JP2002231564A

JP2002231564A - セラミックコンデンサ

Info

Publication number: JP2002231564A
Application number: JP2001024770A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Igarashi; 克彦五十嵐
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-01-31
Filing date: 2001-01-31
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】温度変化環境下で使用された場合でも、はんだ
またはセラミックに亀裂やクラック等の欠陥が発生する
ことのないセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミックコンデンサ素子１は、相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。金属端子
２、３のそれぞれは、破断に至るまでの伸びが１０
（％）以上であり、接合部４、５により端子電極１１、
１２に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックコンデ
ンサに関する。本発明に係るセラミックコンデンサは、
主に、スイッチング電源用の平滑用コンデンサとして用
いるのに適する。

【０００２】

【従来の技術】これまで、スイッチング電源用の平滑用
コンデンサとしては、アルミ電解コンデンサが主流であ
った。しかしながら、小型化、信頼性向上等の市場要求
が強まり、これに対応すべく、小型で高信頼性のセラミ
ックコンデンサの要求が高まっている。

【０００３】一般に、電源周辺は高熱を発するため、基
板は放熱性の良いアルミニウム基板が用いられる。しか
しながら、電源周辺では、電源のオン／オフによる温度
変化が大きく、熱膨張率の大きなアルミニウム基板上に
実装したセラミックコンデンサには大きな熱応力が発生
する。この熱応力は、セラミックコンデンサにクラック
を発生させ、ショート不良や、発火等のトラブルを発生
させる原因となる。

【０００４】発火等のトラブルを無くするためには、セ
ラミックコンデンサに発生する熱応力を緩和することが
重要である。熱応力を緩和する手段として、特開2000ー
124063号公報は、端子部材を構成する金属板の熱膨張係
数を、セラミックの熱膨張係数に近づけることにより、
温度変化に起因するはんだの亀裂を防止する技術を開示
している。

【０００５】しかしながら、金属板とセラミックとでは
熱伝達率が異なるため、端子部材を構成する金属板の熱
膨張係数を、セラミックの熱膨張係数に近づけても、完
全な対策にはならず、はんだあるいはセラミックに亀
裂、クラック等が発生してしまう場合がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、温度
変化環境下で使用された場合でも、はんだまたはセラミ
ックに亀裂やクラック等の欠陥が発生することのないセ
ラミックコンデンサを提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくと
も１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対
の金属端子とを含む。

【０００８】前記セラミックコンデンサ素子は、相対す
る両側端面に端子電極を有しており、前記金属端子のそ
れぞれは、破断に至るまでの伸びが１０（％）以上であ
り、接合材により前記端子電極に接続されている。

【０００９】上述したセラミックコンデンサによれば、
温度変化環境下において使用された場合、セラミックコ
ンデンサに発生する熱応力を、金属端子の伸びによって
緩和することができる。このため、温度変化環境下で使
用された場合でも、はんだまたはセラミックに亀裂やク
ラック等の欠陥が発生することがない。本発明におい
て、金属端子の伸びとは、破断に至るまでの伸び率を言
う。

【００１０】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に具体的に説明する。添付図
面は単に例を示すに過ぎない。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係るセラミックコ
ンデンサの正面部分断面図、図２は図１に示したセラミ
ックコンデンサの正面断面図である。図１及び図２に図
示されたセラミックコンデンサは、１つのセラミックコ
ンデンサ素子１と、一対の金属端子２、３とを含む。セ
ラミックコンデンサ素子１は、長さ方向において相対す
る両側端面に端子電極１１、１２を有する。

【００１２】金属端子２、３のそれぞれは、破断に至る
までの伸びが１０（％）以上であり、接合材４、５によ
り、セラミックコンデンサ素子２の端子電極１１、１２
に接続されている。このような伸びを有する金属端子２
は、所定の金属板材を焼鈍することにより得ることがで
きる。金属端子２、３に用いられる金属材料は電気抵抗
が低く、しかもバネ性に優れた材料が好ましい。板厚
は、限定するものではないが、代表的には０．１ｍｍ程
度である。

