JP2001085262A - セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミック電子部品本体の端子電極に金属板
からなる端子部材が半田付けされた構造とするとき、こ
の半田付けには高温半田が用いられるが、この高温半田
による半田付け時に付与される高温のため、部品本体に
クラックが発生することがある。 【解決手段】 端子電極２４を、金属層３０と導電性樹
脂層３１とめっき膜３２とによって構成する。金属層３
０を、部品本体２２の端面上にのみ形成するとともに、
導電性樹脂層３１を備えることから、半田２５を介して
の端子部材２３の半田付けに際して生じるストレスによ
って部品本体２２にクラックが生じることを防止する。
また、めっき膜３２は、半田２５による半田付け性を良
好なものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品に関するもので、特に、たとえば積層セラミックコ
ンデンサのようにセラミック電子部品本体を備えるセラ
ミック電子部品の端子部分の構造ないし材質の改良に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、熱放散性に優れたアルミニウ
ムからなるベース上に絶縁塗装が施されたアルミニウム
基板上に積層セラミックコンデンサのようなセラミック
電子部品を面実装すると、アルミニウム基板とセラミッ
ク電子部品本体との間での熱膨張係数の差が大きいた
め、温度の上昇および下降を繰り返す温度サイクルにお
いて、セラミック電子部品の破壊等を生じやすい、とい
う問題がある。特に、電源用等として用いられている高
容量のＰｂ系セラミック誘電体を用いた積層セラミック
コンデンサの場合には、その抗折強度が比較的低いた
め、この問題がより生じやすい。

【０００３】この問題を解決するため、金属板からなる
端子部材をセラミック電子部品の端子電極上に半田付け
により取り付け、温度変化により基板が膨張・収縮した
場合でも、その応力を端子部材の変形または動きにより
吸収し、直接、セラミック電子部品本体へは加わらない
ようにすることが行なわれている。

【０００４】図６には、上述したような構造を有するセ
ラミック電子部品１が示されている。

【０００５】セラミック電子部品１は、セラミック電子
部品本体２と、その各端部に取り付けられる端子部材３
および４とを備えている。

【０００６】より詳細には、部品本体２は、相対向する
２つの端面５および６ならびにこれら２つの端面５およ
び６間を連結する４つの側面７、８、９および１０を有
する直方体状をなしている。また、端面５および６上に
は、それぞれ、端子電極１１および１２が形成されてい
る。端子電極１１および１２は、たとえば、導電性ペー
ストを焼き付けることによって形成され、端面５および
６の各々に隣接する側面７〜１０の各一部上にまで延び
る部分を有している。

【０００７】また、端子部材３および４は、それぞれ、
金属板をもって構成され、半田１３および１４によって
端子電極１１および１２に半田付けされることによって
取り付けられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図７には、図６に示し
たセラミック電子部品１の一方の端子部材３側の一部が
拡大されて断面図で示されている。セラミック電子部品
１における他方の端子部材４側の構成は、図７に示した
端子部材３側の構成と実質的に同様であるので、以下の
説明は、図７に示した部分についてのみ行なうことにす
る。

【０００９】図７を参照して、端子部材３を端子電極１
１に半田付けするための半田１３としては、通常、Ｐｂ
系等の高温半田が用いられている。このように高温半田
が用いられるのは、セラミック電子部品１を適宜の配線
基板（図示せず。）上に実装しようとするとき、端子部
材３と配線基板上の導電ランドとを半田付けする際の熱
によって、半田１３が軟化または溶融しないようにする
ためである。

【００１０】そのため、端子部材３と端子電極１１との
半田付け時には、比較的高温が付与されなければなら
ず、比較的大きな熱衝撃が端子電極１１や部品本体２に
及ぼされる。この熱衝撃は、端子電極１１にストレスを
生じさせ、その結果、部品本体２には、図７に示すよう
なクラック１５が入ることがある。このようなクラック
１５の発生は、前述したＰｂ系セラミック誘電体を用い
た積層セラミックコンデンサの場合において、特に顕著
である。

【００１１】また、上述のクラック１５をもたらすスト
レスは、特に、端子電極１１の側面７上で延びる部分に
おいて、部品本体２に対して強く作用するため、図７に
示すように、端子電極１１の側面７上で延びる部分の端
縁の近傍において、クラック１５が発生しやすい。

