JP2010003800A - チップ部品及びその製造方法並びに部品内蔵モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が可能な外部電極を備えたチップ部品及びそのチップ部品を内蔵した部品内蔵モジュールを製造して提供する。
【解決手段】部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品１Ａの端部の外部電極３の少なくとも前記絶縁層の一主面側の電極部３１を外部電極３の残りの電極部３２と異なる金属にしてチップ部品１Ａを形成する。この場合、例えば金属部３１を部品内蔵モジュールのビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体との接続に好適な金属とし、金属部３２をはんだ付けに好適な金属とすることで、部品内蔵モジュールの絶縁層の一主面側の電極と他主面側の電極とを外部電極３を利用して接続し、部品内蔵モジュールを低背化して小型化できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵（埋設）されるチップ部品及びその製造方法、並びに前記チップ部品を絶縁層に内蔵してなる部品内蔵モジュール及びその製造方法に関し、詳しくは、チップ部品の外部電極の改良及びそれに伴う部品内蔵モジュールの改良に関する。

従来、各種の部品内蔵モジュールは絶縁層にセラミックコンデンサや抵抗等の種々のチップ部品を内蔵して形成される。その際、チップ部品は左右端部に外部電極が設けられ、外部電極は何らかの接続導体を介して絶縁層の上面や下面の面内導体（パターン電極等）に電気的に接続される。

具体的には、前記接続導体がビア（Ｖｉａ）ホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体の場合、従来の部品内蔵モジュール１００はチップ部品の外部電極が図１３に示すように構成される。図１３はチップ部品の一例であるセラミックコンデンサ１１０の端部を拡大した断面図であり、例えばプリント配線板２２０上の絶縁層（絶縁性樹脂層）２７０内にセラミックコンデンサ１１０が内蔵される。セラミックコンデンサ１１０の外部電極（外部電極層）１６０はビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体（層間接続部）３３０を介して絶縁層２７０の上面の導体パターン（面内導体）２８０Ａに接続される。なお、セラミックコンデンサ１１０はプリント配線板２２０に接着された後、絶縁層（絶縁性樹脂層）２７０によってモールドされる。さらに、絶縁層２７０の上方からのレーザ照射により絶縁層２７０に層間接続穴が形成される。そして、この層間接続穴にめっき等を施すことによりセラミックコンデンサ１１０の外部電極１６０の上面部が層間接続導体３３０の下面部に接合し、セラミックコンデンサ１１０の外部電極１６０が層間接続導体３３０を介して絶縁層２７０上面の導体パターン２８０Ａに電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。なお、絶縁層２７０に内蔵されるチップ部品がセラミックコンデンサ１１０以外の場合も、その端部の外部電極部分はほぼ図１３の構造である。
特開２００３−３０９３７３号公報（段落［００４７］−［００６６］、図１、図２、図３等）

前記図１３の従来の部品内蔵モジュール１００の場合、同図から明らかなようにチップ部品であるセラミックコンデンサ１１０は、層間接続導体３３０を介して絶縁層２７０の上面の導体パターン２８０Ａにのみ接続され、絶縁層２７０の下面の配線パターン（面内導体）２４０Ａには接続されていない。

そのため、絶縁層２７０内に上面の導体パターン２８０Ａと下面の配線パターン２４０Ａとを接続するビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体をさらに設ける必要がある。そのため、部品内蔵モジュール１００の低背化、小型化が妨げられるとともに、絶縁層２７０の上下面間の線路長が長くなって電気的ロスが増加したり、絶縁層２７０内の層間接続導体の本数が多くなって配線密度が高くなり、層間接続導体間の相互干渉が生じる等の問題もある。なお、層間接続導体３３０のビアホール導体やスルーホール導体は絶縁層２７０が厚くなる程径大になるため、部品内蔵モジュール１００等においては、とくに層間接続導体が嵩高で小型化の妨げとなる。

そこで、例えば部品内蔵モジュール１００において、絶縁層２７０の上面の導体パターン２８０Ａと下面の配線パターン２４０Ａとを接続する層間接続導体を設ける代わりに、外部電極１６０の下面側を配線パターン２４０Ａに接続し、セラミックコンデンサ１１０の外部電極１６０を利用して絶縁層２７０の上面の導体パターン２８０Ａと下面の配線パターン２４０Ａとを接続し、部品内蔵モジュール１００を小型化することが考えられる。しかし、外部電極１６０の下面側をどのようにして配線パターン２４０Ａに接続するかが問題となる。