【００１３】上述したセラミックコンデンサによれば、
温度変化環境下において使用された場合、セラミックコ
ンデンサ素子１に発生する熱応力を、金属端子２、３の
伸びによって緩和することができる。このため、温度変
化環境下で使用された場合でも、はんだまたはセラミッ
クに亀裂やクラック等の欠陥が発生することがない。金
属端子２、３の伸びが１０（％）未満では、試験供試品
の３０（％）以上にクラックが発生した。次に具体的な
実験データを挙げる。

【００１４】＜実験例＞金属端子を４２アロイ（登録商
標）によって構成した。４２アロイ（登録商標）は、Ｆ
ｅ５８ｗｔ％、Ｎｉ４２ｗｔ％の合金であり、α＝６×
１０^-6／℃である。この金属端子に対し異なる温度条件
で焼鈍処理を施し、伸び率５、８、１０、２０、３０の
サンプル群を準備した。サンプル数Ｎは、各伸び率毎に
３０個とした。

【００１５】この金属端子を、図１、２に図示した状態
で、セラミックコンデンサ素子１の端子電極１１、１２
にはんだ付けした。これにより、伸び率毎に、３０個の
サンプルNo.１〜３０、３１〜６０、６１〜９０、９１
〜１２０を得た。得られたサンプルについてのクラック
発生率（％）を表１に示してある。セラミックコンデン
サ素子１は、線膨張係数α＝１２×１０^-6／℃であっ
た。

【００１６】ヒートサイクル試験を行ない、クラックの
発生率を調べた。ヒートサイクル試験は、−５５℃の温
度を３０分間保持し、１２５℃の温度を３０分保持する
サイクルを１サイクルとして１０００サイクルまで行っ
た。

【００１７】表１に示すように、伸び率が５（％）のサ
ンプルNo.１〜３０では４５％、伸び率が８（％）のサ
ンプルNo.３１〜６０では、３０％にクラックの発生が
認められた。これに対して、伸び率が１０（％）のサン
プルNo.６１〜１５０ではクラックの発生が認められな
かった。

【００１８】図３は金属端子２、３の断面構造の一例を
示す拡大部分断面図である。図示された金属端子２、３
は、基体２００の表面に、Ｎｉめっき膜３００及びＡｇ
めっき膜４００の２層のめっき膜を付着させてある。こ
の金属端子２、３は、基体２００に焼鈍処理を施して伸
び率を調整した後、めっき膜３００、４００を形成する
ことによって得ることができる。基体２００の構成材料
としては、上述した４２アロイ（登録商標）の他、次に
述べる金属材料も使用できる。

【００１９】アンバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）線膨張係数α＝１〜２×１０^-6／℃ Ｒｕ線膨張係数α＝６．８×１０^-6／℃ ニモニック８０（登録商標）線膨張係数α＝１１．７×１０^-6／℃ Ｐｔ線膨張係数α＝９×１０^-6／℃ Ｐｄ線膨張係数α＝１０．６×１０^-6／℃ チタン線膨張係数α＝９×１０^-6／℃ 炭素銅：線膨張係数α＝１０〜１３×１０^-6／℃ 図１、２の実施例において、金属端子２は中間部に曲げ
部２２を有し、曲げ部２２の先に、外部と接続される端
子部２３を有する。そして、曲げ部２２の最初の曲げ部
２２１と、先端部との間の部分に相当する一端部２１
が、端子電極１１に接続されている。金属端子２は、更
に、曲げ部２２と端子部２３とを区画するもう一つの曲
げ部２２２を有する。

【００２０】金属端子３も、中間部に曲げ部３２を有
し、曲げ部３２の先に、外部と接続される端子部３３を
有する。そして、曲げ部３２の最初の曲げ部３２１と、
先端部との間の部分に相当する一端部３１が、端子電極
１２に接続されている。金属端子３は、更に、曲げ部３
２と端子部３３とを区画するもう一つの曲げ部３２２を
有する。

