JPH08203769A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- JPH08203769A JPH08203769A JP7010080A JP1008095A JPH08203769A JP H08203769 A JPH08203769 A JP H08203769A JP 7010080 A JP7010080 A JP 7010080A JP 1008095 A JP1008095 A JP 1008095A JP H08203769 A JPH08203769 A JP H08203769A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック焼結体の内部欠陥の発生を防止
し、かつ半田付け性及び耐熱性を向上し得る外部電極を
有するセラミック電子部品を得る。 【構成】 内部電極２３〜２７を有するセラミック焼結
体２２の両端面に外部電極２８，２９が形成される。外
部電極２８，２９は、導電ペーストの塗布、焼付けによ
り形成された第１の電極層２８ａ，２９ａと、Ｓｎメッ
キ層からなる第２の電極層２８ｂ，２９ｂと、Ｎｉメッ
キ層からなる第３のメッキ層２８ｃ，２９ｃと、Ｓｎメ
ッキ層からなる第４の電極層２８ｄ，２９ｄとを備えて
いる。
し、かつ半田付け性及び耐熱性を向上し得る外部電極を
有するセラミック電子部品を得る。 【構成】 内部電極２３〜２７を有するセラミック焼結
体２２の両端面に外部電極２８，２９が形成される。外
部電極２８，２９は、導電ペーストの塗布、焼付けによ
り形成された第１の電極層２８ａ，２９ａと、Ｓｎメッ
キ層からなる第２の電極層２８ｂ，２９ｂと、Ｎｉメッ
キ層からなる第３のメッキ層２８ｃ，２９ｃと、Ｓｎメ
ッキ層からなる第４の電極層２８ｄ，２９ｄとを備えて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば積層コンデンサ
などのようなセラミック電子部品に関し、特に、外部電
極構造が改良されたセラミック電子部品に関する。
などのようなセラミック電子部品に関し、特に、外部電
極構造が改良されたセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品の一例として
の積層コンデンサを、図２を参照して説明する。
の積層コンデンサを、図２を参照して説明する。
【０００３】積層コンデンサ１は、チタン酸バリウムな
どの誘電体セラミックスよりなるセラミック焼結体２を
用いて構成されている。セラミック焼結体２内には、セ
ラミック層を介して重なり合うように、複数の内部電極
３〜７が形成されている。また、焼結体２の一方端面２
ａ上には、内部電極４，６に電気的に接続されるよう
に、外部電極８が形成されている。セラミック焼結体２
の他方端面２ｂ上には、内部電極３，５，７に電気的に
接続されるように、外部電極９が形成されている。
どの誘電体セラミックスよりなるセラミック焼結体２を
用いて構成されている。セラミック焼結体２内には、セ
ラミック層を介して重なり合うように、複数の内部電極
３〜７が形成されている。また、焼結体２の一方端面２
ａ上には、内部電極４，６に電気的に接続されるよう
に、外部電極８が形成されている。セラミック焼結体２
の他方端面２ｂ上には、内部電極３，５，７に電気的に
接続されるように、外部電極９が形成されている。
【０００４】内部電極３〜７は、通常、Ｐｄ又はＡｇ−
Ｐｄ合金などの貴金属材料から構成される。他方、外部
電極８，９の形成に際しては、内部電極３〜７との電気
的接続の信頼性を高めるために、最下層として、Ａｇ又
はＡｇ−Ｐｄ合金を含有する導電ペーストを塗布し、焼
き付けることにより形成された第１の電極層８ａ，９ａ
を形成する。
Ｐｄ合金などの貴金属材料から構成される。他方、外部
電極８，９の形成に際しては、内部電極３〜７との電気
的接続の信頼性を高めるために、最下層として、Ａｇ又
はＡｇ−Ｐｄ合金を含有する導電ペーストを塗布し、焼
き付けることにより形成された第１の電極層８ａ，９ａ
を形成する。
【０００５】また、積層コンデンサ１をプリント回路基
板などに実装するに際しては、半田により外部電極８，
９をプリント回路基板上の配線電極に電気的に接続す
る。ところが、第１の電極層８ａ，９ａはＡｇなどの半
田食われを生じやすい材料を主成分とする。従って、第
１の電極層８ａ，９ａのみを外部電極材料として用いて
半田付けした場合には、半田食われ現象により、外部電
極が部分的に消失し、積層コンデンサ１を確実に機能さ
