JPS63300507A

JPS63300507A - 積層型セラミック電子部品の電極形成方法

Info

Publication number: JPS63300507A
Application number: JP13569187A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Murata; 充弘村田; Harufumi Bandai; 治文万代; Norimitsu Kito; 鬼頭　範光; Takashi Kimura; 孝木村; Yasuyuki Naito; 康行内藤; Yutaka Shimabara; 豊島原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-05-30
Filing date: 1987-05-30
Publication date: 1988-12-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、積層型セラミックコンデンサ、積層型半導体
セラミックコンデンサ、積層型正特性サーミスタ、積層
型負特性サーミスタ、積層型半導体セラミックバリスタ
などの＋１１層型セラミック電子部品における外部電極
の形成方法に関する。

〈従来の技術〉一般の積層コンデンサの外部電極は、銀の第１電極層、
ニッケルの第２電極層、錫もしくは半田の第３電ＷＩ石
というように、数層の電極層で構成されているのが普通
である。これは、銀の半田食われの防止と、半田付き性
を良好にするためである。

この上うな電極の形成に当たっては、従来、積層体に電
解メッキを施すことにより、ニッケルの電極層や錫の電
極層を形成していた。

〈発明が解決しようとずろ問題点〉これに対して、積層型正特性サーミスタのように、半導
体セラミックを素材として低抵抗化、低電圧化した電子
部品では、本体である半導体セラミック積層体の抵抗値
が低いので、今仮に、この積層体に無電解メッキを施す
と、積層体の表面全面にメッキ膜が形成されてしまう。

そのため、積層型半導体セラミックの電子部品の電極形
成に、電解メッキを適用するのは実際上、無理である。

また、積層型コンデンサについても、従来用いられてい
るＡｇではコストが高く安価な卑金属の利用が望まれて
いた。

本発明は、上述の現状に鑑みてなされたものであって、
積層型セラミック電子部品での電極形成を、電解メッキ
と同様の実施容易で安価な手段により行なえるようにす
ることを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉本発明は、上記の目的を達成するために、セラミック積
層体の外部電極形成部に、アルミニウム、亜鉛、ニッケ
ル、鉄、クロム、コバルト、マンガン、錫、鉛、チタン
、モリブデン、タングステン、タンタルおよび銅の一種
もしくは複数種の金属を主成分とする金属ペーストを焼
き付けて下地電極層を形成する工程と、下地電極層を形
成した積層体に無電解メッキを施す工程とで積層型セラ
ミック電子部品の電極形成方法を構成した。

く作用〉上記の各工程によれば、ニッケル等の下地電極層の金属
活性により、積層体の表面所要部にのみメッキ膜が形成
されて、外部電極ができる。

〈実施例〉以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

この実施例は、本発明を積層型正特性サーミスタに実施
した例である。

■第１工程；この工程は、焼成すべき半導体セラミックの成形体を用
意する工程である。

まず、チタン酸バリウムに対して、半導体化剤として微
ｆｆｉ　１７）　Ｙ　ｔ　Ｏｓ、鉱化剤としテＳ　ｊ　
Ｏｔ、ＡＩｔｏ８、特性改善剤としてＭ　ｎ　Ｏｔを添
加してバインダとともに混合し、この材料で、第１図に
示すグリーンシートｌを形成する。

一方、チタン酸バリウムの焼結粉末に、カーボンとフェ
スとを混合してペースト２を作成し、このペースト２を
前記グリーンシートｌ上に、内部電極に対応する形状に
印刷塗布する。

そして、ペースト２を塗布したグリーンシートｌの複数
枚を、ペースト２の縁部が交互に外部に現われるように
積層し加圧圧着して、半導体セラミックの原体３０を形
成する。

■第２工程：この工程では、半導体セラミックの原体３０を空気中に
おいて１，３００℃で焼成する。焼成が完了すると、ペ
ースト２に含まれたカーボンが焼成して、ペースト２が
存在した個所にポーラス層４が形成される。これによっ
て、第２図に示すように、内部に層状にポーラス層４を
有し、かつ正の温度特性を有する半導体セラミックの積
層体３１が得られる。

