JP2005123332A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 接合部の接続信頼性を向上した回路基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板60に導体パターン12,22,32が多層に配置され、導体パターン12,22,32間が層間接続材料14,24,34により導電接続された多層基板50と、基板表面に設けられたランド12に、接合材料80を介して接続された電子部品70とからなる回路基板90であって、ランド12に隣接する第1のビアホール13に対して、隣接しない第2及び第3のビアホール23,33を、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部形成位置と重ならない位置までずらして設けた。接合部直下には、第1のビアホール13内の第1の層間接続材料14のみが存在するので、接合部に作用する積層方向の応力を小さくすることができ、回路基板90の接合部の接続信頼性を向上することができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 絶縁基板60に導体パターン12,22,32が多層に配置され、導体パターン12,22,32間が層間接続材料14,24,34により導電接続された多層基板50と、基板表面に設けられたランド12に、接合材料80を介して接続された電子部品70とからなる回路基板90であって、ランド12に隣接する第1のビアホール13に対して、隣接しない第2及び第3のビアホール23,33を、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部形成位置と重ならない位置までずらして設けた。接合部直下には、第1のビアホール13内の第1の層間接続材料14のみが存在するので、接合部に作用する積層方向の応力を小さくすることができ、回路基板90の接合部の接続信頼性を向上することができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、導体パターン間が層間接続材料により電気的に接続された多層基板と、当該多層基板表面に実装された電子部品とにより構成される回路基板及びその製造方法に関するものである。
絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、導体パターン間がビアホール内に充填された層間接続材料により電気的に接続された多層基板として、本出願人はその一例を特許文献1を開示している。
この多層基板は、熱可塑性の樹脂フィルムの片面に導体パターンを有し、当該導体パターンを底部としたビアホール内に導電性の層間接続材料を有する片面導体パターンフィルムを、複数枚積層して形成される。例えば、基板の両表面において、積層方向の同一位置に電極としての導体パターンを有する場合、2枚の片面導体パターンフィルムを導体パターン非形成面同士が向かい合うように積層し、残りの導体パターンフィルムを導体パターン形成面と導体パターン非形成面とが向かい合うように積層して、加熱・加圧することにより、樹脂フィルム同士が溶着し、導体パターンと層間接続材料とが接合されて、多層基板が形成される。このとき、電極に電気的に接続される複数の層間接続材料は、積層方向における電極形成範囲内の同一位置に位置している。
特開2003−60348号公報
そして、上述の多層基板の電極に電子部品が電気的に接続されて、回路基板が形成される。
しかしながら、特に調整したものでない限り、積層方向における樹脂フィルムの線膨張係数は、層間接続材料の線膨張係数よりも大きい。従って、例えば使用環境下において温度変化が生じると、回路基板における電極と電子部品との接合部に対して、当該接合部直下の樹脂フィルムの積層部分と層間接続材料の積層部分との膨張・収縮量差による積層方向の応力が生じることとなる。そして、この応力が大きいか或いは繰り返し作用すると、接合部に剥離等の破壊が起こり、回路基板における接合部の接続信頼性が低下する恐れがある。
本発明は上記問題点に鑑み、接合部の接続信頼性を向上した回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成する為に請求項1に記載の回路基板は、絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、導体パターン間がビアホール内に充填された層間接続材料により電気的に接続された多層基板と、当該多層基板表面に設けられたランドとしての導体パターンに、接合材料を介して電気的に接続された電子部品とにより構成される。そして、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える複数のビアホールは、少なくともその一部が積層方向における同一位置から多層基板の平面方向に所定量ずれて設けられていることを特徴とする。
このように、本発明の回路基板によると、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える複数のビアホールの少なくとも一部が、積層方向における同一位置から所定量ずれて設けられているので、絶縁基板と層間接続材料がある程度分散配置された構造となる。従って、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える全てのビアホールが、接合部の形成範囲において、積層方向における同一位置に連続して形成される場合よりも、接合部に作用する積層方向の応力(絶縁基板と層間接続材料との線膨張係数の差により生じる応力)を小さくすることができる。すなわち、ランドと電子部品との接合部(ランドと接合材料及び接合材料と電子部品)における剥離等の発生を抑制し、回路基板の接続信頼性を向上することができる。
ここで、所定量ずれて設けられたビアホールが、他のビアホールに対して、積層方向における同一位置から多層基板の平面方向にわずかでもずれ、ずれた部分に絶縁基板が配置された状態であれば、応力を小さくすることができる。しかしながら、請求項2に記載のように、他のビアホールの形成位置と重ならない位置に設けられていると、接合部に作用する応力をより低減することができる。
請求項3に記載のように、所定量ずれて設けられたビアホールは、積層方向におけるランドと接合材料との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられていると良い。
