JP4544387B2

JP4544387B2 - セラミックコンデンサ及びその製造方法

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Publication number: JP4544387B2
Application number: JP2001029694A
Authority: JP
Inventors: 克彦五十嵐
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Priority date: 2001-02-06
Filing date: 2001-02-06
Publication date: 2010-09-15
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。本発明に係るセラミックコンデンサは、主に、スイッチング電源用の平滑用コンデンサとして用いるのに適する。
【０００２】
【従来の技術】
これまで、スイッチング電源用の平滑用コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であった。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミックコンデンサの要求が高まっている。
【０００３】
一般に、電源周辺は高熱を発するため、基板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しかしながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラックを発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生させる原因となる。
【０００４】
発火等のトラブルを無くするためには、セラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平５−４６２５８号公報、特開平４−１７１９１１号公報および特開平４−２５９２０５号公報等は、セラミックコンデンサの端子電極に金属板をはんだ付けし、金属板をアルミニウム基板上に実装することにより、セラミックコンデンサがアルミニウム基板に直接はんだ付されるのを防ぐ構造を開示している。
【０００５】
ところが、この種のセラミックコンデンサにおいても、小型化の要求から、はんだ接合面積の狭小化が急速に進展しつつあり、現段階でも、既に、十分な合金接合強度を確保することが困難になっている。
【０００６】
また、この種のセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサ素子の端子電極に金属端子をはんだ付け（通炉）した後、回路基板等に搭載し、再び通炉する。従って、回路基板へのはんだ付けに当たっては、端子電極と金属端子とをはんだ付けする高温はんだよりも低い融点を持つ低温はんだを用いてはんだ付けする必要がある。従来、はんだの融点はＰｂの含有量によって調整するのが一般的であった。
【０００７】
ところが、地球環境保全の立場から、Ｐｂを含有しないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）が要求され、そのようなはんだ組成の開発が盛んに行われている。しかし、Ｐｂフリーはんだで、従来の高温はんだに匹敵する高温融点のはんだ組成は、現在のところ、実用化されていない。
【０００８】
このため、セラミックコンデンサ素子の端子電極及び金属端子の間のはんだ付けに用いられるはんだと、回路基板への実装時に用いられるはんだとの間の融点差を十分にとることができず、セラミックコンデンサを回路基板上に実装する際、セラミックコンデンサが浮動し、または脱落する等の不具合が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、セラミックコンデンサ素子の端子電極及び金属端子を、十分な接合強度をもって接合し得るセラミックコンデンサを提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、リフロー時の浮動または脱落等の不具合を確実に阻止し得るセラミックコンデンサを提供することである。
【００１１】
本発明の更にもう一つの課題は、Ｐｂフリーを実現したセラミックコンデンサを提供することである。
【００１２】
本発明の更にもう一つの課題は、上述したセラミックコンデンサの製造に適した方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に端子電極を有しており、前記金属端子のそれぞれは、前記端子電極の一つに、合金接合によって接続されている。
【００１４】
上述したように、金属端子のそれぞれは、コンデンサ素子の端子電極の一つに、合金接合によって接続されているから、金属端子とコンデンサ素子の端子電極との間に、セラミックコンデンサを回路基板上にはんだ付けするときのリフロー温度よりも、著しく高融点の合金接合が形成される。このため、リフロー時に、セラミックコンデンサが回路基板上で浮動したり、あるいは脱落する等の不具合を回避することができる。
【００１５】
しかも、合金接合であるので、Ｐｂ含有の高温はんだを用いる必要がなくなる。即ち、Ｐｂフリーが実現できる。
【００１６】