ところで、層間接続導体３３０のビアホール導体やスルーホール導体は、絶縁層２７０の上から外部電極１６０に向けてレーザを照射することで絶縁層２７０内に穴（層間接続穴）を形成し、この穴にめっき等を施して形成される。この場合、外部電極１６０を錫やニッケルで形成すると、レーザの反射性が悪く、強いレーザの照射によってセラミックコンデンサ１１０に損傷を与える。そのため、外部電極１６０はそのような不都合がない銅で形成される。

一方、銅の外部電極１６０は表面が酸化し易くはんだ付けに適さない。そのため、外部電極１６０が銅により形成されている場合には、外部電極１６０と配線パターン２４０Ａとの接続ははんだ付けでは行えない。

本発明は、層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が可能な外部電極を備えた画期的なチップ部品及びその製造方法を提供し、さらには、それらのチップ部品を絶縁層に内蔵した新規な部品内蔵モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明のチップ部品は、端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品であって、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が、前記外部電極の残りの部分と異なる金属で形成されていることを特徴としている（請求項１）。

そして、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、前記外部電極の残りの部分は少なくとも表面側が錫又はニッケルであることが好ましい（請求項２）。

つきに、本発明のチップ部品の製造方法は、端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品の製造方法において、前記端部の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部に銅の電極部を形成する工程と、前記端部の残りの部分に少なくとも表面側が錫又はニッケルである電極部を形成し、前記銅の電極部と前記錫又はニッケルの電極部とにより前記外部電極を形成する工程とを含むことを特徴としている（請求項３）。

また、本発明のチップ部品の製造方法は、端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品の製造方法において、複数個のチップ部品領域に個片化される基板状のチップ部品集合体を用意し、前記チップ部品集合体の両面の前記各チップ部品領域における端部位置に銅の電極部を形成する工程と、前記各チップ部品領域の端部の境界線に沿う溝を形成する工程と、前記溝に銅ペーストを充填して前記銅ペーストにより前記各チップ部品領域の両面の銅の電極部同士を接合する工程と、前記溝に銅ペーストが充填された状態の前記チップ部品集合体を前記各チップ部品領域に切り離す工程と、切り離された前記各チップ部品領域の端部の少なくとも上面側又は下面側の一部を除く部分に錫又はニッケルのめっきを施して前記外部電極を形成する工程とを含むことを特徴としている（請求項４）。

つぎに、本発明の部品内蔵モジュールは、端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールであって、前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、かつ、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続する層間接続導体と、前記外部電極の前記絶縁層の他主面側と前記絶縁層の他主面側の面内導体との間に介在して前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合する導電接合材とを備えたことを特徴としている（請求項５）。

そして、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、前記層間接続導体は前記絶縁層にレーザを照射して形成された穴を導電性に加工してなることが好ましい（請求項６）。さらに、前記外部電極の残りの部分は少なくとも表面側が錫又はニッケルであり、前記導電接合材ははんだであることが好ましい（請求項７）。

つぎに、本発明の部品内蔵モジュールの製造方法は、端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールの製造方法であって、前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を層間接続導体を介して前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続する工程と、前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を導電接合材により前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合する工程とを含むことを特徴としている（請求項８）。

また、本発明の部品内蔵モジュールの製造方法は、端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールの製造方法であって、前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、上面に面内導体が形成された基体と前記チップ部品とを用意し、前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を導電接合材により前記基体の前記面内導体に接合する工程と、前記チップ部品を前記外部電極の前記絶縁層の他主面側が前記基体の前記面内導体に接合した状態で絶縁層に埋設して内蔵する工程と、前記外部電極の前記絶縁層の一主面側の一部に接続される層間接続導体を前記絶縁層内に形成する工程とを含むことを特徴としている（請求項９）。

そして、前記外部電極の残りの部分は、少なくとも前記導電接合材と接合する表面側が錫又はニッケルからなり、前記導電接合材がはんだであることが好ましい（請求項１０）。さらに、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、前記層間接続導体は前記絶縁層にレーザを照射して形成された穴を導電性に加工してなることが好ましい（請求項１１）。

請求項１の発明によれば、外部電極の一主面側の一部の金属と残りの部分の金属とが異なるため、前記一主面側の一部の金属を、ビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体との接続に好適な金属又は、はんだ付けに好適な金属とし、前記残りの部分の金属を、はんだ付けに好適な金属又は、層間接続導体との接続に好適な金属とすることができる。そのため、部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品であって、外部電極の層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が良好に行える画期的なチップ部品を提供できる。

