JP2002198254A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リフロー時の浮動または脱落等の不具合を確実
に阻止し得るセラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミックコンデンサ素子１は、相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。金属端子
２、３は、先端部２１、３１が端子電極１１、１２に接
続され、中間部に折り返し部２２、３２を有し、折り返
し部２２、３２の後方に外部と接続される端子部２３、
３３を有する。接合部４、５は、はんだ成分４１、５１
と、フラックス成分４２、５２とを含み、金属端子２、
３の先端部２１、３１と、端子電極１１、１２との間に
介在し、両者２１−１１、３１−１２を接着する。フラ
ックス成分４２、５２は、接着性樹脂と、硬化剤とを含
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデ
ンサに関する。本発明に係るセラミックコンデンサは、
主に、スイッチング電源用の平滑用コンデンサとして用
いるのに適する。

【０００２】

【従来の技術】これまで、スイッチング電源用の平滑用
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。

【０００３】一般に、電源周辺は高熱を発するため、基
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。

【０００４】発火等のトラブルを無くするためには、セ
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、実公平５−
４６２５８号公報、特開平４−１７１９１１号公報およ
び特開平４−２５９２０５号公報等は、セラミックコン
デンサの端子電極に金属板をはんだ付けし、金属板をア
ルミニウム基板上に実装することにより、セラミックコ
ンデンサがアルミニウム基板に直接はんだ付されるのを
防ぐ構造を開示している。

【０００５】通常、アルミニウム基板の膨張、収縮によ
る熱応力を充分に吸収するためには、アルミニウム基板
にはんだ付される端子部から、セラミックコンデンサと
の接続部分に至る金属板の脚部分を、できるだけ長くす
る必要がある。しかしながら、従来品では、金属板の脚
を長くすると、必然的にセラミックコンデンサの高さが
高くなる構造であるため、金属板の脚の長さを、基板に
おいて許容される許容高さ内の寸法となるように制限す
る必要がある。

【０００６】このため、従来品では、金属板の脚の長さ
を大きくすることができず、電源周辺のような温度変化
の激しい環境下（−５５〜１２５℃）で長期間使用し続
けると、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが
発生し、発火する危険性が高く、信頼性に関する重大な
問題があるため十分普及するに至っていない。

【０００７】また、従来、金属板は燐青銅、銀、銅、ス
テンレス、アルミニウム、洋白等によって構成してあっ
た。ところが、これらの金属材料は、セラミックコンデ
ンサを構成するセラミック誘電体材料の平均線膨張係数
より著しく大きな平均線膨張係数を持つ。このため、温
度変化の大きな電源周辺部品として用いた場合、セラミ
ックコンデンサ素子と、金属板との間の平均線膨張係数
の相違から、特に、金属板接続部分に大きな応力が加わ
り、セラミックコンデンサの端部付近にクラックが発生
し、導通不良や発火等のトラブルを発生することがあっ
た。

【０００８】特開平１１ー２１９８４７号公報、特開平
１１ー２３３３７０号公報及び特開平１１ー７４１４７
号公報等は、上述した問題点を解決するための手段を開
示している。これらの先行技術文献は、セラミックコン
デンサにおける金属端子構造、金属端子として選定すべ
き材料、セラミックコンデンサ素子及び金属端子の線膨
張係数の相互的関係、及び、セラミックコンデンサ素子
と金属端子との間のはんだ付け条件を開示する。

【０００９】これらの開示内容のうち、金属端子構造は
中心的内容をなすものである。金属端子は、セラミック
コンデンサ素子の相対する両側端面に備えられた端子電
極にはんだ付けされる。金属端子のそれぞれは、中間部
に折り返し部を有し、折り返し部の先に外部と接続され
る端子部を有する。

【００１０】かかる構造の金属端子は、中間部に設けら
れた折り返し部により、基板等の外部導体と接続される
端子部からセラミックコンデンサ素子の端子電極に接続
された一端までの長さが、中間部に設けられた折り返し
部により拡大される。しかも、折り返し部が一種のスプ
リング作用を奏する。このため、基板の撓みおよび熱膨
張を、確実に吸収し、セラミックコンデンサ素子に生じ
る機械的応力および熱応力を低減し、セラミックコンデ
ンサ素子にクラックが発生するのを阻止することができ
る。従って、アルミニウム基板に実装されることの多い
スイッチング電源用平滑コンデンサとして用いた場合で
も、クラックの発生、それに起因する発火の危険を回避
することができる。

【００１１】また、基板の撓みおよび熱膨張を、金属端
子に設けた折り返し部によって吸収し、セラミックコン
デンサ素子に機械的応力および熱応力を生じさせないよ
うにするものであり、折り返しによって、高さ増大を回
避することができる。このため、金属端子について、高
さを増大させずに、基板側端子部からセラミックコンデ
ンサ素子取り付け部までの長さを増大させ、基板の撓み
および熱膨張に対する吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子に発生する機械的応力、及び、熱応力を低
減することができる。

【００１２】上述したセラミックコンデンサにおいて、
セラミックコンデンサ素子の端子電極に、金属端子をは
んだ付け固定するに当っては、主に、ロジン系フラック
スが用いられる。フラックスの主な機能は、セラミック
コンデンサ素子の端子電極、及び、金属端子の表面の酸
化皮膜を除去し、はんだの濡れ性を向上させることにあ
る。ロジンには、アビエチン酸、レボビマル酸等のカル
ボン酸が含まれており、カルボキシル基の働きにより、
はんだ付けされる金属表面の酸化膜を除去する。

【００１３】フラックスには、通常、上述したロジンの
外、印刷性の向上及び仮止め強度を得る目的で、溶剤、
可塑剤またはチキソ剤等の各種の添加物が配合される。
例えば、特開平１１−１２１９１５号公報は、粘性を、
アルコール添加によって調整するタイプのフラックスを
開示している。更に、別のフラックスとして、ミル規格
で規定されているＲＭＡ（ハロゲンフリー）系フラック
スも知られている。