【００２１】セラミックコンデンサ素子１は、セラミッ
ク誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の
内部電極１０１、１０２を有する。内部電極１０１は一
端が端子電極１１に接続され、他端が自由端になってい
る。内部電極１０２は一端が端子電極１２に接続され、
他端が自由端になっている。端子電極１１、１２、内部
電極１０１、１０２およびセラミック誘電体基体１００
の構成材料およびその製造方法等は周知である。典型的
な例では、セラミックコンデンサ素子１は、鉛系複合ペ
ロブスカイトのセラミック誘電体の内部にＡｇ−Ｐｄよ
りなる内部電極１０１、１０２を有し、セラミック誘電
体の相対する両側端部にガラスブリットを含んだＡｇペ
ーストの焼き付け電極でなる端子電極１１、１２を有す
る。

【００２２】好ましくは、内部電極１０１は、その自由
端と端子電極１２との間に、間隔△Ｌ１が生じるように
形成する。内部電極１０２は、その自由端と端子電極１
１との間に、間隔△Ｌ２が生じるように形成する。間隔
△Ｌ１および△Ｌ２は、自由端と端子電極１１、１２と
の間の最短距離で与えられる。具体的には、間隔△Ｌ１
は、端子電極１２の内、セラミック誘電体基体１００の
表面および裏面に付着されている垂れ部分１２１の先端
からセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた
線分Ｓ１１と、自由端の先端からセラミック誘電体基体
１００の厚み方向に引かれた線分Ｓ１２との間の間隔と
して与えられる。

【００２３】間隔△Ｌ２は、端子電極１１の内、セラミ
ック誘電体基体１００の表面および裏面に付着されてい
る垂れ部分１１１の先端からセラミック誘電体基体１０
０の厚み方向に引かれた線分Ｓ２１と、自由端の先端か
らセラミック誘電体基体１００の厚み方向に引かれた線
分Ｓ２２との間の間隔として与えられる。

【００２４】図２において、セラミックコンデンサ素子
１は、内部電極１０１、１０２の電極面が水平面と平行
となる横配置となっているが、図２の位置からセラミッ
クコンデンサ素子１を約９０度回転させて、内部電極１
０１、１０２の電極面が水平面に対して垂直となる縦配
置としてもよい。

【００２５】図４は図１及び図２に示したセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した時の状態を示す部分断
面図である。セラミックコンデンサは、回路基板７０の
上に搭載されている。回路基板７０の表面には導体パタ
ーン７１、７２が設けられている。セラミックコンデン
サに備えられた金属端子２の端子部２３がはんだ８１に
よって導体パターン７１にはんだ付けされ、金属端子３
の端子部３３がはんだ８２によって導体パターン７２に
はんだ付けされている。

【００２６】上述したように、本発明に係るセラミック
コンデンサにおいて、金属端子２、３のそれぞれは、破
断に至るまでの伸びが１０（％）以上であるから、回路
基板７０の膨張、収縮による熱応力を緩和を、金属端子
２、３によって吸収し、セラミックコンデンサ素子１及
び接合部４、５にクラックが入るのを防止することがで
きる。

【００２７】しかも、実施例の場合、セラミックコンデ
ンサ素子１に近い側に、最初の曲げ部２２１、３２１を
有し、回路基板にはんだ付けされる端子部２３、３３に
近い側にもう一つの曲げ部２２２、３２２を有する。こ
の構造によれば、最初の曲げ部２２１、３２１では、主
に、セラミックコンデンサ素子１に生じる電歪応力を緩
和し、もう一つの曲げ部２２２、３２２では、主に、回
路基板７０の膨張、収縮による熱応力を緩和するとい
う、言わば、役割分担を持たせると共に、その分担され
た役割を、一つの金属端子２または３上で合成し、クラ
ック防止のための協調動作を確保することができる。

【００２８】また、図示実施例では、金属端子２、３の
曲げ部２２、３２は、一つの曲げ部２２１、３２１で構
成され、鋭角に曲げられている。この鋭角な曲げによれ
ば、セラミックコンデンサ素子１に生じる電歪応力を、
より一層効果的に緩和することができる。