また、請求項２の発明によれば、外部電極の前記絶縁層の一主面側の一部が銅であるため、この一部の側に層間接続導体を良好なレーザ反射で外部電極の損傷等なく形成し、外部電極の前記絶縁層の一主面側を層間接続導体に良好に接続することができる。また、外部電極の残りの部分は少なくとも表面側がはんだ付けに好適な錫又はニッケルであるため、外部電極の前記絶縁層の他主面側には良好なはんだ付けを施すことができる。

つぎに、請求項３の発明によれば、請求項２のチップ部品の製造方法を提供できる。

つぎに、請求項４の発明によれば、基板状のチップ部品集合体は各チップ部品領域の両面の端部位置に銅の電極部が形成される。

そして、チップ部品集合体の各チップ部品領域の端面に沿って溝が形成され、この溝に銅ペーストが充填されることにより、各チップ部品領域の両面の銅の電極部が銅ペーストを介してつながり、各チップ部品領域の端部全体が銅の電極部に形成される。

さらに、チップ部品集合体が各チップ部品領域に切り離されて個変化され、切り離された各チップ部品領域は、端部の銅の電極部分の少なくとも上面側又は下面側の一部を除く部分に錫又はニッケルのめっきが施されることにより、端部に、少なくとも上面側又は下面側の一部が銅であって残りの部分の少なくとも表面側が錫又はニッケルである外部電極が形成される。

したがって、チップ部品集合体から、請求項４のチップ部品と同様のチップ部品を容易に量産することができる。

つぎに、請求項５の発明によれば、絶縁層に、端部の外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を残りの部分と異なる金属で形成したチップ部品が内蔵される。そして、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を、層間接続導体を介して前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続し、前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を、導電接合材により前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合して部品内蔵モジュールが形成される。

この場合、部品内蔵モジュールの絶縁層の一主面側の面内導体と前記絶縁層の他主面側の面内導体とがチップ部品の外部電極を介して接続され、前記絶縁層に一主面側の面内導体と他主面側の面内導体とをつなぐ新たな層間接続導体を設ける必要がない。

さらに、チップ部品の外部電極は、絶縁層の一主面側が層間接続導体を介して前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続され、前記絶縁層の他主面側が導電接合材により前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合されるため、とくにチップ部品の外部電極と前記絶縁層の他主面側との接続が、嵩張る層間接続導体による接続でなく、はんだ等の厚みの薄い導電接合材を用いて行われる。

したがって、この種の部品内蔵モジュールの低背化及び小型化を図ることができる。しかも、部品内蔵モジュールの絶縁層の上下面間の線路長が長くならず、電気的ロスが増加することがなく、前記絶縁層内の層間接続導体の本数が多くならず配線密度が高くならないため、部品内蔵モジュールは層間接続導体間の相互干渉等が生じることもない。

つぎに、請求項６の発明によれば、絶縁層に内蔵されるチップ部品の外部電極の層間接続導体と接続される部分が良好なレーザ反射を行う銅であり、前記絶縁層にレーザを照射してビアホール導体やスルーホール導体の層間接続導体をチップ部品の損傷等なく形成することができ、請求項５の効果を奏する一層良好な部品内蔵モジュールを提供できる。

つぎに、請求項７の発明によれば、絶縁層に内蔵されるチップ部品の外部電極の残りの部分は少なくとも表面側がはんだ付けに好適な錫又はニッケルであり、導電接合材であるはんだにより外部電極が前記絶縁層の他主面側に接合されるため、一層良好に低背化、小型化した部品内蔵モジュールを提供できる。

つぎに、請求項８の発明によれば、絶縁層に本発明のチップ部品を内蔵し、外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を、層間接続導体を介して前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続し、外部電極の前記絶縁層の他主面側を導電接合材により嵩高くならないように前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合して部品内蔵モジュールを製造することができる。

つぎに、請求項９の発明によれば、チップ部品における部品内蔵モジュールの絶縁層の他主面側を導電接合材により基体の上面の面内導体に接合し、この状態でチップ部品を前記絶縁層に内蔵し、その後、チップ部品の外部電極を、前記絶縁層の一主面側の一部に絶縁層内の層間接続導体を介して接続することにより、より具体的な構成で部品内蔵モジュールを製造することができる。

