよい積層セラミックコンデンサを得る。
の間に空洞もなく、ち密かつ強固な層を形成させること
により、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のある構造の外
部電極下地層より成る外部電極を持つ積層セラミックコ
ンデンサを供給する。 【構成】 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成
において、積層セラミックコンデンサ素子２と最外層の
外部電極との間に形成する外部電極下地層８として、積
層セラミックコンデンサ素子２のセラミック部７と同一
組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％混合し
たガラス粉入り導電材を焼結することで、ガラス質とセ
ラミック粉による高密度な層を内部電極取出し部分と外
部電極下地層８との間に形成するよう構成して、積層セ
ラミックコンデンサの絶縁性の劣化を防止した、耐久性
のよい積層セラミックコンデンサを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサに係り、特にその外部電極の構造に関するものであ
る。
ンサに係り、特にその外部電極の構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の積層セラミックコンデン
サは対向電極構造となる様に、内部電極を印刷したセラ
ミックシートを積層し、熱圧着したものを焼成し、図２
に示す積層セラミックコンデンサ素子２を形成してい
た。外部電極の形成は、該積層セラミックコンデンサ素
子２の内部電極１と接合し、かつセラミック部７への十
分な固着力を持つよう、図３（ａ）に示すように、該積
層セラミックコンデンサ素子２の内部電極１の露出する
側面に、導電性のペースト等を塗布、焼付けする方法で
外部電極下地層３を形成していた。この外部電極下地層
３上に、さらに基板のプリント回路への安定した半田付
特性を持つように、外部電極最外層４をニッケルメッキ
層と半田メッキ層等とから成るメッキ電極層や、白金入
り銀ペースト等の焼付けによる焼付電極層を外部電極最
外層４として形成した構造のものが用いられていた。し
かし、図３に示すような、従来の方法で作成された外部
電極下地層３に外部電極最外層４を加工した積層セラミ
ックコンデンサでは、内部電極１の取出し部分と外部電
極下地層３との間に、図３（ｂ）に示す空洞６が発生
し、その為に外部からのメッキ液あるいは、水分の侵入
による侵食や、内部電極層のセラミック層へのマイグレ
ーション、又はセラミック粒侵食による絶縁不良等の不
具合を発生するという問題があった。
サは対向電極構造となる様に、内部電極を印刷したセラ
ミックシートを積層し、熱圧着したものを焼成し、図２
に示す積層セラミックコンデンサ素子２を形成してい
た。外部電極の形成は、該積層セラミックコンデンサ素
子２の内部電極１と接合し、かつセラミック部７への十
分な固着力を持つよう、図３（ａ）に示すように、該積
層セラミックコンデンサ素子２の内部電極１の露出する
側面に、導電性のペースト等を塗布、焼付けする方法で
外部電極下地層３を形成していた。この外部電極下地層
３上に、さらに基板のプリント回路への安定した半田付
特性を持つように、外部電極最外層４をニッケルメッキ
層と半田メッキ層等とから成るメッキ電極層や、白金入
り銀ペースト等の焼付けによる焼付電極層を外部電極最
外層４として形成した構造のものが用いられていた。し
かし、図３に示すような、従来の方法で作成された外部
電極下地層３に外部電極最外層４を加工した積層セラミ
ックコンデンサでは、内部電極１の取出し部分と外部電
極下地層３との間に、図３（ｂ）に示す空洞６が発生
し、その為に外部からのメッキ液あるいは、水分の侵入
による侵食や、内部電極層のセラミック層へのマイグレ
ーション、又はセラミック粒侵食による絶縁不良等の不
具合を発生するという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、これ
らの問題点を除去する為、外部電極下地層の構造を改
め、積層セラミックコンデンサのセラミック部と外部電
極下地層の間に空洞もなく、ち密かつ強固な層を形成さ
せることにより、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のある
構造の外部電極下地層より成る外部電極を持つ積層セラ
ミックコンデンサを供給することにある。
らの問題点を除去する為、外部電極下地層の構造を改
め、積層セラミックコンデンサのセラミック部と外部電
極下地層の間に空洞もなく、ち密かつ強固な層を形成さ
せることにより、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のある
構造の外部電極下地層より成る外部電極を持つ積層セラ
ミックコンデンサを供給することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層セラミッ
クコンデンサの外部電極の形成において、積層セラミッ
クコンデンサ素子と最外層の外部電極との間に形成する
外部電極下地層として、積層セラミックコンデンサ素子
のセラミック部と同一組成のセラミック粉末を５重量％
から２０重量％混合したガラス粉入り導電材を焼結する
ことで、ガラス質とセラミック粉による高密度な層を内
部電極取出し部分と外部電極下地層との間に形成するよ
う構成したもので、導電性を確保した状態で空洞発生を
無くし、メッキ液や水分等の外部からのセラミック内部
への侵入を防止することにより、積層セラミックコンデ
ンサの絶縁性の劣化を防止した、耐久性のよい積層セラ
ミックコンデンサを得ようとするものである。
クコンデンサの外部電極の形成において、積層セラミッ
クコンデンサ素子と最外層の外部電極との間に形成する
外部電極下地層として、積層セラミックコンデンサ素子
のセラミック部と同一組成のセラミック粉末を５重量％
から２０重量％混合したガラス粉入り導電材を焼結する
ことで、ガラス質とセラミック粉による高密度な層を内
部電極取出し部分と外部電極下地層との間に形成するよ
う構成したもので、導電性を確保した状態で空洞発生を