前記合金接合は、典型的には、Ａｇ−Ｃｕ合金による。金属端子とセラミックコンデンサ素子との間に、Ａｇ−Ｃｕ合金接合を生じさせる具体的方法として、金属端子の最外側層にＡｇ膜を形成し、コンデンサ素子の端子電極の表面にＣｕ膜を形成する。そして、前記金属端子の前記Ａｇ膜と、前記コンデンサ素子の前記端子電極のＣｕ膜とを接触させた状態で熱処理を行い、前記Ａｇ膜及び前記Ｃｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合を生じさせる。Ａｇ−Ｃｕ合金の共晶温度は、７７９℃であるから、セラミックコンデンサを回路基板に実装する際のはんだ共晶温度、例えば１８３℃よりも著しく高い。このため、リフロー時に、セラミックコンデンサが回路基板上で浮動したり、あるいは脱落する等の不具合を回避することができる。また、合金接合であるので、Ｐｂ含有の高温はんだを用いる必要がなくなり、Ｐｂフリーが実現できる。
【００１７】
別の方法として、前記金属端子の最外側層にＣｕ膜を形成し、前記コンデンサ素子の前記端子電極の表面にＡｇ膜を形成する。そして、前記金属端子の前記Ｃｕ膜と、前記コンデンサ素子の前記端子電極のＡｇ膜とを接触させた状態で熱処理を行い、前記Ａｇ膜及び前記Ｃｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合を生じさせる。
何れの場合も、前記熱処理は中性雰囲気または還元性雰囲気中で行う。
【００１８】
Ａｇ膜及びＣｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合の他、Ａｕ膜及びＣｕ膜によるＡｕ−Ｃｕ合金接合も有効である。
【００１９】
本発明に係るセラミックコンデンサにおいて、好ましくは、少なくとも一対備えられる金属端子のそれぞれは、中間部に曲げ部を有し、曲げ部は鋭角に折り曲げられ、前記曲げ部より先の部分が前記端子電極に接続される。
【００２０】
かかる構造の金属端子は、曲げ部が一種のスプリング作用を奏する。このため、基板の撓みおよび熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデンサ素子に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラミックコンデンサ素子にクラックが発生するのを阻止することができる。従って、アルミニウム基板に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コンデンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それに起因する発火の危険を回避することができる。
【００２１】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図面は単に例を示すに過ぎない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るセラミックコンデンサの正面部分断面図、図２は図１に示したセラミックコンデンサの正面断面図である。図１及び図２に図示されたセラミックコンデンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１と、一対の金属端子２、３とを含む。セラミックコンデンサ素子１は、長さ方向において相対する両側端面に端子電極１１、１２を有する。
【００２３】
金属端子２は、中間部に曲げ部２２を有し、曲げ部２２の先の一端２１が端子電極１１に接続され、曲げ部２２の後方に、外部と接続される端子部２３を有する。金属端子３も、中間部に曲げ部３２を有し、曲げ部３２の一端３１が端子電極１２に接続され、曲げ部３２の後方に外部と接続される端子部３３を有する。
【００２４】
金属端子２は、端子電極１１に、合金接合４によって接続され、金属端子３は端子電極１２に合金接合５によって接続されている。より具体的には、図３に拡大して示すように、金属端子２、３の表面に形成したＡｇ膜４１、５１と、セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２に形成したＣｕ膜４２、５２との間にＡｇ−Ｃｕ合金接合４、５を生じさせる。図示では、Ａｇ膜４１とＣｕ膜４２、及び、Ａｇ膜５１とＣｕ膜５２とは、境界が明確に分離されているが、これは、説明の便宜のためであって、Ａｇ−Ｃｕ合金として見た場合、明確な境界がある訳ではなく、成分分析的に見て、Ａｇ成分の豊富（リッチ）な領域、共晶領域及びＣｕ成分の豊富な領域等が存在するだけである。この点は、他の図示でも同様である。Ａｇ膜及びＣｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合の他、Ａｕ膜及びＣｕ膜によるＡｕ−Ｃｕ合金接合も有効であることは前述した通りである。
【００２５】
図３において、金属端子２、３は、基体２００の表面に、めっきによるＡｇ膜４１、５１を付着させてある。基体２００とＡｇ膜４１、５１との間に、例えば、Ｎｉめっき膜等の他の金属膜を設けてもよい。基体２００は、電気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成することが好ましい。例えば、Ｆｅが５５〜７０ｗｔ％で、Ｎｉが３０〜４５ｗｔ％の合金、更に詳しくは、アンバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、４２アロイ（登録商標）（Ｆｅ５８ｗｔ％、Ｎｉ４２ｗｔ％）等がある。更に、Ｒｕ、ニモニック８０（登録商標）、Ｐｔ、Ｐｄ、チタン、炭素銅等を用いることもできる。板厚は、限定するものではないが、代表的には０．１ｍｍ程度である。
【００２６】
図４は図１及び図２に示したセラミックコンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の上に搭載されている。回路基板７０の表面には導体パターン７１、７２が設けられている。セラミックコンデンサに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１によって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子３の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２にはんだ付けされている。