【００１４】上述したフラックスは、はんだ付け後は、
はんだ付けされた部品の接着に関与せず、はんだ接合
は、はんだ金属の溶融接合によって達成される。従っ
て、はんだ付けされる金属間の接合強度は、はんだ接合
面積に依存する。

【００１５】ところが、この種のセラミックコンデンサ
においても、小型化の要求から、はんだ接合面積の狭小
化が急速に進展しつつあり、現段階でも、既に、十分な
はんだ付け強度を確保することが困難になっている。

【００１６】また、この種のセラミックコンデンサは、
セラミックコンデンサ素子の端子電極に金属端子をはん
だ付け（通炉）した後、回路基板等に搭載し、再び通炉
する。従って、回路基板へのはんだ付けに当たっては、
端子電極と金属端子とをはんだ付けする高温はんだより
も低い融点を持つ低温はんだを用いてはんだ付けする必
要がある。従来、はんだの融点はＰｂの含有量によって
調整するのが一般的であった。

【００１７】ところが、地球環境保全の立場から、Ｐｂ
を含有しないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）が要求され、
そのようなはんだ組成の開発が盛んに行われている。し
かし、Ｐｂフリーはんだで、従来の高温はんだに匹敵す
る高温融点のはんだ組成は、現在のところ、実用化され
ていない。理由として、Ｐｂフリーはんだ自体の融点が
２２０℃前後と、共晶はんだに比較し、約４０℃も上昇
するため、Ｐｂ以外の代替組成が見つからないからであ
る。

【００１８】このため、セラミックコンデンサ素子の端
子電極及び金属端子の間のはんだ付けに用いられるはん
だと、回路基板への実装時に用いられるはんだとの間の
融点差を十分にとることができず、セラミックコンデン
サを回路基板上に実装する際、セラミックコンデンサが
浮動し、または脱落する等の不具合が生じる。

【００１９】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、小型
化された場合でも、セラミックコンデンサ素子の端子電
極及び金属端子を、十分な接合強度をもって接合し得る
セラミックコンデンサを提供することである。

【００２１】本発明のもう一つの課題は、リフロー時の
浮動または脱落等の不具合を確実に阻止し得るセラミッ
クコンデンサを提供することである。

【００２２】本発明の更にもう一つの課題は、Ｐｂフリ
ーのはんだ接合を実現し得るセラミックコンデンサを提
供することである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子と、接合部とを含む。前記セラミックコンデ
ンサ素子は、相対する両側端面に端子電極を有する。前
記金属端子のそれぞれは、先端部が前記端子電極の一つ
に接続され、中間部に折り返し部を有し、前記折り返し
部の後方に外部と接続される端子部を有している。

【００２４】前記接合部は、はんだ成分と、フラックス
成分とを含み、前記金属端子の前記先端部と前記端子電
極との間に介在し、両者を接着している。前記フラック
ス成分は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有する。

【００２５】本発明に係るセラミックコンデンサにおい
て、少なくとも一対備えられる金属端子のそれぞれは、
一端が、コンデンサ素子の端子電極の一つに接続され、
中間部に折り返し部を有し、折り返し部の先に外部と接
続される端子部を有する。かかる構造の金属端子は、中
間部に設けられた折り返し部により、基板等の外部導体
と接続される端子部からセラミックコンデンサ素子の端
子電極に接続された一端までの長さが、中間部に設けら
れた折り返し部により拡大される。しかも、折り返し部
が一種のスプリング作用を奏する。このため、基板の撓
みおよび熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデン
サ素子に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラ
ミックコンデンサ素子にクラックが発生するのを阻止す
ることができる。従って、アルミニウム基板に実装され
ることの多いスイッチング電源用平滑コンデンサとして
用いた場合でも、クラックの発生、それに起因する発火
の危険を回避することができる。

【００２６】また、基板の撓みおよび熱膨張を、金属端
子に設けた折り返し部によって吸収し、セラミックコン
デンサ素子に機械的応力および熱応力を生じさせないよ
うにするものであり、折り返しによって、高さ増大を回
避することができる。このため、金属端子について、高
さを増大させずに、基板側端子部からセラミックコンデ
ンサ素子取り付け部までの長さを増大させ、基板の撓み
および熱膨張に対する吸収作用を改善し、セラミックコ
ンデンサ素子に発生する機械的応力、及び、熱応力を低
減することができる。

【００２７】本発明に係るセラミックコンデンサにおい
て、接合部は、はんだ成分と、フラックス成分とを含
み、金属端子の先端部と端子電極との間に介在し、両者
を接着する。ここで、フラックス成分は、接着性樹脂
と、硬化剤とを含有するから、フラックス成分も接着剤
として機能する。即ち、はんだ成分による接合ととも
に、フラックス成分による接合の両接合機能が得られ
る。このため、小型のセラミックコンデンサであって
も、高いはんだ付け強度を確保し得る。

【００２８】しかも、このフラックスは洗浄する必要が
なく、そのまま接着はんだ付け用フラックスとして用い
ることができる。従って、フラックス洗浄工程を必要と
せず、製造コストの安価な電子部品装置を得ることがで
きる。

【００２９】更に、はんだ成分による接合とともに、フ
ラックス成分による接合の両接合機能が得られるから、
セラミックコンデンサ素子の端子電極及び金属端子の間
のはんだ付けに用いられるはんだ成分と、回路基板への
実装時に用いられるはんだとの間の融点差を十分にとる
ことができない場合であっても、フラックス成分に含ま
れる接着性樹脂及び硬化剤により、所要の接合強度を確
保し、リフロー時に、セラミックコンデンサが回路基板
上で浮動したり、あるいは脱落する等の不具合を回避す
ることができる。

