JP2002100874A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板及びプリント配線板の製造方法Info
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ループインダクタンスを低減できるプリント
配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデン
サ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデ
ンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを
低減することができる。また、厚いコア基板３０内にチ
ップコンデンサ２０を収容するためプリント配線板を厚
くすることがない。
配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 プリント配線板１０内にチップコンデン
サ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデ
ンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを
低減することができる。また、厚いコア基板３０内にチ
ップコンデンサ２０を収容するためプリント配線板を厚
くすることがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵
するプリント配線板に関するのもである。
載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵
するプリント配線板に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】通常、コンピュータ内部においては、電
源とＩＣチップ間の配線距離が長く、この配線部分のル
ープインダクタンスは非常に大きいものとなっている。
このため、高速動作時のＩＣ駆動電圧の変動も大きくな
り、ＩＣの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を
安定化させることも困難である。このため、電源供給の
補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装
している。
源とＩＣチップ間の配線距離が長く、この配線部分のル
ープインダクタンスは非常に大きいものとなっている。
このため、高速動作時のＩＣ駆動電圧の変動も大きくな
り、ＩＣの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を
安定化させることも困難である。このため、電源供給の
補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装
している。
【０００３】即ち、電圧変動となるループインダクタン
スは、図２０（Ａ）に示す電源からプリント配線板３０
０内の電源線を介してＩＣチップ２７０の電源端子２７
２Ｐまでの配線長、及び、ＩＣチップ２７０のアース端
子２７２Ｅから電源からプリント配線板３００内のアー
ス線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方
向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線
との間隔を狭くすることでループインダクタンスを低減
できる。このため、図２０（Ｂ）に示すように、プリン
ト配線板３００にチップコンデンサ２９８を表面実装す
ることで、ＩＣチップ２７０と電源供給源となるチップ
コンデンサ２９２とを結んでいるプリント配線板３００
内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、
配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低
減することが行われていた。
スは、図２０（Ａ）に示す電源からプリント配線板３０
０内の電源線を介してＩＣチップ２７０の電源端子２７
２Ｐまでの配線長、及び、ＩＣチップ２７０のアース端
子２７２Ｅから電源からプリント配線板３００内のアー
ス線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方
向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線
との間隔を狭くすることでループインダクタンスを低減
できる。このため、図２０（Ｂ）に示すように、プリン
ト配線板３００にチップコンデンサ２９８を表面実装す
ることで、ＩＣチップ２７０と電源供給源となるチップ
コンデンサ２９２とを結んでいるプリント配線板３００
内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、
配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低
減することが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ駆
動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依
存する。このため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴
い、図２０（Ｂ）を参照して上述したようにチップコン
デンサを表面に実装させてもなおループインダクタンス
を低減できず、ＩＣ駆動電圧の変動を十分に抑えること
が難しくなった。
動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依
存する。このため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴
い、図２０（Ｂ）を参照して上述したようにチップコン
デンサを表面に実装させてもなおループインダクタンス
を低減できず、ＩＣ駆動電圧の変動を十分に抑えること
が難しくなった。
【０００５】このため、本発明者は、プリント配線板内
にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コン
デンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２
６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−
２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１
１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等が
ある。
にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コン
デンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２
６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−
２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１
１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等が
ある。
【０００６】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短
くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域において
は、現在必要とされるようにインダクタンスを低減する
ことができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ
配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、
樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の
違いから、チップコンデンサの端子とバイアホールとの
間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で
剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り
高い信頼性を達成することができなかった。
た技術は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短
くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域において
は、現在必要とされるようにインダクタンスを低減する
ことができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ
配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、
樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の
違いから、チップコンデンサの端子とバイアホールとの
間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で
剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り
高い信頼性を達成することができなかった。
【０００８】本発明は上述した課題を解決するためなさ
れたものであり、その目的とするところは、ループイン
ダクタンスを低減できると共に高い信頼性を有するプリ
ント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、ループイン
ダクタンスを低減できると共に高い信頼性を有するプリ
ント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項１では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路
とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基
板は、通孔部にコンデンサを収納した収容層と、前記収
容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層よりなる接
続層と、からなることを技術的特徴とする。
ため、請求項１では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路
とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基
板は、通孔部にコンデンサを収納した収容層と、前記収
容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層よりなる接
続層と、からなることを技術的特徴とする。
【００１０】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。
【００１１】請求項１では、プリント配線板内にコンデ
ンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することがで
きる。また、コア基板は、少なくとも１層以上の接続層
と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い
収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚く
ならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してもプリント配線板を厚くすることがない。また、
コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣ
チップと基板内に収容したコンデンサとを、また、外部
接続基板に配置された電源と基板内に収容したコンデン
サとを最短の距離で接続できる。このため、電源からＩ
Ｃチップへ瞬時に電圧を補うことができ、速やかにＩＣ
駆動電圧を安定させることができる。
ンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することがで
きる。また、コア基板は、少なくとも１層以上の接続層
と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い
収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚く
ならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してもプリント配線板を厚くすることがない。また、
コア基板の両面にバイアホールを設けてあるため、ＩＣ
チップと基板内に収容したコンデンサとを、また、外部
接続基板に配置された電源と基板内に収容したコンデン