このように、所定量ずれて設けられたビアホールが、積層方向における接合部の形成位置(形成範囲)と重ならない位置に設けられていれば、接合部に作用する応力をより低減することができる。
ここで、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える複数のビアホールの基準位置を、請求項4に記載のように、ランドに隣接するビアホールとした場合、当該ビアホールに対してランドに隣接しないビアホールが所定量ずれて設けられればよい。これにより、積層方向の応力を低減することができる。尚、ランドに隣接するビアホールの形成位置は、ランドに隣接(当該ビアホール内の層間接続材料がランドと電気的に接続)する位置であれば、特に限定されるものではない。
また、請求項4に記載のランドに隣接しないビアホールは、請求項5に記載のように、ランドの形成位置と重ならない位置に設けられていても良い。導体パターンであるランドも、層間接続材料同様、絶縁基板より積層方向の線膨張係数が小さい。従って、例えばランドが接合材料との接合部よりも多層基板の平面方向に伸延しているような場合でも、接合部に作用する応力をより低減することができる。
請求項6に記載のように、請求項1〜5に記載の所定量ずれて設けられたビアホールは複数からなり、全てが積層方向における同一位置に設けられていてもよい。
この場合、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える複数のビアホールの一部が所定量ずれて設けられた構造でありながらも、配線長を短くすることができる。
また、請求項7に記載の回路基板は、絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、導体パターン間がビアホール内に充填された層間接続材料により電気的に接続された多層基板と、当該多層基板表面に設けられたランドとしての導体パターンに、接合材料を介して電気的に接続された電子部品とにより構成される。そして、ランドが、接合材料との接合部よりも多層基板の平面方向に伸延して設けられ、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備える全てのビアホールが、積層方向における接合部の形成位置と重ならない同一位置に形成されることを特徴とする。
このように、本発明の回路基板によると、請求項1〜6に記載の回路基板のように、ランドに電気的に接続された層間接続材料を備えるビアホールの一部を、他のビアホールに対して所定量ずらして設けなくとも、接合部に作用する積層方向の応力を低減することができる。従って、回路基板における接合部(ランドと接合材料及び接合材料と電子部品)の接続信頼性を向上できる。
尚、請求項1〜7に記載のランドは、多層基板の片面のみに設けられていても良いし、請求項8に記載のように、多層基板の両表面に設けられ、お互いのランドが、積層方向における同一位置に設けられていてもよい。
また、請求項1〜8に記載の絶縁基板としては、特に限定されるものではないが、請求項9に記載のように、熱可塑性樹脂からなるものであっても良い。この場合、リサイクルが容易となる。
次に、回路基板の製造方法としては、請求項10に記載のように、片面に導体層としてのランドを有し、貫通孔である第1のビアホール内にランドと接する第1の層間接続材料が充填された絶縁層を形成する工程と、貫通孔である第2のビアホール内に第2の層間接続材料が充填された上記絶縁層とは異なる絶縁層を形成する工程と、ランドが表面に露出されるように、第1のビアホールを有する絶縁層及び第2のビアホールを有する絶縁層を含む複数の絶縁層と複数の導体層とを多層に積層して積層体を形成し、ランド、第1の層間接続材料、及び第2の層間接続材料を電気的に接続して多層基板を形成する工程と、多層基板表面に電子部品を位置決めし、ランドと電子部品とを接合材料を介して電気的に接続する工程とを備える。そして、積層体において、第2のビアホールが第1のビアホールに対して、積層方向における同一位置から多層基板の平面方向に所定量ずれて配置されるように、第1のビアホール及び第2のビアホールが所定位置に形成されることを特徴とする。
このように、本発明の回路基板の製造方法によると、ランドと電気的に接続される第1の層間接続材料及び第2の層間接続材料を備える第1のビアホール及び第2のビアホールのうち、ランドと接する第1のビアホールに対して第2のビアホールを所定量ずらして形成する。従って、第1のビアホール及び第2のビアホールが積層方向における同一位置から分散して配置されるので、各絶縁層と各層間接続材料が分散して配置され、接合部に作用する積層方向の応力を低減することができる。すなわち、回路基板の接合部(ランドと接合材料及び接合材料と電子部品)の接続信頼性を向上できる。
請求項11に記載のように、平面方向において、第2のビアホールは、第1のビアホールの形成位置と重ならない位置に形成されることが好ましい。
この発明の作用効果は、請求項2に記載の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
請求項12に記載のように、平面方向において、第2のビアホールは、積層方向におけるランドと接合材料との接合部の形成位置と重ならない位置に形成されることが好ましい。
この発明の作用効果は、請求項3に記載の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
請求項13に記載のように、平面方向において、第2のビアホールは、積層方向におけるランドの形成位置と重ならない位置に形成されてもよい。
この発明の作用効果は、請求項5に記載の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
尚、ランドが、接合材料との接合部よりも多層基板の平面方向に伸延して設けられる場合、第1のビアホールは、請求項14に記載のように、積層方向における接合部の形成位置と重ならない位置に形成されても良い。
このように、第1のビアホールは、積層方向における接合部の形成範囲内に設けられる例に限定されるものではない。