【００１２】このようなクラック１５は、セラミック電
子部品１の耐湿性を低下させるばかりでなく、セラミッ
ク電子部品１のその後の耐熱衝撃性をも低下させ、ま
た、絶縁抵抗等の電気特性の低下をも招くことがあり、
そのため、セラミック電子部品１の信頼性を低下させて
しまう。

【００１３】また、このようなクラック１５は、半田１
３による半田付け時の熱衝撃による場合に限らず、その
後において、セラミック電子部品１に及ぼされる温度変
化による熱衝撃によっても生じ得る。

【００１４】なお、図７には、電子部品本体２の内部に
形成される内部電極１６および１７が図示されている。
このような内部電極１６および１７を備える部品本体２
は、積層セラミックコンデンサを構成するためのもので
あり、端子電極１１に接続される内部電極１６と端子電
極１２( 図６参照) に接続される内部電極１７とが交互
に配置されている。

【００１５】前述のようなクラック１５を防止するた
め、端子電極１１を、金属粉末および樹脂を含む導電性
樹脂により構成したり、端子電極１１上に導電性樹脂を
塗布したりしながら、これら導電性樹脂を半田１３に代
わる接合材として用い、端子部材３を接合するようにす
ることが考えられている。

【００１６】しかしながら、端子部材３を取り付けるた
め、導電性樹脂を接合材として用いた場合には、導電性
樹脂による汚れ等の外観不良が発生しやすく、また、導
電性樹脂は高温においてせん断強度が低下するため、端
子部材３の取付け強度に対する信頼性がそれほど高くな
く、端子部材３が電子部品本体２から外れることもあ
る。

【００１７】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック電子部品を提供しよう
とすることである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明は、相対向する
２つの端面およびこれら２つの端面間を連結する側面を
有し、かつ少なくとも各端面上に端子電極が形成され
た、セラミック電子部品本体と、金属板をもって構成さ
れ、かつ各端子電極に半田付けされて取り付けられた、
端子部材とを備える、セラミック電子部品に向けられる
ものであって、上述した技術的課題を解決するため、端
子電極が、各端面上にのみ形成される、金属を含む金属
層と、この金属層上に形成される、金属粉末および樹脂
を含む導電性樹脂からなる導電性樹脂層と、この導電性
樹脂層上に金属をめっきすることによって形成される、
めっき膜とを備えることを特徴としている。

【００１９】この発明において、上述した金属層は、た
とえば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電
性ペーストを焼き付けることによって形成されることが
できる。

【００２０】また、上述しためっき膜は、好ましくは、
導電性樹脂層上に形成され、かつ半田が導電性樹脂層中
に拡散することを防止する金属からなる第１のめっき膜
と、この第１のめっき膜上に形成され、かつ半田付け性
の良好な金属からなる第２のめっき膜とを備える。

【００２１】また、この発明に係るセラミック電子部品
は、複数のセラミック電子部品本体を備え、これら複数
のセラミック電子部品本体の各々の端子電極に端子部材
が共通に取り付けられている構造を有していてもよい。

【００２２】また、この発明は、セラミック電子部品本
体が積層セラミックコンデンサのための電子部品本体を
構成するとき、より有利に適用される。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よるセラミック電子部品２１の一部を拡大して示す断面
図であり、図７に相当する図である。

【００２４】セラミック電子部品２１は、基本的には、
図６に示したセラミック電子部品１と同様の構成を備え
るものであるが、図１には、セラミック電子部品本体２
２の一部、一方の端子部材２３の一部、一方の端子電極
２４の一部、および端子部材２３を端子電極２４に取り
付けるための半田２５の一部が図示されている。

【００２５】部品本体２２は、図示した端面２６を含む
相対向する２つの端面を有している。図示した端子電極
２４は、端面２６上に形成されている。また、部品本体
２２は、端面２６を含む２つの端面間を連結する、図示
した側面２７を含む４つの側面を有している。なお、以
下の説明では、４つの側面は、互いに区別する必要がな
いので、４つの側面の各々について、共通する参照符号
「２７」を用いることにする。