【００２７】
本発明に係るセラミックコンデンサにおいて、金属端子２、３は、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２の一つに、合金接合４、５によって接続されているから、金属端子２、３と、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２との間に、はんだ８１、８２のリフロー温度よりも、著しく高融点の合金接合４、５が形成される。実施例に示すように、合金接合４、５をＡｇ−Ｃｕ合金とした場合、ＡｇーＣｕ合金の共晶温度は、７７９℃であるから、セラミックコンデンサを回路基板７０に実装する際のはんだ共晶温度、例えば１８３℃よりも、著しく高い。このため、リフロー時に、セラミックコンデンサが回路基板７０上で浮動したり、あるいは脱落する等の不具合を回避することができる。また、合金接合４、５であるので、Ｐｂ含有の高温はんだを用いる必要がなくなり、Ｐｂフリーが実現できる。
【００２８】
Ａｇ−Ｃｕ合金による合金接合４、５を生じさせる具体的方法として、金属端子２、３の最外側層にＡｇ膜４１、５１を形成し、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２の表面にＣｕ膜４２、５２を形成する。Ａｇ膜４１、５１は、めっきによって形成し、Ｃｕ膜４２、５２はＣｕペーストを塗布することによって形成することができる。
【００２９】
そして、金属端子２、３のＡｇ膜４１、５１と、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２のＣｕ膜４２、５２とを、Ｃｕペーストの粘着力または接着力を利用して接触させ、この状態で熱処理を行い、Ａｇ膜４１、５１及びＣｕ膜４２、５２によるＡｇ−Ｃｕ合金接合４、５を生じさせる。熱処理は中性雰囲気または還元性雰囲気中で行う。
【００３０】
別の方法として、金属端子２、３の最外側層にＣｕ膜を形成し、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２の表面にＡｇ膜を形成する。そして、金属端子２、３の前記Ｃｕ膜と、コンデンサ素子１の端子電極１１、１２のＡｇ膜とを接触させた状態で熱処理を行い、Ａｇ膜及びＣｕ膜によるＡｇーＣｕ合金接合４、５を生じさせる。熱処理は中性雰囲気または還元性雰囲気中で行う。
次に、実施例及び比較例を挙げて説明する。
【００３１】
＜実施例＞
図１、２に図示したセラミックコンデンサにおいて、Ａｇ−Ｃｕ合金接合４、５により、金属端子２、３をセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２に接合した。上述したコンデンサを用いて、荷重による落下試験を行った。荷重は５ｇ、１０ｇ、１５ｇ及び２０ｇとした。各荷重毎に３０個のサンプルNo.１〜３０、３１〜６０、６１〜９０、９１〜１２０を用意した。落下試験結果を表１に示す。

【００３２】
＜比較例１＞
図１、２において、セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２と金属端子２、３とを、Ｓｎ−３．５Ａｇによってはんだ付けした。得られたサンプルについて、実施例と同様にして、落下試験を行った。各荷重毎に３０個のサンプルNo.１２１〜１５０、１５１〜１８０、１８１〜２１０、２１１〜２４０を用意した。落下試験結果を表２に示す。

【００３３】
＜比較例２＞
図１、２において、セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２と金属端子２、３とを、Ｓｎ−５Ｓｂによってはんだ付けした。得られたサンプルについて、実施例と同様にして、落下試験を行った。各荷重毎に３０個のサンプルNo.２４１〜２７０、２７１〜３００、３０１〜３３０、３３１〜３６０を用意した。落下試験結果を表３に示す。

【００３４】
表２に示すように、比較例１のサンプルNo.１２１〜２４０は、５ｇの荷重では落下はしないが、１０ｇ以上の荷重が加わると、落下するものが生じ、２０ｇの荷重では、サンプル３０個中、１６個が落下した（落下率５３．３％）。また、表３に示すように、比較例２のサンプルNo.２４１〜３６０は、５ｇの荷重では落下はしないが、１０ｇ以上の荷重が加わると、落下するものが生じ、２０ｇの荷重では、サンプル３０個中、１３個が落下した（落下率４３．３％）。
【００３５】
これに対して、表１に示すように、本発明の実施例に属するサンプルNo.１〜１２０の全てが、２０ｇの荷重を受けても、セラミックコンデンサ素子は落下しなかった。
【００３６】
再び、図１及び図２を参照して説明する。セラミックコンデンサ素子１は、セラミック誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の内部電極１０１、１０２を有する。内部電極１０１は一端が端子電極１１に接続され、他端が自由端になっている。内部電極１０２は一端が端子電極１２に接続され、他端が自由端になっている。端子電極１１、１２、内部電極１０１、１０２およびセラミック誘電体基体１００の構成材料およびその製造方法等は周知である。典型的な例では、セラミックコンデンサ素子１は、チタン酸バリウム系のセラミック誘電体の内部にＮｉまたはＮｉ合金よりなる内部電極１０１、１０２を有し、セラミック誘電体の相対する両側端部にガラスフリットを含んだＣｕペーストの焼き付け電極でなる端子電極１１、１２を有する。
【００３７】