また、第1のビアホールを有する絶縁層は積層体の表層となるが、第2のビアホールを有する絶縁層の積層位置は特に限定されるものではない。例えば、請求項15に記載のように、第2のビアホールを有する絶縁層は、第1のビアホールを有する絶縁層に隣接して配置されても良い。積層方向の同一位置の連続してビアホールが形成されると、特に積層端側において、積層方向の応力が大きくなる。しかしながら、ランドに接する第1のビアホールを有する絶縁層と第2のビアホールを有する絶縁層とが隣接配置されると、連続して位置する第1のビアホールと第2のビアホールとの積層方向の形成位置がずれているので、接合部に作用する応力を効果的に低減することができる。
請求項16に記載のように、第2のビアホールを有する絶縁層は、複数からなっても良い。この発明の作用効果は、請求項6に記載の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
請求項17に記載の回路基板の製造方法によると、片面に導体層としてのランドを有し、貫通孔である第1のビアホール内にランドと接する第1の層間接続材料が充填された絶縁層を形成する工程と、貫通孔である第2のビアホール内に第2の層間接続材料が充填された上記絶縁層とは異なる絶縁層を形成する工程と、ランドが表面に露出されるように、第1のビアホールを有する絶縁層及び第2のビアホールを有する絶縁層を含む複数の絶縁層と複数の導体層とを多層に積層して積層体を形成し、ランド、第1の層間接続材料、及び第2の層間接続材料を電気的に接続して多層基板を形成する工程と、多層基板表面に電子部品を位置決めし、ランドと電子部品とを接合材料を介して電気的に接続する工程とを備える。そして、ランドが接合材料との接合部よりも多層基板の平面方向に伸延して設けられ、第1のビアホール及び第2のビアホールを含む全てのビアホールが、積層方向における接合部の形成位置と重ならない同一位置に形成されることを特徴とする。
このように、本発明の回路基板の製造方法によると、第1のビアホール及び第2のビアホールを含む全てのビアホールが、積層方向における接合部の形成位置と重ならない同一位置に形成される。従って、第1のビアホールに対して第2のビアホールを所定量ずらして設けなくとも、接合部に作用する積層方向の応力を低減することができる。すなわち、回路基板における接合部(ランドと接合材料及び接合材料と電子部品)の接続信頼性を向上できる。
尚、請求項18に記載のように、絶縁層は、熱可塑性の樹脂フィルムからなり、複数の絶縁層は、その片面に導体層としての導体パターンを有しても良い。
この場合、積層体を加熱・加圧することにより、一括して回路基板の多層基板部分を形成することも可能である。また、絶縁層が熱可塑性の樹脂フィルムであれば、リサイクルが容易である。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。尚、本実施形態においては、回路基板の絶縁基板を構成する絶縁層として、熱可塑性の樹脂フィルムを適用する一例を用いて以下に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本実施の形態における回路基板のうち、多層基板部分の製造工程を示す工程別断面図であり、(a)〜(c)は各片面導体パターンフィルム作成工程、(d)は積層工程、(e)が加熱・加圧工程後を示す。また、図2は、多層基板表面に電子部品を実装した回路基板の概略断面図である。
(第1の実施の形態)
図1は、本実施の形態における回路基板のうち、多層基板部分の製造工程を示す工程別断面図であり、(a)〜(c)は各片面導体パターンフィルム作成工程、(d)は積層工程、(e)が加熱・加圧工程後を示す。また、図2は、多層基板表面に電子部品を実装した回路基板の概略断面図である。
本実施の形態における回路基板は、3種類の片面導体パターンフィルムを積層し、加熱・加圧することにより形成される。
先ず、図1(a)に示すように、第1の片面導体パターンフィルム10を形成する工程が実施される。尚、第1の片面導体パターンフィルム10は、後述する積層工程において、積層体の表層に配置され、電極としてのランドと当該ランドに隣接する第1のビアホールを有する。
第1の片面導体パターンフィルム10は、熱可塑性樹脂からなる第1の樹脂フィルム11と、当該第1の樹脂フィルム11の片面に形成された導体パターンとしてのランド12と、ランド12を底部とし第1の樹脂フィルム11を貫通する第1のビアホール13と、第1のビアホール13内に充填された第1の層間接続材料14とにより構成される。
第1の樹脂フィルム11は、多層基板の絶縁基板を構成する絶縁層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂であれば特に限定されるものではない。本実施形態においては、厚さ25〜100μmの液晶ポリマー(LCP)を用いるものとする。
ランド12は、多層基板を構成する導体パターンのうち、電子部品との接続を行う電極であり、例えば第1の樹脂フィルム11の片面に貼着された導体箔を所望のパターンにエッチングすることにより形成される。導体箔としては、例えばAu、Ag、Cu、Alの少なくとも1種を含む低抵抗金属箔を用いることができ、本実施形態においては安価でマイグレーションの心配のないCu箔を用いるものとする。尚、ランド12は、導体箔のエッチング以外にも、印刷法やメッキ法を用いて形成しても良い。
ランド12の形成後、図1(a)に示すように、第1の樹脂フィルム11のランド12形成面の裏面側から例えばレーザ光を照射し、第1の樹脂フィルム11を貫通しつつランド12を底面とする第1のビアホール13を形成する。第1のビアホール13の形成には、例えば、炭酸ガスレーザ、UV−YAGレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。その他にもドリル加工等により機械的に第1のビアホール13を形成することも可能であるが、小径でかつ導体パターンとしてのランド12を傷つけないように加工することが必要とされるため、レーザによる加工法を選択することが好ましい。
第1のビアホール13の形成が完了すると、第1のビアホール13内に第1の層間接続材料14を充填する。本実施形態においては、第1の層間接続材料14として、Cu、Ag、Sn等の金属粒子に有機溶剤を加え、これを混練しペースト化した導電性ペーストを用いるものとする。尚、導電性ペーストには、その他にも低融点ガラスフリットや有機樹脂、或いは無機フィラーを適宜添加・混合しても良い。この導電性ペーストは、図示されないスクリーン印刷機やディスペンサ等を用いて第1のビアホール13内に充填される。以上の工程により、第1の樹脂フィルム11の片面にランド12を有する第1の片面導体パターンフィルム10が形成される。
