JPH097878A - セラミック電子部品とその製造方法 - Google Patents

セラミック電子部品とその製造方法

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JPH097878A
JPH097878A JP7157535A JP15753595A JPH097878A JP H097878 A JPH097878 A JP H097878A JP 7157535 A JP7157535 A JP 7157535A JP 15753595 A JP15753595 A JP 15753595A JP H097878 A JPH097878 A JP H097878A
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JP
Japan
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layer
electrode
ceramic
electrode layer
ceramic electronic
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JP7157535A
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English (en)
Inventor
Yoshiya Sakaguchi
佳也 坂口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐基板曲げ性の向上したチップ型電子部品を
提供することを目的とする。 【構成】 コンデンサ素体10の端面のみに形成した外
部電極11の第1層電極11aは金属粉末に対してガラ
スフリットを8〜16重量%を含む層であり、この第1
層電極11aの上に形成した第2層電極11bは金属粉
末に対してガラスフリットを0〜2重量%を含む層とし
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば積層セラミック
コンデンサのように、セラミック素体の両端部に外部電
極を有するセラミック電子部品とその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】チップ型電子部品の例として積層セラミ
ックコンデンサについて説明する。
【0003】図3に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ1は回路基板4上に、あらかじめ塗布されている接
着剤5により仮止めされ、その後ランドパターン3上に
外部電極2を半田6により接続固定することにより実装
されている。
【0004】図2は積層セラミックコンデンサ1の実装
状態における耐基板曲げ性の測定状態を示しており、両
端を支点7で支持された回路基板4の中央部を押し棒8
によって押し曲げると、ランドパターン3、半田6を介
して積層セラミックコンデンサ1が引っ張られ、この引
張応力がセラミック材料の強度を越えると積層セラミッ
クコンデンサ1は破壊することになる。
【0005】ところで、上記のような積層セラミックコ
ンデンサ1において耐基板曲げ性は回路基板4に実装し
た後の信頼性を保証するために重要な特性であり、最低
でも2mmの耐基板曲げ性が要求されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記構成では、耐基板
曲げ性が比較的弱く、2.0mm〜3.0mm程度のものも
あり、実装後の回路基板4のブレークや反りなどで割れ
が発生しやすく、導通不良や絶縁抵抗不良に結びつくと
いう問題がある。
【0007】そこで本発明は、耐基板曲げ性の向上した
セラミック電子部品を提供することを目的とするもので
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、セラミック素体と、このセラミック素体の
両端に有する外部電極とを備え、この外部電極は少なく
とも2層からなり、前記セラミック素体に続する第1層
のガラスの含有量は、その上層の第2層のガラスの含有
量よりも多くしたものである。
【0009】
【作用】この構成によると、第1層はセラミック素体と
の密着性が強く、第2層はセラミック素体との接着性が
弱い構造となる。その結果、基板曲げの際に発生する引
張応力をセラミック素体側面と第2層との間で緩和させ
ることができるので、その分だけ耐基板曲げ性を向上さ
せることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
【0011】図1に本発明の外部電極を適用した積層セ
ラミックコンデンサ9を示す。まず、チタン酸バリウム
を主成分とした混合粉末に有機結合材及び可塑材を加
え、ボールミルでこれらを分散させることによりスラリ
ーを作製した。ついでドクターブレード法によりグリー
ンシートを作製した。
【0012】このグリーンシートに金属導体としてPd
からなる内部電極用ペーストを塗布し、これらを積層圧
着した後、1300℃の大気中で焼成してコンデンサ素
体10を作製した。
【0013】外部電極11の第1層電極11a及び第2
層電極11bは次の手順で形成した。Ag粉末70重量
部に対し第1層電極11aはガラスフリットを金属粉末
に対し12重量%、第2層電極11bは2重量%、さら
にそれぞれにエチルセルロース、ブチルカルビトール及
びテルピネオールを含む有機ビヒクルを混練して全体を
100重量部として2種類の導電性ペーストを調整し
た。
【0014】次に第1層電極11aをコンデンサ素体1
0の両端面部のみに塗布して、大気圧下、150℃、1
5分間で乾燥し、さらに第2層電極11bを今度はコン
デンサ素体10の側面まで被いかぶさるよう両端部に塗
布し同様に乾燥させた後、大気圧下、25℃/分の昇温
速度で650℃まで昇温して外部電極11を形成した。
【0015】得られた積層セラミックコンデンサ9につ
いて、EIAJ試験法に準拠し、厚さ1.6mmのガラス
エポキシ基板にそれぞれ20個の積層セラミックコンデ
ンサ9を実装してたわみ試験を行い、コンデンサ素体1
0が破壊する限界時のたわみ量を測定した。また、従来
の外部電極構造の積層セラミックコンデンサも同様の試
験を行いその結果を(表1)に示した。
【0016】
【表1】
【0017】なお、本実施例においては積層セラミック
コンデンサ9を例に示したが、セラミック素体の両端面
に外部電極を有するセラミック電子部品であれば同様の
効果が得られる。
【0018】また、外部電極11のガラスも含有量は、
第1層電極11aが金属粉末に対し12重量%、第2層
電極11bが金属粉末に対し2重量%の場合のみ示した
が、第1層電極11aは金属粉末に対しガラスを8〜1
6重量%含有し、第2層電極11bは金属に対しガラス
を2重量%以下含有するようにすればどのような組合せ
でも構わない。
【0019】さらに、第1層電極11aと第2層電極1
1bとは、同じ金属粉末か、合金を形成するような組合
せの金属粉末を用いることにより、第2層電極11bの
ガラスフリットの含有量が少なくても、第1層電極11
a、第2層電極11bとの接着強度は保つことができ
る。用いる金属粉末としては、Ag,Ag−Pd合金,
Cu,Niなどが考えられる。ここで、CuやNiのよ
うに還元雰囲気中で外部電極11の焼き付けを行わなけ
ればならないような金属を用いる場合、ガラスフリット
も耐還元性を有するものを用いることが望ましい。
【0020】また、第1層電極11aは第2層電極11
bよりも低融点のものを、第2層電極11bの焼き付け
に適した温度よりも低い温度で外部電極11を焼き付け
て第1層電極11aとコンデンサ素体10との接着強度
を大きく、第2層電極11bとコンデンサ素体10との
接着強度をあまり大きくしないことにより、実装したと
き基板の曲げによる引張応力がコンデンサ素体10にか
かりにくくなる。
【0021】さらに、コンデンサ素体10端面部におい
て、第1層電極11aの厚みは第2層電極11bの厚み
と同じかそれ以上にすることにより、外部電極11を焼
き付ける際、第1層電極11a中のガラスフリットが第
2層電極11bの方に拡散し、第1層電極11aとコン
デンサ素体10との接着強度が低下するのを防ぐことが
できる。
【0022】また、第1層電極11aと第2層電極11
bに用いるガラスフリットは異なる組成でも構わない。
【0023】
【発明の効果】以上本発明によると、外部電極の第1層
(下層)はセラミック素体との密着性が強く、第2層
(上層)はセラミック素体との接着性が弱い構造とな
る。その結果、基板曲げの際に発生する引張応力をセラ
ミック素体側面と第2層(下層)との間で緩和させるこ
とができるので、その分だけ耐基板曲げ性を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの一部断面図
【図2】積層セラミックコンデンサの耐基板曲げ性の測
定状態を示す断面図
【図3】従来の積層セラミックコンデンサの断面図
【符号の説明】
9 積層セラミックコンデンサ 10 コンデンサ素体 11a 第1層電極 11b 第2層電極