せることができなくなる。
板などに実装するに際しては、半田により外部電極８，
９をプリント回路基板上の配線電極に電気的に接続す
る。ところが、第１の電極層８ａ，９ａはＡｇなどの半
田食われを生じやすい材料を主成分とする。従って、第
１の電極層８ａ，９ａのみを外部電極材料として用いて
半田付けした場合には、半田食われ現象により、外部電
極が部分的に消失し、積層コンデンサ１を確実に機能さ
せることができなくなる。
【０００６】そこで、半田食われを防止するために、第
１の電極層８ａ，９ａ上に、Ｎｉなどの半田食われを生
じ難い材料をメッキすることより、第２の電極層８ｂ，
９ｂが形成されている。また、Ｎｉなどの半田食われを
生じ難い材料は半田付け性が十分でないため、半田付け
性を高めるためにＳｎまたはＳｎ−Ｐｂ合金などの半田
付け性に優れた材料をメッキすることにより、第３の電
極層８ｃ，９ｃが形成されている。
１の電極層８ａ，９ａ上に、Ｎｉなどの半田食われを生
じ難い材料をメッキすることより、第２の電極層８ｂ，
９ｂが形成されている。また、Ｎｉなどの半田食われを
生じ難い材料は半田付け性が十分でないため、半田付け
性を高めるためにＳｎまたはＳｎ−Ｐｂ合金などの半田
付け性に優れた材料をメッキすることにより、第３の電
極層８ｃ，９ｃが形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の積層コンデ
ンサ１においては、第１の電極層８ａ，９ａ表面に形成
されたＮｉメッキ層８ｂ，９ｂの特性に起因して、以下
のような問題点が生じた。
ンサ１においては、第１の電極層８ａ，９ａ表面に形成
されたＮｉメッキ層８ｂ，９ｂの特性に起因して、以下
のような問題点が生じた。
【０００８】（１）Ｎｉメッキ層８ｂ，９ｂは、他の電
極層に比べて剛性が高く、メッキ後の膜内に高い応力が
残存する。このため、Ｎｉメッキ層８ｂ，９ｂ内に残存
した応力は第１の電極層８ａ，９ａを介してセラミック
焼結体２側へ影響を及ぼし、セラミック焼結体２と内部
電極３〜７との界面での層剥離を生じさせるという問題
があった。
極層に比べて剛性が高く、メッキ後の膜内に高い応力が
残存する。このため、Ｎｉメッキ層８ｂ，９ｂ内に残存
した応力は第１の電極層８ａ，９ａを介してセラミック
焼結体２側へ影響を及ぼし、セラミック焼結体２と内部
電極３〜７との界面での層剥離を生じさせるという問題
があった。
【０００９】（２）また、第２あるいは第３の電極層８
ｂ，８ｃ，９ｂ，９ｃのメッキ処理中にメッキ液が第１
の電極層８ａ，９ａを通してセラミック焼結体２側へ浸
入し、内部電極界面の化学反応によって内部電極層界面
の層剥離を生じさせる場合がある。このような現象を防
止するために、第１の電極層８ａ，９ａ内のガラス成分
を増加し、第１の電極層８ａ，９ａのシール性を強化す
るような方策がとられた。この場合、Ｎｉメッキ層はガ
ラス成分の表面領域とは馴染みにくくメッキ付が悪いた
め、第１の電極層８ａ，９ａの金属成分の表面近傍にの
み形成され、第１の電極層８ａ，９ａの表面上に不均一
なＮｉメッキ層が形成される。この結果、Ｎｉメッキ層
８ｂ，９ｂが果たすべき半田食われ防止機能が低下した
り、あるいは半田付け性や耐熱性が低下するという問題
が生じた。
ｂ，８ｃ，９ｂ，９ｃのメッキ処理中にメッキ液が第１
の電極層８ａ，９ａを通してセラミック焼結体２側へ浸
入し、内部電極界面の化学反応によって内部電極層界面
の層剥離を生じさせる場合がある。このような現象を防
止するために、第１の電極層８ａ，９ａ内のガラス成分
を増加し、第１の電極層８ａ，９ａのシール性を強化す
るような方策がとられた。この場合、Ｎｉメッキ層はガ
ラス成分の表面領域とは馴染みにくくメッキ付が悪いた
め、第１の電極層８ａ，９ａの金属成分の表面近傍にの
み形成され、第１の電極層８ａ，９ａの表面上に不均一
なＮｉメッキ層が形成される。この結果、Ｎｉメッキ層
８ｂ，９ｂが果たすべき半田食われ防止機能が低下した
り、あるいは半田付け性や耐熱性が低下するという問題
が生じた。
【００１０】本発明の目的は、セラミック焼結体の内部
欠陥の発生を防止するとともに、外部電極の半田付け性
などを向上し得る外部電極構造を有するセラミック電子
部品を提供することである。
欠陥の発生を防止するとともに、外部電極の半田付け性
などを向上し得る外部電極構造を有するセラミック電子
部品を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック焼
結体と、セラミック焼結体内に形成された内部電極と、
セラミック焼結体の端面に形成された外部電極とを有す
るセラミック電子部品であり、外部電極が以下の構成を
備えることを特徴とする。
結体と、セラミック焼結体内に形成された内部電極と、
セラミック焼結体の端面に形成された外部電極とを有す
るセラミック電子部品であり、外部電極が以下の構成を
備えることを特徴とする。
【００１２】まず、セラミック焼結体の外表面に導電ペ
ーストを塗布し、焼き付けることにより形成された第１
の電極層を有する。第１の電極層を構成する材料として
は、従来よりセラミック電子部品の外部電極の形成時に
汎用されている種々の導電ペーストを用いることができ
る。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの導電性
に優れた材料粉末を主成分とするものが用いられる。導
電ペーストは、上記のような導電性粉末にガラス樹脂バ
インダ及び溶剤を混練することにより得られ、この導電
ペーストをセラミック焼結体の外表面に塗布し、焼き付
けることにより第１の電極層が形成される。
ーストを塗布し、焼き付けることにより形成された第１
の電極層を有する。第１の電極層を構成する材料として
は、従来よりセラミック電子部品の外部電極の形成時に
汎用されている種々の導電ペーストを用いることができ
る。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの導電性
に優れた材料粉末を主成分とするものが用いられる。導
電ペーストは、上記のような導電性粉末にガラス樹脂バ
インダ及び溶剤を混練することにより得られ、この導電
ペーストをセラミック焼結体の外表面に塗布し、焼き付
けることにより第１の電極層が形成される。
【００１３】第１の電極層の外表面に形成された第２の
電極層は、Ｎｉよりも柔らかい金属材料から形成されて
いる。さらに、第３の電極層は、第２の電極層の外表面
に形成されたＮｉメッキ層から構成されている。
電極層は、Ｎｉよりも柔らかい金属材料から形成されて
いる。さらに、第３の電極層は、第２の電極層の外表面
に形成されたＮｉメッキ層から構成されている。
【００１４】さらに、第３の電極層の外表面に形成され
た第４の電極層は、Ｓｎ及びＳｎ−Ｐｂ合金の一方のメ
ッキ層から構成されている。
た第４の電極層は、Ｓｎ及びＳｎ−Ｐｂ合金の一方のメ
ッキ層から構成されている。
【００１５】
【発明の作用及び効果】本発明のセラミック電子部品の
外部電極は、導電ペーストの焼付層からなる第１の電極
層と、Ｎｉメッキ層からなる第３の電極層との間に、Ｎ
ｉより柔軟な金属材料、実施例では、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ
合金、Ｃｕなどのメッキ層からなる第２の電極層を有し
ている。ＳｎあるいはＳｎ−Ｐｂ合金等はＮｉに比べ柔
軟な材料であり、成膜時の内部残存応力はほぼ０に等し
い。従って、この第２の電極層を介在してＮｉメッキ層
からなる第３の電極層を形成することにより、剛性の高
いＮｉメッキ層からなる第３の電極層の内部応力の影響
がセラミック焼結体側へ伝わるのを防止することができ
る。これにより、セラミック焼結体内の内部電極界面で
の層剥離を防止することができる。また、この第２の電
極層を構成する材料は、第１の電極層内に含有されるガ
ラス成分との馴染み性がＮｉメッキ層に比べて良好であ
る。このため、ガラス成分が増量された導電ペーストを
塗布、焼付けして形成された第１の電極層の外表面にＳ
ｎやＳｎ−Ｐｂ合金等のメッキ層を成膜した場合、第１
の電極層の全面に均一なメッキ層を形成することができ
る。このため、この第２の電極層の表面上に形成される
Ｎｉメッキ層からなる第３の電極層も所望の膜厚で、か
つ均一に形成することができる。
外部電極は、導電ペーストの焼付層からなる第１の電極
層と、Ｎｉメッキ層からなる第３の電極層との間に、Ｎ
ｉより柔軟な金属材料、実施例では、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ
合金、Ｃｕなどのメッキ層からなる第２の電極層を有し
ている。ＳｎあるいはＳｎ−Ｐｂ合金等はＮｉに比べ柔
軟な材料であり、成膜時の内部残存応力はほぼ０に等し
い。従って、この第２の電極層を介在してＮｉメッキ層
からなる第３の電極層を形成することにより、剛性の高
いＮｉメッキ層からなる第３の電極層の内部応力の影響
がセラミック焼結体側へ伝わるのを防止することができ
る。これにより、セラミック焼結体内の内部電極界面で
の層剥離を防止することができる。また、この第２の電
極層を構成する材料は、第１の電極層内に含有されるガ
ラス成分との馴染み性がＮｉメッキ層に比べて良好であ
る。このため、ガラス成分が増量された導電ペーストを
塗布、焼付けして形成された第１の電極層の外表面にＳ
ｎやＳｎ−Ｐｂ合金等のメッキ層を成膜した場合、第１
の電極層の全面に均一なメッキ層を形成することができ
る。このため、この第２の電極層の表面上に形成される
Ｎｉメッキ層からなる第３の電極層も所望の膜厚で、か
つ均一に形成することができる。
【００１６】このように、第１の電極層表面に、Ｎｉよ
り柔軟な金属材料のメッキ層からなる第２の電極層を介
在してＮｉメッキ層からなる第３の電極層を形成するよ
うに構成したことにより、第３の電極層に起因するセラ
ミック焼結体内の内部欠陥の発生を防止し、かつ良好な
半田付け性を有するとともに、耐熱性が向上された外部
電極を有するセラミック電子部品を得ることができる。
り柔軟な金属材料のメッキ層からなる第２の電極層を介
在してＮｉメッキ層からなる第３の電極層を形成するよ
うに構成したことにより、第３の電極層に起因するセラ
ミック焼結体内の内部欠陥の発生を防止し、かつ良好な
半田付け性を有するとともに、耐熱性が向上された外部
電極を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１７】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】図１は、本発明の一実施例によるチップ型
積層コンデンサを示す断面構造図である。積層コンデン
サ２１は、セラミック焼結体２２を用いて構成されてい
る。セラミック焼結体２２は、チタン酸バリウムなどの
誘電体セラミックスよりなり、その内部には内部電極２
３〜２７が形成されている。
積層コンデンサを示す断面構造図である。積層コンデン
サ２１は、セラミック焼結体２２を用いて構成されてい
る。セラミック焼結体２２は、チタン酸バリウムなどの
誘電体セラミックスよりなり、その内部には内部電極２
３〜２７が形成されている。
【００１９】内部電極２３〜２７は、セラミック層を介
して重なり合うように配置されている。また、内部電極
２４，２６が焼結体２２の一方端面２２ａに露出されて
おり、他方、内部電極２３，２５，２７が他方端面２２
ｂに露出されている。
して重なり合うように配置されている。また、内部電極
２４，２６が焼結体２２の一方端面２２ａに露出されて
おり、他方、内部電極２３，２５，２７が他方端面２２
ｂに露出されている。
【００２０】セラミック焼結体２２の上記端面２２ａ，
２２ｂには、外部電極２８，２９が形成されている。外
部電極２８，２９は、導電ペーストの焼付層からなる第
１の電極層２８ａ，２９ａの表面に三層の複合メッキ層
からなる第２〜第４の電極層２８ｂ，２９ｂ２８ｃ，２
９ｃ，２８ｄ，２９ｄを有している。
２２ｂには、外部電極２８，２９が形成されている。外
部電極２８，２９は、導電ペーストの焼付層からなる第
１の電極層２８ａ，２９ａの表面に三層の複合メッキ層
からなる第２〜第４の電極層２８ｂ，２９ｂ２８ｃ，２
９ｃ，２８ｄ，２９ｄを有している。
【００２１】第１の電極層２８ａ，２９ａは、Ａｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕなどの金属粉末を成分とする導電ペ
ーストを塗布し、焼き付けることにより形成されてい
る。第１の電極層２８ａ，２９ａは例えば５０〜１００
μｍ程度の厚みを有し、かつ焼結体２２の端面に強固に
密着されている。
ｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕなどの金属粉末を成分とする導電ペ
ーストを塗布し、焼き付けることにより形成されてい
る。第１の電極層２８ａ，２９ａは例えば５０〜１００
μｍ程度の厚みを有し、かつ焼結体２２の端面に強固に
密着されている。
【００２２】第２の電極層２８ｂ，２９ｂは、Ｓｎまた
はＣｕのメッキ層、あるいはＳｎ−Ｐｂ合金のメッキ層
等から構成されている。これらのメッキ層はワット浴を
使用して膜厚０．５〜１μｍ程度に形成されている。こ
のＳｎなどの材料は、Ｎｉに比べて比較的柔軟な材料で
あり、メッキ成膜後の膜内にはほとんど内部応力が残存
しない。また、第１の電極層２８ａ，２９ａ内のガラス
成分に対する付着性がＮｉに比べて良好である。従っ
て、第１の電極層２８ａ，２９ａ内にガラス成分を増量
させた場合でも第１の電極層表面にほぼ均一にメッキ膜
が形成される。なお、第１の電極層２８ａ，２９ａ内の
ガラス成分を増量させるのは、メッキ液に対する第１の
電極層２８ａ，２９ａのシール性を強化するためであ
る。
はＣｕのメッキ層、あるいはＳｎ−Ｐｂ合金のメッキ層
等から構成されている。これらのメッキ層はワット浴を
使用して膜厚０．５〜１μｍ程度に形成されている。こ
のＳｎなどの材料は、Ｎｉに比べて比較的柔軟な材料で
あり、メッキ成膜後の膜内にはほとんど内部応力が残存
しない。また、第１の電極層２８ａ，２９ａ内のガラス
成分に対する付着性がＮｉに比べて良好である。従っ
て、第１の電極層２８ａ，２９ａ内にガラス成分を増量
させた場合でも第１の電極層表面にほぼ均一にメッキ膜
が形成される。なお、第１の電極層２８ａ，２９ａ内の
ガラス成分を増量させるのは、メッキ液に対する第１の
電極層２８ａ，２９ａのシール性を強化するためであ
る。
【００２３】さらに、第３の電極層２８ｃ，２９ｃは、
Ｎｉメッキ層から構成されている。Ｎｉメッキ層は、膜
厚１〜３μｍ程度に形成されている。さらに、第３の電
極層２８ｃ，２９ｃの表面に第４の電極層２８ｄ，２９
ｄが形成されている。第４の電極層２８ｄ，２９ｄは膜
厚１〜３μｍ程度のＳｎメッキ層あるいはＳｎ−Ｐｂ合
金のメッキ層から構成されている。このＳｎメッキ層等
は半田付け性が良好であり、外部電極と基板上の配線電
極との半田付け時の半田付け性を向上させるために設け
られている。
Ｎｉメッキ層から構成されている。Ｎｉメッキ層は、膜
厚１〜３μｍ程度に形成されている。さらに、第３の電
極層２８ｃ，２９ｃの表面に第４の電極層２８ｄ，２９
ｄが形成されている。第４の電極層２８ｄ，２９ｄは膜
厚１〜３μｍ程度のＳｎメッキ層あるいはＳｎ−Ｐｂ合
金のメッキ層から構成されている。このＳｎメッキ層等
は半田付け性が良好であり、外部電極と基板上の配線電
極との半田付け時の半田付け性を向上させるために設け
られている。
【００２４】上記実施例の積層コンデンサ２１は、第２
の電極層を設けることにより、第３の電極層を構成する
Ｎｉメッキ層の内部残留応力がセラミック焼結体側に伝
えられるのを緩和する。これによって、内部電極界面の
層剥離などの内部欠陥の発生を防止することができる。
また、メッキ処理工程における第１の電極層２８ａ，２
９ａのシール性を向上させるために、第１の電極層２８
ａ，２９ａ内のガラス含有量を増加させた場合において
も、第１の電極層２８ａ，２９ａ表面に比較的均一にメ
ッキ層を形成することにより、第２の電極層２８ｂ，２
９ｂ表面上に形成される第３の電極層２８ｃ，２９ｃの
膜厚を均一に形成することを可能とする。これにより、
第３の電極層２８ｃ，２９ｃの半田食われ防止機能など
を十分に発揮させることができる。また、第３の電極層
２８ｃ，２９ｃ及び第４の電極層２８ｄ，２９ｄが共に
均一な膜厚で形成されることにより、外部電極の半田付
け性を向上させ、また耐熱性を向上させることができ
る。
の電極層を設けることにより、第３の電極層を構成する
Ｎｉメッキ層の内部残留応力がセラミック焼結体側に伝
えられるのを緩和する。これによって、内部電極界面の
層剥離などの内部欠陥の発生を防止することができる。
また、メッキ処理工程における第１の電極層２８ａ，２
９ａのシール性を向上させるために、第１の電極層２８
ａ，２９ａ内のガラス含有量を増加させた場合において
も、第１の電極層２８ａ，２９ａ表面に比較的均一にメ
ッキ層を形成することにより、第２の電極層２８ｂ，２
９ｂ表面上に形成される第３の電極層２８ｃ，２９ｃの
膜厚を均一に形成することを可能とする。これにより、
第３の電極層２８ｃ，２９ｃの半田食われ防止機能など
を十分に発揮させることができる。また、第３の電極層
２８ｃ，２９ｃ及び第４の電極層２８ｄ，２９ｄが共に
均一な膜厚で形成されることにより、外部電極の半田付
け性を向上させ、また耐熱性を向上させることができ
る。
【００２５】さらに、第２の電極層２８ｂ，２９ｂ及び
第４の電極層２８ｄ，２９ｄを共にＳｎメッキ層により
構成した場合には、全部で２種類のメッキ液を用いて第
２〜第４の電極層２８ｂ〜２８ｄ，２９ｂ〜２９ｄを形
成することが可能となり、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎメッ
キ層を形成する場合に比べて効率的に形成することがで
きる。
第４の電極層２８ｄ，２９ｄを共にＳｎメッキ層により
構成した場合には、全部で２種類のメッキ液を用いて第
２〜第４の電極層２８ｂ〜２８ｄ，２９ｂ〜２９ｄを形
成することが可能となり、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎメッ
キ層を形成する場合に比べて効率的に形成することがで
きる。
【００２６】次に、具体的実験例につき説明する。上記
実施例の効果を検証するために、上記実施例の構造を有
する積層コンデンサを製造し、図２に示す従来例の積層
コンデンサとの比較試験を行った。 ・具体例の積層コンデンサ セラミック焼結体：チタン酸バリウムからなる寸法３．
２×１．６×１．２５ｍｍのセラミック焼結体 第１の電極層：Ａｇ粉末とガラス成分を約１０重量％を
含む導電ペーストを塗布、焼結し、膜厚約１００μｍに
形成 第２の電極層：Ｓｎメッキ層をワット浴にて膜厚約０．
５μｍに形成 第３の電極層：Ｎｉメッキ層をワット浴にて膜厚約２μ
ｍに形成 第４の電極層：Ｓｎメッキ層をワット浴にて膜厚約２μ
ｍに形成 ・比較例の積層コンデンサ 上記具体例に対し、第２の電極層を除き同様の構造に形
成。
実施例の効果を検証するために、上記実施例の構造を有
する積層コンデンサを製造し、図２に示す従来例の積層
コンデンサとの比較試験を行った。 ・具体例の積層コンデンサ セラミック焼結体：チタン酸バリウムからなる寸法３．
２×１．６×１．２５ｍｍのセラミック焼結体 第１の電極層：Ａｇ粉末とガラス成分を約１０重量％を
含む導電ペーストを塗布、焼結し、膜厚約１００μｍに
形成 第２の電極層：Ｓｎメッキ層をワット浴にて膜厚約０．
５μｍに形成 第３の電極層：Ｎｉメッキ層をワット浴にて膜厚約２μ
ｍに形成 第４の電極層：Ｓｎメッキ層をワット浴にて膜厚約２μ
ｍに形成 ・比較例の積層コンデンサ 上記具体例に対し、第２の電極層を除き同様の構造に形
成。
【００２７】上記のような条件によって各々具体例と比
較例の積層コンデンサを製造し、その内部欠陥の発生状
態につき試験を行った。その結果を表１に示す。
較例の積層コンデンサを製造し、その内部欠陥の発生状
態につき試験を行った。その結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示すように、従来の構造を有する比
較例の積層コンデンサでは、内部欠陥の発生が見られた
のに対し、本実施例による積層コンデンサでは内部欠陥
の発生が見られなかった。
較例の積層コンデンサでは、内部欠陥の発生が見られた
のに対し、本実施例による積層コンデンサでは内部欠陥
の発生が見られなかった。
【００３０】さらに、上記具体例及び比較例の積層コン
デンサに対して各々、第１の電極層のガラス成分を３倍
に増量した積層コンデンサを製造し、半田付け性試験及
び耐熱性試験を行った。半田付け性試験は、ロジン系フ
ラックス及びＡｇ入り半田を用い、２３０℃にて２秒間
の条件で半田付けを行ない、端子電極の半田が付着して
いない箇所が１／４以下の場合を良品とし、１／４を超
える場合を不良品とした。また、耐熱性試験は、上記半
田付け性試験と同様に、但し、２７０℃及び３０秒の条
件で半田付けし、端子電極のくわれが１／４以下を良
品、１／４を超える場合を不良品とした。試験結果を表
２に示す。
デンサに対して各々、第１の電極層のガラス成分を３倍
に増量した積層コンデンサを製造し、半田付け性試験及
び耐熱性試験を行った。半田付け性試験は、ロジン系フ
ラックス及びＡｇ入り半田を用い、２３０℃にて２秒間
の条件で半田付けを行ない、端子電極の半田が付着して
いない箇所が１／４以下の場合を良品とし、１／４を超
える場合を不良品とした。また、耐熱性試験は、上記半
田付け性試験と同様に、但し、２７０℃及び３０秒の条
件で半田付けし、端子電極のくわれが１／４以下を良
品、１／４を超える場合を不良品とした。試験結果を表
２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２に示すように、従来構造による比較例
では、全数が半田付け性不良となり、また耐熱性不良も
生じたのに対し、具体例による積層コンデンサでは半田
付け性不良及び耐熱性不良のいずれも発生しなかった。
では、全数が半田付け性不良となり、また耐熱性不良も
生じたのに対し、具体例による積層コンデンサでは半田
付け性不良及び耐熱性不良のいずれも発生しなかった。
【図１】本発明の実施例による積層コンデンサの断面構
造図。
造図。
【図２】従来の積層コンデンサの断面構造図。
２１…積層コンデンサ ２２…セラミック焼結体 ２３〜２７…内部電極 ２８，２９…外部電極 ２８ａ，２９ａ…第１の電極層 ２８ｂ，２９ｂ…第２の電極層 ２８ｃ，２９ｃ…第３の電極層 ２８ｄ，２９ｄ…第４の電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/228 4/30 ３０１ Ｃ 7924−5Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック焼結体と、前記セラミック焼
結体内に形成された内部電極と、前記セラミック焼結体
の端面に形成された外部電極とを有するセラミック電子
部品において、 前記外部電極は、 前記セラミック焼結体の外表面に導電ペーストを塗布
し、焼き付けることにより形成された第１の電極層と、 前記第１の電極層の外表面に形成されており、Ｎｉより
も柔らかい金属材料からなる第２の電極層と、 前記第２の電極層の外表面に形成されたＮｉメッキ層か
らなる第３の電極層と、 前記第３の電極層の外表面に形成されたＳｎ及びＳｎ−
Ｐｂ合金の一方のメッキ層からなる第４の電極層とを備
えたことを特徴とする、セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010080A JPH08203769A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010080A JPH08203769A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203769A true JPH08203769A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11740379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010080A Pending JPH08203769A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203769A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269829A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | セラミック電子部品 |
| KR101107236B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2012-01-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 전자부품 |
| JP2016105501A (ja) * | 2016-02-03 | 2016-06-09 | ローム株式会社 | 電子部品の電極構造 |
| CN110024065A (zh) * | 2016-12-01 | 2019-07-16 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
| JP2021100019A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| WO2024047980A1 (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP7010080A patent/JPH08203769A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269829A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | セラミック電子部品 |
| KR101107236B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2012-01-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 전자부품 |
| JP2016105501A (ja) * | 2016-02-03 | 2016-06-09 | ローム株式会社 | 電子部品の電極構造 |
| CN110024065A (zh) * | 2016-12-01 | 2019-07-16 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
| JP2021100019A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| WO2024047980A1 (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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