つぎに、請求項１０の発明によれば、基体の導電接合材ははんだであり、外部電極の前記絶縁層の他主面側の錫又はニッケルを良好にはんだ付けして部品内蔵モジュールを製造することができる。

つぎに、請求項１１の発明によれば、チップ部品の端部の外部電極は、少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部がレーザ反射が良好な銅であり、層間接続導体としてのビアホール導体やスルーホール導体をレーザの照射により外部電極に損傷を与えることなく良好に形成して部品内蔵モジュールを製造することができる。

つぎに、本発明をより詳細に説明するため、実施形態について、図１〜図１２にしたがって詳述する。なお、各図においては、断面を示す斜線等は適宜省略している。また、各図の同一の符号を付したものは、同一又は相当するものを示す。

＜チップ部品及びその製造方法＞
まず、本発明のチップ部品及びその製造方法の実施形態について、図１〜図８を参照して説明する。

（第１の実施形態）
請求項１、２に対応する第１の実施形態のチップ部品１Ａについて、図１及び図２を参照して説明する。図１はチップ部品１Ａの拡大した斜視図、図２はチップ部品１Ａが部品内蔵モジュール２に内蔵された場合の電極接続を模式的に示した断面図である。

図１に示す本実施形態のチップ部品１Ａは、従来品と同様、セラミックコンデンサ、抵抗等の微小なチップ素体１１の左右の端部に外部電極３を設けて形成され、図２に示すように部品内蔵モジュール２の絶縁層４に内蔵される。

チップ部品１Ａが従来品と異なる点は、外部電極３が、絶縁層４の一主面（本実施形態においては上面）側の電極部３１と、絶縁層４の他主面（本実施形態においては下面）側の電極部３２とで構成され、異なる２種類の電極部３１、３２からなる点である。

そして、本実施形態の場合、電極部３１は部品内蔵モジュール２の絶縁層４にレーザを照射して層間接続導体であるビアホール導体５の穴を形成するのに好適な銅（Ｃｕ）であり、電極部３２は低背化に好適なはんだ６による接続に適した錫（Ｓｎ）又はニッケル（Ｎｉ）である。

したがって、本実施形態の場合、外部電極３における部品内蔵モジュールの一主面側の電極部３１と残りの電極部３２との金属が異なり、外部電極３のビアホール導体５による接続及びはんだ６による接続の両方が良好に行える従来にない画期的なチップ部品１Ａを提供できる。

（第２の実施形態）
請求項１、２に対応する第２の実施形態のチップ部品１Ｂについて図３を参照して説明する。図３はチップ部品１Ｂの拡大した斜視図である。

図３に示す本実施形態のチップ部品１Ｂが第１の実施形態のチップ部品１Ａと異なる点は、左右端部の外部電極３において、絶縁層４の一主面（上面）側の中央部のみが銅の電極部３３であり、絶縁層１２の他主面（下面）側を含む残りの部分は錫又はニッケルの電極部３４である点である。

そして、本実施形態のチップ部品１Ｂの場合も、チップ部品１Ａに代えて図２の部品内蔵モジュール２に内蔵された場合、外部電極３の絶縁層４の一主面側の中央部がビアホール導体５の穴を形成するのに好適な銅であり、絶縁層１２の他主面側がはんだ６の接続に好適な錫又はニッケルであるので、外部電極３のビアホール導体５による接続及びはんだ６による接続の両方が良好に行える。

ところで、はんだ６により接続される電極部３２、３４は、少なくとも表面側がはんだ付けに好適な錫又はニッケルであればよく、例えば錫又はニッケルと銅の２層金属であってもよい。また、部品内蔵モジュール２の電極接続構造によっては、前記両実施形態のチップ部品１Ａ、１Ｂにおいて、電極部３１、３３が錫又はニッケルで、電極部３２、３４が銅であってもよく、さらに、電極部３１、３３の金属と、電極部３２、３４の金属との組み合わせが、銅と、錫又はニッケルとは異なる組み合わせであってもよい。

（第３の実施形態）
請求項３に対応する第３の実施形態、すなわち本発明のチップ部品の製造方法の一例について、図４の製造工程の説明図を参照して説明する。
本実施形態によって製造されるチップ部品１Ｃは図３におけるチップ部品１Ｂの電極部３３を一面全体に広げた形状であり、左右端部の外部電極３は、例えば図２の絶縁層４の一主面（上面）側の一面が銅の電極部３５であり、残りの部分が錫又はニッケルの電極部３６である。