好ましくは、内部電極１０１は、その自由端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように形成する。内部電極１０２は、その自由端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔△Ｌ１および△Ｌ２は、自由端と端子電極１１、１２との間の最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１は、端子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の表面および裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１１と、自由端の先端からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔として与えられる。
【００３８】
間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラミック誘電体基体１００の表面および裏面に付着されている垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、自由端の先端からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ２２との間の間隔として与えられる。
【００３９】
図２において、セラミックコンデンサ素子１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行となる横配置となっているが、図２の位置からセラミックコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配置としてもよい。
【００４０】
金属端子２、３のそれぞれは、一端２１、３１が、セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２に接続され、中間部に曲げ部２２、３２を有し、曲げ部２２、３２の先に外部と接続される端子部２３、３３を有する。
【００４１】
かかる構造の金属端子２、３は、中間部に設けられた曲げ部２２、３２により、回路基板７０の導体パターン７２と接続される端子部２３、３３からセラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２に接続された一端２１、３１までの長さが、中間部に設けられた曲げ部２２、３２により拡大される。
【００４２】
しかも、曲げ部２２、３２が一種のスプリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓みおよび熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデンサ素子１に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラミックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻止することができる。従って、アルミニウム回路基板７０に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コンデンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それに起因する発火の危険を回避することができる。
【００４３】
また、回路基板７０の撓みおよび熱膨張を、金属端子２、３に設けた曲げ部２２、３２によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１に機械的応力および熱応力を生じさせないようにするものであり、折り返しによって、高さ増大を回避することができる。このため、金属端子２、３について、高さを増大させずに、回路基板７０側端子部２３、３３からセラミックコンデンサ素子１取り付け部までの長さを増大させ、回路基板７０の撓みおよび熱膨張に対する吸収作用を改善し、セラミックコンデンサ素子１に発生する機械的応力、及び、熱応力を低減することができる。
【００４４】
図１及び図２の実施例において、金属端子２、３は端子部２３、３３を有する。端子部２３、３３はセラミックコンデンサ素子１の下側に間隔をおいて配置されている。このような構造であると、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしたコンデンサを得ることができる。
【００４５】
また、金属端子２の曲げ部２２は、第１の曲げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでいる。第１の曲げ部２２１では、斜め下方向に折り曲げられている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ部２２１に至る部分が、端子電極１１に接続されている。
【００４６】
第２の曲げ部２２２において、端子部２３がセラミックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられている。金属端子２の端子部２３は、セラミックコンデンサ素子１の下側に間隔Ｇ０１をおいて配置されており、これにより、端子部２３による基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしてある。
【００４７】