【００３０】しかも、セラミックコンデンサ素子の端子
電極及び金属端子の間のはんだ付けに用いられるはんだ
成分と、回路基板への実装時に用いられるはんだとの間
の融点差を十分にとる必要がないので、Ｐｂ含有の高温
はんだを用いる必要がなくなくなる。即ち、Ｐｂフリー
が実現できる。

【００３１】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。

【００３２】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係るセラミックコ
ンデンサの正面部分断面図、図２は図１に示したセラミ
ックコンデンサの正面断面図である。図１及び図２に図
示されたセラミックコンデンサは、１つのセラミックコ
ンデンサ素子１と、一対の金属端子２、３とを含む。セ
ラミックコンデンサ素子１は、長さ方向において相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。

【００３３】セラミックコンデンサ素子１は、セラミッ
ク誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の
内部電極１０１、１０２を有する。内部電極１０１は一
端が端子電極１１に接続され、他端が自由端になってい
る。内部電極１０２は一端が端子電極１２に接続され、
他端が自由端になっている。端子電極１１、１２、内部
電極１０１、１０２およびセラミック誘電体基体１００
の構成材料およびその製造方法等は周知である。典型的
な例では、セラミックコンデンサ素子１は、鉛系複合ペ
ロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇーＰｄよ
りなる内部電極１０１、１０２を有し、セラミック誘電
体の相対する両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペ
ーストの焼き付け電極でなる端子電極１１、１２を有す
る。

【００３４】好ましくは、内部電極１０１は、その自由
端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように
形成する。内部電極１０２は、その自由端と端子電極１
１との間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔
△Ｌ１および△Ｌ２は、自由端と端子電極１１、１２と
の間の最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１
は、端子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の
表面および裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端
からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた
線分Ｓ１１と、自由端の先端からセラミック誘電体基体
１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔と
して与えられる。

【００３５】間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラミ
ック誘電体基体１００の表面および裏面に付着されてい
る垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１０
０の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、自由端の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ２２との間の間隔として与えられる。

【００３６】図２において、セラミックコンデンサ素子
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。

【００３７】金属端子２は、一端２１が端子電極１１に
接続され、中間部に折り返し部２２を有し、折り返し部
２２の先に、外部と接続される端子部２３を有する。金
属端子３も、一端３１が端子電極１２に接続され、中間
部に折り返し部３２を有し、折り返し部３２の先に外部
と接続される端子部３３を有する。金属端子２、３は電
気抵抗が低く、しかもバネ性に優れた材料によって構成
する。板厚は、限定するものではないが、代表的には
０．１ｍｍ程度である。

【００３８】図３は金属端子２、３の断面構造の一例を
示す拡大部分断面図である。図示された金属端子２、３
は、例えば、Ｆｅが５５〜７０ｗｔ％で、Ｎｉが３０〜
４５ｗｔ％の合金で構成された基体２００の表面に、Ｎ
ｉめっき膜３００及びＡｇめっき膜４００の２層のめっ
き膜を付着させてある。基体２００の構成材料として
は、次に述べる金属材料も使用できる。

【００３９】アンバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金） 線膨張係数α＝１〜２×１０^-6 ４２アロイ（登録商標）（Ｆｅ５８ｗｔ％、Ｎｉ４２ｗ
ｔ％） 線膨張係数α＝４〜５×１０^-6 Ｒｕ 線膨張係数α＝６．８×１０^-6 ニモニック８０（登録商標） 線膨張係数α＝１１．７×１０^-6 Ｐｔ 線膨張係数α＝９×１０^-6 Ｐｄ 線膨張係数α＝１０．６×１０^-6 チタン 線膨張係数α＝９×１０^-6 炭素銅：線膨張係数α＝１０〜１３×１０^-6 金属端子２、３の一端２１、３１は、接合部４、５によ
って端子電極１１、１２に接続されている。接合部４、
５は、はんだ成分４１、５１と、フラックス成分４２、
５２とを含み、金属端子２、３の一端２１、３１と端子
電極１１、１２との間に介在し、両者２１ー１１、３１
ー１２を接着する。フラックス成分４２、５２は、接着
性樹脂と、硬化剤とを含有する。

【００４０】図４は図１及び図２に示したセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面には導体パタ
ーン７１、７２が設けられている。セラミックコンデン
サに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１に
よって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子３
の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２に
はんだ付けされている。

【００４１】図１及び図２を参照して説明したセラミッ
クコンデンサにおいて、金属端子２、３のそれぞれは、
一端２１、３１が、セラミックコンデンサ素子１の端子
電極１１、１２に接続され、中間部に折り返し部２２、
３２を有し、折り返し部２２、３２の先に外部と接続さ
れる端子部２３、３３を有する。

【００４２】かかる構造の金属端子２、３は、中間部に
設けられた折り返し部２２、３２により、回路基板７０
の導体パターン７２と接続される端子部２３、３３から
セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２に接
続された一端２１、３１までの長さが、中間部に設けら
れた折り返し部２２、３２により拡大される。

【００４３】しかも、折り返し部２２、３２が一種のス
プリング作用を奏する。このため、回路基板７０の撓み
および熱膨張を、確実に吸収し、セラミックコンデンサ
素子１に生じる機械的応力および熱応力を低減し、セラ
ミックコンデンサ素子１にクラックが発生するのを阻止
することができる。従って、アルミニウム回路基板７０
に実装されることの多いスイッチング電源用平滑コンデ
ンサとして用いた場合でも、クラックの発生、それに起
因する発火の危険を回避することができる。