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミック素体と、このセラミック素体
    の両端に有する外部電極とを備え、この外部電極は少な
    くとも2層からなり、前記素子に接する第1層のガラス
    の含有量は、その上層の第2層のガラスの含有量より多
    いセラミック電子部品。
  2. 【請求項2】 第1層は金属に対しガラスを8〜16重
    量%含有し、第2層は金属に対しガラスを2重量%以下
    含有する請求項1記載のセラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 第1層はセラミック素体の端面のみに形
    成され、第2層は前記第1層を覆うとともに前記セラミ
    ック素体の側面部に至るように形成されている請求項1
    記載のセラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 セラミック素体端面において、第1層の
    厚みは第2層の厚みと同等以上である請求項1記載のセ
    ラミック電子部品。
  5. 【請求項5】 第1層は第2層よりも低融点である請求
    項1記載のセラミック電子部品。
  6. 【請求項6】 第1層と第2層は同じ金属かあるいは合
    金を形成するような組合せの金属で形成されている請求
    項1記載のセラミック電子部品。
  7. 【請求項7】 セラミック素体の両端面に第1層ペース
    トを塗布して乾燥し、次に前記第1層を覆い、前記セラ
    ミック素体の側面に至るように第2層ペーストを塗布し
    乾燥した後に、前記第1層と前記第2層とを焼き付ける
    セラミック電子部品の製造方法。
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