サとを最短の距離で接続できる。このため、電源からＩ
Ｃチップへ瞬時に電圧を補うことができ、速やかにＩＣ
駆動電圧を安定させることができる。
【００１２】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。
【００１３】請求項２では、収容層は、心材に樹脂を含
浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度
を得ることができる。
浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度
を得ることができる。
【００１４】請求項３では、コンデンサは、収容層の通
孔に絶縁性接着剤を介して固定されているため、コンデ
ンサを適切な位置に固定することができる。
孔に絶縁性接着剤を介して固定されているため、コンデ
ンサを適切な位置に固定することができる。
【００１５】請求項４では、プリント配線板の表面に配
設されるＩＣチップ、裏面側に配設される外部基板（ド
ータボード、マザーボード）とコンデンサの端子とは、
接続層に設けられたバイアホールを介して接続される。
即ち、コンデンサの端子とＩＣチップ、外部基板とを直
接接続するため、配線長を短縮することができる。
設されるＩＣチップ、裏面側に配設される外部基板（ド
ータボード、マザーボード）とコンデンサの端子とは、
接続層に設けられたバイアホールを介して接続される。
即ち、コンデンサの端子とＩＣチップ、外部基板とを直
接接続するため、配線長を短縮することができる。
【００１６】請求項５では、コンデンサ間にＩＣチップ
と外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号
線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が
発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣ
チップに大電力を容易に供給することが可能となる。グ
ランド用コンデンサを備えることで、プリント配線板の
信号伝搬のノイズを低減することができる。また、接続
用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、
配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度
が増して、高密度化、小型化をすることができる。
と外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号
線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が
発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、ＩＣ
チップに大電力を容易に供給することが可能となる。グ
ランド用コンデンサを備えることで、プリント配線板の
信号伝搬のノイズを低減することができる。また、接続
用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、
配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度
が増して、高密度化、小型化をすることができる。
【００１７】請求項６では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。
【００１８】請求項７では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。
【００１９】請求項８では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２０】請求項９、１０では、金属膜を形成したチ
ップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホール
で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサ
の電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金
属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成する
ため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、
樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性
を高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。
ップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホール
で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサ
の電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金
属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成する
ため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、
樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性
を高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。
【００２１】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することもできる。
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することもできる。
【００２２】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施すこともできる。これにより、セラミックから成る
チップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁
層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても
界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生すること
がない。
を施すこともできる。これにより、セラミックから成る
チップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁
層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても
界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生すること
がない。
【００２３】請求項１１では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。
【００２４】請求項１２では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２５】請求項１３では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２６】請求項１４では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。
【００２７】請求項１５では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板を構成する収容層とコ
ンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を
達成できる。
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板を構成する収容層とコ
ンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を
達成できる。
【００２８】請求項１６のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）心材に樹脂を含浸させてなる第１の樹脂材料にコ
ンデンサ収容用の通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂材料の通孔にコンデンサを収容す
る工程； （ｃ）前記第１の樹脂材料に第２の樹脂材料を貼り付
け、コア基板を形成する工程； （ｄ）前記コア基板の第２の樹脂材料に前記コンデンサ
の電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工
程。
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）心材に樹脂を含浸させてなる第１の樹脂材料にコ
ンデンサ収容用の通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂材料の通孔にコンデンサを収容す
る工程； （ｃ）前記第１の樹脂材料に第２の樹脂材料を貼り付
け、コア基板を形成する工程； （ｄ）前記コア基板の第２の樹脂材料に前記コンデンサ
の電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工
程。
【００２９】請求項１６のプリント配線板の製造方法で
は、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可
能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント
配線板を提供できる。
は、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可
能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント
配線板を提供できる。
【００３０】請求項１７のプリント配線板の製造方法で
は、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板とのスルーホ
ールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、
高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及
び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用
のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容
易に供給することが可能となる。
は、コンデンサ間にＩＣチップと外部基板とのスルーホ
ールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、
高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及
び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用
のコンデンサを備えることで、ＩＣチップに大電力を容
易に供給することが可能となる。
【００３１】請求項１８のプリント配線板の製造方法で
は、コンデンサを収容した第１の樹脂材料と第２の樹脂
材料とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形
成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層
間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。
は、コンデンサを収容した第１の樹脂材料と第２の樹脂
材料とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形
成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層
間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について図６、図７を参照し
て説明する。図６は、プリント配線板１０の断面を示
し、図７は、図６に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について図６、図７を参照し
て説明する。図６は、プリント配線板１０の断面を示
し、図７は、図６に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。
【００３３】図６に示すようにプリント配線板１０は、
チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を収容
するコア基板３０と、ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂを
構成する層間樹脂絶縁層６０とからなる。コア基板３０
は、コンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０
とからなる。接続層４０には、バイアホール４６及び導
体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイ
アホール６６及び導体回路６８が形成されている。本実
施形態では、ビルドアップ層が１層の層間樹脂絶縁層６
０からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁
層からなることができる。
チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を収容
するコア基板３０と、ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂを
構成する層間樹脂絶縁層６０とからなる。コア基板３０
は、コンデンサ２０を収容する収容層３１と接続層４０
とからなる。接続層４０には、バイアホール４６及び導
体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイ
アホール６６及び導体回路６８が形成されている。本実
施形態では、ビルドアップ層が１層の層間樹脂絶縁層６
０からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁
層からなることができる。
【００３４】チップコンデンサ２０は、図１３に示すよ
うに第１電極２１と第２電極２２と、該第１、第２電極
に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３には、
第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電
極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配
置されている。第１電極２１及び第２電極の表面には被
覆２６が被せてある。
うに第１電極２１と第２電極２２と、該第１、第２電極
に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３には、
第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電
極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配
置されている。第１電極２１及び第２電極の表面には被
覆２６が被せてある。
【００３５】図７に示すように上側のビルドアップ層８
０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド
９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するた
めのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルド
アップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード
９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２
へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基
板３０にはスルーホール３６が形成されている。
０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド
９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するた
めのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルド
アップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード
９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２
へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基
板３０にはスルーホール３６が形成されている。
【００３６】ＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ２
は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−ス
ルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介し
て、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続
されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９
２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホー
ル３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドー
タボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されてい
る。
は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−ス
ルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介し
て、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続
されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９
２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホー
ル３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドー
タボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されてい
る。
【００３７】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電
極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電
極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００３８】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電
極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電
極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコン
デンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００３９】本実施形態のプリント配線板１０では、Ｉ
Ｃチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置する
ため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電
力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能にな
る。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さ
を短縮することができる。
Ｃチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置する
ため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電
力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能にな
る。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さ
を短縮することができる。
【００４０】更に、チップコンデンサ２０とチップコン
デンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコ
ンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデ
ンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝
搬遅延を防ぐことができる。
デンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコ
ンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデ
ンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝
搬遅延を防ぐことができる。
【００４１】また、プリント配線板の裏面側に接続され
る外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第
１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の接続層
４０に設けられたバイアホール４６及びドータボード側
の接続層４０に設けられたバイアホール４６を介して接
続される。即ち、コンデンサ２０の端子２１，２２とＩ
Ｃチップ９０、ドータボード９４とを直接接続するた
め、配線長を短縮することができる。
る外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第
１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の接続層
４０に設けられたバイアホール４６及びドータボード側
の接続層４０に設けられたバイアホール４６を介して接
続される。即ち、コンデンサ２０の端子２１，２２とＩ
Ｃチップ９０、ドータボード９４とを直接接続するた
め、配線長を短縮することができる。
【００４２】更に、本実施形態では、図６に示すように
コア基板３０の通孔３７の側面とチップコンデンサ２０
との間接着剤３２を介在させてある。ここで、接着剤３
２の熱膨張率を、コア基板３０及び接着層４０よりも小
さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０
に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル
試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデ
ンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板及び接着層４０にクラック、剥離等が生じ難
く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーション
の発生を防止することもできる。
コア基板３０の通孔３７の側面とチップコンデンサ２０
との間接着剤３２を介在させてある。ここで、接着剤３
２の熱膨張率を、コア基板３０及び接着層４０よりも小
さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０
に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル
試験において、コア基板及び接着層４０とチップコンデ
ンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、
コア基板及び接着層４０にクラック、剥離等が生じ難
く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーション
の発生を防止することもできる。
【００４３】ひき続き、図６を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説
明する。先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を
含浸させたプリプレグを積層してなる積層板（収容層）
３１αにチップコンデンサ収容用の通孔３７を形成する
（図１（Ａ））。ここで、プリプレグとして、エポキシ
以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロス
などの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント
配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロ
スなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもでき
る。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板
を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪
く、コンデンサを収容することができないことがあり、
樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
ト配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説
明する。先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を
含浸させたプリプレグを積層してなる積層板（収容層）
３１αにチップコンデンサ収容用の通孔３７を形成する
（図１（Ａ））。ここで、プリプレグとして、エポキシ
以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロス
などの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント
配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロ
スなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもでき
る。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板
を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪
く、コンデンサを収容することができないことがあり、
樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００４４】次に、収容層３１αの通孔３７内にチップ
コンデンサ２０を収容させる（図１（Ｂ））。ここで、
チップコンデンサ２０の第１、第２電極２１，２２の表
面の被覆２６（図１３参照）を剥いでおくことが、上層
に形成されるバイアホール４６との接続性を高めるため
望ましい。また、該通孔３７とチップコンデンサ２０と
の間に接着剤３２を介在させることが好適である。接着
剤３２は、熱膨張率がコア基板及び接着層よりも小さい
ものが望ましい。
コンデンサ２０を収容させる（図１（Ｂ））。ここで、
チップコンデンサ２０の第１、第２電極２１，２２の表
面の被覆２６（図１３参照）を剥いでおくことが、上層
に形成されるバイアホール４６との接続性を高めるため
望ましい。また、該通孔３７とチップコンデンサ２０と
の間に接着剤３２を介在させることが好適である。接着
剤３２は、熱膨張率がコア基板及び接着層よりも小さい
ものが望ましい。
【００４５】次に、樹脂フィルム４０α、上記チップコ
ンデンサ２０を収容する収容層３１α、更に、樹脂フィ
ルム４０αを積層させる（図１（Ｃ））。この樹脂フィ
ルム４０αとしては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド、オ
レフィン等の熱硬化性樹脂、又は、熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、
通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望
ましい。また、樹脂フィルム４０αには、金属層のない
ものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設し
た樹脂フィルム（ＲＣＣ）を用いてもよい。即ち、両面
板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを
用いることができる。なお、チップコンデンサ２０の上
下面に樹脂充填剤３２ａを充填して、気密性を高めるこ
とが好適である。なお、本願に用いられる樹脂や層間樹
脂絶縁層は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を
越える温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してし
まう。
ンデンサ２０を収容する収容層３１α、更に、樹脂フィ
ルム４０αを積層させる（図１（Ｃ））。この樹脂フィ
ルム４０αとしては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド、オ
レフィン等の熱硬化性樹脂、又は、熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、
通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望
ましい。また、樹脂フィルム４０αには、金属層のない
ものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設し
た樹脂フィルム（ＲＣＣ）を用いてもよい。即ち、両面
板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを
用いることができる。なお、チップコンデンサ２０の上
下面に樹脂充填剤３２ａを充填して、気密性を高めるこ
とが好適である。なお、本願に用いられる樹脂や層間樹
脂絶縁層は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を
越える温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してし
まう。
【００４６】そして、積層した収容層３１α及び樹脂フ
ィルム４０αを両面からプレスして表面を平坦にする。
その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ
２０を収容する収容層３１及び接続層４０からなるコア
基板３０を完成する（図２（Ａ））。本実施形態では、
コンデンサ２０を収容した収容層３１と接続層４０と
を、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板３０を形成
するため、表面が平坦化される。これにより、後述する
工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層６０
及び導体回路６８を積層することができる。
ィルム４０αを両面からプレスして表面を平坦にする。
その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ
２０を収容する収容層３１及び接続層４０からなるコア
基板３０を完成する（図２（Ａ））。本実施形態では、
コンデンサ２０を収容した収容層３１と接続層４０と
を、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板３０を形成
するため、表面が平坦化される。これにより、後述する
工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層６０
及び導体回路６８を積層することができる。
【００４７】次に、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキ
シマレーザあるいはＵＶレーザにより上面側の接続層４
０にバイアホールとなる非貫通孔４３を穿設する（図２
（Ｂ））。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させ
て通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエ
リア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさ
や径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによ
って形成させてもよい。
シマレーザあるいはＵＶレーザにより上面側の接続層４
０にバイアホールとなる非貫通孔４３を穿設する（図２
（Ｂ））。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させ
て通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエ
リア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさ
や径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによ
って形成させてもよい。
【００４８】また、必要に応じて、バイアホール内のス
ミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理
などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸な
どの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよ
い。引き続き、接続層４０、収容層３１及び接続層４０
からなるコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザ
でスルーホール用の通孔３３を５０〜５００μｍで穿設
する（図２（Ｃ））。
ミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理
などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸な
どの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよ
い。引き続き、接続層４０、収容層３１及び接続層４０
からなるコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザ
でスルーホール用の通孔３３を５０〜５００μｍで穿設
する（図２（Ｃ））。
【００４９】コア基板３０の接続層４０の表層、バイア
ホール用非貫通孔４３及びスルーホール用貫通孔３３内
に金属膜を形成させる。このために、接続層４０の表面
にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコ
ア基板３０を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜４４を析
出させる（図３（Ａ））。ここでは、無電解めっきを用
いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層
を形成することも可能である。スパッタはコスト的には
不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点があ
る。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触
媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めっ
き膜と形成させた方が電解めっきの析出性が安定するか
らである。金属膜４４は、０．１〜３mmの範囲で形成す
ることが望ましい。
ホール用非貫通孔４３及びスルーホール用貫通孔３３内
に金属膜を形成させる。このために、接続層４０の表面
にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコ
ア基板３０を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜４４を析
出させる（図３（Ａ））。ここでは、無電解めっきを用
いているが、スパッタにより、銅、ニッケル等の金属層
を形成することも可能である。スパッタはコスト的には
不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点があ
る。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触
媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めっ
き膜と形成させた方が電解めっきの析出性が安定するか
らである。金属膜４４は、０．１〜３mmの範囲で形成す
ることが望ましい。
【００５０】その後、金属膜４４の表面に感光性ドライ
フィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処
理し、所定パターンのレジスト５１を形成する。そし
て、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっ
き膜４４を介して電流を流し電解銅めっき膜４５を析出
させる（図３（Ｂ））。レジスト５０及びレジスト５１
を５％のKOH で剥離した後、レジスト５１下の無電解め
っき膜４４を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして
除去し、接続層４０にバイアホール４６及び導体回路４
８を、一方、コア基板３０の通孔３３にスルーホール３
６を形成する（図３（Ｃ））。
フィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処