また、第1の片面導体パターンフィルム10の形成工程と並行して、後述する積層工程において第1の片面導体パターンフィルム10に隣接して配置される第2の片面導体パターンフィルム20の形成工程が実施される。図1(b)に示すように、第2の片面導体パターンフィルム20は、熱可塑性樹脂からなる第2の樹脂フィルム21と、当該第2の樹脂フィルム21の片面に形成される導体パターン22と、導体パターン22を底部とし第2の樹脂フィルム21を貫通する第2のビアホール23と、当該第2のビアホール23内に充填された第2の層間接続材料24とにより構成される。
第2の樹脂フィルム21は、第1の樹脂フィルム11同様、多層基板の絶縁基板を構成する絶縁層であり、その構成材料は、熱可塑性樹脂であれば特に限定されるものではない。本実施形態においては、第1の樹脂フィルム11と同一構成のLCPを用いるものとする。
導体パターン22は、ランド12同様、多層基板の導体パターンを構成する一部であり、ランド12の形成同様、第2の樹脂フィルム21の片面に貼着された導体箔(本実施形態においては銅箔)を所望のパターンにエッチングすることにより形成される。また、導体パターン22は、第1のビアホール13内に充填された第1の層間接続材料14と、第2のビアホール14内に充填された第2の層間接続材料24とを、電気的に接続可能な形状に形成される。
導体パターン22の形成後、図1(b)に示すように、第2の樹脂フィルム21に対して導体パターン22形成面の裏面に例えば炭酸ガスレーザを照射し、導体パターン22を底部とした有底の第2のビアホール23を形成する。尚、第2のビアホール23の形成には、炭酸ガスレーザ以外にもUV−YAGレーザやエキシマレーザ等を用いることが可能であり、その他にもドリル加工等により機械的に形成することも可能である。尚、本実施の形態における第2のビアホール23は、第1のビアホール13と略同一径を有しており、積層方向における第1のビアホール13の形成位置とは異なる位置に形成されている。第2のビアホール23の形成位置(第1のビアホール13との位置関係)の詳細については後述する。
第2のビアホール23の形成が完了すると、第2のビアホール23内に、第2の層間接続材料24を充填する。本実施形態においては、第1のビアホール13内に充填された第1の層間接続材料14と同一の導電性ペーストを第2の層間接続材料24として充填する。尚、第2の層間接続材料24は第1の層間接続材料14と異なる材料により構成されるものであっても良い。しかしながら、製造工程が増加することとなるので、同一材料を用いることが好ましい。尚、第2の層間接続材料24である導電性ペーストは、第1の層間接続材料14同様、図示されないスクリーン印刷機やディスペンサ等を用いてビアホール23内に充填される。以上の工程により、第2の樹脂フィルム21の片面に導体パターン22を有する第2の片面導体パターンフィルム20が形成される。
また、本実施形態においては、第1の片面導体パターンフィルム10及び第2の片面導体パターンフィルム20と並行して、図1(c)に示すように第3の片面導体パターンフィルム30の形成も実施される。
第3の片面導体パターンフィルム30は、熱可塑性樹脂からなる第3の樹脂フィルム31と、当該第3の樹脂フィルム31の片面に形成された導体パターン32と、当該導体パターン32を底部として形成された有底の第3のビアホール33と、当該第3のビアホール33内に充填された第3の層間接続材料34とにより構成される。尚、本実施形態における第3の片面導体パターンフィルム30は、第2の片面導体パターンフィルム20とほぼ同一構成を有しており、異なる点は、導体パターン32の形状(平面方向の長さ)のみである。従って、記載上、第3のビアホール33を第2のビアホール23と区別しているが、本実施形態においては、実質同一とみなすことができる。
第3の樹脂フィルム31は、第1の樹脂フィルム11及び第2の樹脂フィルム21同様、多層基板の絶縁基板を構成する絶縁層であり、その構成材料は、熱可塑性樹脂であれば特に限定されるものではない。本実施形態においては、第1の樹脂フィルム11及び第2の樹脂フィルム21と同一構成のLCPを用いるものとする。
また、導体パターン32も、ランド12及び導体パターン22同様、多層基板の導体パターンを構成する一部であり、第3の樹脂フィルム31の片面に貼着された導体箔(本実施形態においては銅箔)を所望のパターンにエッチングすることにより形成される。
そして、導体パターン32を底部として、第1のビアホール13及び第2のビアホール23の形成と同様の手法により、第3のビアホール33の形成がなされる。本実施形態において、第3のビアホール33は、第1のビアホール13及び第2のビアホール23と略同一径を有しており、積層方向における第2のビアホール23の形成位置と同一位置に形成される。
第3のビアホール33の形成後、当該第3のビアホール33内に第3の接続材料34を充填する。本実施形態においては、第1の層間接続材料14及び第2の層間接続材料24と同一の導電性ペーストを第3の層間接続材料34として充填する。これにより製造工程を簡素化している。尚、第3の層間接続材料34は第1の層間接続材料14或いは第2の層間接続材料24と異なる材料により構成されるものであっても良い。以上の工程により、第3の樹脂フィルム31の片面に導体パターン32を有する第3の片面導体パターンフィルム30が形成される。
このように、第1の片面導体パターンフィルム10、第2の片面導体パターンフィルム20、及び第3の片面導体パターンフィルム30の形成を並行して一度に実施することで、製造工程を簡素化している。しかしながら、夫々の形成を別個に実施しても良い。
各片面導体パターンフィルム10,20,30の形成が完了すると、図1(d)に示すように、各片面導体パターンフィルム10,20,30を複数枚(本実施形態では第1の片面導体パターンフィルム10を2枚、第2の片面導体パターンフィルム20を2枚、及び第3の片面導体パターンフィルム30を5枚の計9枚)位置決めして積層し、積層体40を形成する。尚、図1(d)においては、便宜上、各片面導体パターンフィルム10,20,30を離間して図示している。