そして、本実施形態の製造方法においては、まず、図４の準備工程Ｋ１によりチップ素体１１を用意する。つぎに、銅電極形成工程Ｋ２によりチップ素体１１の左右端部全体に銅電極３ｃｕを印刷、めっき等で形成する。さらに、レジスト形成工程Ｋ３により銅電極３ｃｕの上面部にレジスト膜Ｒを形成する。つぎに、第二の金属電極形成工程Ｋ４により銅電極３ｃｕのレジスト膜Ｒで被覆されていない部分に錫又はニッケルの電極３ｓｎｉをめっき等する。この場合、銅電極３ｃｕを電極３ｓｎｉの下地に形成しているので、めっき等が良好に行える。そして、レジスト剥離工程Ｋ５によりレジスト膜Ｒを除去してチップ部品１Ｃを製造する。

このようにして製造されたチップ部品１Ｃは、外部電極３の上面が銅電極３ｃｕからなる銅の電極部３５であり、外部電極３の残りの部分は表面側が錫又はニッケルの電極３ｓｎｉ、裏側が銅電極３ｃｕの２層金属の電極部３６であり、前記第１、第２の実施形態のチップ部品１Ａ、１Ｂと同様の効果を奏する。なお、工程Ｋ２、Ｋ４が請求項３の２つの工程に対応する。そして、チップ部品１Ａ、１Ｂも同様にして製造できるのは勿論である。

ところで、図４の銅電極形成工程Ｋ２に代えて錫電極形成工程を設け、チップ素体１１の左右端部全体に錫電極を形成し、つぎのレジスト形成工程Ｋ３によりチップ素体１１の左右端部の上面を除く部分にレジスト膜Ｒを形成し、第二の金属電極形成工程Ｋ４によりチップ素体１１の左右端部の上面に銅電極をめっき等しても、チップ部品１Ｃと同様のチップ部品を製造することができる。

（第４の実施形態）
請求項４に対応する第４の実施形態、すなわち本発明のチップ部品の製造方法の他の例について、図５〜図７の製造工程の説明図及び図８（ａ）、（ｂ）のチップ部品領域の拡大した平面図、切断正面図を参照して説明する。

本実施形態は、第３の実施形態のチップ部品１Ｃと同様のチップ部品１Ｄを量産するため、まず、図５の銅電極形成工程Ｐ１において、後段の切断処理により破線の複数個のチップ部品領域７に個片化される基板状のチップ部品集合体８を用意し、このチップ部品集合体８の上下両面における各チップ部品領域７の左右端部の位置に、印刷等によりストライプ状に銅の電極部９を形成する。なお、チップ部品１Ｄがセラミックコンデンサであれば、チップ部品集合体８は未焼成のセラミック素体の基板であり、電極部９の形成後、実際には、セラミック素体と電極部９とが同時に焼成される。この同時焼成（ｃｏ−ｆｉｒｅ）を行うには、電極部９が銅や銀である必要があり、そのためにも電極部９は銅で形成される。

つぎに、図５のワックス塗布工程Ｐ２により、チップ部品集合体８の表面側の電極部９のストライプ上に銅層１０をめっき等して形成した後、チップ部品集合体８の表面全体にワックス１２を塗布する。電極部９に銅層１０を重ねて形成するのは銅の厚みを少しでも厚くすることでレーザの反射を良好にするためである。

つぎに、図５の溝形成工程Ｐ３により、ワックス１２が塗布されたチップ部品集合体８を粘着性のダイサーシート１３上に載置し、チップ部品集合体８の各チップ部品領域７の端面の境界線（図の破線）に沿うストライプ状の溝１４をダイサーカットで形成する。このとき、ダイサーシート１３の粘着性によってチップ部品集合体８はまとまった状態を維持する。

つぎに、図６の銅ペースト注入工程Ｐ４により、各溝１４に銅ペースト１５を充填して硬化し、銅ペースト１５によってチップ部品集合体８の両面の電極部９を接合し、各チップ部品領域７の左右端部の電極部分を形成する。

そして、図６の切断工程Ｐ５に移行し、溝形成工程Ｐ３の場合より細い幅のダイサーカットにより、チップ部品集合体８を縦横に切断して各チップ部品領域７に切り離す。このとき、切り離された各チップ部品領域７は、図８の（ａ）、（ｂ）に拡大して示すように、チップ部品集合体８の基板が形成するチップ部品素体１１ａを有し、その左右端部の両面に電極部９を縦割りに切断して形成された分割電極部９ａが設けられ、端面は銅ペースト１５が硬化して形成された端面電極部１５ａで覆われる。なお、上面の分割電極部９ａは銅層１０を切断して形成された分割銅層１０ａが重ねられ、上面の分割電極部９ａ、分割銅層１０ａの２層により、図８（ｂ）に示す銅の電極部３７が形成される。