理し、所定パターンのレジスト５１を形成する。そし
て、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっ
き膜４４を介して電流を流し電解銅めっき膜４５を析出
させる（図３（Ｂ））。レジスト５０及びレジスト５１
を５％のKOH で剥離した後、レジスト５１下の無電解め
っき膜４４を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして
除去し、接続層４０にバイアホール４６及び導体回路４
８を、一方、コア基板３０の通孔３３にスルーホール３
６を形成する（図３（Ｃ））。
【００５１】導体回路４８、バイアホール４６及びスル
ーホール３６の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化
（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金など
の無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩か
らなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化
層を施す。粗化層はＲａ（平均粗度高さ）＝０．０１〜
５μｍである。特に望ましいのは、０．５〜３μｍの範
囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗
化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フ
ィルムを貼り付けることも可能である。
ーホール３６の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化
（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金など
の無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩か
らなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化
層を施す。粗化層はＲａ（平均粗度高さ）＝０．０１〜
５μｍである。特に望ましいのは、０．５〜３μｍの範
囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗
化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フ
ィルムを貼り付けることも可能である。
【００５２】引き続き、スルーホール３６内に樹脂層３
８を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹
脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペー
ストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場
合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率
を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として
充填させる。スルーホール３６への樹脂３８の充填後、
樹脂フィルム６０αを貼り付ける（図４（Ａ））。な
お、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布す
ることも可能である。樹脂フィルム６０αを貼り付けた
後、フォト、レーザにより、絶縁層６０αに開口径２０
〜２５０μｍであるバイアホール６３を形成してから熱
硬化させる（図４（Ｂ））。その後、コア基板に触媒付
与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層６０の
表面に均一に厚さ０．９μｍの無電解めっき膜６４を析
出させ、その後、所定のパターンをレジスト７０で形成
させる（図４（Ｃ））。
８を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹
脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペー
ストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場
合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率
を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として
充填させる。スルーホール３６への樹脂３８の充填後、
樹脂フィルム６０αを貼り付ける（図４（Ａ））。な
お、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布す
ることも可能である。樹脂フィルム６０αを貼り付けた
後、フォト、レーザにより、絶縁層６０αに開口径２０
〜２５０μｍであるバイアホール６３を形成してから熱
硬化させる（図４（Ｂ））。その後、コア基板に触媒付
与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層６０の
表面に均一に厚さ０．９μｍの無電解めっき膜６４を析
出させ、その後、所定のパターンをレジスト７０で形成
させる（図４（Ｃ））。
【００５３】電解めっき液に浸漬し、無電解めっき膜６
４を介して電流を流してレジスト７０の非形成部に電解
銅めっき膜６５を形成する（図５（Ａ））。レジスト７
０を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき
膜６４を溶解除去し、無電解めっき膜６４及び電解銅め
っき膜６５からなるの導体回路６８及びバイアホール６
６を得る（図５（Ｂ））。
４を介して電流を流してレジスト７０の非形成部に電解
銅めっき膜６５を形成する（図５（Ａ））。レジスト７
０を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき
膜６４を溶解除去し、無電解めっき膜６４及び電解銅め
っき膜６５からなるの導体回路６８及びバイアホール６
６を得る（図５（Ｂ））。
【００５４】第２銅錯体と有機酸とを含有するエッチン
グ液により、導体回路６８及びバイアホール６６の表面
に粗化面（図示せず）を形成し、さらにその表面にSn置
換を行う。
グ液により、導体回路６８及びバイアホール６６の表面
に粗化面（図示せず）を形成し、さらにその表面にSn置
換を行う。
【００５５】上述したプリント配線板にはんだバンプを
形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗
布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を
密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そ
してさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホ
ールとそのランド部分を含む）の開口部７２ａを有する
ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７２を形成する（図
５（Ｃ））。
形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗
布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を
密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そ
してさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホ
ールとそのランド部分を含む）の開口部７２ａを有する
ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７２を形成する（図
５（Ｃ））。
【００５６】そして、ソルダーレジスト層７２の開口部
７２ａに、半田ペーストを充填する（図示せず）。その
後、開口部７２ａに充填された半田を 200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６を形成する
（図６参照）。なお、耐食性を向上させるため、開口部
７２ａにＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属層をめっ
き、スパッタにより形成することも可能である。
７２ａに、半田ペーストを充填する（図示せず）。その
後、開口部７２ａに充填された半田を 200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６を形成する
（図６参照）。なお、耐食性を向上させるため、開口部
７２ａにＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属層をめっ
き、スパッタにより形成することも可能である。
【００５７】次に、該プリント配線板へのＩＣチップの
載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図７を
参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田
バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９
２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチ
ップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の
半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、
９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、
ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。
載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図７を
参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田
バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９
２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチ
ップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の
半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、
９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、
ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。
【００５８】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。
【００５９】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
【００６０】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。
【００６１】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
【００６２】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
【００６３】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
【００６４】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
【００６５】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
【００６６】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６７】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６８】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
【００６９】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
【００７０】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
【００７１】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