同様に、金属端子３の曲げ部３２は、第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んでいる。第１の曲げ部３２１では、端面と平行する方向に折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１の曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続されている。第２の曲げ部３２２において、端子部３３がセラミックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられている。金属端子３の端子部３３は、セラミックコンデンサ素子１の下側に間隔Ｇ０２をおいて配置されており、これにより、端子部２３による基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしてある。
【００４８】
上記構造によれば、第１の曲げ部２２１、３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、そのスプリング作用によって、基板の撓みおよび熱膨張を吸収することができる。
【００４９】
更に、内部電極１０１の自由端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１を生じさせ、内部電極１０２の自由端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２を生じさせている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金属端子との接合界面付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の重なりが存在しない。このため、クラックによるショート、および、それに起因する発火等を生じる危険性が激減する。
【００５０】
本発明に係るセラミックコンデンサは、種々の態様をとることができる。その具体例を図５〜図１０に示す。これらの図において、図１および図２に現れた構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００５１】
まず、図５は本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す正面部分図、図６は図５に示したセラミックコンデンサの正面断面図である。この実施例に示されたセラミックコンデンサでは、２個のセラミックコンデンサ素子１１０、１２０を備える。セラミックコンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層され、端子電極１１、１２が、合金接合４、５によって、並列に接続されている。金属端子２、３の端子部２３、３３は、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０の内、最下層に位置するセラミックコンデンサ素子１２０の下側に間隔Ｇ０１、Ｇ０２をおいて配置されており、これにより、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小にしてある。
【００５２】
金属端子２、３の曲げ部２２、３２は、第１の曲げ部２２１、３２１と、第２の曲げ部２２２、３２２とを含む。金属端子２、３のそれぞれは、先端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０の側端面に形成された端子電極１１、１２に接続されている。
【００５３】
金属端子２、３と端子電極１１、１２とは合金接合４、５によって接合される。その詳細及び作用効果については、既に述べた通りである。
【００５４】
図５および図６に示した実施例によれば、図１および図２を参照して説明した作用効果のほか、２つのセラミックコンデンサ素子１１０、１２０のそれぞれの静電容量値を加算した大きな静電容量が取得できる。
【００５５】
図７は本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、金属端子２、３は、曲げ部２２、３２の幅方向の中間部に、切り抜き部２２５、３２５を有する。このような切り抜き部２２５、３２５があると、金属端子２、３からセラミックコンデンサ素子１１０、１２０への熱伝導が低下するので、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０における熱応力を緩和できる。また、金属端子２、３の剛性が低下するので、基板の撓みおよび熱膨張を吸収するのに適したスプリング作用を得ることができる金属端子２、３と端子電極１１、１２が合金接合４、５によって接合されることは、既に述べた通りである。
【００５６】
図８は本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施例を示す斜視図である。
この実施例では、金属端子２は、抜き部２４を有する。抜き部は、端子電極１１を取り付けた取り付け部に向き合う。図示されていないが、金属端子３も、同様に、抜き部３４を有する。抜き部３４は、端子電極１２を取り付けた取り付け部に向き合う。
【００５７】
上記構造であると、金属端子２、３を端子電極１１、１２に接続する作業において、金属端子２、３の抜き部２４、３４を通して、金属端子２、３の取り付け部を押さえ、端子電極１１、１２に接触させ、接続作業を容易に行なうことができる。また、抜き部２４、３４を通して、均一な力で取り付け部を端子電極１１、１２に接着することができる。金属端子２、３と端子電極１１、１２が合金接合４、５によって接合されることは、既に述べた通りである。
【００５８】
図９は本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施例を示す底面図である。
この実施例では、金属端子２の端子部２３は、２つの穴２３１、２３２を有する。同様に、金属端子３の端子部３３は、２つの穴３３１、３３２を有する。穴数は任意である。