つぎに、図７のバレルめっき工程Ｐ６に移行し、各チップ部品領域７の左右端部のワックス１２で覆われていない部分、すなわち上面以外の残りの部分に、錫又はニッケルのめっきを施してそれらの金属の電極部３８を形成する。

そして、図７のワックス洗浄工程Ｐ７により、前記各チップ部品領域７の左右端部のワックス１２を洗浄して落とし、チップ部品１Ｄを量産する。

チップ部品１Ｄの左右端部の外部電極３は、上面が銅の電極部３７、残りの部分の表面側が錫又はニッケルの電極部３８からなる。そのため、量産されたチップ部品１Ｄは、第１〜３実施形態のチップ部品１Ａ〜１Ｃと同様の効果を奏する。さらに、外部電極３の上面の電極部３７が厚く形成されるので、例えば図２の部品内蔵モジュール２にチップ部品１Ｄを内蔵し、絶縁層４の上方からチップ部品１Ｄの上面に向けてレーザを照射し、層間接続導体としてのビアホール導体５を形成すると、チップ部品１Ｄの外部電極３がレーザの影響を一層受けにくくなる利点がある。

そして、本実施形態の製造方法により、チップ部品１Ａ〜１Ｃも同様に量産することができる。

＜部品内蔵モジュール及びその製造方法＞
つぎに、本発明の部品内蔵モジュール及びその製造方法の実施形態について、図９〜図１２を参照して説明する。

（第５の実施形態）
つぎに、請求項５〜７に対応する本実施形態の部品内蔵モジュール２について、図９の切断面図を参照して説明する。図９は図２に仮想的に示した部品内蔵モジュール２の全体構造を、図２等に合わるために上下を逆にして示している。

図９に示すように、部品内蔵モジュール２は、概略、絶縁層４と基体としての４層の基板１６とからなる。絶縁層４は例えば熱硬化性の絶縁樹脂により形成され、チップ部品１Ａを１又は複数個内蔵し、図９の上側の絶縁層４の一主面（上面）側、図９の下側の絶縁層４の他主面（下面）側に、面内導体として例えば導体パターン（配線パターン）の電極１７、１８が形成されている。

そして、部品内蔵モジュール２が従来モジュールと異なる点は、低背化、小型化を図るため、絶縁層４に内蔵する各チップ部品１Ａの左右端部の外部電極３の少なくとも絶縁層４の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、外部電極３が電極１７、１８の接続に利用される点である。

すなわち、部品内蔵モジュール２において、チップ部品１Ａの外部電極３から絶縁層４の一主面側の電極１７まで距離があるため、外部電極３と電極１７とはビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体で接続される。そして、前記ビアホール導体やスルーホール導体の穴をレーザにより絶縁層４に良好に形成するため、外部電極３の電極部３１は銅で形成される。また、外部電極３と他主面側の電極１８とを導電接合材であるはんだ６により接続して部品内蔵モジュール２の低背化、小型化を図るため、外部電極３の残りの部分の電極部３２は少なくとも表面側がはんだ付けに好適な錫又はニッケルで形成される。

そして、外部電極３の銅の電極部３１は層間接続導体としてのビアホール導体５により絶縁層４の上面側の電極１７に接続され、外部電極３の錫又はニッケルの電極部３２ははんだ６により絶縁層４の下面側の電極１８に接続される。

この場合、外部電極３と絶縁層４の上面側の電極１７とは高さのあるビアホール導体５により接続されるが、外部電極３と絶縁層１４の下面側の電極１８とははんだ６により低背化に好適な薄い電極構造で接続される。そして、絶縁層４に電極１７、１８をつなぐ新たな層間接続導体を設ける必要がなく、従来にない低背化、小型化した部品内蔵モジュール２を提供することができる。

また、部品内蔵モジュール２は、絶縁層４の上下面間の線路長が長くならず、電気的ロスが増加することがなく、絶縁層４内の層間接続導体の本数が多くならず配線密度が高くなることもない。そのため、層間接続導体間の相互干渉等が生じることもない。