【００７２】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。
【００７３】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００７４】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
【００７５】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
【００７６】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
【００７７】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。
【００７８】図８は、第１実施形態のプリント配線板の
第１改変例を示している。図８中に示す第１改変例のよ
うにチップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２
２とバイアホール４６とを接着材料３４を介して接続す
ることもできる。導電性接着材３４は、半田（Ｓｎ／Ｐ
ｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ）、導電性ペースト、ある
いは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着
性を兼ね備えるものを用いることができる。
第１改変例を示している。図８中に示す第１改変例のよ
うにチップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２
２とバイアホール４６とを接着材料３４を介して接続す
ることもできる。導電性接着材３４は、半田（Ｓｎ／Ｐ
ｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ）、導電性ペースト、ある
いは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着
性を兼ね備えるものを用いることができる。
【００７９】引き続き、本発明の第１実施形態の第２改
変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説
明する。第２改変例のプリント配線板は、上述した第１
実施形態とほぼ同様である。但し、この第２改変例のプ
リント配線板では、導電性ピン８４が配設され、該導電
性ピン８４を介してドータボードとの接続を取るように
形成されている。
変例に係るプリント配線板について、図９を参照して説
明する。第２改変例のプリント配線板は、上述した第１
実施形態とほぼ同様である。但し、この第２改変例のプ
リント配線板では、導電性ピン８４が配設され、該導電
性ピン８４を介してドータボードとの接続を取るように
形成されている。
【００８０】また、上述した第１実施形態では、コア基
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチッ
プコンデンサ８６が実装されている。
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、第１改変例では、表面及び裏面に大容量のチッ
プコンデンサ８６が実装されている。
【００８１】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に
電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８
６を備えてある。このチップコンデンサによる効果につ
いて、図１４を参照して説明する。
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に
電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８
６を備えてある。このチップコンデンサによる効果につ
いて、図１４を参照して説明する。
【００８２】図１４は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図６を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図８を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデン
サ８６を実装する第１改変例のプリント配線板の電圧変
動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ
２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタ
ンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変
動を最小に押さえている。
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図６を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図８を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデン
サ８６を実装する第１改変例のプリント配線板の電圧変
動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ
２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタ
ンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変
動を最小に押さえている。
【００８３】本発明の第３改変例に係るプリント配線板
について、図１０を参照して説明する。第３改変例のプ
リント配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様
である。但し、この第３改変例のプリント配線板では、
チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２２上
にフィルドビア４６が形成され、フィルドビア６６を介
してＩＣチップ９０のバンプ９２と接続されている。
について、図１０を参照して説明する。第３改変例のプ
リント配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様
である。但し、この第３改変例のプリント配線板では、
チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２電極２２上
にフィルドビア４６が形成され、フィルドビア６６を介
してＩＣチップ９０のバンプ９２と接続されている。
【００８４】本発明の第１実施形態の第４改変例に係る
プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
第４改変例のプリント配線板１０は、上述した第１実施
形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配
線板では、チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２
電極２２にフィルドビア４６が形成され、該フィルドビ
ア４６の直上に形成されたフィルドビア６６を介してＩ
Ｃチップ９０のバンプ９２Ｐ１、９２Ｐ２と接続されて
いる。この第４改変例では、ＩＣチップとチップコンデ
ンサとの距離を最短にすることができる。
プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
第４改変例のプリント配線板１０は、上述した第１実施
形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配
線板では、チップコンデンサ２０の第１電極２１，第２
電極２２にフィルドビア４６が形成され、該フィルドビ
ア４６の直上に形成されたフィルドビア６６を介してＩ
Ｃチップ９０のバンプ９２Ｐ１、９２Ｐ２と接続されて
いる。この第４改変例では、ＩＣチップとチップコンデ
ンサとの距離を最短にすることができる。
【００８５】第５改変例に係るプリント配線板につい
て、図１２を参照して説明する。第５改変例のプリント
配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様であ
る。但し、この改変例のプリント配線板では、チップコ
ンデンサ２０の第１電極２１，第１電極２２を介して、
ＩＣチップ９０側のパッドとドータボード９４側のパッ
ド９６とが接続されている。即ち、ＩＣチップとドータ
ボードとの電源用、アース用のスルーホールが省かれて
いる。この第５改変例では、第１実施形態と比べて配線
密度を高めることができる。
て、図１２を参照して説明する。第５改変例のプリント
配線板１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様であ
る。但し、この改変例のプリント配線板では、チップコ
ンデンサ２０の第１電極２１，第１電極２２を介して、
ＩＣチップ９０側のパッドとドータボード９４側のパッ
ド９６とが接続されている。即ち、ＩＣチップとドータ
ボードとの電源用、アース用のスルーホールが省かれて
いる。この第５改変例では、第１実施形態と比べて配線
密度を高めることができる。
【００８６】引き続き、第１実施形態の第６改変例に係
るプリント配線板について、図１５、図１６（Ａ）を参
照して説明する。第６改変例の構成は、図６を参照して
上述した第１実施形態と同様である。但し、第６改変例
のプリント配線板では、チップコンデンサ２０が、図１
６（Ａ）に示すように第１、第２電極２１，２２の被覆
層２６（図１３参照）を完全に剥離した後、銅めっき膜
２９により被覆してある。そして、銅めっき膜２９で被
覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきよりなるバ
イアホール４６で電気的接続を取ってある。ここで、チ
ップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからな
り表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状
態で用いると、接続層４０に非貫通孔４３を穿設する工
程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際に
は、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバ
イアホール４６との接続不良が発生することがある。こ
れに対して、第６改変例では、銅めっき膜２９によって
第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上
に被覆された接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際
に、樹脂残さが残らず、バイアホール４６を形成した際
の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができ
る。
るプリント配線板について、図１５、図１６（Ａ）を参
照して説明する。第６改変例の構成は、図６を参照して
上述した第１実施形態と同様である。但し、第６改変例
のプリント配線板では、チップコンデンサ２０が、図１
６（Ａ）に示すように第１、第２電極２１，２２の被覆
層２６（図１３参照）を完全に剥離した後、銅めっき膜
２９により被覆してある。そして、銅めっき膜２９で被
覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきよりなるバ
イアホール４６で電気的接続を取ってある。ここで、チ
ップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからな
り表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状
態で用いると、接続層４０に非貫通孔４３を穿設する工
程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際に
は、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバ
イアホール４６との接続不良が発生することがある。こ
れに対して、第６改変例では、銅めっき膜２９によって
第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上
に被覆された接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際
に、樹脂残さが残らず、バイアホール４６を形成した際
の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができ
る。
【００８７】更に、銅めっき膜２９の形成された電極２
１、２２に、めっきによりバイアホール４６を形成する