無くし、メッキ液や水分等の外部からのセラミック内部
への侵入を防止することにより、積層セラミックコンデ
ンサの絶縁性の劣化を防止した、耐久性のよい積層セラ
ミックコンデンサを得ようとするものである。
【０００５】即ち本発明は、積層セラミックコンデンサ
外部電極最外層と内部電極の間に外部電極下地層が形成
された構造の外部電極を有する積層セラミックコンデン
サにおいて、積層セラミックコンデンサのセラミック部
と同一組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％
の範囲で混合したガラス粉入り導電材を用いて外部電極
下地層を形成して成る外部電極を有することを特徴とす
る積層セラミックコンデンサである。
外部電極最外層と内部電極の間に外部電極下地層が形成
された構造の外部電極を有する積層セラミックコンデン
サにおいて、積層セラミックコンデンサのセラミック部
と同一組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％
の範囲で混合したガラス粉入り導電材を用いて外部電極
下地層を形成して成る外部電極を有することを特徴とす
る積層セラミックコンデンサである。
【０００６】
【作用】積層セラミックコンデンサ素子のセラミック部
と同一組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％
混合させたガラス粉入り導電材を積層セラミックコンデ
ンサ素子の内部電極取出し部分に外部電極下地層として
塗布焼付けすることにより、積層セラミックコンデンサ
素子の内部電極取出し部分と外部電極下地層の間にガラ
ス質とセラミック粉によるち密かつ空洞のない層が得ら
れ、絶縁不良の発生を抑え、耐久性を増した積層セラミ
ックコンデンサが得られる。
と同一組成のセラミック粉末を５重量％から２０重量％
混合させたガラス粉入り導電材を積層セラミックコンデ
ンサ素子の内部電極取出し部分に外部電極下地層として
塗布焼付けすることにより、積層セラミックコンデンサ
素子の内部電極取出し部分と外部電極下地層の間にガラ
ス質とセラミック粉によるち密かつ空洞のない層が得ら
れ、絶縁不良の発生を抑え、耐久性を増した積層セラミ
ックコンデンサが得られる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例について、図面および本発明
の積層セラミックコンデンサと、従来の外部電極構造積
層セラミックコンデンサを比較しながら説明する。図１
は、本発明の一実施例の積層セラミックコンデンサを示
し、図１（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正面断
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す積層セラミック
コンデンサの外部電極下地層の周辺を拡大して示す拡大
断面図。図２は、焼成上り積層セラミックコンデンサ素
子を示す外観斜視図。図３は、従来の積層セラミックコ
ンデンサを示し、図３（ａ）は、外部電極形成後の断面
を示す正面断面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す積
層セラミックコンデンサの外部電極下地層周辺を拡大し
て示す拡大断面図。図４は、本発明の実施例と、従来の
例の積層セラミックコンデンサの耐溶剤性試験のショー
ト不良発生状況を示す図である。
の積層セラミックコンデンサと、従来の外部電極構造積
層セラミックコンデンサを比較しながら説明する。図１
は、本発明の一実施例の積層セラミックコンデンサを示
し、図１（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正面断
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す積層セラミック
コンデンサの外部電極下地層の周辺を拡大して示す拡大
断面図。図２は、焼成上り積層セラミックコンデンサ素
子を示す外観斜視図。図３は、従来の積層セラミックコ
ンデンサを示し、図３（ａ）は、外部電極形成後の断面
を示す正面断面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す積
層セラミックコンデンサの外部電極下地層周辺を拡大し
て示す拡大断面図。図４は、本発明の実施例と、従来の
例の積層セラミックコンデンサの耐溶剤性試験のショー
ト不良発生状況を示す図である。
【０００８】用いた試料は鉛ペロブスカイト系セラミッ
クスコンデンサで、内部電極にはＡｇ−Ｐｄ系を用い
た。図２に示す形状の焼成上り積層セラミックコンデン
サ素子２に、図１（ａ）の断面図で示すように外部電極
下地層８を形成した。外部電極下地層用導電材として、
積層セラミックコンデンサ素子のセラミック部７と同一
組成のセラミック粉末を混合させたガラス粉入り銀ペー
スト（セラミック粉含有率３０％、２０％、１０％、５
％、１％の５水準）を用い、これを塗布後乾燥し、６５
０ないし７００℃にて焼結し、外部電極下地層８を形成
した。この様にセラミック粉を混合させたガラス粉入り
銀ペーストを塗布焼付けした積層セラミックコンデンサ
の外部電極下地層８の周辺を拡大して見ると、図１の
（ｂ）に示すように積層セラミックコンデンサ素子２の
セラミック部７の表面に５０μｍないし３００μｍのガ
ラス浸透層５が見られ、又、図３（ｂ）に示すような従
来品に見られた空洞６も、内部電極取出し部分と外部電
極下地層８との間には確認されなかった。
クスコンデンサで、内部電極にはＡｇ−Ｐｄ系を用い
た。図２に示す形状の焼成上り積層セラミックコンデン
サ素子２に、図１（ａ）の断面図で示すように外部電極
下地層８を形成した。外部電極下地層用導電材として、
積層セラミックコンデンサ素子のセラミック部７と同一
組成のセラミック粉末を混合させたガラス粉入り銀ペー
スト（セラミック粉含有率３０％、２０％、１０％、５
％、１％の５水準）を用い、これを塗布後乾燥し、６５
０ないし７００℃にて焼結し、外部電極下地層８を形成
した。この様にセラミック粉を混合させたガラス粉入り
銀ペーストを塗布焼付けした積層セラミックコンデンサ
の外部電極下地層８の周辺を拡大して見ると、図１の