さらに、チップ部品１Ａの電極部３１が銅で形成されるため、絶縁層４にレーザを照射してビアホール導体５をチップ部品１Ａの損傷等なく形成することができる利点もある。

なお、図９の電極１８は、例えば基板１６を貫通したスルーホール導体１９を介して基板１６表面の各実装部品２０等に接続されている。

ところで、チップ部品１Ａに代えてチップ部品１Ｂ〜１Ｄを絶縁層４に内蔵した場合にも同様の効果を奏する部品内蔵モジュールを形成して提供することができる。

（第６の実施形態）
つぎに、請求項８〜１１に対応する部品内蔵モジュール２の製造方法について、図１０〜図１２を参照して説明する。

まず、図１０の準備工程Ｑ１により、上面に電極１８が形成された基板（基体）１６と所要個数のチップ部品１Ａとを用意し、左右端部の外部電極３の銅の電極部３１を上にしてチップ部品１Ａを基板１６上に配設し、チップ部品１Ａの外部電極３の電極部３２の錫又はニッケルを基板１６の電極１９にはんだ実装して接合する。

つぎに、図１０の樹脂封止工程Ｑ２に移行し、基板１６の上から絶縁樹脂のプリプレグを押し付け、例えばその熱硬化により絶縁層４を形成して絶縁層４内に各チップ部品１Ａを封止して埋設する。

つぎに、図１０のビア穴形成工程Ｑ３により、絶縁層４の上からチップ部品１Ａの外部電極３の電極部３１の上面に向けてレーザを照射し、絶縁層４に各ビア穴５１を形成する。

さらに、図１１の導電ペースト充填工程Ｑ４に移行し、ビア穴５１に導電ペースト５２を充填して層間接続導体としてのビアホール導体５を形成する。

そして、図１１の電極パターン形成工程Ｑ５により、絶縁層４の上面に各ビアホール導体５を覆うように電極１７の導体パターンを形成して部品内蔵モジュール２を製造する。

この場合、絶縁層４にチップ部品１Ａを内蔵し、チップ部品１Ａの外部電極３と絶縁層４の電極１８とをはんだ実装で接続し、チップ部品１Ａの外部電極３と絶縁層４の電極１７とをビアホール導体５で層間接続し、従来より低背化して小型化した部品内蔵モジュール２を簡単に製造することができる。また、チップ部品１Ａの外部電極３の電極部３２が錫又はニッケルであるため、チップ部品１Ａの外部電極３と絶縁層４の電極１８とのはんだ実装が良好に行える。さらに、チップ部品１Ａの外部電極３の電極部３１がレーザ反射の良好な銅であるため、層間接続導体としてのビアホール導体５がレーザの照射により外部電極３に損傷を与えることなく良好に形成される利点もある。

したがって、従来にない小型で高品質の部品内蔵モジュール２を製造して提供することができる。

ところで、図１０のビア穴形成工程Ｑ３の後、図１１の導電ペースト充填工程Ｑ４、電極パターン形成工程Ｑ５に代えて、図１２のビア穴めっき・電極パターン形成工程Ｑ４５により絶縁層４の上面に銅めっきを施し、各ビア穴５１を埋め、かつ、電極１７の導体パターンを形成して部品内蔵モジュール２を製造することも可能である。なお、ビア穴５１が径大で銅めっきで埋められない場合は、ビア穴５１の壁面だけ銅めっきしてその内部に導電ペーストまたは非導電ペーストを充填すればよい。

また、チップ部品１Ａに代えてチップ部品１Ｂ〜１Ｄを用いた場合にも、同様にして部品内蔵モジュールを簡単に製造することができる。

そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、部品内蔵モジュール２において、層間接続導体はスルーホール導体等であっても良いのは勿論である。また、部品内蔵モジュール２の基板（基体）１６は、セラミック基板、樹脂基板、これらの多層基板、又はステンレスやＰＥＴの転写板等であってもよい。さらに、絶縁層４等の材質はどのようであってもよく、基板チップ部品１Ａ〜１Ｄ及び部品内蔵モジュール２の大きさ等もどのようであってもよい。