【００４４】また、回路基板７０の撓みおよび熱膨張
を、金属端子２、３に設けた折り返し部２２、３２によ
って吸収し、セラミックコンデンサ素子１に機械的応力
および熱応力を生じさせないようにするものであり、折
り返しによって、高さ増大を回避することができる。こ
のため、金属端子２、３について、高さを増大させず
に、回路基板７０側端子部２３、３３からセラミックコ
ンデンサ素子１取り付け部までの長さを増大させ、回路
基板７０の撓みおよび熱膨張に対する吸収作用を改善
し、セラミックコンデンサ素子１に発生する機械的応
力、及び、熱応力を低減することができる。

【００４５】図１及び図２の実施例において、金属端子
２、３は端子部２３、３３を有する。端子部２３、３３
はセラミックコンデンサ素子１の下側に間隔をおいて配
置されている。このような構造であると、端子部２３、
３３による基板占有面積の増大を抑え、実装面積を最小
にしたコンデンサを得ることができる。

【００４６】また、金属端子２の折り返し部２２は、第
１の曲げ部２２１と、第２の曲げ部２２２とを含んでい
る。第１の曲げ部２２１では、斜め下方向に折り曲げら
れている。金属端子２は、先端部から第１の曲げ部２２
１に至る部分が、端子電極１１に接続されている。

【００４７】第２の曲げ部２２２において、端子部２３
がセラミックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲
げられている。金属端子２の端子部２３は、セラミック
コンデンサ素子１の下側に間隔Ｇ０１をおいて配置され
ており、これにより、端子部２３による基板占有面積の
増大を抑え、実装面積を最小にしてある。

【００４８】同様に、金属端子３の折り返し部３２は、
第１の曲げ部３２１と、第２の曲げ部３２２とを含んで
いる。第１の曲げ部３２１では、端面と平行する方向に
折り曲げられている。金属端子３は、先端部から第１の
曲げ部３２１に至る部分が、端子電極１２に接続されて
いる。第２の曲げ部３２２において、端子部３３がセラ
ミックコンデンサ素子１に近付づく方向に折り曲げられ
ている。金属端子３の端子部３３は、セラミックコンデ
ンサ素子１の下側に間隔Ｇ０２をおいて配置されてお
り、これにより、端子部２３による基板占有面積の増大
を抑え、実装面積を最小にしてある。

【００４９】上記構造によれば、第１の曲げ部２２１、
３２１、第２の曲げ部２２２、３２２から端子部２３、
３３に至る部分が、スプリング作用を持つようになり、
そのスプリング作用によって、基板の撓みおよび熱膨張
を吸収することができる。

【００５０】更に、内部電極１０１の自由端と端子電極
１２との間に、間隔△Ｌ１を生じさせ、内部電極１０２
の自由端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２を生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子と導電性接着剤との界面、および、導電性接着剤
の塗布領域付近に、内部電極１０１と内部電極１０２の
重なりが存在しない。このため、クラックによるショー
ト、および、それに起因する発火等を生じる危険性が激
減する。

【００５１】図１および図２において、第１の曲げ部２
２１、３２１は、くさび状にで曲げられているが、９０
度以外の角度、明確な角度を持たない形状、例えば、円
弧状に曲げてもよい。

【００５２】更に、先に例示した平均線膨張係数αを有
する金属材料を用いて、金属端子２、３を構成すると、
−５５〜１２５℃の範囲における温度変化の激しい環境
下で長期間使用し続けても、クラックを発生せず、発火
の危険性もなくなることが解った。従って、頻繁にＯＮ
／ＯＦＦされ、−５５〜１２５℃の範囲で温度変動を生
じることのあるスイッチング電源において、平滑用コン
デンサとして使用された場合にも、充分な信頼性を確保
することができる。

【００５３】本発明に係るセラミックコンデンサは、そ
の極めて重要な特徴点として、接合部４、５が、はんだ
成分４１、５１と、フラックス成分４２、５２とを含
み、金属端子２、３の一端２１、３１と端子電極１１、
１２との間に介在し、両者を接着する。

【００５４】ここで、フラックス成分４２、５２は、接
着性樹脂と、硬化剤とを含有するから、フラックス成分
４２、５２も接着剤として機能する。即ち、はんだ成分
４１、５１による接合とともに、フラックス成分４２、
５２による接合の両接合機能が得られる。このため、小
型のセラミックコンデンサであっても、高いはんだ付け
強度を確保し得る。また、衝撃や熱ストレスに対し、セ
ラミックコンデンサの剥離、脱落を防ぎ、はんだ接合の
信頼性を向上させることができる。この点、はんだ付け
後に、接着機能を持たない従来のロジン系フラックスと
著しく異なる。

【００５５】しかも、このフラックス成分４２、５２は
洗浄する必要がなく、そのまま接着はんだ付け用フラッ
クスとして用いることができる。従って、フラックス洗
浄工程を必要とせず、製造コストの安価な電子部品装置
を得ることができる。

【００５６】更に、はんだ成分４１、５１による接合と
ともに、フラックス成分４２、５２による接合の両接合
機能が得られるから、セラミックコンデンサ素子１の端
子電極１１、１２及び金属端子２、３の間のはんだ付け
に用いられるはんだ成分４１、５１と、回路基板７０へ
の実装時に用いられるはんだ８１、８２との間の融点差
を十分にとることができない場合であっても、フラック
ス成分４２、５２に含まれる接着性樹脂及び硬化剤によ
り、所要の接合強度を確保し、セラミックコンデンサが
回路基板７０上で浮動したり、あるいは脱落する等の不
具合を回避することができる。

【００５７】しかも、セラミックコンデンサ素子１の端
子電極１１、１２及び金属端子２、３の間のはんだ付け
に用いられるはんだ成分４１、５１と、回路基板７０へ
の実装時に用いられるはんだ８１、８２との間の融点差
を十分にとる必要がないので、Ｐｂ含有の高温はんだを
用いる必要がなくなくなる。即ち、Ｐｂフリーが実現で
きる。