【００２９】更に、内部電極１０１の自由端と端子電極
１２との間に、間隔△Ｌ１を生じさせ、内部電極１０２
の自由端と端子電極１１との間に、間隔△Ｌ２を生じさ
せている構造の場合、クラックや、破壊等を生じ易い金
属端子とはんだとの界面、および、はんだ付け領域付近
に、内部電極１０１と内部電極１０２の重なりが存在し
ない。このため、クラックによるショート、および、そ
れに起因する発火等を生じる危険性が激減する。

【００３０】図１および図２において、第１の曲げ部２
２１、３２１は、くさび状に曲げられているが、９０度
以外の角度、明確な角度を持たない形状、例えば、円弧
状に曲げてもよい。

【００３１】接合部４、５は、セラミックコンデンサ
を、回路基板７０上に実装する際の熱によっては再溶融
することのない高温系接合材によって構成することが好
ましい。セラミックコンデンサを共晶はんだによって回
路基板７０にはんだ付けする場合を想定すると、共晶は
んだの溶融温度は、一般には、１８３℃程度であるの
で、２００℃以上の耐熱温度特性を有する接合材を用い
る。

【００３２】このような接合材の具体例としては、第１
の金属成分と、第２の金属成分とを含有するはんだを挙
げることができる。第１の金属成分は、第２の金属成分
の融点よりも低い融点を持つ。はんだ付けに当っては、
第１の金属成分の融点よりも高く、かつ、第２の金属成
分の融点よりも低いはんだ付け温度で、はんだ付けす
る。

【００３３】より具体的には、第１の金属成分と第２の
金属成分とを混合したはんだ粉体に、フラックスを混合
し、はんだぺ一ストとする。このぺ一ストを基板に印刷
し、所定の温度で、電子部品等のはんだ付けを行う。

【００３４】上述したはんだにおいて、第２の金属成分
の融点が、このときのはんだ付け温度よりも低いから、
第１の金属成分が溶融し、はんだ付けが行われる。

【００３５】第２の金属成分は、融点がはんだ付け温度
よりも高いから、溶融しない。この第２の金属成分の周
囲を、溶融した第１の金属成分が覆い、拡散により合金
化が進み、均一な組成になる。この均一な組成になった
はんだの融点は、第１の金属成分の融点よりも高くな
る。従って、リフロー工程におけるはんだの溶融及び接
合強度の低下等を回避し得る。

【００３６】第１の金属成分及び第２の金属成分の何れ
も、Ｐｂ以外の金属成分から選択する。これにより、Ｐ
ｂフリーでありながら、Ｐｂを含む場合と同程度の高温
はんだを実現することができる。即ち、Ｐｂを含まない
高温はんだを実現し得る。

【００３７】第１の金属成分と、第２の金属成分との組
み合わせ、及び、組成比等は、第１の金属成分と第２の
金属成分の組み合わせ毎に、既に知られた状態図を参照
して、適切に選択することができる。

【００３８】第１の金属成分は、Ｓｎ、Ｓｎ−３．５Ａ
ｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉｎ、Ｓｎ−５８Ｂ
ｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ａｕま
たはＳｎ−９Ｚｎから選択された少なくとも一種を含む
ことができる。第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、
Ａｕ、ＮｉまたはＺｎから選択された少なくとも一種を
含むことができる。

【００３９】上述したはんだは、第３の金属成分を含ん
でいてもよい。第３の金属成分は、微量添加物であっ
て、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選択された少なくと
も一種を含むことができる。

【００４０】本発明に係るセラミックコンデンサは、種
々の態様をとることができる。その具体例を図５〜図１
２に示す。これらの図において、図１および図２に現れ
た構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付
してある。