このとき、第1の片面導体パターンフィルム10は、積層体40の上下両表面にランド12が露出するように配置される。そして、第1のビアホール13の開口面に導体パターン22が接するように、第1の片面導体パターンフィルム10に隣接して、第2の片面導体パターンフィルム20が配置される。また、第2の片面導体パターンフィルム20の内層側に5枚の第3の片面導体パターンフィルム30が配置され、2枚目と3枚目との間を境にして、上に配置される3枚の第3の片面導体パターンフィルムは導体パターン32形成面が上側に、下に配置される2枚の第3の片面導体パターンフィルム30は導体パターン32形成面が下側になるように積層される。
積層工程がなされた後、積層体40の上下両面から熱プレス機により加熱しつつ加圧する加熱・加圧工程が実施される。これにより、熱可塑性樹脂からなる各樹脂フィルム11,21,31が軟化して相互に接着し、ランド12及び導体パターン22,32と各層間接続材料14,24,34が接合する。そして、加熱・加圧後の冷却工程を経て、図1(e)に示される多層基板50が形成される。尚、多層基板50は、熱プレス機により所定の温度勾配をもって冷却されるように管理される。また、絶縁基板60は、第1の樹脂フィルム11,第2の樹脂フィルム21,及び第3の樹脂フィルム31により構成される。
次に、図2に示すように、形成された多層基板50に対して、その表面にIC等の電子部品70が位置決めされ、当該電子部品70における接続端子としての電極71が、はんだ等の接合材料80を介して、電極としてのランド12に電気的に接続される。これにより多層基板50に電子部品70を実装してなる回路基板90が形成される。尚、接合材料80は電子部品70に設けられたはんだボール等であっても良い。
ここで、特に調整したものでない限り、回路基板を構成する絶縁基板、導体パターン、層間接続材料、及び電子部品の積層方向の線膨張係数は、それぞれ異なる値を示す。従って、使用環境下での温度変化等により、電子部品と多層基板との接合部に、電子部品と絶縁基板の線膨張係数差によるせん断方向(多層基板の平面方向)の応力と、多層基板内の層間接続材料と絶縁基板との線膨張係数差による積層方向の応力(膨張・収縮量の差による)が作用する。そして、この応力が大きいか或いは繰り返し作用すると、接合部に剥離等の破壊が起こり、回路基板における接合部の接続信頼性が低下する恐れがある。
しかしながら、本発明の回路基板90によると、図2及び図3に示すように、接合部を構成するランド12に電気的に接続された各層間接続材料14,24,34を備える複数のビアホール13,23,33のうち、第2及び第3のビアホール23,33がランド12に隣接する第1のビアホール13に対して所定量ずれて設けられており、絶縁基板60と層間接続材料14,24,34がある程度分散配置された構造を有している。従って、ランド12に電気的に接続された層間接続材料14,24,34を備える全てのビアホール13,23,33が、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成範囲内において、同一位置に連続して形成される場合よりも、接合部に作用する積層方向の応力を小さくすることができる。すなわち、多層基板50と電子部品70との接合部(ランド12と接合材料80及び接合材料80と電子部品70)における剥離等の発生を抑制し、回路基板90の接続信頼性を向上することができる。尚、図3は、第1のビアホール13と第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)の位置関係を示す多層基板50の部分平面図であり、便宜上、第1のビアホール13と第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)を透過させて、破線で図示している。
また、本実施形態において、ランド12に隣接する第1のビアホール13は、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成範囲に設けられ、それ以外の第2及び第3のビアホール23,33は、積層方向における第1のビアホール13の形成位置と重ならず、且つ、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられている。従って、積層方向における接合部の形成位置には、第1のビアホール13のみが形成されているので、接合部に作用する積層方向の応力がさらに低減される。すなわち、回路基板90における接合部の接続信頼性をより向上することができる。尚、ここでいう重ならない状態とは、積層方向における第1のビアホール13の形成範囲内に、第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)が全く位置しない状態を言う。
また、積層方向の応力は、多層基板50の積層端側(積層表面側)ほど大きくなる、しかしながら、上述したように、積層方向における接合部の形成位置には、第1のビアホール13のみが形成され、第1のビアホール13と、第2のビアホール23とが平面方向にずれて形成されている。従って、積層方向の応力を分断することができ、回路基板90における接合部の接続信頼性をより向上することができる。
また、積層方向に生じる応力は、多層基板50と電子部品70との接合部に作用するだけでなく、多層基板50の導体パターン12,22,32と層間接続材料14,24,34との間の接合部にも作用する。しかしながら、回路基板90を構成する多層基板50が、本実施形態に示すような構造を有していると、導体パターン12,22,32と層間接続材料14,24,34との間の接合部(特に積層表面であるランド12と第1の層間接続材料14との接合部)における接続信頼性も向上することができる。
また、第2のビアホール23及び第3のビアホール33は、積層方向において互いに異なる位置に設けられても良い。しかしながら、本実施形態においては、図2に示すように、第2のビアホール23及び第3のビアホール33が、全て積層方向の同一位置に設けられている。従って、ビアホール13,23,33の一部をずらした構造でありながら、配線長をできる限り短くすることができる。配線長が長くなると、電気信号の高速処理やノイズに対して不利となるので、回路基板90における接合部の接続信頼性を確保できる範囲で、配線長が最小となるように、導体パターン12,22,32及び各ビアホール13,23,33が所定位置に所定形状をもって形成されることが好ましい。