【００２６】部品本体２２は、積層セラミックコンデン
サを構成するものであり、その内部には、複数の内部電
極２８および２９が互いに対向するように形成されてい
る。内部電極２８は、端子電極２４に電気的に接続さ
れ、内部電極２９は、図示しない他方の端子電極に電気
的に接続され、これら内部電極２８と内部電極２９とは
交互に配置されている。

【００２７】端子電極２４および図示しない他方の端子
電極は、互いに実質的に同じ構造を有しており、この発
明において特徴となる構成を備えるものである。以下の
説明は、図示した端子電極２４について行なう。

【００２８】端子電極２４は、金属層３０と、その上に
形成される導電性樹脂層３１と、その上に形成されるめ
っき膜３２とを備えている。

【００２９】金属層３０は、金属を含む構成とされ、た
とえば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕを含む導電
性ペーストを焼き付けることによって形成されることが
できる。なお、金属層３０は、このような焼き付けによ
る他、無電解めっきによって形成されても、真空成膜法
によって形成されても、溶射によって形成されてもよ
い。真空成膜法による場合には、たとえば、Ｎｉ−Ｃｒ
および／またはＣｕからなる金属層３０が形成され、溶
射による場合には、たとえば、Ａｌからなる金属層３０
が形成されることができる。

【００３０】上述した金属層３０は、部品本体２２の側
面２７上にまで延びないように、端面２６上にのみ形成
されることを特徴としている。この実施形態では、端面
２６の周縁部に、アール面取り部３３が形成されてい
て、金属層３０は、このアール面取り部３３の少なくと
も一部を覆うが、側面２７から盛り上がらないように形
成されている。アール面取り部３３は、その曲率半径が
大きい方が、金属層３０を側面２７から盛り上がらない
ように形成することが容易であり、たとえば、平面寸法
が５．７ｍｍ×５．０ｍｍの部品本体２２の場合には、
２００μｍ程度の曲率半径を有するようにされる。

【００３１】導電性樹脂層３１は、金属粉末および樹脂
を含む導電性樹脂から構成される。この導電性樹脂に含
まれる金属粉末としては、たとえばＡｇ粉末が用いら
れ、樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポ
リエステル系やポリエーテルスルホン系樹脂のような高
融点熱可塑性樹脂、あるいはこれら樹脂の混合物が用い
られる。また、導電性樹脂層３１は、図１に示すよう
に、部品本体２２の側面２７上にまで延びるように形成
されてもよい。

【００３２】めっき膜３２は、所望の金属をめっきする
ことによって形成されるものであるが、その表面におい
て良好な半田付け性を与えるようにされ、かつ半田２５
が導電性樹脂層３１中に拡散することを防止することに
よって導電性樹脂層３１の劣化を防止する機能を果たす
ものであることが好ましい。

【００３３】そのため、好ましい実施形態では、めっき
膜３２は、図示を省略するが、導電性樹脂層３１上に形
成され、かつ半田２５が導電性樹脂層３１中に拡散する
ことを防止する金属からなる第１のめっき膜と、この第
１のめっき膜上に形成され、かつ半田付け性の良好な金
属からなる第２のめっき膜とを備える、少なくとも２層
からなる構造とされる。上述した第１のめっき膜を構成
する金属としては、たとえば、Ｎｉが有利に用いられ、
第２のめっき膜を構成する金属としては、たとえば、Ｃ
ｕ、ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂが有利に用いられる。また、
第１のめっき膜は、０．５μｍ以上の厚みとされること
が好ましい。

【００３４】このように構成された端子電極２４、より
特定的には、めっき膜３２に対して、半田２５を介し
て、端子部材２３が半田付けされて取り付けられる。端
子部材２３は、金属板をもって構成されるもので、その
形状については、図６に示した端子部材３と同様であっ
ても、たとえば逆Ｕ字状に折り曲げられた形状を有して
いてもよい。

【００３５】半田２５としては、たとえば、Ｐｂ系高温
半田だけでなく、Ｓｎ−Ｓｂ系高温半田も有利に用いる
ことができる。Ｓｎ−Ｓｂ系高温半田は、環境問題にと
って有利なＰｂフリーの半田であるが、ヤング率が高い
ため、たとえば図７に示した半田１３のために用いる
と、端子電極１１近傍でクラックが生じやすいという問
題を含んでいる。しかしながら、図１に示した構造にお
いては、導電性樹脂層３１の存在により、上述したよう
なクラックの発生を防止できるため、半田２５として、
Ｓｎ−Ｓｂ系高温半田を問題なく使用することが可能に
なる。さらに、半田２５としては、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−
Ｇｅ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｂｉ−Ｓｂ等を含むものも用いられ
る。特にＡｕ−Ｓｎ半田は品質に優れている。