【００５８】フラックス成分４２、５２のために用いら
れるフラックスは、液状またはペーストの形態を採るこ
とができる。このようなフラックスは、印刷、ディスペ
ンサー塗布、スプレー、はけ塗り等の手段によって、セ
ラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２または
端子電極２、３に容易に塗布できる。

【００５９】フラックス成分４２、５２において、好ま
しい接着性樹脂は、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂
の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リイミド樹脂、シリコン樹脂または変性樹脂またはアク
リル樹脂から選択された少なくとも１種を挙げることが
できる。更に具体的には、ビスフエノールＡ樹脂、無水
フタル酸等を挙げることができる。例示された樹脂材料
の種類及び配合量は、接着温度帯及び目標とする皮膜硬
度等に応じて選択することができる。また、性状は、液
状、粒状等、任意でよい。

【００６０】硬化剤は、接着性樹脂を硬化させるもので
あればよい。好ましくは、カルボン酸を含む。カルボン
酸を含む硬化剤は、熱硬化性樹脂に対する硬化作用のみ
ならず、はんだ付けされる金属表面の酸化膜を除去する
フラックス作用も兼ね備える。用い得るカルボン酸とし
ては、アビエチン酸、コハク酸、ピメリット酸、アジピ
ン酸等を挙げることができる。

【００６１】フラックス成分４２、５２として用いられ
るフラックスは、溶剤、可塑剤及びチキソ剤等を含んで
いてもよい。溶剤は、接着性樹脂の硬化温度及び硬化速
度を調整すると共に、塗布形態に応じて粘度を調整する
ために加えられる。可塑剤及びチキソ剤も、塗布形態に
応じて、粘度を調整するために加えられる。溶剤、可塑
剤及びチキソ剤等は、その使用目的に合うように、配合
量が選択される。フラックスは、接着性樹脂、還元作用
をもたらす有機酸、カルボン酸、溶剤または硬化剤を封
入したマイクロカプセルの形態であってもよい。

【００６２】フラックス成分４２、５２を形成するため
のフラックスは、はんだ成分から独立する成分であって
もよいが、はんだ粉末と混合して、はんだペーストを構
成するために用いることもできる。はんだ粉末は、Ｓ
ｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＢｉから
選択することができる。Ｐｂフリーのはんだペーストを
得る場合には、はんだ粉末はＰｂ以外のはんだ粉末で構
成する。具体的組成としては、Ｓｎ（９６．５）／Ａｇ
（３．５）を挙げることができる。はんだ粉末に対する
フラックスの配合量は１０ｗｔ％〜４５ｗｔ％の範囲が
適している。

【００６３】本発明に係るフラックス成分４２、５２
は、互いに融点の異なるカルボン酸（アジピン酸とコハ
ク酸）を混合することにより、接着性樹脂（ビスフェノ
ールＡ）の熱硬化温度を変えることができる。次にこの
点について実施例を参照して説明する。

【００６４】実施例１ アジピン酸とコハク酸とを混合してリフロー温度の変更
を試みた。熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用い
た。硬化剤としては、２種類のカルボン酸、具体的に
は、アジピン酸とコハク酸とを用いた。アジピン酸及び
コハク酸はカルボン酸の範疇に含まれる。アジピン酸と
コハク酸とは、融点が互いに異なる。具体的には、アジ
ピン酸の融点は１５３℃、コハク酸の融点は１８８℃で
ある。ビスフェノールＡとアジピン酸とコハク酸とを、
質量比１：０．５：０．５の割合で配合し、フラックス
を調製した。

【００６５】次に、調製したフラックスと、はんだ粉末
とを混合し、はんだペーストを調製した。はんだ粉末と
してはＳｎ−３．５Ａｇを用い、はんだ粉末に対するフ
ラックスの配合量は１５質量％とした。以下、このはん
だペーストを、サンプル１と称する。はんだ粉末の組成
はリフロー温度に応じて選択できるもので、他の組成系
でもよい。フラックスの配合量も任意に選択できる。

【００６６】実施例２ ビスフェノールＡとアジピン酸とを、質量比１：１の割
合で配合し、フラックスを調製した。そして、調製した
フラックスと、はんだ粉末とを混合し、はんだペースト
を調製した。サンプル１と同様に、はんだ粉末としては
Ｓｎ−３．５Ａｇを用い、はんだ粉末に対するフラック
スの配合量は１５質量％とした。以下、このはんだペー
ストを、サンプル２と称する。

【００６７】図５はサンプル１、２を用いて、セラミッ
クコンデンサ素子をはんだ付けした場合について、リフ
ロー温度と部品横押し強度との関係を示す図である。試
験用のセラミックコンデンサ素子として、１００５サイ
ズのものを用いた。

【００６８】図５において、特性Ｌ０１はサンプル１を
用いた場合の特性、特性Ｌ０２は、サンプル２を用いた
場合の特性である。

【００６９】図５の特性Ｌ０１、Ｌ０２との対比から明
らかなように、セラミックコンデンサ素子をはんだ付け
するに当り、サンプル１を用いると、サンプル２を用い
た場合よりも低いリフロ−温度で同程度の部品横押し強
度を得られる。

【００７０】以上述べたように、互いに融点の異なるカ
ルボン酸（アジピン酸とコハク酸）を混合することによ
り、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができる。従って、任意のリフロー温度で接着
性樹脂（ビスフェノールＡ）を硬化できるようになり、
利用するはんだ成分の融点に合わせてリフロー温度を変
更できるようになる。リフロ−温度は一定の値に固定せ
ずに済むようになる。