尚、本実施形態において、第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)が、積層方向おける第1のビアホール13の形成位置と重ならないように設けられる例を示した。しかしながら、第2のビアホール23が、第1のビアホール13に対して、積層方向における同一位置から多層基板50の平面方向にわずかでもずれた(ある程度重なった)状態であれば、ずれた部分に絶縁基板60が配置されるので、積層方向に生じる応力を低減することができる。
また、本実施形態において、図3に示すように、第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)を第1のビアホール13に対して略45度の角度をもって多層基板50の外周側面方向にずらす例を示した。しかしながら、第1のビアホール13に対する第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)の形成位置は、上記例に限定されるものではない。
また、本実施形態において、多層基板50の両表面にランド12が形成され、一方のランド12に電子部品70が実装される例を示した。しかしながら、両表面のランド12に電子部品70が実装されても良いし、一方の表面のみにランド12を有しても良い。
また、本実施形態においては、積層方向の同一位置に、ランド12に隣接しないビアホール(第2のビアホール23及び第3のビアホール33)が連続して7個設けられる例を示した。しかしながら、積層方向の同一位置に連続して設けられるビアホールの個数は7個に限定されるものではない。また、ランド12直下の第1のビアホール13が1個のみ設けられる例を示したが、必ずしも1個に限定されるものではない。いずれの場合においても、回路基板90を構成する各構成要素の物性値(線膨張係数,ヤング率等)や厚さ等を考慮し、多層基板50と電子部品70との接合部及び導体パターン12,22,32と層間接続材料14,24,34との接合部において、接続信頼性が確保できる範囲で設定されれば良い。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図4に基づいて説明する。図4は、本実施形態における回路基板90の概略構成を示す断面図である。尚、図4は、図2に対応している。
次に、本発明の第2の実施形態を図4に基づいて説明する。図4は、本実施形態における回路基板90の概略構成を示す断面図である。尚、図4は、図2に対応している。
第2の実施の形態における回路基板90及びその製造方法は、第1の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
第2の実施の形態において、第1の実施の形態と異なる点は、全てのビアホール13,23,33が、積層方向における多層基板50と電子部品70との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられる点である。
先ず、第1の実施形態同様の手法により、回路基板90の多層基板50部分が形成される。その際、第1の実施形態に示す多層基板50と異なる点は、第1の片面導体パターンフィルム10におけるランド12の形状(長さ)と、第1のビアホール13の形成位置である。
本実施形態におけるランド12は、接合材料80との接合部よりも多層基板50の平面方向(図4においては外周方向)に伸延して設けられる。そして、積層方向における上記接合部と重ならない位置に第1のビアホール13が形成される。尚、本実施形態において、第1のビアホール13は、第1の実施形態で示した積層方向における第2及び第3のビアホール23,33の形成位置と同一位置に形成される。
そして、このような、ランド12及び第1のビアホール13を有する第1の片面導体パターンフィルム10と第2及び第3の片面導体パターンフィルム20,30とを第1の実施形態同様の構成で積層し、得られた積層体40を加熱・加圧し冷却することにより、多層基板50が形成される。
多層基板50形成後、接合材料80と接合する部位以外の多層基板50表面にソルダレジスト100を形成する。そして、電子部品70を多層基板50に位置決めし、図4に示すように、ランド12の所定の範囲と電子部品70の電極71とを接合材料80により電気的に接続する。これにより、本実施形態の回路基板90が形成される。
このように、本実施形態の回路基板90は、ランド12に電気的に接続された層間接続材料14,24,34を備える全てのビアホール13,23,33が、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられている。従って、第1の実施形態で示したように、第1のビアホール13に対して第2のビアホール23(及び第3のビアホール33)を所定量ずらして設けなくとも、接合部に作用する積層方向の応力を低減することができる。すなわち、回路基板90における接合部(ランド12と接合材料80及び接合材料80と電子部品70)の接続信頼性を向上できる。
また、全てのビアホール13,23,33が、積層方向における同一位置に形成されている。従って、全てのビアホール13,23,33が、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられる構造でありながらも、配線長を短くすることができる。しかしながら、ビアホール13,23,33の形成位置は、積層方向におけるランド12と接合材料80との接合部の形成位置と重ならない位置であれば、同一位置に限定されるものではない。積層方向の同一位置に連続して形成されるビアホールの数が増すと、当該ビアホールを供える樹脂フィルムとの膨張・収縮量の差から積層方向に生じる応力が大きくなる。また、ビアホールを例えば階段状に設けると、配線長が増加する。従って、多層基板50と電子部品70との接合部及び導体パターン12,22,32と層間接続材料14,24,34との接合部の両接合部における接続信頼性を確保できる範囲で、配線長が最短となるような構造とすることが好ましい。尚、そのような構造は、回路基板90を構成する各構成要素の物性値(線膨張係数,ヤング率等)や厚さ等を考慮して、シミュレーションや実測により決定されれば良い。
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。
本実施形態において、絶縁基板が熱可塑性の樹脂フィルムからなる例を示した。しかしながら、絶縁基板は、多層基板を形成する際に用いられる一般的な材料であれば特に限定されるものではない。例えば、熱硬化性樹脂、ガラス布に樹脂を含浸させた複合材料、或いはセラミック等を適用することも可能である。