【００３６】図２は、この発明の他の実施形態によるセ
ラミック電子部品２１ａを示す正面図である。図２にお
いて、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符
号を付し、重複する説明は省略する。

【００３７】図２に示したセラミック電子部品２１ａ
は、複数の、たとえば２つのセラミック電子部品本体２
２を備えることを特徴としている。これら２つの部品本
体２２は、同じ方向に向けられながら上下に積み重ねら
れ、必要により、たとえば接着剤３４によって互いに接
合されている。

【００３８】これら２つの部品本体２２の各々の端子電
極２４および３５に対して、それぞれ、共通に端子部材
２３および３６が、半田２５および３７を介して取り付
けられている。

【００３９】このセラミック電子部品２１ａにおいて、
部品本体２２が積層セラミックコンデンサを構成する場
合、より高い静電容量を得ることが可能になる。

【００４０】以下に、この発明の効果を確認するために
実施した実験例について説明する。この実験例では、こ
の発明の実施例として、図１に示すような構造を有する
セラミック電子部品２１を用意するとともに、比較例
１、２および３として、それぞれ、図３、図４および図
５に示すような構造を有するセラミック電子部品４１、
４２および４３を用意した。なお、図３ないし図５にお
いて、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照
符号を付した。

【００４１】これら実施例ならびに比較例１〜３の詳細
は、次のとおりである。

【００４２】（実施例)図１を参照して、平面寸法が
５．７ｍｍ×５．０ｍｍのＰｂ系セラミック誘電体を用
いた静電容量４７μＦの積層セラミックコンデンサとな
るべき部品本体２２を用意した。

【００４３】この部品本体２２の端面２６上にのみ、Ａ
ｇ−Ｐｄペーストを１００μｍの厚みで塗布し、これ
を、１５０℃で１０分間乾燥させた後、７２０℃で５分
間保持して焼き付け、金属層３０を形成した。

【００４４】この金属層３０を覆うように、Ａｇ粉末お
よびエポキシ樹脂を含む導電性樹脂を塗布し、２６０℃
で３０分間加熱硬化することにより、厚み７０μｍの導
電性樹脂層３１を形成した。

【００４５】次いで、導電性樹脂層３１上に、湿式めっ
きによって、厚み１μｍのＮｉめっき膜およびその上に
厚み５μｍのＳｎめっき膜を形成することによって、め
っき膜３２を形成した。

【００４６】次いで、半田２５として、Ｐｂ９０％−Ｓ
ｎ１０％の高温半田を用い、黄銅からなる端子部材２３
を、３２０℃で端子電極２４に半田付けした。

【００４７】このようにして、３６個の積層セラミック
電子部品２１を作製した。

【００４８】（比較例１）図３を参照して、実施例と同
様の部品本体２２を用意し、また、実施例と同様の方法
によりかつ同様の態様で、金属層３０を形成した。

【００４９】次いで、金属層３０を覆うように、実施例
と同様の導電性樹脂を塗布し、これに実施例と同様の端
子部材２３を圧着させながら、２６０℃で３０分間の加
熱硬化処理を行なうことによって、導電性樹脂層３１を
形成するとともに、端子部材２３を導電性樹脂層３１に
接合した。

【００５０】このようにして、３６個のセラミック電子
部品４１を作製した。

【００５１】（比較例２）図４を参照して、実施例と同
様の部品本体２２を用意し、また、実施例と同様の方法
によりかつ同様の態様で、金属層３０を形成した。

【００５２】次いで、金属層３０上に、実施例と同様の
方法によって、めっき膜３２を形成し、その後、実施例
と同様の高温半田を用いかつ同様の方法により、半田２
５を介して端子部材２３を取り付けた。