【００４１】まず、図５は本発明に係るセラミックコン
デンサの更に別の実施例を示す正面部分図、図６は図５
に示したセラミックコンデンサの正面断面図である。こ
の実施例に示されたセラミックコンデンサでは、２個の
セラミックコンデンサ素子１１０、１２０を備える。セ
ラミックコンデンサ素子１１０、１２０は順次に積層さ
れ、端子電極１１、１２が、接合部４、５によって、並
列に接続されている。金属端子２、３の端子部２３、３
３は、セラミックコンデンサ素子１１０、１２０の内、
最下層に位置するセラミックコンデンサ素子１２０の下
側に間隔Ｇ０１、Ｇ０２をおいて配置されており、これ
により、端子部２３、３３による基板占有面積の増大を
抑え、実装面積を最小にしてある。

【００４２】金属端子２、３の曲げ部２２、３２は、第
１の曲げ部２２１、３２１と、第２の曲げ部２２２、３
２２とを含む。金属端子２、３のそれぞれは、先端部か
ら第１の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミッ
クコンデンサ素子１１０、１２０の側端面に形成された
端子電極１１、１２に接続されている。金属端子２、３
のそれぞれは、破断に至るまでの伸びが１０（％）以上
であり、回路基板７０の膨張、収縮による熱応力を緩和
を、金属端子２、３によって吸収し、セラミックコンデ
ンサ素子１及び接合部４、５にクラックが入るのを防止
することができる。

【００４３】図５および図６に示した実施例によれば、
図１および図２を参照して説明した作用効果のほか、２
つのセラミックコンデンサ素子１１０、１２０のそれぞ
れの静電容量値を加算した大きな静電容量が取得でき
る。

【００４４】図７は本発明に係るセラミックコンデンサ
の更に別の実施例を示す斜視図、図８は図７に示したセ
ラミックコンデンサの正面部分断面図である。この実施
例では、金属端子２、３のそれぞれは、先端部から第１
の曲げ部２２１、３２１に至る部分が、セラミックコン
デンサ素子１１０の側端面に形成された端子電極１１、
１２にのみ接続されている。この実施例の場合も、金属
端子２、３のそれぞれは、破断に至るまでの伸びが１０
（％）以上であり、回路基板の膨張、収縮による熱応力
を緩和を、金属端子２、３によって吸収し、セラミック
コンデンサ素子１及び接合部４、５にクラックが入るの
を防止することができる。

【００４５】図９は本発明に係るセラミックコンデンサ
の更に別の実施例を示す斜視図である。この実施例で
は、金属端子２、３は、曲げ部２２、３２の幅方向の中
間部に、切り抜き部２２５、３２５を有する。この実施
例の場合も、金属端子２、３のそれぞれは、破断に至る
までの伸びが１０（％）以上であり、回路基板の膨張、
収縮による熱応力を緩和を、金属端子２、３によって吸
収し、セラミックコンデンサ素子１及び接合部４、５に
クラックが入るのを防止することができる。

【００４６】しかも、図９の実施例の場合、切り抜き部
２２５、３２５を有するので、金属端子２、３からセラ
ミックコンデンサ素子１１０、１２０に負荷される応力
が低下するので、セラミックコンデンサ素子１１０、１
２０における熱応力を緩和できる。また、金属端子２、
３の剛性が低下するので、基板の撓みおよび熱膨張を吸
収するのに適したスプリング作用を得ることができる。

【００４７】図１０は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、
金属端子２は、抜き部２４を有する。抜き部は、端子電
極１１を取り付けた取り付け部に向き合う。図示されて
いないが、金属端子３も、同様に、抜き部３４を有す
る。抜き部３４は、端子電極１２を取り付けた取り付け
部に向き合う。

【００４８】この実施例の場合も、金属端子２、３のそ
れぞれは、破断に至るまでの伸びが１０（％）以上であ
り、回路基板の膨張、収縮による熱応力を緩和を、金属
端子２、３によって吸収し、セラミックコンデンサ素子
１及び接合部４、５にクラックが入るのを防止すること
ができる。

【００４９】しかも、金属端子２、３を端子電極１１、
１２に接続する作業において、金属端子２、３の抜き部
２４、３４を通して、金属端子２、３の取り付け部を押
さえ、端子電極１１、１２に接触させ、接続作業を容易
に行なうことができる。また、抜き部２４、３４を通し
て、均一な力で取り付け部を端子電極１１、１２に接着
することができる。