【００５９】
図９に図示されたセラミックコンデンサを、図４図に示したように、回路基板７０に設けられた導体パターン７１、７２に合金接合する際、端子部２３、３３の穴２３１、２３２、３３１、３３２に、はんだ８２、８１を充填し、セラミックコンデンサを回路基板７０に確実に合金接合することができる。金属端子２、３と端子電極１１、１２が合金接合４、５によって接合されることは、既に述べた通りである。
【００６０】
図１０は本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施例を示す正面断面図である。この実施例では、４個のセラミックコンデンサ素子１１０〜１４０を順次に積層する。そして、金属端子２において、先端部と第１の曲げ部２２１との間を、合金接合４によって、端子電極１１に接続固定する。金属端子３において、先端部と第１の曲げ部３２１との間を、合金接合５によって、端子電極１２に接続固定する。
【００６１】
図１０に示された実施例によれば、図１〜図９に示した実施例よりも、更に大きな静電容量を取得できる。セラミックコンデンサ素子１１０〜１４０の個数は、要求される静電容量に応じて更に増加できる。金属端子２、３と端子電極１１、１２が合金接合４、５によって接合されることは、既に述べた通りである。
【００６２】
重複説明を回避するため、図示は省略するけれども、実施例の組み合わせが多数存在することはいうまでもない。
【００６３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）セラミックコンデンサ素子の端子電極及び金属端子を、十分な接合強度をもって接合し得るセラミックコンデンサを提供することができる。
（ｂ）リフロー時の浮動または脱落等の不具合を確実に阻止し得るセラミックコンデンサを提供することができる。
（ｃ）Ｐｂフリーを実現したセラミックコンデンサを提供することができる。
（ｄ）上述したセラミックコンデンサの製造に適した方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの正面部分断面図である。
【図２】図１に示したセラミックコンデンサの正面断面図である。
【図３】本発明に係るセラミックコンデンサの一部を拡大して示す断面図である。
【図４】図１及び図２に示したセラミックコンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図である。
【図５】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す正面部分図である。
【図６】図５に示したセラミックコンデンサの正面図である。
【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す底面図である。
【図１０】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す正面断面図である。
【符号の説明】
１セラミックコンデンサ素子
２、３金属端子
４、５合金接合

Claims

少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子と、接合部とを含むセラミックコンデンサであって、
前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に端子電極を有しており、
前記一対の金属端子のそれぞれは、中間部に曲げ部を有し、前記曲げ部より先の部分に接続面を有しており、
前記接合部は、第１の金属膜と、第２の金属膜と、共晶領域とを含み、前記端子電極の一つと、前記金属端子とを合金接合によって接続しており、
前記第１の金属膜は、前記端子電極の側面に形成されており、
前記第２の金属膜は、前記金属端子の前記接続面に形成され、前記第１の金属膜と面接触しており、
前記共晶領域は、前記第１の金属膜と第２の金属膜との合金成分を有し、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜との面接触部分の全面に亘って形成されている、
セラミックコンデンサ。
請求項１に記載されたセラミックコンデンサであって、
前記第１の金属膜は、Ａｇ膜またはＡｕ膜の何れかを有しており、
前記第２の金属膜は、Ｃｕ膜を有している、
セラミックコンデンサ。
請求項１又は２に記載されたセラミックコンデンサであって、
前記金属端子は、Ｆｅを主成分としている、
セラミックコンデンサ。
請求項１乃至３の何れかに記載されたセラミックコンデンサを製造する方法であって、
前記金属端子の最外側層にＡｇ膜またはＡｕ膜を形成し、
前記コンデンサ素子の前記端子電極の表面にＣｕ膜を形成し、
前記金属端子の前記Ａｇ膜またはＡｕ膜と、前記コンデンサ素子の前記端子電極のＣｕ膜とを接触させた状態で熱処理を行い、前記Ａｇ膜またはＡｕ膜及び前記Ｃｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合またはＡｕ−Ｃｕ合金接合を生じさせる
工程を含むセラミックコンデンサの製造方法。
請求項１乃至３の何れかに記載されたセラミックコンデンサを製造する方法であって、
前記金属端子の最外側層にＣｕ膜を形成し、
前記コンデンサ素子の前記端子電極の表面にＡｇ膜またはＡｕ膜を形成し、
前記金属端子の前記Ｃｕ膜と、前記コンデンサ素子の前記端子電極のＡｇ膜またはＡｕ膜とを接触させた状態で熱処理を行い、前記Ａｇ膜またはＡｕ膜及び前記Ｃｕ膜によるＡｇ−Ｃｕ合金接合またはＡｕ−Ｃｕ合金接合を生じさせる
工程を含むセラミックコンデンサの製造方法。
請求項４または５の何れかに記載された製造する方法であって、
前記熱処理は中性雰囲気または還元性雰囲気中で行う
セラミックコンデンサの製造方法。