■第３工程：この工程は、積層体３１の外部電極形成部に下地電極層
を形成する工程である。

まず、積層体３１の所要部（両端部）に金属ペーストを
塗布等の方法で付着させる。金属ペーストは、ニッケル
を主成分とするものである。そして、この金属ペースト
を焼き付ける。この焼き付けにより、第３図に示すよう
に、積層体３１の表面所要部には、多孔質の下地電極層
５が形成される。

金属ペーストとしては、ニッケルのほか、アルミニウム
、亜鉛、鉄、クロム、コバルト、マンガン、錫、鉛、チ
タン、モリブデン、タングステン、タンタルおよび銅の
一種もしくは数種を主成分とするものであってもよい。

■第４工程：次に、真空中で積層体３１のポーラス層４から下地電極
層５を通じて脱気を行なったのち、この積層体３１を低
融点の卑金属溶液中に浸漬し、ポーラス層４に卑金属を
圧入する。卑金属は、下地電極層５を通じてポーラス層
４に浸入し、積層体３１を卑金属溶液から引き上げたと
きは、下地電極層５によりポーラスＦ！！４からの流出
が阻止され、ポーラス層４内に閉じ込められる。ポーラ
ス層４内に存在する卑金属により、内部電極６が形成さ
れる。

前記卑金属としては、鉛、錫、もしくはこれらの合金、
あるいは他の低融点の金属が挙げられる。

■第５工程：この工程では、下地電極層５が形成された積層体３１に
対して銅の無電解メッキを施す。

メッキ浴は、硫酸銅および錯化剤を主成分とするもので
、このほか、ホルマリンが主成分である還元剤と、カセ
イソーダが主成分であるｐｔｉＲ整剤とを含む。本体ｌ
はこのメッキ浴中に、温度６０℃で１０分間、浸漬する
。

このメッキ浴中において、積層体３１表面の下地電極層
６の金属金属粒子が核となり、これにメッキ浴に含まれ
る金属（銅）が付着し、第４図に示すように、外部電極
形成部全体に第２電極層となる銅のメッキ膜７が形成さ
れる。

以上のようにして、積層体３１に外部電極８が形成され
ろ。

この外部電極８付き積層体３１を２３０℃の半田浴に浸
漬して外部電極８にリード線を取り付け、そのリード線
の引張強度を測定したところ、１．５ｋｇの値が得られ
た。このことから、上記の各工程により形成された外部
電極８は、積層体３１との接合強度が充分に大きく、強
度的に問題がないことが分かる。

なお、上記の実施例では、積層型正特性サーミスタの積
層体に外部電極を形成する場合を示したが、本発明の方
法を、他のタイプの積層型セラミック電子部品、たとえ
ば積層型セラミックコンデンサ、積層型半導体セラミッ
クのインダクタンス素子、負特性サーミスタ、バリスタ
等の外部電極の形成にも適用しうる。

〈発明の効果〉以上のように、本発明によれば、積層型セラミックコン
デンサのように絶縁性の高い積層型セラミック電子部品
はもちろんのこと、低抵抗化、低電圧化した半導体セラ
ミックの積層体であって電解メッキにかけられないもの
であっても、無電解メッキによりその表面所要部に外部
電極を形成することができ、外部電極の形成が容易かつ
安価にできる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はいずれも本発明の一実施例の各工
程を示す説明図である。３１・・・半導体セラミックの積層体、５・・・下地電
極層、７・・・メッキ膜。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）セラミック積層体の外部電極形成部に、アルミニ
ウム、亜鉛、ニッケル、鉄、クロム、コバルト、マンガ
ン、錫、鉛、チタン、モリブデン、タングステン、タン
タルおよび銅の一種もしくは複数種の金属を主成分とす
る金属ペーストを焼き付けて下地電極層を形成する工程
と、下地電極層を形成した積層体に無電解メッキを施す
工程とを含む積層型セラミック電子部品の電極形成方法
。