（ｂ）に示すように積層セラミックコンデンサ素子２の
セラミック部７の表面に５０μｍないし３００μｍのガ
ラス浸透層５が見られ、又、図３（ｂ）に示すような従
来品に見られた空洞６も、内部電極取出し部分と外部電
極下地層８との間には確認されなかった。
【０００９】次に従来の外部電極下地層を形成した積層
セラミックコンデンサと、本発明のセラミック粉末を混
合した導電材で外部電極下地層を形成した試料につい
て、同一条件にてＮｉ電解メッキ及び半田メッキを施し
外部電極を形成したものについて各１０００個の特性を
比較したところ、表１に示すように、初期特性において
絶縁性劣化によるショート不良発生率は０％に改善さ
れ、又、端子強度で従来法によるものが５５０±３０ｇ
に対し最大７５０±３０ｇの値が得られ、ショート不良
発生の改善、端子強度増加に効果のあることがわかる。
セラミックコンデンサと、本発明のセラミック粉末を混
合した導電材で外部電極下地層を形成した試料につい
て、同一条件にてＮｉ電解メッキ及び半田メッキを施し
外部電極を形成したものについて各１０００個の特性を
比較したところ、表１に示すように、初期特性において
絶縁性劣化によるショート不良発生率は０％に改善さ
れ、又、端子強度で従来法によるものが５５０±３０ｇ
に対し最大７５０±３０ｇの値が得られ、ショート不良
発生の改善、端子強度増加に効果のあることがわかる。
【００１０】
【表１】
【００１１】又、前記試料で耐溶剤性試験を行い、その
時の絶縁不良の発生状況を図４に示す。図４において曲
線１２、曲線１３、曲線１４は本発明の実施例の外部電
極下地層を形成したもの、曲線１１、曲線１５は本発明
範囲外の外部電極下地層を形成したもの、曲線１０は従
来法にて外部電極下地層を形成したものである。ガラス
粉入り銀ペーストにセラミック粉を５、１０、２０％と
混合させた本発明の積層セラミックコンデンサの試料の
ショート不良発生状況を示す曲線１２、曲線１３、曲線
１４が最も長時間外部からのメッキ液等の侵入に対して
安定であることがわかる。
時の絶縁不良の発生状況を図４に示す。図４において曲
線１２、曲線１３、曲線１４は本発明の実施例の外部電
極下地層を形成したもの、曲線１１、曲線１５は本発明
範囲外の外部電極下地層を形成したもの、曲線１０は従
来法にて外部電極下地層を形成したものである。ガラス
粉入り銀ペーストにセラミック粉を５、１０、２０％と
混合させた本発明の積層セラミックコンデンサの試料の
ショート不良発生状況を示す曲線１２、曲線１３、曲線
１４が最も長時間外部からのメッキ液等の侵入に対して
安定であることがわかる。
【００１２】
【発明の効果】以上実施例で説明したように、本発明に
よれば、外部電極下地層をセラミック粉を混合させたガ
ラス粉入り銀ペースト等の同材質セラミック粉混合ガラ
ス入り導電材を塗布焼付けた構造とすることにより、外
部からの侵食による特性劣化を防止でき、信頼性の高い
積層セラミックコンデンサを提供できる。
よれば、外部電極下地層をセラミック粉を混合させたガ
ラス粉入り銀ペースト等の同材質セラミック粉混合ガラ
ス入り導電材を塗布焼付けた構造とすることにより、外
部からの侵食による特性劣化を防止でき、信頼性の高い
積層セラミックコンデンサを提供できる。
【図１】本発明の一実施例の積層セラミックコンデンサ
を示し、図１（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正
面断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す積層セラミ
ックコンデンサの外部電極下地層の周辺を拡大して示す
拡大断面図。
を示し、図１（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正
面断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す積層セラミ
ックコンデンサの外部電極下地層の周辺を拡大して示す
拡大断面図。
【図２】焼成上り積層セラミックコンデンサ素子を示す
外観斜視図。
外観斜視図。
【図３】従来の積層セラミックコンデンサを示し、図３
（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正面断面図、図
３（ｂ）は、図３（ａ）に示す積層セラミックコンデン
サの外部電極下地層周辺を拡大して示す拡大断面図。
（ａ）は、外部電極形成後の断面を示す正面断面図、図
３（ｂ）は、図３（ａ）に示す積層セラミックコンデン
サの外部電極下地層周辺を拡大して示す拡大断面図。
【図４】本発明の実施例と、従来の例の積層セラミック
コンデンサの耐溶剤性試験のショート不良発生状況を示
す図。
コンデンサの耐溶剤性試験のショート不良発生状況を示
す図。
１ 内部電極 ２ 積層セラミックコンデンサ素子 ３ （従来の）外部電極下地層 ４ 外部電極最外層 ５ ガラス浸透層 ６ 空洞 ７ （積層セラミックコンデンサの）セラミック部 ８ （本発明の）外部電極下地層 ９ （本発明の）ペースト内に混合したセラミック粉
末とセラミック部との反応層 １０ （ショート不良発生率を示す）曲線 １１ （ショート不良発生率を示す）曲線 １２ （ショート不良発生率を示す）曲線 １３ （ショート不良発生率を示す）曲線 １４ （ショート不良発生率を示す）曲線 １５ （ショート不良発生率を示す）曲線
末とセラミック部との反応層 １０ （ショート不良発生率を示す）曲線 １１ （ショート不良発生率を示す）曲線 １２ （ショート不良発生率を示す）曲線 １３ （ショート不良発生率を示す）曲線 １４ （ショート不良発生率を示す）曲線 １５ （ショート不良発生率を示す）曲線
Claims (1)
- 【請求項１】 外部電極最外層と内部電極の間に外部電
極下地層が形成された構造の外部電極を有する積層セラ
ミックコンデンサにおいて、積層セラミックコンデンサ
のセラミック部と同一組成のセラミック粉末を５重量％
から２０重量％の範囲で混合したガラス粉入り導電材を
用いて外部電極下地層を形成して成る外部電極を有する