【００５３】このようにして、３６個のセラミック電子
部品４２を作製した。

【００５４】（比較例３）図５を参照して、実施例と同
様の部品本体２２を用意し、実施例で用いたものと同様
のＡｇ−Ｐｄペーストを、部品本体２２の端面２６上だ
けでなく、側面２７の各一部にまで延びるように１００
μｍの厚みをもって塗布し、実施例と同様の方法で、こ
れを乾燥し、かつ焼き付けた。

【００５５】以後、実施例と同様の方法によって、導電
性樹脂層３１およびめっき膜３２を形成し、次いで、半
田２５を介して、端子部材２３を取り付けた。

【００５６】このようにして、３６個のセラミック電子
部品４３を作製した。

【００５７】以上のようにして得られた実施例、ならび
に比較例１、比較例２および比較例３に係る各試料につ
いて、外観不良発生率、初期電気特性不良発生率および
熱衝撃サイクル不良発生率を評価した。これらの結果が
表１に示されている。

【００５８】

【表１】

【００５９】表１において、外観不良発生率は、導電性
樹脂による汚れの発生率を評価するものである。

【００６０】また、初期電気特性不良率は、外観不良が
生じた試料を除く残りの各試料の絶縁抵抗を測定し、こ
の絶縁抵抗が所定の範囲から外れる不良が発生した試料
の比率を求めたものである。

【００６１】また、熱衝撃サイクル不良発生率は、初期
電気特性不良が発生した試料をさらに除く残りの試料に
ついて評価したもので、アルミニウム基板上に実装した
状態としながら、−５５℃と＋１２５℃との間での温度
変化を５００サイクル繰り返した後での絶縁抵抗を測定
し、この絶縁抵抗が所定の範囲から外れる不良が発生し
た試料の比率を求めたものである。

【００６２】表１から、実施例によれば、外観、初期電
気特性および熱衝撃サイクルのいずれにおいても、不良
の発生がないことがわかる。これは、図１に示すよう
に、金属層３０が部品本体２２の端面２６上にのみ形成
されることによって、金属層３０から部品本体２２に及
ぼされるストレスを低減できるとともに、導電性樹脂層
３１の形成によって、半田付け時およびその後の熱衝撃
によるストレスが緩和されるためであると考えられる。

【００６３】また、表１には示さないが、実施例につい
て、熱衝撃サイクル試験後に、温度８５℃および相対湿
度８５％の条件で耐湿負荷試験を５００時間行なった
が、それによっても、不良の発生が認められなかった。
これは、熱衝撃サイクル試験を終えた段階において、ク
ラックが発生しなかったことを意味している。

【００６４】これに対して、比較例１では、導電性樹脂
層３１を構成する導電性樹脂を、端子部材２３を取り付
けるための接合材として用いたので、この導電性樹脂に
よる汚れが発生しやすく、３６個中、３個の試料におい
て外観不良を発生している。また、熱衝撃サイクルにお
いても、３３個中、４個の試料について不良が発生して
いる。

【００６５】また、比較例２では、導電性樹脂層を備え
ていないので、３６個中、２個の試料について、初期電
気特性不良が発生している。また、熱衝撃サイクルにお
いても、３４個中、３個の試料について不良が発生して
いる。

【００６６】また、比較例３では、金属層３０が部品本
体２２の側面２７を含む４つの側面の各一部上にまで延
びるように形成されたため、３６個中、２個の試料につ
いて、初期電気特性不良が発生している。また、熱衝撃
サイクルにおいても、３４個中、８個の試料について不
良が発生している。

【００６７】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、セラ
ミック電子部品本体の少なくとも各端面上に形成される
端子電極が、各端面上にのみ形成される金属層と、この
金属層上に形成される導電性樹脂層と、この導電性樹脂
層上に形成されるめっき膜とを備えている。

【００６８】このような構成において、まず、めっき膜
は、端子電極と端子部材との半田付けを可能にするよう
に作用している。また、金属層は、セラミック電子部品
本体の端面上にのみ形成されるので、半田付け時または
その後の熱衝撃において、セラミック電子部品本体にク
ラックを生じさせるようなストレスを低減できるととも
に、導電性樹脂層は、このようなストレスがセラミック
電子部品本体へ及ぼされることを緩和する。その結果、
セラミック電子部品本体にクラックが生じることを防止
でき、セラミック電子部品の電気特性に関する信頼性を
高めることができる。