【００７１】更に、混合するカルボン酸の組み合わせ
（アジピン酸及びコハク酸）を変更することによって
も、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができ、同様な作用及び効果が得られる。例え
ば、アジピン酸とコハク酸との組み合わせを、アジピン
酸とピメリット酸との組み合わせに変更すると、接着性
樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度が変わる。

【００７２】リフロ−温度は、カルボン酸の混合比の調
整によっても調整することができる。次にこの点につい
て、実験結果を参照して説明する。

【００７３】実験１ カルボン酸（アジピン酸とコハク酸）の混合比を調整し
て、リフロー温度の変更を試みた。熱硬化性樹脂として
ビスフェノールＡを用いた。硬化剤としては、アジピン
酸とコハク酸とを用いた。ビスフェノールＡとアジピン
酸とコハク酸とを、下記の表１に示す配合比（質量％）
で配合し、フラックスを調製した。これらのフラックス
は、アジピン酸の含有率をａ（質量％）とし、コハク酸
の含有率をｃ（質量％）としたとき、 ａ：ｃ＝（１００：０）〜（０：１００）（但しａ＋ｃ
＝１００） の範囲で変化させた。

【００７４】次に、調製した各フラックスにはんだ粉末
を混合し、サンプル１０〜１５を調製した。はんだ粉末
としては、共晶はんだ（Ｓｎ６３−Ｐｂ３７）の粉末を
用いた。はんだ粉末に対するフラックスの配合量は１５
質量％とした。はんだ粉末の組成はリフロー温度に応じ
て選択できるもので、他の組成系でもよい。フラックス
の配合量も任意に選択できる。

【００７５】表１に示すように、サンプル１０は、はん
だ付けにおいて端子を良好に接続できた。しかし、サン
プル１０は、硬化剤としてアジピン酸しか含んでいない
ので、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を
変えることができず、リフロー温度を変更できない。

【００７６】また、サンプル１５は、はんだが溶融する
前にフラックスが硬化してしまい、端子を接合できなか
った。

【００７７】これに対し、サンプル１１〜１４は、それ
ぞれ、はんだ付けにおいて端子を良好に接続できた。

【００７８】図６は、サンプル１０〜１４を用いてセラ
ミックコンデンサをはんだ付けした場合について、リフ
ロー温度と部品横押し強度との関係を示す図である。試
験用のセラミックコンデンサとしては、１００５サイズ
のものを用いた。図６において、特性Ｌ１０〜Ｌ１４
は、それぞれ、サンプル１０〜１４を用いた場合の特性
である。

【００７９】コハク酸の配合率を増大させることによ
り、低いリフロー温度でも、必要な部品横押し強度を確
保することができる。例えば、部品横押し強度として
１．４ｋｇ必要であると仮定すると、サンプル１２は、
特性Ｌ１２に示すように、２３０℃のリフロ−温度を必
要とする。これに対し、サンプル１３は、特性Ｌ１３に
示されるように、サンプル１２よりもコハク酸の配合率
を増大させてあるので、２１０℃のリフロ−温度で済
む。

【００８０】以上述べたように、混合するカルボン酸
（アジピン酸とコハク酸）の混合比を変更することによ
り、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができる。従って、任意のリフロー温度で接着
性樹脂（ビスフェノールＡ）を硬化できるようになり、
利用するはんだ成分の融点に合わせてリフロー温度を変
更できるようになる。リフロ−温度は一定の値に固定せ
ずに済むようになる。

【００８１】はんだ成分として共晶はんだ（Ｓｎ６３−
Ｐｂ３７）を用いる場合、硬化剤としてアジピン酸及び
コハク酸を配合するとき、アジピン酸の含有率ａ（質量
％）と、コハク酸の含有率ｃ（質量％）とについて、 ａ：ｃ＝（９５：５）〜（２５：７５）（但しａ＋ｃ＝
１００） を満たすのが好ましい。

【００８２】実験２：フラックスと組み合わせられるは
んだ成分の変更 実験１では、はんだ成分として共晶はんだ（Ｓｎ６３−
Ｐｂ３７）を用いている。共晶はんだ（Ｓｎ６３−Ｐｂ
３７）の融点は１８３℃である。この実験４と異なり、
はんだ成分としてＳｎ−３．５Ａｇはんだを用いた実験
（以下実験１と称する）を説明する。Ｓｎ−３．５Ａｇ
はんだの融点は２１７℃であり、共晶はんだ（Ｓｎ６３
−Ｐｂ３７）の融点１８３℃よりもかなり高い。

【００８３】ビスフェノールＡとアジピン酸とコハク酸
とを、下記の表２に示す配合比（質量％）で配合し、フ
ラックスを調製した。これらのフラックスは、アジピン
酸の含有率をａ（質量％）とし、コハク酸の含有率をｃ
（質量％）としたとき、 ａ：ｃ＝（１００：０）〜（０：１００）（但しａ＋ｃ
＝１００） の範囲で変化させてある。

【００８４】次に、調製した各フラックスにはんだ粉末
を混合し、サンプル２０〜２５を調製した。はんだ粉末
としては、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだ粉末を用いた。はん
だ粉末に対するフラックスの配合量は１５質量％とし
た。

【００８５】表２に示すように、サンプル２２〜２５
は、それぞれ、はんだが溶融する前にフラックスが硬化
してしまい、端子を接合できなかった。

【００８６】また、サンプル２０、２１は、それぞれ、
はんだ付けにおいて端子を良好に接続できた。

【００８７】上述した実験１の結果によれば、はんだ成
分としてＳｎ−３．５Ａｇはんだを用いる場合、硬化剤
としてアジピン酸及びコハク酸を配合するとき、アジピ
ン酸の含有率ａ（質量％）と、コハク酸の含有率ｃ（質
量％）とについて、 ａ：ｃ＝（１００：０）〜（９５：５）（但しａ＋ｃ＝
１００） を満たすのが好ましい。

【００８８】また、硬化剤として、互いに熱硬化速度の
異なるカルボン酸を混合すると、接着性樹脂の熱硬化速
度を変えることができる。従って、利用するはんだ成分
に合わせてリフロー時間またはリフロー温度を変更でき
るようになる。例えば、アジピン酸とコハク酸の場合、
コハク酸の熱硬化に必要な熱量は、アジピン酸の熱硬化
に必要な熱量よりも少ないので、コハク酸の熱硬化速度
は、アジピン酸の熱硬化速度よりも速い。従って、硬化
剤としてアジピン酸とコハク酸とを混合すると、接着性
樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化速度を変更でき、リ
フロー時間またはリフロー温度を変更できる。他のカル
ボン酸の組み合わせ、例えば、アジピン酸とピメリット
酸の場合も同様である。

【００８９】更に、混合するカルボン酸の組み合わせま
たは混合比を変更することによっても、接着性樹脂の熱
硬化速度を変えることができ、同様の作用及び効果が得
られる。

【００９０】実施例１、２、実験１、２、及び、その結
果を示す図５、６のデータは、図１、２に示すセラミッ
クコンデンサにおいて、セラミックコンデンサ素子１と
金属端子２、３とを接続する接合部４、５に直接に適用
されるものである。

【００９１】本発明に係るセラミックコンデンサは、種
々の態様をとることができる。その具体例を図７〜図１
４に示す。これらの図において、図１および図２に現れ
た構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
してある。

【００９２】まず、図７は本発明に係るセラミックコン
デンサの更に別の実施例を示す正面部分図、図８は図７
に示したセラミックコンデンサの正面断面図である。こ
の実施例に示されたセラミックコンデンサでは、２個の
セラミックコンデンサ素子１１０、１２０を備える。セ
ラミックコンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層さ
れ、端子電極１１、１２が、接合部４、５によって、並
列に接続されている。金属端子２、３の端子部２３、３
３は、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０の内、
最下層に位置するセラミックコンデンサ素子１２０の下
側に間隔Ｇ０１、Ｇ０２をおいて配置されており、これ
により、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を
抑え、実装面積を最小にしてある。

【００９３】金属端子２、３の折り返し部２２、３２
は、第１の曲げ部２２１、３２１と、第２の曲げ部２２
２、３２２とを含む。金属端子２、３のそれぞれは、先
端部から第１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セ
ラミックコンデンサ素子１１０、１２０の側端面に形成
された端子電極１１、１２に接続されている。

【００９４】金属端子２、３と端子電極１１、１２との
接続に用いられる接合部４、５は、はんだ成分４１、５
１と、フラックス成分４２、５２とを含む。フラックス
成分４２、５２は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有す
る。その詳細及び作用効果については、既に述べた通り
である。

【００９５】図７および図８に示した実施例によれば、
図１および図２を参照して説明した作用効果のほか、２
つのセラミックコンデンサ素子１１０、１２０のそれぞ
れの静電容量値を加算した大きな静電容量が取得でき
る。

【００９６】図９は本発明に係るセラミックコンデンサ
の更に別の実施例を示す斜視図、図１０は図９に示した
セラミックコンデンサの正面部分断面図である。この実
施例では、金属端子２、３のそれぞれは、先端部から第
１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミックコ
ンデンサ素子１１０の側端面に形成された端子電極１
１、１２にのみ接続されている。金属端子２、３と端子
電極１１、１２との接続に用いられる接合部４、５は、
はんだ成分４１、５１と、フラックス成分４２、５２と
を含む。フラックス成分４２、５２は、接着性樹脂と、
硬化剤とを含有する。その詳細及び作用効果について
は、既に述べた通りである。

【００９７】図１１は本発明に係るセラミックコンデン
サの更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例で
は、金属端子２、３は、折り返し部２２、３２の幅方向
の中間部に、切り抜き部２２５、３２５を有する。この
ような切り抜き部２２５、３２５があると、金属端子
２、３からセラミックコンデンサ素子１１０、１２０へ
の熱伝導が低下するので、セラミックコンデンサ素子１
１０、１２０における熱応力を緩和できる。また、金属
端子２、３の剛性が低下するので、基板の撓みおよび熱
膨張を吸収するのに適したスプリング作用を得ることが
できる。金属端子２、３と端子電極１１、１２との接続
に用いられる接合部４、５は、はんだ成分４１、５１
と、フラックス成分４２、５２とを含む。フラックス成
分４２、５２は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有する。
その詳細及び作用効果については、既に述べた通りであ
る。

【００９８】図１２は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、
金属端子２は、抜き部２４を有する。抜き部は、端子電
極１１を取り付けた取り付け部に向き合う。図示されて
いないが、金属端子３も、同様に、抜き部３４を有す
る。抜き部３４は、端子電極１２を取り付けた取り付け
部に向き合う。

【００９９】上記構造であると、金属端子２、３を端子
電極１１、１２に接続する作業において、金属端子２、
３の抜き部２４、３４を通して、金属端子２、３の取り
付け部を押さえ、端子電極１１、１２に接触させ、接続
作業を容易に行なうことができる。また、抜き部２４、
３４を通して、均一な力で取り付け部を端子電極１１、
１２に接着することができる。金属端子２、３と端子電
極１１、１２との接続に用いられる接合部４、５は、は
んだ成分４１、５１と、フラックス成分４２、５２とを
含む。フラックス成分４２、５２は、接着性樹脂と、硬
化剤とを含有する。その詳細及び作用効果については、
既に述べた通りである。

【０１００】図１３は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す底面図である。この実施例では、
金属端子２の端子部２３は、２つの穴２３１、２３２を
有する。同様に、金属端子３の端子部３３は、２つの穴
３３１、３３２を有する。穴数は任意である。