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30966392A JPH06140278A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30966392A JPH06140278A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140278A true JPH06140278A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17995770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30966392A Pending JPH06140278A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140278A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344963B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-02-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi layer ceramic electronic parts |
| JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US9230718B2 (en) | 2012-11-06 | 2016-01-05 | Tdk Corporation | Chip thermistor |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP30966392A patent/JPH06140278A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344963B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-02-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi layer ceramic electronic parts |
| JP2010245095A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| US9230718B2 (en) | 2012-11-06 | 2016-01-05 | Tdk Corporation | Chip thermistor |
| JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6377439B1 (en) | Electronic multilayer ceramic component | |
| JPH0341710A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2992570B2 (ja) | セラミック多層コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2943380B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP3514117B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法及び内部電極形成用導電ペースト | |
| JP3359522B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| KR102551299B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
| JPS63300507A (ja) | 積層型セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JP3436127B2 (ja) | 電子部品用端子電極及び電子部品 | |
| JP2000216046A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH097878A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP4380145B2 (ja) | 導電ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH06140278A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH097879A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH03296205A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2000077260A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2000299243A (ja) | 積層チップ型電子部品 | |
| JPH08203769A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH11232927A (ja) | 導電ペースト | |
| JP3000825B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP3458701B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2004055679A (ja) | 電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JPH09115772A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JPH0864029A (ja) | 端子電極用ペースト | |
| JP2002217055A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |