JPH11329892A - 複合セラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法 - Google Patents
複合セラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法Info
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- JPH11329892A JPH11329892A JP14222698A JP14222698A JPH11329892A JP H11329892 A JPH11329892 A JP H11329892A JP 14222698 A JP14222698 A JP 14222698A JP 14222698 A JP14222698 A JP 14222698A JP H11329892 A JPH11329892 A JP H11329892A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
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- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属端子をコンデンサ本体の各端子電極に半
田ペーストで半田付け固定しても、半田ペーストの半田
粒並びにフラックスが積層セラミックコンデンサ間の隙
間に侵入するのを防げ、高耐電圧，大容量化と共に、機
械的強度も保って信頼性の高い低コストなものに構成す
る。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ１０〜１４間
の隙間ｇを２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミッ
クコンデンサ１０〜１４を組み合わせると共に、含有粒
子の９０％以上が粒径３５〜５５μｍである半田粒を組
成分とする半田ペーストにより金属端子２，３をコンデ
ンサ本体１の両端部に半田４，５で接合固定する。
田ペーストで半田付け固定しても、半田ペーストの半田
粒並びにフラックスが積層セラミックコンデンサ間の隙
間に侵入するのを防げ、高耐電圧，大容量化と共に、機
械的強度も保って信頼性の高い低コストなものに構成す
る。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ１０〜１４間
の隙間ｇを２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミッ
クコンデンサ１０〜１４を組み合わせると共に、含有粒
子の９０％以上が粒径３５〜５５μｍである半田粒を組
成分とする半田ペーストにより金属端子２，３をコンデ
ンサ本体１の両端部に半田４，５で接合固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に、スイッチン
グ電源の平滑コンデンサとして用いるのに好適な複合セ
ラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法に関
するものである。
グ電源の平滑コンデンサとして用いるのに好適な複合セ
ラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、スイッチング電源の平滑コンデン
サとしてはアルミ電解コンデンサが用いられている。こ
のアルミ電解コンデンサは小型化，信頼性の向上と共
に、静電容量を大容量化させて平滑度を向上させるには
限界がある。
サとしてはアルミ電解コンデンサが用いられている。こ
のアルミ電解コンデンサは小型化，信頼性の向上と共
に、静電容量を大容量化させて平滑度を向上させるには
限界がある。
【０００３】その要請に対応するには、積層型セラミッ
クコンデンサを用いることが考えられる。然し、この積
層型セラミックコンデンサ単体では、静電容量を大きく
取るためには積層数を数１００層にする必要があり、耐
電圧が高く大容量の積層セラミックコンデンサを低コス
トで製造するのは難しい。
クコンデンサを用いることが考えられる。然し、この積
層型セラミックコンデンサ単体では、静電容量を大きく
取るためには積層数を数１００層にする必要があり、耐
電圧が高く大容量の積層セラミックコンデンサを低コス
トで製造するのは難しい。
【０００４】その高耐電圧，大容量化を図るため、積層
セラミックコンデンサを各電極相互で揃えることにより
複数個組み合わせてコンデンサ本体を形成し、金属端子
をコンデンサ本体の両端部に半田付け固定させて各端子
電極と電気的に接合することから、大容量の複合セラミ
ックコンデンサを構成することが提案されている（例え
ば、特開平４ー１８８８１０号，特開平８ー１７６７９
号）。
セラミックコンデンサを各電極相互で揃えることにより
複数個組み合わせてコンデンサ本体を形成し、金属端子
をコンデンサ本体の両端部に半田付け固定させて各端子
電極と電気的に接合することから、大容量の複合セラミ
ックコンデンサを構成することが提案されている（例え
ば、特開平４ー１８８８１０号，特開平８ー１７６７９
号）。
【０００５】通常、その金属端子を半田付け固定するに
は半田粒，ロジン系樹脂，塩素等のハロゲン化合物であ
る活性化剤を組成物とする半田ペーストが用いられてい
る。この半田ペーストは、粒径１〜５０μｍ程度の半田
粒を含み、５０〜５５ｗｔ％のロジン系樹脂，１％程度
の塩素から組成されている。また、積層セラミックコン
デンサを組み合わせる際には積層セラミックコンデンサ
間の隙間は１０〜２０μｍ程度に保たれている。
は半田粒，ロジン系樹脂，塩素等のハロゲン化合物であ
る活性化剤を組成物とする半田ペーストが用いられてい
る。この半田ペーストは、粒径１〜５０μｍ程度の半田
粒を含み、５０〜５５ｗｔ％のロジン系樹脂，１％程度
の塩素から組成されている。また、積層セラミックコン
デンサを組み合わせる際には積層セラミックコンデンサ
間の隙間は１０〜２０μｍ程度に保たれている。
【０００６】然し、この複合セラミックコンデンサでは
金属端子をコンデンサ本体の各端子電極に半田ペースト
で半田付けするのに伴って、図４で示すように半田ペー
ストの半田粒並びにフラックスが積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間に侵入し、半田ボールやフラックスによる
汚れが発生することにより端子間の短絡不良や絶縁劣化
等を生ずることが避けられない。
金属端子をコンデンサ本体の各端子電極に半田ペースト
で半田付けするのに伴って、図４で示すように半田ペー
ストの半田粒並びにフラックスが積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間に侵入し、半田ボールやフラックスによる
汚れが発生することにより端子間の短絡不良や絶縁劣化
等を生ずることが避けられない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属端子を
コンデンサ本体の各端子電極に半田ペーストで半田付け
固定しても、半田ペーストの半田粒並びにフラックスが
積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入するのを防
げ、高耐電圧，大容量化と共に、機械的強度も保って信
頼性が高く低コストなものに構成可能な複合セラミック
コンデンサ並びに同コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
コンデンサ本体の各端子電極に半田ペーストで半田付け
固定しても、半田ペーストの半田粒並びにフラックスが
積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入するのを防
げ、高耐電圧，大容量化と共に、機械的強度も保って信
頼性が高く低コストなものに構成可能な複合セラミック
コンデンサ並びに同コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
複合セラミックコンデンサにおいては、積層コンデンサ
間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミッ
クコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０％
以上が粒径３５〜５５μｍである半田粒を組成分とする
半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部
に半田付け固定することにより構成されている。
複合セラミックコンデンサにおいては、積層コンデンサ
間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミッ
クコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０％
以上が粒径３５〜５５μｍである半田粒を組成分とする
半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部
に半田付け固定することにより構成されている。
【０００９】本発明の請求項２に係る複合セラミックコ
ンデンサにおいては、半田粒並びにロジン系樹脂を組成
分とし、且つ、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない半
田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に
半田付け固定することにより構成されている。
ンデンサにおいては、半田粒並びにロジン系樹脂を組成
分とし、且つ、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない半
田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に
半田付け固定することにより構成されている。
【００１０】本発明の請求項３に係る複合セラミックコ
ンデンサにおいては、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半
田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とす
る半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端
部に半田付け固定することにより構成されている。
ンデンサにおいては、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半
田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とす
る半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端
部に半田付け固定することにより構成されている。
【００１１】本発明の請求項４に係る複合セラミックコ
ンデンサにおいては、積層セラミックコンデンサの端子
電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子を
コンデンサ本体の両端部に半田付け固定することにより
構成されている。
ンデンサにおいては、積層セラミックコンデンサの端子
電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子を
コンデンサ本体の両端部に半田付け固定することにより
構成されている。
【００１２】本発明の請求項５に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法においては、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラ
ミックコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９
０％以上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにロジン系
樹脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化剤を含まな
い半田ペーストを積層セラミックコンデンサの各端子電
極と金属端子との相対面間に塗布し、酸素分圧１００ｐ
ｐｍ以下のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両
端部に半田付け処理するようにされている。
ンデンサの製造方法においては、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラ
ミックコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９
０％以上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにロジン系
樹脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化剤を含まな
い半田ペーストを積層セラミックコンデンサの各端子電
極と金属端子との相対面間に塗布し、酸素分圧１００ｐ
ｐｍ以下のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両
端部に半田付け処理するようにされている。
【００１３】本発明の請求項６に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法においては、全重量中、７０〜７５
ｗｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを
組成分とする半田ペーストを積層セラミックコンデンサ
の各端子電極と金属端子との相対面間に塗布し、２５０
〜３５０℃のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の
両端部に半田付け処理するようにされている。
ンデンサの製造方法においては、全重量中、７０〜７５
ｗｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを
組成分とする半田ペーストを積層セラミックコンデンサ
の各端子電極と金属端子との相対面間に塗布し、２５０
〜３５０℃のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の
両端部に半田付け処理するようにされている。
【００１４】本発明の請求項７に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法においては、積層セラミックコンデ
ンサの端子電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量
０．０２〜０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより
金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け処理する
ようにされている。
ンデンサの製造方法においては、積層セラミックコンデ
ンサの端子電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量
０．０２〜０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより
金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け処理する
ようにされている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図１〜３を参照して説明す
ると、図示の複合セラミックコンデンサは図１で示すよ
うに端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂを両端部
に有する積層セラミックコンデンサ１０〜１４を各電極
相互で揃えて組み合わせることによりコンデンサ本体１
が形成されている。また、そのコンデンサ本体１の両端
部には金属端子２，３を半田４，５で溶着固定させて各
端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂと電気的に接
合することによりコンデンサとして構成されている。
ると、図示の複合セラミックコンデンサは図１で示すよ
うに端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂを両端部
に有する積層セラミックコンデンサ１０〜１４を各電極
相互で揃えて組み合わせることによりコンデンサ本体１
が形成されている。また、そのコンデンサ本体１の両端
部には金属端子２，３を半田４，５で溶着固定させて各
端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂと電気的に接
合することによりコンデンサとして構成されている。
【００１６】その構成中、積層セラミックコンデンサ１
０〜１４はチタン酸バリウム系等の誘電体ペーストから
セラミックグリーンシートを形成し、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ａｇ等の導電性ペーストから内部電極をセラミック
グリーンシートに印刷し、このセラミックグリーンシー
トを複数層積層してから焼成処理することにより各コン
デンサ本体が形成されている。また、端子電極１０ａ〜
１４ａ，１０ｂ〜１４ｂはＣｕ，Ａｇ等の導電性ペース
トをコンデンサ本体の両端部に塗布した後に焼き付け処
理することにより形成されている。
０〜１４はチタン酸バリウム系等の誘電体ペーストから
セラミックグリーンシートを形成し、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ａｇ等の導電性ペーストから内部電極をセラミック
グリーンシートに印刷し、このセラミックグリーンシー
トを複数層積層してから焼成処理することにより各コン
デンサ本体が形成されている。また、端子電極１０ａ〜
１４ａ，１０ｂ〜１４ｂはＣｕ，Ａｇ等の導電性ペース
トをコンデンサ本体の両端部に塗布した後に焼き付け処
理することにより形成されている。
【００１７】金属端子２，３としては、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ａｇ，Ａｕ等の金属薄板またはそれらの合金からな
る金属薄板から形成したものを用いることができる。こ
の金属薄板を用いて、金属端子２，３はキャップ状等の
適宜な形状，構造に形成することができる。
ｅ，Ａｇ，Ａｕ等の金属薄板またはそれらの合金からな
る金属薄板から形成したものを用いることができる。こ
の金属薄板を用いて、金属端子２，３はキャップ状等の
適宜な形状，構造に形成することができる。
【００１８】半田４，５としては、含有粒子の９０％以
上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにフラックスであ
るロジン系樹脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化
剤を含まない半田ペーストを用いる。この半田ペースト
は、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田粒と２５〜３０
ｗｔ％のロジン系樹脂とから組成するとよい。その半田
ペーストは半田粒のほとんどが粒径３５〜５５μｍのも
のでありしかもフラックス成分が少ないため、半田粒が
電極間の隙間に侵入するのを効果的に防げる。また、塩
素，臭素等のハロゲン化合物の活性化剤を含まないとこ
ろから絶縁抵抗を劣化させるのも防げる。
上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにフラックスであ
るロジン系樹脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化
剤を含まない半田ペーストを用いる。この半田ペースト
は、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田粒と２５〜３０
ｗｔ％のロジン系樹脂とから組成するとよい。その半田
ペーストは半田粒のほとんどが粒径３５〜５５μｍのも
のでありしかもフラックス成分が少ないため、半田粒が
電極間の隙間に侵入するのを効果的に防げる。また、塩
素，臭素等のハロゲン化合物の活性化剤を含まないとこ
ろから絶縁抵抗を劣化させるのも防げる。
【００１９】その各部から複合セラミックコンデンサを
製造するには、積層セラミックコンデンサ１０〜１４間
の隙間ｇを２０μｍ以下で１０μｍ程度にまで保って組
み合わせる。この隙間ｇを２０μｍ以下に設定するに
は、端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂとしても
２０μｍ以下の厚みに形成した積層セラミックコンデン
サ１０〜１４を組み合せるとよい。
製造するには、積層セラミックコンデンサ１０〜１４間
の隙間ｇを２０μｍ以下で１０μｍ程度にまで保って組
み合わせる。この隙間ｇを２０μｍ以下に設定するに
は、端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂとしても
２０μｍ以下の厚みに形成した積層セラミックコンデン
サ１０〜１４を組み合せるとよい。
【００２０】その積層セラミックコンデンサ１０〜１４
を組み合わせて得たコンデンサ本体１に対し、半田ペー
ストを両端部の端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４
ｂに印刷またはデスペンサー等で塗布した後、金属端子
２，３をコンデンサ本体１の両端部に組み付ける。この
半田ペーストは端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４
ｂと金属端子２，３との相対面積に対し、０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の塗布量で塗布するとよい。その
塗布量では少なくとも機械的強度を保って金属端子２，
３を半田付け固定できるばかりでなく、０．０６ｍｇ／
ｍｍ2 を越えることによる絶縁抵抗の劣化も防げる。
を組み合わせて得たコンデンサ本体１に対し、半田ペー
ストを両端部の端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４
ｂに印刷またはデスペンサー等で塗布した後、金属端子
２，３をコンデンサ本体１の両端部に組み付ける。この
半田ペーストは端子電極１０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４
ｂと金属端子２，３との相対面積に対し、０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の塗布量で塗布するとよい。その
塗布量では少なくとも機械的強度を保って金属端子２，
３を半田付け固定できるばかりでなく、０．０６ｍｇ／
ｍｍ2 を越えることによる絶縁抵抗の劣化も防げる。
【００２１】その金属端子２，３の組付け後、コンデン
サ本体１はリフロー炉に送り込んで半田付け処理を施
す。この半田付け処理は、半田ペーストが７０〜７５ｗ
ｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とから
組成されているため、２５０〜３５０℃（昇温速度：１
４℃／分）で施せる。また、半田ペーストがハロゲン化
合物の活性化剤を含まないところから、酸素分圧１００
ｐｐｍ以下のリフロー炉で施す。これにより、半田粒が
酸化するのを防げ、活性化剤を含まないでも半田粒を確
実に溶融できて半田ボールの発生を防ぐことができる。
サ本体１はリフロー炉に送り込んで半田付け処理を施
す。この半田付け処理は、半田ペーストが７０〜７５ｗ
ｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とから
組成されているため、２５０〜３５０℃（昇温速度：１
４℃／分）で施せる。また、半田ペーストがハロゲン化
合物の活性化剤を含まないところから、酸素分圧１００
ｐｐｍ以下のリフロー炉で施す。これにより、半田粒が
酸化するのを防げ、活性化剤を含まないでも半田粒を確
実に溶融できて半田ボールの発生を防ぐことができる。
【００２２】このように複合セラミックコンデンサを製
造すると、図２，３で示すように半田粒並びにフラック
スが積層セラミックコンデンサ１０〜１４間の隙間に侵
入するのを防げ、フラックスによる汚れの発生も防げる
ため、高耐電圧，大容量化と共に、機械的強度も保って
信頼性の高い複合セラミックコンデンサとして低コスト
に得ることができる。
造すると、図２，３で示すように半田粒並びにフラック
スが積層セラミックコンデンサ１０〜１４間の隙間に侵
入するのを防げ、フラックスによる汚れの発生も防げる
ため、高耐電圧，大容量化と共に、機械的強度も保って
信頼性の高い複合セラミックコンデンサとして低コスト
に得ることができる。
【００２３】この有用性を確認するべく、表１で示すよ
うに、従来例のものと共に、上述した各条件を組み合せ
て複合セラミックコンデンサを本案品１〜３として製造
し、また、その条件の一つでも外れる複合セラミックコ
ンデンサを比較例１〜３として製造した。
うに、従来例のものと共に、上述した各条件を組み合せ
て複合セラミックコンデンサを本案品１〜３として製造
し、また、その条件の一つでも外れる複合セラミックコ
ンデンサを比較例１〜３として製造した。
【００２４】
【表１】
【００２５】その各場合について、半田粒の侵入の有無
並びに絶縁抵抗の劣化を検査した。半田粒の侵入の有無
は各場合１０個単位で２０倍の顕微鏡により確認し、半
田粒が一つでも積層セラミックコンデンサ間の隙間内に
あれば不良と判断した。絶縁抵抗は、各場合３０個単位
で温度：１２０度，圧力：２気圧，試験時間：１００時
間によるプレッシャークッカー試験で検査した。この絶
縁抵抗は１０6 Ω以下に低下したものを不良と判断し、
その結果は表２で示す通りである。
並びに絶縁抵抗の劣化を検査した。半田粒の侵入の有無
は各場合１０個単位で２０倍の顕微鏡により確認し、半
田粒が一つでも積層セラミックコンデンサ間の隙間内に
あれば不良と判断した。絶縁抵抗は、各場合３０個単位
で温度：１２０度，圧力：２気圧，試験時間：１００時
間によるプレッシャークッカー試験で検査した。この絶
縁抵抗は１０6 Ω以下に低下したものを不良と判断し、
その結果は表２で示す通りである。
【００２６】
【表２】
【００２７】この表１，表２から判るように、従来例で
は粒径１〜５０μｍの微細な半田粒を含み、ロジン量が
５０〜５５ｗｔ％の半田ペーストを用いたため、積層セ
ラミックコンデンサ間の隙間を１０〜２０μｍに設定し
ても、半田粒の侵入が１００％のもので発生していた。
また、従来例では半田ペーストが１％の塩素を含み、塗
布量が０．１６ｍｇ／ｍｍ2 に設定されていることか
ら、１０％のもので絶縁抵抗の低下が見られた。
は粒径１〜５０μｍの微細な半田粒を含み、ロジン量が
５０〜５５ｗｔ％の半田ペーストを用いたため、積層セ
ラミックコンデンサ間の隙間を１０〜２０μｍに設定し
ても、半田粒の侵入が１００％のもので発生していた。
また、従来例では半田ペーストが１％の塩素を含み、塗
布量が０．１６ｍｇ／ｍｍ2 に設定されていることか
ら、１０％のもので絶縁抵抗の低下が見られた。
【００２８】比較例１では、粒径２０〜３０μｍと依然
として微細な半田粒を含み、ロジン量が５０〜５５ｗｔ
％の半田ペーストを用いたため、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を１０〜２０μｍに設定しても、半田粒の
侵入が１０％のもので発生していた。但し、比較例１で
は半田ペーストが塩素を含まないため、絶縁抵抗の低下
は見られなかった。比較例２では半田ペーストが０．２
％の塩素を含むことから、積層セラミックコンデンサ間
の隙間を１０〜２０μｍに設定しても３．４％のもので
絶縁抵抗の低下が見られた。また、比較例３では半田ペ
ーストが０．２％の塩素を含み、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を３０〜５０μｍに設定したため、６．７
％のもので絶縁抵抗の低下が見られた。
として微細な半田粒を含み、ロジン量が５０〜５５ｗｔ
％の半田ペーストを用いたため、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を１０〜２０μｍに設定しても、半田粒の
侵入が１０％のもので発生していた。但し、比較例１で
は半田ペーストが塩素を含まないため、絶縁抵抗の低下
は見られなかった。比較例２では半田ペーストが０．２
％の塩素を含むことから、積層セラミックコンデンサ間
の隙間を１０〜２０μｍに設定しても３．４％のもので
絶縁抵抗の低下が見られた。また、比較例３では半田ペ
ーストが０．２％の塩素を含み、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間を３０〜５０μｍに設定したため、６．７
％のもので絶縁抵抗の低下が見られた。
【００２９】これに対し、本案品１〜３ではいずれのも
のでも、半田ボールの侵入並びに絶縁抵抗の低下は見ら
れなかった。
のでも、半田ボールの侵入並びに絶縁抵抗の低下は見ら
れなかった。
【００３０】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る複合セラミック
コンデンサに依れば、積層セラミックコンデンサ間の隙
間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミックコン
デンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０％以上が
粒径３５〜５５μｍである半田粒を組成分とする半田ペ
ーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田
付け固定することにより、積層セラミックコンデンサ間
の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れがない
ため、高耐電圧，大容量化と共に、機械的な接合強度も
保って信頼性の高い複合セラミックコンデンサとして構
成することができる。
コンデンサに依れば、積層セラミックコンデンサ間の隙
間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミックコン
デンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０％以上が
粒径３５〜５５μｍである半田粒を組成分とする半田ペ
ーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田
付け固定することにより、積層セラミックコンデンサ間
の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れがない
ため、高耐電圧，大容量化と共に、機械的な接合強度も
保って信頼性の高い複合セラミックコンデンサとして構
成することができる。
【００３１】本発明の請求項２に係る複合セラミックコ
ンデンサに依れば、半田粒並びにロジン系樹脂を組成分
とし、且つ、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない半田
ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半
田付け固定することにより、積層セラミックコンデンサ
間の隙間に侵入する半田粒は勿論、絶縁抵抗の低下がな
いため、高耐電圧で大容量の複合セラミックコンデンサ
として構成することができる。
ンデンサに依れば、半田粒並びにロジン系樹脂を組成分
とし、且つ、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない半田
ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半
田付け固定することにより、積層セラミックコンデンサ
間の隙間に侵入する半田粒は勿論、絶縁抵抗の低下がな
いため、高耐電圧で大容量の複合セラミックコンデンサ
として構成することができる。
【００３２】本発明の請求項３に係る複合セラミックコ
ンデンサに依れば、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田
粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とする
半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部
に半田付け固定することにより、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れ
が全くなく、優れた高耐電圧，大容量化と共に、機械的
な接合強度も保って極めて信頼性の高い複合セラミック
コンデンサとして構成することができる。
ンデンサに依れば、全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田
粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とする
半田ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部
に半田付け固定することにより、積層セラミックコンデ
ンサ間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れ
が全くなく、優れた高耐電圧，大容量化と共に、機械的
な接合強度も保って極めて信頼性の高い複合セラミック
コンデンサとして構成することができる。
【００３３】本発明の請求項４に係る複合セラミックコ
ンデンサに依れば、積層セラミックコンデンサの端子電
極と金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子を
コンデンサ本体の両端部に半田付け固定することから、
積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入する半田粒や
フラックスによる汚れが全くなく、少ない半田ペースト
により金属端子をコンデンサ本体の両端部に電気的，機
械的な接合でき、低コストで信頼性の高い複合セラミッ
クコンデンサとして構成することができる。
ンデンサに依れば、積層セラミックコンデンサの端子電
極と金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜
０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子を
コンデンサ本体の両端部に半田付け固定することから、
積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入する半田粒や
フラックスによる汚れが全くなく、少ない半田ペースト
により金属端子をコンデンサ本体の両端部に電気的，機
械的な接合でき、低コストで信頼性の高い複合セラミッ
クコンデンサとして構成することができる。
【００３４】本発明の請求項５に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法に依れば、積層セラミックコンデン
サ間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミ
ックコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０
％以上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにロジン系樹
脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない
半田ペーストを積層セラミックコンデンサの各端子電極
と金属端子との相対面間に塗布し、酸素分圧１００ｐｐ
ｍ以下のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両端
部に半田付け処理するため、半田粒が酸化するのを防
げ、半田を確実に溶融できて積層セラミックコンデンサ
間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れを防
げることにより、高耐電圧，大容量化と共に、機械的な
接合強度も保って信頼性の高い複合セラミックコンデン
サを製造することができる。
ンデンサの製造方法に依れば、積層セラミックコンデン
サ間の隙間を２０μｍ以下に保って複数個の積層セラミ
ックコンデンサを組み合わせると共に、含有粒子の９０
％以上が粒径３５〜５５μｍの半田粒並びにロジン系樹
脂を組成分とし、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない
半田ペーストを積層セラミックコンデンサの各端子電極
と金属端子との相対面間に塗布し、酸素分圧１００ｐｐ
ｍ以下のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両端
部に半田付け処理するため、半田粒が酸化するのを防
げ、半田を確実に溶融できて積層セラミックコンデンサ
間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる汚れを防
げることにより、高耐電圧，大容量化と共に、機械的な
接合強度も保って信頼性の高い複合セラミックコンデン
サを製造することができる。
【００３５】本発明の請求項６に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法に依れば、全重量中、７０〜７５ｗ
ｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組
成分とする半田ペーストを積層セラミックコンデンサの
各端子電極と金属端子との相対面間に塗布し、２５０〜
３５０℃のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両
端部に半田付け処理することにより、積層セラミックコ
ンデンサ間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる
汚れを確実に防げ、優れた高耐電圧，大容量化と共に、
機械的な接合強度も保って極めて信頼性の高い複合セラ
ミックコンデンサを製造することができる。
ンデンサの製造方法に依れば、全重量中、７０〜７５ｗ
ｔ％の半田粒と２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組
成分とする半田ペーストを積層セラミックコンデンサの
各端子電極と金属端子との相対面間に塗布し、２５０〜
３５０℃のリフロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両
端部に半田付け処理することにより、積層セラミックコ
ンデンサ間の隙間に侵入する半田粒やフラックスによる
汚れを確実に防げ、優れた高耐電圧，大容量化と共に、
機械的な接合強度も保って極めて信頼性の高い複合セラ
ミックコンデンサを製造することができる。
【００３６】本発明の請求項７に係る複合セラミックコ
ンデンサの製造方法に依れは、積層セラミックコンデン
サの端子電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量
０．０２〜０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより
金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け処理する
ため、積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入する半
田粒やフラックスによる汚れを確実に防げ、少ない半田
ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に電
気的，機械的な接合でき、低コストな複合セラミックコ
ンデンサとして製造することができる。
ンデンサの製造方法に依れは、積層セラミックコンデン
サの端子電極と金属端子との相対面積に対し、塗布量
０．０２〜０．０６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより
金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け処理する
ため、積層セラミックコンデンサ間の隙間に侵入する半
田粒やフラックスによる汚れを確実に防げ、少ない半田
ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に電
気的，機械的な接合でき、低コストな複合セラミックコ
ンデンサとして製造することができる。
【図１】本発明に係る複合セラミックコンデンサを示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る複合セラミックコンデンサの半田
付け状態を示す顕微鏡写真である。
付け状態を示す顕微鏡写真である。
【図３】本発明に係る別の複合セラミックコンデンサの
半田付け状態を示す顕微鏡写真である。
半田付け状態を示す顕微鏡写真である。
【図４】従来例に係る複合セラミックコンデンサの半田
付け状態を示す顕微鏡写真である。
付け状態を示す顕微鏡写真である。
１ コンデンサ本体 １０〜１４ 積層セラミックコン
デンサ １０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂ 端子電極 ２，３ 金属端子 ４，５ 半田 ｇ 隙間
デンサ １０ａ〜１４ａ，１０ｂ〜１４ｂ 端子電極 ２，３ 金属端子 ４，５ 半田 ｇ 隙間
Claims (7)
- 【請求項１】 端子電極を両端部に有する積層セラミッ
クコンデンサを各電極相互で揃え少なくとも２個以上を
組み合わせて形成するコンデンサ本体と、そのコンデン
サ本体の両端部に半田付け固定させて各端子電極と電気
的に接合する金属端子とから構成される複合セラミック
コンデンサにおいて、 積層セラミックコンデンサ間の隙間を２０μｍ以下に保
って複数個の積層セラミックコンデンサを組み合わせる
と共に、含有粒子の９０％以上が粒径３５〜５５μｍで
ある半田粒を組成分とする半田ペーストにより金属端子
をコンデンサ本体の両端部に半田付け固定したことを特
徴とする複合セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 半田粒並びにロジン系樹脂を組成分と
し、且つ、ハロゲン化合物の活性化剤を含まない半田ペ
ーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田
付け固定したことを特徴とする請求項１に記載の複合セ
ラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田粒と
２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とする半田
ペーストにより金属端子をコンデンサ本体の両端部に半
田付け固定したことを特徴とする請求項２に記載の複合
セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 積層セラミックコンデンサの端子電極と
金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜０．０
６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子をコンデ
ンサ本体の両端部に半田付け固定したことを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の複合セラミックコンデ
ンサ。 - 【請求項５】 端子電極を両端部に有する積層セラミッ
クコンデンサを各電極相互で揃え少なくとも２個以上を
組み合わせて形成するコンデンサ本体と、そのコンデン
サ本体の両端部に半田付け固定させて各端子電極と電気
的に接合する金属端子とから構成する複合セラミックコ
ンデンサの製造方法において、 積層セラミックコンデンサ間の隙間を２０μｍ以下に保
って複数個の積層セラミックコンデンサを組み合わせる
と共に、含有粒子の９０％以上が粒径３５〜５５μｍの
半田粒並びにロジン系樹脂を組成分とし、且つ、ハロゲ
ン化合物の活性化剤を含まない半田ペーストを積層セラ
ミックコンデンサの各端子電極と金属端子との相対面間
に塗布し、酸素分圧１００ｐｐｍ以下のリフロー炉で金
属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け処理するよ
うにしたことを特徴とする複合セラミックコンデンサの
製造方法。 - 【請求項６】 全重量中、７０〜７５ｗｔ％の半田粒と
２５〜３０ｗｔ％のロジン系樹脂とを組成分とする半田
ペーストを積層セラミックコンデンサの各端子電極と金
属端子との相対面間に塗布し、２５０〜３５０℃のリフ
ロー炉で金属端子をコンデンサ本体の両端部に半田付け
処理するようにしたことを特徴とする請求項５に記載の
複合セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 積層セラミックコンデンサの端子電極と
金属端子との相対面積に対し、塗布量０．０２〜０．０
６ｍｇ／ｍｍ2 の半田ペーストにより金属端子をコンデ
ンサ本体の両端部に半田付け処理するようにしたことを
特徴とする請求項５または６に記載の複合セラミックコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14222698A JPH11329892A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 複合セラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法 |
| US09/226,918 US6191933B1 (en) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Ceramic capacitor |
| DE69936008T DE69936008T2 (de) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Keramischer Kondensator |
| EP99300051A EP0929087B1 (en) | 1998-01-07 | 1999-01-05 | Ceramic capacitor |
| TW087121980A TW394963B (en) | 1998-01-07 | 1999-01-06 | Ceramic capacitor |
| US09/697,054 US6523235B1 (en) | 1998-01-07 | 2000-10-27 | Method of manufacturing a ceramic capacitor |
| US09/740,870 US6310759B2 (en) | 1997-06-27 | 2000-12-21 | Ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14222698A JPH11329892A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 複合セラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329892A true JPH11329892A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15310357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14222698A Pending JPH11329892A (ja) | 1997-06-27 | 1998-05-08 | 複合セラミックコンデンサ並びに同コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329892A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704189B2 (en) | 2002-04-09 | 2004-03-09 | Tdk Corporation | Electronic device with external terminals and method of production of the same |
| US6940708B2 (en) | 2003-08-19 | 2005-09-06 | Tdk Corporation | Electronic component |
| KR100594469B1 (ko) | 2004-08-09 | 2006-06-30 | (주) 스마트씽커즈 | 전기 이중층 축전기의 단자 고정 방법 |
| JP2011204794A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 金属端子付き電子部品及びその実装方法、並びにその製造方法 |
| JP2011204795A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 金属端子付き電子部品及びその実装方法、並びにその製造方法 |
| KR20170005723A (ko) | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 적층 전자부품의 실장 기판 |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP14222698A patent/JPH11329892A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704189B2 (en) | 2002-04-09 | 2004-03-09 | Tdk Corporation | Electronic device with external terminals and method of production of the same |
| CN1295721C (zh) * | 2002-04-09 | 2007-01-17 | Tdk株式会社 | 带有外部端子的电子部件及其制造方法 |
| US6940708B2 (en) | 2003-08-19 | 2005-09-06 | Tdk Corporation | Electronic component |
| KR100594469B1 (ko) | 2004-08-09 | 2006-06-30 | (주) 스마트씽커즈 | 전기 이중층 축전기의 단자 고정 방법 |
| JP2011204794A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 金属端子付き電子部品及びその実装方法、並びにその製造方法 |
| JP2011204795A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tdk Corp | 金属端子付き電子部品及びその実装方法、並びにその製造方法 |
| KR20170005723A (ko) | 2015-07-06 | 2017-01-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 적층 전자부품의 실장 기판 |
| US10714265B2 (en) | 2015-07-06 | 2020-07-14 | Hyundai Motor Company | Laminated electronic component and circuit board for mounting the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020423 |