ため、電極２１、２２とバイアホール４６との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極２１、２
２とバイアホール４６との間で断線が生じることがな
い。
１、２２に、めっきによりバイアホール４６を形成する
ため、電極２１、２２とバイアホール４６との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極２１、２
２とバイアホール４６との間で断線が生じることがな
い。
【００８８】なお、上記銅めっき膜２９は、チップコン
デンサの製造段階で第１、第１電極を構成する金属層２
８の表面に被覆されたニッケル／スズ層（被覆層）を、
プリント配線板への搭載の段階で剥離してから設ける。
この代わりに、チップコンデンサ２０の製造段階で、金
属層２８の上に直接銅めっき膜２９を被覆することも可
能である。即ち、第６改変例では、第１実施形態と同様
に、レーザにて電極の銅めっき膜２９へ至る開口を設け
た後、デスミヤ処理等を行い、バイアホールを銅めっき
により形成する。従って、銅めっき膜２９の表面に酸化
膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で
酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができ
る。
デンサの製造段階で第１、第１電極を構成する金属層２
８の表面に被覆されたニッケル／スズ層（被覆層）を、
プリント配線板への搭載の段階で剥離してから設ける。
この代わりに、チップコンデンサ２０の製造段階で、金
属層２８の上に直接銅めっき膜２９を被覆することも可
能である。即ち、第６改変例では、第１実施形態と同様
に、レーザにて電極の銅めっき膜２９へ至る開口を設け
た後、デスミヤ処理等を行い、バイアホールを銅めっき
により形成する。従って、銅めっき膜２９の表面に酸化
膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で
酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができ
る。
【００８９】また、図１６（Ｂ）に示すようにチップコ
ンデンサ２０の第１電極２１、第２電極２２の被覆層２
６から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層２６から露出した第１電極２１、第２電極２２に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層２６か
ら露出した金属は、主成分がＣｕであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。
ンデンサ２０の第１電極２１、第２電極２２の被覆層２
６から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層２６から露出した第１電極２１、第２電極２２に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層２６か
ら露出した金属は、主成分がＣｕであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。
【００９０】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接着層４０の剥
離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後
に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。なお、第６改変例では、コンデンサの表面に粗化
処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わり
に、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施す
ことも可能である。
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接着層４０の剥
離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後
に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。なお、第６改変例では、コンデンサの表面に粗化
処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わり
に、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施す
ことも可能である。
【００９１】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図１７を参照して説明す
る。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
７は、チップコンデンサの平面図を示している。図１７
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１７（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１７（Ｃ）
は、第２実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第２実施形態のプリント配線板では、図１７（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。
リント配線板の構成について図１７を参照して説明す
る。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
７は、チップコンデンサの平面図を示している。図１７
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１７（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１７（Ｃ）
は、第２実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第２実施形態のプリント配線板では、図１７（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。
【００９２】この第２実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。
【００９３】引き続き、第２実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板について図１８を参照して説明する。
図１８は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示してい
る。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１
電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２
１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接
続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導
電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介して
ＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
るプリント配線板について図１８を参照して説明する。
図１８は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示してい
る。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１
電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２
１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接
続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導
電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介して
ＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【００９４】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。
【００９５】図１９を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図１９（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１９（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１９（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。
ト配線板について説明する。図１９（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１９（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１９（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。
【００９６】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。
【００９７】上述した実施形態では、チップコンデンサ
をプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの
代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状の
コンデンサを用いることも可能である。第６改変例の銅
めっきを被覆する構成及びチップコンデンサの表面を粗
化する構成は、第１実施形態、第１、第２、第３、第
４、第５改変例、第２実施形態に適用可能であることは
言うまでもない。
をプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの
代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状の
コンデンサを用いることも可能である。第６改変例の銅
めっきを被覆する構成及びチップコンデンサの表面を粗
化する構成は、第１実施形態、第１、第２、第３、第
４、第５改変例、第２実施形態に適用可能であることは
言うまでもない。
【００９８】ここで、第１実施形態の第６改変例のプリ
ント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコ
ンデンサ２０のインダクタンスと、プリント配線板の裏
面（ドータボード側の面）に実装したチップコンデンサ
のインダクタンスとを測定した値を示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 １３７pH 裏面実装形 ２８７pH コンデンサを８個並列に接続した場合 埋め込み形 ６０pH 裏面実装形 ７２pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
ント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコ
ンデンサ２０のインダクタンスと、プリント配線板の裏
面（ドータボード側の面）に実装したチップコンデンサ
のインダクタンスとを測定した値を示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 １３７pH 裏面実装形 ２８７pH コンデンサを８個並列に接続した場合 埋め込み形 ６０pH 裏面実装形 ７２pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
【００９９】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第６改変例のプリント配線板におい
て、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定
した。 静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz） Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
明する。ここでは、第６改変例のプリント配線板におい
て、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定
した。 静電容量変化率 （測定周波数100Hz） （測定周波数1kHz） Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