【００５０】図１１は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す底面図である。この実施例では、
金属端子２の端子部２３は、２つの穴２３１、２３２を
有する。同様に、金属端子３の端子部３３は、２つの穴
３３１、３３２を有する。穴数は任意である。

【００５１】この実施例の場合も、金属端子２、３のそ
れぞれは、破断に至るまでの伸びが１０（％）以上であ
り、回路基板の膨張、収縮による熱応力を緩和を、金属
端子２、３によって吸収し、セラミックコンデンサ素子
１及び接合部４、５にクラックが入るのを防止すること
ができる。

【００５２】しかも、図１１に図示されたセラミックコ
ンデンサは、図４図に示したように、回路基板７０に設
けられた導体パターン７１、７２にはんだ付けする際、
端子部２３、３３の穴２３１、２３２、３３１、３３２
に、はんだ８２、８１を充填し、セラミックコンデンサ
を回路基板７０に確実にはんだ付けすることができる。

【００５３】図１２は本発明に係るセラミックコンデン
サの別の実施例を示す正面断面図である。この実施例で
は、４個のセラミックコンデンサ素子１１０〜１４０を
順次に積層する。そして、金属端子２において、先端部
と第１の曲げ部２２１との間を、接合部４によって、端
子電極１１に接続固定する。金属端子３において、先端
部と第１の曲げ部３２１との間を、接合部５によって、
端子電極１２に接続固定する。

【００５４】この実施例の場合も、金属端子２、３のそ
れぞれは、破断に至るまでの伸びが１０（％）以上であ
り、回路基板の膨張、収縮による熱応力を緩和を、金属
端子２、３によって吸収し、セラミックコンデンサ素子
１及び接合部４、５にクラックが入るのを防止すること
ができる。

【００５５】更に、図１２に示された実施例によれば、
図１〜図１１に示した実施例よりも、更に大きな静電容
量を取得できる。セラミックコンデンサ素子１１０〜１
４０の個数は、要求される静電容量に応じて更に増加で
きる。

【００５６】重複説明を回避するため、図示は省略する
けれども、実施例の組み合わせが多数存在することはい
うまでもない。また、Ｎｉを内部電極としたチタン酸バ
リウム系のセラミックコンデンサでも同様の効果が得ら
れた。

【００５７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、温
度変化環境下で使用された場合でも、はんだまたはセラ
ミックに亀裂やクラック等の欠陥が発生することのない
セラミックコンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの正面部分
断面図である。

【図２】図１に示したセラミックコンデンサの正面断面
図である。

【図３】本発明に係るセラミックコンデンサに用いられ
る金属端子の一例を示す拡大断面図である。

【図４】図１及び図２に示したセラミックコンデンサを
回路基板上に実装した時の状態を示す部分断面図であ
る。

【図５】本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施
例を示す正面部分図である。

【図６】図５に示したセラミックコンデンサの正面図で
ある。

【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す斜視図である。

【図８】図７に示したセラミックコンデンサの正面部分
断面図である。

【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の
実施例を示す斜視図である。

【図１０】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す斜視図である。

【図１１】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す底面図である。

【図１２】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別
の実施例を示す正面断面図である。

【符号の説明】

１セラミックコンデンサ素
子２、３金属端子４、５接合部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１つのセラミックコンデンサ
素子と、少なくとも一対の金属端子とを含むセラミック
コンデンサであって、前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に
端子電極を有しており、前記金属端子のそれぞれは、破断に至るまでの伸びが１
０（％）以上であり、接合材により前記端子電極に接続
されているセラミックコンデンサ。
【請求項２】請求項１に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、前記金属端子のそれぞれは、中間部に曲げ部を有し、前
記曲げ部より先の部分が前記端子電極に接続され、前記
曲げ部の後方部分に外部と接続される端子部を有するセ
ラミックコンデンサ。
【請求項３】請求項１に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、前記金属端子の前記曲げ部は、鋭角に曲げられているセ
ラミックコンデンサ。