【００６９】この発明において、金属層が、導電性ペー
ストを焼き付けることによって形成されたものである場
合、金属層が厚膜となるので、上述したような半田付け
時等において生じるストレスがより大きくなる。したが
って、端子電極が、このように導電性ペーストを焼き付
けることによって形成された金属層を備えるとき、この
発明による効果がより顕著なものとなる。

【００７０】また、この発明において、めっき膜が少な
くとも２層からなる構造を有し、半田が導電性樹脂層中
に拡散することを防止する金属からなる第１のめっき膜
と、半田付け性の良好な金属からなる第２のめっき膜と
を備えるとき、導電性樹脂層が半田の拡散により劣化す
ることを防止しながら、端子部材を端子電極に取り付け
るにあたって、良好な半田付け状態を確実に得ることが
できる。

【００７１】また、この発明によれば、端子部材を端子
電極に半田付けするための半田として、Ｐｂ系高温半田
だけでなく、端子電極が導電性樹脂層を備えているの
で、ヤング率の高いＳｎ−Ｓｂ系高温半田をも問題なく
使用することができる。したがって、このようにＳｎ−
Ｓｂ系高温半田を用いることにより、Ｐｂフリーで半田
付けを行なうことが可能となり、Ｐｂによる環境問題を
も有利に解決することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態によるセラミック電子部
品２１の一部を拡大して示す断面図である。

【図２】この発明の他の実施形態によるセラミック電子
部品２１ａを示す正面図である。

【図３】この発明による効果を確認するために実施され
た実験例において作製された比較例１としてのセラミッ
ク電子部品４１の一部を拡大して示す断面図である。

【図４】上記実験例において作製された比較例２として
のセラミック電子部品４２の一部を拡大して示す断面図
である。

【図５】上記実験例において作製された比較例３として
のセラミック電子部品４３の一部を拡大して示す断面図
である。

【図６】この発明にとって興味あるセラミック電子部品
１を示す正面図である。

【図７】図６に示したセラミック電子部品１の一部を拡
大して示す断面図である。

【符号の説明】

２１，２１ａ セラミック電子部品 ２２ セラミック電子部品本体 ２３，３６ 端子部材 ２４，３５ 端子電極 ２５，３７ 半田 ２６ 端面 ２７ 側面 ３０ 金属層 ３１ 導電性樹脂層 ３２ めっき膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AE00 AF00 AF01 AF02 AF06 AH08 AJ03 AZ01 5E082 AA02 AB03 BC23 BC33 CC05 FG26 FG27 GG08 GG11 JJ03 JJ05 JJ09 JJ12 JJ21 JJ23 JJ27 LL02 MM24 PP08

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相対向する２つの端面および前記２つの
   端面間を連結する側面を有し、かつ少なくとも各前記端
   面上に端子電極が形成された、セラミック電子部品本体
   と、金属板をもって構成され、かつ各前記端子電極に半
   田付けされて取り付けられた、端子部材とを備え、 前記端子電極は、各前記端面上にのみ形成される、金属
   を含む金属層と、前記金属層上に形成される、金属粉末
   および樹脂を含む導電性樹脂からなる導電性樹脂層と、
   前記導電性樹脂層上に金属をめっきすることによって形
   成される、めっき膜とを備える、セラミック電子部品。
2. 【請求項２】 前記金属層は、導電性ペーストを焼き付
   けることによって形成されたものである、請求項１に記
   載のセラミック電子部品。
3. 【請求項３】 前記めっき膜は、前記導電性樹脂層上に
   形成され、かつ半田が前記導電性樹脂層中に拡散するこ
   とを防止する金属からなる第１のめっき膜と、前記第１
   のめっき膜上に形成され、かつ半田付け性の良好な金属
   からなる第２のめっき膜とを備える、請求項１または２
   に記載のセラミック電子部品。
4. 【請求項４】 複数の前記セラミック電子部品本体を備
   え、複数の前記セラミック電子部品本体の各々の前記端
   子電極に前記端子部材が共通に取り付けられている、請
   求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック電子部
   品。
5. 【請求項５】 前記セラミック電子部品本体は、積層セ
   ラミックコンデンサのための電子部品本体を構成する、
   請求項１ないし４のいずれかに記載のセラミック電子部
   品。