【０１０１】図１３に図示されたセラミックコンデンサ
を、図４図に示したように、回路基板７０に設けられた
導体パターン７１、７２にはんだ付けする際、端子部２
３、３３の穴２３１、２３２、３３１、３３２に、はん
だ８２、８１を充填し、セラミックコンデンサを回路基
板７０に確実にはんだ付けすることができる。

【０１０２】金属端子２、３と端子電極１１、１２との
接続に用いられる接合部４、５は、はんだ成分４１、５
１と、フラックス成分４２、５２とを含む。フラックス
成分４２、５２は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有す
る。その詳細及び作用効果については、既に述べた通り
である。

【０１０３】図１４は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面断面図である。この実施例で
は、４個のセラミックコンデンサ素子１１０〜１４０を
順次に積層する。そして、金属端子２において、先端部
と第１の曲げ部２２１との間を、接合部４によって、端
子電極１１に接続固定する。金属端子３において、先端
部と第１の曲げ部３２１との間を、接合部５によって、
端子電極１２に接続固定する。

【０１０４】図１４に示された実施例によれば、図１〜
図１３に示した実施例よりも、更に大きな静電容量を取
得できる。セラミックコンデンサ素子１１０〜１４０の
個数は、要求される静電容量に応じて更に増加できる。

【０１０５】金属端子２、３と端子電極１１、１２との
接続に用いられる接合部４、５は、はんだ成分４１、５
１と、フラックス成分４２、５２とを含む。フラックス
成分４２、５２は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有す
る。その詳細及び作用効果については、既に述べた通り
である。

【０１０６】重複説明を回避するため、図示は省略する
けれども、実施例の組み合わせが多数存在することはい
うまでもない。

【０１０７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）小型化された場合でも、セラミックコンデンサ素
子の端子電極及び金属端子を、十分な接合強度をもって
接合し得るセラミックコンデンサを提供することができ
る。 （ｂ）セラミックコンデンサ素子の端子電極及び金属端
子の間のはんだ付けに用いられるはんだ成分と、回路基
板への実装時に用いられるはんだとの間の融点差を十分
にとらなくとも、リフロー時に、回路基板上で浮動した
り、あるいは脱落する等の不具合を回避し得るセラミッ
クコンデンサを提供することができる。 （ｃ）Ｐｂフリーのはんだ接合を実現し得るセラミック
コンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの正面部分
断面図である。

【図２】図１に示したセラミックコンデンサの正面断面
図である。

【図３】本発明に係るセラミックコンデンサに用いられ
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。

【図４】図１及び図２に示したセラミックコンデンサを
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。

【図５】サンプル１、２を用いて、セラミックコンデン
サ素子をはんだ付けした場合について、リフロー温度と
部品横押し強度との関係を示す図である。

【図６】サンプル１０〜１４を用いてセラミックコンデ
ンサをはんだ付けした場合について、リフロー温度と部
品横押し強度との関係を示す図である。

【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す正面部分図である。

【図８】図７に示したセラミックコンデンサの正面図で
ある。

【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す斜視図である。

【図１０】図９に示したセラミックコンデンサの正面部
分断面図である。

【図１１】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。

【図１２】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。

【図１３】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す底面図である。

【図１４】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面断面図である。

【符号の説明】

１ セラミックコンデンサ素
子 ２、３ 金属端子 ４、５ 接合部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つのセラミックコンデンサ
   素子と、少なくとも一対の金属端子と、接合部とを含む
   セラミックコンデンサであって、 前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に
   端子電極を有しており、 前記金属端子のそれぞれは、先端部が前記端子電極の一
   つに接続され、中間部に折り返し部を有し、前記折り返
   し部の後方に外部と接続される端子部を有しており、 前記接合部は、はんだ成分と、フラックス成分とを含
   み、前記金属端子の前記先端部と前記端子電極との間に
   介在し、両者を接着しており、 前記フラックス成分は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有
   するセラミックコンデンサ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、前記接着性樹脂は、熱硬化性樹脂を含む
   セラミックコンデンサ。
3. 【請求項３】 請求項２に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フ
   ェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、変性樹
   脂またはアクリル樹脂から選択された少なくとも１種を
   含むセラミックコンデンサ。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載されたセ
   ラミックコンデンサであって、前記硬化剤は、カルボン
   酸を含むセラミックコンデンサ。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載されたセ
   ラミックコンデンサであって、前記硬化剤は、少なくと
   も２種のカルボン酸を含み、前記少なくとも２種のカル
   ボン酸は、互いに異なる融点を有するセラミックコンデ
   ンサ。
6. 【請求項６】 請求項５に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、前記少なくとも２種のカルボン酸のう
   ち、１種はアジピン酸であり、他の１種はピメリット酸
   であるセラミックコンデンサ。
7. 【請求項７】 請求項６に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、 前記アジピン酸の含有率をａ（質量％）とし、前記ピメ
   リット酸の含有率をｂ（質量％）としたとき、 ａ：ｂ＝（８５：１５）〜（９５：５） を満たすセラミックコンデンサ。
8. 【請求項８】 請求項５に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、前記少なくとも２種のカルボン酸のう
   ち、１種はアジピン酸であり、他の１種はコハク酸であ
   るセラミックコンデンサ。
9. 【請求項９】 請求項８に記載されたセラミックコンデ
   ンサであって、前記アジピン酸の含有率をａ（質量％）
   とし、前記コハク酸の含有率をｃ（質量％）としたと
   き、 ａ：ｃ＝（９５：５）〜（２５：７５） を満たすセラミックコンデンサ。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
    セラミックコンデンサであって、前記はんだ成分は、Ｓ
    ｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、ＺｎまたはＢｉか
    ら選択された少なくとも１種を含むセラミックコンデン
    サ。