また、本実施形態において、回路基板の多層基板部分が、各片面導体パターンフィルムを積層して形成される例を示した。しかしながら、多層基板は本実施形態の構成に限定されるものではない。例えば、両面に導体パターンの形成された樹脂フィルムを含むものであっても良いし、導体パターンを有さない樹脂フィルムを含むものであっても良い。さらには、ビアホールを有さない樹脂フィルムを含むものであっても良い。
11・・・第1の樹脂フィルム
12・・・ランド(導体パターン)
13・・・第1のビアホール
14・・・第1の層間接続材料
21・・・第2の樹脂フィルム
22・・・導体パターン
23・・・第2のビアホール
24・・・第2の層間接続材料
50・・・多層基板
60・・・絶縁基板(第1の樹脂フィルム11,第2の樹脂フィルム21,及び第3の樹脂フィルム31により構成)
70・・・電子部品
80・・・接合材料
90・・・回路基板
12・・・ランド(導体パターン)
13・・・第1のビアホール
14・・・第1の層間接続材料
21・・・第2の樹脂フィルム
22・・・導体パターン
23・・・第2のビアホール
24・・・第2の層間接続材料
50・・・多層基板
60・・・絶縁基板(第1の樹脂フィルム11,第2の樹脂フィルム21,及び第3の樹脂フィルム31により構成)
70・・・電子部品
80・・・接合材料
90・・・回路基板
Claims (18)
- 絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、前記導体パターン間がビアホール内に充填された層間接続材料により電気的に接続された多層基板と、
当該多層基板表面に設けられたランドとしての前記導体パターンに、接合材料を介して電気的に接続された電子部品とにより構成される回路基板であって、
前記ランドに電気的に接続された前記層間接続材料を備える複数の前記ビアホールは、少なくともその一部が積層方向における同一位置から前記多層基板の平面方向に所定量ずれて設けられていることを特徴とする回路基板。 - 所定量ずれて設けられた前記ビアホールは、前記平面方向において、他の前記ビアホールの形成位置と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
- 所定量ずれて設けられた前記ビアホールは、積層方向における前記ランドと前記接合材料との接合部の形成位置と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回路基板。
- 前記ランドに隣接するビアホールに対して、前記ランドに隣接しないビアホールが所定量ずれて設けられていることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の回路基板。
- 前記ランドに隣接しないビアホールは、積層方向における前記ランドの形成位置と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の回路基板。
- 所定量ずれて設けられた前記ビアホールは複数からなり、全てが積層方向における同一位置に設けられていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の回路基板。
- 絶縁基板に複数の導体パターンが多層に配置され、前記導体パターン間がビアホール内に充填された層間接続材料により電気的に接続された多層基板と、
当該多層基板表面に設けられたランドとしての前記導体パターンに、接合材料を介して電気的に接続された電子部品とにより構成される回路基板であって、
前記ランドは、前記接合材料との接合部よりも前記多層基板の平面方向に伸延して設けられ、前記ランドに電気的に接続された前記層間接続材料を備える全ての前記ビアホールが、積層方向における接合部の形成位置と重ならない同一位置に形成されることを特徴とする回路基板。 - 前記ランドは、前記多層基板の両表面に設けられ、お互いのランドが、積層方向における同一位置に設けられていることを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の回路基板。
- 前記絶縁基板は、熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項1〜8いずれか1項に記載の多層基板。
- 片面に導体層としてのランドを有し、貫通孔である第1のビアホール内に前記ランドと接する第1の層間接続材料が充填された絶縁層を形成する工程と、
貫通孔である第2のビアホール内に第2の層間接続材料が充填された前記絶縁層とは異なる絶縁層を形成する工程と、
前記ランドが表面に露出されるように、前記第1のビアホールを有する絶縁層及び前記第2のビアホールを有する絶縁層を含む複数の絶縁層と複数の導体層とを多層に積層して積層体を形成し、前記ランド、前記第1の層間接続材料、及び前記第2の層間接続材料を電気的に接続して多層基板を形成する工程と、
前記多層基板表面に電子部品を位置決めし、前記ランドと前記電子部品とを接合材料を介して電気的に接続する工程とを備える回路基板の製造方法であって、
前記積層体において、前記第2のビアホールが前記第1のビアホールに対して、積層方向における同一位置から前記多層基板の平面方向に所定量ずれて配置されるように、前記第1のビアホール及び前記第2のビアホールが所定位置に形成されることを特徴とする多層基板の製造方法。 - 前記平面方向において、前記第2のビアホールは、前記第1のビアホールの形成位置と重ならない位置に形成されることを特徴とする請求項10に記載の回路基板の製造方法。
- 前記平面方向において、前記第2のビアホールは、積層方向における前記ランドと前記接合材料との接合部の形成位置と重ならない位置に形成されることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の回路基板の製造方法。
- 前記平面方向において、前記第2のビアホールは、積層方向における前記ランドの形成位置と重ならない位置に形成されることを特徴とする請求項10〜12いずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記ランドは、前記接合材料との接合部よりも前記多層基板の平面方向に伸延して設けられ、前記第1のビアホールは、積層方向における前記接合部の形成位置と重ならない位置に形成されることを特徴とする請求項10〜13いずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第2のビアホールを有する絶縁層は、前記第1のビアホールを有する絶縁層に隣接して配置されることを特徴とする請求項10〜14いずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第2のビアホールを有する絶縁層は、複数からなることを特徴とする請求項10〜15いずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
- 片面に導体層としてのランドを有し、貫通孔である第1のビアホール内に前記ランドと接する第1の層間接続材料が充填された絶縁層を形成する工程と、
貫通孔である第2のビアホール内に第2の層間接続材料が充填された前記絶縁層とは異なる絶縁層を形成する工程と、
前記ランドが表面に露出されるように、前記第1のビアホールを有する絶縁層及び前記第2のビアホールを有する絶縁層を含む複数の絶縁層と複数の導体層とを多層に積層して積層体を形成し、前記ランド、前記第1の層間接続材料、及び前記第2の層間接続材料を電気的に接続して多層基板を形成する工程と、
前記多層基板表面に電子部品を位置決めし、前記ランドと前記電子部品とを接合材料を介して電気的に接続する工程とを備える回路基板の製造方法であって、
前記ランドは、前記接合材料との接合部よりも前記多層基板の平面方向に伸延して設けられ、前記第1のビアホール及び前記第2のビアホールを含む全てのビアホールが、積層方向における前記接合部の形成位置と重ならない同一位置に形成されることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記絶縁層は、熱可塑性の樹脂フィルムからなり、複数の前記絶縁層は、その片面に前記導体層としての導体パターンを有することを特徴とする請求項10〜17いずれか1項に記載の回路基板の製造方法。
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Cited By (7)
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JP2007035836A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 多層回路配線板及びbga型半導体装置 |
JP2007165574A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 誘電体積層基板 |
JP2008091737A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層樹脂配線基板 |
WO2014045862A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | フレキシブル多層基板 |
WO2017065027A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | 樹脂基板、部品実装樹脂基板、樹脂基板の製造方法、部品実装樹脂基板の製造方法 |
KR101843283B1 (ko) * | 2016-09-20 | 2018-03-28 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자 부품 |
US10796836B2 (en) | 2018-02-05 | 2020-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
-
2003
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035836A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | 多層回路配線板及びbga型半導体装置 |
JP2007165574A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 誘電体積層基板 |
JP4639147B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-02-23 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 誘電体積層基板 |
JP2008091737A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層樹脂配線基板 |
JP4567647B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2010-10-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層樹脂配線基板 |
WO2014045862A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | フレキシブル多層基板 |
WO2017065027A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | 樹脂基板、部品実装樹脂基板、樹脂基板の製造方法、部品実装樹脂基板の製造方法 |
US10256209B2 (en) | 2015-10-13 | 2019-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resin substrate, component-mounted resin substrate, method of manufacturing resin substrate, and method of manufacturing component-mounted resin substrate |
KR101843283B1 (ko) * | 2016-09-20 | 2018-03-28 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자 부품 |
US10796836B2 (en) | 2018-02-05 | 2020-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
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