そして、本発明は、種々のチップ部品及びその製造方法、並びに部品内蔵モジュール及びその製造方法に適用できる。

第１の実施形態のチップ部品の拡大した斜視図である。 図１のチップ部品が部品内蔵モジュールに内蔵された場合の電極接続を模式的に示した断面図である。 第２の実施形態のチップ部品の拡大した斜視図である。 第３の実施形態のチップ部品の製造工程の説明図である。 第４の実施形態のチップ部品の製造工程の一部の説明図である。 第４の実施形態のチップ部品の製造工程の他の一部の説明図である。 第４の実施形態のチップ部品の製造工程のさらに他の一部の説明図である。 （ａ）、（ｂ）は第４の実施形態の個片化したチップ部品領域の拡大した平面図、切断正面図である。 第５の実施形態の部品内蔵モジュールの断面図である。 第６の実施形態の部品内蔵モジュールの製造工程の一部の説明図である。 第６の実施形態の部品内蔵モジュールの製造工程の他の一部の説明図である。 第６の実施形態の部品内蔵モジュールの製造工程の変形例の説明図である。 従来例の断面図である。

符号の説明

１Ａ〜１Ｄ チップ部品
２ 部品内蔵モジュール
３ 外部電極
４ 絶縁層
５ ビアホール導体
６ はんだ
３２〜３８ 電極部

Claims (11)

1. 端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品であって、
   前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が、前記外部電極の残りの部分と異なる金属で形成されていることを特徴とするチップ部品。
2. 請求項１に記載のチップ部品において、
   前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、前記外部電極の残りの部分は少なくとも表面側が錫又はニッケルであることを特徴とするチップ部品。
3. 端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品の製造方法において、
   前記端部の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部に銅の電極部を形成する工程と、
   前記端部の残りの部分に少なくとも表面側が錫又はニッケルである電極部を形成し、前記銅の電極部と前記錫又はニッケルの電極部とにより前記外部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするチップ部品の製造方法。
4. 端部に外部電極を有し部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品の製造方法において、
   複数個のチップ部品領域に個片化される基板状のチップ部品集合体を用意し、前記チップ部品集合体の両面の前記各チップ部品領域における端部位置に銅の電極部を形成する工程と、
   前記チップ部品集合体に前記各チップ部品領域の端部の境界線に沿う溝を形成する工程と、
   前記溝に銅ペーストを充填して前記銅ペーストにより前記各チップ部品領域の両面の前記銅の電極部同士を接合する工程と、
   前記溝に銅ペーストが充填された状態の前記チップ部品集合体を前記各チップ部品領域に切り離す工程と、
   切り離された前記各チップ部品領域の端部の少なくとも上面側又は下面側の一部を除く部分に錫又はニッケルのめっきを施して前記外部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするチップ部品の製造方法。
5. 端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールであって、
   前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、かつ、
   前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続する層間接続導体と、
   前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合する導電接合材とを備えたことを特徴とする部品内蔵モジュール。
6. 請求項５に記載の部品内蔵モジュールにおいて、
   前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、
   前記層間接続導体は前記絶縁層にレーザを照射して形成された穴を導電性に加工してなることを特徴とする部品内蔵モジュール。
7. 請求項５又は６に記載の部品内蔵モジュールにおいて、
   前記外部電極の残りの部分は少なくとも表面側が錫又はニッケルであり、
   前記導電接合材ははんだであることを特徴とする部品内蔵モジュール。
8. 端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールの製造方法であって、
   前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、
   前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部を層間接続導体を介して前記絶縁層の一主面側の面内導体に接続する工程と、
   前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を導電接合材により前記絶縁層の他主面側の面内導体に接合する工程とを含むことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
9. 端部に外部電極を有するチップ部品を絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールの製造方法であって、
   前記チップ部品は、前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部が残りの部分と異なる金属で形成され、
   上面に面内導体が形成された基体と前記チップ部品とを用意し、前記外部電極の前記絶縁層の他主面側を導電接合材により前記基体の前記面内導体に接合する工程と、
   前記チップ部品を前記外部電極の前記絶縁層の他主面側が前記基体の前記面内導体に接合した状態で絶縁層に埋設して内蔵する工程と、
   前記外部電極の前記絶縁層の一主面側の一部に接続される層間接続導体を前記絶縁層内に形成する工程とを含むことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
10. 請求項９に記載の部品内蔵モジュールの製造方法において、
    前記外部電極の残りの部分は、少なくとも前記導電接合材と接合する表面側が錫又はニッケルからなり、
    前記導電接合材がはんだであることを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
11. 請求項９又は１０に記載の部品内蔵モジュールの製造方法において、
    前記外部電極の少なくとも前記絶縁層の一主面側の一部は銅であり、
    前記層間接続導体は前記絶縁層にレーザを照射して形成された穴を導電性に加工してなることを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。