【０１００】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に
保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、
印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置し
た。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０
分放置する試験を１０００回線り返した。
保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、
印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置し
た。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０
分放置する試験を１０００回線り返した。
【０１０１】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とバイアホール
との間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との
間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期
に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とバイアホール
との間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との
間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期
に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
【０１０２】
【発明の効果】本願発明の構造により、インダクタンス
を起因とする電気特性の低下することはない。コンデン
サの下部からも接続することが可能となるので、ループ
インダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す
構造であるといえる。また、コア基板とコンデンサの間
に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因す
る応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの
発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホ
ールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのた
めに、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことが
できるのである。また、コンデンサを銅によって被覆さ
れている場合にも、マイグレーションの発生を防止する
ことができる。
を起因とする電気特性の低下することはない。コンデン
サの下部からも接続することが可能となるので、ループ
インダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す
構造であるといえる。また、コア基板とコンデンサの間
に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因す
る応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの
発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイアホ
ールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのた
めに、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことが
できるのである。また、コンデンサを銅によって被覆さ
れている場合にも、マイグレーションの発生を防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図６】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。
ある。
【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。
ある。
【図８】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線
板の断面図である。
板の断面図である。
【図９】第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線
板の断面図である。
板の断面図である。
【図１０】第１実施形態の第３改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第４改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１２】第１実施形態の第５改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１３】チップコンデンサの断面図である。
【図１４】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１５】第１実施形態の第６改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図１６】第６改変例のチップコンデンサの断面図であ
る。
る。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。
【図１８】第２実施形態の第１改変例に係るプリント配
線板のチップコンデンサの平面図である。
線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１９】第２実施形態の第２改変例に係るプリント配
線板のチップコンデンサの平面図である。
線板のチップコンデンサの平面図である。
【図２０】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術に係るプリン
ト配線板のループインダクタンスの説明図である。
ト配線板のループインダクタンスの説明図である。
１０ プリント配線板 ２０ チップコンデンサ ２１ 第１電極 ２２ 第２電極 ２９ 銅めっき膜 ３０ コア基板 ３１ 収容層 ３４ 導電性接着剤 ３６ スルーホール ３７ 通孔 ４０ 接続層 ４３ 非貫通孔 ４６ バイアホール ４８ 導体回路 ６０ 層間樹脂絶縁層 ６６ バイアホール ６８ 導体回路 ８４ 導電性ピン ９０ ＩＣチップ ９４ ドータボード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/38 Ｈ０１Ｇ 1/035 Ｃ Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｅ 4/38 Ａ (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BC39 CC07 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 GG10 HH02 HH08 HH25 HH28 HH47 HH48 JJ08 JJ09 JJ11 JJ15 JJ23 KK07 LL13 MM21 MM28 5E336 AA08 AA13 AA16 BB03 BB15 BC15 BC26 BC31 CC32 CC37 CC53 DD23 DD26 DD39 EE15 GG11 5E346 AA04 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB03 BB04 BB07 BB11 BB16 BB20 CC02 CC08 CC32 DD02 DD12 DD22 DD33 DD44 DD47 EE06 EE07 EE09 EE13 EE14 EE31 FF01 FF03 FF12 FF45 GG15 GG17 GG22 GG25 GG28 HH06 HH08 HH11
Claims (18)
- 【請求項１】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板は、通孔部にコンデンサを収納した収容層
と、前記収容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層
よりなる接続層と、からなることを特徴とするプリント
配線板。 - 【請求項２】 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた
樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基
板からなることを特徴とする請求項１のプリント配線
板。 - 【請求項３】 前記コンデンサは、前記収容層の通孔に
絶縁性接着剤を介して固定されていることを特徴とする
請求項１又は２に記載のプリント配線板。 - 【請求項４】 前記収容層の表面及び裏面に配設された
接続層には、それぞれＩＣチップ、外部基板に接続する
ためのバイアホールが配設されていることを特徴とする
請求項１〜３の内の１に記載のプリント配線板。 - 【請求項５】 前記コンデンサを複数個収容し、コンデ
ンサ間にＩＣチップと外部基板との接続用配線を配設し
たことを特徴とする請求項１〜４の内１に記載のプリン
ト配線板。 - 【請求項６】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
を実装したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載
のプリント配線板。 - 【請求項７】 前記表面のチップコンデンサの静電容量
は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
を特徴とする請求項６に記載のプリント配線板。 - 【請求項８】 前記表面のチップコンデンサのインダク
タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
上であることを特徴とする請求項６に記載のプリント配
線板。 - 【請求項９】 前記コンデンサの電極に金属膜を形成
し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
接続を取ったことを特徴とする請求項１〜８のいずれか
１のプリント配線板。 - 【請求項１０】 前記チップコンデンサの電極に形成し
た金属膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴と
する請求項９に記載のプリント配線板。 - 【請求項１１】 前記コンデンサの電極の被覆層を少な
くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請
求項１〜請求項８の内１に記載のプリント配線板。 - 【請求項１２】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配
線板。 - 【請求項１３】 前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント
配線板 - 【請求項１４】 前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
配線板。 - 【請求項１５】 前記絶縁性接着剤は、前記収容層より
も熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項３に記載の
プリント配線板。 - 【請求項１６】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）心材に樹脂を含浸させてなる第１の樹脂材料にコ
ンデンサ収容用の通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂材料の通孔にコンデンサを収容す
る工程； （ｃ）前記第１の樹脂材料に第２の樹脂材料を貼り付
け、コア基板を形成する工程； （ｄ）前記コア基板の第２の樹脂材料に前記コンデンサ
の電極へ至る開口を設けてバイアホールを形成する工
程。 - 【請求項１７】 前記（ｄ）工程の前あるいは後に、前
記コア基板に、通孔を穿設してスルーホールとする工程
を経ることを特徴とする請求項１６に記載のプリント配
線板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記（ｃ）工程の貼り付けの際、基板
の両面から圧力をかけることを特徴とする請求項１６又
は請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
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